JP2005068510A - 傾斜組成膜製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】蒸発源100と基板300との間に遮蔽板200を設置するとともに、蒸発源100の一端1aと遮蔽板200の蒸気誘導端面X1X2とを結ぶ延長線が基板300の基板面N1M1M2N2となす蒸気衝突角度と、蒸発源100の他端1bと遮蔽板200の蒸気誘導端面X1X2とを結ぶ延長線が基板面N1M1M2N2となす蒸気衝突角度がそれぞれ75度〜105度の範囲となるように蒸発源100、遮蔽板200、基板300の位置を調節する。
【選択図】図1
Description
社団法人未踏科学技術協会、傾斜機能材料研究会偏集「傾斜機能材料」工業調査会発行、1993年2月10日発行、第2頁、図1.1、第50頁、図2.27、第51頁、写真2.4。 日刊工業新聞社、金持徹編集「真空技術ハンドブック」1990年3月31日発行、第499頁、6.1.2蒸着装置と蒸着法、第500頁、図6.1.2真空蒸着装置の基本構成。
(傾斜組成膜製造装置の基本構成)
本実施の形態における傾斜組成膜製造装置は、蒸発源に収納された被蒸発材料を蒸発させ、基板面上の対象位置への蒸気の到達量に規則的な勾配を持たせて成膜することにより、基板面上の少なくとも1方向において傾斜組成を有する薄膜若しくはそれと同等の傾斜組成を有する薄膜を得るための成膜室装置と、被蒸発材料を蒸発させるための加熱装置と、成膜室装置内部の雰囲気の圧力を調整するための排気装置とを備え、これら成膜室装置と加熱装置と排気装置とが気密性を持ってステンレス部材で連結された構成である。
上記構成の傾斜組成膜製造装置では、加熱装置によって蒸発源100内に収納された被蒸発材料を加熱して蒸発させ、遮蔽板200の遮蔽面X1Y1Y2X2により蒸気の一部を遮蔽するとともに、遮蔽板200の蒸気誘導端面X1X2によって蒸気の残部を基板300の基板面N1M1M2N2上の所定位置に誘導し付着させ、成膜厚さの分布に規則的な勾配を持った傾斜組成膜を形成する。以下、図1を用いてより詳細に説明する。
本実施の形態では、基板面への蒸気衝突角度を75度〜105度の範囲にするとともに、蒸発源100と遮蔽板200との距離をP、遮蔽板200と基板300との距離をQとしたときのP/(P+Q)の値が0.1〜0.9の範囲となるように、蒸発源100、遮蔽板200、基板300の位置を調節する。これは、P/(P+Q)の値が0.1よりも小さいと遮蔽板が蒸発源に近すぎ、この値が0.9よりも大きいと遮蔽板が基板に近すぎるため、いずれも良質な傾斜組成膜を形成することができないからである。P/(P+Q)の値を0.1〜0.9の範囲とすることで、基板面上における成膜厚さに連続性があり、かつ基板面の各位置における成膜量(成膜厚さ)が一定の比率で分布することとなる。
本実施の形態では、2個の蒸発源、2枚の遮蔽板を備えた2成分系の傾斜成膜製造装置について説明する。
本実施の形態では、2個の蒸発源、1枚の遮蔽板を備えた2成分系の傾斜成膜製造装置について説明する。
本実施の形態では、2個の蒸発源、1枚の遮蔽板を備えた2成分系の傾斜成膜製造装置の別の例について説明する。
本実施の形態では、3個の蒸発源、1枚の遮蔽板を備えた3成分系の傾斜成膜製造装置について説明する。
第3蒸発源150については、その一端113eと遮蔽板240の第3蒸気誘導端面K3K1とを結ぶ延長線が基板300の基板面と交差する交点をム、ウとしたとき、交点ム、ウを通る各延長線と基板面とがなす蒸気衝突角度が75度〜105度の範囲となるように、基板300、遮蔽板240、第3蒸発源150の位置を調節する。
これらの蒸気衝突角度を75度未満とすると、基板面上の中心部と周辺部との成膜量に少なくとも10%を越える差異が見られるようになり、厚さの均一性の観点から良質な成膜とはいえなくなる。蒸気衝突角度が105度を越えた場合も同様である。
本実施の形態では、3個の蒸発源、1枚の遮蔽板を備えた3成分系の傾斜成膜製造装置の別の例について説明する。
比較例1で24.5%まで低下し、比較例4で71.4%、比較例5で40.9%、比較例6で23.9%まで低下し、均一性の高い良質の成膜分布は得られなかった。
これに対して比較例1乃至6の場合では、均一な厚さの成膜は得られなかった。これにより、蒸気衝突角度が75度未満あるいは105度を超えた場合には、成膜量(成膜厚さ)が、理想状態と比べて約90%以下に低下し(成膜量が小となる)、良質の成膜状態とはならないことが確認された。
200,210,220,230,240,250…遮蔽板
300…基板
Claims (16)
- 被蒸発材料を備えた蒸発源と、
前記蒸発源に対向して配置された基板と、
前記蒸発源と前記基板との間に配置され、前記被蒸発材料から蒸発した蒸気の一部を遮蔽するための遮蔽面とその蒸気の残部を基板面上の所定位置に誘導するための蒸気誘導端面を備えた遮蔽板と、を有し、
前記蒸発源の一端と前記遮蔽板の蒸気誘導端面とを結ぶ延長線が前記基板面となす蒸気衝突角度と、前記蒸発源の他端と前記遮蔽板の蒸気誘導端面とを結ぶ延長線が前記基板面となす蒸気衝突角度がそれぞれ75度〜105度の範囲となるように前記基板、前記遮蔽板、前記蒸発源の位置を調節したことを特徴とする傾斜組成膜製造装置。 - 被蒸発材料を備えた第1蒸発源および第2蒸発源と、
前記各蒸発源に対向して配置された基板と、
前記各蒸発源と前記基板との間に配置され、前記被蒸発材料から蒸発した蒸気の一部を遮蔽するための遮蔽面とその蒸気の残部を基板面上の所定位置に誘導するための第1蒸気誘導端面および第2蒸気誘導端面を備えた遮蔽板と、を有し、
第1蒸発源の一端と前記遮蔽板の第1蒸気誘導端面とを結ぶ延長線が前記基板面に交差する交点と、第1蒸発源の他端と前記遮蔽板の第2蒸気誘導端面とを結ぶ延長線が前記基板面に交差する交点とが一致し、かつ各延長線が前記基板面となす蒸気衝突角度がそれぞれ75度〜105度の範囲になるとともに、
第2蒸発源の一端と前記遮蔽板の第1蒸気誘導端面とを結ぶ延長線が前記基板面に交差する交点と、第2蒸発源の他端と前記遮蔽板の第2蒸気誘導端面とを結ぶ延長線が前記基板面に交差する交点とが一致し、かつ各延長線が前記基板面となす蒸気衝突角度がそれぞれ75度〜105度の範囲となるように前記基板、前記遮蔽板、第1蒸発源、第2蒸発源の位置を調節したことを特徴とする傾斜組成膜製造装置。 - 被蒸発材料を備えた第1蒸発源、第2蒸発源、第3蒸発源と、
前記各蒸発源に対向して配置された基板と、
前記各蒸発源と前記基板との間に配置され、前記被蒸発材料から蒸発した蒸気の一部を遮蔽するための遮蔽面とその蒸気の残部を基板面上の所定位置に誘導するための第1蒸気誘導端面、第2蒸気誘導端面、第3蒸気誘導端面を備えた遮蔽板と、を有し、
第1蒸発源の一端と前記遮蔽板の第1蒸気誘導端面とを結ぶ延長線が前記基板面となす蒸気衝突角度と、第1蒸発源の他端と前記遮蔽板の第1蒸気誘導端面とを結ぶ延長線が前記基板面となす蒸気衝突角度がそれぞれ75度〜105度の範囲となり、
第2蒸発源の一端と前記遮蔽板の第2蒸気誘導端面とを結ぶ延長線が前記基板面となす蒸気衝突角度と、第2蒸発源の他端と前記遮蔽板の第2蒸気誘導端面とを結ぶ延長線が前記基板面となす蒸気衝突角度がそれぞれ75度〜105度の範囲となり、
第3蒸発源の一端と前記遮蔽板の第3蒸気誘導端面とを結ぶ延長線が前記基板面となす蒸気衝突角度と、第3蒸発源の他端と前記遮蔽板の第3蒸気誘導端面とを結ぶ延長線が前記基板面となす蒸気衝突角度がそれぞれ75度〜105度の範囲となるように前記基板、前記遮蔽板、第1蒸発源、第2蒸発源、第3蒸発源の位置を調節したことを特徴とする傾斜組成膜製造装置。 - 前記遮蔽板は、第1蒸気誘導端面を備えた第1遮蔽板と、第2蒸気誘導端面を備えた第2遮蔽板からなることを特徴とする請求項2記載の傾斜組成膜製造装置。
- 前記遮蔽板は、外端面に第1蒸気誘導端面と第2蒸気誘導端面を対向して備えた四角形状であることを特徴とする請求項2記載の傾斜組成膜製造装置。
- 前記遮蔽板は、第1蒸気誘導端面と第2蒸気誘導端面を対向して備えた四角形状の穴が設けられた板であることを特徴とする請求項2記載の傾斜組成膜製造装置。
- 第1蒸気誘導端面と第2蒸気誘導端面を平行に配置したことを特徴とする請求項2、4乃至6のいずれかに記載の傾斜組成膜製造装置。
- 第1蒸気誘導端面と第2蒸気誘導端面をハ字型に配置したことを特徴とする請求項2、4乃至6のいずれかに記載の傾斜組成膜製造装置。
- 第1蒸気誘導端面の一端と第2蒸気誘導端面の一端を接触させた状態で第1蒸気誘導端面と第2蒸気誘導端面をハ字型に配置したことを特徴とする請求項2、4乃至6のいずれかに記載の傾斜組成膜製造装置。
- 前記蒸発源による第1蒸発源とは別の細長状の第2蒸発源を有し、
第2蒸発源が前記遮蔽板の蒸気誘導端面に平行になるように第1蒸発源と第2蒸発源をT字型に配置したことを特徴とする請求項1記載の傾斜組成膜製造装置。 - 前記遮蔽板は、第1蒸気誘導端面、第2蒸気誘導端面、第3蒸気誘導端面を備えた三角形状であることを特徴とする請求項3記載の傾斜組成膜製造装置。
- 前記遮蔽板は、第1蒸気誘導端面、第2蒸気誘導端面、第3蒸気誘導端面を備えた三角形状の穴が設けられた板であることを特徴とする請求項3記載の傾斜組成膜製造装置。
- 第1蒸発源、第2蒸発源、第3蒸発源をY字形に配置したことを特徴とする請求項3記載の傾斜組成膜製造装置。
- 前記蒸発源と前記遮蔽板との距離をP、前記遮蔽板と前記基板との距離をQとしたときのP/(P+Q)の値が0.1〜0.9の範囲となるように前記基板、前記遮蔽板、前記蒸発源の位置を調節したことを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載の傾斜組成膜製造装置。
- 前記遮蔽板の遮蔽面と前記蒸発源を平行に配置したことを特徴とする請求項1乃至14のいずれかに記載の傾斜組成膜製造装置。
- 前記遮蔽板の遮蔽面と前記基板の基板面を平行に配置したことを特徴とする請求項1乃至15のいずれかに記載の傾斜組成膜製造装置。
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