JP2005064124A - 集積回路、及び集積回路の配線形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】線状素子を二次元あるいは三次元に配置して集積回路を作製する場合の配線の形成方法としては、従来、線状素子を縦糸とし、導電性の繊維を横糸として複数の線状素子を電気的に接続し、集積回路を形成する方法を使用していた。大規模で複雑な構造の集積回路を形成する場合には、配線構造も複雑になるため、従来の方法では、配線と線状素子との接続や配線間の分離が難しいことから、微細化や配線作業の自動化が困難であった。
【解決手段】光照射により抵抗率が変化したり、溶剤に対する溶解度が変化する有機材料を使用して、単層、あるいは多層の配線を形成することにした。マスクを介した光の一括照射で複雑な配線パターンが形成できるので、配線形成工程の簡易化、自動化、及び集積回路の集積度向上や微細化が可能になる。
【選択図】 図８

Description

本発明は、線状素子を二次元あるいは三次元に配置して集積回路を作製する場合の配線の形成方法、及び、集積回路に関する。

特開2002-82428 Applied Physics Letters Vol.73, Number1 6 July 1998, p.108-110 "Low-cost all-polymer integrated circuits"

一本の糸内に回路素子を形成した線状素子を用いて集積回路を製造する技術は、形状に限定されることなく、柔軟性ないし可撓性を有し、任意の形状の各種装置を作成することが可能である。図１４は、従来の線状素子からなる集積回路の配線形成方法を説明するための斜視図である。図１４に示すように、従来、複数の線状素子間を配線で電気的に接続し集積回路を形成する方法としては、線状素子からなる縦糸に対し、導電性の繊維を横糸として配線を形成する方法が使用されていた。

大規模で複雑な構造の集積回路を形成する場合には、配線構造も複雑になるため、従来の方法では、配線と線状素子との接続や配線間の分離が難しいことから、微細化や配線作業の自動化が困難であった。

光照射により抵抗率が変化したり、溶剤に対する溶解度が変化する光反応性有機材料を使用して、単層、あるいは多層の配線を形成することにした。

マスクを使用した光の一括照射で複雑な配線パターンが形成できるので、配線形成工程の簡易化、自動化が可能になる。
配線パターンの微細化が容易になり、集積回路の集積度を向上できる。
光照射により抵抗率が変化する光反応性有機材料を使用する場合には、配線層だけでなく、ビア配線を含む層間絶縁層も配線層と同じ光反応性有機膜を使用して形成可能であり、光反応性有機膜の形成と光照射を繰り返すことにより多層配線の形成が可能になる。
線状素子と光反応性有機膜を交互に積層することにより、三次元デバイスの作製が可能になる。
基板にプラスティックなど柔軟性のある基板を用いた場合には、柔軟性のある集積回路の作製が可能になる。
線状素子を検査して、選別した良品だけ用いて集積回路を製造できる。もしくは、集積回路を作製し検査を行ってから、不良部の線状素子を交換することができるので、集積回路を大型化した場合に、特にプロセス管理を厳密にしなくても、集積回路の歩留まりを向上できる。
線状素子、光反応性有機膜、発光膜を積層することにより、表示装置や照明装置などの発光装置を容易に製造することができる。

図８は、本発明の集積回路の配線形成方法に係り、(a)は、第一の実施例に係る斜視図であり、(b)〜(f)は、第一の実施例に係る工程順断面図である。最初に、例えば、ガラス、又はプラスティックからなる裏面基板３１上に光反応性有機膜３２を回転塗布法などにより形成する（図８(b)）。

第一の実施例では、光反応性有機膜として、光照射により絶縁体に変化する有機材料を使用する。次に、複数の線状素子３３を光反応性有機膜３２の上に配置する（図８(a)及び(c)）。次に、線状素子３３の電極部に位置合わせを行ったマスク３４を介して、紫外線などの光を光反応性有機膜３２に対し照射する（図８(d)）。次に、加熱により光反応性有機膜に含まれる光反応開始剤を蒸発させることにより、光反応性有機膜３２中に導電性領域３５と絶縁性領域３６を形成する（図８(e)）。次に、線状素子の保護、及び封止のために、例えば、ガラス、又はプラスティックからなる表面基板３７を線状素子３３上に置く。裏面基板３１と表面基板３７で線状素子３３と光反応性有機膜を挟み、圧力を加えることにより、導電性領域３６と線状素子３３の電極領域との電気的接触を良好にすることも可能である。

（線状素子）
本発明の線状素子は、回路素子が長手方向に連続的あるいは間欠的に形成されている。すなわち、長手方向垂直断面内に複数の領域を有し、該複数の領域が一つの回路素子を形成するように配置されており、かかる断面が長手方向に連続的にあるいは間欠的に糸状に続いている。回路素子は、連続的に形成されている場合は、どの断面をとっても同一形状をなしている。俗にいう金太郎飴状態である。該回路素子は、同一素子を線状の長手方向に連続して形成してもよいし間欠的に形成してもよい。

図１に本発明の集積回路の配線形成方法に係る線状素子を示す。この例ではMISFETを示している。線状体の断面において、中心にゲート電極１を有し、その外側にゲート絶縁膜２、ソース領域３、ドレイン領域５、半導体領域４が順次形成されている。図1に示す線状素子は長手方向に間欠的に複数の素子が形成されており、線状体は、MISFET領域２１、ソース電極領域２２、絶縁分離領域２３、ドレイン電極領域２４、MISFET領域２５に分割されている。

図２は、図１に示す線状素子のA-A'線に沿って切断した断面図である。導電性ポリマーからなるゲート電極１を中心に、絶縁性ポリマーからなるゲート絶縁膜２、N型半導体ポリマーからなるソース領域３、ドレイン領域５、P型半導体ポリマーからなる半導体領域４が配置されている。ゲート電極１に半導体領域４に対し正の電圧を印加すると、ゲート絶縁膜２の表面に接する半導体領域４に電子が集まるために、ソース領域３とドレイン領域５が電気的に導通する。

図３は、図１に示す線状素子のB-B'線に沿って切断した断面図である。半導体領域４の周りに導電性ポリマーからなるソース電極６が形成されており、ソース領域３と接続されている。

図４は、図１に示す線状素子のD-D'線に沿って切断した断面図である。半導体領域４の周りに導電性ポリマーからなるドレイン電極７が形成されており、ドレイン領域５と接続されている。

図5は、図１に示す線状素子のC-C'線に沿って切断した断面図である。ソース領域、及びドレイン領域がなく、絶縁性ポリマーからなる絶縁分離領域８がゲート絶縁領域２の周りに形成されている。

図１に示す線状素子は、線状体上の複数のMISFETが共通のゲート電極を有し、各MISFETのソース電極、及びドレイン電極は、互いに独立しているが、各MISFETのゲート電極を互いに切り離し、独立して設けることも可能である。また、複数のMISFETが共通のソース電極、又はドレイン電極を有するように形成することも可能である。

（線状素子の形状）
本発明における線状素子における外径は、１０mm以下が好ましく、５mm以下がより好ましい。１mm以下が好ましく、１０μm以下がさらに好ましい。延伸加工を行うことにより１μm、さらには０．１μm以下とすることも可能である。

１μｍ以下の外径を有する極細線状体を型の孔から吐出させて形成しようとする場合には、孔のつまりが生じたり、糸状体の破断が生ずる場合がある。かかる場合には、各領域の線状体をまず形成する。次にこの線状体を島として多くの島を作り、その周囲（海）を溶性のもので取り巻き、それをロート状の口金で束ねて、小口から一本の線状体として吐出させればよい。島成分を増やして海成分を小さくすると極めて細い線状体素子をつくることができる。

他の方法として、一旦太めの線状体素子をつくり、その後長手方向に延伸すればよい。また、溶融した原料をジェット気流に乗せてメルトブローして極細化を図ることも可能である。

また、アスペクト比は、押出形成により任意の値とすることができる。紡糸による場合には糸状として１０００以上が好ましい。例えば１０００００あるいはそれ以上も可能である。切断後使用する場合には、１０〜１００００、１０以下、さらには１以下、０．１以下として小単位の線状素子としてもよい。

線状素子の断面形状は特に限定されない。例えば、円形、多角形、星型その他の形状とすればよい。例えば、複数の頂角が鋭角をなす多角形状であってもよい。
また、各領域の断面も任意にすることができる。素子により、隣接する層との接触面を大きくとりたい場合には、頂角が鋭角となっている多角形状とすることが好ましい。
なお、断面形状を所望の形状とするには、押出しダイスの形状を該所望する形状のものとすれば容易に実現することができる。

最外層の断面を星型あるいは頂角が鋭角をなす形状とした場合、押出し形成後、頂角同士の間の空間に、例えば、ディッピングにより他の任意の材料を埋め込むことができ、素子の用途によって素子の特性を変化させることができる。
なお、半導体層へ不純物をドーピングしたい場合は、溶融原料中に不純物を含有せしめておいてもよいが、押出し形成後、真空室内を線状のまま通過させ、真空室内で例えばイオン注入法などにより不純物をドープしてもよい。半導体層が最外層ではなく内部に形成されている場合には、イオン照射エネルギーを制御することにより内層である半導体層のみにイオン注入すればよい。

上記製造例は、複数の層を有する素子を押出しにより一体形成する例であるが、素子の基本部を押出しにより線状に形成し、その後該基本部に適宜の方法により被覆を施すことにより形成してもよい。

（原材料）
電極、半導体層などの材料としては、導電性高分子を用いることが好ましい。
例えば、ポリアセチレン、ポリアセン、（オリゴアセン）、ポリチアジル、ポリチオフェン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、オリゴチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフェニレン等が例示される。これらから導電率などを考慮して電極、あるいは半導体層として選択すればよい。

なお、半導体材料としては、例えば、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリ（３−メチルチオフェン）などが好適に用いられる。
また、ソース・ドレイン材料としては、上記半導体材料に、ドーパントを混入せしめたものを用いればよい。ｎ型とするためには、例えば、アルカリ金属（Ｎａ、Ｋ，Ｃａ）などを混入せしめればよい。ＡｓＦ_５／ＡｓＦ_３やＣｌＯ_４ ⁻をドーパントとして用いる場合もある。

（製造装置、製造方法）
図６は、線状素子の製造に用いられる押出し装置を示す正面図である。押出し装置１１は、複数の領域を構成するための原料を溶融状態あるいは溶解状態、あるいはゲル状態で保持するための原料容器１２、１３、１４を有している。第６図に示す例では、３個の原料容器を示しているが、製造する線状素子の構成に応じて適宜設ければよい。

原料容器１２内の原料は、型１５に送られる。型１５には、製造しようとする線状素子の断面に応じた射出孔が形成されている。射出孔から射出された線状体は、ローラ１７に巻き取られるか、あるいは必要に応じて次の工程に線状のまま送られる。

図１に示す構造の線状素子を製造する場合には図６に示すような構成が取られる。
原料容器１２、１３、１４には、ゲート電極材料、ゲート絶縁膜材料、ソース、ドレイン材料、半導体材料が、それぞれ、溶融あるいは溶解状態、ゲル状態で保持されている。一方、型１５には、それぞれの材料容器に連通させて、孔が形成されている。

型１５は、図７に示すように、中心部には、ゲート電極材料を射出するための複数の孔が形成されている。その外側周辺には、ゲート絶縁膜材料を射出させるための複数の孔が形成されている。そしてその外周にさらにソース、ドレイン材料、半導体材料を射出するための複数の孔が形成されている。

各原料容器から溶融あるいは溶解状態、ゲル状態の原料を型２０に送入し、型から原料を射出すると、各孔から原料は射出し、固化する。その端を引っ張ることにより、糸状に連続して線状発光素子が形成される。

線状発光素子は、ローラ１７で巻き取る。あるいは必要に応じて次の工程に糸状のまま送る。例えば、ドーピング処理部１８において、酸素イオンを注入、加熱し、絶縁分離領域を形成したり、電極形成処理部１９において、導電性ポリマーの塗布などにより、ソース電極６やドレイン電極７を形成する。ソース領域３とソース電極６、及びドレイン領域５とドレイン電極７を接触させるために、電極を形成する前に半導体領域４の一部を機械的加工や、エッチングなどの方法で除去する。

（光反応性有機材料１）
カンフォルスルフォン酸をドープしたポリアニリンをm-クレゾールに溶解し、有機材料溶液を作成する。作成した溶液中に、光反応開始剤として機能するヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを添加し、光反応性有機材料を作成する。基板上に作成した光反応性有機材料溶液を、例えば回転塗布法により塗布し、厚さ約0.2μmの光反応性有機膜を形成する。次に、紫外線などの光をマスクを介して選択的に光反応性有機膜に照射した後、約110℃の温度で加熱し、未照射部の有機膜に含まれる光反応開始剤を蒸発させる。未照射部の光反応性有機膜の抵抗率は10³Ω/□で、導電性材料となるが、光照射部の光反応性有機膜の抵抗率は10¹⁴Ω/□となり、絶縁性材料となる。（非特許文献１）

（光反応性有機材料２）
無機粉末、カルボキシル基含有感光性バインダー樹脂、光反応性モノマー、光重合開始剤を混練しペースト化することによりアルカリ現像型ペースト組成物を作成する。無機粉末としては、Au、Ag、Cu、Pd、Ptなどからなる金属粉末から少なくとも一種以上選択して使用する。カルボキシル基含有感光性バインダー樹脂としては、例えば化学式Iで表される材料を使用する。光反応性モノマーとしては、例えば化学式IIで表される材料を使用する。光重合開始剤としては、例えばアシルホスフィンオキシドを含有する化合物を使用する。得られたペースト組成物を基板上に印刷して乾燥し、約60μmの膜厚の光反応性有機膜を形成する。次に、マスクを介して光照射を行い、0.5重量％のNa₂CO₃水溶液に2分間浸漬後、シャワーリンスしてからベーキングを行う。未照射部の光反応性有機膜はNa₂CO₃水溶液に溶解するのに対し、光照射部の光反応性有機膜は、光照射により重合反応が起こり、Na₂CO₃水溶液に不溶となるため、導電性のパターンが形成される。（特許文献１）

（配線形成方法の実施例２）
図９は、本発明の集積回路の配線形成方法に係り、(a)は、第二の実施例に係る斜視図であり、(b)〜(k)は、第二の実施例に係る工程順断面図である。最初に、例えば、ガラス、又はプラスティックからなる裏面基板４１上に複数の線状素子４２を配置する（図９(a)及び(b)）。次に、光反応性有機膜４３を複数の線状素子４２上に形成する（図９ (c)）。次に、線状素子４２の電極部に位置合わせを行ったマスク４４を介して紫外線などの光を光反応性有機膜４３に対し照射する（図９(d)）。次に、加熱により光反応性有機膜に含まれる光反応開始剤を蒸発させることにより、光反応性有機膜４３中に導電性領域４５と絶縁性領域４６を形成し、一層目の配線領域を形成する（図９(e)）。次に、光反応性有機膜４７を導電性領域４５及び絶縁性領域４６上に形成する（図９(f)）。次に、導電性領域４５に位置合わせを行ったマスク４８を介して紫外線などの光を光反応性有機膜４７に対し照射する（図９(g)）。次に、加熱により光反応性有機膜に含まれる光反応開始剤を蒸発させることにより、光反応性有機膜４７中に導電性領域４９と絶縁性領域５０を形成し、一層目の層間絶縁膜を作製する。（図９(h)）。次に、導電性領域４９に位置合わせを行ったマスク５２を介して紫外線などの光を光反応性有機膜５１に対し照射する（図９(j)）。次に、加熱により光反応性有機膜に含まれる光反応開始剤を蒸発させることにより、光反応性有機膜５１中に導電性領域５３と絶縁性領域５４を形成し、二層目の配線領域を形成する（図９(k)）。さらに、図示はしていないが、二層目の配線領域上にガラス、又はプラスティックからなる表面基板を置いて集積回路の保護あるいは封止を行うことも可能である。また、図９では、二層配線を形成する場合について説明したが、三層以上の多層配線の形成に本発明の配線形成方法を適用できることは明らかである。

（配線形成方法の実施例３）
図１０は、本発明の集積回路の配線形成方法に係り、(a)は、第三の実施例に係る斜視図であり、(b)〜(j)は、第三の実施例に係る工程順断面図である。最初に、例えば、ガラス、又はプラスティックからなる裏面基板６１上に複数の線状素子６２を配置する（図１０(a)及び(b)）。次に、線状素子６２上に、光反応性有機膜６３を回転塗布法などにより形成する（図１０(c)）。第三の実施例では、光反応性有機膜として、光照射により絶縁体に変化する有機材料を使用する。次に、線状素子６２の電極部に位置合わせを行ったマスク６４を介して、紫外線などの光を光反応性有機膜６３に対し照射する（図１０(d)）。次に、加熱により光反応性有機膜に含まれる光反応開始剤を蒸発させることにより、光反応性有機膜６３中に導電性領域６５と絶縁性領域６６を形成する（図１０(e)）。次に、光反応性有機膜６３上に、導電性領域６５に位置合わせを行って、線状素子６７を配置する（図１０(f)）。次に、線状素子６７上に、光反応性有機膜６８を形成する（図１０(g)）。次に、線状素子６７の電極部に位置合わせを行ったマスク６９を介して、紫外線などの光を光反応性有機膜６８に対し照射する（図１０(h)）。次に、加熱により光反応性有機膜に含まれる光反応開始剤を蒸発させることにより、光反応性有機膜６８中に導電性領域７１と絶縁性領域７０を形成する（図１０(i)）。次に、導電性領域７１及び絶縁性領域７０上にガラス、又はプラスティックからなる表面基板７２を置いて集積回路の保護あるいは封止を行う（図１０(j)）。図１０により説明したように、一層、または多層の配線領域と線状素子を交互に積層して、各線状素子を電気的に接続することにより三次元集積回路を作製することが可能である。

（配線形成方法の実施例４）
図１１は、本発明の集積回路の配線形成方法に係り、(a)は、第四の実施例に係る斜視図であり、(b)〜(i)は、第四の実施例に係る工程順断面図である。最初に、例えば、ガラス、又はプラスティックからなる裏面基板８１上に光反応性有機膜８２を回転塗布法などにより形成する（図１１(b)）。第四の実施例では、光反応性有機膜として、光照射により絶縁体に変化する有機材料を使用する。次に、複数の線状素子８３を光反応性有機膜８２の上に配置する（図１１(a)及び(c)）。次に、線状素子８３の電極部に位置あわせを行ったマスク８４を介して、紫外線などの光を光反応性有機膜８２に対し照射する（図１１(d)）。次に、加熱により光反応性有機膜に含まれる光反応開始剤を蒸発させることにより、光反応性有機膜８２中に導電性領域８６と絶縁性領域８５を形成する（図１１(e)）。次に、線状素子８３上に、光反応性有機膜８７を形成する（図１１(f)）。次に、線状素子８３の電極部に位置合わせを行ったマスク８８を介して、紫外線などの光を光反応性有機膜８７に対し照射する（図１１(g)）。次に、加熱により光反応性有機膜に含まれる光反応開始剤を蒸発させることにより、光反応性有機膜８７中に導電性領域８９と絶縁性領域９０を形成する（図１１(h)）。次に、集積回路の保護のために例えば、ガラス、又はプラスティックからなる表面基板９１を導電性領域８９及び絶縁性領域９０上に置く（図１１(i)）。図１１により説明したように、二次元、あるいは三次元に配置した線状素子を上下の配線層で挟んで、多層配線を形成することも可能である。

（配線形成方法の実施例５）
図１２は、本発明の集積回路の配線形成方法に係り、(a)は、第五の実施例に係る斜視図であり、(b)〜(g)は、第五の実施例に係る工程順断面図である。最初に、例えば、ガラス、又はプラスティックからなる裏面基板１１１上に複数の線状素子１１２を配置する（図１２(a)及び(b)）。次に、線状素子１１２上に、光反応性有機膜１１３を回転塗布法などにより形成する（図１２(c)）。第五の実施例では、光反応性有機膜として、光硬化性の有機材料を使用する。次に、線状素子１１２の電極部に位置合わせを行ったマスク１１４を介して、紫外線などの光を光反応性有機膜１１３に対し照射する（図１２(d)）。次に、Na₂CO₃水溶液に2分間浸漬後、シャワーリンスしてからベーキングを行う（図１２(e)及び(f)）。光照射部１１６はNa₂CO₃水溶液に不溶であるため、配線領域として残るのに対し、未照射部１１５は水溶液に溶けるため、除去される。次に、線状素子の保護のために、例えば、ガラス、又はプラスティックからなる表面基板１１７を配線領域１１６上に置く（図１２(g)）。

（配線形成方法の実施例６）
図１３は、本発明の集積回路の配線形成方法に係り、(a)は、第六の実施例に係る斜視図であり、(b)〜(j)は、第六の実施例に係る工程順断面図である。最初に、例えば、ガラス、又はプラスティックからなる裏面基板１２１上に複数の線状素子１２２を配置する（図１３(a)及び(b)）。次に、光反応性有機膜１２３を複数の線状素子１２２上に形成する（図１３ (c)）。次に、線状素子１２２の電極部に位置合わせを行ったマスク１２４を介して紫外線などの光を光反応性有機膜１２３に対し照射する（図１３(d)）。次に、加熱により光反応性有機膜に含まれる光反応開始剤を蒸発させることにより、光反応性有機膜１２３中に導電性領域１２５と絶縁性領域１２６を形成し、一層目の配線領域を形成する（図１３(e)）。次に、単層の発光層、または単層の発光層を含む多層膜からなる発光膜１２７を導電性領域１２５及び絶縁性領域１２６上に形成する（図１３(f)）。

多層の発光膜の構成としては、例えば
(1)正孔輸送層/発光層からなる２層膜
(2)発光層/電子輸送層からなる２層膜
(3)正孔輸送層/発光層/電子輸送層からなる3層膜
(4)正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層からなる４層膜
(5)正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層からなる５層膜
がある。
正孔注入層には、銅フタロシアニン、PEDOTなどのポリチオフェン、ポリアニリンなどの有機材料を使用する。正孔輸送層には、TPD、TPACなどの有機材料を使用する。発光層には、Alq₃、NPBなどの低分子系有機EL材料、あるいはPPV、ポリ（３−アルキルチオフェン）などの高分子系有機EL材料を使用する。電子輸送層には、BND、PBD、p-EtTAZ、BCPなどの有機材料を使用する。電子注入層には、LiFやMgなどの無機材料やBND、PBD、p-EtTAZ、BCPなどの有機材料を使用する。

次に、光反応性有機膜１２８を発光膜１２７上に形成する（図１３(g)）。次に、導電性領域１２５に位置合わせを行ったマスク１２９を介して紫外線などの光を光反応性有機膜１２８に対し照射する（図１３(h)）。次に、加熱により光反応性有機膜に含まれる光反応開始剤を蒸発させることにより、光反応性有機膜１２８中に導電性領域１３０と絶縁性領域１３１を形成する。（図１３(i)）。次に、導電性領域１３０と絶縁性領域１３１上にガラス、又はプラスティックからなる表面基板を置いて集積回路の保護あるいは封止を行う（図１３(j)）。

本発明の集積回路の配線形成方法で使用される線状素子に係る斜視図である。 図１に示す線状素子のA-A'線に沿って切断した断面図である。 図１に示す線状素子のB-B'線に沿って切断した断面図である。 図１に示す線状素子のD-D'線に沿って切断した断面図である。 図１に示す線状素子のC-C'線に沿って切断した断面図である。 線状素子の製造に用いられる押し出し装置を示す正面図である。 線状素子の製造に用いられる押し出し装置で使用される型の平面図である。 本発明の集積回路の配線形成方法に係り、(a)は、第一の実施例に係る斜視図であり、(b)〜(f)は、第一の実施例に係る工程順断面図である。 本発明の集積回路の配線形成方法に係り、(a)は、第二の実施例に係る斜視図であり、(b)〜(k)は、第二の実施例に係る工程順断面図である。 本発明の集積回路の配線形成方法に係り、(a)は、第三の実施例に係る斜視図であり、(b)〜(j)は、第三の実施例に係る工程順断面図である。 本発明の集積回路の配線形成方法に係り、(a)は、第四の実施例に係る斜視図であり、(b)〜(i)は、第四の実施例に係る工程順断面図である。 本発明の集積回路の配線形成方法に係り、(a)は、第五の実施例に係る斜視図であり、(b)〜(g)は、第五の実施例に係る工程順断面図である。 本発明の集積回路の配線形成方法に係り、(a)は、第六の実施例に係る斜視図であり、(b)〜(j)は、第六の実施例に係る工程順断面図である。 従来の集積回路の配線形成方法を説明するための斜視図である。

符号の説明

１ ゲート電極
２ ゲート絶縁膜
３ ソース領域
４ 半導体領域
５ ドレイン領域
６ ソース電極
７ ドレイン電極
８ 絶縁分離領域
１１ 押し出し装置
１２ 原料１容器
１３ 原料２容器
１４ 原料３容器
１５ 型
１６ 線状素子
１７ ローラ
１８ ドーピング処理部
１９ 電極形成処理部
２０ 型
２１ MISFET領域
２２ ソース電極領域
２３ 絶縁分離領域
２４ ドレイン電極領域
２５ MISFET領域
３１、４１、６１、８１、１１１、１２１ 裏面基板
３２、４３、４７、５１、６３、６８、８２、８７、１１３、１２３、１２８ 光反応性有機膜
３３、４２、６２、６７、８３、１１２、１２２ 線状素子
３４、４４、４８、５２、６４、６９、８４、８８、１１４、１２４、１２９ マスク
３５、４５、４９、５３、６５、７１、８６、８９、１２５、１３０ 導電性領域
９０、１２６、１３１ 絶縁性領域
１２７ 発光膜
１１５ 非照射領域
１１６ 光硬化領域
１１７、１３２ 表面基板
１０１、１０２、１０３ 線状素子
１０４、１０５ 配線用繊維

Claims (11)

1. 回路素子が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている、あるいは回路を形成する複数の領域を有する断面が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている複数の線状素子を第一の有機材料膜上に配置する工程と、前記第一の有機材料膜に光を照射し、前記第一の有機材料膜の抵抗率を変化させる工程からなる集積回路の配線形成方法。
2. 回路素子が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている、あるいは回路を形成する複数の領域を有する断面が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている複数の線状素子上に第一の有機材料膜を形成する工程と、前記第一の有機材料膜に光を照射し、前記第一の有機材料膜の抵抗率を変化させる工程からなる集積回路の配線形成方法。
3. 前記第一の有機材料膜が、光照射により絶縁体に変化する有機材料であることを特徴とする請求項１または２のいずれか1項記載の集積回路の配線形成方法。
4. 前記第一の有機材料膜が、カンフォルスルフォン酸とヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを添加したポリアニリンからなることを特徴とする請求項３記載の集積回路の配線形成方法。
5. 回路素子が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている、あるいは回路を形成する複数の領域を有する断面が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている複数の線状素子上に第二の有機材料膜を配置する工程と、光照射により前記第二の有機材料膜を硬化させる工程からなる集積回路の配線形成方法。
6. 前記第二の有機材料膜が、無機粉末、カルボキシル基含有感光性バインダー樹脂、光反応性モノマー、光重合開始剤を含むアルカリ現像型ペースト組成物からなることを特徴とする請求項５記載の集積回路の配線形成方法。
7. 複数の前記第一の有機材料膜を積層し、多層配線を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか1項記載の集積回路の配線形成方法。
8. 一層又は多層の前記第一の有機材料膜、又は前記第二の有機材料膜と、線状素子を交互に積層し、三次元構造の集積回路を形成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか1項記載の集積回路の配線形成方法。
9. 一層又は多層の前記第一の有機材料膜、又は前記第二の有機材料膜と、線状素子と、一層膜又は多層膜からなる発光膜を交互に積層し、発光装置を備えた集積回路を形成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか1項記載の集積回路の配線形成方法。
10. 前記線状素子が、MISFET、JFET、SIT、又はBJTを形成する複数の断面が長手方向に連続的又は間欠的に形成された線状素子であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか1項記載の集積回路の配線形成方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１項記載の集積回路の配線形成方法で配線を形成した集積回路。
    

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