JP2005072592A5 - - Google Patents
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Description
チエニレン−アリーレンポリマー(8)を用いたTFTデバイスは、初期の電流オンオフ比が大きく(1.5×106)、そして時間が経過しても電流オンオフ比が徐々にしか低下しないことから、(8)はP3HTに比較して、環境上の酸素による化学的なドーピングに対し、かなり高い空気安定性を有していることが証明される。
<付記>
(1)請求項1に記載のデバイスであって、前記aおよびbが1または2である、デバイス。
(2)請求項4に記載の薄膜トランジスタデバイスであって、nは約50〜約500、または約100〜約350である、薄膜トランジスタデバイス。
(3)請求項1に記載のデバイスであって、前記チエニレン−アリーレンポリマーは、約1から約100の(I)または(II)の2,5−チエニレンセグメントと、約1から約100の(IIIa)、(IIIb)または(IIIc)のアリーレンセグメントと、を含む繰り返しセグメントを有する、デバイス。
<付記>
(1)請求項1に記載のデバイスであって、前記aおよびbが1または2である、デバイス。
(2)請求項4に記載の薄膜トランジスタデバイスであって、nは約50〜約500、または約100〜約350である、薄膜トランジスタデバイス。
(3)請求項1に記載のデバイスであって、前記チエニレン−アリーレンポリマーは、約1から約100の(I)または(II)の2,5−チエニレンセグメントと、約1から約100の(IIIa)、(IIIb)または(IIIc)のアリーレンセグメントと、を含む繰り返しセグメントを有する、デバイス。
Claims (8)
- 請求項1に記載のデバイスであって、
前記アリーレンが、ビス(ペンチルオキシ)フェニレンと、ビス(ヘキシルオキシ)フェニレンと、ビス(ヘプチルオキシ)フェニレンと、ビス(オクチルオキシ)フェニレンと、ビス(ノニルオキシ)フェニレンと、ビス(デシルオキシ)フェニレンと、ビス(ウンデシルオキシ)フェニレンと、ビス(ドデシルオキシ)フェニレンと、ビス(トリデシルオキシ)フェニレンと、ビス(テトラデシルオキシ)フェニレンと、およびビス(ペンタデシルオキシ)フェニレンと、からなる群より選択される、
ジアルコキシフェニレンであることを特徴とするデバイス。 - 基板と、
ゲート電極と、
ゲート絶縁層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、
半導体層と、を有する薄膜トランジスタであって、
前記半導体層は、請求項1に記載のチエニレン−アリーレンポリマーを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 基板と、
ゲート電極と、
ゲート絶縁層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、
半導体層と、を有する薄膜トランジスタであって、
前記半導体層は、式(IV−a)または(IV−b)で表されるポリマーを有し、
(IV−a)
(IV−b)
上記各式において、Rは約5から約25の炭素原子を含むアルキルまたはアルコキシであり、
R’はハロゲンまたはそれぞれ約1から約30個の炭素原子を持つ、アルキルまたはアルコキシであり、
xおよびyはセグメントの数を表し、任意に0から約10であるが、前記xとyとの合計は少なくとも1に等しく、
zは約1から約5であり、
nは重合度または前記ポリマー中の繰り返しセグメントの数であり、前記nは任意に約5から約500であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項4に記載の薄膜トランジスタであって、
前記基板は、ポリエステルと、ポリカーボネートと、ポリイミドと、のいずれかのプラスチックシートであり、
前記ゲート、ソースおよびドレイン電極は、それぞれ独立して、金と、ニッケルと、アルミニウムと、白金と、インジウムチタン酸化物と、導電性ポリマーと、分散媒中に導電性粒子の分散体を有する導電性インクまたはペーストと、のいずれかを有し、
前記ゲート絶縁層は、窒化ケイ素と、酸化ケイ素と、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリ(メタクリレート)、ポリ(ビニルフェノール)、ポリスチレン、ポリイミド、エポキシ樹脂に代表される絶縁性ポリマーと、ポリマー、ポリイミド、またはエポキシ樹脂中にナノサイズの金属酸化物粒子を分散させた無機・有機複合材料と、のいずれかを有し、
前記ソース/ドレイン電極および前記ゲート絶縁層は前記半導体層と接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項4に記載の薄膜トランジスタであって、
前記ポリマーは、スピンコート法、スタンプ印刷法、スクリーン印刷法、またはジェット印刷法の溶液プロセスにより形成されたチエニレン−アリーレン半導体層であり、
前記ソース/ドレイン電極および前記ゲート絶縁層は前記半導体層と接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
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