JP2005044203A - Power supply circuit - Google Patents

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Fumio Tonomura
文男 外村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a transitional drop of output potential of a charge pump when a regulator constituting a load of the charge pump is turned on. <P>SOLUTION: In this power supply circuit 200 for inputting a power source from a first power source line VDD1 to the charge pump 10, for inputting a booth voltage VDD2 as a power source outputted from the charge pump 10 to a second power source line VDD2 to a MOS transistor M8 for an operation amplifier 31 constituting the regulator 30, and for outputting a regulate voltage Vout from the operation amplifier 31, the MOS transistor M8 is constructed to be divided into a relatively small first MOS transistor M81 and a relatively large second MOS transistor M82, and a smooth capacitor 24 is charged by an electric current from the first MOS transistor M81 synchronously with a control signal Vc1. An analog switch SW is controlled to be turned on synchronously with a control signal Vc2 delayed by a delay time td from the control signal Vc1, and subsequently, a regulate voltage is regulated by a total current from the MOS transistors M81 and M82 to be outputted from an output terminal Vout. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、第1電源ラインから電源入力して昇圧電圧を第2電源ラインに出力するチャージポンプと、第2電源ラインから電源入力して出力端子にレギュレート電圧を出力するレギュレータとを具備した電源回路に関する。   The present invention includes a charge pump that inputs power from a first power line and outputs a boosted voltage to a second power line, and a regulator that inputs power from the second power line and outputs a regulated voltage to an output terminal. It relates to a power supply circuit.

従来のこの種の電源回路100(例えば、特許文献1を参照)について図4を参照して説明する。電源回路100は、クロック信号CLKに同期して充放電動作して昇圧電圧を出力するチャージポンプ10と、チャージポンプ10の出力電圧を電源入力してレギュレート電圧Voutを出力するレギュレータ20とで構成されている。 A conventional power supply circuit 100 of this type (see, for example, Patent Document 1) will be described with reference to FIG. The power supply circuit 100 includes a charge pump 10 that performs a charge / discharge operation in synchronization with a clock signal CLK and outputs a boosted voltage, and a regulator 20 that inputs the output voltage of the charge pump 10 and outputs a regulated voltage Vout. Has been.

チャージポンプ10は、図5に一例を示すように、2倍昇圧型で構成され、昇圧コンデンサ11、平滑コンデンサ12およびスイッチ13,14,15,16を有している。第1電源ラインVDD1と接地ラインGnd間にスイッチ13、昇圧コンデンサ11およびスイッチ14が直列接続されている。第1電源ラインVDD1と昇圧コンデンサ11およびスイッチ14の接続点間にスイッチ15が接続されている。スイッチ13および昇圧コンデンサ11の接続点と接地ラインGnd間にスイッチ16および平滑コンデンサ12が直列接続され、その直列接続点がチャージポンプ10の出力端として第2電源ラインVDD2に接続されている。スイッチ13,14とスイッチ15,16とは、クロック信号CLK入力により相補的にオン/オフ制御される。スイッチ13,14,15,16は、例えば、MOSトランジスタで構成される。   As shown in FIG. 5, the charge pump 10 is configured as a double boost type, and includes a boost capacitor 11, a smoothing capacitor 12, and switches 13, 14, 15, and 16. A switch 13, a boost capacitor 11, and a switch 14 are connected in series between the first power supply line VDD1 and the ground line Gnd. A switch 15 is connected between the connection points of the first power supply line VDD 1 and the boost capacitor 11 and the switch 14. A switch 16 and a smoothing capacitor 12 are connected in series between a connection point of the switch 13 and the boost capacitor 11 and the ground line Gnd, and the series connection point is connected to the second power supply line VDD2 as an output terminal of the charge pump 10. The switches 13 and 14 and the switches 15 and 16 are complementarily turned on / off by the input of the clock signal CLK. The switches 13, 14, 15, 16 are composed of, for example, MOS transistors.

チャージポンプ10の基本的な昇圧動作について説明する。先ず、"H"レベルのクロック信号CLK入力により、スイッチ13,14がオン、スイッチ15,16がオフになり、電源電圧VDD1により昇圧コンデンサ11が充電される。次に、"L"レベルのクロック信号CLK入力により、スイッチ13,14がオフ、スイッチ15,16がオンになり、昇圧コンデンサ11は放電し、昇圧コンデンサ11に充電された電圧に電源電圧VDDが加算された昇圧電圧が出力端子Voutから出力されるとともに平滑コンデンサ12に充電される。このオン/オフ制御が繰り返されて、チャージポンプ10の出力端から第2電源ラインVDD2に昇圧電圧VDD2が出力される。チャージポンプ10は、クロック信号CLK入力により、コンデンサ11,12の充電電圧が飽和するようにオン/オフ制御され、チャージポンプ10の出力端に第1電源電圧VDD1の2倍の昇圧電圧が出力される。   A basic boosting operation of the charge pump 10 will be described. First, the switches 13 and 14 are turned on and the switches 15 and 16 are turned off by the input of the “H” level clock signal CLK, and the boost capacitor 11 is charged by the power supply voltage VDD1. Next, when the clock signal CLK of “L” level is input, the switches 13 and 14 are turned off and the switches 15 and 16 are turned on, the boost capacitor 11 is discharged, and the power supply voltage VDD is added to the voltage charged in the boost capacitor 11. The added boosted voltage is output from the output terminal Vout and charged to the smoothing capacitor 12. This on / off control is repeated, and the boosted voltage VDD2 is output from the output terminal of the charge pump 10 to the second power supply line VDD2. The charge pump 10 is turned on / off by the input of the clock signal CLK so that the charging voltages of the capacitors 11 and 12 are saturated, and a boosted voltage twice as high as the first power supply voltage VDD1 is output to the output terminal of the charge pump 10. The

レギュレータ20は、図4に示すように、第2電源ラインVDD2からの電源電圧VDD2が電源入力され、レギュレート電圧Voutを出力するオペアンプ21と、オペアンプ21の出力端電位を分圧しその分圧電圧をオペアンプ21の反転入力端に供給する分圧抵抗R1,R2からなる分圧回路22と、オペアンプ21の非反転入力端に基準電圧Vrefを供給する基準電圧源23と、オペアンプ21の出力端と接地ラインGnd間に接続された平滑コンデンサ24とを有している。オペアンプ21は、チャージポンプ10が完全に昇圧し終わった後にオンするとともに、出力不要時は低消費電力化のためオフするように、オン/オフ制御端子21aを有している。オン/オフ制御端子21aは制御信号入力端子Vcに接続されている。さらに、レギュレータ20は、オペアンプ21がオフ時にオペアンプ21の出力端電位を接地電位VSSにプルダウンさせるためにオペアンプ21の出力端と接地ラインGnd間に接続されたプルダウンスイッチであるNチャネルMOSトランジスタ25と、制御信号入力端子VcとMOSトランジスタ25のゲート間に接続されたインバータ26とを有している。   As shown in FIG. 4, the regulator 20 is supplied with the power supply voltage VDD2 from the second power supply line VDD2, and outputs the regulated voltage Vout and the output terminal potential of the operational amplifier 21 to divide the divided voltage. Is provided to the inverting input terminal of the operational amplifier 21, the reference voltage source 23 that supplies the reference voltage Vref to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 21, and the output terminal of the operational amplifier 21. And a smoothing capacitor 24 connected between the ground lines Gnd. The operational amplifier 21 has an on / off control terminal 21a that is turned on after the charge pump 10 has fully boosted and is turned off to reduce power consumption when output is unnecessary. The on / off control terminal 21a is connected to the control signal input terminal Vc. Further, the regulator 20 includes an N-channel MOS transistor 25 which is a pull-down switch connected between the output terminal of the operational amplifier 21 and the ground line Gnd in order to pull down the output terminal potential of the operational amplifier 21 to the ground potential VSS when the operational amplifier 21 is off. And an inverter 26 connected between the control signal input terminal Vc and the gate of the MOS transistor 25.

オペアンプ21は、基本回路例を図6に示すように、PチャネルMOSトランジスタM1,M2とNチャネルMOSトランジスタM3〜M5とからなる差動増幅段と、PチャネルMOSトランジスタM6とNチャネルMOSトランジスタM7とからなる出力段とで構成され、図4にも示すように、第2電源ラインVDD2からの電源電圧VDD2がMOSトランジスタM6のソースに電源入力され、MOSトランジスタM6のドレインからレギュレート電圧Voutが出力される。   As shown in FIG. 6, the operational amplifier 21 includes a differential amplifier stage composed of P-channel MOS transistors M1 and M2 and N-channel MOS transistors M3 to M5, a P-channel MOS transistor M6 and an N-channel MOS transistor M7. As shown in FIG. 4, the power supply voltage VDD2 from the second power supply line VDD2 is supplied to the source of the MOS transistor M6, and the regulated voltage Vout is supplied from the drain of the MOS transistor M6. Is output.

この電源回路100は、1チップの半導体集積回路で構成され、チャージポンプ10を構成する昇圧コンデンサ11および平滑コンデンサ12とレギュレータ20を構成する平滑コンデンサ24とは、半導体集積回路に外付け素子として接続される。チャージポンプ10へのクロック信号CLK入力は、半導体集積回路の外部から供給されるか、または半導体集積回路内部に構成される発振回路から供給される。また、制御信号入力端子Vcへの制御信号入力は、半導体集積回路の外部から供給されるか、または半導体集積回路内部に構成される発振回路の出力が同じく内部に構成されるタイミング発生回路に供給され、そのタイミング発生回路からのタイミング信号が供給される。   The power supply circuit 100 is constituted by a one-chip semiconductor integrated circuit, and the boost capacitor 11 and the smoothing capacitor 12 constituting the charge pump 10 and the smoothing capacitor 24 constituting the regulator 20 are connected to the semiconductor integrated circuit as external elements. Is done. The clock signal CLK input to the charge pump 10 is supplied from the outside of the semiconductor integrated circuit or is supplied from an oscillation circuit configured inside the semiconductor integrated circuit. Also, the control signal input to the control signal input terminal Vc is supplied from the outside of the semiconductor integrated circuit, or the output of the oscillation circuit configured inside the semiconductor integrated circuit is supplied to the timing generation circuit configured similarly inside The timing signal from the timing generation circuit is supplied.

上記構成の電源回路100の動作を図7を併用して説明する。第1電源ラインVDD1に、バッテリー等の直流電源から、例えば、第1電源電圧VDD1=3vが供給され、時刻T1にチャージポンプ10がオンし、チャージポンプ10が完全に昇圧し終わった後の時刻T2には、チャージポンプ10から第2電源ラインVDD2に、電源電圧VDD1の2倍の昇圧電圧VDD2=2×VDD1=6vが出力されている。この時刻T2に制御信号入力端子Vcに"H"レベルの制御信号Vcが入力されるとオペアンプ21はオンし、第2電源ラインVDD2からの電源電圧VDD2=6vがオペアンプ21のMOSトランジスタM6に電源入力され、MOSトランジスタM6からの電流により平滑コンデンサ24が充電される。そして、分圧回路22の分圧抵抗R1,R2が、例えばR1/R2=1に設定されて、分圧電圧が基準電圧Vref、例えば、Vref=2.5vに等しくなるようにレギュレートされて、時刻T3に出力端子VoutからVout=Vref(1+R1/R2)=2.5×(1+1)=5vのレギュレート電圧が出力される。
特開2000−100187号公報(図1)
The operation of the power supply circuit 100 having the above configuration will be described with reference to FIG. A time after the first power supply voltage VDD1 = 3v, for example, is supplied to the first power supply line VDD1 from a DC power supply such as a battery, the charge pump 10 is turned on at time T1, and the charge pump 10 has completely boosted. At T2, the boosted voltage VDD2 = 2 × VDD1 = 6v that is twice the power supply voltage VDD1 is output from the charge pump 10 to the second power supply line VDD2. When the control signal Vc of “H” level is input to the control signal input terminal Vc at this time T2, the operational amplifier 21 is turned on, and the power supply voltage VDD2 = 6v from the second power supply line VDD2 is supplied to the MOS transistor M6 of the operational amplifier 21. The smoothing capacitor 24 is charged by the current input from the MOS transistor M6. Then, the voltage dividing resistors R1 and R2 of the voltage dividing circuit 22 are set to R1 / R2 = 1, for example, and the divided voltage is regulated to be equal to the reference voltage Vref, for example, Vref = 2.5v. At time T3, a regulated voltage of Vout = Vref (1 + R1 / R2) = 2.5 × (1 + 1) = 5v is output from the output terminal Vout.
Japanese Patent Laid-Open No. 2000-1000018 (FIG. 1)

ところで、従来の電源回路100は、レギュレータ20がチャージポンプ10の負荷を構成しており、レギュレータ20が時刻T2にオンしたとき、チャージポンプ10からの昇圧電圧VDD2がオペアンプ21のMOSトランジスタM6に電源入力され、MOSトランジスタM6からの電流により平滑コンデンサ24が充電されるが、チャージポンプ10出力は一定の出力抵抗を持っており、このとき、図7に示すように、昇圧電圧VDD2は過渡的に降下する。チャージポンプ10は、この降下電圧が大き過ぎると、チャージポンプ10が立ち下がったままになったり、他の電圧との関係でラッチアップが発生したりする虞があり、これを防止するために、チャージポンプの負荷駆動能力を大きくする必要があり、この電源回路を構成する半導体集積回路のチップサイズが大きくなるという問題があった。
従って、本発明の目的は、レギュレータ立ち上がり時のチャージポンプの電圧降下を小さくした電源回路を提供することである。
Incidentally, in the conventional power supply circuit 100, the regulator 20 constitutes the load of the charge pump 10, and when the regulator 20 is turned on at time T2, the boosted voltage VDD2 from the charge pump 10 supplies power to the MOS transistor M6 of the operational amplifier 21. The smoothing capacitor 24 is charged by the current input from the MOS transistor M6, but the output of the charge pump 10 has a constant output resistance. At this time, as shown in FIG. Descent. If the drop voltage is too large, the charge pump 10 may keep the charge pump 10 falling or latch up may occur in relation to other voltages. To prevent this, There is a problem that it is necessary to increase the load driving capability of the charge pump, and the chip size of the semiconductor integrated circuit constituting the power supply circuit is increased.
Therefore, an object of the present invention is to provide a power supply circuit in which the voltage drop of the charge pump when the regulator is started up is reduced.

本発明の電源回路は、チャージポンプからの昇圧電圧をオペアンプを構成するMOSトランジスタに電源入力し、制御信号によりオペアンプをオンしてオペアンプの出力端にレギュレート電圧を出力する電源回路において、前記MOSトランジスタが相対的に小さい第1トランジスタと大きい第2トランジスタに分割構成され、第2トランジスタのオンを第1トランジスタのオンより遅延させることを特徴とする。
また、本発明の電源回路は、第1電源ラインから電源入力して昇圧電圧を第2電源ラインに出力するチャージポンプと、第2電源ラインから電源入力して出力端子にレギュレート電圧を出力するレギュレータとを具備し、レギュレータが、前記第2電源ラインから内部のMOSトランジスタに電源入力され、前記レギュレート電圧を出力するオペアンプと、オペアンプの出力端と接地ライン間に接続された平滑コンデンサと、オペアンプ出力端の電位を分圧しその分圧電圧をオペアンプの反転入力端に供給する分圧回路と、オペアンプの非反転入力端に基準電圧を供給する基準電圧源とを有する電源回路において、前記MOSトランジスタが相対的に小さい第1トランジスタと大きい第2トランジスタに分割構成され、第1トランジスタのゲートに第2トランジスタのゲートがアナログスイッチを介して共通接続され、 第1制御信号により前記オペアンプがオンし、第1制御信号より遅延した第2制御信号により前記アナログスイッチがオンすることを特徴とする。
上記手段によれば、第2電源ラインの電圧VDD2がオペアンプのMOSトランジスタに電源入力され、オペアンプの出力端にレギュレート電圧を出力するとき、MOSトランジスタが相対的に小さい第1トランジスタと大きい第2トランジスタに分割構成され、先ず、オン抵抗の大きい第1トランジスタのみで出力するので、そのとき、第2電源ラインVDD2の電圧降下を少なくして、レギュレータを立ち上げることができ、その後、第1トランジスタと第2トランジスタとで出力しても、第2電源ラインVDD2の電圧降下を抑えることができる。
The power supply circuit of the present invention is a power supply circuit in which a boosted voltage from a charge pump is input to a MOS transistor constituting an operational amplifier, the operational amplifier is turned on by a control signal, and a regulated voltage is output to the output terminal of the operational amplifier. The transistor is divided into a relatively small first transistor and a large second transistor, and the on-state of the second transistor is delayed from the on-state of the first transistor.
In addition, the power supply circuit of the present invention inputs a power supply from the first power supply line and outputs a boosted voltage to the second power supply line, and inputs a power supply from the second power supply line and outputs a regulated voltage to the output terminal. A regulator, and the regulator is supplied with power from the second power supply line to an internal MOS transistor and outputs the regulated voltage; a smoothing capacitor connected between the output terminal of the operational amplifier and the ground line; In the power supply circuit having the voltage dividing circuit for dividing the potential of the operational amplifier output terminal and supplying the divided voltage to the inverting input terminal of the operational amplifier, and the reference voltage source for supplying the reference voltage to the non-inverting input terminal of the operational amplifier, the MOS The transistor is divided into a relatively small first transistor and a large second transistor. The gates of the second transistors are commonly connected to each other through an analog switch, the operational amplifier is turned on by a first control signal, and the analog switch is turned on by a second control signal delayed from the first control signal. To do.
According to the above means, when the voltage VDD2 of the second power supply line is inputted to the MOS transistor of the operational amplifier and the regulated voltage is output to the output terminal of the operational amplifier, the MOS transistor has a relatively small first transistor and a large second transistor. Since it is divided into transistors and output is performed by only the first transistor having a high on-resistance, the voltage drop of the second power supply line VDD2 can be reduced at that time, and the regulator can be started up. Thereafter, the first transistor And the second transistor, the voltage drop of the second power supply line VDD2 can be suppressed.

本発明によれば、従来の電源回路よりもレギュレータ立ち上がり時におけるチャージポンプ出力電位の降下を少なくでき、ラッチアップ等の問題が起きにくくなる。従って、チャージポンプの負荷駆動能力を大きくする必要がなくなり、この電源回路を構成する半導体集積回路のチップサイズを小さくできる。   According to the present invention, the drop of the charge pump output potential at the time of regulator startup can be reduced as compared with the conventional power supply circuit, and problems such as latch-up are less likely to occur. Therefore, it is not necessary to increase the load driving capability of the charge pump, and the chip size of the semiconductor integrated circuit constituting this power supply circuit can be reduced.

以下に、本発明の一実施形態の電源回路200について図1を参照して説明する。尚、図4に示すものと基本的な構成が同一のものについては同一符号を付して、その説明を省略する。図4に示す従来の電源回路100と異なる点は、レギュレータ20に替わりレギュレータ30を有し、レギュレータ30は、オペアンプ21に替わりオペアンプ31を有している点である。また、オペアンプ31がオペアンプ21と異なる点は、基本回路例を図2に示すように、オペアンプ31の電源入力端と出力端間のMOSトランジスタとして、MOSトランジスタM6に替わりMOSトランジスタM8を有している点である。MOSトランジスタM8は、相対的に小さい第1MOSトランジスタM81と大きい第2MOSトランジスタM82とが並列接続で分割構成されている。例えば、MOSトランジスタM8のゲート幅は12000μmで、第1MOSトランジスタM81と第2MOSトランジスタM82とは、例えば、2000μmと10000μmのゲート幅に分割構成される。第2MOSトランジスタM82のゲートは、アナログスイッチSWを介して第1MOSトランジスタM81のゲートに共通接続されている。また、オペアンプ31は、オン/オフ制御端子21aと同一機能のオン/オフ制御端子31aと、アナログスイッチSWのオン/オフ制御端子31bとを有している。オン/オフ制御端子31aは制御信号入力端子Vc1に接続され、オン/オフ制御端子31bは制御信号入力端子Vc2に接続されている。制御信号入力端子Vc2には、制御信号入力端子Vc1に供給される制御信号Vc1より所定時間遅延した制御信号Vc2が供給される。   Hereinafter, a power supply circuit 200 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that components having the same basic configuration as those shown in FIG. 4 differs from the conventional power supply circuit 100 shown in FIG. 4 in that a regulator 30 is provided instead of the regulator 20, and the regulator 30 includes an operational amplifier 31 instead of the operational amplifier 21. Further, the operational amplifier 31 is different from the operational amplifier 21 in that a MOS transistor M8 is provided instead of the MOS transistor M6 as a MOS transistor between the power supply input terminal and the output terminal of the operational amplifier 31 as shown in FIG. It is a point. The MOS transistor M8 is configured by dividing a relatively small first MOS transistor M81 and a large second MOS transistor M82 in parallel connection. For example, the gate width of the MOS transistor M8 is 12000 μm, and the first MOS transistor M81 and the second MOS transistor M82 are divided into gate widths of 2000 μm and 10,000 μm, for example. The gate of the second MOS transistor M82 is commonly connected to the gate of the first MOS transistor M81 via the analog switch SW. The operational amplifier 31 includes an on / off control terminal 31a having the same function as the on / off control terminal 21a and an on / off control terminal 31b of the analog switch SW. The on / off control terminal 31a is connected to the control signal input terminal Vc1, and the on / off control terminal 31b is connected to the control signal input terminal Vc2. A control signal Vc2 delayed by a predetermined time from the control signal Vc1 supplied to the control signal input terminal Vc1 is supplied to the control signal input terminal Vc2.

この電源回路200は、1チップの半導体集積回路で構成され、チャージポンプ10を構成する昇圧コンデンサ11および平滑コンデンサ12とレギュレータ30を構成する平滑コンデンサ24とは、半導体集積回路に外付け素子として接続される。チャージポンプ10へのクロック信号CLK入力は、半導体集積回路の外部から供給してもよいし、または半導体集積回路内部で発振回路により供給してもよい。また、制御信号入力端子Vc1への制御信号入力は、半導体集積回路の外部から供給してもよいし、または半導体集積回路内部に構成される発振回路の出力を同じく内部に構成されるタイミング発生回路に供給し、そのタイミング発生回路で生成されるタイミング信号を供給してもよい。また、制御信号入力端子Vc2への制御信号Vc2の入力は、半導体集積回路の外部から供給してもよいし、または半導体集積回路の内部回路により供給してもよい。   The power supply circuit 200 is constituted by a one-chip semiconductor integrated circuit, and the boost capacitor 11 and the smoothing capacitor 12 constituting the charge pump 10 and the smoothing capacitor 24 constituting the regulator 30 are connected to the semiconductor integrated circuit as external elements. Is done. The clock signal CLK input to the charge pump 10 may be supplied from the outside of the semiconductor integrated circuit, or may be supplied by an oscillation circuit inside the semiconductor integrated circuit. Further, the control signal input to the control signal input terminal Vc1 may be supplied from the outside of the semiconductor integrated circuit, or the output of the oscillation circuit configured inside the semiconductor integrated circuit is also configured inside the timing generating circuit. And a timing signal generated by the timing generation circuit may be supplied. Further, the input of the control signal Vc2 to the control signal input terminal Vc2 may be supplied from the outside of the semiconductor integrated circuit, or may be supplied by an internal circuit of the semiconductor integrated circuit.

上記構成の電源回路200の動作を図3を併用して説明する。第1電源ラインVDD1に、バッテリー等の直流電源から、例えば、第1電源電圧VDD1=3vが供給され、時刻T1にチャージポンプ10がオンし、チャージポンプ10が完全に昇圧し終わった後の時刻T2には、チャージポンプ10から第2電源ラインVDD2に、電源電圧VDD1の2倍の昇圧電圧VDD2=2×VDD1=6vが出力され、第2電源ラインVDD2からの電源電圧VDD2=6vがレギュレータ30に供給された状態となっている。この時刻T2に制御信号入力端子Vc1に"H"レベルの制御信号Vc1が入力されるとレギュレータ30はオンし、第2電源ラインVDD2からの電源電圧VDD2=6vがオペアンプ31のMOSトランジスタM81に電源入力され、MOSトランジスタM81からの電流により平滑コンデンサ24が充電される。このとき、MOSトランジスタM81はMOSトランジスタM82よりオン抵抗が高いため、平滑コンデンサ24への充電が従来の電源回路100に較べて緩慢に行われ、平滑コンデンサ24への充電による第2電源ラインVDD2の電圧降下は、従来の電源回路100に較べて小さく抑えることができる。   The operation of the power supply circuit 200 having the above configuration will be described with reference to FIG. A time after the first power supply voltage VDD1 = 3v, for example, is supplied to the first power supply line VDD1 from a DC power supply such as a battery, the charge pump 10 is turned on at time T1, and the charge pump 10 has completely boosted. At T2, the boosted voltage VDD2 = 2 × VDD1 = 6v, which is twice the power supply voltage VDD1, is output from the charge pump 10 to the second power supply line VDD2, and the power supply voltage VDD2 = 6v from the second power supply line VDD2 is applied to the regulator 30. Is in a state of being supplied. When the “H” level control signal Vc1 is input to the control signal input terminal Vc1 at this time T2, the regulator 30 is turned on, and the power supply voltage VDD2 = 6v from the second power supply line VDD2 is supplied to the MOS transistor M81 of the operational amplifier 31. The smoothing capacitor 24 is charged by the current input from the MOS transistor M81. At this time, since the MOS transistor M81 has a higher on-resistance than the MOS transistor M82, the smoothing capacitor 24 is charged more slowly than the conventional power supply circuit 100, and the second power supply line VDD2 is charged by charging the smoothing capacitor 24. The voltage drop can be suppressed as compared with the conventional power supply circuit 100.

次に、分圧回路22の分圧抵抗R1,R2が、例えばR1/R2=1に設定されて、分圧電圧が基準電圧Vref、例えば、Vref=2.5vに等しくなるようにレギュレートされて、出力端子Voutの電位がVout=Vref(1+R1/R2)=2.5×(1+1)=5vのレギュレート電圧近くまで十分に立ち上がる、時刻T2から遅延時間td経過後の時刻T4に、制御信号入力端子Vc2に"H"レベルの制御信号Vc2が入力されるとアナログスイッチSWがオン制御されて、電源電圧VDD2=6vがMOSトランジスタM82にも電源入力され、以降、MOSトランジスタM81とM82からの合計電流により、レギュレートされて、出力端子VoutからVout=5vのレギュレート電圧が出力される。   Next, the voltage dividing resistors R1 and R2 of the voltage dividing circuit 22 are set to R1 / R2 = 1, for example, and the divided voltage is regulated to be equal to the reference voltage Vref, for example, Vref = 2.5v. Thus, the control is performed from time T2 to time T4 after the elapse of the delay time td, when the potential of the output terminal Vout sufficiently rises to near the regulated voltage of Vout = Vref (1 + R1 / R2) = 2.5 × (1 + 1) = 5v. When the “H” level control signal Vc2 is input to the signal input terminal Vc2, the analog switch SW is turned on, and the power supply voltage VDD2 = 6v is also input to the MOS transistor M82. Thereafter, the MOS transistors M81 and M82 And the regulated voltage of Vout = 5v is output from the output terminal Vout.

以上のように、第1電源ラインVDD1からチャージポンプ10に電源入力し、チャージポンプ10から第2電源ラインVDD2に出力した昇圧電圧をレギュレータ30のオペアンプ31を構成するMOSトランジスタM8に電源入力し、制御信号Vc1によりオペアンプ31をオンしてオペアンプ31の出力端にレギュレート電圧を出力する電源回路200において、MOSトランジスタM8が相対的に小さい第1MOSトランジスタM81と大きい第2MOSトランジスタM82に分割構成され、第2MOSトランジスタM82のオンを第1MOSトランジスタM81のオンより所定時間td遅延させるようにしたので、オペアンプ31の立ち上がり時における第2電源ラインVDD2の電圧降下を少なくできる。   As described above, power is input from the first power supply line VDD1 to the charge pump 10, and the boosted voltage output from the charge pump 10 to the second power supply line VDD2 is input to the MOS transistor M8 constituting the operational amplifier 31 of the regulator 30, In the power supply circuit 200 that turns on the operational amplifier 31 by the control signal Vc1 and outputs the regulated voltage to the output terminal of the operational amplifier 31, the MOS transistor M8 is divided into a relatively small first MOS transistor M81 and a large second MOS transistor M82. Since the turn-on of the second MOS transistor M82 is delayed by a predetermined time td from the turn-on of the first MOS transistor M81, the voltage drop of the second power supply line VDD2 when the operational amplifier 31 rises can be reduced.

尚、上記実施例では、チャージポンプを2倍昇圧型を例に説明したが、他の整数倍昇圧型のチャージポンプに適用することもできる。また、チャージポンプを正のチャージポンプを例に説明したが、負のチャージポンプに適用することもできる。   In the above embodiment, the charge pump has been described as an example of the double boost type, but it can be applied to other integer multiple boost type charge pumps. Further, although the charge pump has been described by taking a positive charge pump as an example, it can also be applied to a negative charge pump.

本発明の一実施形態の電源回路200の回路図The circuit diagram of the power supply circuit 200 of one Embodiment of this invention 図1の電源回路200に用いられるオペアンプ31の一例の回路図。FIG. 2 is a circuit diagram of an example of an operational amplifier 31 used in the power supply circuit 200 of FIG. 1. 図1に示す電源回路200の動作を示す電圧波形図。FIG. 2 is a voltage waveform diagram showing the operation of the power supply circuit 200 shown in FIG. 1. 従来の電源回路100の回路図Circuit diagram of conventional power supply circuit 100 図1および図4の電源回路に用いられるチャージポンプ10の一例の回路図。FIG. 5 is a circuit diagram of an example of a charge pump 10 used in the power supply circuit of FIGS. 1 and 4. 図4の電源回路100に用いられるオペアンプ21の一例の回路図。FIG. 5 is a circuit diagram of an example of an operational amplifier 21 used in the power supply circuit 100 of FIG. 4. 図4に示す電源回路100の動作を示す電圧波形図。FIG. 5 is a voltage waveform diagram showing the operation of the power supply circuit 100 shown in FIG. 4.

符号の説明Explanation of symbols

VDD1 第1電源ライン
VDD2 第2電源ライン
10 チャージポンプ
22 分圧回路
23 基準電圧源
24 平滑コンデンサ
25 NチャネルMOSトランジスタ(プルダウンスイッチ)
26 インバータ
30 レギュレータ
31 オペアンプ
M8 PチャネルMOSトランジスタ
M81 第1MOSトランジスタ(第1トランジスタ)
M82 第2MOSトランジスタ(第2トランジスタ)
SW アナログスイッチ
200 電源回路
VDD1 First power supply line VDD2 Second power supply line 10 Charge pump 22 Voltage dividing circuit 23 Reference voltage source 24 Smoothing capacitor 25 N-channel MOS transistor (pull-down switch)
26 Inverter 30 Regulator 31 Operational amplifier M8 P-channel MOS transistor M81 First MOS transistor (first transistor)
M82 Second MOS transistor (second transistor)
SW Analog switch 200 Power supply circuit

Claims (2)

チャージポンプからの昇圧電圧をオペアンプを構成するMOSトランジスタに電源入力し、制御信号によりオペアンプをオンしてオペアンプの出力端にレギュレート電圧を出力する電源回路において、
前記MOSトランジスタが相対的に小さい第1トランジスタと大きい第2トランジスタに分割構成され、第2トランジスタのオンを第1トランジスタのオンより遅延させることを特徴とする電源回路。
In a power supply circuit that inputs a boosted voltage from a charge pump to a MOS transistor constituting an operational amplifier, turns on the operational amplifier by a control signal, and outputs a regulated voltage to the output terminal of the operational amplifier.
The power supply circuit according to claim 1, wherein the MOS transistor is divided into a relatively small first transistor and a large second transistor, and the ON of the second transistor is delayed from the ON of the first transistor.
第1電源ラインから電源入力して昇圧電圧を第2電源ラインに出力するチャージポンプと、第2電源ラインから電源入力して出力端子にレギュレート電圧を出力するレギュレータとを具備し、
レギュレータが、前記第2電源ラインから内部のMOSトランジスタに電源入力され、前記レギュレート電圧を出力するオペアンプと、オペアンプの出力端と接地ライン間に接続された平滑コンデンサと、オペアンプ出力端の電位を分圧しその分圧電圧をオペアンプの反転入力端に供給する分圧回路と、オペアンプの非反転入力端に基準電圧を供給する基準電圧源とを有する電源回路において、
前記MOSトランジスタが相対的に小さい第1トランジスタと大きい第2トランジスタに分割構成され、第1トランジスタのゲートに第2トランジスタのゲートがアナログスイッチを介して共通接続され、
第1制御信号により前記オペアンプがオンし、第1制御信号より遅延した第2制御信号により前記アナログスイッチがオンすることを特徴とする電源回路。
A charge pump that inputs power from the first power line and outputs a boosted voltage to the second power line; and a regulator that inputs power from the second power line and outputs a regulated voltage to the output terminal,
A regulator receives power from the second power supply line to an internal MOS transistor and outputs the regulated voltage; a smoothing capacitor connected between the output terminal of the operational amplifier and the ground line; and a potential at the operational amplifier output terminal In a power supply circuit having a voltage dividing circuit that divides and supplies the divided voltage to the inverting input terminal of the operational amplifier, and a reference voltage source that supplies a reference voltage to the non-inverting input terminal of the operational amplifier,
The MOS transistor is divided into a relatively small first transistor and a large second transistor, the gate of the second transistor is commonly connected to the gate of the first transistor via an analog switch,
The power supply circuit, wherein the operational amplifier is turned on by a first control signal, and the analog switch is turned on by a second control signal delayed from the first control signal.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005019955A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-02 Infineon Technologies Ag Load e.g. filament lamp, controlling module for use as high-side-module, has two control terminals, where one terminal applies control signal, and slew rate of edge is adjusted depending on signal with level transition of supply voltage
CN101872207A (en) * 2009-04-21 2010-10-27 瑞萨电子株式会社 Voltage modulator circuit
US8085012B2 (en) 2007-07-19 2011-12-27 Panasonic Corporation Semiconductor integrated circuit and sensor driving/measuring system
WO2012090449A1 (en) * 2010-12-28 2012-07-05 旭化成エレクトロニクス株式会社 Power supply circuit
US8619444B2 (en) 2011-04-20 2013-12-31 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Voltage booster system and semiconductor chip
CN104252193A (en) * 2013-06-28 2014-12-31 爱思开海力士有限公司 Voltage Stabilizer Soft Start

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005019955A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-02 Infineon Technologies Ag Load e.g. filament lamp, controlling module for use as high-side-module, has two control terminals, where one terminal applies control signal, and slew rate of edge is adjusted depending on signal with level transition of supply voltage
US7573287B2 (en) 2005-04-29 2009-08-11 Infineon Technologies Ag Variable drive module for driving a load
US8085012B2 (en) 2007-07-19 2011-12-27 Panasonic Corporation Semiconductor integrated circuit and sensor driving/measuring system
CN101872207A (en) * 2009-04-21 2010-10-27 瑞萨电子株式会社 Voltage modulator circuit
JP2010256968A (en) * 2009-04-21 2010-11-11 Renesas Electronics Corp Voltage regulator circuit
US8148960B2 (en) 2009-04-21 2012-04-03 Renesas Electronics Corporation Voltage regulator circuit
WO2012090449A1 (en) * 2010-12-28 2012-07-05 旭化成エレクトロニクス株式会社 Power supply circuit
CN103250336A (en) * 2010-12-28 2013-08-14 旭化成微电子株式会社 Power supply circuit
US9166476B2 (en) 2010-12-28 2015-10-20 Asahi Kasei Microdevices Corporation Charge extraction circuit for voltage converter
US8619444B2 (en) 2011-04-20 2013-12-31 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Voltage booster system and semiconductor chip
CN104252193A (en) * 2013-06-28 2014-12-31 爱思开海力士有限公司 Voltage Stabilizer Soft Start

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