JP2005050403A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】多値データの書き込み速度、読出し速度を大きくすること。
【解決手段】複数のビットラインBL1、BL2と、それら複数のビットラインBL1、BL2と交差する方向に延びている複数のワードラインWL1〜WL4と、ビットラインBL1、BL2とワードラインWL1〜WL4との交差部に設けられた複数の強誘電体キャパシタF1〜F8とを備えた半導体記憶装置において、一方の電極が同じビットラインBL1、BL2に接続され、他方の電極が異なるワードラインWL1〜WL4に接続された抗電圧が等しく蓄積電荷量が異なる複数の強誘電体キャパシタF1〜F8で1つのメモリセルC1〜C4を構成するようにした。
【選択図】 図1
【解決手段】複数のビットラインBL1、BL2と、それら複数のビットラインBL1、BL2と交差する方向に延びている複数のワードラインWL1〜WL4と、ビットラインBL1、BL2とワードラインWL1〜WL4との交差部に設けられた複数の強誘電体キャパシタF1〜F8とを備えた半導体記憶装置において、一方の電極が同じビットラインBL1、BL2に接続され、他方の電極が異なるワードラインWL1〜WL4に接続された抗電圧が等しく蓄積電荷量が異なる複数の強誘電体キャパシタF1〜F8で1つのメモリセルC1〜C4を構成するようにした。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多値データを記憶する半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、このような技術としては、分極反転を生じる抗電圧が互いに異なる複数の強誘電体キャパシタを並列に接続して1つのメモリセルを構成し、そのメモリセルを構成する強誘電体キャパシタに保持されている2値データの組み合わせで多値データを記憶するものが知られている(特許文献1参照。)。
【0003】
この従来例では、メモリセルに多値データを書き込むときには、メモリセルを構成する複数の強誘電体キャパシタそれぞれに2値データを1つずつ書き込むようになっている。
【0004】
【特許文献1】
特開平8−180673号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の技術にあっては、メモリセルに多値データを書き込むときには、メモリセルを構成する複数の強誘電体キャパシタそれぞれに2値データを1つずつ書き込むようになっているため、書き込み速度が遅く、多値データの書き込みにかかる時間が大きくなってしまうという問題があった。
【0006】
そこで、本発明は、上記従来の技術の未解決の問題を解決することを目的とするものであって、多値データの書き込み速度及び読み出し速度を大きくすることができる半導体記憶装置を提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
したがって、上記課題を解決するため、本発明に係る半導体記憶装置にあっては、第1の方向に延びている複数のビットライン(BL)と、前記第1の方向と交差する第2の方向に延びている複数のワードライン(WL)と、前記ビットラインと前記ワードラインとの交差部に設けられた複数の強誘電体キャパシタとを備えた半導体記憶装置において、抗電圧が等しく、蓄積可能な電荷量が異なり、一方の電極が同じビットラインに接続され、他方の電極が異なるワードラインに接続された複数の強誘電体キャパシタで1つのメモリセルを構成することを特徴とする。
【0008】
このように、本発明に係る半導体記憶装置にあっては、一方の電極が同じビットラインに接続され、他方の電極が異なるワードラインに接続された複数の強誘電体キャパシタで1つのメモリセルを構成するようにしたため、例えば、メモリセルに多値データを書き込むときには、メモリセルを構成する複数の強誘電体キャパシタそれぞれに書込用の電圧を同時に印加することで、それら複数の強誘電体キャパシタに2値データを同時に書き込むことができ、多値データの書き込み速度を大きくすることができる。
【0009】
また、本発明に係る半導体記憶装置にあっては、抗電圧が互いに等しく且つ分極時の蓄積電荷量が互いに異なる複数の前記強誘電体キャパシタで1つの前記メモリセルを構成してもよく、そのようにすれば、例えば、メモリセルから多値データを読み出すときには、メモリセルを構成する複数の強誘電体キャパシタそれぞれに同じ読み出し用の電圧を同時に印可することで、それら複数の強誘電体キャパシタに保持されている2値データに応じた電荷をビットラインに同時に転送させ、それらの電荷による電流の大きさから前記2値データを同時に読み出すことができ、多値データの読み出し速度を大きくすることができる。
【0010】
さらに、本発明に係る半導体記憶装置にあっては、強誘電体の材料及び厚さが互いに等しく且つ面積が互いに異なる複数の前記強誘電体キャパシタで1つの前記メモリセルを構成してもよく、そのようにすれば、抗電圧が互いに等しく且つ分極時の蓄積電荷量が互いに異なる複数の強誘電体キャパシタを容易に形成することができる。なおその際、強誘電体の面積が互いに異なるn個の前記強誘電体キャパシタで1つの前記メモリセルを構成するときには、それらn個の前記強誘電体キャパシタの面積比を20:21:…:2n−1とするのが好ましい。
【0011】
また、本発明に係る半導体記憶装置にあっては、前記メモリセルの一方の電極に接続されたビットラインの電位又は電流と予め定められた2つ以上の所定値との大小関係を検出する大小関係検出手段と、その大小関係検出手段の検出結果に基づいて前記メモリセルに格納されていた多値データを検出する多値データ検出手段とを備えるようにしてもよく、そのようにすれば、例えば、メモリセルから多値データを読み出すときに、それら複数の強誘電体キャパシタに保持されている2値データに応じた電荷をビットラインに同時に転送させることで、それらの電荷による電位又は電流の大きさから前記多値データを容易に検出できる。
【0012】
また、本発明に係る半導体記憶装置にあっては、前記複数のワードラインを前記複数のビットラインを含む面を挟んだ両側に当該面から離して設け、その両側に設けられた複数のワードラインと前記複数のビットラインとの交差部に複数の強誘電体キャパシタを設けてもよく、そのようにすれば、単位チップ面積当たりの強誘電体キャパシタ数を大きくして、強誘電体キャパシタを高密度化でき、チップ面積を小さくすることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体記憶装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。
<本発明の半導体記憶装置の構成>
図1は、本発明に係る半導体記憶装置の概略構成図である。図中、各回路素子等は、公知の半導体集積回路の製造技術により、単結晶シリコンのような1個の半導体基板上に形成されている。
【0014】
この半導体記憶装置には、図1に示すように、メモリアレイ領域1が中央に形成され、そのメモリアレイ領域1の平面視下側には、複数のビットライン駆動回路及び4値比較回路を含むビットライン用回路2が配され、平面視右側には、複数のワードライン駆動回路3が配されている。また、このビットライン用回路2及びワードライン駆動回路3には、それらを制御する制御回路4が接続されている。
【0015】
これらのうちメモリアレイ領域1には、アレイ状に複数の強誘電体キャパシタF1〜F8が形成されている。これらの強誘電体キャパシタF1〜F8の一方の電極にはBL用回路2から縦方向に延びているビットラインBL1、BL2が接続され、他方の電極にはワードライン駆動回路3から横方向に延びているワードラインWL1〜WL4が接続されている。つまり、これらのビットラインBL1、BL2とワードラインWL1〜WL4との各交差部に、強誘電体キャパシタF1〜F8が各ライン間に挟まれて1つずつ設けられている。
【0016】
これらの強誘電体キャパシタF1〜F4、F5〜F8には、分極反転を生じる抗電圧Vcは等しいが面積が異なる、つまり強誘電体の材料及び厚さが等しく且つ分極時の蓄積電荷量が異なる2種類の強誘電体キャパシタF1、F3、F5及びF7と、強誘電体キャパシタF2、F4、F6及びF8とが含まれ、これら2種類の強誘電体キャパシタは、各ビットラインBL1、BL2上に交互に配されている。
【0017】
なお、本実施形態では、図2に示すように、これら2種類の強誘電体キャパシタF1及びF2等の強誘電体の面積比を2:1(2So:So)とし、図3に示すように、それらの分極時の蓄積電荷量の比を2:1(2Qo:Qo)とする。ここで、図3(a)は、面積が大きい強誘電体キャパシタF1等の印加電圧と分極状態との関係を示す図であり、図3(b)は、面積が小さい強誘電体キャパシタF2等の印加電圧と分極状態との関係を示す図である。また、強誘電体キャパシタF1〜F8の印加電圧の方向は、ワードラインWL1〜WL4側の電極がビットラインBL1、BL2側の電極より高電位である場合を正方向とし、逆にビットラインBL1、BL2側の電極がワードラインWL1〜WL4側の電極より高電位である場合を負方向とする。
【0018】
このように、本実施形態にあっては、強誘電体の面積のみが互いに異なる2つの強誘電体キャパシタの組(F1及びF2)、(F3及びF4)、(F5及びF6)、(F7及びF8)で1つのメモリセルC1〜C4を構成するようにしたため、抗電圧が互いに等しく且つ分極時の蓄積電荷量が互いに異なる複数の強誘電体キャパシタの組F1及びF2等を容易に形成できる。つまり、強誘電体キャパシタの製造時には、膜厚が均一な強誘電体を形成し、その強誘電体を開口面積が異なる2種類の開口部を有するマスクで一括露光することによって、面積のみが互いに異なる強誘電体を容易に形成することができ、分極時の蓄積電荷量が互いに異なる複数の強誘電体キャパシタの組F1及びF2等を容易に形成できる。
【0019】
また、各ビットラインBL1、BL2に配されている2種類の強誘電体キャパシタF1等のうち隣接する2つの強誘電体キャパシタF1及びF2、F3及びF4、F5及びF6、F7及びF8は、それぞれ1つのメモリセルC1〜C4を構成している。そして、分極時の蓄積電荷量が大きい強誘電体キャパシタF1、F3、F5及びF7を上位ビット、蓄積電荷量が小さい強誘電体キャパシタF2、F4、F6及びF8を下位ビットとし、強誘電体キャパシタF1〜F8に保持されている2値データの組み合わせでメモリセルC1〜C4に保持されている多値データを「00」、「01」、「10」、「11」と表す。なお、図3に示すように、強誘電体キャパシタF1〜F8に保持されている2値データは、当該強誘電体キャパシタF1等が正の分極を持つ場合に「0」、負の分極を持つ場合に「1」と表す。
【0020】
<多値データ書き込み方法>
次に、制御回路4で実行され、ビットラインBL1、BL2やワードラインWL1〜WL4の電位等を制御して、任意のメモリセルC1〜C4に多値データの書き込みを行う書き込み処理について説明する。
この演算処理では、図4のフローチャートに示すように、まずそのステップS101で、多値データを書き込むメモリセルC1〜C4に含まれる全ての強誘電体キャパシタF1〜F8に「0」データを書き込む。具体的には、多値データを書き込むメモリセルC1〜C4に対応する2つのワードラインWL1及びWL2、WL3及びWL4の電位をワードライン駆動回路3で3Voとし、それ以外のワードラインWL1及びWL2、WL3及びWL4の電位をVoとし、且つ、多値データを書き込むメモリセルC1〜C4に対応するビットラインBL1、BL2の電位をビットライン用回路2のビットライン駆動回路で「0」とし、それ以外のビットラインBL1、BL2の電位を2Voとする。ここで、図3に示すように、ワードラインWL1〜WL4やビットラインBL1、BL2の電位Vo、2Vo、3Voと抗電圧Vcとの間には、Vo<Vc<2Vo<3Voという関係があるものとする。
【0021】
次にステップS102に移行して、多値データを書き込むメモリセルC1〜C4に含まれる強誘電体キャパシタF1〜F8のうち当該多値データに対応する強誘電体キャパシタF1〜F8に「1」データを書き込む。具体的には、多値データを書き込むメモリセルC1〜C4に含まれる強誘電体キャパシタF1〜F8のうち「1」データを保持させるものに対応するワードラインWL1〜WL4の電位をワードライン駆動回路3で「0」とし、それ以外のワードラインWL1〜WL4の電位を2Voとし、且つ、前記「1」データを保持させる強誘電体キャパシタF1〜F8に対応するビットラインBL1、BL2の電位をビットライン用回路2のビットライン駆動回路で3Voとし、それ以外のビットラインBL1、BL2の電位をVoとしてから、この演算処理を終了する。
【0022】
<多値データ読み出し方法>
次に、制御回路4で実行され、ビットラインBL1、BL2やワードラインWL1〜WL4の電位等を制御して、任意のメモリセルC1〜C4から多値データの読み出しを行う読み出し処理について説明する。
この演算処理では、図5のフローチャートに示すように、まずそのステップS201で、メモリセルC1〜C4のうち多値データを読み出す1つのメモリセルC1〜C4に含まれる全ての強誘電体キャパシタF1〜F8に蓄積されている電荷を対応するビットラインBL1、BL2に転送させる。具体的には、多値データを読み出すメモリセルC1〜C4に対応する2つのワードラインWL1及びWL2、WL3及びWL4の電位をワードライン駆動回路3で3Voとし、それ以外のワードラインWL1及びWL2、WL3及びWL4の電位をVoとし、且つ、多値データを読み出すメモリセルC1〜C4に対応するビットラインBL1、BL2の電位をビットライン用回路2のビットライン駆動回路で「0」とし、それ以外のビットラインBL1、BL2の電位を2Voとする。
【0023】
また同時に、ビットラインBL1、BL2に転送させた電荷による電流の大きさに基づいて、ビットライン用回路2の4値比較回路で前記メモリセルC1〜C4に格納されていた多値データを検出する。具体的には、ビットラインBL1、BL2に転送された電荷Qoによって生じる電流の大きさをI1とすると、ビットラインBL1、BL2に転送させた電荷による電流が0.5I1より小さいか否かを4値比較回路で判定し、0.5I1より小さい場合には当該メモリセルC1〜C4に保持されていた多値データは「00」であるとし、そうでない場合には、当該電流が1.5I1より小さいか否かを判定する。
【0024】
前記転送させた電荷による電流が1.5I1より小さい場合には前記メモリセルC1〜C4に保持されていた多値データは「01」であるとし、そうでない場合には、当該電流が2.5I1より小さいか否かを4値比較回路で判定する。
前記転送させた電荷による電流が2.5I1より小さい場合には前記メモリセルC1〜C4に保持されていた多値データは「10」であるとし、そうでない場合には、前記メモリセルC1〜C4に保持されていた多値データは「11」であるとする。
【0025】
このように、本実施形態にあっては、メモリセルC1〜C4の一方の電極に接続されたビットラインBL1、BL2の電流と予め定められた3つの所定値0.5I1、1.5I1、2.5I1との大小関係を検出し、その大小関係に基づいてメモリセルC1〜C4に格納されていた多値データを検出するようにしたため、メモリセルから多値データを読み出すときに、複数の強誘電体キャパシタF1〜F8に保持されている2値データに応じた電荷をビットラインBL1、BL2に同時に転送させることで、それらの電荷による電流の大きさから前記メモリセルC1〜C4に格納されていた多値データを容易に検出することができる。
【0026】
次にステップS202に移行して、前記ステップS201で読み出した多値データを対応するメモリセルC1〜C4に再書き込みする。具体的には、多値データを読み出したメモリセルC1〜C4に含まれる強誘電体キャパシタF1〜F8のうち「1」データが保持されていたものに対応するワードラインWL1〜WL4の電位をワードライン駆動回路3で「0」とし、それ以外のワードラインWL1〜WL4の電位を2Voとし、且つ、前記「1」データを保持させる強誘電体キャパシタF1〜F8に対応するビットラインBL1、BL2の電位をビットライン用回路2のビットライン駆動回路で3Voとし、それ以外のビットラインBL1、BL2の電位をVoとしてから、この演算処理を終了する。
<書き込み/読み出し動作の具体的状況に基づく説明>
次に、本発明の半導体記憶装置の書き込み動作及び読み出し動作を具体的状況に基づいて説明する。
【0027】
まず、メモリセルC1に多値データ「10」の書き込みを行う書き込み処理が実行されたとする。すると、図4のフローチャートに示すように、まずそのステップS101で、メモリセルC1に対応する2つのワードラインWL1及びWL2の電位が3Voとされ、それ以外のワードラインWL3及びWL4の電位がVoとされ、且つ、メモリセルC1に対応するビットラインBL1の電位が「0」とされ、それ以外のビットラインBL2の電位が2Voとされる。
【0028】
これにより、メモリセルC1に含まれる全ての強誘電体キャパシタF1及びF2の両電極間には正の電圧3Vo、つまり抗電圧Vcより大きい電圧が印可され、それらの強誘電体キャパシタF1、F2が分極反転して「0」データが書き込まれる。なお、強誘電体キャパシタF1、F2に「0」データが保持されていたならばその状態が維持される。また、他の強誘電体キャパシタF3〜F8には正又は負の電圧Vo、−Voしか印可されないので元の分極の状態が維持される。
【0029】
次に、ステップS102で、メモリセルC1に含まれる強誘電体キャパシタF1に対応するワードラインWL1の電位が「0」とされ、それ以外のワードラインWL2〜WL4の電位が2Voとされ、且つ、強誘電体キャパシタF1に対応するビットラインBL1の電位が3Voとされ、それ以外のビットラインBL2の電位がVoとされ、この演算処理が終了する。
【0030】
これにより、メモリセルC1に含まれる強誘電体キャパシタF1の両電極間には負の電圧−3Vo、つまり負の抗電圧−Vcより絶対値が大きい電圧が印可され、その強誘電体キャパシタF1が分極反転して「1」データが書き込まれる。また、他の強誘電体キャパシタF2〜F8には正又は負の電圧Vo、−Voしか印可されないので元の分極の状態が維持される。
【0031】
このように、本実施形態にあっては、一方の電極が同じビットラインBL1に接続され、他方の電極が異なるワードラインWL1、WL2に接続された2つの強誘電体キャパシタF1、F2で1つのメモリセルC1を構成するようにしたため、メモリセルC1に情報を書き込むときには、メモリセルC1を構成する2つの強誘電体キャパシタF1、F2それぞれに書込用の電圧3Vo又は−3Voを同時に印加することで、それら複数の強誘電体キャパシタF1、F2に2値データ「0」又は「1」を同時に書き込むことができ、多値データの書き込み速度を大きくすることができる。また、書き込み速度が大きくなるため、多値データの書き込みにかかる時間が短縮され、多値データの書き込みによる消費電力を小さくすることができる。
【0032】
一方、メモリセルC1から多値データ「10」の読み出しを行う読み出し処理が実行されたとする。すると、図5のフローチャートに示すように、まずそのステップS201で、図6(a)の区間(1)に示すように、メモリセルC1に対応する2つのワードラインWL1及びWL2の電位が3Voとされ、それ以外のワードラインWL3及びWL4の電位がVoとされ、且つ、図6(b)の区間(1)に示すように、メモリセルC1に対応するビットラインBL1の電位が「0」とされ、それ以外のビットラインBL2の電位が2Voとされる。
【0033】
これにより、図7に実線で示すように、メモリセルC1に含まれる全ての強誘電体キャパシタF1及びF2の両電極間には正の電圧3Vo、つまり抗電圧Vcより大きい電圧が印可され、それらのうち強誘電体キャパシタF1が分極反転して「0」となり、蓄積されていた電荷2QoがビットラインBL1に転送され、その電荷による電流2I1の大きさに応じて、ビットライン用回路2の4値比較回路で当該メモリセルにC1に保持されていた多値データが「10」であると検出される。また、他の強誘電体キャパシタF3〜F8には正又は負の電圧Vo、−Voしか印可されないので元の分極の状態が維持され。
【0034】
次に、ステップS202で、図6(a)の区間(2)に示すように、メモリセルC1に含まれる強誘電体キャパシタF1に対応するワードラインWL1の電位が「0」とされ、それ以外のワードラインWL2〜WL4の電位が2Voとされ、且つ、図6(b)の区間(2)に示すように、強誘電体キャパシタF1に対応するビットラインBL1の電位が3Voとされ、それ以外のビットラインBL2の電位がVoとされ、この演算処理を終了する。
【0035】
これにより、メモリセルC1に含まれる強誘電体キャパシタF1の両電極間には負の電圧−3Vo、つまり負の抗電圧−Vcより絶対値が大きい電圧が印可され、その強誘電体キャパシタF1が分極反転して「1」データが再書き込みされる。また、他の強誘電体キャパシタF2〜F8には正又は負の電圧Vo、−Voしか印可されないので元の分極の状態が維持される。
【0036】
このように、本実施形態にあっては、同じメモリセルC1を構成する2つの強誘電体キャパシタF1、F2を、抗電圧が等しく、且つ、分極時の蓄積電荷量が異なるものとしたため、メモリセルC1から多値データを読み出すときには、メモリセルC1を構成する2つの強誘電体キャパシタF1、F2それぞれに読込用の電圧3Voを同時に印可することで、それら2つの強誘電体キャパシタF1、F2に保持されている2値データに応じた電荷をビットラインBL1に同時に出力させ、それらの電荷による電流の大きさから前記2値データを同時に読み出すことで、多値データの読み出し速度を大きくすることができる。また、読み出し速度が大きくなるため、多値データの読み出しにかかる時間が短縮され、多値データの読み出しによる消費電力を小さくすることができる。
【0037】
ちなみに、図11(a)に示すように、1つの強誘電体キャパシタF1、F2で1つのメモリセルを構成し、それらの強誘電体キャパシタF1、F2それぞれから2値データを1つずつそれぞれのビットラインBL1、BL2を介して2つの2値比較回路で読み出す従来の方法では、同図(b)の2本のワードラインWL1、WL2を用いて2つの強誘電体キャパシタF1、F2から1本のビットラインBL1を介してデータを同時に読み出し1つの比較回路で読み出す本実施形態の方法に比べ、比較回路の数が増え、チップ面積が大きくなってしまう。
【0038】
また図12(a)の同一サイズの強誘電キャパシタF1、F2からなる従来例では、同図(b)に示すように、区間(1a)(2a)、(1b)(2b)の2回のサイクルで読出しを行うことになるため、読み出し速度が遅く、多値データの読み出しに2倍の時間がかかってしまう。しかし、本発明の方法では、同図(c)に示すように、同図(b)の半分の1回のサイクルでデータ読出しができるため読出し速度が速く、多値データの読出し時間は従来例の半分で済む。
【0039】
また、図13に示すように、それぞれ異なる抗電圧Vc1、Vc2をもつ2つの強誘電体キャパシタF1、F2を1つのワードラインWL1とビットラインBL1とに並列に接続し、それらの強誘電体キャパシタF1、F2それぞれから2値データを1つずつ読み出す方法では、2つの強誘電体キャパシタF1、F2から2値データを同時に読み出す本実施形態の方法に比べ、図14に示すように、2発のパルスでもってワードラインWL1の電位を複雑に変化させなければならず、読み出し速度が遅くなり、データの読み出しに2倍の時間がかかってしまう。なお、図14において、抗電圧Vc1、Vc2と(1a)のパルスの大きさV1a、(1b)のパルスの大きさV1bとは、Vc1<V1a<Vc2<V1bなる関係を満たす必要がある。また、図13(b)は図13(a)の等価回路図である。
【0040】
また、図15に、特許文献1との比較を示す。図15(a)は特許文献1の図2及び図5に記載された読出し波形である。図15(b)は本発明の読出し波形ある。読出し時のセルへの印可電圧波形が簡素化されていることが判る。
なお、上記実施の形態にあっては、図1のビットライン用回路2の4値比較回路が大小関係検出手段を構成し、また同様に、図1の制御回路4が多値データ検出手段を構成する。
<変形例>
なお、上記実施の形態は、本発明の半導体記憶装置の一例を示したものであり、装置の構成等を限定するものではない。
【0041】
例えば、上記実施の形態では、複数のワードラインWL1〜WL4を複数のビットラインBL1、BL2を含む面の上側のみに設け、その上側に設けられた複数のワードラインWL1等と前記複数のビットラインBL1等との交差部に複数の強誘電体キャパシタF1〜F8を設けた例を示したが、これに限られるものではない。例えば、図8(a)に示すように、前記複数のワードラインWL1、WL2等を前記複数のビットラインBL1等を含む面を挟んだ両側に当該面から離して設け、その両側に設けられた複数のワードラインWL1、WL2等と前記複数のビットラインBL1等との交差部に複数の強誘電体キャパシタF1、F2等を設ける、つまり前記複数のビットラインBL1等を含む面を挟んだ両側に複数の強誘電体キャパシタF1、F2等を設けるようにしてもよく、そのようにすれば、単位チップ面積当たりの強誘電体キャパシタ数を大きくして、強誘電体キャパシタF1等を高密度化でき、チップ面積を小さくすることができる。なお、その際、同じメモリセルC1〜C4を構成する2つの強誘電体キャパシタF1及びF2、F3及びF4、F5及びF6、F7及びF8を前記複数のビットラインBL1等を含む面を挟んだ両側の対応する位置に配するようにするのが好ましい。
なお、図8(b)のように同サイズのセルをスタックさせた構造と比較すると、図8(a)の構造、図8(b)の構造はいずれも記憶容量はともに2ビットであるが、図8(a)のほうが読み出し時間は半分になる。
【0042】
また、前記複数のビットラインBL1等を含む面を挟んだ両側に複数の強誘電体キャパシタF1、F2等を設け、同じメモリセルC1〜C4を構成する2つの強誘電体キャパシタF1及びF2等を当該面を挟んだ両側の対応する位置に配するときには、例えば、図9に示すように、隣接する2つのメモリセルC1、C2を構成する強誘電体キャパシタF1及びF2、F3及びF4のうち、面積の大きい強誘電体キャパシタF1、F3を前記ビットラインBL1等を含む面を挟んで互いに反対側に配すると共に、面積の小さい強誘電体キャパシタF2、F4を前記ビットラインBL1等を含む面を挟んで互いに反対側に配してもよく、そのようにすれば、単位チップ面積当たりの強誘電体キャパシタ数をより大きくして、強誘電体キャパシタF1等をより高密度化でき、チップ面積をより小さくすることができる。
【0043】
また、上記実施の形態では、各ビットラインBL1、BL2に2種類の強誘電体キャパシタF1及びF2等を交互に配し、互いに隣接する2つの強誘電体キャパシタF1及びF2等でそれぞれ1つのメモリセルC1〜C4を構成する例を示したが、これに限られるものではなく、例えば、各ビットラインBL1、BL2に2種類の強誘電体キャパシタF1及びF2等をそれぞれ連続させて配し、互いに離れている2つの強誘電体キャパシタF1及びF2等でそれぞれ1つのメモリセルC1〜C4を構成するようにしてもよい。
【0044】
さらに、2つの強誘電体キャパシタF1及びF2等で1つのメモリセルC1等を構成する例を示したが、これに限られるものではなく、例えば、図10に示すように、3つ以上の強誘電体キャパシタで1つのメモリセルを構成するようにしてもよい。なお、強誘電体の面積が互いに異なるn個の強誘電体キャパシタF1〜Fnで1つのメモリセルC1等を構成するときには、それらn個の強誘電体キャパシタF1〜Fnの面積比を20:21:…:2n−1とするのが好ましい。例えば、3つの強誘電体キャパシタF1〜F3でメモリセルC1等を構成するときには、それら強誘電体キャパシタF1〜F3の強誘電体の面積比が4:2:1となる強誘電体キャパシタF1〜F3で構成すればよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体記憶装置の概略構成を示す構成図である。
【図2】図1のメモリセルの構成を拡大して示す斜視図である。
【図3】図2の強誘電体キャパシタの特性を説明するための図である。
【図4】書き込み処理を示すフローチャートである。
【図5】読み出し処理を示すフローチャートである。
【図6】本発明の動作を説明するための説明図である。
【図7】本発明の動作を説明するための説明図である。
【図8】本発明の変形例を説明するための説明図である。
【図9】本発明の変形例を説明するための説明図である。
【図10】本発明の変形例を説明するための説明図である。
【図11】従来の半導体記憶装置の概略構成図である。
【図12】従来例の動作を説明するための説明図である。
【図13】従来の半導体記憶装置の概略構成図である。
【図14】従来例の動作を説明するための説明図である。
【図15】従来例との動作の比較を説明するための説明図である。
【符号の説明】
WL1〜WL4はワードライン、BL1、BL2はビットライン、C1〜C4はメモリセル、F1〜F8は強誘電体キャパシタ、1はメモリセルアレイ、2はビットライン用回路、3はワードライン用回路
【発明の属する技術分野】
本発明は、多値データを記憶する半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、このような技術としては、分極反転を生じる抗電圧が互いに異なる複数の強誘電体キャパシタを並列に接続して1つのメモリセルを構成し、そのメモリセルを構成する強誘電体キャパシタに保持されている2値データの組み合わせで多値データを記憶するものが知られている(特許文献1参照。)。
【0003】
この従来例では、メモリセルに多値データを書き込むときには、メモリセルを構成する複数の強誘電体キャパシタそれぞれに2値データを1つずつ書き込むようになっている。
【0004】
【特許文献1】
特開平8−180673号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の技術にあっては、メモリセルに多値データを書き込むときには、メモリセルを構成する複数の強誘電体キャパシタそれぞれに2値データを1つずつ書き込むようになっているため、書き込み速度が遅く、多値データの書き込みにかかる時間が大きくなってしまうという問題があった。
【0006】
そこで、本発明は、上記従来の技術の未解決の問題を解決することを目的とするものであって、多値データの書き込み速度及び読み出し速度を大きくすることができる半導体記憶装置を提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
したがって、上記課題を解決するため、本発明に係る半導体記憶装置にあっては、第1の方向に延びている複数のビットライン(BL)と、前記第1の方向と交差する第2の方向に延びている複数のワードライン(WL)と、前記ビットラインと前記ワードラインとの交差部に設けられた複数の強誘電体キャパシタとを備えた半導体記憶装置において、抗電圧が等しく、蓄積可能な電荷量が異なり、一方の電極が同じビットラインに接続され、他方の電極が異なるワードラインに接続された複数の強誘電体キャパシタで1つのメモリセルを構成することを特徴とする。
【0008】
このように、本発明に係る半導体記憶装置にあっては、一方の電極が同じビットラインに接続され、他方の電極が異なるワードラインに接続された複数の強誘電体キャパシタで1つのメモリセルを構成するようにしたため、例えば、メモリセルに多値データを書き込むときには、メモリセルを構成する複数の強誘電体キャパシタそれぞれに書込用の電圧を同時に印加することで、それら複数の強誘電体キャパシタに2値データを同時に書き込むことができ、多値データの書き込み速度を大きくすることができる。
【0009】
また、本発明に係る半導体記憶装置にあっては、抗電圧が互いに等しく且つ分極時の蓄積電荷量が互いに異なる複数の前記強誘電体キャパシタで1つの前記メモリセルを構成してもよく、そのようにすれば、例えば、メモリセルから多値データを読み出すときには、メモリセルを構成する複数の強誘電体キャパシタそれぞれに同じ読み出し用の電圧を同時に印可することで、それら複数の強誘電体キャパシタに保持されている2値データに応じた電荷をビットラインに同時に転送させ、それらの電荷による電流の大きさから前記2値データを同時に読み出すことができ、多値データの読み出し速度を大きくすることができる。
【0010】
さらに、本発明に係る半導体記憶装置にあっては、強誘電体の材料及び厚さが互いに等しく且つ面積が互いに異なる複数の前記強誘電体キャパシタで1つの前記メモリセルを構成してもよく、そのようにすれば、抗電圧が互いに等しく且つ分極時の蓄積電荷量が互いに異なる複数の強誘電体キャパシタを容易に形成することができる。なおその際、強誘電体の面積が互いに異なるn個の前記強誘電体キャパシタで1つの前記メモリセルを構成するときには、それらn個の前記強誘電体キャパシタの面積比を20:21:…:2n−1とするのが好ましい。
【0011】
また、本発明に係る半導体記憶装置にあっては、前記メモリセルの一方の電極に接続されたビットラインの電位又は電流と予め定められた2つ以上の所定値との大小関係を検出する大小関係検出手段と、その大小関係検出手段の検出結果に基づいて前記メモリセルに格納されていた多値データを検出する多値データ検出手段とを備えるようにしてもよく、そのようにすれば、例えば、メモリセルから多値データを読み出すときに、それら複数の強誘電体キャパシタに保持されている2値データに応じた電荷をビットラインに同時に転送させることで、それらの電荷による電位又は電流の大きさから前記多値データを容易に検出できる。
【0012】
また、本発明に係る半導体記憶装置にあっては、前記複数のワードラインを前記複数のビットラインを含む面を挟んだ両側に当該面から離して設け、その両側に設けられた複数のワードラインと前記複数のビットラインとの交差部に複数の強誘電体キャパシタを設けてもよく、そのようにすれば、単位チップ面積当たりの強誘電体キャパシタ数を大きくして、強誘電体キャパシタを高密度化でき、チップ面積を小さくすることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体記憶装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。
<本発明の半導体記憶装置の構成>
図1は、本発明に係る半導体記憶装置の概略構成図である。図中、各回路素子等は、公知の半導体集積回路の製造技術により、単結晶シリコンのような1個の半導体基板上に形成されている。
【0014】
この半導体記憶装置には、図1に示すように、メモリアレイ領域1が中央に形成され、そのメモリアレイ領域1の平面視下側には、複数のビットライン駆動回路及び4値比較回路を含むビットライン用回路2が配され、平面視右側には、複数のワードライン駆動回路3が配されている。また、このビットライン用回路2及びワードライン駆動回路3には、それらを制御する制御回路4が接続されている。
【0015】
これらのうちメモリアレイ領域1には、アレイ状に複数の強誘電体キャパシタF1〜F8が形成されている。これらの強誘電体キャパシタF1〜F8の一方の電極にはBL用回路2から縦方向に延びているビットラインBL1、BL2が接続され、他方の電極にはワードライン駆動回路3から横方向に延びているワードラインWL1〜WL4が接続されている。つまり、これらのビットラインBL1、BL2とワードラインWL1〜WL4との各交差部に、強誘電体キャパシタF1〜F8が各ライン間に挟まれて1つずつ設けられている。
【0016】
これらの強誘電体キャパシタF1〜F4、F5〜F8には、分極反転を生じる抗電圧Vcは等しいが面積が異なる、つまり強誘電体の材料及び厚さが等しく且つ分極時の蓄積電荷量が異なる2種類の強誘電体キャパシタF1、F3、F5及びF7と、強誘電体キャパシタF2、F4、F6及びF8とが含まれ、これら2種類の強誘電体キャパシタは、各ビットラインBL1、BL2上に交互に配されている。
【0017】
なお、本実施形態では、図2に示すように、これら2種類の強誘電体キャパシタF1及びF2等の強誘電体の面積比を2:1(2So:So)とし、図3に示すように、それらの分極時の蓄積電荷量の比を2:1(2Qo:Qo)とする。ここで、図3(a)は、面積が大きい強誘電体キャパシタF1等の印加電圧と分極状態との関係を示す図であり、図3(b)は、面積が小さい強誘電体キャパシタF2等の印加電圧と分極状態との関係を示す図である。また、強誘電体キャパシタF1〜F8の印加電圧の方向は、ワードラインWL1〜WL4側の電極がビットラインBL1、BL2側の電極より高電位である場合を正方向とし、逆にビットラインBL1、BL2側の電極がワードラインWL1〜WL4側の電極より高電位である場合を負方向とする。
【0018】
このように、本実施形態にあっては、強誘電体の面積のみが互いに異なる2つの強誘電体キャパシタの組(F1及びF2)、(F3及びF4)、(F5及びF6)、(F7及びF8)で1つのメモリセルC1〜C4を構成するようにしたため、抗電圧が互いに等しく且つ分極時の蓄積電荷量が互いに異なる複数の強誘電体キャパシタの組F1及びF2等を容易に形成できる。つまり、強誘電体キャパシタの製造時には、膜厚が均一な強誘電体を形成し、その強誘電体を開口面積が異なる2種類の開口部を有するマスクで一括露光することによって、面積のみが互いに異なる強誘電体を容易に形成することができ、分極時の蓄積電荷量が互いに異なる複数の強誘電体キャパシタの組F1及びF2等を容易に形成できる。
【0019】
また、各ビットラインBL1、BL2に配されている2種類の強誘電体キャパシタF1等のうち隣接する2つの強誘電体キャパシタF1及びF2、F3及びF4、F5及びF6、F7及びF8は、それぞれ1つのメモリセルC1〜C4を構成している。そして、分極時の蓄積電荷量が大きい強誘電体キャパシタF1、F3、F5及びF7を上位ビット、蓄積電荷量が小さい強誘電体キャパシタF2、F4、F6及びF8を下位ビットとし、強誘電体キャパシタF1〜F8に保持されている2値データの組み合わせでメモリセルC1〜C4に保持されている多値データを「00」、「01」、「10」、「11」と表す。なお、図3に示すように、強誘電体キャパシタF1〜F8に保持されている2値データは、当該強誘電体キャパシタF1等が正の分極を持つ場合に「0」、負の分極を持つ場合に「1」と表す。
【0020】
<多値データ書き込み方法>
次に、制御回路4で実行され、ビットラインBL1、BL2やワードラインWL1〜WL4の電位等を制御して、任意のメモリセルC1〜C4に多値データの書き込みを行う書き込み処理について説明する。
この演算処理では、図4のフローチャートに示すように、まずそのステップS101で、多値データを書き込むメモリセルC1〜C4に含まれる全ての強誘電体キャパシタF1〜F8に「0」データを書き込む。具体的には、多値データを書き込むメモリセルC1〜C4に対応する2つのワードラインWL1及びWL2、WL3及びWL4の電位をワードライン駆動回路3で3Voとし、それ以外のワードラインWL1及びWL2、WL3及びWL4の電位をVoとし、且つ、多値データを書き込むメモリセルC1〜C4に対応するビットラインBL1、BL2の電位をビットライン用回路2のビットライン駆動回路で「0」とし、それ以外のビットラインBL1、BL2の電位を2Voとする。ここで、図3に示すように、ワードラインWL1〜WL4やビットラインBL1、BL2の電位Vo、2Vo、3Voと抗電圧Vcとの間には、Vo<Vc<2Vo<3Voという関係があるものとする。
【0021】
次にステップS102に移行して、多値データを書き込むメモリセルC1〜C4に含まれる強誘電体キャパシタF1〜F8のうち当該多値データに対応する強誘電体キャパシタF1〜F8に「1」データを書き込む。具体的には、多値データを書き込むメモリセルC1〜C4に含まれる強誘電体キャパシタF1〜F8のうち「1」データを保持させるものに対応するワードラインWL1〜WL4の電位をワードライン駆動回路3で「0」とし、それ以外のワードラインWL1〜WL4の電位を2Voとし、且つ、前記「1」データを保持させる強誘電体キャパシタF1〜F8に対応するビットラインBL1、BL2の電位をビットライン用回路2のビットライン駆動回路で3Voとし、それ以外のビットラインBL1、BL2の電位をVoとしてから、この演算処理を終了する。
【0022】
<多値データ読み出し方法>
次に、制御回路4で実行され、ビットラインBL1、BL2やワードラインWL1〜WL4の電位等を制御して、任意のメモリセルC1〜C4から多値データの読み出しを行う読み出し処理について説明する。
この演算処理では、図5のフローチャートに示すように、まずそのステップS201で、メモリセルC1〜C4のうち多値データを読み出す1つのメモリセルC1〜C4に含まれる全ての強誘電体キャパシタF1〜F8に蓄積されている電荷を対応するビットラインBL1、BL2に転送させる。具体的には、多値データを読み出すメモリセルC1〜C4に対応する2つのワードラインWL1及びWL2、WL3及びWL4の電位をワードライン駆動回路3で3Voとし、それ以外のワードラインWL1及びWL2、WL3及びWL4の電位をVoとし、且つ、多値データを読み出すメモリセルC1〜C4に対応するビットラインBL1、BL2の電位をビットライン用回路2のビットライン駆動回路で「0」とし、それ以外のビットラインBL1、BL2の電位を2Voとする。
【0023】
また同時に、ビットラインBL1、BL2に転送させた電荷による電流の大きさに基づいて、ビットライン用回路2の4値比較回路で前記メモリセルC1〜C4に格納されていた多値データを検出する。具体的には、ビットラインBL1、BL2に転送された電荷Qoによって生じる電流の大きさをI1とすると、ビットラインBL1、BL2に転送させた電荷による電流が0.5I1より小さいか否かを4値比較回路で判定し、0.5I1より小さい場合には当該メモリセルC1〜C4に保持されていた多値データは「00」であるとし、そうでない場合には、当該電流が1.5I1より小さいか否かを判定する。
【0024】
前記転送させた電荷による電流が1.5I1より小さい場合には前記メモリセルC1〜C4に保持されていた多値データは「01」であるとし、そうでない場合には、当該電流が2.5I1より小さいか否かを4値比較回路で判定する。
前記転送させた電荷による電流が2.5I1より小さい場合には前記メモリセルC1〜C4に保持されていた多値データは「10」であるとし、そうでない場合には、前記メモリセルC1〜C4に保持されていた多値データは「11」であるとする。
【0025】
このように、本実施形態にあっては、メモリセルC1〜C4の一方の電極に接続されたビットラインBL1、BL2の電流と予め定められた3つの所定値0.5I1、1.5I1、2.5I1との大小関係を検出し、その大小関係に基づいてメモリセルC1〜C4に格納されていた多値データを検出するようにしたため、メモリセルから多値データを読み出すときに、複数の強誘電体キャパシタF1〜F8に保持されている2値データに応じた電荷をビットラインBL1、BL2に同時に転送させることで、それらの電荷による電流の大きさから前記メモリセルC1〜C4に格納されていた多値データを容易に検出することができる。
【0026】
次にステップS202に移行して、前記ステップS201で読み出した多値データを対応するメモリセルC1〜C4に再書き込みする。具体的には、多値データを読み出したメモリセルC1〜C4に含まれる強誘電体キャパシタF1〜F8のうち「1」データが保持されていたものに対応するワードラインWL1〜WL4の電位をワードライン駆動回路3で「0」とし、それ以外のワードラインWL1〜WL4の電位を2Voとし、且つ、前記「1」データを保持させる強誘電体キャパシタF1〜F8に対応するビットラインBL1、BL2の電位をビットライン用回路2のビットライン駆動回路で3Voとし、それ以外のビットラインBL1、BL2の電位をVoとしてから、この演算処理を終了する。
<書き込み/読み出し動作の具体的状況に基づく説明>
次に、本発明の半導体記憶装置の書き込み動作及び読み出し動作を具体的状況に基づいて説明する。
【0027】
まず、メモリセルC1に多値データ「10」の書き込みを行う書き込み処理が実行されたとする。すると、図4のフローチャートに示すように、まずそのステップS101で、メモリセルC1に対応する2つのワードラインWL1及びWL2の電位が3Voとされ、それ以外のワードラインWL3及びWL4の電位がVoとされ、且つ、メモリセルC1に対応するビットラインBL1の電位が「0」とされ、それ以外のビットラインBL2の電位が2Voとされる。
【0028】
これにより、メモリセルC1に含まれる全ての強誘電体キャパシタF1及びF2の両電極間には正の電圧3Vo、つまり抗電圧Vcより大きい電圧が印可され、それらの強誘電体キャパシタF1、F2が分極反転して「0」データが書き込まれる。なお、強誘電体キャパシタF1、F2に「0」データが保持されていたならばその状態が維持される。また、他の強誘電体キャパシタF3〜F8には正又は負の電圧Vo、−Voしか印可されないので元の分極の状態が維持される。
【0029】
次に、ステップS102で、メモリセルC1に含まれる強誘電体キャパシタF1に対応するワードラインWL1の電位が「0」とされ、それ以外のワードラインWL2〜WL4の電位が2Voとされ、且つ、強誘電体キャパシタF1に対応するビットラインBL1の電位が3Voとされ、それ以外のビットラインBL2の電位がVoとされ、この演算処理が終了する。
【0030】
これにより、メモリセルC1に含まれる強誘電体キャパシタF1の両電極間には負の電圧−3Vo、つまり負の抗電圧−Vcより絶対値が大きい電圧が印可され、その強誘電体キャパシタF1が分極反転して「1」データが書き込まれる。また、他の強誘電体キャパシタF2〜F8には正又は負の電圧Vo、−Voしか印可されないので元の分極の状態が維持される。
【0031】
このように、本実施形態にあっては、一方の電極が同じビットラインBL1に接続され、他方の電極が異なるワードラインWL1、WL2に接続された2つの強誘電体キャパシタF1、F2で1つのメモリセルC1を構成するようにしたため、メモリセルC1に情報を書き込むときには、メモリセルC1を構成する2つの強誘電体キャパシタF1、F2それぞれに書込用の電圧3Vo又は−3Voを同時に印加することで、それら複数の強誘電体キャパシタF1、F2に2値データ「0」又は「1」を同時に書き込むことができ、多値データの書き込み速度を大きくすることができる。また、書き込み速度が大きくなるため、多値データの書き込みにかかる時間が短縮され、多値データの書き込みによる消費電力を小さくすることができる。
【0032】
一方、メモリセルC1から多値データ「10」の読み出しを行う読み出し処理が実行されたとする。すると、図5のフローチャートに示すように、まずそのステップS201で、図6(a)の区間(1)に示すように、メモリセルC1に対応する2つのワードラインWL1及びWL2の電位が3Voとされ、それ以外のワードラインWL3及びWL4の電位がVoとされ、且つ、図6(b)の区間(1)に示すように、メモリセルC1に対応するビットラインBL1の電位が「0」とされ、それ以外のビットラインBL2の電位が2Voとされる。
【0033】
これにより、図7に実線で示すように、メモリセルC1に含まれる全ての強誘電体キャパシタF1及びF2の両電極間には正の電圧3Vo、つまり抗電圧Vcより大きい電圧が印可され、それらのうち強誘電体キャパシタF1が分極反転して「0」となり、蓄積されていた電荷2QoがビットラインBL1に転送され、その電荷による電流2I1の大きさに応じて、ビットライン用回路2の4値比較回路で当該メモリセルにC1に保持されていた多値データが「10」であると検出される。また、他の強誘電体キャパシタF3〜F8には正又は負の電圧Vo、−Voしか印可されないので元の分極の状態が維持され。
【0034】
次に、ステップS202で、図6(a)の区間(2)に示すように、メモリセルC1に含まれる強誘電体キャパシタF1に対応するワードラインWL1の電位が「0」とされ、それ以外のワードラインWL2〜WL4の電位が2Voとされ、且つ、図6(b)の区間(2)に示すように、強誘電体キャパシタF1に対応するビットラインBL1の電位が3Voとされ、それ以外のビットラインBL2の電位がVoとされ、この演算処理を終了する。
【0035】
これにより、メモリセルC1に含まれる強誘電体キャパシタF1の両電極間には負の電圧−3Vo、つまり負の抗電圧−Vcより絶対値が大きい電圧が印可され、その強誘電体キャパシタF1が分極反転して「1」データが再書き込みされる。また、他の強誘電体キャパシタF2〜F8には正又は負の電圧Vo、−Voしか印可されないので元の分極の状態が維持される。
【0036】
このように、本実施形態にあっては、同じメモリセルC1を構成する2つの強誘電体キャパシタF1、F2を、抗電圧が等しく、且つ、分極時の蓄積電荷量が異なるものとしたため、メモリセルC1から多値データを読み出すときには、メモリセルC1を構成する2つの強誘電体キャパシタF1、F2それぞれに読込用の電圧3Voを同時に印可することで、それら2つの強誘電体キャパシタF1、F2に保持されている2値データに応じた電荷をビットラインBL1に同時に出力させ、それらの電荷による電流の大きさから前記2値データを同時に読み出すことで、多値データの読み出し速度を大きくすることができる。また、読み出し速度が大きくなるため、多値データの読み出しにかかる時間が短縮され、多値データの読み出しによる消費電力を小さくすることができる。
【0037】
ちなみに、図11(a)に示すように、1つの強誘電体キャパシタF1、F2で1つのメモリセルを構成し、それらの強誘電体キャパシタF1、F2それぞれから2値データを1つずつそれぞれのビットラインBL1、BL2を介して2つの2値比較回路で読み出す従来の方法では、同図(b)の2本のワードラインWL1、WL2を用いて2つの強誘電体キャパシタF1、F2から1本のビットラインBL1を介してデータを同時に読み出し1つの比較回路で読み出す本実施形態の方法に比べ、比較回路の数が増え、チップ面積が大きくなってしまう。
【0038】
また図12(a)の同一サイズの強誘電キャパシタF1、F2からなる従来例では、同図(b)に示すように、区間(1a)(2a)、(1b)(2b)の2回のサイクルで読出しを行うことになるため、読み出し速度が遅く、多値データの読み出しに2倍の時間がかかってしまう。しかし、本発明の方法では、同図(c)に示すように、同図(b)の半分の1回のサイクルでデータ読出しができるため読出し速度が速く、多値データの読出し時間は従来例の半分で済む。
【0039】
また、図13に示すように、それぞれ異なる抗電圧Vc1、Vc2をもつ2つの強誘電体キャパシタF1、F2を1つのワードラインWL1とビットラインBL1とに並列に接続し、それらの強誘電体キャパシタF1、F2それぞれから2値データを1つずつ読み出す方法では、2つの強誘電体キャパシタF1、F2から2値データを同時に読み出す本実施形態の方法に比べ、図14に示すように、2発のパルスでもってワードラインWL1の電位を複雑に変化させなければならず、読み出し速度が遅くなり、データの読み出しに2倍の時間がかかってしまう。なお、図14において、抗電圧Vc1、Vc2と(1a)のパルスの大きさV1a、(1b)のパルスの大きさV1bとは、Vc1<V1a<Vc2<V1bなる関係を満たす必要がある。また、図13(b)は図13(a)の等価回路図である。
【0040】
また、図15に、特許文献1との比較を示す。図15(a)は特許文献1の図2及び図5に記載された読出し波形である。図15(b)は本発明の読出し波形ある。読出し時のセルへの印可電圧波形が簡素化されていることが判る。
なお、上記実施の形態にあっては、図1のビットライン用回路2の4値比較回路が大小関係検出手段を構成し、また同様に、図1の制御回路4が多値データ検出手段を構成する。
<変形例>
なお、上記実施の形態は、本発明の半導体記憶装置の一例を示したものであり、装置の構成等を限定するものではない。
【0041】
例えば、上記実施の形態では、複数のワードラインWL1〜WL4を複数のビットラインBL1、BL2を含む面の上側のみに設け、その上側に設けられた複数のワードラインWL1等と前記複数のビットラインBL1等との交差部に複数の強誘電体キャパシタF1〜F8を設けた例を示したが、これに限られるものではない。例えば、図8(a)に示すように、前記複数のワードラインWL1、WL2等を前記複数のビットラインBL1等を含む面を挟んだ両側に当該面から離して設け、その両側に設けられた複数のワードラインWL1、WL2等と前記複数のビットラインBL1等との交差部に複数の強誘電体キャパシタF1、F2等を設ける、つまり前記複数のビットラインBL1等を含む面を挟んだ両側に複数の強誘電体キャパシタF1、F2等を設けるようにしてもよく、そのようにすれば、単位チップ面積当たりの強誘電体キャパシタ数を大きくして、強誘電体キャパシタF1等を高密度化でき、チップ面積を小さくすることができる。なお、その際、同じメモリセルC1〜C4を構成する2つの強誘電体キャパシタF1及びF2、F3及びF4、F5及びF6、F7及びF8を前記複数のビットラインBL1等を含む面を挟んだ両側の対応する位置に配するようにするのが好ましい。
なお、図8(b)のように同サイズのセルをスタックさせた構造と比較すると、図8(a)の構造、図8(b)の構造はいずれも記憶容量はともに2ビットであるが、図8(a)のほうが読み出し時間は半分になる。
【0042】
また、前記複数のビットラインBL1等を含む面を挟んだ両側に複数の強誘電体キャパシタF1、F2等を設け、同じメモリセルC1〜C4を構成する2つの強誘電体キャパシタF1及びF2等を当該面を挟んだ両側の対応する位置に配するときには、例えば、図9に示すように、隣接する2つのメモリセルC1、C2を構成する強誘電体キャパシタF1及びF2、F3及びF4のうち、面積の大きい強誘電体キャパシタF1、F3を前記ビットラインBL1等を含む面を挟んで互いに反対側に配すると共に、面積の小さい強誘電体キャパシタF2、F4を前記ビットラインBL1等を含む面を挟んで互いに反対側に配してもよく、そのようにすれば、単位チップ面積当たりの強誘電体キャパシタ数をより大きくして、強誘電体キャパシタF1等をより高密度化でき、チップ面積をより小さくすることができる。
【0043】
また、上記実施の形態では、各ビットラインBL1、BL2に2種類の強誘電体キャパシタF1及びF2等を交互に配し、互いに隣接する2つの強誘電体キャパシタF1及びF2等でそれぞれ1つのメモリセルC1〜C4を構成する例を示したが、これに限られるものではなく、例えば、各ビットラインBL1、BL2に2種類の強誘電体キャパシタF1及びF2等をそれぞれ連続させて配し、互いに離れている2つの強誘電体キャパシタF1及びF2等でそれぞれ1つのメモリセルC1〜C4を構成するようにしてもよい。
【0044】
さらに、2つの強誘電体キャパシタF1及びF2等で1つのメモリセルC1等を構成する例を示したが、これに限られるものではなく、例えば、図10に示すように、3つ以上の強誘電体キャパシタで1つのメモリセルを構成するようにしてもよい。なお、強誘電体の面積が互いに異なるn個の強誘電体キャパシタF1〜Fnで1つのメモリセルC1等を構成するときには、それらn個の強誘電体キャパシタF1〜Fnの面積比を20:21:…:2n−1とするのが好ましい。例えば、3つの強誘電体キャパシタF1〜F3でメモリセルC1等を構成するときには、それら強誘電体キャパシタF1〜F3の強誘電体の面積比が4:2:1となる強誘電体キャパシタF1〜F3で構成すればよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体記憶装置の概略構成を示す構成図である。
【図2】図1のメモリセルの構成を拡大して示す斜視図である。
【図3】図2の強誘電体キャパシタの特性を説明するための図である。
【図4】書き込み処理を示すフローチャートである。
【図5】読み出し処理を示すフローチャートである。
【図6】本発明の動作を説明するための説明図である。
【図7】本発明の動作を説明するための説明図である。
【図8】本発明の変形例を説明するための説明図である。
【図9】本発明の変形例を説明するための説明図である。
【図10】本発明の変形例を説明するための説明図である。
【図11】従来の半導体記憶装置の概略構成図である。
【図12】従来例の動作を説明するための説明図である。
【図13】従来の半導体記憶装置の概略構成図である。
【図14】従来例の動作を説明するための説明図である。
【図15】従来例との動作の比較を説明するための説明図である。
【符号の説明】
WL1〜WL4はワードライン、BL1、BL2はビットライン、C1〜C4はメモリセル、F1〜F8は強誘電体キャパシタ、1はメモリセルアレイ、2はビットライン用回路、3はワードライン用回路
Claims (6)
- 第1の方向に延びている複数のビットラインと、前記第1の方向と交差する第2の方向に延びている複数のワードラインと、前記ビットラインと前記ワードラインとの交差部に設けられた複数の強誘電体キャパシタとを備えた半導体記憶装置であって、
一方の電極が同じビットラインに接続され、他方の電極が異なるワードラインに接続された複数の強誘電体キャパシタで1つのメモリセルを構成したことを特徴とする半導体記憶装置。 - 抗電圧が互いに等しく且つ分極時の蓄積電荷量が互いに異なる複数の前記強誘電体キャパシタで1つの前記メモリセルを構成したことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 強誘電体の材料及び厚さが互いに等しく且つ面積が互いに異なる複数の前記強誘電体キャパシタで1つの前記メモリセルを構成したことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 強誘電体の面積が互いに異なるn個の前記強誘電体キャパシタで1つの前記メモリセルを構成し、それらn個の前記強誘電体キャパシタの面積比を20:21:…:2n−1としたことを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルの一方の電極に接続されたビットラインの電位又は電流と予め定められた2つ以上の所定値との大小関係を検出する大小関係検出手段と、その大小関係検出手段の検出結果に基づいて前記メモリセルに格納されていた多値データを検出する多値データ検出手段とを備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体記憶装置。
- 前記複数のワードラインを前記複数のビットラインを含む面を挟んだ両側に当該面から離して設け、その両側に設けられた複数のワードラインと前記複数のビットラインとの交差部に複数の強誘電体キャパシタを設けたことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の半導体記憶装置。
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2003
- 2003-07-30 JP JP2003203779A patent/JP2005050403A/ja active Pending
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