JP2005079235A - ジャンパーチップ部品及びジャンパーチップ部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ジャンパーチップ部品において、硫化雰囲気のような腐食性の強い雰囲気中においても、導体の耐腐食性を高めることができて、それにより導体の抵抗値の変化を防止でき、さらに、低コストで製造することができるジャンパーチップ部品を提供する。
【解決手段】 ジャンパーチップＡにおいて、導体１２を２層に構成し、下側の第１導体１３は、銀系厚膜により形成し、上側の第２導体１４は、樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成する。樹脂銀系厚膜としては、体積比で銀３５〜４５％、樹脂５５〜６５％とし、低温焼成の銀系厚膜としては、体積比で銀６５〜７５％、ガラス２５〜３５％とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ジャンパーチップ部品に関するものである。

従来より、プリント基板上の配線の欠損部を接続するための部品として、ジャンパーチップ部品（「ジャンパーチップ」、「ジャンパー抵抗器」、「０Ω抵抗器」ともいう）が知られている。

ここで、従来におけるジャンパーチップ部品（以下単に「ジャンパーチップ」とする）としては、図５に示す構成のものが一般的である。つまり、従来におけるジャンパーチップＢは、絶縁基板１１０と、導体１１２と、側面電極１１６と、保護膜１２０と、メッキ１２１と、を有している。メッキ１２１は、ニッケルメッキ１２２と、錫メッキ１２４とから構成される。そして、導体１１２としては、一般に銀系厚膜が用いられている。この銀系厚膜を使用した場合には、抵抗値が低く低コストであるために適している。

また、Ａｇ系の金属からなる一次上面電極層を覆うように設けられたＡｕ系の金属からなる二次上面電極層を備えることにより、硫化雰囲気のような腐食性の強い雰囲気中においても抵抗値が変化することのないようにしたものが存在する（特許文献１参照）。
特開２０００−１５６３０４号公報

しかし、図５に示すジャンパーチップにおいては、銀系厚膜は硫化しやすいため、ジャンパーチップを硫化雰囲気中で使用すると、銀系厚膜で構成された導体が硫化してしまい、断線に至るおそれがある。つまり、具体的には、保護膜１２０とメッキ１２１の接合部分から硫化雰囲気（例えば、硫化水素）が侵入して、導体１１２が硫化され、硫化銀が該接合部分から露出する現象を呈してしまう。特に、近年のチップサイズが小型化する傾向のもとでは、導体面積が縮小されるので、硫化断線のおそれが高くなる。

また、上記特許文献１のジャンパー抵抗器によれば、Ａｇ系の金属からなる一次上面電極層を覆うように設けられた二次上面電極層をＡｕ系の金属により構成するので、ジャンパー抵抗器としてのコストが高くなるという問題があった。

そこで、本発明は、ジャンパーチップ部品において、硫化雰囲気のような腐食性の強い雰囲気中においても、導体の耐腐食性を高めることができて、それにより導体の抵抗値の変化を防止でき、さらに、低コストで製造することができるジャンパーチップ部品を提供することを目的とするものである。

本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、ジャンパーチップ部品であって、一対の電極部間に形成された導体で、銀系厚膜により形成された第１導体と、該第１導体の上面に形成された第２導体で、樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成された第２導体と、を有する導体を有することを特徴とする。

この第１の構成のジャンパーチップ部品においては、導体が第１導体と第２導体とで形成され、第２導体は、樹脂銀系厚膜、又は、低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、ジャンパーチップが硫化雰囲気のような腐食性の強い雰囲気中で使用されても、第２導体の耐腐食性を高めることができ、また、第１導体も第２導体の下側にあるので、少なくとも硫化雰囲気が侵入する可能性のある位置に第２導体を形成しておくことにより、第１導体の耐腐食性も高めることができ、結果として、導体全体の耐腐食性を高めることができる。よって、腐食性の強い雰囲気中にあっても、抵抗値の変化を防止することができる。また、導体は上記の材質により形成されているので、導体のコストを小さくでき、よって、ジャンパーチップを低コストで製造することができる。特に、第２導体が樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、第２導体のコストを低く抑えることが可能となる。

また、第２には、ジャンパーチップ部品であって、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に形成された導体で、銀系厚膜により形成された第１導体と、該第１導体の上面に形成された第２導体で、樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成された第２導体と、を有する導体と、該導体の上面の一部に形成された保護膜と、該導体の上面の一部に形成されたメッキで、その端部が保護膜に接合して形成されたメッキと、を有し、該第２導体は、少なくとも該保護膜とメッキの接合位置の下側領域に形成されていることを特徴とする。

この第２の構成のジャンパーチップ部品においては、導体が第１導体と第２導体とで形成され、第２導体は、樹脂銀系厚膜、又は、低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、ジャンパーチップが硫化雰囲気のような腐食性の強い雰囲気中で使用されても、第２導体の耐腐食性を高めることができ、また、第１導体も第２導体により腐食を防ぐことができる。つまり、保護膜とメッキの接合位置から硫化雰囲気が侵入しても、その接合位置の下方には第２導体が設けられているので、第１導体が腐食することはない。また、導体は上記の材質により形成されているので、導体のコストを小さくでき、よって、ジャンパーチップを低コストで製造することができる。特に、第２導体が樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、第２導体のコストを低く抑えることが可能となる。

また、第３には、ジャンパーチップ部品であって、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に形成された導体で、銀系厚膜により形成された第１導体と、該第１導体の上面に形成された第２導体で、樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成された第２導体と、を有する導体と、該絶縁基板の一対の側面に形成された側面電極で、該導体と接続された側面電極と、該導体の上面の一部に形成された保護膜と、該導体の上面の一部と該側面電極を被覆するように形成されたメッキで、その端部が保護膜に接合して形成されたメッキと、を有し、該第２導体は、少なくとも該保護膜とメッキの接合位置の下側領域に形成されていることを特徴とする。

この第３の構成のジャンパーチップ部品においては、導体が第１導体と第２導体とで形成され、第２導体は、樹脂銀系厚膜、又は、低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、ジャンパーチップが硫化雰囲気のような腐食性の強い雰囲気中で使用されても、第２導体の耐腐食性を高めることができ、また、第１導体も第２導体により腐食を防ぐことができる。つまり、保護膜とメッキの接合位置から硫化雰囲気が侵入しても、その接合位置の下方には第２導体が設けられているので、第１導体が腐食することはない。また、導体は上記の材質により形成されているので、導体のコストを小さくでき、よって、ジャンパーチップを低コストで製造することができる。特に、第２導体が樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、第２導体のコストを低く抑えることが可能となる。

また、第４には、上記第２又は第３の構成において、上記第１導体は、平面視において、絶縁基板における一対の端部にまで形成されていることを特徴とする。

また、第５には、上記第２から第４までのいずれかの構成において、上記第２導体は、平面視において、絶縁基板における一対の端部にまで形成されていることを特徴とする。

また、第６には、上記第１から第５までのいずれかの構成において、第１導体と第２導体とは、平面視において、同じ大きさで同じ形状に形成され、その周端が一致して形成されていることを特徴とする。

また、第７には、上記第１から第６までのいずれかの構成において、上記第２導体を構成する樹脂銀系厚膜は、銀と樹脂とが混合して構成され、その混合割合は、体積比で銀３５〜４５％、樹脂５５〜６５％であることを特徴とする。

また、第８には、上記第１から第６までのいずれかの構成において、上記第２導体を構成する低温焼成の銀系厚膜は、銀とガラスとが混合して構成され、その混合割合は、体積比で銀６５〜７５％、ガラス２５〜３５％であることを特徴とする。

また、第９には、ジャンパーチップ部品の製造方法であって、ジャンパーチップ部品における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、複数のジャンパーチップ部品分の第１導体で、銀系厚膜により形成された第１導体を形成する第１導体形成工程と、該第１導体形成工程において形成された第１導体の上面に第２導体を形成する第２導体形成工程で、樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成された第２導体を形成する第２導体形成工程と、該基板素体を分割する分割工程と、を有することを特徴とする。

この第９の製造方法により製造されたジャンパーチップ部品によれば、第２導体は、樹脂銀系厚膜、又は、低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、ジャンパーチップが硫化雰囲気のような腐食性の強い雰囲気中で使用されても、第２導体の耐腐食性を高めることができ、また、第１導体も第２導体の下側にあるので、少なくとも硫化雰囲気が侵入する可能性のある位置に第２導体を形成しておくことにより、第１導体の耐腐食性も高めることができ、結果として、導体全体の耐腐食性を高めることができる。よって、腐食性の強い雰囲気中にあっても、抵抗値の変化を防止することができる。また、導体は上記の材質により形成されているので、導体のコストを小さくでき、よって、ジャンパーチップを低コストで製造することができる。特に、第２導体が樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、第２導体のコストを低く抑えることが可能となる。

また、第１０には、上記第９の構成において、上記第２導体形成工程において、第１導体形成工程で形成された第１導体と同じ大きさ及び同じ形状に形成され、その周端を第１導体と一致させて第２導体を形成することを特徴とする。

また、第１１には、上記第９又は第１０の構成において、上記ジャンパーチップ部品の製造方法は、さらに、上記第２導体形成工程と分割工程の間に行う保護膜形成工程で、上記第１導体と第２導体とからなる導体を保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記分割工程の後に行うメッキ形成工程で、該導体の上面の一部に形成されたメッキで、その端部が保護膜に接合したメッキを形成するメッキ形成工程と、を有し、上記第２導体形成工程においては、少なくとも該保護膜とメッキの接合位置の下側領域に、上記第２導体を形成することを特徴とする。

よって、保護膜とメッキの接合位置から硫化雰囲気が侵入しても、その接合位置の下方には第２導体が設けられているので、第１導体が腐食することはない。なお、この第１１の構成において、実際には、上記分割工程（これが一次分割となる）の後に側面電極を形成する側面電極形成工程が行われ、その後、二次分割を行う第２の分割工程が行われ、その後に、該メッキ工程が行われることになる。

また、第１２には、上記第９から第１１までのいずれかの構成において、上記第２導体を構成する樹脂銀系厚膜は、銀と樹脂とが混合して構成され、その混合割合は、体積比で銀３５〜４５％、樹脂５５〜６５％であることを特徴とする。

また、第１３には、上記第９から第１１までのいずれかの構成において、上記第２導体を構成する低温焼成の銀系厚膜は、銀とガラスとが混合して構成され、その混合割合は、体積比で銀６５〜７５％、ガラス２５〜３５％であることを特徴とする。

本発明に基づくジャンパーチップ部品及びジャンパーチップ部品の製造方法によれば、第２導体は、樹脂銀系厚膜、又は、低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、ジャンパーチップが硫化雰囲気のような腐食性の強い雰囲気中で使用されても、第２導体の耐腐食性を高めることができ、結果として、導体全体の耐腐食性を高めることができる。よって、腐食性の強い雰囲気中にあっても、抵抗値の変化を防止することができる。また、導体は上記の材質により形成されているので、導体のコストを小さくでき、よって、ジャンパーチップを低コストで製造することができる。特に、第２導体が樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、第２導体のコストを低く抑えることが可能となる。

本発明の実施の形態としての実施例を図面を利用して説明する。本発明は、上記の課題を以下に説明するようにして解決した。

本発明の実施例に基づくジャンパーチップについて説明する。本実施例に基づくジャンパーチップ（ジャンパーチップ部品）Ａは、図１に示すように、絶縁基板１０と、導体１２と、側面電極１６と、保護膜２０と、メッキ２１と、を有している。

ここで、上記絶縁基板１０は、含有率９６％（重量比）程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記ジャンパーチップＡの基礎部材として用いられている。

また、導体１２は、第１導体１３と、第２導体１４とを有している。この第１導体１３は、絶縁基板１０の上面に形成され、層状で平面形状は四角形状を呈している。すなわち、第１導体１３は、絶縁基板１０の電極部間方向（Ｘ方向）の端から端まで形成されている。つまり、絶縁基板１０におけるＸ方向の一方の端部から他方の端部にまで第１導体１３が形成されている。なお、第１導体１３は、Ｙ方向（このＹ方向は、Ｘ方向及びＺ方向に垂直な方向である）には、絶縁基板１０の端部との間に所定の距離が設けられている。この第１導体１３は、銀系厚膜により形成されている。つまり、この銀系厚膜は、銀とガラスにより構成（つまり、銀とガラスとが混合して構成）され、その混合割合は、体積比で銀８５〜９５％、ガラス５〜１５％（好適には、銀９０％、ガラス１０％）となっている。

また、第２導体１４は、第１導体１３の上面に形成され、層状で平面形状は四角形状を呈している。この第２導体１４の平面形状・大きさは、第１導体１３と同様であり、第２導体１４は、絶縁基板１０の電極部間方向（Ｘ方向）の端から端まで形成されている。つまり、絶縁基板１０におけるＸ方向の一方の端部から他方の端部にまで第１導体１４が形成されている。また、第２導体１４は、Ｙ方向（このＹ方向は、Ｘ方向及びＺ方向に垂直な方向である）には、絶縁基板１０の端部との間に所定の距離が設けられている。また、この第２導体１４の厚みは、第１導体１３よりも薄く形成されている。この第２導体１４は、樹脂銀系厚膜により形成されている。つまり、この樹脂銀系厚膜は、銀と樹脂により構成（つまり、銀と樹脂とが混合して構成）され、その混合割合は、体積比で銀３５〜４５％、樹脂５５〜６５％（好適には、銀４０％、樹脂６０％）となっている。

なお、第２導体１４を低温焼成の銀系厚膜により形成してもよい。この低温焼成の銀系厚膜とは、通常の銀系厚膜の場合と同様に、銀とガラスにより構成（つまり、銀とガラスとが混合して構成）されているが、ガラスの混合割合を通常よりも多くしたものであり、その混合割合は、体積比で銀６５〜７５％、ガラス２５〜３５％（好適には、銀７０％、ガラス３０％）となっている。

また、側面電極１６は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の長手方向（Ｘ方向）の両端に一対形成されており、上面及び側面及び底面を被覆するように略コ字状に形成されている。つまり、この側面電極１６は、上記第２導体１４の一部と、絶縁基板１０の側面と、絶縁基板１０の下面の一部とを被覆している。この側面電極１６は、銀系厚膜、又は、樹脂・銀系厚膜、又は、銅ニッケル合金、ニッケルクロム合金等の金属からなる薄膜材料により形成されている。

また、上記保護膜２０は、図１に示すように、上記第２導体１４の上面の一部を被覆するように配設されている。すなわち、この保護膜２０の配設位置をさらに詳しく説明すると、Ｙ方向には、第２導体１４のＹ方向の幅よりも広く形成され、該絶縁基板１０の幅よりも若干小さくされていて、Ｙ方向には第２導体１４を被覆している。さらに、Ｘ方向には、第２導体１４の長さよりも若干短めに形成されている。つまり、第２導体１４におけるＸ方向の両端部側領域は、保護膜２０にはカバーされていない。この保護膜２０は、ほう珪酸鉛ガラス又は樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。

次に、メッキ２１は、ニッケルメッキ２２と、錫メッキ２４とを有している。ここで、ニッケルメッキ２２は、電気メッキにより上記保護膜２０の端部に接触し、かつ、上記導体１２と、側面電極１６とを被覆するように略均一の膜厚で配設されている。つまり、メッキ２１は、導体１２の露出部分と側面電極１６とを被覆し、さらには、絶縁基板１０の上面の一部と下面の一部とＹ方向の側面の一部にも及んでいる。このニッケルメッキ２２は、ニッケルにて形成されており、上記導体１２、側面電極１６等のはんだ喰われを防止するために形成されている。なお、このニッケルメッキ２２は、ニッケルメッキ以外にも銅メッキが用いられる場合もある。

上記錫メッキ２４は、電気メッキ法を用いて上記ニッケルメッキ２２の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ２４は、錫にて形成されており、上記ジャンパーチップＡの配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ２４は、錫以外にはんだが用いられる場合もある。

上記構成のジャンパーチップＡの製造方法について、図２、図３等を使用して説明する。まず、予め一次スリットＪ１や二次スリットＪ２が設けられたアルミナ基板（基板素体）（このアルミナ基板は、複数のジャンパーチップの絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）の表側の面に、第１導体Ｇ１３を形成する（Ｓ１１、第１導体形成工程）。つまり、導体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成する。この場合の導体ペーストは、銀とガラスが混合された導体ペーストであり、その混合割合は、体積比で銀８５〜９５％、ガラス５〜１５％（好適には、銀９０％、ガラス１０％）である。なお、焼成温度としては、例えば、８５０℃とする。この第１導体Ｇ１３は、Ｘ方向の複数の第１導体１３分の導体であり、導体ペーストの印刷の際、アルミナ基板においてＸ方向（電極部間方向）に導体ペーストを帯状に連続して印刷する。つまり、アルミナ基板において、一次スリットと二次スリットとで囲まれる個々の領域においてＸ方向につながる領域について一度に印刷する。つまり、Ｘ方向に複数のジャンパーチップ分まとめて一連の帯状に導体ペーストを印刷する。なお、Ｙ方向には、導体ペーストは、絶縁基板１０のＹ方向の幅よりも小さい幅に形成する。

次に、第２導体Ｇ１４を第１導体Ｇ１３の上面に形成する（Ｓ１２、第２導体形成工程）。つまり、導体ペーストを印刷した後に乾燥・硬化させる。この場合の導体ペーストは、第２導体１４が樹脂銀系厚膜の場合には、銀と樹脂とが混合された導体ペーストであり、その混合割合は、体積比で銀３５〜４５％、樹脂５５〜６５％（好適には、銀４０％、樹脂６０％）であり、その硬化温度は、例えば、２００℃とする。なお、この第２導体Ｇ１４は第１導体Ｇ１３の形成領域と同じ領域に重ねて形成する。つまり、この第２導体Ｇ１４は、Ｘ方向の複数の第２導体１４分の導体であり、導体ペーストの印刷の際、アルミナ基板においてＸ方向（電極部間方向）に導体ペーストを帯状に連続して印刷する。つまり、Ｘ方向に複数のジャンパーチップ分まとめて一連の帯状に導体ペーストを印刷する。なお、Ｙ方向には、導体ペーストは、第１導体Ｇ１３と同様に、絶縁基板１０のＹ方向の幅よりも小さい幅に形成する。

なお、第２導体１４を低温焼成の銀系厚膜とする場合には、銀とガラスとが混合された導体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成させる。この場合の導体ペーストにおける混合割合としては、ガラスの混合割合が通常よりも多くなっていて、体積比で銀６５〜７５％、ガラス２５〜３５％（好適には、銀７０％、ガラス３０％）となっている。また、この低温焼成の銀系厚膜の場合の焼成温度は、例えば、６００℃とする。

そして、図３に示すように、保護膜２０を形成する（Ｓ１３（つまり、保護膜を印刷・乾燥・焼成（又は硬化）させる）、保護膜形成工程）。つまり、一次スリットＪ１と二次スリットＪ２とで区画された各領域ごとに保護膜２０を形成する。なお、焼成・硬化温度としては、ほう珪酸鉛ガラスの場合には、６００℃程度で焼成し、樹脂の場合には、２００℃程度で硬化させる。

その後は、一次スリットＪ１に沿ってアルミナ基板を一次分割した（Ｓ１４、分割工程）後、側面電極を形成し（具体的には、複数のジャンパーチップ分の側面電極を形成する）（Ｓ１５）、その後、二次スリットＪ２に沿って二次分割する（Ｓ１６）。そして、メッキ２１を形成して（Ｓ１７、メッキ工程）ジャンパーチップＡを形成する。

本実施例のジャンパーチップＡによれば、導体１２が第１導体１３と第２導体１４とで形成され、導体１２における上側の層、すなわち、第２導体１４は、樹脂銀系厚膜、又は、低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、ジャンパーチップＡが硫化雰囲気のような腐食性の強い雰囲気中にあっても、第２導体１４の耐腐食性を高めることができ、また、第１導体１３も第２導体１４にカバーされているので、第１導体１３の耐腐食性も高めることができ、結果として、導体１２の耐腐食性を高めることができる。よって、腐食性の強い雰囲気中にあっても、抵抗値の変化を防止することができる。特に、保護膜２０とメッキ２１の接合位置Ｐから硫化雰囲気（例えば、硫化水素）が侵入しても、その接合位置の下方には第２導体１４が設けられているので、硫化を防ぐことができ、第２導体１４でカバーされた第１導体１３も硫化することがない。つまり、第２導体１４においては、樹脂が含まれているか又はガラスの体積比における混合割合が大きいので、ジャンパーチップ部品Ａを硫化雰囲気中で使用して第２導体１４中の銀が流出した場合でも、銀が流出した跡には、樹脂による網目状のブロック又はガラスによる網目状のブロックが形成されるため、これらのブロックが硫化雰囲気の侵入や銀のさらなる流出を防止する作用をする。よって、腐食性の強い雰囲気中にあっても、抵抗値の変化を防止することができる。

また、本実施例においては、導体１２は上記の材質により形成されているので、導体１２のコストを小さくでき、よって、ジャンパーチップＡを低コストで製造することができる。特に、第２導体１４が樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、第２導体１４のコストを低く抑えることが可能となる。

なお、第１導体１３は、銀系厚膜により形成されているので、第１導体１３の抵抗値を低く抑えることができ、ジャンパーチップＡは、ジャンパーチップとして好適である。

次に、第２実施例のジャンパーチップについて説明する。第２実施例のジャンパーチップは、上記第１実施例のジャンパーチップと略同様の構成であるが、第２導体が第１導体の上面を全てカバーするのではなく、第２導体が保護膜とメッキの接合位置の下側にのみ設けられている点が異なる。

つまり、図４に示すように、一対の第２導体１４が、第１導体１３の上面に形成され、各第２導体１４は、保護膜２０とメッキ２１の接合部分の下側に形成されている。この各第２導体１４は、層状で四角形状に形成されているが、Ｘ方向には短く形成され、保護膜２０とメッキ２１の接合位置から硫化雰囲気が侵入しても第１導体１３にまで至らないようにＸ方向に所定の長さに形成されている。なお、第２導体１４のＹ方向の長さは、第１導体１３と同様に形成されている。なお、この第２導体１４の厚みは、第１導体１３よりも薄く形成されている。この第２導体１４は、上記第１実施例と同様に、樹脂銀系厚膜により形成されている。つまり、この銀系厚膜は、銀と樹脂により構成（つまり、銀と樹脂とが混合して構成）され、その混合割合は、体積比で銀３５〜４５％、樹脂５５〜６５％（好適には、銀４０％、樹脂６０％）となっている。

なお、第２導体１４を樹脂銀系厚膜の代わりに、低温焼成の銀系厚膜により形成してもよいことは、上記第１実施例の場合と同様である。この低温焼成の銀系厚膜とは、通常の銀系厚膜の場合と同様に、銀とガラスにより構成（つまり、銀とガラスとが混合して構成）されているが、ガラスの混合割合を通常よりも多くしたものであり、その混合割合は、体積比で銀６５〜７５％、ガラス２５〜３５％（好適には、銀７０％、ガラス３０％）となっている。

なお、上記第１導体１３の構成は上記第１実施例と同様であり、絶縁基板１０の電極部間方向（Ｘ方向）の端から端まで形成されている。つまり、絶縁基板１０におけるＸ方向の一方の端部から他方の端部にまで第１導体１３が形成されている。なお、第１導体１３は、Ｙ方向（このＹ方向は、Ｘ方向及びＺ方向に垂直な方向である）には、絶縁基板１０の端部との間に所定の距離が設けられている。この第１導体１３は、銀系厚膜により形成されている。つまり、この銀系厚膜は、銀とガラスにより構成（つまり、銀とガラスとが混合して構成）され、その混合割合は、体積比で銀８５〜９５％、ガラス５〜１５％（好適には、銀９０％、ガラス１０％）となっている。

なお、ジャンパーチップＢにおける導体１２以外の構成は上記第１実施例と同様である。すなわち、絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記ジャンパーチップＢの基礎部材として用いられている。

また、側面電極１６は、図４に示すように、上記絶縁基板１０の長手方向（Ｘ方向）の両端に一対形成されており、上面及び側面及び底面を被覆するように略コ字状に形成されている。つまり、この側面電極１６は、上記第１導体１３の一部と、絶縁基板１０の側面と、絶縁基板１０の下面の一部とを被覆している。この側面電極１６は、銀系厚膜、又は、樹脂・銀系厚膜、又は、銅ニッケル合金、ニッケルクロム合金等の金属からなる薄膜材料により形成されている。

また、上記保護膜２０は、図４に示すように、上記第１導体１３の上面の一部と第２導体の上面の一部とを被覆するように配設されている。すなわち、この保護膜２０の配設位置をさらに詳しく説明すると、Ｙ方向には、第２導体１４のＹ方向の幅よりも広く形成され、該絶縁基板１０の幅よりも若干小さくされていて、Ｙ方向には第２導体１４を被覆している。さらに、Ｘ方向には、一方の第２導体１４の中央付近から他方の第２導体１４の中央付近にまで形成されている。この保護膜２０は、ほう珪酸鉛ガラス又は樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。

次に、メッキ２１は、ニッケルメッキ２２と、錫メッキ２４とを有している。ここで、ニッケルメッキ２２は、電気メッキにより上記保護膜２０の端部に接触し、かつ、上記導体１２と、側面電極１６とを被覆するように略均一の膜厚で配設されている。つまり、メッキ２１は、導体１２の露出部分と側面電極１６とを被覆し、さらには、絶縁基板１０の上面の一部と下面の一部とＹ方向の側面の一部にも及んでいる。このニッケルメッキ２２は、ニッケルにて形成されており、上記上面電極１４及び側面電極１６等の内部電極のはんだ喰われを防止するために形成されている。なお、このニッケルメッキ２２は、ニッケルメッキ以外にも銅メッキが用いられる場合もある。

上記錫メッキ２４は、電気メッキ法を用いて上記ニッケルメッキ２２の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ２４は、錫にて形成されており、上記ジャンパーチップＢの配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ２４は、錫以外にはんだが用いられる場合もある。

なお、上記構成のジャンパーチップＢの製造工程は、上記第１実施例の場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。なお、第２導体１４の形成に際しては、第１実施例とは異なり、第１導体１３の上面の所定の領域にのみ形成する。

本実施例のジャンパーチップＢによれば、導体１２が第１導体１３と第２導体１４とで形成され、導体１２における上側の層は、樹脂銀系厚膜、又は、低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、ジャンパーチップＢが硫化雰囲気のような腐食性の強い雰囲気中にあっても、第２導体１４の耐腐食性を高めることができる。特に、保護膜２０とメッキ２１の接合位置Ｐから硫化雰囲気が侵入しても、その接合部分の下方には第２導体１４が設けられているので、硫化を防ぐことができ、第１導体１３は該硫化雰囲気にさらされないので、第１導体１３も硫化することがない。つまり、第２導体１４においては、樹脂が含まれているか又はガラスの体積比における混合割合が大きいので、ジャンパーチップ部品Ａを硫化雰囲気中で使用して第２導体１４中の銀が流出した場合でも、銀が流出した跡には、樹脂による網目状のブロック又はガラスによる網目状のブロックが形成されるため、これらのブロックが硫化雰囲気の侵入や銀のさらなる流出を防止する作用をする。よって、腐食性の強い雰囲気中にあっても、抵抗値の変化を防止することができる。

また、本実施例においては、導体１２は上記の材質により形成されているので、導体１２のコストを小さくでき、よって、ジャンパーチップＢを低コストで製造することができる。特に、第２導体１４が樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成されているので、第２導体１４のコストを低く抑えることが可能となる。

また、第１導体１３は、銀系厚膜により形成されているので、第１導体１３の抵抗値を低く抑えることができ、ジャンパーチップＢは、ジャンパーチップとして好適である。

なお、上記各実施例の説明においては、第１導体１３の厚みを第２導体１４の厚みよりも大きいものとして説明したが、これには限られず、第１導体１３の厚みと第２導体１４の厚みを同じ厚みとしてもよい。

また、上記第１実施例において、側面電極１６は、第２導体１４の上面の一部に形成されているが、側面電極１６は、第２導体１４の上面には至らず、第１導体１３及び第２導体１４の側端にのみ接するようにしてもよい。また、上記第２実施例においても、側面電極１６は、第１導体１３の上面の一部に形成されているが、側面電極１６は、第１導体１３の上面には至らず、第１導体１３の側端にのみ接するようにしてもよい。

また、上記第１実施例においては、第２導体１４は、絶縁基板１０のＸ方向の端部から端部にまで形成されているが、Ｘ方向の端部にまで形成されていなくてもよく、少なくとも、保護膜２０とメッキ２１の接合部分Ｐの位置に設けられていればよい。例えば、Ｘ方向において、該接合部分Ｐのやや外側の位置の間に設けられていればよい。

本発明のジャンパーチップは、硫化雰囲気等の腐食性の高い雰囲気中で使用するジャンパーチップに特に有効である。

本発明の実施例に基づくジャンパーチップの構成を示す断面図である（第１実施例）。 本発明の実施例に基づくジャンパーチップの製造工程を示すフローチャートである。 本発明の実施例に基づくジャンパーチップの製造工程を説明するための説明図である。 本発明の実施例に基づくジャンパーチップの構成を示す断面図である（第２実施例）。 従来におけるジャンパーチップの構成を示す断面図である。

符号の説明

Ａ、Ｂ ジャンパーチップ
１０ 絶縁基板
１２ 導体
１３ 第１導体
１４ 第２導体
１６ 側面電極
２０ 保護膜
２１ メッキ
２２ ニッケルメッキ
２４ 錫メッキ

Claims (13)

1. ジャンパーチップ部品であって、
   一対の電極部間に形成された導体で、
   銀系厚膜により形成された第１導体と、
   該第１導体の上面に形成された第２導体で、樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成された第２導体と、
   を有する導体を有することを特徴とするジャンパーチップ部品。
2. ジャンパーチップ部品であって、
   絶縁基板と、
   該絶縁基板の上面に形成された導体で、
   銀系厚膜により形成された第１導体と、
   該第１導体の上面に形成された第２導体で、樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成された第２導体と、
   を有する導体と、
   該導体の上面の一部に形成された保護膜と、
   該導体の上面の一部に形成されたメッキで、その端部が保護膜に接合して形成されたメッキと、
   を有し、
   該第２導体は、少なくとも該保護膜とメッキの接合位置の下側領域に形成されていることを特徴とするジャンパーチップ部品。
3. ジャンパーチップ部品であって、
   絶縁基板と、
   該絶縁基板の上面に形成された導体で、
   銀系厚膜により形成された第１導体と、
   該第１導体の上面に形成された第２導体で、樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成された第２導体と、
   を有する導体と、
   該絶縁基板の一対の側面に形成された側面電極で、該導体と接続された側面電極と、
   該導体の上面の一部に形成された保護膜と、
   該導体の上面の一部と該側面電極を被覆するように形成されたメッキで、その端部が保護膜に接合して形成されたメッキと、
   を有し、
   該第２導体は、少なくとも該保護膜とメッキの接合位置の下側領域に形成されていることを特徴とするジャンパーチップ部品。
4. 上記第１導体は、平面視において、絶縁基板における一対の端部にまで形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載のジャンパーチップ部品。
5. 上記第２導体は、平面視において、絶縁基板における一対の端部にまで形成されていることを特徴とする請求項２又は３又は４に記載のジャンパーチップ部品。
6. 第１導体と第２導体とは、平面視において、同じ大きさで同じ形状に形成され、その周端が一致して形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５に記載のジャンパーチップ部品。
7. 上記第２導体を構成する樹脂銀系厚膜は、銀と樹脂とが混合して構成され、その混合割合は、体積比で銀３５〜４５％、樹脂５５〜６５％であることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６に記載のジャンパーチップ部品。
8. 上記第２導体を構成する低温焼成の銀系厚膜は、銀とガラスとが混合して構成され、その混合割合は、体積比で銀６５〜７５％、ガラス２５〜３５％であることを特徴とする１又は２又は３又は４又は５又は６に記載のジャンパーチップ部品。
9. ジャンパーチップ部品の製造方法であって、
   ジャンパーチップ部品における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、複数のジャンパーチップ部品分の第１導体で、銀系厚膜により形成された第１導体を形成する第１導体形成工程と、
   該第１導体形成工程において形成された第１導体の上面に第２導体を形成する第２導体形成工程で、樹脂銀系厚膜又は低温焼成の銀系厚膜により形成された第２導体を形成する第２導体形成工程と、
   該基板素体を分割する分割工程と、
   を有することを特徴とするジャンパーチップ部品の製造方法。
10. 上記第２導体形成工程において、第１導体形成工程で形成された第１導体と同じ大きさ及び同じ形状に形成され、その周端を第１導体と一致させて第２導体を形成することを特徴とする請求項９に記載のジャンパーチップ部品の製造方法。
11. 上記ジャンパーチップ部品の製造方法は、さらに、
    上記第２導体形成工程と分割工程の間に行う保護膜形成工程で、上記第１導体と第２導体とからなる導体を保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、
    上記分割工程の後に行うメッキ形成工程で、該導体の上面の一部に形成されたメッキで、その端部が保護膜に接合したメッキを形成するメッキ形成工程と、
    を有し、
    上記第２導体形成工程においては、少なくとも該保護膜とメッキの接合位置の下側領域に、上記第２導体を形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載のジャンパーチップ部品の製造方法。
12. 上記第２導体を構成する樹脂銀系厚膜は、銀と樹脂とが混合して構成され、その混合割合は、体積比で銀３５〜４５％、樹脂５５〜６５％であることを特徴とする請求項９又は１０又は１１に記載のジャンパーチップ部品の製造方法。
13. 上記第２導体を構成する低温焼成の銀系厚膜は、銀とガラスとが混合して構成され、その混合割合は、体積比で銀６５〜７５％、ガラス２５〜３５％であることを特徴とする請求項９又は１０又は１１に記載のジャンパーチップ部品の製造方法。
    

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