JP2005072357A - 露光装置および液晶マスク - Google Patents

Abstract

【課題】 低コストで、均一に露光可能な液晶マスクおよびその液晶マスクを用いた露光
装置を提供する。
【解決手段】 本発明の露光装置は、各々駆動電圧に応じて透過状態または遮断状態とな
る複数の液晶シャッタからなる液晶シャッタ列を有する液晶マスクと、被加工物の表面に
形成すべき露光パターンを示す露光データを記憶する記憶手段と、単位露光領域を一列に
並べた複数のストライプ状の露光対象領域に被加工物の表面を区分し、液晶シャッタ列を
介した各露光対象領域への露光が順次行われるように液晶マスクと被加工物との相対的な
位置関係を変化させる駆動手段と、露光パターンに基づいて複数の露光対象領域の各々を
構成する各単位露光領域の露光状態を表す画素信号列を発生し、各露光対象領域への露光
が行われるときに、露光対象領域に対応する画素信号列に基づき各液晶シャッタに対する
駆動電圧を発生する液晶シャッタ制御手段とを有する。
【選択図】 図８

Description

本発明はフォトレジストを選択的に露光するための液晶マスクおよびその液晶マスクを
使用した露光装置に関する。

一般に、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体集積回路、あるいは液晶装置の製造工程において、各
種薄膜材料にパターニングする工程としてリソグラフィ工程がある。リソグラフィ工程と
は、フォトレジストと呼ばれる感光性樹脂を半導体ウエハに塗布し、このフォトレジスト
に、光透過領域と光遮断領域とを有するマスクを介して光を照射することにより、フォト
レジストを選択的に露光する工程である。例えばネガ型のフォトレジストを用いた場合、
光が照射された箇所だけ残してウエハ上からフォトレジストが除去される。この後、残っ
たフォトレジストをマスクとして使用し、例えば金属配線パターンや拡散層パターンの形
成など、ウエハ上に回路パターンを形成するための処理が行われる。

ところで、近年の半導体集積回路は、多くの工程を経て製造されるため、１つの半導体
集積回路の作製には多数のマスクが必要である。また、特に開発段階では回路の改良、再
設計（改版）が頻繁に行われることが多く、回路改版のたびに多数のマスクを作製する必
要があり、時間的、コスト的に開発者の負担が大きかった。

この問題を解決するため、液晶マスクを用いた技術が提案されている。図１４は従来技
術で用いられる液晶マスクの構造を示す図である。図１４に示されるように、液晶マスク
は、複数の液晶シャッタがマトリクス状に配列された構造を有している。各液晶シャッタ
は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のアクティブ素子と、液晶
に電圧を印加するための透明電極、およびｘ軸方向、ｙ軸方向に配線された信号線から構
成されている。

このような液晶マスク技術によれば、各液晶シャッタに与える駆動電圧を切り換えるこ
とにより、物理的に１枚のマスクのみで、露光パターンの異なった複数のマスクを実現す
ることができる。

しかし、従来技術には次のような問題があった。図１５は従来技術の液晶マスクによる
露光の様子を示した模式図である。図中１０は光源を、９００は露光パターンを、９３０
は液晶マスクを、９１０はフォトレジストを、９５０はウエハを示す。図中下段は、光の
照射強度の場所依存性を示す図である。図中の上段部に示されるように、図１５は、ある
連続する５つの液晶シャッタ（画素）に対し、黒、白、白、白、黒（「白」は露光する画
素を、「黒」は露光しない画素を意味する）のパターンを描画する様子を示したものであ
る。通常、液晶パネルの信号線は、各液晶シャッタ間に縦横両方向に配線されているため
、１ショット全面を露光するパターンの場合、縦横両方向に網目状に照射強度の弱い領域
が発生していた（以下、この照射強度の弱い領域を「デッドゾーン」と呼ぶ）。

以上で述べたデッドゾーン発生の問題を解決するため、例えば特許文献１に記載されて
いるように、制御不可能領域を無くすために透明電極を縦横それぞれ２層づつ計４層重ね
合わせた液晶パネルをマスクとして用いる技術が提案されている。

特開平６−３０１１９０号公報

しかし、特許文献１に記載の技術では、透明電極を４層重ね合わせるという複雑な構造
が採用されているため製造が難しく、製造コストが高い、信頼性が低いといった問題があ
った。

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、低コストで、より均一に露光可能な
液晶マスクおよびその液晶マスクを用いた露光装置、ならびに露光方法を提供することを
目的とする。

以上の問題を解決するため、本発明は、露光処理の対象である被加工物を保持する保持
手段と、被加工物の露光を行うための光を出力する光源と、各々駆動電圧に応じて透過状
態または遮断状態となる複数の液晶シャッタからなる液晶シャッタ列を有し、光源から被
加工物に至る光の経路上に設けられた液晶マスクと、被加工物の表面に形成すべき露光パ
ターンを示す露光データを記憶する記憶手段と、各々単位露光領域を一列に並べた複数の
ストライプ状の露光対象領域に前記被加工物の表面を区分し、前記液晶シャッタ列を介し
た各露光対象領域への露光が順次行われるように、液晶マスクと被加工物との相対的な位
置関係を変化させる駆動手段と、露光データによって示される露光パターンに基づいて、
複数の露光対象領域の各々を構成する各単位露光領域の露光状態を表す画素信号列を発生
し、各露光対象領域への露光が行われるときに、画素信号列のうち当該露光対象領域に対
応する画素信号列に基づき、液晶シャッタ列における各液晶シャッタに対する駆動電圧を
発生する液晶シャッタ制御手段とを有する露光装置を提供する。

ここで、液晶マスクは、液晶シャッタ列を複数有し、各液晶シャッタ列は、各々におけ
る隣接した２つの液晶シャッタの間に他の液晶シャッタ列の１つの液晶シャッタが位置す
るように並列配置され、１つの露光対象領域に対する露光において、駆動手段は、複数の
液晶シャッタ列の各々を介した当該露光対象領域への露光が順次行われるように、複数の
液晶シャッタ列を横切る方向に前記液晶マスクまたは前記被加工物を移動させ、液晶シャ
ッタ制御手段は、当該露光対象領域への露光に使用される液晶シャッタ列を構成する各液
晶シャッタに対する駆動電圧を、画素信号列における当該露光対象領域に対応した画素信
号列のうち当該液晶シャッタ列を介した露光の対象となる単位露光領域に対応した画素信
号列に基づいて発生する構成としてもよい。

さらに、複数の液晶シャッタ列の各々は、１つの露光対象領域内において当該液晶シャ
ッタ列を介して露光される領域と他の液晶シャッタ列を介して露光される領域とがオーバ
ーラップするように構成されていてもよい。

さらに、液晶マスクは、２枚の透明な基板と、これらの基板間に封止された液晶とを有
し、前記液晶マスクにおける各液晶シャッタは、前記２枚の基板のうちの一方に配置され
、駆動電圧が印加される透明な画素電極とを有する構成としてもよい。

さらに、液晶マスクは、液晶シャッタ列の側方に、各液晶シャッタに駆動電圧を供給す
るための配線を有し、各液晶シャッタは、各々の間に配線を挟むことなく密に配列されて
いる構成としてもよい。

本発明により、低コストで作製できる液晶マスクを使用する露光装置を実現することが
できる。また、デッドゾーンの発生を抑制あるいは完全に排除した露光装置を実現できる
。

また、本発明は、光源から被加工物に至る光の経路上に配置され、光源からの光による
被加工物の各領域の露光を選択的に制限する液晶マスクを提供する。ここで、液晶マスク
は、光の経路を横断するように配置される２枚の透明な基板と、２枚の基板間に封止され
た液晶と、２枚の基板のうちの一方に線状をなすように複数配置され、各々駆動電圧が印
加されることにより、液晶における各々に対向した領域を透過状態または遮断状態とする
複数の画素電極とを有し、駆動電圧を複数の画素電極に供給するための配線が複数の画素
電極からなる列の側方に形成され、各画素電極は、各々の間に配線を挟むことなく密に配
列される。

また、本発明は、光源から被加工物に至る光の経路上に配置され、光源からの光による
前記被加工物の各領域の露光を選択的に制限する液晶マスクを提供する。ここで、液晶マ
スクは、光の経路を横断するように配置される２枚の透明な基板と、２枚の基板間に封止
された液晶とを有し、２枚の基板のうちの一方には、各々駆動電圧が印加されることによ
り、液晶における各々に対向した領域を透過状態または遮断状態とする複数の画素電極か
らなる画素電極列が形成され、各画素電極列は、各々における隣接した２つの画素電極の
間に他の画素電極列の１つの画素電極が位置するように並列配置される。

ここで、複数の画素電極列の各々における各画素電極は、当該画素電極列における複数
の画素電極の並び方向において、他の１つの画素電極列における１または２の画素電極と
オーバーラップする領域を有するように構成されてもよい。

本発明によれば、低コストで作製できる液晶マスク、およびその液晶マスクを使用する
露光装置を実現することができる。また、デッドゾーンの発生を抑制あるいは完全に排除
した露光装置および露光方法を実現できる。

以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。な
お、図面間で共通する要素には同一の参照番号を付している。

［Ａ．第１実施形態］
本発明の第１実施形態に係わる液晶マスクは、液晶シャッタをｙ軸方向に１列に配置し
た構造を有している。この液晶マスクをｘ軸方向に走査しながら露光することにより、ウ
エハ上に平面パターンを露光することができる。

図１は、本実施形態における露光装置の光学系の構成を示す概略図である。図１におい
て、ステージ６０は、この露光装置の処理対象であるウエハ５０を保持する手段である。
ウエハ５０は、表面にフォトレジストが塗布された状態で、ステージ６０に載置される。
ステージ６０には、このようにして載置されるウエハ５０を動かないように固定する真空
チャック等の手段が設けられている。また、図示は省略したが、露光装置には、ステージ
６０を水平面内のｘ軸方向に駆動する機構および水平面内においてｘ軸と直交するｙ軸方
向に駆動する機構が設けられている。さらに露光装置には、ステージ６０を水平面内にお
いて回転駆動する機構が設けられている。

光源１０、コンデンサレンズ２０、液晶マスク５００、投影レンズ４０およびマスク駆
動部７０は、ステージ６０に保持されたウエハ５０上のフォトレジストに回路パターンを
転写する手段を構成している。以下、これらの各要素について説明する。

まず、光源１０はフォトレジストを露光するための光源であり、要求される解像度やパ
ワー（照度）に応じて、波長４３６ｎｍのｇ線、波長４０５ｎｍのｈ線、波長３６５ｎｍ
のｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ、Ｘ線などの光源が使用される。コンデンサレンズ２０は
光源１０から照射された光を平行光にするためのレンズである。

液晶マスク５００は、コンデンサレンズ２０を通過した平行光を選択的に透過させ、ウ
エハ５０に塗布されたフォトレジストに回路パターンを焼き付けるためのマスクである。
マスク駆動部７０は液晶マスク５００をｘ軸方向に水平移動させるための駆動機構である
。なお、液晶マスク５００およびマスク駆動部７０の構成は後で詳細に述べる。

投影レンズ４０は液晶マスク５００を通過した光をウエハ５０に縮小投影するためのレ
ンズである。これにより、マスクのパターンは１／５に縮小されてウエハ５０上に転写さ
れる。なお、マスクの縮小率は１／５に限られず、他の倍率でもよい。また、図１では説
明を簡単にするためコンデンサレンズ２０および投影レンズ４０はそれぞれ１枚のレンズ
として描かれているが、それぞれ複数枚のレンズで構成されていてもよい。

図２は、本実施形態における液晶マスク５００の構成を示す図である。図２に示される
ように、液晶マスク５００は、ｙ軸方向に一列に配列されたｍ個の液晶シャッタ３１を有
する。各液晶シャッタ３１は、ノーマリーブラックモードの液晶シャッタであり、所定レ
ベルの駆動電圧が印加されることにより光を透過する状態（開状態）になるが、印加され
る駆動電圧が０Ｖまたは極めて低い状態では光を透過（閉状態）しない。また、液晶マス
ク５００の液晶シャッタ３１以外の部分は金属の膜で被覆されており、光を透過できない
ようになっている。すなわち、液晶マスク５００は、所定レベルの駆動電圧が印加された
液晶シャッタ３１のみが選択的に光を透過するように構成されている。

図２に示されるように、本実施形態においては液晶シャッタ３１をｙ軸方向に一列に配
置したため、各液晶シャッタ３１間に信号線を配線する必要がなく、各液晶シャッタ３１
間の間隔を最小限に狭めることができる。

図３は、本実施形態における液晶マスク５００において１個の液晶シャッタ３１を構成
している部分の断面図である。同図に示すように、液晶マスク５００は、一定間隔を隔て
て対向した２枚の透明な基板２７０および２８０を有しており、これらの基板間には液晶
２６０が封止されている。基板２８０の両面のうち基板２７０と対向している面には、透
明な画素電極２５０が設けられている。図３には、１個の液晶シャッタ３１を構成するた
めの１個の画素電極２５０しか示されていないが、実際にはｍ個の液晶シャッタ３１を構
成するためのｍ個の画素電極２５０が列をなして基板２８０上に形成されている。基板２
７０には、これらの各画素電極２５０と対向する透明な共通電極２９０が設けられている
。この共通電極２９０には、ある共通電位（例えば０Ｖとする）が与えられる。基板２８
０上において、各画素電極２５０の近傍にはＴＦＴ２１０が各々設けられている。各画素
電極２５０には、各々のために設けられたＴＦＴ２１０を介して、駆動電圧が供給される
。ここで、ある画素電極２５０に印加される駆動電圧が所定レベル以上である場合、この
画素電極２５０と共通電極２９０との間にある液晶２６０は、光を透過する状態になるが
、印加される駆動電圧が０Ｖまたは極めて低い状態（通常状態）では光を透過しない。

図４は、本実施形態における露光装置の電気系の構成を示すブロック図である。図４に
おいて、データ入力部３１０は、被加工物であるウエハ５０上のフォトレジストに形成す
べき露光パターンを示す露光データを入力するための手段である。露光データメモリ３２
０は、データ入力部３１０によって入力された露光データを記憶するメモリである。デー
タ変換部３３０は、露光データに対応した露光パターンを形成するのに必要な各液晶シャ
ッタ３１の開閉制御情報である画素信号行列を生成する手段である。画素信号メモリ３４
０は、データ変換部３３０によって生成された画素信号行列を記憶するメモリである。

ここで、露光データと画素信号列の関係について説明する。本実施形態においては、概
ね次のような手順でウエハ５０上のフォトレジストの露光が行われる。すなわち、ウエハ
５０は例えば２２ｍｍ角程度の領域に分割される（以下、各領域を「ショット」と呼ぶ）
。回路設計者は、ＣＡＤを用いて、フォトレジスト上の１ショット分の領域に形成すべき
露光パターンを示す露光データを作成する。通常、製品として出荷されるＩＣチップは１
ショットの面積よりも小さいチップ面積を有しているので、設計者はＩＣチップをショッ
ト内に敷き詰めた状態での露光パターンを作成し、この製品の露光データとする。露光デ
ータは、半導体プロセスの複数の工程のそれぞれに対応した複数の層構造を有しており、
公知技術においては、各層につき１ショット分の露光パターンに対応した光透過領域を有
するマスクを１枚作製する必要があった。公知技術においては、このマスクを使用して１
ショット露光すると、ウエハを１ショット分上下あるいは左右に移動し、次のショットを
露光するという工程を繰り返し、ウエハ１枚全面に露光パターンを形成する。

図５において、符号８００は、このような露光処理における露光パターンの一例を示し
ている。露光データは、このような露光パターンを囲む輪郭線を示す情報（例えば輪郭線
上の各頂点のｘｙ座標値）の集合体である。本実施形態では、フォトレジストの全領域が
、図５において破線によって示すように、複数のストライプ状の露光対象領域７０１に区
画されている。そして、各露光対象領域７０１は、複数の単位露光領域に区画されている
。これらの単位露光領域は、液晶マスク５００における各液晶シャッタ３１を介して露光
される露光領域の最小単位である。図５では、図面が煩雑になるのを防ぐため、ある露光
対象領域７０１−ｋについてのみ単位単位露光領域が破線で示されている。画素信号行列
は、フォトレジスト上の各単位露光領域が露光データによって示される露光パターンの内
側（“１”）にあるか外側（“０”）にあるか、すなわち、各単位露光領域の露光を行う
べきか否かを単位露光領域毎に指定するビット列である。図５には、ある露光対象領域７
０１−ｋについて、これに対応して発生される画素信号が示されている。

図４において、液晶シャッタ制御部３５０は、画素信号メモリ３４０に記憶された画素
信号行列に基づいて液晶マスク５００上の各液晶シャッタ３１の開閉制御を行う手段であ
る。さらに詳述すると、液晶シャッタ制御部３５０は、フォトレジスト上の各露光対象領
域を順次選択し、選択した露光対象領域に対する露光が可能となるようにするための液晶
マスク５００の移動指令をマスク駆動制御部３６０に送る。そして、液晶シャッタ制御部
３５０は、その露光対象領域に対応した画素信号列を画素信号メモリ３４０から読み出し
、これを含む露光指令を液晶マスク５００に送る。マスク駆動制御部３６０は、液晶シャ
ッタ制御部３５０からの移動指令に従い、マスク駆動部７０による液晶マスク５００の移
動の制御を行う手段である。

液晶マスク５００上には、液晶シャッタ制御部３５０からの露光指令に従い、各液晶シ
ャッタ３１の開閉制御を行うシャッタ駆動回路３８０が設けられている。図６は、このシ
ャッタ駆動回路３８０の構成と各構成要素の基板２８０上でのレイアウトを示す図である
。なお、この図では、本実施形態における各液晶シャッタ３１の開閉制御の理解を容易に
するため、シャッタ駆動回路３８０の各構成要素とともに各液晶シャッタ３１の画素電極
２５０が図示されている。

図６に示すように、ｍ個の画素電極２５０には、ｍ個のＴＦＴ２１０のドレイン電極Ｄ
が各々接続されている。信号供給回路３８１は、露光指令を受け取ると、この露光指令中
に含まれる画素信号列をシフトクロックＣＫとともに出力し、その後、書き込みパルスＷ
を出力する回路である。ｍ個のフリップフロップ３８２は、シフトクロックＣＫに同期し
て画素信号列を順次シフトするｍ段のシフトレジスタを構成している。このシフトレジス
タの各段の出力信号はｍ個のバッファ３８３によって適正なレベルの駆動電圧とされ、ｍ
個のＴＦＴ２１０のソース電極Ｓに各々印加される。信号供給回路３８１から出力される
書き込みパルスＷは、ｍ個のＴＦＴ２１０のゲート電極Ｇに与えられる。この書き込みパ
ルスＷがゲート電極Ｇに印加されている間、各ＴＦＴ２１０は、オン状態となり、ｍ個の
バッファ３８３から出力される駆動電圧は、各ＴＦＴ２１０を介してｍ個の画素電極２５
０に各々印加される。

次に、図１０に示すタイムチャートに従い、本実施形態における露光装置１００の動作
について説明する。説明の便宜上、各液晶シャッタ３１の形状は、１辺の長さがａの正方
形であるとする。なお、液晶シャッタ３１の形状は正方形に限られない。また、以下の説
明では、既に１ショット分の露光データが入力され、かつ、この露光データに対応した画
素信号行列が生成され、画素信号メモリ３４０に既に格納されているものとする。

まず、第ｊ列の露光対象領域を露光するにあたり、液晶シャッタ制御部３５０は、ｘ座
標値が次式で表される値となる位置に液晶マスク５００を移動させるための移動指令をマ
スク駆動制御部３６０に送る。

（数１）
ｘ＝（ｊ−１）ａ

次に、液晶シャッタ制御部３５０は、第ｊ列の露光対象領域に対応した画素信号列を画
素信号メモリ３４０から読み出し、これを含む露光指令をシャッタ駆動回路３８０に送る
。シャッタ駆動回路３８０における信号供給回路３８１は、露光指令を受け取り、この露
光指令に含まれる画素信号列をシフトクロックＣＫとともに出力し、ｍ段のシフトレジス
タの各段に書き込む。

次に、信号供給回路３８１は、露光時間ｔ_１に相当するパルス幅を有する書き込みパル
スＷをｍ個のＴＦＴ２１０のゲート電極Ｇに供給する。この間、ｍ段のシフトレジスタの
各段から出力されているｍ個の画素信号に対応した駆動電圧がｍ個のＴＦＴ２１０を介し
てｍ個の液晶シャッタ３１の画素電極２５０に印加され、各液晶シャッタ３１を介した露
光が行われる。

続いて第ｊ＋１列の露光対象領域への露光が、以上述べた第ｊ列の露光と同様に行われ
る。これを第１列から第ｎ列まで繰り返し実行することにより、ｍ行ｎ列の画素信号行列
に対応した１ショット分の露光パターンが、ウエハ５０のフォトレジスタ上に形成される
。

第１のショットの露光が終了すると、露光装置１００は、ステージ６０を前後あるいは
左右に移動し、第２のショットの露光に移る。

以上の動作をウエハ５０上の全ショットに対して繰り返し行うことにより、ウエハ５０
上に所望の回路パターンを露光することができる。こうしてウエハ上に所望の回路パター
ンを露光した後、例えばエッチングなどの工程を施しウエハ５０上にパターンを形成して
いく。その次の露光工程では、１層上の露光データを指定し、露光データメモリ３２０内
の露光データを入れ替えることにより、別のパターンを露光することができる。

以上で説明したように本発明の第１実施形態によれば、ｙ軸方向に１列に配置した液晶
シャッタをｘ軸方向に走査することにより、ｙ軸方向のデッドゾーンの発生を抑えること
ができる。また、各液晶シャッタ間に信号線を配線しない構造を採用したため、液晶マス
ク５００上のスリットの幅は、画素電極２５０間の間隔まで狭めることができる。本実施
形態においては、マスクのパターンをウエハ５０上に１／５に縮小投射するので、ウエハ
５０上のデッドゾーンの幅は、画素電極２５０間の間隔の１／５程度にまで狭めることが
できる。

［Ｂ．第２実施形態］
本実施形態の液晶マスクは、第１実施形態の液晶パネルにおいてはｙ軸に平行に１列に
配置されていたｍ個の液晶シャッタ３１を、露光対象領域の奇数番目の単位露光領域に対
応する液晶シャッタから構成される液晶シャッタ列Ａと、露光対象領域の偶数番目の単位
露光領域に対応する液晶シャッタから構成される液晶シャッタ列Ｂの２列に分けて並列配
置した構造を有している。この液晶マスクをｘ軸方向に走査しながら露光することにより
、ｘ軸、ｙ軸両方向のデッドゾーンの発生を完全に抑制できる。

本実施形態における露光装置は、第１実施形態の液晶マスク５００を液晶マスク５００
Ｂで置換したものである。液晶マスク５００Ｂ以外は基本的に第１実施形態と同一の構成
を有している。また、液晶マスク５００Ｂの構成要素についても、第１実施形態の液晶マ
スク５００と同一の要素には同一の参照番号を付している。

図８は、本実施形態に係わる液晶マスク５００Ｂの外観図である。図８に示されるよう
に、ｍ個の液晶シャッタ３１は、奇数行、偶数行に分かれて２列（液晶シャッタ列Ａ、液
晶シャッタ列Ｂ）に配置されている。各列の液晶シャッタ３１は、等間隔でｙ軸方向に１
列に配置される。また、一方の列のある液晶シャッタ３１は、他方の列の前後の液晶シャ
ッタ３１とｙ座標がオーバーラップするオーバーラップ部を有する。すなわち、各列にお
いて、液晶シャッタ３１間のｙ軸方向の間隔ｌ_１は、次式で示される関係を満たすように
設計されている。

（数２）
ｌ_１＝ａ−ｂ

ここで、ａは液晶シャッタ３１の短辺の長さであり、ｂはオーバーラップ部の長さであ
る。なお、オーバーラップ部を設けたため、本実施形態における液晶シャッタ３１は、正
方形ではなくｙ軸方向に長い長方形の形状を有している。図８に示されるように、液晶シ
ャッタの長辺の長さはａ＋ｂである。

このようにオーバーラップ部を設ける設計としたため、ウエハ上のオーバラップ部に対
応する部分は、２つの対応する画素電極により２重に露光されるため、デッドゾーンの発
生を排除できる。

図９は、本実施形態におけるシャッタ駆動回路３８０Ａの構成を示す図である。図９に
示されるように、ｍ個の画素電極２５０には、ｍ個のＴＦＴ２１０のドレイン電極Ｄが各
々接続されている。信号供給回路３８１Ａは、露光指令を受け取ると、この露光指令中に
含まれる画素信号列をシフトクロックＣＫとともに出力し、その後、書き込みパルスＷを
出力する回路である。ｍ個のフリップフロップ３８２Ａは、シフトクロックＣＫに同期し
て画素信号列を順次シフトするｍ段のシフトレジスタを構成している。このシフトレジス
タの各段の出力信号はｍ個のＡＮＤ回路３８４Ａの一方の入力端に入力される。液晶シャ
ッタ列Ａに対応するＡＮＤ回路３８４Ａの他方の入力端には、液晶シャッタ列Ａ／液晶シ
ャッタ列Ｂを選択する液晶シャッタ列選択信号を反転した信号が入力される。液晶シャッ
タ列Ｂに対応するＡＮＤ回路３８４Ａの他方の入力端には、液晶シャッタ列選択信号が入
力される。液晶シャッタ列選択信号がＬレベルの場合にはインバータ３８５Ａにより液晶
シャッタ列Ａの画素電極２５０に対応したＡＮＤ回路３８４ＡにＨレベルの信号が入力さ
れ、液晶シャッタ列Ｂの画素電極２５０に対応したＡＮＤ回路３８４ＡにはＬレベルの信
号が入力される。これにより、液晶シャッタ列Ａ／液晶シャッタ列Ｂの一方に対してのみ
、画素信号に対応した駆動電圧がＴＦＴ２１０のソース電極Ｓに各々印加される。選択さ
れない液晶シャッタ列に対しては、０Ｖの電圧が印加される。信号供給回路３８１から出
力される書き込みパルスＷは、ｍ個のＴＦＴ２１０のゲート電極Ｇに与えられる。この書
き込みパルスＷがゲート電極Ｇに印加されている間、各ＴＦＴ２１０は、オン状態となり
、ｍ個のＡＮＤ回路３８４Ａから出力される駆動電圧は、各ＴＦＴ２１０を介してｍ個の
画素電極２５０に各々印加される。

次に、図１０に示すタイムチャートに従い、本実施形態における露光装置１００の動作
について説明する。以下の説明では、既に１ショット分の露光データが入力され、かつ、
この露光データに対応した画素信号行列が生成され、画素信号メモリ３４０に既に格納さ
れているものとする。

まず、第ｊ列の露光対象領域を露光するにあたり、液晶シャッタ制御部３５０は、ｘ座
標値が数１で表される値となる位置に液晶マスク５００Ｂを移動させるための移動指令を
マスク駆動制御部３６０に送る。

次に、液晶シャッタ制御部３５０は、第ｊ列の露光対象領域に対応した画素信号列を画
素信号メモリ３４０から読み出し、これを含む露光指令をシャッタ駆動回路３８０に送る
。シャッタ駆動回路３８０Ａにおける信号供給回路３８１Ａは、露光指令を受け取り、こ
の露光指令に含まれる画素信号列をシフトクロックＣＫとともに出力し、ｍ段のシフトレ
ジスタの各段に書き込む。また、Ｌレベルの液晶シャッタ列選択信号を出力する。

次に、信号供給回路３８１Ａは、露光時間ｔ_１に相当するパルス幅を有する書き込みパ
ルスＷをｍ個のＴＦＴ２１０のゲート電極Ｇに供給する。この間、ｍ段のシフトレジスタ
の各段から出力されているｍ個の画素信号に対応した駆動電圧が、液晶シャッタ列選択信
号によって選択された液晶シャッタ列ＡのＴＦＴ２１０を介してｍ個の液晶シャッタ３１
の画素電極２５０に印加され、各液晶シャッタ３１を介した露光が行われる。

次に、液晶シャッタ制御部３５０は、液晶シャッタ列Ｂのｘ座標値ｘ_Ｂが数１で表され
る値になるまで液晶マスク５００Ｂを移動する信号を、マスク駆動部７０に出力する。

次に、信号供給回路３８１Ａは、Ｈレベルの液晶シャッタ列選択信号を出力する。この
状態で信号供給回路３８１Ａは、露光時間ｔ_１に相当するパルス幅を有する書き込みパル
スＷをｍ個のＴＦＴ２１０のゲート電極Ｇに供給する。この間、ｍ段のシフトレジスタの
各段から出力されているｍ個の画素信号に対応した駆動電圧が、液晶シャッタ列選択信号
によって選択された液晶シャッタ列ＢのＴＦＴ２１０を介してｍ個の液晶シャッタ３１の
画素電極２５０に印加され、各液晶シャッタ３１を介した露光が行われる。これで第ｊ列
の液晶シャッタ列Ｂの露光が完了する。すなわち、第ｊ列の露光対象領域の露光が完了す
る。

続いて第ｊ＋１列が、以上で述べた第ｊ列の露光と同様に行われる。これを第１列から
第ｎ列まで繰り返し実行することにより、ｍ行ｎ列のマトリクス状の露光パターンを露光
することができる。

以上で説明したように、本発明の第２実施形態によれば、デッドゾーンの発生を排除し
た露光装置が実現できる。また、本実施形態の液晶マスクにおいては、各液晶シャッタ（
画素）は十分な間隔をもって配置されるため、画素電極２５０の形成領域を十分に確保す
ることができ、液晶マスクの製造が容易になる。すなわち液晶マスクの製造が低コストで
できるようになる。さらに、液晶シャッタの間隔が従来技術と比較して格段に広くなるた
め、ＴＦＴ等のアクティブ素子もより大きなものを使用できるようになり、より信頼性の
高い液晶マスクを作製することが可能となる。

［Ｃ．第３実施形態］
本実施形態の液晶マスクは、液晶シャッタを、露光対象領域の３ｋ−２番目（ｋ：自然
数）の単位露光領域に対応する液晶シャッタから構成される液晶シャッタ列Ａと、露光対
象領域の３ｋ−１番目の単位露光領域に対応する液晶シャッタから構成される液晶シャッ
タ列Ｂと、露光対象領域の３ｋ番目の単位露光領域に対応する液晶シャッタから構成され
る液晶シャッタ列Ｃとの３列に配置した構造を有している。この液晶マスクをｘ軸方向に
走査しながら露光することにより、デッドゾーンの発生を完全に抑制できる。

本実施形態における露光装置は、第１実施形態の液晶マスク５００を液晶マスク５００
Ｃで置換したものである。液晶マスク５００Ｃ以外は第１実施形態と同一であるので説明
を省略する。また、液晶マスク５００Ｃの構成要素についても、第１実施形態の液晶マス
ク５００と同一の要素には同一の参照番号を付している。

液晶マスク５００Ｃ上には、液晶シャッタ制御部３５０からの露光指令に従い、各液晶
シャッタ３１の開閉制御を行うシャッタ駆動回路３８０Ｂが設けられている。図１１は、
このシャッタ駆動回路３８０Ｂの構成と各構成要素の基板２８０上でのレイアウトを示す
図である。なお、この図では、本実施形態における各液晶シャッタ３１の開閉制御の理解
を容易にするため、シャッタ駆動回路３８０Ｂの各構成要素とともに各液晶シャッタ３１
の画素電極２５０が図示されている。

本実施形態においても、液晶シャッタ３１間のｙ軸方向の間隔ｌ_１は、数２で示される
関係を満たすように設計されている。また、各液晶シャッタ列間の間隔ｌ_２は別の所定の
値に設計されている。第２実施形態と同様ｌ_２については特に制限はないが、配線に十分
広い領域を確保する必要がある。

以下、第２実施形態と同様に、液晶シャッタ列Ａ、液晶シャッタ列Ｂ、液晶シャッタ列
Ｃそれぞれの画素電極の左辺の位置をもって液晶シャッタ列Ａ、液晶シャッタ列Ｂ、液晶
シャッタ列Ｃのｘ座標ｘ_Ａ、ｘ_Ｂ、ｘ_Ｃと定義する。

図１１に示されるシャッタ駆動回路３８０Ｂが第２実施形態のシャッタ駆動回路３８０
Ａと異なる点は、液晶シャッタ列Ａ、液晶シャッタ列Ｂ、液晶シャッタ列Ｃのそれぞれに
対応したシャッタ列選択信号線を３本有している点である。Ｈレベルのシャッタ列選択信
号ＳＬ１が印加されている間は、液晶シャッタ列Ａに対応するＴＦＴ２１０のソース電極
Ｓに駆動電圧が印加される。同様に、Ｈレベルのシャッタ列選択信号ＳＬ２が印加されて
いる間は液晶シャッタ列Ｂに対応するＴＦＴ２１０のソース電極Ｓに、Ｈレベルのシャッ
タ列選択信号ＳＬ３が印加されている間は液晶シャッタ列Ｃに対応するＴＦＴ２１０のソ
ース電極Ｓに、それぞれ駆動電圧が印加される。信号供給回路３８１Ｂから出力される書
き込みパルスＷは、ｍ個のＴＦＴ２１０のゲート電極Ｇに与えられる。この書き込みパル
スＷがゲート電極Ｇに印加されている間、各ＴＦＴ２１０は、オン状態となり、ｍ個のＡ
ＮＤ回路３８４Ｂから出力される駆動電圧は、各ＴＦＴ２１０を介してｍ個の画素電極２
５０に各々印加される。

次に、図１２に示すタイムチャートに従い、本実施形態における露光装置１００の動作
について説明する。以下の説明では、既に１ショット分の露光データが入力され、かつ、
この露光データに対応した画素信号行列が生成され、画素信号メモリ３４０に既に格納さ
れているものとする。

まず、第ｊ列の露光対象領域を露光するにあたり、液晶シャッタ制御部３５０は、液晶
シャッタ列Ａのｘ座標値ｘ_Ａが数１で表される値となる位置に液晶マスク５００Ｃを移動
させるための移動指令をマスク駆動制御部３６０に送る。

次に、液晶シャッタ制御部３５０は、第ｊ列の露光対象領域に対応した画素信号列を画
素信号メモリ３４０から読み出し、これを含む露光指令をシャッタ駆動回路３８０Ｂに送
る。シャッタ駆動回路３８０Ｂにおける信号供給回路３８１Ｂは、露光指令を受け取り、
この露光指令に含まれる画素信号列をシフトクロックＣＫとともに出力し、ｍ段のシフト
レジスタの各段に書き込む。また、Ｈレベルの液晶シャッタ列選択信号ＳＬ１を出力する
。

次に、信号供給回路３８１Ｂは、露光時間ｔ_１に相当するパルス幅を有する書き込みパ
ルスＷをｍ個のＴＦＴ２１０のゲート電極Ｇに供給する。この間、ｍ段のシフトレジスタ
の各段から出力されているｍ個の画素信号に対応した駆動電圧が、液晶シャッタ列選択信
号によって選択された液晶シャッタ列ＡのＴＦＴ２１０を介してｍ個の液晶シャッタ３１
の画素電極２５０に印加され、各液晶シャッタ３１を介した露光が行われる。これで露光
対象領域の３ｋ−２番目（ｋ：自然数）の単位露光領域が露光される。

次に、液晶シャッタ制御部３５０は、液晶シャッタ列Ｂのｘ座標値ｘ_Ｂが数１で表され
る値になるまで液晶マスク５００Ｃを移動する信号を、マスク駆動部７０に出力する。

次に、信号供給回路３８１Ｂは、Ｈレベルの液晶シャッタ列選択信号ＳＬ２を出力する
。この状態で信号供給回路３８１Ｂは、露光時間ｔ_１に相当するパルス幅を有する書き込
みパルスＷをｍ個のＴＦＴ２１０のゲート電極Ｇに供給する。この間、ｍ段のシフトレジ
スタの各段から出力されているｍ個の画素信号に対応した駆動電圧が、液晶シャッタ列選
択信号によって選択された液晶シャッタ列ＢのＴＦＴ２１０を介してｍ個の液晶シャッタ
３１の画素電極２５０に印加され、各液晶シャッタ３１を介した露光が行われる。これで
露光対象領域の３ｋ−１番目（ｋ：自然数）の単位露光領域が露光される。

次に、液晶シャッタ制御部３５０は、液晶シャッタ列Ｃのｘ座標値ｘ_Ｃが数１で表され
る値になるまで液晶マスク５００Ｃを移動する信号を、マスク駆動部７０に出力する。

次に、信号供給回路３８１Ｂは、Ｈレベルの液晶シャッタ列選択信号ＳＬ３を出力する
。この状態で信号供給回路３８１Ｂは、露光時間ｔ_１に相当するパルス幅を有する書き込
みパルスＷをｍ個のＴＦＴ２１０のゲート電極Ｇに供給する。この間、ｍ段のシフトレジ
スタの各段から出力されているｍ個の画素信号に対応した駆動電圧が、液晶シャッタ列選
択信号によって選択された液晶シャッタ列ＣのＴＦＴ２１０を介してｍ個の液晶シャッタ
３１の画素電極２５０に印加され、各液晶シャッタ３１を介した露光が行われる。これで
露光対象領域の３ｋ番目（ｋ：自然数）の単位露光領域が露光される。すなわち、第ｊ列
の露光対象領域の露光が完了する。

続いて第ｊ＋１列の露光対象領域への露光が、以上述べた第ｊ列の露光と同様に行われ
る。これを第１列から第ｎ列まで繰り返し実行することにより、ｍ行ｎ列の画素信号行列
に対応した１ショット分の露光パターンが、ウエハ５０のフォトレジスト上に形成される
。

［Ｄ．第４実施形態］
前述の第１〜第３実施形態においては、ウエハを約２２ｍｍ角の領域であるショットに
区分し、１ショット露光してはステージ６０を１ショット分移動し次のショットを露光す
るということを繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピート方式で露光を行う態様に
ついて説明した。これに対し本実施形態においては、ウエハをショットに区分せず、液晶
マスクの幅に相当する幅を有する帯状の領域を順次露光していく。詳細には以下の通りで
ある。

本実施形態の液晶マスク５００Ｄは、第１実施形態と同様に液晶シャッタを１列に配置
した構造を有している。液晶マスク５００Ｄの液晶シャッタ列は、光源１０から適正な照
射強度が得られる範囲で最大の長さを有している。すなわち、第１実施形態の液晶マスク
５００の液晶シャッタ列はショットの１辺の長さ（約２２ｍｍ）を露光可能な程度の長さ
を有していればよいが、本実施形態において液晶マスク５００Ｄでは、光学系その他の構
成要素の許す限り最大の長さｗｍａｘを有するように液晶シャッタが配置されている。な
お、以下の説明では１列に配置された液晶シャッタ列を有する液晶マスクを用いた露光装
置、露光方法について説明するが、液晶シャッタは第２実施形態あるいは第３実施形態で
説明したように、２列以上に配置されていてもよい。

本実施形態の液晶マスク５００Ｄは、第１実施形態の液晶マスク５００の液晶シャッタ
制御部３５０と同一の液晶シャッタ制御部を有しており、第１実施形態で説明した動作と
同様に動作する。

また、本実施形態における露光装置１００には、露光データを生成するためのコンピュ
ータ４００が接続されている。

以下、本実施形態においては、ある半導体チップを量産する場合を考える。すなわち、
ある大きさのチップに対応する露光パターンをウエハ５０の全面に敷き詰めて露光する場
合について説明する。

本実施形態において、１チップは幅ｗ_ｃｈｉｐ、長さｌ_ｃｈｉｐの大きさを有している
とする。各チップは後工程でウエハ５０からチップを１つずつ切り出すための隙間（いわ
ゆるスクライブライン）を間に挟んで密に配置されている。また、スクライブラインの幅
はｄ_ｓｃｒであるとする。

露光の説明に先立ち、まず、本実施形態における露光データについて説明する。本実施
形態における露光対象領域の長さｗ_ｅｘｐは、以下の数３を満たす最大のｎ_ｃｈｉｐを用
いて、数４で表される。

（数３）
ｎ_ｃｈｉｐ（Ｗ_ｃｈｉｐ＋ｄ_ｓｃｒ）≦ｗ_ｍａｘ

（数４）
ｗ_ｅｘｐ＝ｎ_ｃｈｉｐ（Ｗ_ｃｈｉｐ＋ｄ_ｓｃｒ）

数４から分かるように、本実施形態における露光対象領域は、スクライブラインの幅を
確保してチップをｎ_ｃｈｉｐ個ｙ軸方向に並べたパターンに対応している。このチップ列
をｘ軸方向に繰り返し配置したパターンが露光パターンとなる。ここで、液晶シャッタ列
の端からｗ_ｍａｘ−ｗ_ｅｘｐの長さに対応する部分は、露光対象領域外なので常に閉状態
となるような露光データが生成される。液晶シャッタは、こうして用意された露光データ
を使用して、第１実施形態と同様の方法で駆動される。

図１３は本実施形態における露光方法を説明する模式図である。図１３において（１）
〜（６）の各図は、露光の様子を時系列的に示した模式図である。図１３においてウエハ
５０内に描かれた四角形は１つのチップを表している。なお図１３では図面が複雑になる
のを防ぐため、チップサイズおよびスクライブライン幅を誇張して大きく描いている。本
実施形態において、ウエハ５０は、正方形のショットではなく図１３に示されるようにｘ
軸方向に伸びる幅ｗ_ｅｘｐの帯状の領域に分割される。まず、露光装置１００は、最上部
の帯状領域を露光可能な位置にウエハ５０が位置するように、ステージ６０を駆動する。
マスク駆動制御部３６０は、この最上部の帯状領域を図１３において左から右に１露光対
象領域ずつ順に露光するようにマスク駆動部７０を制御する。

最上部の帯状領域の露光が完了すると、露光装置１００は、ステージ６０をｙ軸方向に
露光対象領域の長さｗ_ｅｘｐだけ移動し、第２の帯状領域を露光可能な位置にステージ６
０を移動させる。続いてマスク駆動制御部は、第２の帯状領域を図１３の右から左に１露
光対象領域ずつ順に露光するようにマスク駆動部７０を制御する。

以上の動作を繰り返すことにより帯状領域を１列ずつ露光すれば、ウエハ５０の全面に
パターンを露光することができる。

本実施形態の露光装置によれば、液晶マスク５００Ｄの液晶シャッタ列は、光源１０か
ら適正な照射強度が得られる範囲で最大の長さを有しており、ショット単位ではなくチッ
プ単位で露光対象領域の大きさを規定しているため、効率的に露光を行うことができる。

また、特に開発段階における場合など、１枚のウエハ上に回路パターンの異なるチップ
を複数種類形成したい場合には、帯状領域ごとに露光するパターンを変更してもよい。シ
ョット単位の露光で複数種類のチップを形成する場合には、１ショットの狭い領域内に異
なる種類のチップが形成され、回路の分別が不便であったが、こうすることにより例えば
ウエハの上半分には回路Ａを、下半分には回路Ｂをというように大きな領域で回路を分別
して形成することが可能になる。

なお、本実施形態においては、ｘ軸方向の走査はマスク駆動部７０が液晶マスク５００
Ｄを移動することにより、ｙ軸方向の移動はステージ６０を移動することにより露光を行
ったが、露光装置にマスク駆動部を設けず、ステージ６０の駆動機構によりｘ軸の走査お
よびｙ軸の移動をおこなう態様としてもよい。

また、液晶マスク５００Ｄがスクライブラインに対応する領域を描画するとき、すなわ
ち、１露光対象領域すべて液晶シャッタを閉状態とするデータがある程度連続する場合に
、スクライブラインに対応する領域ではステージ６０を早送りするようにステージ６０の
駆動を制御してもよい。スクライブラインのような、回路部分ではない無効領域を早送り
することによりウエハ１枚の露光時間を短縮できる。

［Ｅ．変形例］
本発明による液晶マスクの構成は前述の態様に限られず、次のような変形が可能である
。

液晶マスクは、単一の液晶シャッタから構成されてもよい。この場合、マスク駆動部７
０は、液晶マスクを２次元的（ｘ軸、ｙ軸方向）に水平移動させることができる構成であ
る必要がある。本変形例の液晶マスクを用いた露光装置を使用した場合、ｍ行ｎ列の画素
信号行列に対応した１ショット分の露光パターンを１ドットづつ露光することになる。

本発明における露光装置の光学系の構成を示す概略図である。 本発明の第１実施形態における液晶マスクの構造を示す図である。 本発明における液晶シャッタの構造を示す断面図である。 本発明の第１実施形態における露光装置の電気系の構成を示すブロック図である。 露光処理における露光パターンの一例を示す図である。 本発明の第１実施形態における液晶マスクのシャッタ駆動回路の回路図である。 本発明の第１実施形態における液晶マスクのシャッタ駆動回路の信号波形を示すタイミングチャートである。 本発明の第２実施形態における液晶マスクの構造を示す図である。 本発明の第２実施形態における液晶マスクのシャッタ駆動回路の回路図である。 本発明の第２実施形態における液晶マスクのシャッタ駆動回路の信号波形を示すタイミングチャートである。 本発明の第３実施形態における液晶マスクのシャッタ駆動回路の回路図である。 本発明の第３実施形態における液晶マスクのシャッタ駆動回路の信号波形を示すタイミングチャートである。 本発明の第４実施形態における露光方法を説明する概略図である。 従来技術で用いられる液晶マスクの構造を示す図である。 従来技術の液晶マスクによる露光の様子を示した模式図である。

符号の説明

１０…光源、２０…コンデンサレンズ、３１…液晶シャッタ、３２…信号入力部、３３…
駆動回路、４０…投影レンズ、５０…ウエハ、６０…ステージ、７０…マスク駆動部、３
６０…マスク駆動制御部、１００…露光装置、２１０…ＴＦＴ、２５０…画素電極、２６
０…液晶層、２７０…共通電極、２８０…ＴＦＴアレイ基板、２９０…液晶制御部、３１
０…データ入力部、３２０…露光データメモリ、３３０…データ変換部、３４０…画素信
号メモリ、３５０…液晶シャッタ制御部、５００…液晶マスク

Claims (8)

1. 露光処理の対象である被加工物を保持する保持手段と、
   前記被加工物の露光を行うための光を出力する光源と、
   各々駆動電圧に応じて透過状態または遮断状態となる複数の液晶シャッタからなる液晶
   シャッタ列を有し、前記光源から前記被加工物に至る光の経路上に設けられた液晶マスク
   と、
   前記被加工物の表面に形成すべき露光パターンを示す露光データを記憶する記憶手段と
   、
   各々単位露光領域を一列に並べた複数のストライプ状の露光対象領域に前記被加工物の
   表面を区分し、前記液晶シャッタ列を介した各露光対象領域への露光が順次行われるよう
   に、前記液晶マスクと前記被加工物との相対的な位置関係を変化させる駆動手段と、
   前記露光データによって示される露光パターンに基づいて、前記複数の露光対象領域の
   各々を構成する各単位露光領域の露光状態を表す画素信号列を発生し、前記各露光対象領
   域への露光が行われるときに、前記画素信号列のうち当該露光対象領域に対応する画素信
   号列に基づき、前記液晶シャッタ列における各液晶シャッタに対する駆動電圧を発生する
   液晶シャッタ制御手段と
   を有する露光装置。
2. 前記液晶マスクは、前記液晶シャッタ列を複数有し、各液晶シャッタ列は、各々におけ
   る隣接した２つの液晶シャッタの間に他の液晶シャッタ列の１つの液晶シャッタが位置す
   るように並列配置され、
   １つの露光対象領域に対する露光において、
   前記駆動手段は、前記複数の液晶シャッタ列の各々を介した当該露光対象領域への露光
   が順次行われるように、前記複数の液晶シャッタ列を横切る方向に前記液晶マスクまたは
   前記被加工物を移動させ、
   前記液晶シャッタ制御手段は、当該露光対象領域への露光に使用される液晶シャッタ列
   を構成する各液晶シャッタに対する駆動電圧を、前記画素信号列における当該露光対象領
   域に対応した画素信号列のうち当該液晶シャッタ列を介した露光の対象となる単位露光領
   域に対応した画素信号列に基づいて発生する
   ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記複数の液晶シャッタ列の各々は、１つの露光対象領域内において当該液晶シャッタ
   列を介して露光される領域と他の液晶シャッタ列を介して露光される領域とがオーバーラ
   ップするように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
4. 前記液晶マスクは、２枚の透明な基板と、これらの基板間に封止された液晶とを有し、
   前記液晶マスクにおける各液晶シャッタは、前記２枚の基板のうちの一方に配置され、前
   記駆動電圧が印加される透明な画素電極とを有する請求項１〜３のいずれか１の請求項に
   記載の露光装置。
5. 前記液晶マスクは、前記液晶シャッタ列の側方に、各液晶シャッタに駆動電圧を供給す
   るための配線を有し、各液晶シャッタは、各々の間に配線を挟むことなく密に配列されて
   いる請求項１に記載の露光装置。
6. 光源から被加工物に至る光の経路上に配置され、前記光源からの光による前記被加工物
   の各領域の露光を選択的に制限する液晶マスクにおいて、
   前記光の経路を横断するように配置される２枚の透明な基板と、
   前記２枚の基板間に封止された液晶と、
   前記２枚の基板のうちの一方に線状をなすように複数配置され、各々駆動電圧が印加さ
   れることにより、前記液晶における各々に対向した領域を透過状態または遮断状態とする
   複数の画素電極とを有し、
   前記駆動電圧を前記複数の画素電極に供給するための配線が前記複数の画素電極からな
   る列の側方に形成され、前記各画素電極は、各々の間に配線を挟むことなく密に配列され
   た液晶マスク。
7. 光源から被加工物に至る光の経路上に配置され、前記光源からの光による前記被加工物
   の各領域の露光を選択的に制限する液晶マスクにおいて、
   前記光の経路を横断するように配置される２枚の透明な基板と、
   前記２枚の基板間に封止された液晶とを有し、
   前記２枚の基板のうちの一方には、各々駆動電圧が印加されることにより、前記液晶に
   おける各々に対向した領域を透過状態または遮断状態とする複数の画素電極からなる画素
   電極列が形成され、各画素電極列は、各々における隣接した２つの画素電極の間に他の画
   素電極列の１つの画素電極が位置するように並列配置されてなる液晶マスク。
8. 前記複数の画素電極列の各々における各画素電極は、当該画素電極列における複数の画
   素電極の並び方向において、他の１つの画素電極列における１または２の画素電極とオー
   バーラップする領域を有する請求項７に記載の液晶マスク。

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