JP2005059258A - 相変化型情報記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 室温下において非晶質状態と結晶質状態との相変化を可逆的かつ電気的に行わせることが可能であり、SeとSbとTeとの合金からなる相変化型情報記録媒体において、SeSbTeの組成比は、Seが所定の割合(好ましくは10%、より好ましくは15%)を下回らず、かつ、Teが別の所定の割合(好ましくは60%)を下回らないようにする。
【選択図】 図2
Description
2 上部電極
3 下部電極
3a ビア
3b 金属層
4 絶縁膜
5 ガラス基板
10a メモリ素子
10b メモリ素子
51 ビットライン
52 ワードライン
53 アドレスデコーダ
54 メモリセル
55 選択用トランジスタ
56 定電圧源(Vdd)
57 書き込み読み出しスイッチ部
57a セット用トランジスタ
57b リセット用トランジスタ
57c リード用トランジスタ
58 拡散層
59 ウェル
60 シリコン基板
61 コンタクト
70 セット用パルス発生回路
71 リセット用パルス発生回路
72 リード用パルス発生回路
73a ダイオード
73b ダイオード
73c ダイオード
Claims (4)
- 室温下において非晶質状態と結晶質状態との相変化を可逆的かつ電気的に行わせることが可能であり、SeとSbとTeとの合金からなり、Seが所定の割合を下回らず、かつ、Teが別の所定の割合を下回らないことを特徴とする相変化型情報記録媒体。
- 前記相変化型情報記録媒体におけるSeが、原子百分率において10%を下回らないことを特徴とする請求項1記載の相変化型情報記録媒体。
- 前記相変化型情報記録媒体におけるSeが、原子百分率において15%を下回らないことを特徴とする請求項1記載の相変化型情報記録媒体。
- 前記相変化型情報記録媒体におけるTeが、原子百分率において60%を下回らないことを特徴とする請求項1乃至請求項3記載の相変化型情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006295130A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-10-26 | Elpida Memory Inc | メモリ装置及びその製造方法 |
JP2007243169A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-09-20 | Qimonda Ag | 遮熱機構を有する相変化メモリセル |
WO2009063950A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Ulvac, Inc. | カルコゲナイド膜およびその製造方法 |
CN102903846A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-30 | 同济大学 | 一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用 |
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2003
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WO2009063950A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Ulvac, Inc. | カルコゲナイド膜およびその製造方法 |
CN102903846A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-30 | 同济大学 | 一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用 |
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