JP2005079120A - 基板加熱装置および基板加熱方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レジストから発生する化学物質による基板の汚染を容易に防止できる基板加熱装置を実現すること。
【解決手段】基板加熱装置は、基板を加熱するためのヒーター４と、小孔５が設けられた空洞区画を有し、これらの小孔５から基板１上にガス６を吐気するための吐気機構７と、各空洞区画から吐気されるガス６の量を制御するためのガス制御手段１０とを備えている。
【選択図】 図１
【解決手段】基板加熱装置は、基板を加熱するためのヒーター４と、小孔５が設けられた空洞区画を有し、これらの小孔５から基板１上にガス６を吐気するための吐気機構７と、各空洞区画から吐気されるガス６の量を制御するためのガス制御手段１０とを備えている。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を加熱するための基板加熱装置および基板加熱方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体プロセスは、基板を加熱する工程を含む。この種の工程としては、例えば、基板上に形成されたレジストを加熱する工程がある。しかし、レジストの加熱に使用される従来の基板加熱装置には、以下のような問題がある。
【０００３】
基板加熱装置により基板が加熱され、基板上のレジストが加熱されると、レジストから化学物質が発生する。この化学物質は基板の上空に滞留し、しかる後、基板表面に付着し、基板が汚染される（第１の問題）。
【０００４】
また、レジストから発生する化学物質の飛散量は、基板表面の中央部と周辺部とでは異なる。例えば、周辺部のパターンが中央部のパターンよりも大きい場合には、周辺部で発生する化学物質の飛散量は、中央部で発生する化学物質の飛散量よりも多くなる。このような飛散量の違いにより、基板上には化学物質の濃度勾配が生じる。化学物質は、濃度勾配に比例した拡散現象により、基板の表面上空を飛行し、しかる後、基板表面に付着する。
【０００５】
上記化学物質の飛散、飛行および基板表面への付着により、レジスト内の化学物質の濃度は、基板加熱の前後で異なってしまう。そのため、基板加熱の前後におけるレジスト内の化学物質の濃度の定量化は、非常に困難になる（第２の問題）。
【０００６】
また、加熱された基板の表面の中央部と周辺部には温度差が生じ、基板表面に温度ばらつきが生じる（第３の問題）。このような温度ばらつきの問題は、さらに以下のような問題を招く。すなわち、基板表面における化学反応には、上記温度ばらつきに応じた不均一性が生じ、このような化学反応の不均一性は、基板表面（基板面内）において、化学反応を均一に促進させる際に障害となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、従来の基板加熱装置は、レジストから発生する化学物質による基板の汚染、レジスト内の化学物質の濃度の定量化の困難、基板表面における温度ばらつきを招くという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、基板上を所定の状態に容易に設定することができる基板加熱装置および基板加熱方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１０】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る基板加熱装置は、基板を加熱するための加熱手段と、複数の開口部を有し、これらの複数の開口部から前記基板上にガスを吐気するための吐気手段と、前記複数の開口部のうち、少なくとも２つ以上の開口部におけるガスの通気量を独立に制御するための制御手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る基板加熱方法は、基板を加熱する際に、前記基板上の複数の領域が所定の状態になるように、前記複数の領域上におけるそれぞれの気流を制御することを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、基板上の複数の領域の気流を制御でき、これにより、基板上を所定の状態に容易に設定することができる。この点については、発明の実施の形態で具体的に説明する。
【００１３】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図である。
【００１６】
図中、１は基板を示しており、この基板１は熱伝導体からなる基板支持台２上にシート３を介して支持される。基板１は、例えば、シリコン基板等の半導体基板（ウェハ）、フォトマスク用のガラス基板、またはＴＦＴ等の液晶デバイス用のガラス基板である。基板支持台２は、基板１を水平に支持するようになっている。
【００１７】
シート３は、基板１の四隅の下に設けられている。シート３は、基板１と基板支持台２との間の滑りを防止するためのものである。シート３の厚さは０．０５〜０．１ｍｍ程度である。したがって、基板１と基板支持台２との間には、０．０５〜０．１ｍｍ程度の隙間ができる。滑りの問題がなければ、基板１と基板支持台２とを直接接触させても構わない。
【００１８】
基板支持台２内にはヒーター４が設けられている。ヒーター４にて発生した熱は、基板支持台２（熱伝導体）内を伝導して、基板１をその裏面から加熱し、基板１を一様に加熱するようになっている。例えば、ヒーター４が抵抗加熱タイプのものであれば、導電線が２次元的に配列されることにより、基板１は一様に加熱されるようになる。より具体的には、リング状の導電線が半径方向に複数設けられたものである。また、基板１がＴＦＴ基板の場合、ヒーター４は、例えばホットプレートである。
【００１９】
基板１の上方には、複数の小孔（開口部）５を有し、小孔５から基板１上にガス６を吐気するための吐気機構７が設けられている。吐気機構７は、複数の空洞区画を有する天板（複数の区画を有する筐体）８と、天板８の各空洞区画にガスを供給するためのガス供給源９と、ガス供給源９から各空洞区画に供給されるガスの量を制御するためのガス制御手段１０とを備えている。
【００２０】
以下、吐気機構７についてさらに説明する。図２および図３は、吐気機構７のより具体的な構成を示す模式図である。図２は、天板８を裏面側（基板１と対向する側）から見た模式図である、図３は、吐気機構７を表面側から見た模式図である。図１の天板８は、図２の破線Ａ−Ａ’に沿った断面図に相当する。また、図４に、図２の破線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図を示す。
【００２１】
天板８は、５つの空洞区画１１１ 〜１１５ を備えている。空洞区画１１５ を中心にしてその四方に空洞区画１１１ 〜１１４ が設けられている。空洞区画１１１ 〜１１５ は、仕切１２によって、互いに仕切られている。仕切１２は、図４に示すように、空洞構造を有する。複数の空洞区画の配置は、図２（図３）のそれに限定されるものではない。
【００２２】
空洞区画１１１ 〜１１４ にはそれぞれ２つの小孔５が設けられ、空洞区画１１５ には１つの小孔５が設けられている。しかし、各空洞区画１１１ 〜１１５ に設ける小孔５の数は上記例に限定されるものではない。例えば、各空洞区画１１１ 〜１１５ に設ける小孔５の数は１でも構わないし、あるいは２以上でも構わない。
【００２３】
空洞区画１１１ 〜１１５ には、図３に示すように、それぞれ、ガス導入口１３１ 〜１３５ が設けられている。ガス導入口１３１ 〜１３５ には、それぞれ、ガス導入配管１４１ 〜１４５ が設けられている。ガス導入配管１４１ 〜１４５ は、ガス供給源９に接続されている。ガス供給源９は、例えば、窒素（Ｎ２ ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスを供給する。図５に、ガス導入配管１４１ 〜１４５ および天板８の斜視図を示す。
【００２４】
ガス導入配管１４１ 〜１４５ の途中には、それぞれ、ガス制御手段１５１ 〜１５５ が設けられている。ガス制御手段１５１ 〜１５５ は、ガス導入配管１４１ 〜１４５ 内の通気量を調整するための流量調整弁等で構成されている。ガス供給源９から、ガス導入配管１４１ 〜１４５ を介して、空洞区画１１１ 〜１１５ に供給されるガスの量は、ガス制御手段１５１ 〜１５５ によって、それぞれ、独立に制御される。これにより、各空洞区画１１１ 〜１１５ 毎に、小孔５から基板１上に吐気されるガス６の流量を独立に制御することが可能となる。
【００２５】
次に、上記の如き構成された基板加熱装置を用いた加熱処理方法について説明する。本実施形態では、基板１が、レジストが塗布されたフォトマスク用のガラス基板の場合について説明する。
【００２６】
まず、基板１を基板支持台２上に支持する。次に、ヒーター４によって基板１を加熱する。これにより、レジストが加熱され、プリベーク処理またはポストベーク処理等の加熱処理が行われる。
【００２７】
このとき、ガス供給源９の弁（不図示）が開かれて、天板８の空洞区画１１１ 〜１１５ 内には所定量の不活性ガスが導入され、小孔５から基板１上に不活性ガスを含むガス６が吐気され、その結果として、基板１と天板８との間の空間には、天板８から基板１に向かうとともに、基板中央から基板周辺に向かった気流が発生する。
【００２８】
基板１の表面上に滞留したレジストから発生した化学物質は、上記気流に沿った経路で、基板１の表面上から除去される。このようにして基板１と天板８との間の空間に滞留した化学物質が、基板１の表面に付着することを防止できる。すなわち、基板１上の化学物質の付着量が十分に低減化された状態（所定の状態）を容易に設定することができ、前述した第１の問題を解決できる。上記レジストが化学増幅型の場合、上記化学物質の代表例として、酸があげられる。また、付着量は１ｐｐｂ以下に低減される。
【００２９】
また、レジストから発生する化学物質の飛散量は、基板１の表面上の中央部と周辺部とで異なり、このような飛散量の違いにより、基板１上には化学物質の濃度勾配が生じる。上記化学物質は、濃度勾配に比例した拡散現象により、基板１の表面上空を飛行し、しかる後、基板表面に付着する。
【００３０】
しかし、本実施形態によれば、基板１上に適当な気流を生じさせることで、基板１上の化学物質の濃度勾配を解消することができる。以下、この点についてさらに説明する。
【００３１】
空洞区画１１１ 〜１１５ に供給する不活性ガスの量は、ガス制御手段１０によりそれぞれ独立に制御することができる。複数の小孔５から基板１上に吐気されるガス６の量は、空洞区画１１１ 〜１１５ に供給する不活性ガスの量により制御することができる。したがって、ガス制御手段１０によりガス６の吐気によって生じる基板１上の気流を制御することが可能となる。これにより、基板１上に適当な気流を生じさせ、基板１上の化学物質の濃度勾配を解消することができ、基板加熱の前後におけるレジスト内の化学物質の濃度の定量化を容易に行えるようになる。すなわち、基板１上の化学物質の濃度勾配が十分に低減化された（所定の状態）を容易に設定することができ、前述した第２の問題を解決できる。濃度勾配は０．０１ｐｐｂ／ｍｍ以下に低減される。
【００３２】
また、加熱された基板１の表面の中央部と周辺部との間には温度差が生じ、基板１の表面に温度ばらつきが生じるが、基板１上に適当な気流を生じさせることで、基板１の表面上の温度ばらつきを小さくできるようになる。以下、この点についてさらに説明する。
【００３３】
上述したように、本実施形態によれば、基板１上の気流を制御することができるので、基板１の表面のうち温度が高い領域上の気流を、温度が低い領域上の気流よりも速くすることにより、温度が異なる領域間の温度差を小さくすることができる。すなわち、基板１の表面上の温度ばらつきが十分に低減化された状態（所定の状態）に容易に設定することができ、前述した第３の問題を解決できる。温度ばらつきは、１２０ｍｍ２ 当たり０．１℃（０．１℃／１２０ｍｍ２ ）以下に低減される。
【００３４】
そして、このような温度ばらつきの問題を解決できることにより、温度ばらつきに応じて生じる化学反応の不均一性も解消でき、基板表面（基板面内）において、化学反応を容易に均一に促進させることが可能となる。
【００３５】
（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図である。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００３６】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、天板８内にもヒーター１６が設けられ、基板１の下方側および上方側から基板１を加熱できるようなっていることである。
【００３７】
天板８は、ヒーター１６を内蔵するための領域（ヒーター内蔵領域）１７を備えている。ヒーター内蔵領域１７は熱伝導体から構成されている。ヒーター１６の種類、構成等は、ヒーター４のそれらと同じでも、あるいは異なっていても構わない。
【００３８】
本実施形態でも第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、ヒーター４およびヒーター１６により、基板１の下方側および上方側から基板１を加熱することにより、基板１の表面の温度ばらつきをより効果的に小さくすることが可能となる。これは、例えば、ヒーター１６による加熱を以下のように設定することにより、容易に実現できる。すなわち、ヒーター４だけ加熱する場合において生じる温度ばらつきを相殺するような温度分布が、基板１の表面上に生じるように、ヒーター１６による加熱を設定する。
【００３９】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図である。
【００４０】
図中、２１は基板を示しており、この基板２１は熱伝導体からなる基板支持台２２上にシート２３を介して支持される。基板支持台２２内にはヒーター２４が設けられている。
【００４１】
基板２１、基板支持台２２、シート２３およびヒーター２４は、それぞれ、第１の実施形態の基板１、基板支持台２、シート３およびヒーター４に相当するものであり、基板支持台２２、シート２３およびヒーター２４の詳細な説明は、基板１、基板支持台２、シート３およびヒーター４のそれらと同じである。
【００４２】
基板２１の上方には、複数の小孔（開口部）２５を有し、基板２１上のガス２６を小孔２５から排気するための排気機構２７が設けられている。排気機構２７は、複数の空洞区画を有する天板（複数の区画を有する筐体）２８と、天板２８の各空洞区画内のガスを吸引するための吸引機構２９と、吸引機構２９により各空洞区画から吸引されるガスの量を制御するガス制御手段３０とを備えている。
【００４３】
以下、排気機構２７についてさらに説明する。図８および図９は、排気機構２７のより具体的な構成を示す模式図である。図８は、天板２８を裏面側（基板２１と対向する側）から見た模式図、図９は、排気機構２７の表面側から見た模式図である。図７の天板２８は、図８の破線Ｃ−Ｃ’に沿った断面図に相当する。また、図１０に、図８の破線Ｄ−Ｄ’に沿った断面図を示す。
【００４４】
天板２８は、５つの空洞区画３１１ 〜３１５ を備えている。空洞区画３１５ を中心にしてその四方に空洞区画３１１ 〜３１４ が設けられている。空洞区画３１１ 〜３１５ は、仕切３２によって、互いに仕切られている。仕切３２は、図１０に示すように、空洞構造を有する。複数の空洞区画の配置は、図８（図９）のそれに限定されるものではない。
【００４５】
空洞区画３１１ 〜３１５ には、それぞれ、ガス排気口３３１ 〜３３５ が設けられている。ガス排気口３３１ 〜３３５ には、それぞれ、ガス排気配管３４１ 〜３４５ が設けられている。ガス排気配管３４１ 〜３４５ は、吸引機構２９に接続されている。吸引機構２９は、配管３５と、配管３５の一端に接続された高圧ガス源３６とを備えている。配管３５の他端は、高圧ガスを排気するための排気口となる。高圧ガス源３６中のガスは、例えば、窒素（Ｎ２ ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスである。ガス排気配管３４１ 〜３４５ および天板２８の斜視図は、例えば、図５のガス導入配管１４１ 〜１４５ および天板８をそれぞれガス排気配管３４１ 〜３４５ および天板２８に変えたものと同じである。
【００４６】
ガス排気配管３４１ 〜３４５ の途中には、それぞれ、ガス制御手段３６１ 〜３６５ が設けられている。ガス制御手段３６１ 〜３６５ は、ガス排気配管３４１ 〜３４５ 内の通気量を調整するための流量調整弁等で構成されている。空洞区画３１１ 〜３１５ からガス排気配管３４１ 〜３４５ を介して吸引機構２９によって排気されるガスの量は、ガス制御手段３６１ 〜３６５ によって、それぞれ、独立に制御される。これにより、各空洞区画３１１ 〜３１５ 毎の設けられた基板２１から小孔２５へ吸引されるガス２６の量は、各空洞区画３１１ 〜３１５ 毎に独立に制御することが可能となる。
【００４７】
次に、上記の如き構成された基板加熱装置を用いた加熱処理方法について説明する。本実施形態では、基板２１が、レジストが塗布されたフォトマスク用のガラス基板の場合について説明する。
【００４８】
まず、基板２１を基板支持台２２上に支持する。次に、ヒーター２４によって基板２１を加熱する。これにより、レジストが加熱され、プリベーク処理またはポストベーク処理等の加熱処理が行われる。
【００４９】
このとき、高圧ガス源３６の弁（不図示）が開かれて、天板２８の空洞区画３１１ 〜３１５ 内から所定量の不活性ガスが吸引され、基板２１上のガス２６は小孔２５から排気され、その結果として、基板２１と天板２８との間の空間には、基板２１の表面から天板２８に向かった気流が発生する。
【００５０】
基板２１の表面上に滞留したレジストから発生した化学物質は、上記気流に沿った経路で、基板２１の表面上から除去される。このようにして基板２１と天板２８との間の空間に滞留した化学物質が、基板２１の表面に付着することを防止できる。すなわち、前述した第１の問題を解決できる。
【００５１】
また、レジストから発生する化学物質の飛散量は、基板２１の表面上の中央部と周辺部とで異なり、このような飛散量の違いにより、基板２１上には化学物質の濃度勾配が生じる。上記化学物質は、濃度勾配に比例した拡散現象により、基板２１の表面上空を飛行し、しかる後、基板表面に付着する。
【００５２】
しかし、本実施形態によれば、基板１上に適当な気流を生じさせ、基板２１上の化学物質の濃度勾配を解消することができる。以下、この点についてさらに説明する。
【００５３】
空洞区画３１１ 〜３１５ から吸引されるガスの量は、ガス制御手段３０によりそれぞれ独立に制御することができる。複数の小孔２５から排気される基板２１上のガス２６の量は、空洞区画３１１ 〜３１５ から吸引されるガスの量により制御することができる。したがって、ガス制御手段３０によりガス２６の排気によって生じる基板２１上の気流を制御することが可能となる。これにより、基板２１上に適当な気流を生じさせ、基板２１上の化学物質の濃度勾配を解消することができ、基板加熱の前後におけるレジスト内の化学物質の濃度の定量化を容易に行えるようになる。すなわち、前述した第２の問題を解決できる。
【００５４】
また、加熱された基板２１の表面の中央部と周辺部には温度差が生じ、基板２１の表面に温度ばらつきが生じるが、基板２１上に適当な気流を生じさせることで、基板２１の表面上の温度ばらつきを小さくできるようになる。以下、この点についてさらに説明する。
【００５５】
上述したように、本実施形態によれば、基板２１上の気流を制御することができるので、基板２１の表面のうち温度が高い領域上の気流を、温度が低い領域上の気流よりも速くすることにより、温度が異なる領域間の温度差を小さくすることができる。これにより、基板２１の表面上の温度ばらつきを小さくできるようになる。すなわち、前述した第３の問題を解決できる。
【００５６】
そして、このような温度ばらつきの問題を解決できることにより、温度ばらつきに応じて生じる化学反応の不均一性も解消でき、基板表面（基板面内）において、化学反応を容易に均一に促進させることが可能となる。
【００５７】
（第４の実施形態）
図１１は、第４の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図である。なお、図７と対応する部分には図７と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００５８】
本実施形態が第３の実施形態と異なる点は、天板２８内にもヒーター３７が設けられ、基板１の下方側および上方側から基板１を加熱できるようなっていることである。
【００５９】
天板８は、ヒーター３７を内蔵するための領域（ヒーター内蔵領域）３８を備えている。ヒーター内蔵領域３８は熱伝導体から構成されている。ヒーター３７の種類、構成等は、ヒーター２４のそれらと同じでも、あるいは異なっていても構わない。
【００６０】
本実施形態でも第３の実施形態と同様の効果が得られる。また、ヒーター２４およびヒーター３７により、基板２１の下方側および上方側から基板２１を加熱することにより、基板２１の表面の温度ばらつきをより効果的に小さくすることが可能となる。これは、例えば、ヒーター３７による加熱を以下のように設定することにより、容易に実現できる。すなわち、ヒーター２４だけ加熱する場合において生じる温度ばらつきを相殺するような温度分布が、基板１の表面上に生じるように、ヒーター３７による加熱を設定する。
【００６１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。また、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題を解決できる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【００６２】
【発明の効果】
以上詳説したように本発明によれば、基板上を所定の状態に容易に設定することができる基板加熱装置および基板加熱方法を実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図
【図２】図１の基板加熱装置の天板を裏面側から見た模式図
【図３】図１の基板加熱装置の吐気機構を表面側から見た模式図
【図４】図２の破線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図
【図５】図１の基板加熱装置の吐気機構のガス導入配管および天板を示す斜視図
【図６】第２の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図
【図７】本発明の第３の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図
【図８】図７の基板加熱装置の排気機構を裏面側から見た模式図
【図９】図７の基板加熱装置の排気機構を表面側から見た模式図
【図１０】図８の破線Ｄ−Ｄ’に沿った断面図
【図１１】第４の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図
【符号の説明】
１…基板、２…基板支持台、３…シート、４…ヒーター（第１の加熱手段）、５…小孔（開口部）、６…ガス、７…吐気機構（吐気手段）、８…天板、９…ガス供給源、１０…ガス制御手段、１１１ 〜１１５ …空洞区画（複数の区画）、１２…仕切、１３１ 〜１３５ …ガス導入口、１４１ 〜１４５ …ガス導入配管、１５１ 〜１５５ …ガス制御手段、１６…ヒーター（第２の加熱手段）、１７…ヒーター内蔵領域、２１…基板、２２…基板支持台、２３…シート、２４…ヒーター（第１の加熱手段）、２５…小孔（開口部）、２６…ガス、２７…排気機構（排気手段）、２８…天板、２９…吸引機構、３０…ガス制御手段、３１１ 〜３１５ …空洞区画（複数の区画）、３２…仕切、３３１ 〜３３５ …ガス排気口、３４１ 〜３４５ …ガス排気配管、３５…配管、３６１ 〜３６５ …ガス制御手段、３７…ヒーター、３８…ヒーター内蔵領域。
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を加熱するための基板加熱装置および基板加熱方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体プロセスは、基板を加熱する工程を含む。この種の工程としては、例えば、基板上に形成されたレジストを加熱する工程がある。しかし、レジストの加熱に使用される従来の基板加熱装置には、以下のような問題がある。
【０００３】
基板加熱装置により基板が加熱され、基板上のレジストが加熱されると、レジストから化学物質が発生する。この化学物質は基板の上空に滞留し、しかる後、基板表面に付着し、基板が汚染される（第１の問題）。
【０００４】
また、レジストから発生する化学物質の飛散量は、基板表面の中央部と周辺部とでは異なる。例えば、周辺部のパターンが中央部のパターンよりも大きい場合には、周辺部で発生する化学物質の飛散量は、中央部で発生する化学物質の飛散量よりも多くなる。このような飛散量の違いにより、基板上には化学物質の濃度勾配が生じる。化学物質は、濃度勾配に比例した拡散現象により、基板の表面上空を飛行し、しかる後、基板表面に付着する。
【０００５】
上記化学物質の飛散、飛行および基板表面への付着により、レジスト内の化学物質の濃度は、基板加熱の前後で異なってしまう。そのため、基板加熱の前後におけるレジスト内の化学物質の濃度の定量化は、非常に困難になる（第２の問題）。
【０００６】
また、加熱された基板の表面の中央部と周辺部には温度差が生じ、基板表面に温度ばらつきが生じる（第３の問題）。このような温度ばらつきの問題は、さらに以下のような問題を招く。すなわち、基板表面における化学反応には、上記温度ばらつきに応じた不均一性が生じ、このような化学反応の不均一性は、基板表面（基板面内）において、化学反応を均一に促進させる際に障害となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、従来の基板加熱装置は、レジストから発生する化学物質による基板の汚染、レジスト内の化学物質の濃度の定量化の困難、基板表面における温度ばらつきを招くという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、基板上を所定の状態に容易に設定することができる基板加熱装置および基板加熱方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１０】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る基板加熱装置は、基板を加熱するための加熱手段と、複数の開口部を有し、これらの複数の開口部から前記基板上にガスを吐気するための吐気手段と、前記複数の開口部のうち、少なくとも２つ以上の開口部におけるガスの通気量を独立に制御するための制御手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る基板加熱方法は、基板を加熱する際に、前記基板上の複数の領域が所定の状態になるように、前記複数の領域上におけるそれぞれの気流を制御することを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、基板上の複数の領域の気流を制御でき、これにより、基板上を所定の状態に容易に設定することができる。この点については、発明の実施の形態で具体的に説明する。
【００１３】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図である。
【００１６】
図中、１は基板を示しており、この基板１は熱伝導体からなる基板支持台２上にシート３を介して支持される。基板１は、例えば、シリコン基板等の半導体基板（ウェハ）、フォトマスク用のガラス基板、またはＴＦＴ等の液晶デバイス用のガラス基板である。基板支持台２は、基板１を水平に支持するようになっている。
【００１７】
シート３は、基板１の四隅の下に設けられている。シート３は、基板１と基板支持台２との間の滑りを防止するためのものである。シート３の厚さは０．０５〜０．１ｍｍ程度である。したがって、基板１と基板支持台２との間には、０．０５〜０．１ｍｍ程度の隙間ができる。滑りの問題がなければ、基板１と基板支持台２とを直接接触させても構わない。
【００１８】
基板支持台２内にはヒーター４が設けられている。ヒーター４にて発生した熱は、基板支持台２（熱伝導体）内を伝導して、基板１をその裏面から加熱し、基板１を一様に加熱するようになっている。例えば、ヒーター４が抵抗加熱タイプのものであれば、導電線が２次元的に配列されることにより、基板１は一様に加熱されるようになる。より具体的には、リング状の導電線が半径方向に複数設けられたものである。また、基板１がＴＦＴ基板の場合、ヒーター４は、例えばホットプレートである。
【００１９】
基板１の上方には、複数の小孔（開口部）５を有し、小孔５から基板１上にガス６を吐気するための吐気機構７が設けられている。吐気機構７は、複数の空洞区画を有する天板（複数の区画を有する筐体）８と、天板８の各空洞区画にガスを供給するためのガス供給源９と、ガス供給源９から各空洞区画に供給されるガスの量を制御するためのガス制御手段１０とを備えている。
【００２０】
以下、吐気機構７についてさらに説明する。図２および図３は、吐気機構７のより具体的な構成を示す模式図である。図２は、天板８を裏面側（基板１と対向する側）から見た模式図である、図３は、吐気機構７を表面側から見た模式図である。図１の天板８は、図２の破線Ａ−Ａ’に沿った断面図に相当する。また、図４に、図２の破線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図を示す。
【００２１】
天板８は、５つの空洞区画１１１ 〜１１５ を備えている。空洞区画１１５ を中心にしてその四方に空洞区画１１１ 〜１１４ が設けられている。空洞区画１１１ 〜１１５ は、仕切１２によって、互いに仕切られている。仕切１２は、図４に示すように、空洞構造を有する。複数の空洞区画の配置は、図２（図３）のそれに限定されるものではない。
【００２２】
空洞区画１１１ 〜１１４ にはそれぞれ２つの小孔５が設けられ、空洞区画１１５ には１つの小孔５が設けられている。しかし、各空洞区画１１１ 〜１１５ に設ける小孔５の数は上記例に限定されるものではない。例えば、各空洞区画１１１ 〜１１５ に設ける小孔５の数は１でも構わないし、あるいは２以上でも構わない。
【００２３】
空洞区画１１１ 〜１１５ には、図３に示すように、それぞれ、ガス導入口１３１ 〜１３５ が設けられている。ガス導入口１３１ 〜１３５ には、それぞれ、ガス導入配管１４１ 〜１４５ が設けられている。ガス導入配管１４１ 〜１４５ は、ガス供給源９に接続されている。ガス供給源９は、例えば、窒素（Ｎ２ ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスを供給する。図５に、ガス導入配管１４１ 〜１４５ および天板８の斜視図を示す。
【００２４】
ガス導入配管１４１ 〜１４５ の途中には、それぞれ、ガス制御手段１５１ 〜１５５ が設けられている。ガス制御手段１５１ 〜１５５ は、ガス導入配管１４１ 〜１４５ 内の通気量を調整するための流量調整弁等で構成されている。ガス供給源９から、ガス導入配管１４１ 〜１４５ を介して、空洞区画１１１ 〜１１５ に供給されるガスの量は、ガス制御手段１５１ 〜１５５ によって、それぞれ、独立に制御される。これにより、各空洞区画１１１ 〜１１５ 毎に、小孔５から基板１上に吐気されるガス６の流量を独立に制御することが可能となる。
【００２５】
次に、上記の如き構成された基板加熱装置を用いた加熱処理方法について説明する。本実施形態では、基板１が、レジストが塗布されたフォトマスク用のガラス基板の場合について説明する。
【００２６】
まず、基板１を基板支持台２上に支持する。次に、ヒーター４によって基板１を加熱する。これにより、レジストが加熱され、プリベーク処理またはポストベーク処理等の加熱処理が行われる。
【００２７】
このとき、ガス供給源９の弁（不図示）が開かれて、天板８の空洞区画１１１ 〜１１５ 内には所定量の不活性ガスが導入され、小孔５から基板１上に不活性ガスを含むガス６が吐気され、その結果として、基板１と天板８との間の空間には、天板８から基板１に向かうとともに、基板中央から基板周辺に向かった気流が発生する。
【００２８】
基板１の表面上に滞留したレジストから発生した化学物質は、上記気流に沿った経路で、基板１の表面上から除去される。このようにして基板１と天板８との間の空間に滞留した化学物質が、基板１の表面に付着することを防止できる。すなわち、基板１上の化学物質の付着量が十分に低減化された状態（所定の状態）を容易に設定することができ、前述した第１の問題を解決できる。上記レジストが化学増幅型の場合、上記化学物質の代表例として、酸があげられる。また、付着量は１ｐｐｂ以下に低減される。
【００２９】
また、レジストから発生する化学物質の飛散量は、基板１の表面上の中央部と周辺部とで異なり、このような飛散量の違いにより、基板１上には化学物質の濃度勾配が生じる。上記化学物質は、濃度勾配に比例した拡散現象により、基板１の表面上空を飛行し、しかる後、基板表面に付着する。
【００３０】
しかし、本実施形態によれば、基板１上に適当な気流を生じさせることで、基板１上の化学物質の濃度勾配を解消することができる。以下、この点についてさらに説明する。
【００３１】
空洞区画１１１ 〜１１５ に供給する不活性ガスの量は、ガス制御手段１０によりそれぞれ独立に制御することができる。複数の小孔５から基板１上に吐気されるガス６の量は、空洞区画１１１ 〜１１５ に供給する不活性ガスの量により制御することができる。したがって、ガス制御手段１０によりガス６の吐気によって生じる基板１上の気流を制御することが可能となる。これにより、基板１上に適当な気流を生じさせ、基板１上の化学物質の濃度勾配を解消することができ、基板加熱の前後におけるレジスト内の化学物質の濃度の定量化を容易に行えるようになる。すなわち、基板１上の化学物質の濃度勾配が十分に低減化された（所定の状態）を容易に設定することができ、前述した第２の問題を解決できる。濃度勾配は０．０１ｐｐｂ／ｍｍ以下に低減される。
【００３２】
また、加熱された基板１の表面の中央部と周辺部との間には温度差が生じ、基板１の表面に温度ばらつきが生じるが、基板１上に適当な気流を生じさせることで、基板１の表面上の温度ばらつきを小さくできるようになる。以下、この点についてさらに説明する。
【００３３】
上述したように、本実施形態によれば、基板１上の気流を制御することができるので、基板１の表面のうち温度が高い領域上の気流を、温度が低い領域上の気流よりも速くすることにより、温度が異なる領域間の温度差を小さくすることができる。すなわち、基板１の表面上の温度ばらつきが十分に低減化された状態（所定の状態）に容易に設定することができ、前述した第３の問題を解決できる。温度ばらつきは、１２０ｍｍ２ 当たり０．１℃（０．１℃／１２０ｍｍ２ ）以下に低減される。
【００３４】
そして、このような温度ばらつきの問題を解決できることにより、温度ばらつきに応じて生じる化学反応の不均一性も解消でき、基板表面（基板面内）において、化学反応を容易に均一に促進させることが可能となる。
【００３５】
（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図である。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００３６】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、天板８内にもヒーター１６が設けられ、基板１の下方側および上方側から基板１を加熱できるようなっていることである。
【００３７】
天板８は、ヒーター１６を内蔵するための領域（ヒーター内蔵領域）１７を備えている。ヒーター内蔵領域１７は熱伝導体から構成されている。ヒーター１６の種類、構成等は、ヒーター４のそれらと同じでも、あるいは異なっていても構わない。
【００３８】
本実施形態でも第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、ヒーター４およびヒーター１６により、基板１の下方側および上方側から基板１を加熱することにより、基板１の表面の温度ばらつきをより効果的に小さくすることが可能となる。これは、例えば、ヒーター１６による加熱を以下のように設定することにより、容易に実現できる。すなわち、ヒーター４だけ加熱する場合において生じる温度ばらつきを相殺するような温度分布が、基板１の表面上に生じるように、ヒーター１６による加熱を設定する。
【００３９】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図である。
【００４０】
図中、２１は基板を示しており、この基板２１は熱伝導体からなる基板支持台２２上にシート２３を介して支持される。基板支持台２２内にはヒーター２４が設けられている。
【００４１】
基板２１、基板支持台２２、シート２３およびヒーター２４は、それぞれ、第１の実施形態の基板１、基板支持台２、シート３およびヒーター４に相当するものであり、基板支持台２２、シート２３およびヒーター２４の詳細な説明は、基板１、基板支持台２、シート３およびヒーター４のそれらと同じである。
【００４２】
基板２１の上方には、複数の小孔（開口部）２５を有し、基板２１上のガス２６を小孔２５から排気するための排気機構２７が設けられている。排気機構２７は、複数の空洞区画を有する天板（複数の区画を有する筐体）２８と、天板２８の各空洞区画内のガスを吸引するための吸引機構２９と、吸引機構２９により各空洞区画から吸引されるガスの量を制御するガス制御手段３０とを備えている。
【００４３】
以下、排気機構２７についてさらに説明する。図８および図９は、排気機構２７のより具体的な構成を示す模式図である。図８は、天板２８を裏面側（基板２１と対向する側）から見た模式図、図９は、排気機構２７の表面側から見た模式図である。図７の天板２８は、図８の破線Ｃ−Ｃ’に沿った断面図に相当する。また、図１０に、図８の破線Ｄ−Ｄ’に沿った断面図を示す。
【００４４】
天板２８は、５つの空洞区画３１１ 〜３１５ を備えている。空洞区画３１５ を中心にしてその四方に空洞区画３１１ 〜３１４ が設けられている。空洞区画３１１ 〜３１５ は、仕切３２によって、互いに仕切られている。仕切３２は、図１０に示すように、空洞構造を有する。複数の空洞区画の配置は、図８（図９）のそれに限定されるものではない。
【００４５】
空洞区画３１１ 〜３１５ には、それぞれ、ガス排気口３３１ 〜３３５ が設けられている。ガス排気口３３１ 〜３３５ には、それぞれ、ガス排気配管３４１ 〜３４５ が設けられている。ガス排気配管３４１ 〜３４５ は、吸引機構２９に接続されている。吸引機構２９は、配管３５と、配管３５の一端に接続された高圧ガス源３６とを備えている。配管３５の他端は、高圧ガスを排気するための排気口となる。高圧ガス源３６中のガスは、例えば、窒素（Ｎ２ ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスである。ガス排気配管３４１ 〜３４５ および天板２８の斜視図は、例えば、図５のガス導入配管１４１ 〜１４５ および天板８をそれぞれガス排気配管３４１ 〜３４５ および天板２８に変えたものと同じである。
【００４６】
ガス排気配管３４１ 〜３４５ の途中には、それぞれ、ガス制御手段３６１ 〜３６５ が設けられている。ガス制御手段３６１ 〜３６５ は、ガス排気配管３４１ 〜３４５ 内の通気量を調整するための流量調整弁等で構成されている。空洞区画３１１ 〜３１５ からガス排気配管３４１ 〜３４５ を介して吸引機構２９によって排気されるガスの量は、ガス制御手段３６１ 〜３６５ によって、それぞれ、独立に制御される。これにより、各空洞区画３１１ 〜３１５ 毎の設けられた基板２１から小孔２５へ吸引されるガス２６の量は、各空洞区画３１１ 〜３１５ 毎に独立に制御することが可能となる。
【００４７】
次に、上記の如き構成された基板加熱装置を用いた加熱処理方法について説明する。本実施形態では、基板２１が、レジストが塗布されたフォトマスク用のガラス基板の場合について説明する。
【００４８】
まず、基板２１を基板支持台２２上に支持する。次に、ヒーター２４によって基板２１を加熱する。これにより、レジストが加熱され、プリベーク処理またはポストベーク処理等の加熱処理が行われる。
【００４９】
このとき、高圧ガス源３６の弁（不図示）が開かれて、天板２８の空洞区画３１１ 〜３１５ 内から所定量の不活性ガスが吸引され、基板２１上のガス２６は小孔２５から排気され、その結果として、基板２１と天板２８との間の空間には、基板２１の表面から天板２８に向かった気流が発生する。
【００５０】
基板２１の表面上に滞留したレジストから発生した化学物質は、上記気流に沿った経路で、基板２１の表面上から除去される。このようにして基板２１と天板２８との間の空間に滞留した化学物質が、基板２１の表面に付着することを防止できる。すなわち、前述した第１の問題を解決できる。
【００５１】
また、レジストから発生する化学物質の飛散量は、基板２１の表面上の中央部と周辺部とで異なり、このような飛散量の違いにより、基板２１上には化学物質の濃度勾配が生じる。上記化学物質は、濃度勾配に比例した拡散現象により、基板２１の表面上空を飛行し、しかる後、基板表面に付着する。
【００５２】
しかし、本実施形態によれば、基板１上に適当な気流を生じさせ、基板２１上の化学物質の濃度勾配を解消することができる。以下、この点についてさらに説明する。
【００５３】
空洞区画３１１ 〜３１５ から吸引されるガスの量は、ガス制御手段３０によりそれぞれ独立に制御することができる。複数の小孔２５から排気される基板２１上のガス２６の量は、空洞区画３１１ 〜３１５ から吸引されるガスの量により制御することができる。したがって、ガス制御手段３０によりガス２６の排気によって生じる基板２１上の気流を制御することが可能となる。これにより、基板２１上に適当な気流を生じさせ、基板２１上の化学物質の濃度勾配を解消することができ、基板加熱の前後におけるレジスト内の化学物質の濃度の定量化を容易に行えるようになる。すなわち、前述した第２の問題を解決できる。
【００５４】
また、加熱された基板２１の表面の中央部と周辺部には温度差が生じ、基板２１の表面に温度ばらつきが生じるが、基板２１上に適当な気流を生じさせることで、基板２１の表面上の温度ばらつきを小さくできるようになる。以下、この点についてさらに説明する。
【００５５】
上述したように、本実施形態によれば、基板２１上の気流を制御することができるので、基板２１の表面のうち温度が高い領域上の気流を、温度が低い領域上の気流よりも速くすることにより、温度が異なる領域間の温度差を小さくすることができる。これにより、基板２１の表面上の温度ばらつきを小さくできるようになる。すなわち、前述した第３の問題を解決できる。
【００５６】
そして、このような温度ばらつきの問題を解決できることにより、温度ばらつきに応じて生じる化学反応の不均一性も解消でき、基板表面（基板面内）において、化学反応を容易に均一に促進させることが可能となる。
【００５７】
（第４の実施形態）
図１１は、第４の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図である。なお、図７と対応する部分には図７と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００５８】
本実施形態が第３の実施形態と異なる点は、天板２８内にもヒーター３７が設けられ、基板１の下方側および上方側から基板１を加熱できるようなっていることである。
【００５９】
天板８は、ヒーター３７を内蔵するための領域（ヒーター内蔵領域）３８を備えている。ヒーター内蔵領域３８は熱伝導体から構成されている。ヒーター３７の種類、構成等は、ヒーター２４のそれらと同じでも、あるいは異なっていても構わない。
【００６０】
本実施形態でも第３の実施形態と同様の効果が得られる。また、ヒーター２４およびヒーター３７により、基板２１の下方側および上方側から基板２１を加熱することにより、基板２１の表面の温度ばらつきをより効果的に小さくすることが可能となる。これは、例えば、ヒーター３７による加熱を以下のように設定することにより、容易に実現できる。すなわち、ヒーター２４だけ加熱する場合において生じる温度ばらつきを相殺するような温度分布が、基板１の表面上に生じるように、ヒーター３７による加熱を設定する。
【００６１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。また、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題を解決できる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【００６２】
【発明の効果】
以上詳説したように本発明によれば、基板上を所定の状態に容易に設定することができる基板加熱装置および基板加熱方法を実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図
【図２】図１の基板加熱装置の天板を裏面側から見た模式図
【図３】図１の基板加熱装置の吐気機構を表面側から見た模式図
【図４】図２の破線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図
【図５】図１の基板加熱装置の吐気機構のガス導入配管および天板を示す斜視図
【図６】第２の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図
【図７】本発明の第３の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図
【図８】図７の基板加熱装置の排気機構を裏面側から見た模式図
【図９】図７の基板加熱装置の排気機構を表面側から見た模式図
【図１０】図８の破線Ｄ−Ｄ’に沿った断面図
【図１１】第４の実施形態に係る基板加熱装置の概略構成を示す模式的断面図
【符号の説明】
１…基板、２…基板支持台、３…シート、４…ヒーター（第１の加熱手段）、５…小孔（開口部）、６…ガス、７…吐気機構（吐気手段）、８…天板、９…ガス供給源、１０…ガス制御手段、１１１ 〜１１５ …空洞区画（複数の区画）、１２…仕切、１３１ 〜１３５ …ガス導入口、１４１ 〜１４５ …ガス導入配管、１５１ 〜１５５ …ガス制御手段、１６…ヒーター（第２の加熱手段）、１７…ヒーター内蔵領域、２１…基板、２２…基板支持台、２３…シート、２４…ヒーター（第１の加熱手段）、２５…小孔（開口部）、２６…ガス、２７…排気機構（排気手段）、２８…天板、２９…吸引機構、３０…ガス制御手段、３１１ 〜３１５ …空洞区画（複数の区画）、３２…仕切、３３１ 〜３３５ …ガス排気口、３４１ 〜３４５ …ガス排気配管、３５…配管、３６１ 〜３６５ …ガス制御手段、３７…ヒーター、３８…ヒーター内蔵領域。
Claims (7)
- 基板を加熱するための加熱手段と、
複数の開口部を有し、これらの複数の開口部から前記基板上にガスを吐気するための吐気手段と、
前記複数の開口部のうち、少なくとも２つ以上の開口部におけるガスの通気量を独立に制御するための制御手段と
を具備してなることを特徴とする基板加熱装置。 - 前記吐気手段は、複数の区画を有する筐体と、前記複数の区画内にガスを供給するためのガス供給手段とをさらに備え、前記複数の区画には、それぞれ、前記複数の開口部のいずれかが設けられ、前記制御手段は前記複数の区画内に供給されるガスの量を制御するためのものであることを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置。
- 基板を加熱するための加熱手段と、
複数の開口部を有し、前記基板上のガスを前記複数の開口部から排気するための排気手段と、
前記複数の開口部のうち、少なくとも２つ以上の開口部におけるガスの通気量を独立に制御するための制御手段と
を具備してなることを特徴とする基板加熱装置。 - 前記排気手段は、複数の区画を有する筐体と、前記複数の区画内のガスを排気するためのガス排気手段とをさらに備え、前記複数の区画には、それぞれ、前記複数の開口部のいずれかが設けられ、前記制御手段は前記複数の区画内から排気されるガスの量を制御するためのものであることを特徴とする請求項３に記載の基板加熱装置。
- 前記加熱手段は、前記基板の裏面から該基板を加熱するための第１の加熱手段と、前記基板の表面から該基板を加熱するための第２の加熱手段とを含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
- 基板を加熱する際に、前記基板上の複数の領域が所定の状態になるように、前記複数の領域上におけるそれぞれの気流を制御することを特徴とする基板加熱方法。
- 前記基板上の前記複数の領域が所定の状態は、前記基板上の前記複数の領域間での温度のばらつきが一定以下に低減化された状態、前記基板上の前記複数の領域内の化学物質の量が一定以下に低減化された状態、または前記基板上の前記複数の領域間での化学物質の量のばらつきが一定以下に低減化された状態であることを特徴とする請求項６に記載の基板加熱方法。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2017117852A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
2003
- 2003-08-29 JP JP2003209661A patent/JP2005079120A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017117852A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
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