JP2005044593A - 真空成膜方法及び真空成膜装置 - Google Patents

真空成膜方法及び真空成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005044593A
JP2005044593A JP2003202147A JP2003202147A JP2005044593A JP 2005044593 A JP2005044593 A JP 2005044593A JP 2003202147 A JP2003202147 A JP 2003202147A JP 2003202147 A JP2003202147 A JP 2003202147A JP 2005044593 A JP2005044593 A JP 2005044593A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
substrate
deposition source
source
moving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003202147A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuya Yamamoto
克哉 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Industries Corp
Original Assignee
Toyota Industries Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Industries Corp filed Critical Toyota Industries Corp
Priority to JP2003202147A priority Critical patent/JP2005044593A/ja
Priority to KR1020040058159A priority patent/KR20050013500A/ko
Priority to TW093122240A priority patent/TW200512305A/zh
Priority to US10/899,377 priority patent/US20050034663A1/en
Publication of JP2005044593A publication Critical patent/JP2005044593A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】基板における蒸着材料の蒸着層の膜厚分布のばらつきを防止し、蒸着層の膜厚分布の均一化を確実に図ることができる真空成膜方法及び真空成膜装置の提供する。
【解決手段】蒸着材料を発散させる蒸着源16と基板を対向させ、基板と蒸着源16との間隔を保ちつつ蒸着源16及び基板を相対移動させ、蒸着源16からの蒸着材料を基板に堆積させることにより蒸着層を形成する真空成膜方法であって、蒸着材料を一定の幅にて帯状に蒸着源16から発散させ、帯状に発散される蒸着材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように、蒸着源16及び基板を相対移動させる。
【選択図】 図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、真空成膜方法及びその装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
基板上に陽極及び陰極を設け、これらの電極間に発光性の有機材料を含む有機層を形成した有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子では、電極間に電圧を印加することにより有機層から光を発することが知られている。
こうした有機EL素子のうち、低分子系材料による有機EL素子では、真空蒸着法を用いて基板上に有機材料を堆積させ、有機層を形成することが一般的である。
真空蒸着法では、吹出口を有する蒸着源に有機層を形成するための有機材料を収容しておき、所定の真空度が保たれたチャンバ内において蒸着源を加熱することにより、蒸発した有機材料を吹出口から発散させ、発散された有機材料を蒸着源から離れた基板に堆積させるようにしている。
【0003】
ところで、従来の真空蒸着法による代表的な成膜方法としては、図13に示される成膜装置200の用いた成膜方法が知られている(例えば、特許文献1を参照。)。
この成膜装置200は、吹出口を有する蒸着源201と、蒸着用マスク206と共に基板204を保持することが可能な回転自在の基板ホルダ205をチャンバ203に備えたものである。
【0004】
この成膜装置200を用いた成膜方法では、蒸着源201に有機層の材料である有機材料を収容しておき、所定の真空度のチャンバ203内において蒸着源201を加熱し、吹出口202から気化あるいは昇華された有機材料を発散させ、基板ホルダ205により蒸着中の基板204を蒸着用マスク206とともに水平に回転(自転)させ、基板204に蒸着源201から発散された有機材料を堆積させて有機層を形成させていた。
蒸着中の基板204を回転させる理由は、基板204における膜厚分布をできるだけ均一とするためであり、特に、有機EL素子では、基板204における膜厚分布が均一化が不十分であると、輝度特性が低下したり、機能の安定性を確保できなくなるほか、素子としての寿命が短くなるという問題がある。
【0005】
しかしながら、こうした基板204は一般的に方形状であるから、基板204を回転させる場合には、基板204の縁部においては基板204に堆積されない有機材料が生じることになり、高価な有機材料を無駄に消費してしまうことになる。
また、基板204を回転させることから、蒸着源201及び基板204を収容するチャンバ203が基板204が回転する分だけ大きくなることになり、成膜装置200が大型化するという問題がある。
さらに言うと、基板204の回転は有機層の膜厚分布の均一化の向上を目的としているが、実際には基板204の部位によりばらつきが存在し、例えば、基板204の中心付近と中心から最も離れた部位との比較では、顕著な差を生じることが明らかにされている。
従って、基板204における有機層の膜厚分布の均一化を向上させるという点でこの技術は不十分と言わざるを得ない。
【0006】
そこで、上記の問題を解決する従来技術(従来技術1と称する)として、長手方向を有する蒸着源とし、有機材料を蒸着源から帯状に発散させ、かつ、蒸着源に対して長手方向の直角方向へ基板を移動させる技術が知られている(例えば、特許文献1を参照。)。
この蒸着源の蒸着源本体には、その長手方向に沿うように所定の間隔を以って複数の吹出口が配設されており、基板の移動により蒸着源本体の長手方向の寸法にほぼ対応する幅を以って移動する基板に有機層を形成させることができるものとなっている。
従って、従来技術1に係る成膜方法によれば、基板に形成された有機層の膜厚分布が比較的均一化されるとしている。
また、同種の技術として長手方向を有する蒸着源を用い、蒸着源の長手方向と直角方向へ蒸着源を移動させ、基板に蒸着層を形成させる成膜方法も知られている(例えば、特許文献2を参照)。
【0007】
一方、別の従来技術(従来技術2と称する)では、基板における有機層の形成領域に対応するように複数個の蒸着源を配置し、各蒸着源に複数個の吹出口を設け、これらの吹出口から有機材料を発散させるとともに、基板を基板の面と同一面内にて揺動させるとしている(例えば、特許文献3を参照。)。
この従来技術2に係る成膜方法によれば、基板に形成された有機層の膜厚分布のばらつきの低減に効果的であるとしている。
【0008】
【特許文献1】
特開2003−77662号公報(第3頁、図1、図2、図18)
【特許文献2】
特開2001−247959号公報(第3頁、図1)
【特許文献3】
特開2002−184571号公報(第3−5頁、図2、図6)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来技術1にあっては、基板に形成された有機層の膜厚分布に依然としてばらつきが存在するという問題があった。
すなわち、蒸着源全体から見ると有機材料を帯状に蒸着源から発散するように捉えられるが、基板に対する蒸着源の各吹出口は、基板の移動により相対的に直線状の軌跡を描いていることに過ぎず、例えば、有機層が形成された基板を基板の移動方向と直角方向に破断した場合、この有機層は吹出口の直下の延長線上では厚くなり、隣り合う吹出口の間の直下の延長線上では薄くなるといったように、有機層の厚さが均一ではなくなる。
こうした現象は、蒸着源と基板との距離が短くなるにつれて顕著となる傾向にある。
【0010】
一方、従来技術2にあっては、基板における有機層の形成領域に対応する複数の蒸着源を設けなくてはならないといった煩雑さが存在した。
特に、基板の大型化を意図するとき、多数の蒸着源を組み合わせることが考えられるが、この場合では、各蒸着源から発散される有機材料が互いに同じ条件とするために、各蒸着源の基板に対する位置の調整、あるいは各蒸着源の均一な加熱等といった煩雑性をさらに助長する問題が避けられなかった。
また、基板における有機層の形成領域に対応するだけの蒸着源を設けることから、成膜装置として製作コストが増大するという問題があった。
【0011】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、蒸着層の膜厚分布の均一化を確実に図ることができる真空成膜方法及び真空成膜装置の提供にある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するため、請求項1記載の発明は、蒸着材料を発散させる蒸着源と基板を対向させ、基板と蒸着源との間隔を保ちつつ蒸着源及び基板を相対移動させ、蒸着源からの蒸着材料を基板に堆積させることにより蒸着層を形成する真空成膜方法であって、蒸着材料を一定の幅にて帯状に蒸着源から発散させ、帯状に発散される蒸着材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように、蒸着源及び基板を相対移動させることを特徴とする真空成膜方法。
【0013】
請求項1記載の発明によれば、蒸着源及び基板が、帯状に発散される蒸着材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように相対移動されるから、蒸着源から帯状に発散される蒸着材料が基板に対して満遍なく堆積される。
特に、複数の吹出口が第1の方向と直角方向に沿うように列状に配設された蒸着源を用いる場合、蒸着源に基板の蒸着層において生じがちな膜圧の不均一を解消することができる。
【0014】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の真空成膜方法において、第1の方向へ蒸着源を移動させるととともに、第2の方向へ基板を移動させる相対移動であることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、請求項1記載の真空成膜方法において、第1の方向へ基板を移動させるとともに、第2の方向へ蒸着源を移動させる相対移動であることを特徴とする。
請求項4記載の発明は、請求項1記載の真空成膜方法において、第1の方向と第2の方向を含むように、蒸着源を基板に対して移動させる相対移動であることを特徴とする。
請求項5記載の発明は、請求項1記載の真空成膜方法において、第1の方向と第2の方向を含むように、基板を蒸着源に対して移動させる相対移動であることを特徴とする。
請求項2〜5記載の発明は請求項1記載の同様の作用効果を奏する。
【0015】
請求項6記載の発明は、請求項1〜5のいずれか一項に記載の真空成膜方法において、第1の方向と第2の方向を含む蒸着源及び基板の相対移動が、それぞれの方向における往復移動を含むことを特徴とする。
請求項6記載の発明によれば、蒸着源及び基板は第1の方向と、第2の方向を含むように相対移動されるが、それぞれの方向における往復移動を含む相対移動であるから、蒸着源から帯状に発散される蒸着材料が基板に対して繰り返して満遍なく堆積される。
【0016】
請求項7記載の発明は、請求項1〜5のいずれか一項に記載の真空成膜方法において、第1の方向と第2の方向を含む蒸着源及び基板の相対移動とともに、第2の方向を変動することを特徴とする。
請求項7記載の発明によれば、蒸着源及び基板は第1の方向と第2の方向を含むように相対移動されるが、この相対移動においては第2の方向が変動するから、蒸着材料の発散の状態に応じた蒸着源及び基板の相対移動が可能となる。
【0017】
請求項8記載の発明は、請求項1〜7のいずれか一項に記載の真空成膜方法において、第1の方向と第2の方向を含む蒸着源及び基板の相対移動では、少なくとも、第1の方向への移動距離が、第1の方向の基板の長さにほぼ等しいことを特徴とする。
請求項8記載の発明によれば、第1の方向への移動距離が基板の長さにほぼ等しいことから、基板の長さに対応する長さを有する蒸着層を形成することができる。
【0018】
請求項9記載の発明は、請求項1〜8のいずれか一項に記載の真空成膜方法において、基板と蒸着源との間に蒸着用マスクが介在されることを特徴とする。
請求項9記載の発明によれば、基板と蒸着源との間に蒸着用マスクが介在されることから、所定のパターンに応じた蒸着層を基板に形成することができる。
【0019】
請求項10記載の発明は、請求項1〜9のいずれか一項に記載の真空成膜方法において、蒸着層が有機エレクトロルミエッセンス素子における有機層であることを特徴とする。
請求項10記載の発明によれば、蒸着層が有機エレクトロルミエッセンス素子において、膜厚分布の均一化を図れることができる。
【0020】
請求項11記載の発明は、所定の真空度を保持可能とするチャンバと、チャンバ内で基板と対向する蒸着源を具備し、基板に対して蒸着材料を発散して蒸着層を形成する真空成膜装置であって、基板に対して一定の幅にて帯状に蒸着材料を発散させる蒸着源と、発散される帯状の蒸着材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように、蒸着源及び基板を相対移動させる相対移動手段を具備することを特徴とする。
請求項11記載の発明によれば、所定の真空度に保たれるチャンバ内において、相対移動手段により、蒸着源と基板が発散される帯状の蒸着材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように相対移動されるから、蒸着源から帯状に発散される蒸着材料が基板に対して満遍なく堆積される。
【0021】
請求項12記載の発明は、請求項11記載の真空成膜装置において、第1の方向へ蒸着源を移動させる蒸着源移動機構と、第2の方向へ基板を移動させる基板移動機構を具備することを特徴とする。
請求項12記載の発明によれば、相対移動手段が具備する蒸着源移動機構により蒸着源が第1の方向へ移動されるとともに、相対移動手段が具備する基板移動機構により基板が第2の方向へ移動される。
【0022】
請求項13記載の発明は、請求項11記載の真空成膜装置において、相対移動手段が、第1の方向へ基板を移動させる基板移動機構と、第2の方向へ蒸着源を移動させる蒸着源移動機構を具備することを特徴とする。
請求項13記載の発明によれば、相対移動手段が具備する基板移動機構により基板が第1の方向へ移動されるとともに相対移動手段が具備する蒸着源移動機構により蒸着源が第2の方向へ移動される。
【0023】
請求項14記載の発明は、請求項11記載の真空成膜装置において、基板を固定する基板固定手段が備えられ、相対移動手段が、第1の方向と第2の方向を含むように、蒸着源を基板に対して移動させる第1蒸着源移動機構と第2蒸着源移動機構を具備することを特徴とする。
請求項14記載の発明によれば、基板固定手段により基板が固定される一方、相対移動手段が具備する第1蒸着源移動機構及び第2蒸着源移動機構により、蒸着源が第1の方向と第2の方向を含むように基板に対して移動される。
【0024】
請求項15記載の発明は、請求項11記載の真空成膜装置において、蒸着源を固定する蒸着源固定手段が備えられ、相対移動手段が、第1の方向と第2の方向を含むように、基板を蒸着源に対して移動させる第1基板移動機構と第2基板移動機構を具備することを特徴とする。
請求項15記載の発明によれば、蒸着源固定手段により蒸着源が固定される一方、相対移動手段が具備する第1基板移動機構及び第2基板移動機構により、基板が蒸着源に対して第1の方向と第2の方向を含むように移動される。
【0025】
請求項16記載の発明は、請求項11〜15のいずれか一項に記載の真空成膜装置において、蒸着源及び基板をそれぞれの方向において往復移動させる相対移動手段であることを特徴とする。
請求項16記載の発明によれば、相対移動手段により蒸着源及び基板は第1の方向と第2の方向を含むように相対移動されるが、それぞれの方向における往復移動を含む相対移動となる。
【0026】
請求項17記載の発明は、請求項11〜16のいずれか一項に記載の真空成膜装置において、相対移動手段が、蒸着源及び基板の相対移動において第2の方向を変動させる方向変動機構を具備することを特徴とする。
請求項17記載の発明によれば、蒸着源及び基板は第1の方向と第2の方向を含むように相対移動されるが、この相対移動においては相対移動手段が具備する方向変動機構により第2の方向が変動する。
【0027】
請求項18記載の発明は、請求項11〜17のいずれか一項に記載の真空成膜装置において、相対移動手段が、少なくとも、第1の方向の基板の長さにほぼ対応する第1の方向への移動距離を有することを特徴とする。
請求項18記載の発明によれば、相対移動手段により第1の方向への移動距離を基板の長さにほぼ対応させることから、基板の長さに対応する長さを有する蒸着層を形成することができる。
【0028】
請求項19記載の発明は、請求項11〜18のいずれか一項に記載の真空成膜装置において、基板と蒸着源との間に蒸着用マスクが介在されることを特徴とする。
請求項19記載の発明によれば、基板と蒸着源との間に蒸着用マスクが介在されることから、所定のパターンに応じた蒸着層が基板に形成される。
【0029】
請求項20記載の発明は、請求項11〜19のいずれか一項に記載の真空成膜装置において、蒸着材料を発散する複数の吹出口が蒸着源に備えられるとともに、これらの吹出口が第1の方向の直角方向に向けて列状に配設されたことを特徴とする。
請求項20記載の発明によれば、蒸着源に備えられる複数の吹出口が第1の方向の直角方向に向けて列状に配設され、各吹出口から蒸着材料が発散されることから、蒸着源全体から見ると蒸着材料は一定の幅にて帯状に発散されることになる。
【0030】
請求項21記載の発明は、請求項11〜20のいずれか一項に記載の真空成膜装置において、蒸着層が有機エレクトロルミエッセンス素子における有機層であることを特徴とする。
請求項21記載の発明によれば、蒸着層が有機エレクトロルミエッセンス素子における有機層であることから、基板における有機層の膜厚分布のばらつきが防止され、膜厚分布の均一化が確実に図れた有機層を形成することができる。
【0031】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態を図1〜図4に基づいて説明する。
この実施形態では、蒸着層として有機EL素子における有機層に適用した例について説明する。
まず、有機EL素子の概要について説明すると、図1に示される有機EL素子10は、ガラス基板11、陽極12、有機層13、陰極14から基本的に構成されている。
ガラス基板11は可視光線を透過させるものであり、このガラス基板11の一面には、透明の導電層である陽極12が形成されている。
この実施の形態では、陽極12は、ITO(インジウム・錫酸化物)であり、例えば、スパッタリング等により形成されるものである。
【0032】
そして、この実施形態では、図1に示されるように、この陽極12の上に正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c、電子輸送層13d、電子注入層13eが順番に積層されているが、この実施形態ではこれらをまとめて有機層13と呼ぶ。
これらの層13a〜13eはいずれも互い種類の異なる有機材料であって、真空蒸着法により蒸着材料としての有機材料を層状に堆積して形成される。
この明細書における「基板」とは、少なくともガラス基板11等の板材に陽極12が形成され、かつ、有機材料等の蒸着材料による蒸着が予定されるものを含むものとしている。
例えば、陽極12のみが形成されたガラス基板11、あるいは、正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c、電子輸送層13d及び陽極12が形成されたガラス基板11といった状態のものを、ここでいう「基板」の概念に含む。
【0033】
この有機層13の上には陰極14が形成されている。この陰極14は電子注入層13eに電子を注入するための電極であり、一般的には仕事関数の小さな材料であるリチウムやアルミニウム等の金属系材料が用いられる。
このように構成された有機EL素子10では、陽極12及び陰極14に直流電圧を印加することにより、陽極12から発光層13cへホールが注入され、他方、陰極14から発光層13cへ電子が注入される。
そして、発光層13cにて電子とホールが再結合されて励起状態となり、このときのエネルギーの放出が発光層13cにおける発光現象となる。
【0034】
次に、有機EL素子10の有機層13を形成するための成膜装置15について説明する。
図2に示される成膜装置15は、陽極12が形成済みのガラス基板11に対して正孔注入層13aの成膜を図るためのものである。
この成膜装置15は、所定の真空度を保つことができるチャンバ(図示せず)、チャンバ内に設けられた蒸着源16、蒸着源16を往復移動させる蒸着源移動機構19、およびガラス基板11を第2の方向へ往復移動させる基板移動機構23とを有する。
ここでいう第1の方向に対する第2の方向は、第1の方向に対して直角方向を指しており、第1の方向への蒸着源16の移動と共に第2の方向へのガラス基板11の移動により、蒸着源16及びガラス基板11の2方向を含む相対移動が図られている。
【0035】
まず、蒸着源16について説明すると、蒸着源16はガラス基板11の幅程度に設定された長細い蒸着源本体17を備えており、この蒸着源本体17は蒸着源本体17の長手方向と直角方向である第1の方向へ向けて直線的に、かつガラス基板11に対して水平に往復移動できるように、蒸着源移動機構19により保持されている。
そして、蒸着源本体17は蒸着材料である有機材料を収容することができ、円形状の吹出口18を複数個備えており、これらの吹出口18は下方のガラス基板11に対向するように蒸着源本体18の長手方向に沿って列状に備えられている。
また、蒸着源本体17は加熱されるものであり、蒸着源本体17の加熱より有機材料が気化あるいは昇華され、気化あるいは昇華された有機材料は吹出口18を通じて発散される。
従って、蒸着源本体17において加熱された有機材料は吹出口18を通過し、蒸着源16から蒸着材料が一定の幅にて発散されることになる。
【0036】
次に、蒸着源移動機構19について説明する。
蒸着源移動機構19は、蒸着源16を第1の方向へ往復移動させるためのものであり、第1の方向へ水平に向けられる第1ガイド体20を備え、第1ガイド体20の下面には第1ガイド体20に対して移動自在の蒸着源ホルダ21を備えている。
この第1ガイド体20には蒸着源ホルダ21を案内するためのガイド22が設けられており、この第1ガイド体20に沿って蒸着源ホルダ21が往復移動する。
そして、蒸着源ホルダ21の下面には蒸着源本体17が取り付けられており、蒸着源16移動用の駆動手段(図示せず)の作動により、蒸着源ホルダ21が第1ガイド体20に対して往復移動し、蒸着源ホルダ21の往復移動に伴って蒸着源本体17が第1の方向へ往復移動するようになっている。
従って、蒸着源16は蒸着源移動機構19により直線的に往復移動することができるとともに、吹出口18から気化あるいは昇華された有機材料をカーテンフローの如く、ガラス基板11に向けて帯状に発散させることができる。
なお、第1ガイド体20における蒸着源本体17の移動距離は、第1方向のガラス基板11の長さにほぼ等しくなっている。
また、蒸着源16移動用の駆動手段は蒸着源16を往復移動させる適宜の手段でよく、定速移動あるいは可変速移動を可能とする駆動手段が好ましい。
【0037】
次に、基板移動機構23について説明する。
基板移動機構23は、ガラス基板11を第2の方向へ往復移動させるためのものであり、第2の方向へ水平に向けられる第2ガイド体24を備え、第2ガイド体24の上面には第2ガイド体24に対して移動自在の基板ホルダ25を備えている。
この第2ガイド体24には、基板ホルダ25を案内するためのガイド26が設けられており、この第2ガイド体24に沿って基板ホルダ25が往復移動する。
そして、基板ホルダ25はその上面にガラス基板11を取り付けられることができるものであり、ガラス基板11移動用の駆動手段(図示せず)の作動により、基板ホルダ25が第2ガイド体24に対して往復し、基板ホルダ25の往復移動に伴ってガラス基板11が第2の方向へ往復移動される。
ガラス基板11移動用の駆動手段は蒸着源16移動用の駆動手段と同様のものを採用すればよい。
【0038】
なお、この実施形態では、第2ガイド体24における基板ホルダ25に取り付けられるガラス基板11の移動距離は、蒸着源本体17に設けられた吹出口18のピッチにほぼ等しくなっている。
また、基板移動機構23によるガラス基板11の移動と、先に説明した蒸着源移動機構19による蒸着源16の移動は、ガラス基板11と蒸着源16が互いに同期しないような移動速度とすることが好ましい。ここで、ガラス基板11の移動と蒸着源16の移動とが同期するとは、蒸着源16上の一点が同じ軌跡を描くことを言う。
これは、例えば、蒸着源16の往復移動において、ガラス基板11に対する吹出口18の軌跡が同じ軌跡を描かないようにし、有機材料の蒸着層の膜厚分布をできるだけ均一とするためである。
【0039】
このように、この実施形態では、蒸着材料を一定の幅にて帯状に蒸着源16から発散させ、帯状に発散される蒸着材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように、蒸着源16及びガラス基板11を相対移動させることになるが、この成膜装置15では、蒸着源16及びガラス基板11の相対移動は、蒸着源移動機構19及び基板移動機構23により実現されることから、蒸着源移動機構19及び基板移動機構23を備えた相対移動手段と言え、成膜装置15が相対移動手段を具備していると言える。
【0040】
この実施形態における蒸着用マスク27は、ガラス基板11にほぼ等しいサイズであり、所望のパターンで蒸着層を形成するための複数の開口部28が備えられており、ここでは矩形の開口部28としている。
この蒸着用マスク27は、有機材料を蒸着させる際には、蒸着源16とガラス基板11との間に介在されるものであるが、この実施形態ではガラス基板11上に蒸着用マスク27を載置するようにしている。
【0041】
次に、この実施形態の成膜装置15の作用について説明する。
ここでは、陽極12が形成されたガラス基板11に、有機層13の一部である正孔注入層13aを形成する場合を例示して説明する。
まず、陽極12が形成されたガラス基板11に蒸着用マスク27を備え付け、ガラス基板11をチャンバ内の基板ホルダ25にセットして、両者を固定する。その後、チャンバ内を所定の真空度に保持する。
次に、蒸着源本体17を加熱し、吹出口18から正孔注入層13aの材料である有機材料を発散させる。
そして、蒸着源移動機構19を作動させることにより、蒸着源ホルダ21の蒸着源本体17が蒸着用マスク27の上面を沿うように、第1の方向へ直線的に水平移動される一方、基板移動機構23を作動させることにより、ガラス基板11が第2の方向へ移動される。
このため、蒸着源16とガラス基板11は第1の方向と第2の方向という異なる2方向を含むように相対移動されることになる。
【0042】
このとき、蒸着源移動機構19により第1の方向へ移動する蒸着源本体17が、第2の方向へ移動する蒸着用マスク27の開口部28の上方を通過するが、蒸着源本体17からの有機材料はガラス基板11へ向けて帯状に発散される。
発散された有機材料は蒸着用マスク27の開口部28を通過し、通過した有機材料はガラス基板11上に蒸着される。
そして、蒸着源本体17とガラス基板11を夫々の方向において往復移動を繰り返すことにより、ガラス基板11に対する吹出口18の軌跡は、同じ軌跡を描くことがなく、蒸着源本体17から発散される有機材料がガラス基板11に対して満遍なく堆積される。
【0043】
この実施形態に係る成膜方法及び成膜装置15は以下の効果を奏する。
蒸着源本体17及びガラス基板11が、帯状に発散される有機材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように相対移動され、ガラス基板11は基板移動機構23により吹出口18のピッチ間にほぼ相当する移動距離を往復移動し、また、蒸着源本体17は蒸着源移動機構19によりガラス基板11の長さに相当する移動距離を往復移動し、しかも、ガラス基板11と蒸着源16が互いに同期しないように移動するから、ガラス基板11に対する吹出口18の軌跡は、同じ軌跡を描くことがなく、蒸着源16から帯状に発散される蒸着材料がガラス基板11に対して満遍なく堆積される。
従って、ガラス基板11に有機材料が堆積されることにより得られた蒸着層は、その膜厚分布の均一化が図られる。
また、蒸着用マスク27がガラス基板11と蒸着源16との間に介在されるから、所望のパターンの蒸着層をガラス基板11に形成することができる。
【0044】
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態の成膜装置30について図5に基づき説明する。
この実施形態は、ガラス基板11を移動させずにチャンバ内におけるガラス基板11の位置を固定しておき、ガラス基板11に対して蒸着源39を第1の方向及び第2の方向を含むように相対移動させる成膜装置の例である。
従って、この実施形態では、説明の便宜上、先に説明した第1の実施形態で用いた符号を一部共通して用い、共通または類似する構成についてはその説明を省略する。
【0045】
この実施形態の成膜装置30は、図5に示されるように、基板固定手段としての基板載置台31、第1蒸着源移動機構32と第2蒸着源移動機構36とを有する。
基板載置台31はガラス基板11および蒸着用マスクを載置して固定するためのものであり、チャンバ内においてその位置が固定されている。
第1蒸着源移動機構32は蒸着源39を第1の方向へ往復移動させるためのものであり、第1の方向へ平行に向けられる第1ガイド体33を備え、第1ガイド体33の下面には第1ガイド体33に対して移動自在の移動体34を備えている。
この第1ガイド体33には移動体34を案内するためのガイド35を備えており、移動体34移動用の駆動源(図示せず)により、この第1ガイドに沿って移動体34が往復移動するものとなっている。
そして、移動体34の下面には第2蒸着源移動機構36が取り付けられており、移動体34が第1ガイド体33に対して往復移動し、移動体34の往復移動に伴ってる第2蒸着源移動機構36が第1の方向へ往復移動するようになっている。
【0046】
第2蒸着源移動機構36は、蒸着源39を第2の方向へ往復移動させるためのものであり、第2の方向へ平行に向けられる第2ガイド体37を備え、第2ガイド体37の下面には第2ガイド体37に対して移動自在の蒸着源ホルダ(図示せず)を備えている。
この第2ガイド体37には、蒸着源ホルダを案内するためのガイド38が備えられており、この第2ガイド体37に沿って蒸着源ホルダが往復移動する。
そして、蒸着源ホルダの下面には、蒸着源本体40が取り付けられており、蒸着源ホルダ移動用の駆動手段(図示せず)の作動により、蒸着源ホルダが第2ガイド体37に対して往復し、蒸着源ホルダの往復移動に伴って蒸着源本体40が第2の方向へ往復移動する。
【0047】
なお、この実施形態では、第1ガイド体33における蒸着源本体40の第1の方向への移動距離は、第1の方向のガラス基板11の長さにほぼ等しくなっており、第2ガイド体37における蒸着源本体40の第2の方向への移動距離は、蒸着源本体40に設けられた円形の吹出口41のピッチにほぼ等しくなっている。
また、第1蒸着源移動機構32による移動体34の移動と、第2蒸着源移動機構36による蒸着源ホルダとの移動は、第1の実施形態と同様の理由から、両者が互いに同期しないようにすることが好ましい。
【0048】
この実施形態では、蒸着材料を一定の幅にて帯状に蒸着源39から発散させ、帯状に発散される蒸着材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように、固定されたガラス基板11に対して蒸着源39を移動させることになるが、この成膜装置30では、ガラス基板11に対する蒸着源本体40の移動は、第1蒸着源移動機構32及び第2蒸着源移動機構36により実現されることから、第1蒸着源移動機構32及び第2蒸着源移動機構36を備えた相対移動手段と言え、成膜装置30が相対移動手段を具備していると言える。
【0049】
そして、この実施形態の成膜装置30によれば、第1蒸着源移動機構32及び第2蒸着源移動機構36により蒸着源39がガラス基板11に対して移動されることになるが、蒸着源39とガラス基板11との相対移動という点では、発散される有機材料のガラス基板11への堆積は、第1の実施形態と同じとなる。
従って、蒸着源39から帯状に発散される蒸着材料がガラス基板11に対して満遍なく堆積される。
【0050】
(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態の成膜装置50について図6に基づき説明する。
この実施形態は、蒸着源59を移動させずにチャンバ内の位置を固定しておき、蒸着源59に対してガラス基板11を第1の方向及び第2の方向を含むように相対移動させる成膜装置の例である。
従って、この実施形態では、説明の便宜上、先に説明した第1の実施形態で用いた符号を一部共通して用い、共通または類似する構成についてはその説明を省略る。
【0051】
この実施形態の成膜装置50は、図6に示されるように、蒸着源固定手段としての蒸着源固定杆51、第1基板移動機構52と第2基板移動機構55とを有する。
蒸着源固定杆51は蒸着源本体60を吊持して固定するためのものであり、チャンバ内において位置が固定されている。
第1基板移動機構52はガラス基板11を第1の方向へ往復移動させるためのものであり、第1の方向へ平行に向けられる第1ガイド体53を備え、第1ガイド体53の上面には第1ガイド体53に対して移動自在の移動体(図示せず)を備えている。
この第1ガイド体53には移動体を案内するためのガイド54を備えており、移動体移動用の駆動手段(図示せず)により、この第1ガイド体53に沿って移動体が往復移動する。
そして、移動体の上面には第2基板移動機構55が取り付けられており、移動体が第1ガイド体53に対して往復移動し、移動体の往復移動に伴って第2基板移動機構55が第1の方向へ往復移動するようになっている。
【0052】
第2基板移動機構55は、ガラス基板11を第2の方向へ往復移動させるためのものであり、第2の方向へ平行に向けられる第2ガイド体56を備え、第2ガイド体56の上面には第2ガイド体56に対して移動自在の基板ホルダ57を備えている。
この第2ガイド体56には、基板ホルダ57を案内するためのガイド58が備えられており、基板ホルダ57移動用の駆動手段(図示せず)により、この第2ガイドに沿って基板ホルダ57が往復移動する。
そして、基板ホルダ57の上面にはガラス基板11が取り付けられており、基板ホルダ57が第2ガイド体56に対して往復移動し、基板ホルダ57の往復移動に伴ってガラス基板11が第2の方向へ往復移動する。
【0053】
なお、この実施形態では、第1ガイド体53における移動体の移動距離は、第1の方向のガラス基板11の長さにほぼ等しく、第2ガイド体56における基板ホルダ57に取り付けられるガラス基板11の第2の方向への移動距離は、蒸着源本体60に設けられた円形の吹出口61のピッチにほぼ等しい。
また、第1基板移動機構52による移動体の移動と、第2基板移動機構55による基板ホルダ57との移動は、先の実施形態と同様の理由から、両者が互いに同期しないようにすることが好ましい。
【0054】
この実施形態では、有機材料を一定の幅にて帯状に蒸着源59から発散させ、帯状に発散される有機材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように、固定された蒸着源59に対してガラス基板11を移動させることになるが、この成膜装置50では、蒸着源59に対するガラス基板11の移動は、第1基板移動機構52及び第2基板移動機構55により実現されることから、第1基板移動機構52及び第2基板移動機構55を備えた相対移動手段と言え、成膜装置50が相対移動手段を具備していると言える。
【0055】
そして、この実施形態の成膜装置50によれば、第1基板移動機構52及び第2基板移動機構55によりガラス基板11が蒸着源59に対して移動されることになるが、蒸着源59とガラス基板11との相対移動という点では、発散される有機材料のガラス基板11への堆積は第1及び第2の実施形態と同じとなる。
従って、蒸着源59から帯状に発散される有機材料がガラス基板11に対して満遍なく堆積される。
【0056】
(第4の実施形態)
次に、第4の実施形態の成膜装置70について図7に基づき説明する。
この実施形態は、ガラス基板11を第1の方向へ往復移動させ、ガラス基板11に対して蒸着源79を第2の方向へ往復移動させるようにした成膜装置の例である。
この実施形態では、説明の便宜上、先に説明した第1の実施形態で用いた符号を一部共通して用い、共通または類似する構成についてはその説明を省略する。
【0057】
この実施形態の成膜装置70は、図7に示されるように、第1の方向へガラス基板11を移動させる基板移動機構71、第2の方向へ蒸着源本体80を移動させる蒸着源移動機構75から基本的に構成されている。
基板移動機構71はガラス基板11を第1の方向へ往復移動させるためのものであり、第1の方向へ平行に向けられる第1ガイド体72を備え、第1ガイド体72の上面には第1ガイド体72に対して移動自在の基板ホルダ73を備えている。
この第1ガイド体72は基板ホルダ73を案内するためのガイド74を備えており、基板ホルダ73移動用の駆動手段(図示せず)により、この第1ガイド体72に沿って基板ホルダ73が往復移動する。
【0058】
一方、基板ホルダ73の上方には、蒸着源79を有する蒸着源移動機構75が備えられている。蒸着源移動機構75は蒸着源79を第2の方向へ往復移動させるためのものであり、第2の方向へ平行に向けられる第2ガイド体76を備え、第2ガイド体76の下面には第2ガイド体76に対して移動自在の蒸着源ホルダ77を備えている。
この第2ガイド体76には、蒸着源ホルダ77を案内するためのガイド78が備えられており、蒸着源ホルダ77移動用の駆動手段(図示せず)により、この第2ガイド体76に沿って蒸着源ホルダ77が往復移動する。
そして、蒸着源ホルダ77の下面には蒸着源本体80が取り付けられており、蒸着源ホルダ77が第2ガイド体76に対して往復移動し、蒸着源ホルダ77の往復移動に伴って蒸着源本体80が第2の方向へ往復移動する。
【0059】
なお、この実施形態では、第1ガイド体72におけるガラス基板11の移動距離は、第1の方向のガラス基板11の長さにほぼ等しく、第2ガイド体76における蒸着源ホルダ77に取り付けられる蒸着源本体80の第2の方向への移動距離は、蒸着源本体80に設けられた吹出口81のピッチにほぼ等しい。
また、基板移動機構71によるガラス基板11の移動と、蒸着源移動機構75による蒸着源本体80との移動は、第1及び第2の実施形態と同じ理由から、両者が互いに同期しないようにすることが好ましい。
【0060】
この実施形態では、有機材料を一定の幅にて帯状に蒸着源79から発散させ、帯状に発散される有機材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように、ガラス基板11及び蒸着源79を相対移動させることになるが、この成膜装置70では、ガラス基板11の移動は基板移動機構71により実現され、蒸着源79の移動は蒸着源移動機構75により実現されることから、基板移動機構71及び蒸着源移動機構75を備えた相対移動手段と言え、成膜装置70が相対移動手段を具備していると言える。
【0061】
そして、この実施形態の成膜装置70によれば、基板移動機構71によりガラス基板11が第1の方向へ移動し、蒸着源移動機構75により蒸着源79が第2の方向へ移動することになり、蒸着源79とガラス基板11との相対移動という点では、発散される有機材料のガラス基板11への堆積は第1〜3の実施形態と同じとなる。
従って、蒸着源79から帯状に発散される有機材料がガラス基板11に対して満遍なく堆積される。
【0062】
(第5の実施形態)
次に、第5の実施形態の成膜装置90について図8及び図9に基づき説明する。
この実施形態は、蒸着源16を第1の方向へ往復移動させるとともに、ガラス基板11を第2の方向を含むように移動させるものであるが、蒸着源16とガラス基板11との相対移動において、移動するガラス基板11の第2の方向が経時的に変動する例である。具体的にはガラス基板11の姿勢を保持しつつ円の軌跡を描くようにガラス基板11を移動させるものとなっている。
この実施形態では、説明の便宜上、先に説明した第1の実施形態で用いた符号を一部共通して用い、共通または類似する構成についてはその説明を省略する。
また、図9においては、蒸着用マスク27及びガラス基板11が示されていないが、蒸着の際には蒸着用マスク27及びガラス基板11を用いることは言うまでもない。
【0063】
図8及び図9に示されるこの実施形態の成膜装置90は、チャンバ、蒸着源16、蒸着源移動機構19及び基板移動機構91とから基本的に構成されている。
蒸着源16及び蒸着源移動機構19は、第1の実施形態と同じ構成であるから説明を省略し、基板移動機構91について説明する。
この実施形態の基板移動機構91は、図9に示されるように、基台92、基台92上に備えられた平行リンク93、平行リンク93に設けられた基板ホルダ94及び駆動源95から基本的に構成されている。
【0064】
基台92はチャンバ内においてその位置が固定されており、平行リンク93が基台92上に備えられているほか、平行リンク93を作動させるための駆動手段95が基台92に備えられている。
基台92上の平行リンク93について説明すると、この平行リンク93は基台92の上面において所定の間隔を保って垂直に備えられた一対の回転軸93a93aと、両回転軸93a、93aにそれぞれ固定された回転アーム93b、93bと、両回転アーム93b、93bの開放端を軸着する連結杆93cから構成されている。
この回転アーム93b、93bは互いに平行となるように連結杆93cにより軸着されており、一方の回転軸93aは駆動源95により回転されるものとなっている。
従って、駆動源95の作動により一方の回転アーム93bが回転されると、連結杆93cを介して他方の回転アーム93bが回転されるものとなっている。
回転アーム93b、93bが回転するとき、連結杆93cはその姿勢を保ちつつ円の軌跡を描くことになる。
従って、連結杆93cに基板ホルダ94が設けられ、基板ホルダ94にガラス基板11がセットされた状態で駆動源95を作動させると、ガラス基板11は姿勢を保ちつつ、円の軌跡を描くことになる。
【0065】
ところで、この実施形態では、蒸着源16とガラス基板11との相対移動において、移動するガラス基板11の第2の方向が、第1の方向に対して経時的に変動する。
そして、基板移動機構91によりガラス基板11が円の軌跡を描くように移動されることから、この実施形態では第2の方向の変動は第1の方向に対して0〜360度の範囲を含むと言える。
例えば、図8に示されるように、ガラス基板11の第2の方向は、第1の方向と一致する方向Fa、第1の方向と直角方向Fb、第1の方向に対して45度の方向Fc等を含むことになる。
このため、この実施形態の基板移動機構91は、ガラス基板11の移動における第2の方向を変動させる方向変動機構としての基板移動機構91と言うことができる。
【0066】
なお、この実施形態では、第1ガイド体20における蒸着源本体17の移動距離は、第1の方向のガラス基板11の長さにほぼ等しい。
また、基板移動機構91においては回転アーム93b、93bの長さが、蒸着源本体17に設けられた吹出口18のピッチの1/2にほぼ等しい。
このため、ガラス基板11の第2の方向が第1の方向と一致する方向にあるとき、第1の方向と直角方向へのガラス基板11の移動距離は吹出口18のピッチとほぼ等しくなる。
【0067】
この実施形態では、有機材料を一定の幅にて帯状に蒸着源16から発散させ、相対移動において変動する第2の方向を含むようにガラス基板11を移動させ、このガラス基板11に対して蒸着源16を第1の方向へ移動させることになるが、この成膜装置90では、蒸着源16の移動は蒸着源移動機構19により実現され、ガラス基板11の移動は基板移動機構91により実現される。
従って、蒸着源移動機構19及び基板移動機構91を備えた相対移動手段と言えるほか、成膜装置90が相対移動手段を具備していると言え、さらに言うと相対移動手段は方向変動機構を具備していると言える。
【0068】
そして、この実施形態の成膜装置90によれば、蒸着源移動機構19及び基板移動機構91により蒸着源16がガラス基板11に対して移動することになるが、蒸着源16とガラス基板11との相対移動という点では、発散される有機材料のガラス基板11への堆積は第1〜第4の実施形態とほぼ同じとなる。
従って、蒸着源16から帯状に発散される有機材料がガラス基板11に対して満遍なく堆積される。
【0069】
(第6の実施形態)
次に、第6の実施形態の成膜装置100について図10に基づき説明する。
この実施形態は、ガラス基板11を移動させずにチャンバ内の位置を固定しておき、ガラス基板11に対して蒸着源103を第1の方向及び第2の方向を含むように相対移動させる成膜装置の例である。
従って、この実施形態では、説明の便宜上、先に説明した第1、第2の実施形態で用いた符号を一部共通して用い、共通または類似する構成についてはその説明を省略する。
【0070】
この実施形態の成膜装置100は、図10に示されるように、基板固定手段としての基板載置台31、第1蒸着源移動機構32と第2蒸着源移動機構101とを有している。
基板載置台31及び第1蒸着源移動機構32は第2の実施形態と実質的に同じであることから、ここでは第2蒸着源移動機構101について説明する。
第2蒸着源移動機構101は、蒸着源103を第2の方向へ移動させるためのものであるが、この実施形態の第2蒸着源移動機構101は、第1蒸着源移動機構32が備える移動体34の下面に備えられ、第5の実施形態で説明した平行リンク93と同種の平行リンク102を備えている。
この平行リンク102は回転軸102a、102a、回転アーム102b、102b、連結杆102cを備えており、連結杆102cの下面に蒸着源本体104が取り付けられている。
従って、移動体34が第1ガイド体33に対して往復移動される一方、第2蒸着源移動機構101が第2の方向へ往復移動されるが、蒸着源103は姿勢を保ちつつ円の軌跡を描くことになる。
【0071】
このため、この実施形態の第2蒸着源移動機構101は、蒸着源103とガラス基板11との相対移動において、移動する蒸着源103の第2の方向が経時的に変動するから、蒸着源103の移動における第2の方向を変動させる方向変動機構としての第2蒸着源移動機構101と言うことができる。
【0072】
この実施形態では、有機材料を一定の幅にて帯状に蒸着源103から発散させ、帯状に発散される有機材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、変動される第2の方向を含むように、固定されたガラス基板11に対して蒸着源103を移動させることになるが、この成膜装置100では、ガラス基板11に対する蒸着源103の移動は、第1蒸着源移動機構32及び第2蒸着源移動機構101により実現される。
従って、第1蒸着源移動機構32及び第2蒸着源移動機構101を備えた相対移動手段と言えるほか、成膜装置100が相対移動手段を具備していると言え、さらに言うと相対移動手段は方向変動機構を具備していると言える。
【0073】
そして、この実施形態の成膜装置100によれば、第1蒸着源移動機構32及び第2蒸着源移動機構101により蒸着源103がガラス基板11に対して移動されることになるが、蒸着源103とガラス基板11との相対移動という点では、発散される有機材料のガラス基板11への堆積は第5の実施形態と同じとなる。
従って、蒸着源103から帯状に発散される有機材料がガラス基板11に対して満遍なく堆積される。
【0074】
(第7の実施形態)
次に、第7の実施形態の成膜装置110について図11に基づき説明する。
この実施形態は、蒸着源59を移動させずにチャンバ内の位置を固定しておき、蒸着源59に対してガラス基板11を第1の方向及び第2の方向を含むように相対移動させる成膜装置の例である。
従って、この実施形態では、説明の便宜上、先に説明した第3の実施形態で用いた符号を一部共通して用い、共通または類似する構成についてはその説明を省略する。
また、図11においては、蒸着用マスク27及びガラス基板11が示されていないが、蒸着の際には蒸着用マスク27及びガラス基板11を用いることは言うまでもない。
【0075】
図11に示されるこの実施形態の成膜装置110は、蒸着源固定手段としての蒸着源固定杆51、第1基板移動機構52と第2基板移動機構111とを有する。
この実施形態の成膜装置110における蒸着源固定杆51及び第1基板移動機構52は第3の実施形態のものと実質的に同一であるから、ここでは第2基板移動機構111について説明する。
第2基板移動機構111は、ガラス基板11を第2の方向へ移動させるためのものであるが、この実施形態の第2基板移動機構111は、第1基板移動機構52の上面に備えられている。
第2基板移動機構111は第1基板移動機構52より移動される基台114と、第5、6の実施形態で説明した平行リンク93、102と同種の平行リンク112を備えている。
この平行リンクは回転軸112a、112a、回転アーム112b、112b、連結杆112cを備えており、連結杆112cの上面に基板ホルダ113が取り付けられている。
【0076】
従って、ガラス基板11が第1基板移動機構52により往復移動される一方、第2基板移動機構111が第2の方向へ往復移動するが、ガラス基板11は姿勢を保ちつつ円の軌跡を描くことになる。
このため、この実施形態の第2基板移動機構111は、蒸着源59とガラス基板11との相対移動において、移動するガラス基板11の第2の方向が経時的に変動するから、ガラス基板11の移動における第2の方向を変動させる方向変動機構としての第2基板移動機構111と言うことができる。
【0077】
この実施形態では、有機材料を一定の幅にて帯状に蒸着源59から発散させ、帯状に発散される有機材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように、固定された蒸着源59に対してガラス基板11を移動させることになるが、この成膜装置110では、蒸着源59に対するガラス基板11の移動は、第1基板移動機構52及び第2基板移動機構111により実現される。
従って、第1基板移動機構52及び第2基板移動機構111を備えた相対移動手段と言えるほか、相対移動手段は方向変動機構を具備していると言え、さらに言うと成膜装置110は相対移動手段を具備していると言える。
【0078】
そして、この実施形態の成膜装置110によれば、第1基板移動機構52及び第2基板移動機構111によりガラス基板11が蒸着源59に対して移動されることになるが、蒸着源59とガラス基板11との相対移動という点では、発散される有機材料のガラス基板11への堆積は先の実施形態と同じとなる。
従って、蒸着源59から帯状に発散される有機材料がガラス基板11に対して満遍なく堆積される。
【0079】
(第8の実施形態)
次に、第8の実施形態の成膜装置120について図12基づき説明する。
この実施形態は、ガラス基板11を第1の方向へ往復移動させ、ガラス基板11に対して蒸着源本体125を第2の方向へ往復移動させるようにした成膜装置の例である。
従って、この実施形態では、説明の便宜上、先に説明した第1、第4の実施形態で用いた符号を一部共通して用い、共通または類似する構成についてはその説明を省略する。
【0080】
この実施形態の成膜装置120は、図12に示されるように、第1の方向へガラス基板11を移動させる基板移動機構71、第2の方向へ蒸着源126を移動させる蒸着源移動機構121とを有している。
この実施形態の基板移動機構71は、ガラス基板を第1の方向へ移動させるものであるが、第4の実施形態と実質的に同じであることから説明を省き、ここでは、蒸着源移動機構121について説明する。
【0081】
蒸着源移動機構121は、蒸着源124を第2の方向へ移動させるためのものであるが、この実施形態の蒸着源移動機構121は、上方から下方へ設けられた固定杆122が備える固定体123の下面に備えられ、第6の実施形態で説明した平行リンク102と同種の平行リンク124を備えている。
この平行リンク124は回転軸124a、124a、回転アーム124b、124b、連結杆124cを備えており、連結杆124cの下面に蒸着源本体115が取り付けられている。
【0082】
従って、平行リンク124に接続されている駆動手段123の作動により、蒸着源移動機構121が第2の方向へ往復移動されるが、蒸着源124は姿勢を保ちつつ円の軌跡を描くことになる。
このため、この実施形態の蒸着源移動機構121は、蒸着源126とガラス基板11との相対移動において、移動する蒸着源126の第2の方向が経時的に変動するから、蒸着源126の移動において第2の方向を変動させる方向変動機構と言うことができる。
【0083】
この実施形態では、有機材料を一定の幅にて帯状に蒸着源126から発散させ、帯状に発散される有機材料の幅方向と直角方向である第1の方向へガラス基板11が移動される一方、変動される第2の方向を含むように、移動するガラス基板11に対して蒸着源126を移動させることになるが、この成膜装置120では、ガラス基板11に対する蒸着源126の移動は、蒸着源移動機構121により実現される。
従って、蒸着源移動機構121及び基板移動機構71を備えた相対移動手段と言えるほか、成膜装置120が相対移動手段を具備していると言え、さらに言うと相対移動手段は方向変動機構を具備していると言える。
【0084】
そして、この実施形態の成膜装置120によれば、基板移動機構71及び蒸着源移動機構121により蒸着源126とガラス基板11が相対移動することになるが、蒸着源126とガラス基板11との相対移動という点では、発散される有機材料のガラス基板11への堆積は先の実施形態と同じとなる。
従って、蒸着源126から帯状に発散される有機材料がガラス基板11に対して満遍なく堆積される。
【0085】
【実施例】
次に本発明の実施例について説明する。
この実施例は、有機EL素子における有機層を真空蒸着法によりガラス基板上に形成した例であり、この実施例では第1の実施形態に係る成膜装置と同種の成膜装置を使用した。
この実施例では、チャンバ(真空度:10−4Pa)にガラス基板(基板サイズ:320mm×320mm)をセットし、ガラス基板を第1の方向へ往復移動(移動速度:3mm/s、移動距離:60mm)させるとともに、蒸着源(本体形状:直方体、本体幅:300mm、60mm間隔で5個の吹出口を一列に配置)を第1の方向と直角方向である第2の方向へ往復移動(移動速度:20mm/s、移動距離:250mm)させ、蒸着源から発散させた有機材料によりガラス基板上に蒸着層を形成した(蒸着速度:12Å/s)。
そして、ガラス基板上に形成された蒸着層の膜厚分布を測定した。
この蒸着層の膜厚分布の測定結果に基く実施例のグラフを表1に示す。
【0086】
次に、比較例について説明する。比較例ではガラス基板を往復移動させることなくチャンバ内に固定しており、ガラス基板の往復移動を除くその他の条件は実施例と同一である。
そしてガラス基板上に形成された蒸着層の膜厚分布を測定した。
この蒸着層の膜厚分布の測定結果に基く比較例のグラフを表2に示す。
【0087】
【表1】
Figure 2005044593
【0088】
【表2】
Figure 2005044593
【0089】
実施例及び比較例における蒸着層の膜厚分布を両グラフにより比較すると、実施例に係る蒸着層の膜厚分布は、蒸着層の各層を問わず比較的均一な状態にあることが示されている。
これは、ガラス基板が第1の方向へ移動される一方、第2の方向への蒸着源が往復移動されることにより、蒸着源から発散される有機材料がガラス基板に対して満遍なく堆積されることを示すものと言える。
他方、比較例に係る蒸着層では、その表面に波形状の凹凸が形成されているが、これは、比較例においてはガラス基板が第2の方向へ往復移動されることがないから、吹出口の配列状態を反映されていることを示し、発散される有機材料がガラス基板に対して不均一な状態で堆積されていることを示している。
【0090】
なお、本発明は、上記した第1〜第8の実施形態に限定されるものではなく発明の趣旨の範囲内で種々の変更が可能であり、例えば、次のように変更してもよい。
○ 第1〜8の実施形態では、有機EL素子の正孔輸送層を形成したが、正孔輸送層の形成に限定されるものではなく、有機EL素子を構成するどの有機層の形成にも適用することができる。
○ 第1〜8の実施形態では、有機EL素子における有機層を形成するものとしたが、真空蒸着法における蒸着材料は有機材料に限定するものではなく、例えば無機材料に適用してもよい。
○ 第1〜8の実施形態では、蒸着源本体の幅を基板の幅にほぼ対応させたが、例えば、基板の幅の半分程度の幅を有する蒸着源本体とし、蒸着源本体が往復移動するとき、蒸着源本体の往路と復路を異なるようにしてもよい。また、基板2枚分の幅を有する蒸着源本体とし、2枚の基板を一度に蒸着させる等、複数の基板に対応する蒸着源本体としてもよい。
○ 第1〜第8の実施形態では、蒸着材料である有機材料を一列に配列された吹出口から発散させるようにしたが、2列あるいは3列等の複数列の吹出口を配列した蒸着源本体としてもよく、あるいは、複数の蒸着源を並設してもよい。
○ 第1〜8の実施形態では、蒸着源本体における吹出口の形状を円形状の孔としたが、矩形状や多角形状あるいは長孔状としてもよい。
○ 第1〜8の実施形態では、ガラス基板の上方に蒸着源を設置したが、蒸着源を吹出口が上方に向くように設置し、ガラス基板をその上方に設置してもよい。この場合、各種機構等の位置や向きも適宜変更すればよい。
○ 第1〜4の実施形態では、蒸着源と基板の相対移動において、第1の方向に対する第2の方向を第1の方向の直角方向としたが、第2の方向を第1の方向と直角方向以外の方向としてもよく、この場合、第1の方向と直角方向に近い方向が蒸着源の膜厚分布の均一化には好適である。
○ 第1〜第2の実施形態では、第2の方向への基板又は蒸着源の移動距離を、蒸着源が備える吹出口のピッチと一致させたが、特に限定する主旨ではなく、蒸着源と基板との距離や蒸着速度等の諸条件により適宜変更してもよい。
○ 第5〜8の実施形態では、蒸着源と基板の相対移動において、変動する第2の方向として、円の軌跡を例示したが、変動する第2の方向は円の軌跡に限らず、例えば楕円あるいは円弧、楕円弧等の軌跡であってもよい。
○ 第5〜8の実施形態では、蒸着源と基板の相対移動において、円の軌跡に示す第2の方向を変動させる手段として平行リンクを用いたが、平行リンクに限定されるものではなく、例えば、2軸移動の組み合わせによる手段を用いて第2の方向を変動させるようにしてもよい。
【0091】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、真空蒸着法により基板への成膜の際に、基板における蒸着材料の蒸着層の膜厚分布のばらつきを防止し、蒸着層の膜厚分布の均一化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係る有機EL素子の概要を示す概略断面図である。
【図2】第1の実施形態に係る成膜装置の概要を示す概略斜視図である。
【図3】第1の実施形態に係る成膜装置の概要を破断して示す側面図である。
【図4】第1の実施形態に係る成膜装置の概要を破断して示す正面図である。
【図5】第2の実施形態に係る成膜装置の概要を示す概略斜視図である。
【図6】第3の実施形態に係る成膜装置の概要を示す概略斜視図である。
【図7】第4の実施形態に係る成膜装置の概要を示す概略斜視図である。
【図8】第5の実施形態に係る成膜装置の概要を示す概略平面図である。
【図9】第5の実施形態に係る成膜装置の概要を示す概略斜視図である。
【図10】第6の実施形態に係る成膜装置の概要を示す概略斜視図である。
【図11】第7の実施形態に係る成膜装置の概要を示す概略斜視図である。
【図12】第8の実施形態に係る成膜装置の概要を示す概略斜視図である。
【図13】従来の成膜装置の要部を示す概略側面図である。
【符号の説明】
10 有機EL素子
11 ガラス基板
12 陽極
13 有機層
14 陰極
15、30、50、70、90、100、110、120、200 成膜装置
16、39、59、79、103、126 蒸着源
17、40、60、80、104、127 蒸着源本体
18、41、61、81、105、128 吹出口
19、75、121 蒸着源移動機構
23、71、91 基板移動機構
27 蒸着用マスク
32 第1蒸着源移動機構
36、101 第2蒸着源移動機構
52 第1基板移動機構
55、111 第2基板移動機構

Claims (21)

  1. 蒸着材料を発散させる蒸着源と基板を対向させ、基板と蒸着源との間隔を保ちつつ蒸着源及び基板を相対移動させ、蒸着源からの蒸着材料を基板に堆積させることにより蒸着層を形成する真空成膜方法であって、
    蒸着材料を一定の幅にて帯状に蒸着源から発散させ、帯状に発散される蒸着材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように、蒸着源及び基板を相対移動させることを特徴とする真空成膜方法。
  2. 第1の方向へ蒸着源を移動させるととともに、第2の方向へ基板を移動させる相対移動であることを特徴とする請求項1記載の真空成膜方法。
  3. 第1の方向へ基板を移動させるとともに、第2の方向へ蒸着源を移動させる相対移動であることを特徴とする請求項1記載の真空成膜方法。
  4. 第1の方向と第2の方向を含むように、蒸着源を基板に対して移動させる相対移動であることを特徴とする請求項1記載の真空成膜方法。
  5. 第1の方向と第2の方向を含むように、基板を蒸着源に対して移動させる相対移動であることを特徴とする請求項1記載の真空成膜方法。
  6. 第1の方向と第2の方向を含む蒸着源及び基板の相対移動が、それぞれの方向における往復移動を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の真空成膜方法。
  7. 第1の方向と第2の方向を含む蒸着源及び基板の相対移動とともに、第2の方向を変動することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の真空成膜方法。
  8. 第1の方向と第2の方向を含む蒸着源及び基板の相対移動では、少なくとも、第1の方向への移動距離が、第1の方向の基板の長さにほぼ等しいことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の真空成膜方法。
  9. 基板と蒸着源との間に蒸着用マスクが介在されることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の真空成膜方法。
  10. 蒸着層が有機エレクトロルミエッセンス素子における有機層であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の真空成膜方法。
  11. 所定の真空度を保持可能とするチャンバと、チャンバ内で基板と対向する蒸着源を具備し、基板に対して蒸着材料を発散して蒸着層を形成する真空成膜装置であって、
    基板に対して一定の幅にて帯状に蒸着材料を発散させる蒸着源と、発散される帯状の蒸着材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように、蒸着源及び基板を相対移動させる相対移動手段を具備することを特徴とする真空成膜装置。
  12. 相対移動手段が、第1の方向へ蒸着源を移動させる蒸着源移動機構と、第2の方向へ基板を移動させる基板移動機構を具備することを特徴とする請求項11記載の真空成膜装置。
  13. 相対移動手段が、第1の方向へ基板を移動させる基板移動機構と、第2の方向へ蒸着源を移動させる蒸着源移動機構を具備することを特徴とする請求項11記載の真空成膜装置。
  14. 基板を固定する基板固定手段が備えられ、相対移動手段が、第1の方向と第2の方向を含むように、蒸着源を基板に対して移動させる第1蒸着源移動機構と第2蒸着源移動機構を具備することを特徴とする請求項11記載の真空成膜装置。
  15. 蒸着源を固定する蒸着源固定手段が備えられ、相対移動手段が、第1の方向と第2の方向を含むように、基板を蒸着源に対して移動させる第1基板移動機構と第2基板移動機構を具備することを特徴とする請求項11記載の真空成膜装置。
  16. 蒸着源及び基板をそれぞれの方向において往復移動させる相対移動手段であることを特徴とする請求項11〜15のいずれか一項に記載の真空成膜装置。
  17. 相対移動手段が、蒸着源及び基板の相対移動において第2の方向を変動させる方向変動機構を具備することを特徴とする請求項11〜16のいずれか一項に記載の真空成膜装置。
  18. 相対移動手段が、少なくとも、第1の方向の基板の長さにほぼ等しい第1の方向への移動距離を有することを特徴とする請求項11〜17のいずれか一項に記載の真空成膜装置。
  19. 基板と蒸着源との間に蒸着用マスクが介在されることを特徴とする請求項11〜18のいずれか一項に記載の真空成膜装置。
  20. 蒸着材料を発散する複数の蒸着セルが蒸着源に備えられるとともに、これらの蒸着セルが第1の方向の直角方向に向けて列状に配設されたことを特徴とする請求項11〜19のいずれか一項に記載の真空成膜装置。
  21. 蒸着層が有機エレクトロルミエッセンス素子における有機層であることを特徴とする請求項11〜20のいずれか一項に記載の真空成膜装置。
JP2003202147A 2003-07-28 2003-07-28 真空成膜方法及び真空成膜装置 Pending JP2005044593A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003202147A JP2005044593A (ja) 2003-07-28 2003-07-28 真空成膜方法及び真空成膜装置
KR1020040058159A KR20050013500A (ko) 2003-07-28 2004-07-26 진공 막 형성 방법 및 진공 막 형성 장치
TW093122240A TW200512305A (en) 2003-07-28 2004-07-26 Vacuum film formation method and vacuum film formation device
US10/899,377 US20050034663A1 (en) 2003-07-28 2004-07-26 Vacuum film formation method and vacuum film formation device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003202147A JP2005044593A (ja) 2003-07-28 2003-07-28 真空成膜方法及び真空成膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005044593A true JP2005044593A (ja) 2005-02-17

Family

ID=34131372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003202147A Pending JP2005044593A (ja) 2003-07-28 2003-07-28 真空成膜方法及び真空成膜装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20050034663A1 (ja)
JP (1) JP2005044593A (ja)
KR (1) KR20050013500A (ja)
TW (1) TW200512305A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011042868A (ja) * 2009-07-24 2011-03-03 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着方法及びその装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6921702B2 (en) * 2002-07-30 2005-07-26 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics
KR100727470B1 (ko) * 2005-11-07 2007-06-13 세메스 주식회사 유기물 증착 장치 및 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011042868A (ja) * 2009-07-24 2011-03-03 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着方法及びその装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20050034663A1 (en) 2005-02-17
KR20050013500A (ko) 2005-02-04
TW200512305A (en) 2005-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2354270B1 (en) Thin film deposition apparatus
EP2476774B1 (en) Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
JP6186447B2 (ja) Oled照明デバイス製造方法及び装置
US8945974B2 (en) Method of manufacturing organic light-emitting display device using an organic layer deposition apparatus
JP5529329B2 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、及び有機el表示装置の製造方法
KR20130015144A (ko) 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
US9376743B2 (en) Method of manufacturing mask for deposition
JP2013053374A (ja) 蒸着装置及び薄膜製造方法
JP2005044592A (ja) 蒸着用マスク、この蒸着用マスクを用いた成膜方法及びこの蒸着用マスクを用いた成膜装置
KR20100133678A (ko) 박막 증착 장치
KR101906358B1 (ko) 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
JP6404615B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子製造用マスク、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US20140315342A1 (en) Deposition apparatus, deposition method, organic el display, and lighting device
JP6567349B2 (ja) 蒸着方法及び蒸着装置
JP2005044593A (ja) 真空成膜方法及び真空成膜装置
KR20150113742A (ko) 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
US20110195186A1 (en) Plane-type film continuous evaporation source and the manufacturing method and system using the same
WO2007094321A1 (ja) 発光素子、発光素子の製造方法、および基板処理装置
KR20190134367A (ko) 증착용 각도제한판 및 이를 포함하는 증착장치
KR100730172B1 (ko) 유기박막 증착장치
CN207525329U (zh) 环状器件内侧面蒸镀装置
TWI358145B (en) Apparatus for depositing organic thin film
US20100096969A1 (en) Field emission device and backlight unit including the same
CN116083858A (zh) 蒸镀装置、蒸镀方法、有机发光二极管器件和显示面板
KR20140120774A (ko) 유기물 증착 시스템