JP2005019972A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005019972A5 JP2005019972A5 JP2004155506A JP2004155506A JP2005019972A5 JP 2005019972 A5 JP2005019972 A5 JP 2005019972A5 JP 2004155506 A JP2004155506 A JP 2004155506A JP 2004155506 A JP2004155506 A JP 2004155506A JP 2005019972 A5 JP2005019972 A5 JP 2005019972A5
- Authority
- JP
- Japan
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004155506A JP2005019972A (ja) | 2003-05-30 | 2004-05-26 | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003153756 | 2003-05-30 | ||
| JP2004155506A JP2005019972A (ja) | 2003-05-30 | 2004-05-26 | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005019972A JP2005019972A (ja) | 2005-01-20 |
| JP2005019972A5 true JP2005019972A5 (enExample) | 2007-06-07 |
Family
ID=34196572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004155506A Pending JP2005019972A (ja) | 2003-05-30 | 2004-05-26 | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005019972A (enExample) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258376A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Rohm Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP4963679B2 (ja) * | 2007-05-29 | 2012-06-27 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド用基体及びその製造方法、並びに該基体を用いる液体吐出ヘッド |
| JP7223941B2 (ja) * | 2020-12-18 | 2023-02-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| CN116936701B (zh) * | 2023-09-19 | 2023-12-01 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管外延片及制备方法、led芯片 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2601127B2 (ja) * | 1993-03-04 | 1997-04-16 | 日新電機株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP3141805B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2001-03-07 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3189877B2 (ja) * | 1997-07-11 | 2001-07-16 | 日本電気株式会社 | 低転位窒化ガリウムの結晶成長方法 |
| JP2000345349A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Anelva Corp | Ｃｖｄ装置 |
| JP4299393B2 (ja) * | 1999-01-20 | 2009-07-22 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4683730B2 (ja) * | 2001-01-04 | 2011-05-18 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子とこれを含む装置 |
-
2004
- 2004-05-26 JP JP2004155506A patent/JP2005019972A/ja active Pending