JP2005039262A5 - - Google Patents
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- ０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
- ０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素と２５ａｔｏｍｉｃ％未満の水素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
- ０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素と４．０ａｔｏｍｉｃ％以上の酸素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
- ０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素と４．０ａｔｏｍｉｃ％以上の酸素と２５ａｔｏｍｉｃ％未満の水素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
- 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記希ガス元素とはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンのうちいずれか一種であることを特徴とする窒化ケイ素膜。
- 請求項１乃至請求項５のいずれか一の窒化ケイ素膜を用いたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項１乃至請求項５のいずれか一の窒化ケイ素膜を用いたことを特徴とする表示装置。
- 請求項１乃至請求項５のいずれか一の窒化ケイ素膜を用いたことを特徴とする発光装置。
- 請求項１乃至請求項５のいずれか一の窒化ケイ素膜を用いたことを特徴とする発光表示装置。
- 基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され当該薄膜トランジスタと電気的に接続する電界発光素子と、前記電界発光素子を覆って形成された窒化ケイ素膜を有し、
前記窒化ケイ素膜が０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素を有し且つＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜であることを特徴とする発光表示装置。 - 基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され当該薄膜トランジスタと電気的に接続する電界発光素子と、前記電界発光素子を覆って形成された窒化ケイ素膜を有し、
前記窒化ケイ素膜が０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素と２５ａｔｏｍｉｃ％未満の水素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜であることを特徴とする発光表示装置。 - 基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され当該薄膜トランジスタと電気的に接続する電界発光素子と、前記電界発光素子を覆って形成された窒化ケイ素膜を有し、
前記窒化ケイ素膜が０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素と４．０ａｔｏｍｉｃ％以上の酸素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜であることを特徴とする発光表示装置。 - 基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され当該薄膜トランジスタと電気的に接続する電界発光素子と、前記電界発光素子を覆って形成された窒化ケイ素膜を有し、
前記窒化ケイ素膜が０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素と４．０ａｔｏｍｉｃ％以上の酸素と２５ａｔｏｍｉｃ％未満の水素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜であることを特徴とする発光表示装置。 - 請求項１０乃至請求項１３のいずれか一において、前記希ガス元素とはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンのうちいずれか一種であることを特徴とする発光表示装置。
- プラズマＣＶＤ法を用いた窒化ケイ素膜の作製方法であって、
成膜時に成膜チャンバ内にシランガスと窒素ガスと希ガス類のガスが供給され、反応圧力が０．０１Ｔｏｒｒ以上０．１Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。 - プラズマＣＶＤ法を用いた窒化ケイ素膜の作製方法であって、
成膜時に成膜チャンバ内にシランガスと窒素ガスと希ガス類のガスが供給され、反応圧力が０．０１Ｔｏｒｒ以上０．１Ｔｏｒｒ以下であり、反応温度が６０℃以上８５℃未満であることを特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。 - プラズマＣＶＤ法を用いた窒化ケイ素膜の作製方法であって、
成膜時に成膜チャンバ内にシランガスと窒素ガスと希ガス類のガスが供給され、前記シランガスの前記窒素ガスと希ガス類のガスの和に対する流量比［シラン／（窒素＋希ガス類）］が０．００２以上０．００６未満であり、反応圧力が０．０１Ｔｏｒｒ以上０．１Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。 - プラズマＣＶＤ法を用いた窒化ケイ素膜の作製方法であって、
成膜時に成膜チャンバ内にシランガスと窒素ガスと希ガス類のガスが供給され、前記シランガスの前記窒素ガスと希ガス類のガスの和に対する流量比［シラン／（窒素＋希ガス類）］が０．００２以上０．００６未満であり、反応圧力が０．０１Ｔｏｒｒ以上０．１Ｔｏｒｒ以下であり、反応温度が６０℃以上８５℃未満であることを特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。 - 請求項１５乃至請求項１８のいずれか一において希ガス類とはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンのうちいずれか一種であることを特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。
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| JP2004194168A JP4498840B2 (ja) | 2003-06-30 | 2004-06-30 | 窒化ケイ素膜の作製方法および発光装置の作製方法 |
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