JP2005026236A - 真空マイクロ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 支持基板51と、支持基板上に形成されたカソードライン52と、カソードラインの表面の上面および側面に沿ってほぼ均一な厚さで形成された金属メッキ層56と、金属メッキ層中に一部分が埋設されたフラーレン又はカーボンナノチューブ57によって構成された突出部とによって形成されたエミッタと、エミッタに対して間隔をおいて設けられ、エミッタの電位との電位差によってエミッタから電子を放出させる引き出し電極54とを備える。
【選択図】 図6
Description
図1(a)〜図1(d)は、本発明の第1の実施形態に係る電界放出型冷陰極の製造プロセスを模式的に示した図である。
図4(a)〜図4(c)は、本発明の第2の実施形態に係る電界放出型冷陰極の製造プロセスを模式的に示した図である。
図5(a)〜(d)は、本発明の第3の実施形態に係る電界放出型冷陰極の製造プロセスを模式的に示した図である。
図6(a)〜図6(c)は、本発明の第4の実施形態に係る真空マイクロ装置の製造プロセスを模式的に示した図である。本真空マイクロ装置は、第1或いは第2の実施形態で示したようなメッキ法を用いた電界放出型冷陰極の製造方法を応用して作製される。
図7は、本発明の第5の実施形態に係る真空マイクロ装置として、平板型画像表示装置の一例を模式的に示した図である。本平板型画像表示装置は、第4の実施形態(図6参照)で示したような真空マイクロ装置を応用して作製される、すなわち、第1或いは第2の実施形態で示したようなメッキ法を用いた電界放出型冷陰極の製造方法を応用して作製される。
12、52…カソードライン
13a、13b…メッキ液
14…メッキ漕
15、33、56…金属メッキ層
16、57…カーボンナノチューブ
17、34…フラーレン
18…充填層
19…電極
31…Si単結晶基板
32…シリコン酸化膜
53…絶縁層
54…ゲート電極層
55…凹部
58…エミッタ
62…真空放電空間
63…スペーサ
64…アノード電極
65…蛍光体層
Claims (3)
- 支持基板と、
前記支持基板上に形成されたカソードラインと、
前記カソードラインの表面の上面および側面に沿ってほぼ均一な厚さで形成された金属メッキ層と、この金属メッキ層中に一部分が埋設されたフラーレン又はカーボンナノチューブによって構成された突出部とによって形成されたエミッタと、
前記エミッタに対して間隔をおいて設けられ、前記エミッタの電位との電位差によって前記エミッタから電子を放出させる引き出し電極と、
を備えたことを特徴とする真空マイクロ装置。 - 支持基板と、
前記支持基板上に形成されたカソードラインと、
前記カソードラインの表面の上面および側面に沿ってほぼ均一な厚さで形成された金属メッキ層と、この金属メッキ層中に一部分が埋設されたフラーレン又はカーボンナノチューブによって構成された突出部とによって形成されたエミッタと、
前記エミッタに対して間隔をおいて設けられた引き出し電極と、
前記支持基板に対向する対向基板と、
前記対向基板上に設けられ、前記エミッタの電位と前記引き出し電極の電位との電位差によって前記エミッタから放出された電子が到達することで発光する発光部と、
を備えたことを特徴とする真空マイクロ装置。 - 前記金属メッキ層は電気メッキ処理によって形成され、前記突出部を構成するカーボンナノチューブは前記カソードラインの上面に対して垂直方向に配向していることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空マイクロ装置。
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JP2012532435A (ja) * | 2009-07-06 | 2012-12-13 | ゼプター コーポレイション | カーボンナノチューブ複合材料構造及びその製造方法 |
CN103695877A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-04-02 | 湖南大学 | 高耐磨耐腐蚀碳纳米管/石墨烯增强镍磷基复合镀层的制备方法 |
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2004
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