JP2005039262A - 窒化ケイ素膜、半導体装置、表示装置、発光装置、発光表示装置及び窒化ケイ素膜の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマCVD法により窒化ケイ素膜を作製する方法において、成膜時に成膜チャンバ内にシラン(SiH4)と窒素(N2)と希ガス類のガスが供給され、反応圧力が0.01Torr以上0.1Torr以下であることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
以下にプラズマCVD法により基板温度80℃の条件下で緻密な窒化ケイ素膜を作製する方法について説明する。基板温度は低すぎるとプラズマの質が悪くなり良好な膜が形成できず、高すぎると下に形成された素子が劣化してしまうため、60℃〜85℃の間が良い。80℃は下層の素子へのダメージも小さく、プラズマの状態も良好であるので望ましい温度である。
本実施の形態では、膜質に大きな影響を及ぼすと考えられる成膜時のパラメータについて検討した結果を示す。なお、本発明の窒化ケイ素膜を成膜する際のパラメータはこれらの結果に基づいて決定した。
本実施の形態では本発明の窒化ケイ素膜を電界発光表示装置のパッシベーション膜として利用した例について図3を用いて説明する。
本実施の形態では、液滴吐出法により形成した補助配線のパッシベーション膜として本発明の窒化ケイ素膜を形成する例について図4を用いて説明する。図4(A)は図3にて作製した発光表示装置の上面概念図である。
本実施の形態では、本発明の一形態に相当する発光装置のパネルモジュールの外観について図5を用いて説明する。図5は基板上に形成されたトランジスタおよび発光素子を対向基板4006との間に形成したシール材によって封止したパネルの上面図である。
実施の形態5にその一例を示したようなモジュールを搭載した本発明の電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図6に示す。
Claims (27)
- 0.3atomic%以上の希ガス元素を有し、HFが4.7%、NH4Fが36.3%含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが30.0nm/min以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
- 0.3atomic%以上の希ガス元素と25atomic%未満の水素を有し、HFが4.7%、NH4Fが36.3%含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが30.0nm/min以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
- 0.3atomic%以上の希ガス元素と4.0atomic%以上の酸素を有し、HFが4.7%、NH4Fが36.3%含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが30.0nm/min以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
- 0.3atomic%以上の希ガス元素と4.0atomic%以上の酸素と25atomic%未満の水素を有し、HFが4.7%、NH4Fが36.3%含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが30.0nm/min以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
- 請求項2又は請求項4において、前記水素の濃度は20atomic%未満であることを特徴とする窒化ケイ素膜。
- 請求項3又は請求項4において、前記酸素の濃度は4.0atomic%以上、10atomic%未満であることを特徴とする窒化ケイ素膜。
- 請求項4において、前記水素の濃度は20atomic%未満であり且つ前記酸素の濃度は4.0atomic%以上、10atomic%未満であることを特徴とする窒化ケイ素膜。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記希ガス元素とはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンのうちいずれか一種であることを特徴とする窒化ケイ素膜。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、エッチングレートが20.0nm/min以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか一項の窒化ケイ素膜を用いたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか一項の窒化ケイ素膜を用いたことを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか一項の窒化ケイ素膜を用いたことを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか一項の窒化ケイ素膜を用いたことを特徴とする発光表示装置。
- 基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成され、当該薄膜トランジスタと電気的に接続する電界発光素子と、
前記電界発光素子を覆って形成された窒化ケイ素膜を有し、
前記窒化ケイ素膜が0.3atomic%以上の希ガス元素を有し且つHFが4.7%、NH4Fが36.3%含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが30.0nm/min以下の特性を有する窒化ケイ素膜であることを特徴とする発光表示装置。 - 基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成され、当該薄膜トランジスタと電気的に接続する電界発光素子と、
前記電界発光素子を覆って形成された窒化ケイ素膜を有し、
前記窒化ケイ素膜が0.3atomic%以上の希ガス元素と25atomic%未満の水素を有し、HFが4.7%、NH4Fが36.3%含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが30.0nm/min以下の特性を有する窒化ケイ素膜であることを特徴とする発光表示装置。 - 基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成され、当該薄膜トランジスタと電気的に接続する電界発光素子と、
前記電界発光素子を覆って形成された窒化ケイ素膜を有し、
前記窒化ケイ素膜が0.3atomic%以上の希ガス元素と4.0atomic%以上の酸素を有し、HFが4.7%、NH4Fが36.3%含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが30.0nm/min以下の特性を有する窒化ケイ素膜であることを特徴とする発光表示装置。 - 基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成され、当該薄膜トランジスタと電気的に接続する電界発光素子と、
前記電界発光素子を覆って形成された窒化ケイ素膜を有し、
前記窒化ケイ素膜が0.3atomic%以上の希ガス元素と4.0atomic%以上の酸素と25atomic%未満の水素を有し、HFが4.7%、NH4Fが36.3%含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが30.0nm/min以下の特性を有する窒化ケイ素膜であることを特徴とする発光表示装置。 - 請求項15又は請求項17において、前記水素の濃度は20atomic%未満であることを特徴とする発光表示装置。
- 請求項16又は請求項17において、前記酸素の濃度は4.0atomic%以上、10atomic%未満であることを特徴とする発光表示装置。
- 請求項17において、前記水素の濃度は20atomic%未満であり且つ前記酸素の濃度は4.0atomic%以上、10atomic%未満であることを特徴とする発光表示装置。
- 請求項14乃至請求項20のいずれか一項において、前記希ガス元素とはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンのうちいずれか一種であることを特徴とする発光表示装置。
- 請求項14乃至請求項20のいずれか一項において、前記窒化ケイ素膜のエッチングレートが20.0nm/min以下であることを特徴とする発光表示装置。
- プラズマCVD法を用いて窒化ケイ素膜を作製する方法であって、
成膜時に成膜チャンバ内にシランと窒素と希ガス類のガスが供給され、
反応圧力が0.01Torr以上0.1Torr以下であること、
を特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。 - プラズマCVD法を用いて窒化ケイ素膜を作製する方法であって、
成膜時に成膜チャンバ内にシランと窒素と希ガス類のガスが供給され、
反応圧力が0.01Torr以上0.1Torr以下であり、
反応温度が60℃以上85℃未満であること、
を特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。 - プラズマCVD法を用いて窒化ケイ素膜を作製する方法であって、
成膜時に成膜チャンバ内にシランと窒素と希ガス類のガスが供給され、
前記シランガスの前記窒素ガスと希ガス類のガスの和に対する流量比[シラン/(窒素+希ガス類)]が0.002以上0.006未満であり、
反応圧力が0.01Torr以上0.1Torr以下であること、
を特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。 - プラズマCVD法を用いて窒化ケイ素膜を作製する方法であって、
成膜時に成膜チャンバ内にシランと窒素と希ガス類のガスが供給され、
前記シランガスの前記窒素ガスと希ガス類のガスの和に対する流量比[シラン/(窒素+希ガス類)]が0.002以上0.006未満であり、
反応圧力が0.01Torr以上0.1Torr以下であり、
反応温度が60℃以上85℃未満であること、
を特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。 - 請求項23乃至請求項26のいずれか一項において希ガス類とはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンのうちいずれか一種であることを特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。
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