JP2005038946A - 多層配線構造およびそれを用いた電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一の絶縁層1、第二の絶縁層2および第三の絶縁層3により構成される多層配線構造において、第一の絶縁層1上に設けられた第一の配線部と第二の絶縁層2上に設けられた第二の配線部との電気的な接続を、第二の絶縁層2に設けられた、一部に傾斜部4を有する貫通孔5に形成された導通配線部6により行なう。傾斜部4は、凸部15の上面に囲われる構成となる。
【効果】傾斜部4およびそれに繋がる第二の絶縁層2上に設けられらた導通配線部6が、凸部15の上面に保護されることで、信頼性の高い配線形成ができる。。また、信頼性の高い小型化および低背化に対応した電子部品を提供することが可能となる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層に構成された絶縁層に配線部を設ける多層配線構造、特に、その配線の電気的な導通を絶縁層に設けられた貫通孔を介して行なわれる多層配線構造およびそれを用いた電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、各種電子機器における小型化、低背化および高機能化の展開が進められるなか、これらに用いられる電子部品に対するその要求も、更に厳しくなる状況にある。これらの要求に対し、電子部品においては、様々な構造が提案されおり、その中でも、電子部品の構造を多層化する技術が必要とされてきた。
【0003】
この電子部品の構造を多層化する技術においては、その上下に位置する絶縁層に形成された配線部を電気的に接続させることが求められる。この時、絶縁層にビアホール部等を形成する。そのビアホール部に、導通配線部を形成することで、絶縁層の上下に形成された配線部の電気的な導通を確保する方法が展開されている。また、そのビアホール部に微細な配線部を形成する手法としては、スパッタリング法や蒸着法等が用いられる。しかし、ビアホール部の形状から、十分な膜厚の配線部を形成するには、生産性が低下する等の課題を有していた。
【0004】
そこで、このような課題を解決するために、次のような導通配線部のためのビアホール部を形成する方法が提案されている。この方法によれば、スパッタリング法や蒸着法による配線材料の形成が有利なようにと、絶縁層に形成するビアホール部の形状を、上部の開口部が下部の開口部に比較し、大きくする順テーパー形状とする。また、この順テーパー形状のビアホール部を形成する方法として、ビアホール部を形成する絶縁層に感光性樹脂を用いる(例えば特許文献1)。
【0005】
【特許文献1】
特開平5−190545号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記に説明した従来技術により形成されたビアホール部には、以下の問題が存在する。
【0007】
特許文献1において、絶縁層の上下に形成された配線部の電気的な導通を確保するための導通配線部として、ビアホール部に均一な導通膜が被覆される。
【0008】
この時、ビアホール部を形成する絶縁層には、感光性樹脂を用い、順テーパー形状を有するビアホール部が形成される。一方、多層の構造においては、ビアホール部に形成された導通配線部を有する絶縁層上に、更に別の絶縁層が形成される。この際、導通配線部として導通材料により被覆されたビアホール部の傾斜部に繋がる絶縁層の上部の縁において、その上面に構成される別の絶縁層との接触等による影響から断線する可能性を有する。これは、導通配線部における電気的な接続が断線するという課題を有することになる。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本発明の多層配線構造は、第一の絶縁層と、第一の絶縁層上に形成された第一の配線部と、第一の絶縁層上に形成された第二の絶縁層と、第二の絶縁層上に形成された第二の配線部と、第二の絶縁層に、第一の配線部と第二の配線部を電気的に接続する貫通孔とを備える多層配線構造であり、貫通孔は、その一部に第二の絶縁層の上部と下部とをつなぐ断面が順テーパー形状の滑らかな傾斜部を備え、傾斜部は、第三の配線部を備え、第三の配線部は、第一の配線部と第二の配線部を電気的に接続することを特徴とする多層配線構造である。
【0010】
また、第二の絶縁層は、感光性樹脂により構成され、貫通孔は、フォトリソグラフィー技術を用いて形成されることを特徴とする。また、第二の配線部を含む第二の絶縁層上に第三の絶縁層を備えることを特徴とする。
【0011】
また、上記した多層配線構造を用いることを特徴とする電子部品である。
【0012】
以上のような本発明の多層配線構造によれば、多層構造における高い信頼性を有する微細な導通配線部を容易に形成することが可能となる。また、これらを用いることにより、高い信頼性を有する小型化および低背化に対応した低コストな電子部品を提供することが可能となる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について添付図に基いて詳細に説明する。
【0014】
図1に、本発明の多層配線構造の一部平面図、図2は、図1におけるA−A部断面図を示す。
【0015】
図1および図2において、多層配線構造50は、第一の絶縁層1と、第二の絶縁層2と、第三の絶縁層3とを備える。
【0016】
第一の絶縁層1と第二の絶縁層2の上面には、第一の配線部と第二の配線部がそれぞれ形成されている(図示せず)。第二の絶縁層2には、第一絶縁層の上面に形成された第一の配線部と第二の絶縁層2の上面に形成された第二の配線部を電気的に接続するための貫通孔5を有する。貫通孔5は、側壁部7とその一部に第二の絶縁層2の上部と下部を繋ぐ、断面が順テーパー形状の滑らかな傾斜部4を備える。
【0017】
また、傾斜部4および側壁部7には、第一の絶縁層1の上面に形成された第一の配線部(図示せず)と第二の絶縁層2の上面に形成された第二の配線部(図示せず)とを電気的に接続するための導通配線部6が形成されている。また、第三の絶縁層3は、第二の絶縁層2の上面に形成された導通配線部6を覆い、第二の絶縁層2の上面に構成されている。
【0018】
以上のような構成により、第一の絶縁層1上に形成された第一の配線部と第二の絶縁層2に形成された第二の配線部を電気的に接続する導通配線部6の一部が第三の絶縁層3で覆われる。貫通孔5の側壁部7の上部の縁に形成された導通配線部6は、その構造により、第三の絶縁層3の形成時および後の実装時等の機械的ダメージを受け易く、断線する可能性を有する。しかし、貫通孔5の一部に形成された傾斜部4に繋がる第二の絶縁層2の上部の縁に形成される導通配線部6は、傾斜部4が形成されることにより側壁部7に構成される凸部15の上面に囲われる構成となる。この構成により、傾斜部4に繋がる第二の絶縁層2の上部の縁に形成された導通配線部6は、第三の絶縁層3による機械的なダメージから保護され、高い信頼性を有することになる。
【0019】
上記した本発明における多層配線構造の製造方法の詳細を図3に示す概略プロセスフローを用いて説明する。
【0020】
先ず、図3(a)に示すように、第一の絶縁層1、例えば圧電基板の上面に第二の絶縁層2として、ネガ型の感光性ポリイミドをスピンコーター等を用いて所定の膜厚で塗布する。その後、ホットプレート等で乾燥することにより、第二の絶縁層2を形成する。第一の絶縁層1は、圧電基板に限るものではなく、所望する機能に対応した絶縁層が選択させればよい。また、第二の絶縁層2についても、ネガ型の感光性ポリイミドに限定するものではなく、ポジ型でも構わない。但し、後述する内容には、その型に応じた設定が必要となる。
【0021】
また、第一の絶縁層1の上面には、機能性電極および配線等のパターン(図示せず)が形成されている。
【0022】
次に、所定のパターンが形成されたフォトリソマスクを介して、第二の絶縁層2を露光する。光源とし、例えば、波長を365nm、露光量を1200J/m2とした。次に、N−メチルピロリドンを主成分とする現像液を用い、現像処理を施す。その後、300℃、1時間のベーク処理を施すことで、図2(b)に示す、側壁部7と、その一部に傾斜部4とを有する貫通孔5が形成される。
【0023】
傾斜部4は、貫通孔5の第一の絶縁層1に接する側壁部7の下部から第二の絶縁層2の上部へと、その断面が順テーパー形状になるように形成されている。
【0024】
ここで、この際、用いたフォトリソマスクを、図4に示す一部概略図を用いて詳細に説明する。図4は、フォトマスクの一部を示すものである。
【0025】
図4に示すように、フォトリソマスク60は、クロム膜が形成された遮光部8と、透光部9と、透光率を50%に設定したグレートーン部10を有する。グレートーン部10は、その透光率が50%になるようにクロム膜をメッシュ状に配置した構造を備える。グレートーン部10は、メッシュ状パターンに限定するものではなく、ドット状パターン、線状パターンおよび半透明パターンを用いても構わない。
【0026】
フォトリソマスク60のグレートーン部10が、貫通孔5の傾斜部4に対応する。また、傾斜部4の形成は、そのグレートーン部10の透光率を連続的に変化させて形成してもよい。その時の透光率は、形成する傾斜部4の角度により決定されるが、0〜75%の範囲で設定されることが好ましい。
【0027】
次に図3(c)に示すように、所定のパターン形状を有する導通配線部6を形成する。この際、貫通孔5の傾斜部4は、その形状から十分な膜厚の導通配線部6が容易に形成される。
【0028】
次に、第二の絶縁層2の上面に形成された第二の配線部(図示せず)と導通配線部6を含む第二の絶縁層2の上面に第三の絶縁層3を形成することで、図3(d)に示す多層配線構造50が形成される。貫通孔5は第三の絶縁層3により覆われる。第三の絶縁層3は、シート状の感光性ポリイミドやを用いることが好ましい。また、第三の絶縁層3は、セラミクッスパッケージ等が用いられることもある。
【0029】
次に、上記した多層配線構造を用いた電子部品における一実施例の詳細を図5に示す概略断面図を用いて詳細を説明する。
【0030】
図5において、電子部品70は、第一の絶縁層1と、第二の絶縁層2と、第三の絶縁層3を有する。
【0031】
図5に示すように、第一の絶縁層1、例えば圧電基板上には、所望する機能を有するIDT電極部11、バスバーおよび接続部(図示せず)が形成されている。これらは、それぞれの機能に応じて電気的に接続されている。また、第一の絶縁層1の上面には、第二の絶縁層2が形成される。第二の絶縁層2は、IDT電極部11の上面に空間部12を構成する。
【0032】
更に、第一の絶縁層1上に形成された接続部と第二の絶縁層2上に形成された接続部(図示せず)との電気的な接続をとるための貫通孔5が形成されている。
【0033】
また、第二の絶縁層2に形成された貫通孔5は、その側壁部7の一部に断面が順テーパー形状の傾斜部4を備える。貫通孔5の側壁7、傾斜部4および第二の絶縁層2の上面には、所望するパターンを有する導通配線部6が形成されている。導通配線部6は、第一の絶縁層1上に形成された接続部と電気的な接続がなされている。
【0034】
第三の絶縁層3は、導通配線部13を有し、その一方主面で第二の絶縁層2上に形成された導通配線部6と電気的に接続されている。また、第三の絶縁層3の他方主面には、実装部14が形成されており、別の基板に実装される。
【0035】
この際、第二の絶縁層2に形成された貫通孔5において、その側壁部7の上部の縁に形成された導通配線部6は、第三の絶縁層3との接触または後の実装時等に生じる機械的なダメージ等を受けることにより、断線する可能性を有する。
【0036】
しかし、貫通孔5の一部に形成された傾斜部4に繋がる第二の絶縁層2の上部の縁に形成される導通配線部6は、傾斜部4が形成されることにより側壁部7に構成される凸部15の上面に囲われる構成となる。この構成により、傾斜部4に繋がる第二の絶縁層2の上部の縁に形成された導通配線部6は、第三の絶縁層3による機械的なダメージから保護され、高い信頼性を有することになる。
【0037】
また、第二の絶縁層2に実装部を形成し、直接別の基板、例えばセラミックスパッケージ等に実装されることもある。しかし、貫通孔5の一部に形成された傾斜部4に繋がる第二の絶縁層2の上部の縁に形成される導通配線部6は、傾斜部4が形成されることにより側壁部7に構成される凸部15の上面に囲われる構成となる。この構成により、傾斜部4に繋がる第二の絶縁層2の上部の縁に形成された導通配線部6は、別の基板による機械的なダメージから保護され、高い信頼性を有することになる。
【0038】
【発明の効果】
以上のような本発明の多層配線構造によれば、多層構造における高い信頼性を有する微細な導通配線部を容易に形成することが可能となる。また、これらを用いることにより、高い信頼性を有する小型化および低背化に対応した低コストな電子部品を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の多層配線構造の一実施例における概略平面図である。
【図2】本発明の多層配線構造の一実施例における概略断面図である。
【図3】本発明の多層配線構造の一実施例における概略製造プロセスである。
【図4】本発明の多層配線構造の一実施例に用いるフォトリソマスクにおける概略平面図である。
【図5】本発明の多層配線構造を用いた電子部品の一実施例における概略断面図である。
【符号の説明】
1…第一の絶縁層
2…第二の絶縁層
3…第三の絶縁層
4…傾斜部
5…貫通孔
6、13…導通配線部
7…側壁部
8…遮光部
9…透光部
10…グレートーン部
11…IDT電極
12…空間部
14…実装部
15…凸部
50…多層配線構造
60…フォトリソマスク
70…電子部品
Claims (4)
- 第一の絶縁層と、前記第一の絶縁層上に形成された第一の配線部と、前記第一の絶縁層上に形成された第二の絶縁層と、前記第二の絶縁層上に形成された第二の配線部と、前記第二の絶縁層に、前記第一の配線部と前記第二の配線部を電気的に接続する貫通孔とを備える多層配線構造であって、
前記貫通孔は、その一部に前記第二の絶縁層の上部と下部とをつなぐ断面が順テーパー形状の滑らかな傾斜部を備え、
前記傾斜部は、第三の配線部を備え、
前記第三の配線部は、前記第一の配線部と前記第二の配線部を電気的に接続することを特徴とする多層配線構造。 - 前記第二の絶縁層は、感光性樹脂により構成され、
前記貫通孔は、フォトリソグラフィー技術を用いて形成されることを特徴とする、請求項1に記載の多層配線構造。 - 前記第二の配線部を含む前記第二の絶縁層上に第三の絶縁層を備えることを特徴とする、請求項1または2に記載の多層配線構造。
- 前記請求項1乃至3に記載の多層配線構造を用いることを特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005038946A true JP2005038946A (ja) | 2005-02-10 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4655456B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008120511A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 液中物質検出センサー |
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A977 | Report on retrieval |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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