JP2005044203A - Power supply circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、第1電源ラインから電源入力して昇圧電圧を第2電源ラインに出力するチャージポンプと、第2電源ラインから電源入力して出力端子にレギュレート電圧を出力するレギュレータとを具備した電源回路に関する。 The present invention includes a charge pump that inputs power from a first power line and outputs a boosted voltage to a second power line, and a regulator that inputs power from the second power line and outputs a regulated voltage to an output terminal. It relates to a power supply circuit.
従来のこの種の電源回路100(例えば、特許文献1を参照)について図4を参照して説明する。電源回路100は、クロック信号CLKに同期して充放電動作して昇圧電圧を出力するチャージポンプ10と、チャージポンプ10の出力電圧を電源入力してレギュレート電圧Voutを出力するレギュレータ20とで構成されている。
A conventional
チャージポンプ10は、図5に一例を示すように、2倍昇圧型で構成され、昇圧コンデンサ11、平滑コンデンサ12およびスイッチ13,14,15,16を有している。第1電源ラインVDD1と接地ラインGnd間にスイッチ13、昇圧コンデンサ11およびスイッチ14が直列接続されている。第1電源ラインVDD1と昇圧コンデンサ11およびスイッチ14の接続点間にスイッチ15が接続されている。スイッチ13および昇圧コンデンサ11の接続点と接地ラインGnd間にスイッチ16および平滑コンデンサ12が直列接続され、その直列接続点がチャージポンプ10の出力端として第2電源ラインVDD2に接続されている。スイッチ13,14とスイッチ15,16とは、クロック信号CLK入力により相補的にオン/オフ制御される。スイッチ13,14,15,16は、例えば、MOSトランジスタで構成される。
As shown in FIG. 5, the
チャージポンプ10の基本的な昇圧動作について説明する。先ず、"H"レベルのクロック信号CLK入力により、スイッチ13,14がオン、スイッチ15,16がオフになり、電源電圧VDD1により昇圧コンデンサ11が充電される。次に、"L"レベルのクロック信号CLK入力により、スイッチ13,14がオフ、スイッチ15,16がオンになり、昇圧コンデンサ11は放電し、昇圧コンデンサ11に充電された電圧に電源電圧VDDが加算された昇圧電圧が出力端子Voutから出力されるとともに平滑コンデンサ12に充電される。このオン/オフ制御が繰り返されて、チャージポンプ10の出力端から第2電源ラインVDD2に昇圧電圧VDD2が出力される。チャージポンプ10は、クロック信号CLK入力により、コンデンサ11,12の充電電圧が飽和するようにオン/オフ制御され、チャージポンプ10の出力端に第1電源電圧VDD1の2倍の昇圧電圧が出力される。
A basic boosting operation of the
レギュレータ20は、図4に示すように、第2電源ラインVDD2からの電源電圧VDD2が電源入力され、レギュレート電圧Voutを出力するオペアンプ21と、オペアンプ21の出力端電位を分圧しその分圧電圧をオペアンプ21の反転入力端に供給する分圧抵抗R1,R2からなる分圧回路22と、オペアンプ21の非反転入力端に基準電圧Vrefを供給する基準電圧源23と、オペアンプ21の出力端と接地ラインGnd間に接続された平滑コンデンサ24とを有している。オペアンプ21は、チャージポンプ10が完全に昇圧し終わった後にオンするとともに、出力不要時は低消費電力化のためオフするように、オン/オフ制御端子21aを有している。オン/オフ制御端子21aは制御信号入力端子Vcに接続されている。さらに、レギュレータ20は、オペアンプ21がオフ時にオペアンプ21の出力端電位を接地電位VSSにプルダウンさせるためにオペアンプ21の出力端と接地ラインGnd間に接続されたプルダウンスイッチであるNチャネルMOSトランジスタ25と、制御信号入力端子VcとMOSトランジスタ25のゲート間に接続されたインバータ26とを有している。
As shown in FIG. 4, the
オペアンプ21は、基本回路例を図6に示すように、PチャネルMOSトランジスタM1,M2とNチャネルMOSトランジスタM3〜M5とからなる差動増幅段と、PチャネルMOSトランジスタM6とNチャネルMOSトランジスタM7とからなる出力段とで構成され、図4にも示すように、第2電源ラインVDD2からの電源電圧VDD2がMOSトランジスタM6のソースに電源入力され、MOSトランジスタM6のドレインからレギュレート電圧Voutが出力される。
As shown in FIG. 6, the
この電源回路100は、1チップの半導体集積回路で構成され、チャージポンプ10を構成する昇圧コンデンサ11および平滑コンデンサ12とレギュレータ20を構成する平滑コンデンサ24とは、半導体集積回路に外付け素子として接続される。チャージポンプ10へのクロック信号CLK入力は、半導体集積回路の外部から供給されるか、または半導体集積回路内部に構成される発振回路から供給される。また、制御信号入力端子Vcへの制御信号入力は、半導体集積回路の外部から供給されるか、または半導体集積回路内部に構成される発振回路の出力が同じく内部に構成されるタイミング発生回路に供給され、そのタイミング発生回路からのタイミング信号が供給される。
The
上記構成の電源回路100の動作を図7を併用して説明する。第1電源ラインVDD1に、バッテリー等の直流電源から、例えば、第1電源電圧VDD1=3vが供給され、時刻T1にチャージポンプ10がオンし、チャージポンプ10が完全に昇圧し終わった後の時刻T2には、チャージポンプ10から第2電源ラインVDD2に、電源電圧VDD1の2倍の昇圧電圧VDD2=2×VDD1=6vが出力されている。この時刻T2に制御信号入力端子Vcに"H"レベルの制御信号Vcが入力されるとオペアンプ21はオンし、第2電源ラインVDD2からの電源電圧VDD2=6vがオペアンプ21のMOSトランジスタM6に電源入力され、MOSトランジスタM6からの電流により平滑コンデンサ24が充電される。そして、分圧回路22の分圧抵抗R1,R2が、例えばR1/R2=1に設定されて、分圧電圧が基準電圧Vref、例えば、Vref=2.5vに等しくなるようにレギュレートされて、時刻T3に出力端子VoutからVout=Vref(1+R1/R2)=2.5×(1+1)=5vのレギュレート電圧が出力される。
ところで、従来の電源回路100は、レギュレータ20がチャージポンプ10の負荷を構成しており、レギュレータ20が時刻T2にオンしたとき、チャージポンプ10からの昇圧電圧VDD2がオペアンプ21のMOSトランジスタM6に電源入力され、MOSトランジスタM6からの電流により平滑コンデンサ24が充電されるが、チャージポンプ10出力は一定の出力抵抗を持っており、このとき、図7に示すように、昇圧電圧VDD2は過渡的に降下する。チャージポンプ10は、この降下電圧が大き過ぎると、チャージポンプ10が立ち下がったままになったり、他の電圧との関係でラッチアップが発生したりする虞があり、これを防止するために、チャージポンプの負荷駆動能力を大きくする必要があり、この電源回路を構成する半導体集積回路のチップサイズが大きくなるという問題があった。
従って、本発明の目的は、レギュレータ立ち上がり時のチャージポンプの電圧降下を小さくした電源回路を提供することである。
Incidentally, in the conventional
Therefore, an object of the present invention is to provide a power supply circuit in which the voltage drop of the charge pump when the regulator is started up is reduced.
本発明の電源回路は、チャージポンプからの昇圧電圧をオペアンプを構成するMOSトランジスタに電源入力し、制御信号によりオペアンプをオンしてオペアンプの出力端にレギュレート電圧を出力する電源回路において、前記MOSトランジスタが相対的に小さい第1トランジスタと大きい第2トランジスタに分割構成され、第2トランジスタのオンを第1トランジスタのオンより遅延させることを特徴とする。
また、本発明の電源回路は、第1電源ラインから電源入力して昇圧電圧を第2電源ラインに出力するチャージポンプと、第2電源ラインから電源入力して出力端子にレギュレート電圧を出力するレギュレータとを具備し、レギュレータが、前記第2電源ラインから内部のMOSトランジスタに電源入力され、前記レギュレート電圧を出力するオペアンプと、オペアンプの出力端と接地ライン間に接続された平滑コンデンサと、オペアンプ出力端の電位を分圧しその分圧電圧をオペアンプの反転入力端に供給する分圧回路と、オペアンプの非反転入力端に基準電圧を供給する基準電圧源とを有する電源回路において、前記MOSトランジスタが相対的に小さい第1トランジスタと大きい第2トランジスタに分割構成され、第1トランジスタのゲートに第2トランジスタのゲートがアナログスイッチを介して共通接続され、 第1制御信号により前記オペアンプがオンし、第1制御信号より遅延した第2制御信号により前記アナログスイッチがオンすることを特徴とする。
上記手段によれば、第2電源ラインの電圧VDD2がオペアンプのMOSトランジスタに電源入力され、オペアンプの出力端にレギュレート電圧を出力するとき、MOSトランジスタが相対的に小さい第1トランジスタと大きい第2トランジスタに分割構成され、先ず、オン抵抗の大きい第1トランジスタのみで出力するので、そのとき、第2電源ラインVDD2の電圧降下を少なくして、レギュレータを立ち上げることができ、その後、第1トランジスタと第2トランジスタとで出力しても、第2電源ラインVDD2の電圧降下を抑えることができる。
The power supply circuit of the present invention is a power supply circuit in which a boosted voltage from a charge pump is input to a MOS transistor constituting an operational amplifier, the operational amplifier is turned on by a control signal, and a regulated voltage is output to the output terminal of the operational amplifier. The transistor is divided into a relatively small first transistor and a large second transistor, and the on-state of the second transistor is delayed from the on-state of the first transistor.
In addition, the power supply circuit of the present invention inputs a power supply from the first power supply line and outputs a boosted voltage to the second power supply line, and inputs a power supply from the second power supply line and outputs a regulated voltage to the output terminal. A regulator, and the regulator is supplied with power from the second power supply line to an internal MOS transistor and outputs the regulated voltage; a smoothing capacitor connected between the output terminal of the operational amplifier and the ground line; In the power supply circuit having the voltage dividing circuit for dividing the potential of the operational amplifier output terminal and supplying the divided voltage to the inverting input terminal of the operational amplifier, and the reference voltage source for supplying the reference voltage to the non-inverting input terminal of the operational amplifier, the MOS The transistor is divided into a relatively small first transistor and a large second transistor. The gates of the second transistors are commonly connected to each other through an analog switch, the operational amplifier is turned on by a first control signal, and the analog switch is turned on by a second control signal delayed from the first control signal. To do.
According to the above means, when the voltage VDD2 of the second power supply line is inputted to the MOS transistor of the operational amplifier and the regulated voltage is output to the output terminal of the operational amplifier, the MOS transistor has a relatively small first transistor and a large second transistor. Since it is divided into transistors and output is performed by only the first transistor having a high on-resistance, the voltage drop of the second power supply line VDD2 can be reduced at that time, and the regulator can be started up. Thereafter, the first transistor And the second transistor, the voltage drop of the second power supply line VDD2 can be suppressed.
本発明によれば、従来の電源回路よりもレギュレータ立ち上がり時におけるチャージポンプ出力電位の降下を少なくでき、ラッチアップ等の問題が起きにくくなる。従って、チャージポンプの負荷駆動能力を大きくする必要がなくなり、この電源回路を構成する半導体集積回路のチップサイズを小さくできる。 According to the present invention, the drop of the charge pump output potential at the time of regulator startup can be reduced as compared with the conventional power supply circuit, and problems such as latch-up are less likely to occur. Therefore, it is not necessary to increase the load driving capability of the charge pump, and the chip size of the semiconductor integrated circuit constituting this power supply circuit can be reduced.
以下に、本発明の一実施形態の電源回路200について図1を参照して説明する。尚、図4に示すものと基本的な構成が同一のものについては同一符号を付して、その説明を省略する。図4に示す従来の電源回路100と異なる点は、レギュレータ20に替わりレギュレータ30を有し、レギュレータ30は、オペアンプ21に替わりオペアンプ31を有している点である。また、オペアンプ31がオペアンプ21と異なる点は、基本回路例を図2に示すように、オペアンプ31の電源入力端と出力端間のMOSトランジスタとして、MOSトランジスタM6に替わりMOSトランジスタM8を有している点である。MOSトランジスタM8は、相対的に小さい第1MOSトランジスタM81と大きい第2MOSトランジスタM82とが並列接続で分割構成されている。例えば、MOSトランジスタM8のゲート幅は12000μmで、第1MOSトランジスタM81と第2MOSトランジスタM82とは、例えば、2000μmと10000μmのゲート幅に分割構成される。第2MOSトランジスタM82のゲートは、アナログスイッチSWを介して第1MOSトランジスタM81のゲートに共通接続されている。また、オペアンプ31は、オン/オフ制御端子21aと同一機能のオン/オフ制御端子31aと、アナログスイッチSWのオン/オフ制御端子31bとを有している。オン/オフ制御端子31aは制御信号入力端子Vc1に接続され、オン/オフ制御端子31bは制御信号入力端子Vc2に接続されている。制御信号入力端子Vc2には、制御信号入力端子Vc1に供給される制御信号Vc1より所定時間遅延した制御信号Vc2が供給される。
Hereinafter, a
この電源回路200は、1チップの半導体集積回路で構成され、チャージポンプ10を構成する昇圧コンデンサ11および平滑コンデンサ12とレギュレータ30を構成する平滑コンデンサ24とは、半導体集積回路に外付け素子として接続される。チャージポンプ10へのクロック信号CLK入力は、半導体集積回路の外部から供給してもよいし、または半導体集積回路内部で発振回路により供給してもよい。また、制御信号入力端子Vc1への制御信号入力は、半導体集積回路の外部から供給してもよいし、または半導体集積回路内部に構成される発振回路の出力を同じく内部に構成されるタイミング発生回路に供給し、そのタイミング発生回路で生成されるタイミング信号を供給してもよい。また、制御信号入力端子Vc2への制御信号Vc2の入力は、半導体集積回路の外部から供給してもよいし、または半導体集積回路の内部回路により供給してもよい。
The
上記構成の電源回路200の動作を図3を併用して説明する。第1電源ラインVDD1に、バッテリー等の直流電源から、例えば、第1電源電圧VDD1=3vが供給され、時刻T1にチャージポンプ10がオンし、チャージポンプ10が完全に昇圧し終わった後の時刻T2には、チャージポンプ10から第2電源ラインVDD2に、電源電圧VDD1の2倍の昇圧電圧VDD2=2×VDD1=6vが出力され、第2電源ラインVDD2からの電源電圧VDD2=6vがレギュレータ30に供給された状態となっている。この時刻T2に制御信号入力端子Vc1に"H"レベルの制御信号Vc1が入力されるとレギュレータ30はオンし、第2電源ラインVDD2からの電源電圧VDD2=6vがオペアンプ31のMOSトランジスタM81に電源入力され、MOSトランジスタM81からの電流により平滑コンデンサ24が充電される。このとき、MOSトランジスタM81はMOSトランジスタM82よりオン抵抗が高いため、平滑コンデンサ24への充電が従来の電源回路100に較べて緩慢に行われ、平滑コンデンサ24への充電による第2電源ラインVDD2の電圧降下は、従来の電源回路100に較べて小さく抑えることができる。
The operation of the
次に、分圧回路22の分圧抵抗R1,R2が、例えばR1/R2=1に設定されて、分圧電圧が基準電圧Vref、例えば、Vref=2.5vに等しくなるようにレギュレートされて、出力端子Voutの電位がVout=Vref(1+R1/R2)=2.5×(1+1)=5vのレギュレート電圧近くまで十分に立ち上がる、時刻T2から遅延時間td経過後の時刻T4に、制御信号入力端子Vc2に"H"レベルの制御信号Vc2が入力されるとアナログスイッチSWがオン制御されて、電源電圧VDD2=6vがMOSトランジスタM82にも電源入力され、以降、MOSトランジスタM81とM82からの合計電流により、レギュレートされて、出力端子VoutからVout=5vのレギュレート電圧が出力される。
Next, the voltage dividing resistors R1 and R2 of the
以上のように、第1電源ラインVDD1からチャージポンプ10に電源入力し、チャージポンプ10から第2電源ラインVDD2に出力した昇圧電圧をレギュレータ30のオペアンプ31を構成するMOSトランジスタM8に電源入力し、制御信号Vc1によりオペアンプ31をオンしてオペアンプ31の出力端にレギュレート電圧を出力する電源回路200において、MOSトランジスタM8が相対的に小さい第1MOSトランジスタM81と大きい第2MOSトランジスタM82に分割構成され、第2MOSトランジスタM82のオンを第1MOSトランジスタM81のオンより所定時間td遅延させるようにしたので、オペアンプ31の立ち上がり時における第2電源ラインVDD2の電圧降下を少なくできる。
As described above, power is input from the first power supply line VDD1 to the
尚、上記実施例では、チャージポンプを2倍昇圧型を例に説明したが、他の整数倍昇圧型のチャージポンプに適用することもできる。また、チャージポンプを正のチャージポンプを例に説明したが、負のチャージポンプに適用することもできる。 In the above embodiment, the charge pump has been described as an example of the double boost type, but it can be applied to other integer multiple boost type charge pumps. Further, although the charge pump has been described by taking a positive charge pump as an example, it can also be applied to a negative charge pump.
VDD1 第1電源ライン
VDD2 第2電源ライン
10 チャージポンプ
22 分圧回路
23 基準電圧源
24 平滑コンデンサ
25 NチャネルMOSトランジスタ(プルダウンスイッチ)
26 インバータ
30 レギュレータ
31 オペアンプ
M8 PチャネルMOSトランジスタ
M81 第1MOSトランジスタ(第1トランジスタ)
M82 第2MOSトランジスタ(第2トランジスタ)
SW アナログスイッチ
200 電源回路
VDD1 First power supply line VDD2 Second
26
M82 Second MOS transistor (second transistor)
Claims (2)
前記MOSトランジスタが相対的に小さい第1トランジスタと大きい第2トランジスタに分割構成され、第2トランジスタのオンを第1トランジスタのオンより遅延させることを特徴とする電源回路。 In a power supply circuit that inputs a boosted voltage from a charge pump to a MOS transistor constituting an operational amplifier, turns on the operational amplifier by a control signal, and outputs a regulated voltage to the output terminal of the operational amplifier.
The power supply circuit according to claim 1, wherein the MOS transistor is divided into a relatively small first transistor and a large second transistor, and the ON of the second transistor is delayed from the ON of the first transistor.
レギュレータが、前記第2電源ラインから内部のMOSトランジスタに電源入力され、前記レギュレート電圧を出力するオペアンプと、オペアンプの出力端と接地ライン間に接続された平滑コンデンサと、オペアンプ出力端の電位を分圧しその分圧電圧をオペアンプの反転入力端に供給する分圧回路と、オペアンプの非反転入力端に基準電圧を供給する基準電圧源とを有する電源回路において、
前記MOSトランジスタが相対的に小さい第1トランジスタと大きい第2トランジスタに分割構成され、第1トランジスタのゲートに第2トランジスタのゲートがアナログスイッチを介して共通接続され、
第1制御信号により前記オペアンプがオンし、第1制御信号より遅延した第2制御信号により前記アナログスイッチがオンすることを特徴とする電源回路。 A charge pump that inputs power from the first power line and outputs a boosted voltage to the second power line; and a regulator that inputs power from the second power line and outputs a regulated voltage to the output terminal,
A regulator receives power from the second power supply line to an internal MOS transistor and outputs the regulated voltage; a smoothing capacitor connected between the output terminal of the operational amplifier and the ground line; and a potential at the operational amplifier output terminal In a power supply circuit having a voltage dividing circuit that divides and supplies the divided voltage to the inverting input terminal of the operational amplifier, and a reference voltage source that supplies a reference voltage to the non-inverting input terminal of the operational amplifier,
The MOS transistor is divided into a relatively small first transistor and a large second transistor, the gate of the second transistor is commonly connected to the gate of the first transistor via an analog switch,
The power supply circuit, wherein the operational amplifier is turned on by a first control signal, and the analog switch is turned on by a second control signal delayed from the first control signal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Family
ID=34265116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2005044203A (en) |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050119 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20050512 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
RD01 | Notification of change of attorney |
Effective date: 20070704 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091008 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091013 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20100126 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |