JP2005019639A - 光モジュール及び光増幅器 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体レーザ素子の発光波長とは異なる波長の外部雑音光による半導体レーザ素子への影響を抑えることができる光モジュール及び光増幅器を提供する。
【解決手段】光モジュール1aは、半導体レーザ素子34a、第1のアイソレータ41a、及び第2のアイソレータ54aを備えている。半導体レーザ素子34aの発光波長は、1.55μm帯に含まれる所定波長に設定されている。第1のアイソレータ41aは、中心波長が1.55μm帯に含まれるように設計されている。第2のアイソレータ54aは、中心波長が1.48μm帯に含まれるように設計されている。例えば光増幅器を含むシステムにおいて、1.48μm帯の励起光が外部雑音光として光モジュール1aに入射すると、第2のアイソレータ54aによって遮断される。
【選択図】 図1
【解決手段】光モジュール1aは、半導体レーザ素子34a、第1のアイソレータ41a、及び第2のアイソレータ54aを備えている。半導体レーザ素子34aの発光波長は、1.55μm帯に含まれる所定波長に設定されている。第1のアイソレータ41aは、中心波長が1.55μm帯に含まれるように設計されている。第2のアイソレータ54aは、中心波長が1.48μm帯に含まれるように設計されている。例えば光増幅器を含むシステムにおいて、1.48μm帯の励起光が外部雑音光として光モジュール1aに入射すると、第2のアイソレータ54aによって遮断される。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光を発生する光モジュール、及び該光モジュールを備える光増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信システムにおいては、例えば光モジュールから出射されたレーザ光が光ファイバ伝送路同士の融着部分などにおいて反射されること等により、光モジュールへの戻り光が発生する。この戻り光が光送信装置の半導体レーザ素子などへ外部雑音光として入射すると、半導体レーザ素子の発光特性に悪影響を及ぼすこととなる。従って、半導体レーザ素子に戻り光などの外部雑音光が入射することを防ぐために、外部雑音光を遮断するためのアイソレータが設けられる(例えば、特許文献1及び2参照)。アイソレータの遮光特性は外部雑音光の波長に依存するので、通常、レーザ光の波長に応じてアイソレータの遮光特性における中心波長が決定される。
【0003】
【特許文献1】
特開平07−107041号公報
【特許文献2】
特開平10−290050号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えば特許文献1及び2に開示された装置及び光モジュールにおいては、半導体レーザ素子の発光波長とは異なる波長の外部雑音光を遮断することに関しては何ら考慮されていない。発光波長よりも短波長の外部雑音光が半導体レーザ素子の活性層に入射すると、活性層内部のレーザ発振が擾乱されて半導体レーザ素子の発光特性が劣化する恐れがある。また、発光波長よりも長波長の外部雑音光は、活性層を透過してレーザ光強度をモニタするためのモニタ用受光素子へ入射する。これにより、モニタ用受光素子のモニタ精度が悪化し、半導体レーザ素子の発光状態を精度良く制御できない恐れがある。
【0005】
例えば、光通信システムが、希土類元素をドープした光ファイバを用いた光増幅器を備えているような場合に、上記した問題が顕著となる。すなわち、このような光通信システムにおいては、希土類元素を励起するための励起光を発生する励起光源が用いられるので、信号光を発生する光送信装置においては励起光が外部雑音光となり、励起光源においては信号光が外部雑音光となり得る。
【0006】
このような光通信システムにおいては、励起光の波長として1.48μm帯が用いられ、信号光の波長として1.55μ帯が用いられることが多い。ここで、図9は、中心波長が1.55μm帯のアイソレータの遮光特性の一例を示すグラフである。このグラフからわかるように、中心波長が1.55μm帯のアイソレータでは、1.48μm帯の外部雑音光を充分に遮断できない可能性がある。また、図示しないが、中心波長が1.48μm帯のアイソレータについても同様であり、1.55μm帯の外部雑音光を充分に遮断できない可能性がある。従って、光送信装置側のアイソレータは励起光に起因する外部雑音光を充分に遮断できないおそれがあり、充分に遮断できない場合にはレーザ発振が擾乱されて半導体レーザ素子の発光特性が劣化する。また、励起光源側のアイソレータは信号光に起因する外部雑音光を充分に遮断できないおそれがあり、充分に遮断できない場合には半導体レーザ素子の発光状態を精度良く制御できなくなる。
【0007】
本発明はこのような問題点を鑑みてなされたものであり、半導体レーザ素子の発光波長とは異なる波長の外部雑音光による半導体レーザ素子への影響を抑えることができる光モジュール及び光増幅器を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明による光モジュールは、レーザ光を発生する半導体レーザ素子と、レーザ光を伝搬する光ファイバと、レーザ光の光軸上に配置され、半導体レーザ素子からのレーザ光を通過させるとともに光ファイバからの光を遮断する第1のアイソレータ及び第2のアイソレータとを備え、第1のアイソレータが半導体レーザ素子の発光波長と同じ波長の光を遮断するように第1のアイソレータの中心波長が設定されており、第2のアイソレータが半導体レーザ素子の発光波長よりも短波長の光を遮断するように第2のアイソレータの中心波長が設定されていることを特徴とする。
【0009】
上記した光モジュールでは、半導体レーザ素子の発光波長よりも短い波長の外部雑音光が、第2のアイソレータにおいて遮断される。従って、半導体レーザ素子の発光波長よりも短い波長の外部雑音光が半導体レーザ素子に入射することを防止できるので、半導体レーザ素子内部のレーザ発振が擾乱される等、このような外部雑音光による半導体レーザ素子への影響を抑えることができる。
【0010】
また、光モジュールは、第1のアイソレータの中心波長が1.55μm帯に含まれており、第2のアイソレータの中心波長が1.48μm帯に含まれていることを特徴としてもよい。これによって、信号光波長が1.55μm帯であり、励起光波長が1.48μm帯である光通信システムの光送信装置において、信号光に起因する外部雑音光と励起光に起因する外部雑音光との双方を好適に遮断できる光モジュールを提供できる。
【0011】
また、本発明による光モジュールは、レーザ光を発生する半導体レーザ素子と、レーザ光を伝搬する光ファイバと、レーザ光の光軸上に配置され、半導体レーザ素子からのレーザ光を通過させるとともに光ファイバからの光を遮断する第1のアイソレータ及び第2のアイソレータと、レーザ光の光軸上において、半導体レーザ素子に対して光ファイバの反対側に配置された受光素子とを備え、第1のアイソレータが半導体レーザ素子の発光波長と同じ波長の光を遮断するように第1のアイソレータの中心波長が設定されており、第2のアイソレータが半導体レーザ素子の発光波長よりも長波長の光を遮断するように第2のアイソレータの中心波長が設定されていることを特徴とする。
【0012】
上記した光モジュールでは、半導体レーザ素子の発光波長よりも長い波長の外部雑音光が、第2のアイソレータにおいて遮断される。従って、半導体レーザ素子の発光波長よりも長い波長の外部雑音光が半導体レーザ素子を透過して受光素子に入射することを防止できるので、受光素子におけるレーザ光強度検出結果に基づいて半導体レーザ素子の発光状態を制御する際に、外部雑音光による影響を抑えることができる。
【0013】
また、光モジュールは、第1のアイソレータの中心波長が1.48μm帯に含まれており、第2のアイソレータの中心波長が1.55μm帯に含まれていることを特徴としてもよい。これによって、信号光波長が1.55μm帯であり、励起光波長が1.48μm帯である光通信システムの励起光源において、信号光に起因する外部雑音光と励起光に起因する外部雑音光との双方を好適に遮断できる光モジュールを提供できる。
【0014】
また、光モジュールは、レーザ光の光軸上に配置され、半導体レーザ素子からのレーザ光をコリメートする第1のレンズと、レーザ光の光軸上において第1のレンズと光ファイバとの間に配置され、第1のレンズによりコリメートされたレーザ光を集光して該レーザ光を光ファイバへ提供する第2のレンズとをさらに備え、第1のアイソレータ及び第2のアイソレータが、第1のレンズと第2のレンズとの間に設けられていることが好ましい。
【0015】
また、光モジュールは、レーザ光の光軸上に配置され、半導体レーザ素子からのレーザ光をコリメートする第1のレンズと、レーザ光の光軸上において第1のレンズと光ファイバとの間に配置され、第1のレンズによりコリメートされたレーザ光を集光して該レーザ光を光ファイバへ提供する第2のレンズとをさらに備え、第1のアイソレータが、第1のレンズと第2のレンズとの間に設けられており、第2のアイソレータが、第2のレンズと光ファイバとの間に設けられていることが好ましい。
【0016】
また、本発明による光増幅器は、光送信装置からの信号光を増幅する光増幅器であって、第1のアイソレータの中心波長が1.48μm帯に含まれており、第2のアイソレータの中心波長が1.55μm帯に含まれている光モジュールを有する励起光源と、光送信装置及び励起光源と光学的に結合されており、励起光源から励起光を受けることにより光送信装置からの信号光を増幅する増幅用光ファイバとを備えることを特徴とする。
【0017】
上記した光増幅器によれば、信号光波長が1.55μm帯であり、励起光波長が1.48μm帯である光増幅器の励起光源において、信号光に起因する外部雑音光と励起光に起因する外部雑音光との双方が好適に遮断される。従って、励起光源内部の半導体レーザ素子の発光状態を制御する際に、信号光に起因する外部雑音光による影響を抑えることができる光増幅器を実現できる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、以下の説明においては、光モジュールがレーザ光を出射する方向を前方と定義する。
【0019】
(第1の実施の形態)
図1は、本発明による光モジュールの第1実施形態を示す平面図である。また、図2は、図1に示す光モジュール1aのI−I断面を示す断面図である。
【0020】
図1及び図2を参照すると、光モジュール1aは、主要部3及びパッケージ5を備えている。パッケージ5は、本実施形態ではバタフライ型パッケージといった容器である。パッケージ5は、主要部3を収納しているパッケージ本体部5a、レーザ光を主要部3から光ファイバ59へ導く筒状部5b、及び複数のリードピン75a〜75nを備えている。主要部3は、パッケージ本体部5a内の底面上に配置されている。主要部3は、不活性ガス、例えば窒素ガスが封入された状態でパッケージ本体部5a内に封止されている。
【0021】
主要部3は、ペルチェ素子31、半導体レーザ素子34a、フォトダイオード36といった受光素子、第1のレンズ38、第1のアイソレータ41a、及びサーミスタ72といった温度検知素子を有している。また、主要部3は、搭載部材32、33、35、及び保持部材37を有している。第1のアイソレータ41a、第1のレンズ38、半導体レーザ素子34a、及びフォトダイオード36は、光ファイバ59の中心軸、及び半導体レーザ素子34aから出射されるレーザ光の光軸と一致する所定の軸70上に前から順に配置されている。また、第1のアイソレータ41aは、後述する第2のアイソレータ54aとともに、所定の軸70上において第1のレンズ38と第2のレンズ56(後述)との間に配置されている。
【0022】
半導体レーザ素子34aは、搭載部材33上に搭載されている。半導体レーザ素子34aは、活性層(図示せず)を有するとともに、該活性層を挟んで光共振器を構成する光出射面65および光反射面66(図2を参照)を有している。半導体レーザ素子34aの発光波長は、波長1.55μm帯の波長範囲のうちの所定波長となっている。すなわち、半導体レーザ素子34aの発光波長は半導体レーザ素子34aの活性層のバンドギャップ波長によって決まるので、半導体レーザ素子34aの活性層のバンドギャップ波長が1.55μm帯の波長範囲のうちの所定波長となっている。半導体レーザ素子34aのカソード端子は、配線パターン及びワイヤ44gを介してリードピン75cに電気的に接続されている。また、半導体レーザ素子34aのカソード端子は、配線パターン及びワイヤ44bを介してリードピン75jに電気的に接続されている。半導体レーザ素子34aのアノード端子は、配線パターン及びワイヤ44k、44aを介してリードピン75iに電気的に接続されている。
【0023】
リードピン75cは、光モジュール1aの外部に用意される電流生成回路(図示せず)に接続される。この電流生成回路は、半導体レーザ素子34aを発光させるためのバイアス電流を半導体レーザ素子34aに供給するための回路である。また、リードピン75jは、光モジュール1aの外部に用意される信号生成回路(図示せず)に電気的に接続される。この信号生成回路は、電流生成回路から送られるバイアス電流を変調して、半導体レーザ素子34aが送信光を生成するための周期的な電気信号を半導体レーザ素子34aに供給するための回路である。また、リードピン75iは、光モジュール1aの外部回路において基準電位(GND)に接続される。
【0024】
フォトダイオード36は、半導体レーザ素子34aが発生するレーザ光の光強度に応じた光強度信号を生成する受光素子である。フォトダイオード36は、半導体レーザ素子34aが発生するレーザ光を受けるための受光面36aを有している。フォトダイオード36は、半導体レーザ素子34aに対して光ファイバ59の反対側に位置するように、搭載部材35の側面上に搭載されている。搭載部材35は、フォトダイオード36の受光面36aが所定の軸70上において半導体レーザ素子34aの光反射面66と光学的に結合されるように、搭載部材32上に搭載されている。フォトダイオード36のカソード電極は、ワイヤ44j及び44fを介してリードピン75dに電気的に接続されている。フォトダイオード36のアノード電極は、配線パターン及びワイヤ44eを介してリードピン75eに電気的に接続されている。リードピン75d及び75eは、光モジュール1aの外部において電流生成回路に接続される。電流生成回路は、フォトダイオード36から受けた光強度信号に基づいて、半導体レーザ素子34aへの駆動電流量を制御する。
【0025】
第1のレンズ38は、半導体レーザ素子34aの光出射面65から出射されるレーザ光をコリメートするための光学部品である。第1のレンズ38は、所定の軸70上において半導体レーザ素子34aの光出射面65と光学的に結合されるように保持部材37に保持されている。保持部材37は、搭載部材32の支持部32aに保持されている。
【0026】
第1のアイソレータ41aは、光ファイバ59からの外部雑音光を遮断するための光学部品である。第1のアイソレータ41aは、所定の軸70上において第1のレンズ38の前方に配置され、第1のレンズ38を介して半導体レーザ素子34aの光出射面65と光学的に結合されている。
【0027】
ここで、図3は、第1のアイソレータ41aの外観を示す斜視図である。図3に示すように、第1のアイソレータ41aは円筒状を呈しており、その両端に光入射面80と光出射面81とを有している。光入射面80及び光出射面81にはレーザ光が通過するアパーチャ77が設けられている。光入射面80のアパーチャ77は、第1のレンズ38を介して半導体レーザ素子34aと光学的に結合されており、光出射面81のアパーチャ77は、後述する第2のアイソレータ54a及び第2のレンズ56を介して光ファイバ59と光学的に結合されている。第1のアイソレータ41aは、例えば2枚の偏光子、ファラデー素子、及び磁石(図示せず)を有しており、ファラデー効果を利用して、光入射面80のアパーチャ77から入射する光を通過するとともに、光出射面81のアパーチャ77から入射する光を遮断するように構成されている。第1のアイソレータ41aの中心波長は、半導体レーザ素子34aの発光波長と同じ波長の光を遮断するように設定されており、1.55μm帯に含まれている。第1のアイソレータ41aは、保持部材37に挿入されており、YAGレーザ溶接などによって固定されている。
【0028】
再び図1及び図2を参照すると、サーミスタ72は、搭載部材33上に配置されており、半導体レーザ素子34aの温度に応じた電気信号を生成するための素子である。サーミスタ72の一方の電極は、ワイヤ44hを介してリードピン75bに電気的に接続されている。また、サーミスタ72の他方の電極は、ワイヤ44iを介してリードピン75aに電気的に接続されている。ワイヤ44h及び44iは、光モジュール1aの外部に用意される温度制御回路(図示せず)に接続される。この温度制御回路は、サーミスタ72からの電気信号に基づいて、半導体レーザ素子34aの温度を制御するための温度制御信号を生成する回路である。
【0029】
ペルチェ素子31(図2参照)は、温度制御回路からの温度制御信号に基づいて、半導体レーザ素子34aの温度を変化させるための素子である。ペルチェ素子31は、パッケージ本体部5aの底面上に配置されている。ペルチェ素子31上には、搭載部材32が載置されている。ペルチェ素子31のアノード端子は、ワイヤ44dを介してリードピン75fに電気的に接続されている。ペルチェ素子31のカソード端子は、ワイヤ44cを介してリードピン75gに電気的に接続されている。リードピン75f及び75gは、温度制御回路に接続されており、温度制御信号を温度制御回路から受ける。
【0030】
パッケージ本体部5aの内壁には、筒状部5bに通じる部分に、ハーメチックガラス51で封止された光学的な窓が形成されている。パッケージ5の筒状部5bは、パッケージ本体部5aに通じる貫通孔を有する。この貫通孔を、半導体レーザ素子34aの光出射面65から光ファイバ59の端面59aへ伝搬するレーザ光が通過する。筒状部5bの先端部分には、筒状の保持部材53がYAGレーザ溶接などによって固定されている。保持部材53は、内部に第2のアイソレータ54aを保持している。
【0031】
第2のアイソレータ54aは、光ファイバ59からの外部雑音光を遮断するための光学部品である。第2のアイソレータ54aは、所定の軸70上において第1のアイソレータ41aの前方に配置され、第1のアイソレータ41a及び第1のレンズ38を介して半導体レーザ素子34aの光出射面65と光学的に結合されている。
【0032】
ここで、図4は、第2のアイソレータ54aの外観を示す斜視図である。図4に示すように、第2のアイソレータ54aは円筒状を呈しており、その両端に光入射面82と光出射面83とを有している。光入射面82及び光出射面83にはレーザ光が通過するアパーチャ79が設けられている。光入射面82のアパーチャ79は、第1のアイソレータ41a及び第1のレンズ38を介して半導体レーザ素子34aと光学的に結合されている。光出射面83のアパーチャ79は、後述する第2のレンズ56を介して光ファイバ59と光学的に結合されている。第2のアイソレータ54aは、第1のアイソレータ41aと同様に、例えば2枚の偏光子、ファラデー素子、及び磁石(図示せず)を有しており、ファラデー効果を利用して、光入射面82のアパーチャ79から入射する光を通過し、光出射面83のアパーチャ79から入射する光を遮断するように構成されている。第2のアイソレータ54aの中心波長は、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短波長の光を遮断するように設定されている。例えば、本実施形態の第2のアイソレータ54aの中心波長は、1.48μm帯に含まれるように設定されている。
【0033】
また、保持部材53の前面には、保持部材55がYAGレーザ溶接などによって固定されている。保持部材55は、内部に第2のレンズ56を保持している。
第2のレンズ56は、半導体レーザ素子34aの光出射面65から出射されるレーザ光を集光して光ファイバ59の端面59aに入射させるための光学部品である。第2のレンズ56は、所定の軸70上において、第2のアイソレータ54a、第1のアイソレータ41a、及び第1のレンズ38を介して半導体レーザ素子34aの光出射面65と光学的に結合されている。
【0034】
保持部材55の前面には、スリーブ57が固定されている。スリーブ57には所定の軸70に沿った貫通孔が形成されており、該貫通孔にフェルール58が挿入されている。フェルール58は光ファイバ59の端部を保持しており、スリーブ57の貫通孔にフェルール58が挿入されることによって、所定の軸70上において光ファイバ59の端面59aと第2のレンズ56とが光学的に結合される。
【0035】
以上が、光モジュール1aの詳細な構成である。次に、図5を参照しながら、光モジュール1aの動作について説明する。図5は、図1及び図2に示す光モジュール1aの光結合関係を簡略化したブロック図である。
【0036】
電流生成回路から半導体レーザ素子34aに電流が供給され、信号生成回路から半導体レーザ素子34aに変調信号が供給されると、半導体レーザ素子34aは、光出射面65からレーザ光L1を出射する。また、これと同時に、半導体レーザ素子34aは、光反射面66からモニタ光L2を出射する。モニタ光L2は、フォトダイオード36の受光面36aに入射する。フォトダイオード36は、モニタ光L2の光強度に応じた光強度信号を生成し、この光強度信号を電流生成回路に提供する。電流生成回路は、フォトダイオード36からの光強度信号に基づいて、半導体レーザ素子34aに供給する電流量を制御する。
【0037】
また、サーミスタ72(図1参照)は、半導体レーザ素子34aの温度を示す温度信号を生成し、この温度信号を温度制御回路に提供する。温度制御回路は、この温度信号に基づいて温度制御信号を生成し、この温度制御信号をペルチェ素子31に提供する。ペルチェ素子31は、温度制御回路からの温度制御信号に基づいて、半導体レーザ素子34aの温度を変化させる。こうして、半導体レーザ素子34aの温度が所定の一定温度に保たれる。
【0038】
半導体レーザ素子34aから出射されたレーザ光L1は、第1のレンズ38によってコリメートされ、第1のアイソレータ41aに順方向に入射する。そして、レーザ光L1は、第1のアイソレータ41aを通過し、第2のアイソレータ54aに順方向に入射する。レーザ光L1は、第2のアイソレータ54aを通過し、第2のレンズ56によって集光されて光ファイバ59の端面59aに入射する。レーザ光L1は、光ファイバ59を伝搬して光モジュール1aの外部へ提供される。
【0039】
ここで、光ファイバ59の先に接続された光ファイバの融着部分などにおいてレーザ光L1が反射することにより、或いは光ファイバ内部においてレーザ光L1がレーリー散乱することにより、レーザ光L1の戻り光が光ファイバ59を逆方向に伝搬して光モジュール1aに外部雑音光L3として入射する場合がある。
このような、レーザ光L1に起因する外部雑音光L3の波長はレーザ光L1の波長と同じなので、外部雑音光L3は第1のアイソレータ41aによって遮断される。すなわち、第1のアイソレータ41aの中心波長は、半導体レーザ素子34aの発光波長と同じ波長の光を遮断するように設定されている。従って、レーザ光L1の波長と同じ波長の外部雑音光L3は第1のアイソレータ41aにおいて遮断されることとなる。
【0040】
また、光モジュール1aが接続された光通信システムにおいて、レーザ光L1の1.55μm帯よりも短い波長帯のレーザ光が用いられている場合がある。例えば、光増幅器を備える光通信システムにおいて光モジュール1aが光送信装置に用いられている場合に、光増幅器の増幅用光ファイバを励起するために1.48μm帯といった波長帯のレーザ光が用いられている場合がある。このような場合には、この1.48μm帯のレーザ光が光ファイバ59を逆方向に伝搬して外部雑音光L4として光モジュール1aに入射する可能性がある。しかしながら、光モジュール1aにおいて、第2のアイソレータ54aの中心波長は、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短波長である1.48μm帯に含まれている。
従って、外部雑音光L4は第2のアイソレータ54aにおいて遮断されることとなる。
【0041】
以上に説明した本実施形態による光モジュール1aは、次の効果を有する。すなわち、本実施形態による光モジュール1aでは、半導体レーザ素子34aが発生するレーザ光L1に起因する外部雑音光L3が第1のアイソレータ41aにおいて遮断される。そして、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短い波長の外部雑音光L4が、第2のアイソレータ54aにおいて遮断される。従って、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短い波長の外部雑音光L4が半導体レーザ素子34aの活性層に入射することを防止できるので、半導体レーザ素子34aの活性層内部のレーザ発振が擾乱される等、外部雑音光L4による半導体レーザ素子34aへの影響を抑えることができる。
【0042】
また、本実施形態による光モジュール1aでは、第1のアイソレータ41aの中心波長が1.55μm帯に含まれており、第2のアイソレータ54aの中心波長が1.48μm帯に含まれている。これによって、信号光波長が1.55μm帯に含まれ、励起光波長が1.48μm帯に含まれる光通信システムにおいて、信号光を送信する光送信装置に光モジュール1aが用いられる場合に、信号光に起因する外部雑音光L3と励起光に起因する外部雑音光L4との双方を好適に遮断することができる。
【0043】
(第1の変形例)
続いて、上記した第1実施形態による光モジュール1aの変形例を説明する。本変形例による光モジュール1b(図1〜図5参照)は、上記した実施形態による光モジュール1aと以下の点で異なっている。すなわち、光モジュール1bは、半導体レーザ素子34aに代えて半導体レーザ素子34bを備えている。また、光モジュール1bは、第1のアイソレータ41aに代えて第1のアイソレータ41bを備えている。また、光モジュール1bは、第2のアイソレータ54aに代えて第2のアイソレータ54bを備えている。
【0044】
半導体レーザ素子34bは、以下の点を除いて第1実施形態の半導体レーザ素子34aと同様の構成及び機能を有している。すなわち、半導体レーザ素子34bの発光波長は、1.48μm帯のうちの所定波長となっている。
【0045】
また、第1のアイソレータ41bは、以下の点を除いて第1実施形態の第1のアイソレータ41aと同様の構成及び機能を有している。すなわち、第1のアイソレータ41bの中心波長は、半導体レーザ素子34bの発光波長と同じ波長の光を遮断するように設定されている。すなわち、第1のアイソレータ41bの中心波長は、1.48μm帯に含まれるように設定されている。
【0046】
また、第2のアイソレータ54bは、以下の点を除いて第1実施形態の第2のアイソレータ54aと同様の構成及び機能を有している。すなわち、第2のアイソレータ54bの中心波長は、半導体レーザ素子34bの発光波長よりも長波長の光を遮断するように設定されている。例えば、本実施形態の第2のアイソレータ54bの中心波長は、1.55μm帯に含まれるように設定されている。
【0047】
以上の構成を有する光モジュール1bは、次の動作を行う。すなわち、半導体レーザ素子34bから出射されたレーザ光L5は、第1のレンズ38によってコリメートされ、第1のアイソレータ41b及び第2のアイソレータ54bに順方向に入射した後、第2のレンズ56によって集光されて光ファイバ59の端面59aに入射する。レーザ光L5は、光ファイバ59を伝搬して光モジュール1bの外部へ提供される。また、レーザ光L5に起因する外部雑音光L6は、第1のアイソレータ41bによって遮断される。
【0048】
また、光モジュール1bが接続された光通信システムにおいて、レーザ光L5の1.48μm帯よりも長い波長帯のレーザ光が用いられている場合がある。例えば、光増幅器を備える光通信システムにおいて光モジュール1bが光増幅器の励起光源として用いられている場合に、光送信装置からの信号光として1.55μm帯といった波長帯のレーザ光が用いられている場合がある。このような場合には、この1.55μm帯のレーザ光が外部雑音光L7として光モジュール1bに入射する可能性がある。しかしながら、光モジュール1bにおいて、第2のアイソレータ54bの中心波長は1.55μm帯に含まれているので、外部雑音光L7は第2のアイソレータ54bにおいて遮断される。
【0049】
本変形例による光モジュール1bは、次の効果を有する。すなわち、本変形例による光モジュール1bでは、半導体レーザ素子34bが発生するレーザ光L5に起因する外部雑音光L6が第1のアイソレータ41bにおいて遮断される。そして、半導体レーザ素子34bの発光波長よりも長い波長の外部雑音光L7が、第2のアイソレータ54bにおいて遮断される。従って、半導体レーザ素子34bの発光波長よりも長い波長の外部雑音光L7が半導体レーザ素子34bの活性層を透過してフォトダイオード36に入射することを防止できるので、フォトダイオード36が光強度信号を精度良く生成することができる。これにより、フォトダイオード36からの光強度信号に基づいて半導体レーザ素子34bの発光状態を制御する際に、外部雑音光L7による影響を抑えることができる。
【0050】
また、本変形例による光モジュール1bでは、第1のアイソレータ41bの中心波長が1.48μm帯に含まれており、第2のアイソレータ54bの中心波長が1.55μm帯に含まれている。これによって、信号光波長が1.55μm帯であり、励起光波長が1.48μm帯である光通信システムにおいて、励起光を発生する励起光源に光モジュール1bが用いられる場合に、信号光に起因する外部雑音光L7と励起光に起因する外部雑音光L6との双方を好適に遮断することができる。
【0051】
(第2の実施の形態)
図6は、本発明による光モジュールの第2実施形態を示す断面図である。本実施形態による光モジュール2aは、前述した第1実施形態の光モジュール1aと以下の点において異なっている。すなわち、図6を参照すると、光モジュール2aは、第1実施形態の第2のアイソレータ54aを備えていない。また、光モジュール2aは保持部材53を備えておらず、第2のレンズ56を保持する保持部材55はパッケージ5の筒状部5bの先端に固定されている。
【0052】
また、光モジュール2aは、第2のアイソレータ63aを備えている。第2のアイソレータ63aは、光ファイバ59からの外部雑音光を遮断するための光学部品である。第2のアイソレータ63aは、所定の軸70上において第2のレンズ56の前方に配置され、第2のレンズ56、第1のアイソレータ41a、及び第1のレンズ38を介して半導体レーザ素子34aの光出射面65と光学的に結合されている。すなわち、本実施形態では、第1のアイソレータ41aが、第1のレンズ38と第2のレンズ56との間に設けられており、第2のアイソレータ63aが、第2のレンズ56と光ファイバ59との間に設けられている。
【0053】
本実施形態においては、第2のアイソレータ63aは、光ファイバ59の端部を保持するフェルール58に固定されており、光ファイバ59の端面59aを覆っている。そして、第2のアイソレータ63aは、フェルール58とともにスリーブ62の貫通孔に挿入されている。
【0054】
第2のアイソレータ63aの中心波長は、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短波長の光を遮断するように設定されている。例えば、本実施形態の第2のアイソレータ63aの中心波長は、1.48μm帯に含まれるように設定されている。
【0055】
ここで、図7は、光モジュール2aの光学的結合関係を簡略的に示したブロック図である。以下、光モジュール2aの動作について図7を参照しながら説明する。ただし、第1実施形態の光モジュール1aの動作と重複する動作については、説明を省略している。
【0056】
半導体レーザ素子34aは、波長1.55μm帯のレーザ光L1を出射する。レーザ光L1は、第1のレンズ38によってコリメートされ、第1のアイソレータ41aに順方向に入射する。そして、レーザ光L1は、第1のアイソレータ41aを通過し、第2のレンズ56によって集光される。このとき、集光点は光ファイバ59の端面59aとなっている。第2のレンズ56を通過したレーザ光L1は、第2のアイソレータ63aに順方向に入射する。レーザ光L1は、第2のアイソレータ63aを通過し、光ファイバ59の端面59aに入射する。レーザ光L1は、光ファイバ59を伝搬して光モジュール2aの外部へ提供される。
【0057】
レーザ光L1の戻り光など、レーザ光L1に起因する外部雑音光L3が光ファイバ59を逆方向に伝搬して光モジュール2aに入射した場合、外部雑音光L3は第1のアイソレータ41aによって遮断される。
【0058】
また、光増幅器を備える光通信システムにおいて光モジュール2aが光送信装置に用いられている場合に、励起光源から出射された1.48μm帯のレーザ光が、外部雑音光L4として光ファイバ59を逆方向に伝搬して光モジュール2aに入射する可能性がある。光モジュール2aにおいて、第2のアイソレータ63aの中心波長は1.48μm帯に含まれているので、外部雑音光L4は第2のアイソレータ63aにおいて遮断される。
【0059】
以上に説明した本実施形態による光モジュール2aは、次の効果を有する。すなわち、本実施形態による光モジュール2aでは、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短い波長の外部雑音光L4が、第2のアイソレータ63aにおいて遮断される。従って、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短い波長の外部雑音光L4が半導体レーザ素子34aの活性層に入射することを防止できるので、半導体レーザ素子34aの活性層内部のレーザ発振が擾乱される等、外部雑音光L4による半導体レーザ素子34aへの影響を抑えることができる。
【0060】
(第2の変形例)
続いて、上記した第2実施形態による光モジュール2aの変形例を説明する。本変形例による光モジュール2b(図6及び図7参照)は、上記した実施形態による光モジュール2aと以下の点で異なっている。すなわち、光モジュール2bは、半導体レーザ素子34aに代えて半導体レーザ素子34bを備えている。また、光モジュール2bは、第1のアイソレータ41aに代えて第1のアイソレータ41bを備えている。また、光モジュール2bは、第2のアイソレータ63aに代えて第2のアイソレータ63bを備えている。
【0061】
半導体レーザ素子34bは、以下の点を除いて第2実施形態の半導体レーザ素子34aと同様の構成及び機能を有している。すなわち、半導体レーザ素子34bの発光波長は、1.48μm帯のうちの所定波長となっている。
【0062】
また、第1のアイソレータ41b及び第2のアイソレータ63bは、以下の点を除いて上記実施形態の第1のアイソレータ41a及び第2のアイソレータ63aと同様の構成及び機能を有している。すなわち、第1のアイソレータ41bの中心波長は、半導体レーザ素子34bの発光波長と同じ波長の光を遮断するように設定されており、1.48μm帯に含まれるように設定されている。また、第2のアイソレータ54bの中心波長は、半導体レーザ素子34bの発光波長よりも長波長の光を遮断するように設定されている。例えば、本変形例の第2のアイソレータ63bの中心波長は、1.55μm帯に含まれるように設定されている。
【0063】
以上の構成を有する光モジュール2bは、次の動作を行う。すなわち、半導体レーザ素子34bから出射されたレーザ光L5は、第1のレンズ38によってコリメートされ、第1のアイソレータ41bを通過する。そして、レーザ光L5は、第2のレンズ56によって集光され、第2のアイソレータ63bを通過した後、光ファイバ59の端面59aに入射する。レーザ光L5は、光ファイバ59を伝搬して光モジュール2bの外部へ提供される。また、レーザ光L5に起因する外部雑音光L6は、第1のアイソレータ41bによって遮断される。
【0064】
また、光増幅器を備える光通信システムにおいて光モジュール2bが光増幅器の励起光源として用いられている場合に、光送信装置から出射された1.55μm帯の信号光が外部雑音光L7として光モジュール2bに入射する可能性がある。光モジュール2bでは、第2のアイソレータ63bの中心波長が、1.55μm帯に含まれているので、外部雑音光L7は第2のアイソレータ63bにおいて遮断される。
【0065】
本変形例による光モジュール2bは、前述した第1の変形例による光モジュール1bと同様の効果を有する。すなわち、本変形例による光モジュール2bによれば、半導体レーザ素子34bの発光波長よりも長い波長の外部雑音光L7が半導体レーザ素子34bの活性層を透過してフォトダイオード36に入射することを防止できる。これにより、フォトダイオード36からの光強度信号に基づいて半導体レーザ素子34bの発光状態を制御する際に、外部雑音光L7による影響を抑えることができる。また、信号光波長が1.55μm帯であり、励起光波長が1.48μm帯である光通信システムにおいて、励起光を発生する励起光源に光モジュール2bが用いられる場合に、信号光に起因する外部雑音光L7と励起光に起因する外部雑音光L6との双方を好適に遮断することができる。
【0066】
(第3の実施の形態)
図8は、本発明による光増幅器を備える光通信システムの第3実施形態を示す構成図である。図8を参照すると、光通信システム100は、光送信装置101及び光増幅器108を備えている。
【0067】
光送信装置101は、波長1.55μm帯の信号光L10を送信するための装置である。光送信装置101は、第1実施形態による光モジュール1aまたは第2実施形態による光モジュール2aを備えている。光送信装置101は出力101aを有しており、出力101aは光ファイバ107aといった光伝送媒体に光学的に結合されている。光送信装置101は、出力101aから光ファイバ107aへ信号光L10を送信する。
【0068】
光増幅器108は、順方向からの励起光L11及び逆方向からの励起光L12によって励起される双方向励起のEDFA(Erbium−Doped Fiber Amplifier)である。光増幅器108は、第1の励起光源102、第2の励起光源106、第1のカプラ103、第2のカプラ105、及び増幅用光ファイバ104を備えている。
【0069】
増幅用光ファイバ104としては、Erが所定の添加量で添加された石英系の光ファイバであるEr添加光ファイバ(EDF:Erbium−Doped Fiber)が用いられている。Er添加光ファイバは、所定の信号光波長帯域内(例えば、1.55μm帯)にある信号光を、例えば波長1.48μm帯の励起光によって増幅することが可能な光ファイバである。増幅用光ファイバ104は、第1の励起光源102からの励起光L11及び第2の励起光源106からの励起光L12により励起されて光送信装置101からの信号光L10を増幅する。
【0070】
第1の励起光源102は、波長1.48μm帯の励起光L11を増幅用光ファイバ104に供給するための手段である。第1の励起光源102は、第1の変形例による光モジュール1bまたは第2の変形例による光モジュール2bを備えている。第1の励起光源102は出力102aを有しており、出力102aは光ファイバ107bに光学的に結合されている。第1の励起光源102は、出力102aから光ファイバ107bへ励起光L11を出射する。
【0071】
第1のカプラ103は、光送信装置101からの信号光L10を増幅用光ファイバ104へと通過させるとともに、第1の励起光源102から供給された励起光L11を増幅用光ファイバ104へと順方向に合波させる手段である。第1のカプラ103は、入出力端103a〜103cを有している。入出力端103a及び103bは、それぞれ光ファイバ107a及び107bと光学的に結合されている。入出力端103cは、増幅用光ファイバ104と光学的に結合されている。第1のカプラ103は、光送信装置101から光ファイバ107aを介して入出力端103aに受けた信号光L10を、入出力端103cから増幅用光ファイバ104へ通過させる。また、第1のカプラ103は、励起光源102から光ファイバ107bを介して入出力端103bに受けた励起光L11を、信号光L10に合波させて入出力端103cから増幅用光ファイバ104へ伝搬させる。
【0072】
第2の励起光源106は、波長1.48μm帯の励起光L12を、信号光L10とは逆の方向から増幅用光ファイバ104に提供するための装置である。第2の励起光源106は、第1の変形例による光モジュール1bまたは第2の変形例による光モジュール2bを備えている。第2の励起光源106は出力106aを有しており、出力106aは光ファイバ107cに光学的に結合されている。第2の励起光源106は、出力106aから光ファイバ107cへ励起光L12を出射する。
【0073】
第2のカプラ105は、増幅用光ファイバ104からの増幅された信号光L13を順方向に通過させるとともに、第2の励起光源106から供給された励起光L12を増幅用光ファイバ104へと逆方向に合波させる手段である。第2のカプラ105は、入出力端105a〜105cを有している。入出力端105a及び105cは、それぞれ増幅用光ファイバ104及び光ファイバ107cと光学的に結合されている。入出力端103cは、光ファイバ107dと光学的に結合されている。第2のカプラ105は、増幅用光ファイバ104から入出力端105aに受けた信号光L13を、入出力端105bから光ファイバ107dへ通過させる。また、第2のカプラ105は、励起光源106から光ファイバ107cを介して入出力端105cに受けた励起光L12を、入出力端105aから増幅用光ファイバ104へ伝搬させる。
【0074】
上記した構成の光通信システム100において、光送信装置101から信号光L10が送信されると、信号光L10は第1のカプラ103を通過して増幅用光ファイバ104に達する。また、第1の励起光源102から励起光L11が出射されると、励起光L11は第1のカプラ103によって信号光L10と合波されて増幅用光ファイバ104に達する。また、第2の励起光源106から励起光L12が出射されると、励起光L12は第2のカプラ105によって逆方向に合波されて増幅用光ファイバ104に達する。増幅用光ファイバ104は、励起光L11及びL12によって励起され、信号光L10を増幅する。増幅用光ファイバ104によって増幅された信号光L13は、第2のカプラ105を通過した後、光ファイバ107dを介して図示しない光受信装置へ送信される。
【0075】
以上説明した本実施形態による光増幅器108は、以下の効果を有する。すなわち、光増幅器108では、第1の変形例の光モジュール1bまたは第2の変形例の光モジュール2bが励起光源102及び106に用いられている。これにより、信号光波長が1.55μm帯であり、励起光波長が1.48μm帯である光通信システム100において光増幅器108が使用される場合に、励起光源102及び106において、信号光L10に起因する外部雑音光と励起光L11及びL12に起因する外部雑音光との双方を好適に遮断できる。従って、本実施形態による光増幅器108によれば、励起光源102及び106内部の半導体レーザ素子の発光状態を制御する際に、信号光L10に起因する外部雑音光による影響を抑えることができる。
【0076】
本発明による光モジュール及び光増幅器は、上記した実施形態及び変形例に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、半導体レーザ素子の発光波長及び第1のアイソレータの中心波長は、1.55μm帯及び1.48μm帯に限らず、他の様々な波長帯に含まれるように設定することができる。また、第2のアイソレータの中心波長についても、半導体レーザ素子の発光波長よりも短い(あるいは長い)波長帯であれば、1.48μm帯及び1.55μm帯に限らず、他の様々な波長帯に含まれるように設定することができる。
【0077】
【発明の効果】
本発明による光モジュール及び光増幅器によれば、半導体レーザ素子の発光波長とは異なる波長の外部雑音光による半導体レーザ素子への影響を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明による光モジュールの第1実施形態を示す平面図である。
【図2】図2は、図1に示す光モジュールのI−I断面を示す断面図である。
【図3】図3は、第1のアイソレータの外観を示す斜視図である。
【図4】図4は、第2のアイソレータの外観を示す斜視図である。
【図5】図5は、図1及び図2に示す光モジュールの光結合関係を簡略化したブロック図である。
【図6】図6は、本発明による光モジュールの第2実施形態を示す断面図である。
【図7】図7は、図6に示す光モジュールの光学的結合関係を簡略的に示したブロック図である。
【図8】図8は、本発明による光増幅器を備える光通信システムの第3実施形態を示す構成図である。
【図9】図9は、中心波長が1.55μm帯のアイソレータのアイソレーション特性を示すグラフである。
【符号の説明】
1a、1b、2a、2b…光モジュール、3…主要部、5…パッケージ、5a…パッケージ本体部、5b…筒状部、31…ペルチェ素子、32、33、35…搭載部材、32a…支持部、34a、34b…半導体レーザ素子、36…フォトダイオード、36a…受光面、37、53、55…保持部材、38…第1のレンズ、41a、41b…第1のアイソレータ、44a〜44k…ワイヤ、51…ハーメチックガラス、54a、54b、63a、63b…第2のアイソレータ、56…第2のレンズ、57、62…スリーブ、58…フェルール、59…光ファイバ、65…光出射面、66…光反射面、70…所定の軸、72…サーミスタ、75a〜75n…リードピン、77、79…アパーチャ、100…光通信システム、101…光送信装置、102…第1の励起光源、103…第1のカプラ、104…増幅用光ファイバ、105…第2のカプラ、106…第2の励起光源、107a〜107d…光ファイバ、108…光増幅器。
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光を発生する光モジュール、及び該光モジュールを備える光増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信システムにおいては、例えば光モジュールから出射されたレーザ光が光ファイバ伝送路同士の融着部分などにおいて反射されること等により、光モジュールへの戻り光が発生する。この戻り光が光送信装置の半導体レーザ素子などへ外部雑音光として入射すると、半導体レーザ素子の発光特性に悪影響を及ぼすこととなる。従って、半導体レーザ素子に戻り光などの外部雑音光が入射することを防ぐために、外部雑音光を遮断するためのアイソレータが設けられる(例えば、特許文献1及び2参照)。アイソレータの遮光特性は外部雑音光の波長に依存するので、通常、レーザ光の波長に応じてアイソレータの遮光特性における中心波長が決定される。
【0003】
【特許文献1】
特開平07−107041号公報
【特許文献2】
特開平10−290050号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えば特許文献1及び2に開示された装置及び光モジュールにおいては、半導体レーザ素子の発光波長とは異なる波長の外部雑音光を遮断することに関しては何ら考慮されていない。発光波長よりも短波長の外部雑音光が半導体レーザ素子の活性層に入射すると、活性層内部のレーザ発振が擾乱されて半導体レーザ素子の発光特性が劣化する恐れがある。また、発光波長よりも長波長の外部雑音光は、活性層を透過してレーザ光強度をモニタするためのモニタ用受光素子へ入射する。これにより、モニタ用受光素子のモニタ精度が悪化し、半導体レーザ素子の発光状態を精度良く制御できない恐れがある。
【0005】
例えば、光通信システムが、希土類元素をドープした光ファイバを用いた光増幅器を備えているような場合に、上記した問題が顕著となる。すなわち、このような光通信システムにおいては、希土類元素を励起するための励起光を発生する励起光源が用いられるので、信号光を発生する光送信装置においては励起光が外部雑音光となり、励起光源においては信号光が外部雑音光となり得る。
【0006】
このような光通信システムにおいては、励起光の波長として1.48μm帯が用いられ、信号光の波長として1.55μ帯が用いられることが多い。ここで、図9は、中心波長が1.55μm帯のアイソレータの遮光特性の一例を示すグラフである。このグラフからわかるように、中心波長が1.55μm帯のアイソレータでは、1.48μm帯の外部雑音光を充分に遮断できない可能性がある。また、図示しないが、中心波長が1.48μm帯のアイソレータについても同様であり、1.55μm帯の外部雑音光を充分に遮断できない可能性がある。従って、光送信装置側のアイソレータは励起光に起因する外部雑音光を充分に遮断できないおそれがあり、充分に遮断できない場合にはレーザ発振が擾乱されて半導体レーザ素子の発光特性が劣化する。また、励起光源側のアイソレータは信号光に起因する外部雑音光を充分に遮断できないおそれがあり、充分に遮断できない場合には半導体レーザ素子の発光状態を精度良く制御できなくなる。
【0007】
本発明はこのような問題点を鑑みてなされたものであり、半導体レーザ素子の発光波長とは異なる波長の外部雑音光による半導体レーザ素子への影響を抑えることができる光モジュール及び光増幅器を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明による光モジュールは、レーザ光を発生する半導体レーザ素子と、レーザ光を伝搬する光ファイバと、レーザ光の光軸上に配置され、半導体レーザ素子からのレーザ光を通過させるとともに光ファイバからの光を遮断する第1のアイソレータ及び第2のアイソレータとを備え、第1のアイソレータが半導体レーザ素子の発光波長と同じ波長の光を遮断するように第1のアイソレータの中心波長が設定されており、第2のアイソレータが半導体レーザ素子の発光波長よりも短波長の光を遮断するように第2のアイソレータの中心波長が設定されていることを特徴とする。
【0009】
上記した光モジュールでは、半導体レーザ素子の発光波長よりも短い波長の外部雑音光が、第2のアイソレータにおいて遮断される。従って、半導体レーザ素子の発光波長よりも短い波長の外部雑音光が半導体レーザ素子に入射することを防止できるので、半導体レーザ素子内部のレーザ発振が擾乱される等、このような外部雑音光による半導体レーザ素子への影響を抑えることができる。
【0010】
また、光モジュールは、第1のアイソレータの中心波長が1.55μm帯に含まれており、第2のアイソレータの中心波長が1.48μm帯に含まれていることを特徴としてもよい。これによって、信号光波長が1.55μm帯であり、励起光波長が1.48μm帯である光通信システムの光送信装置において、信号光に起因する外部雑音光と励起光に起因する外部雑音光との双方を好適に遮断できる光モジュールを提供できる。
【0011】
また、本発明による光モジュールは、レーザ光を発生する半導体レーザ素子と、レーザ光を伝搬する光ファイバと、レーザ光の光軸上に配置され、半導体レーザ素子からのレーザ光を通過させるとともに光ファイバからの光を遮断する第1のアイソレータ及び第2のアイソレータと、レーザ光の光軸上において、半導体レーザ素子に対して光ファイバの反対側に配置された受光素子とを備え、第1のアイソレータが半導体レーザ素子の発光波長と同じ波長の光を遮断するように第1のアイソレータの中心波長が設定されており、第2のアイソレータが半導体レーザ素子の発光波長よりも長波長の光を遮断するように第2のアイソレータの中心波長が設定されていることを特徴とする。
【0012】
上記した光モジュールでは、半導体レーザ素子の発光波長よりも長い波長の外部雑音光が、第2のアイソレータにおいて遮断される。従って、半導体レーザ素子の発光波長よりも長い波長の外部雑音光が半導体レーザ素子を透過して受光素子に入射することを防止できるので、受光素子におけるレーザ光強度検出結果に基づいて半導体レーザ素子の発光状態を制御する際に、外部雑音光による影響を抑えることができる。
【0013】
また、光モジュールは、第1のアイソレータの中心波長が1.48μm帯に含まれており、第2のアイソレータの中心波長が1.55μm帯に含まれていることを特徴としてもよい。これによって、信号光波長が1.55μm帯であり、励起光波長が1.48μm帯である光通信システムの励起光源において、信号光に起因する外部雑音光と励起光に起因する外部雑音光との双方を好適に遮断できる光モジュールを提供できる。
【0014】
また、光モジュールは、レーザ光の光軸上に配置され、半導体レーザ素子からのレーザ光をコリメートする第1のレンズと、レーザ光の光軸上において第1のレンズと光ファイバとの間に配置され、第1のレンズによりコリメートされたレーザ光を集光して該レーザ光を光ファイバへ提供する第2のレンズとをさらに備え、第1のアイソレータ及び第2のアイソレータが、第1のレンズと第2のレンズとの間に設けられていることが好ましい。
【0015】
また、光モジュールは、レーザ光の光軸上に配置され、半導体レーザ素子からのレーザ光をコリメートする第1のレンズと、レーザ光の光軸上において第1のレンズと光ファイバとの間に配置され、第1のレンズによりコリメートされたレーザ光を集光して該レーザ光を光ファイバへ提供する第2のレンズとをさらに備え、第1のアイソレータが、第1のレンズと第2のレンズとの間に設けられており、第2のアイソレータが、第2のレンズと光ファイバとの間に設けられていることが好ましい。
【0016】
また、本発明による光増幅器は、光送信装置からの信号光を増幅する光増幅器であって、第1のアイソレータの中心波長が1.48μm帯に含まれており、第2のアイソレータの中心波長が1.55μm帯に含まれている光モジュールを有する励起光源と、光送信装置及び励起光源と光学的に結合されており、励起光源から励起光を受けることにより光送信装置からの信号光を増幅する増幅用光ファイバとを備えることを特徴とする。
【0017】
上記した光増幅器によれば、信号光波長が1.55μm帯であり、励起光波長が1.48μm帯である光増幅器の励起光源において、信号光に起因する外部雑音光と励起光に起因する外部雑音光との双方が好適に遮断される。従って、励起光源内部の半導体レーザ素子の発光状態を制御する際に、信号光に起因する外部雑音光による影響を抑えることができる光増幅器を実現できる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、以下の説明においては、光モジュールがレーザ光を出射する方向を前方と定義する。
【0019】
(第1の実施の形態)
図1は、本発明による光モジュールの第1実施形態を示す平面図である。また、図2は、図1に示す光モジュール1aのI−I断面を示す断面図である。
【0020】
図1及び図2を参照すると、光モジュール1aは、主要部3及びパッケージ5を備えている。パッケージ5は、本実施形態ではバタフライ型パッケージといった容器である。パッケージ5は、主要部3を収納しているパッケージ本体部5a、レーザ光を主要部3から光ファイバ59へ導く筒状部5b、及び複数のリードピン75a〜75nを備えている。主要部3は、パッケージ本体部5a内の底面上に配置されている。主要部3は、不活性ガス、例えば窒素ガスが封入された状態でパッケージ本体部5a内に封止されている。
【0021】
主要部3は、ペルチェ素子31、半導体レーザ素子34a、フォトダイオード36といった受光素子、第1のレンズ38、第1のアイソレータ41a、及びサーミスタ72といった温度検知素子を有している。また、主要部3は、搭載部材32、33、35、及び保持部材37を有している。第1のアイソレータ41a、第1のレンズ38、半導体レーザ素子34a、及びフォトダイオード36は、光ファイバ59の中心軸、及び半導体レーザ素子34aから出射されるレーザ光の光軸と一致する所定の軸70上に前から順に配置されている。また、第1のアイソレータ41aは、後述する第2のアイソレータ54aとともに、所定の軸70上において第1のレンズ38と第2のレンズ56(後述)との間に配置されている。
【0022】
半導体レーザ素子34aは、搭載部材33上に搭載されている。半導体レーザ素子34aは、活性層(図示せず)を有するとともに、該活性層を挟んで光共振器を構成する光出射面65および光反射面66(図2を参照)を有している。半導体レーザ素子34aの発光波長は、波長1.55μm帯の波長範囲のうちの所定波長となっている。すなわち、半導体レーザ素子34aの発光波長は半導体レーザ素子34aの活性層のバンドギャップ波長によって決まるので、半導体レーザ素子34aの活性層のバンドギャップ波長が1.55μm帯の波長範囲のうちの所定波長となっている。半導体レーザ素子34aのカソード端子は、配線パターン及びワイヤ44gを介してリードピン75cに電気的に接続されている。また、半導体レーザ素子34aのカソード端子は、配線パターン及びワイヤ44bを介してリードピン75jに電気的に接続されている。半導体レーザ素子34aのアノード端子は、配線パターン及びワイヤ44k、44aを介してリードピン75iに電気的に接続されている。
【0023】
リードピン75cは、光モジュール1aの外部に用意される電流生成回路(図示せず)に接続される。この電流生成回路は、半導体レーザ素子34aを発光させるためのバイアス電流を半導体レーザ素子34aに供給するための回路である。また、リードピン75jは、光モジュール1aの外部に用意される信号生成回路(図示せず)に電気的に接続される。この信号生成回路は、電流生成回路から送られるバイアス電流を変調して、半導体レーザ素子34aが送信光を生成するための周期的な電気信号を半導体レーザ素子34aに供給するための回路である。また、リードピン75iは、光モジュール1aの外部回路において基準電位(GND)に接続される。
【0024】
フォトダイオード36は、半導体レーザ素子34aが発生するレーザ光の光強度に応じた光強度信号を生成する受光素子である。フォトダイオード36は、半導体レーザ素子34aが発生するレーザ光を受けるための受光面36aを有している。フォトダイオード36は、半導体レーザ素子34aに対して光ファイバ59の反対側に位置するように、搭載部材35の側面上に搭載されている。搭載部材35は、フォトダイオード36の受光面36aが所定の軸70上において半導体レーザ素子34aの光反射面66と光学的に結合されるように、搭載部材32上に搭載されている。フォトダイオード36のカソード電極は、ワイヤ44j及び44fを介してリードピン75dに電気的に接続されている。フォトダイオード36のアノード電極は、配線パターン及びワイヤ44eを介してリードピン75eに電気的に接続されている。リードピン75d及び75eは、光モジュール1aの外部において電流生成回路に接続される。電流生成回路は、フォトダイオード36から受けた光強度信号に基づいて、半導体レーザ素子34aへの駆動電流量を制御する。
【0025】
第1のレンズ38は、半導体レーザ素子34aの光出射面65から出射されるレーザ光をコリメートするための光学部品である。第1のレンズ38は、所定の軸70上において半導体レーザ素子34aの光出射面65と光学的に結合されるように保持部材37に保持されている。保持部材37は、搭載部材32の支持部32aに保持されている。
【0026】
第1のアイソレータ41aは、光ファイバ59からの外部雑音光を遮断するための光学部品である。第1のアイソレータ41aは、所定の軸70上において第1のレンズ38の前方に配置され、第1のレンズ38を介して半導体レーザ素子34aの光出射面65と光学的に結合されている。
【0027】
ここで、図3は、第1のアイソレータ41aの外観を示す斜視図である。図3に示すように、第1のアイソレータ41aは円筒状を呈しており、その両端に光入射面80と光出射面81とを有している。光入射面80及び光出射面81にはレーザ光が通過するアパーチャ77が設けられている。光入射面80のアパーチャ77は、第1のレンズ38を介して半導体レーザ素子34aと光学的に結合されており、光出射面81のアパーチャ77は、後述する第2のアイソレータ54a及び第2のレンズ56を介して光ファイバ59と光学的に結合されている。第1のアイソレータ41aは、例えば2枚の偏光子、ファラデー素子、及び磁石(図示せず)を有しており、ファラデー効果を利用して、光入射面80のアパーチャ77から入射する光を通過するとともに、光出射面81のアパーチャ77から入射する光を遮断するように構成されている。第1のアイソレータ41aの中心波長は、半導体レーザ素子34aの発光波長と同じ波長の光を遮断するように設定されており、1.55μm帯に含まれている。第1のアイソレータ41aは、保持部材37に挿入されており、YAGレーザ溶接などによって固定されている。
【0028】
再び図1及び図2を参照すると、サーミスタ72は、搭載部材33上に配置されており、半導体レーザ素子34aの温度に応じた電気信号を生成するための素子である。サーミスタ72の一方の電極は、ワイヤ44hを介してリードピン75bに電気的に接続されている。また、サーミスタ72の他方の電極は、ワイヤ44iを介してリードピン75aに電気的に接続されている。ワイヤ44h及び44iは、光モジュール1aの外部に用意される温度制御回路(図示せず)に接続される。この温度制御回路は、サーミスタ72からの電気信号に基づいて、半導体レーザ素子34aの温度を制御するための温度制御信号を生成する回路である。
【0029】
ペルチェ素子31(図2参照)は、温度制御回路からの温度制御信号に基づいて、半導体レーザ素子34aの温度を変化させるための素子である。ペルチェ素子31は、パッケージ本体部5aの底面上に配置されている。ペルチェ素子31上には、搭載部材32が載置されている。ペルチェ素子31のアノード端子は、ワイヤ44dを介してリードピン75fに電気的に接続されている。ペルチェ素子31のカソード端子は、ワイヤ44cを介してリードピン75gに電気的に接続されている。リードピン75f及び75gは、温度制御回路に接続されており、温度制御信号を温度制御回路から受ける。
【0030】
パッケージ本体部5aの内壁には、筒状部5bに通じる部分に、ハーメチックガラス51で封止された光学的な窓が形成されている。パッケージ5の筒状部5bは、パッケージ本体部5aに通じる貫通孔を有する。この貫通孔を、半導体レーザ素子34aの光出射面65から光ファイバ59の端面59aへ伝搬するレーザ光が通過する。筒状部5bの先端部分には、筒状の保持部材53がYAGレーザ溶接などによって固定されている。保持部材53は、内部に第2のアイソレータ54aを保持している。
【0031】
第2のアイソレータ54aは、光ファイバ59からの外部雑音光を遮断するための光学部品である。第2のアイソレータ54aは、所定の軸70上において第1のアイソレータ41aの前方に配置され、第1のアイソレータ41a及び第1のレンズ38を介して半導体レーザ素子34aの光出射面65と光学的に結合されている。
【0032】
ここで、図4は、第2のアイソレータ54aの外観を示す斜視図である。図4に示すように、第2のアイソレータ54aは円筒状を呈しており、その両端に光入射面82と光出射面83とを有している。光入射面82及び光出射面83にはレーザ光が通過するアパーチャ79が設けられている。光入射面82のアパーチャ79は、第1のアイソレータ41a及び第1のレンズ38を介して半導体レーザ素子34aと光学的に結合されている。光出射面83のアパーチャ79は、後述する第2のレンズ56を介して光ファイバ59と光学的に結合されている。第2のアイソレータ54aは、第1のアイソレータ41aと同様に、例えば2枚の偏光子、ファラデー素子、及び磁石(図示せず)を有しており、ファラデー効果を利用して、光入射面82のアパーチャ79から入射する光を通過し、光出射面83のアパーチャ79から入射する光を遮断するように構成されている。第2のアイソレータ54aの中心波長は、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短波長の光を遮断するように設定されている。例えば、本実施形態の第2のアイソレータ54aの中心波長は、1.48μm帯に含まれるように設定されている。
【0033】
また、保持部材53の前面には、保持部材55がYAGレーザ溶接などによって固定されている。保持部材55は、内部に第2のレンズ56を保持している。
第2のレンズ56は、半導体レーザ素子34aの光出射面65から出射されるレーザ光を集光して光ファイバ59の端面59aに入射させるための光学部品である。第2のレンズ56は、所定の軸70上において、第2のアイソレータ54a、第1のアイソレータ41a、及び第1のレンズ38を介して半導体レーザ素子34aの光出射面65と光学的に結合されている。
【0034】
保持部材55の前面には、スリーブ57が固定されている。スリーブ57には所定の軸70に沿った貫通孔が形成されており、該貫通孔にフェルール58が挿入されている。フェルール58は光ファイバ59の端部を保持しており、スリーブ57の貫通孔にフェルール58が挿入されることによって、所定の軸70上において光ファイバ59の端面59aと第2のレンズ56とが光学的に結合される。
【0035】
以上が、光モジュール1aの詳細な構成である。次に、図5を参照しながら、光モジュール1aの動作について説明する。図5は、図1及び図2に示す光モジュール1aの光結合関係を簡略化したブロック図である。
【0036】
電流生成回路から半導体レーザ素子34aに電流が供給され、信号生成回路から半導体レーザ素子34aに変調信号が供給されると、半導体レーザ素子34aは、光出射面65からレーザ光L1を出射する。また、これと同時に、半導体レーザ素子34aは、光反射面66からモニタ光L2を出射する。モニタ光L2は、フォトダイオード36の受光面36aに入射する。フォトダイオード36は、モニタ光L2の光強度に応じた光強度信号を生成し、この光強度信号を電流生成回路に提供する。電流生成回路は、フォトダイオード36からの光強度信号に基づいて、半導体レーザ素子34aに供給する電流量を制御する。
【0037】
また、サーミスタ72(図1参照)は、半導体レーザ素子34aの温度を示す温度信号を生成し、この温度信号を温度制御回路に提供する。温度制御回路は、この温度信号に基づいて温度制御信号を生成し、この温度制御信号をペルチェ素子31に提供する。ペルチェ素子31は、温度制御回路からの温度制御信号に基づいて、半導体レーザ素子34aの温度を変化させる。こうして、半導体レーザ素子34aの温度が所定の一定温度に保たれる。
【0038】
半導体レーザ素子34aから出射されたレーザ光L1は、第1のレンズ38によってコリメートされ、第1のアイソレータ41aに順方向に入射する。そして、レーザ光L1は、第1のアイソレータ41aを通過し、第2のアイソレータ54aに順方向に入射する。レーザ光L1は、第2のアイソレータ54aを通過し、第2のレンズ56によって集光されて光ファイバ59の端面59aに入射する。レーザ光L1は、光ファイバ59を伝搬して光モジュール1aの外部へ提供される。
【0039】
ここで、光ファイバ59の先に接続された光ファイバの融着部分などにおいてレーザ光L1が反射することにより、或いは光ファイバ内部においてレーザ光L1がレーリー散乱することにより、レーザ光L1の戻り光が光ファイバ59を逆方向に伝搬して光モジュール1aに外部雑音光L3として入射する場合がある。
このような、レーザ光L1に起因する外部雑音光L3の波長はレーザ光L1の波長と同じなので、外部雑音光L3は第1のアイソレータ41aによって遮断される。すなわち、第1のアイソレータ41aの中心波長は、半導体レーザ素子34aの発光波長と同じ波長の光を遮断するように設定されている。従って、レーザ光L1の波長と同じ波長の外部雑音光L3は第1のアイソレータ41aにおいて遮断されることとなる。
【0040】
また、光モジュール1aが接続された光通信システムにおいて、レーザ光L1の1.55μm帯よりも短い波長帯のレーザ光が用いられている場合がある。例えば、光増幅器を備える光通信システムにおいて光モジュール1aが光送信装置に用いられている場合に、光増幅器の増幅用光ファイバを励起するために1.48μm帯といった波長帯のレーザ光が用いられている場合がある。このような場合には、この1.48μm帯のレーザ光が光ファイバ59を逆方向に伝搬して外部雑音光L4として光モジュール1aに入射する可能性がある。しかしながら、光モジュール1aにおいて、第2のアイソレータ54aの中心波長は、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短波長である1.48μm帯に含まれている。
従って、外部雑音光L4は第2のアイソレータ54aにおいて遮断されることとなる。
【0041】
以上に説明した本実施形態による光モジュール1aは、次の効果を有する。すなわち、本実施形態による光モジュール1aでは、半導体レーザ素子34aが発生するレーザ光L1に起因する外部雑音光L3が第1のアイソレータ41aにおいて遮断される。そして、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短い波長の外部雑音光L4が、第2のアイソレータ54aにおいて遮断される。従って、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短い波長の外部雑音光L4が半導体レーザ素子34aの活性層に入射することを防止できるので、半導体レーザ素子34aの活性層内部のレーザ発振が擾乱される等、外部雑音光L4による半導体レーザ素子34aへの影響を抑えることができる。
【0042】
また、本実施形態による光モジュール1aでは、第1のアイソレータ41aの中心波長が1.55μm帯に含まれており、第2のアイソレータ54aの中心波長が1.48μm帯に含まれている。これによって、信号光波長が1.55μm帯に含まれ、励起光波長が1.48μm帯に含まれる光通信システムにおいて、信号光を送信する光送信装置に光モジュール1aが用いられる場合に、信号光に起因する外部雑音光L3と励起光に起因する外部雑音光L4との双方を好適に遮断することができる。
【0043】
(第1の変形例)
続いて、上記した第1実施形態による光モジュール1aの変形例を説明する。本変形例による光モジュール1b(図1〜図5参照)は、上記した実施形態による光モジュール1aと以下の点で異なっている。すなわち、光モジュール1bは、半導体レーザ素子34aに代えて半導体レーザ素子34bを備えている。また、光モジュール1bは、第1のアイソレータ41aに代えて第1のアイソレータ41bを備えている。また、光モジュール1bは、第2のアイソレータ54aに代えて第2のアイソレータ54bを備えている。
【0044】
半導体レーザ素子34bは、以下の点を除いて第1実施形態の半導体レーザ素子34aと同様の構成及び機能を有している。すなわち、半導体レーザ素子34bの発光波長は、1.48μm帯のうちの所定波長となっている。
【0045】
また、第1のアイソレータ41bは、以下の点を除いて第1実施形態の第1のアイソレータ41aと同様の構成及び機能を有している。すなわち、第1のアイソレータ41bの中心波長は、半導体レーザ素子34bの発光波長と同じ波長の光を遮断するように設定されている。すなわち、第1のアイソレータ41bの中心波長は、1.48μm帯に含まれるように設定されている。
【0046】
また、第2のアイソレータ54bは、以下の点を除いて第1実施形態の第2のアイソレータ54aと同様の構成及び機能を有している。すなわち、第2のアイソレータ54bの中心波長は、半導体レーザ素子34bの発光波長よりも長波長の光を遮断するように設定されている。例えば、本実施形態の第2のアイソレータ54bの中心波長は、1.55μm帯に含まれるように設定されている。
【0047】
以上の構成を有する光モジュール1bは、次の動作を行う。すなわち、半導体レーザ素子34bから出射されたレーザ光L5は、第1のレンズ38によってコリメートされ、第1のアイソレータ41b及び第2のアイソレータ54bに順方向に入射した後、第2のレンズ56によって集光されて光ファイバ59の端面59aに入射する。レーザ光L5は、光ファイバ59を伝搬して光モジュール1bの外部へ提供される。また、レーザ光L5に起因する外部雑音光L6は、第1のアイソレータ41bによって遮断される。
【0048】
また、光モジュール1bが接続された光通信システムにおいて、レーザ光L5の1.48μm帯よりも長い波長帯のレーザ光が用いられている場合がある。例えば、光増幅器を備える光通信システムにおいて光モジュール1bが光増幅器の励起光源として用いられている場合に、光送信装置からの信号光として1.55μm帯といった波長帯のレーザ光が用いられている場合がある。このような場合には、この1.55μm帯のレーザ光が外部雑音光L7として光モジュール1bに入射する可能性がある。しかしながら、光モジュール1bにおいて、第2のアイソレータ54bの中心波長は1.55μm帯に含まれているので、外部雑音光L7は第2のアイソレータ54bにおいて遮断される。
【0049】
本変形例による光モジュール1bは、次の効果を有する。すなわち、本変形例による光モジュール1bでは、半導体レーザ素子34bが発生するレーザ光L5に起因する外部雑音光L6が第1のアイソレータ41bにおいて遮断される。そして、半導体レーザ素子34bの発光波長よりも長い波長の外部雑音光L7が、第2のアイソレータ54bにおいて遮断される。従って、半導体レーザ素子34bの発光波長よりも長い波長の外部雑音光L7が半導体レーザ素子34bの活性層を透過してフォトダイオード36に入射することを防止できるので、フォトダイオード36が光強度信号を精度良く生成することができる。これにより、フォトダイオード36からの光強度信号に基づいて半導体レーザ素子34bの発光状態を制御する際に、外部雑音光L7による影響を抑えることができる。
【0050】
また、本変形例による光モジュール1bでは、第1のアイソレータ41bの中心波長が1.48μm帯に含まれており、第2のアイソレータ54bの中心波長が1.55μm帯に含まれている。これによって、信号光波長が1.55μm帯であり、励起光波長が1.48μm帯である光通信システムにおいて、励起光を発生する励起光源に光モジュール1bが用いられる場合に、信号光に起因する外部雑音光L7と励起光に起因する外部雑音光L6との双方を好適に遮断することができる。
【0051】
(第2の実施の形態)
図6は、本発明による光モジュールの第2実施形態を示す断面図である。本実施形態による光モジュール2aは、前述した第1実施形態の光モジュール1aと以下の点において異なっている。すなわち、図6を参照すると、光モジュール2aは、第1実施形態の第2のアイソレータ54aを備えていない。また、光モジュール2aは保持部材53を備えておらず、第2のレンズ56を保持する保持部材55はパッケージ5の筒状部5bの先端に固定されている。
【0052】
また、光モジュール2aは、第2のアイソレータ63aを備えている。第2のアイソレータ63aは、光ファイバ59からの外部雑音光を遮断するための光学部品である。第2のアイソレータ63aは、所定の軸70上において第2のレンズ56の前方に配置され、第2のレンズ56、第1のアイソレータ41a、及び第1のレンズ38を介して半導体レーザ素子34aの光出射面65と光学的に結合されている。すなわち、本実施形態では、第1のアイソレータ41aが、第1のレンズ38と第2のレンズ56との間に設けられており、第2のアイソレータ63aが、第2のレンズ56と光ファイバ59との間に設けられている。
【0053】
本実施形態においては、第2のアイソレータ63aは、光ファイバ59の端部を保持するフェルール58に固定されており、光ファイバ59の端面59aを覆っている。そして、第2のアイソレータ63aは、フェルール58とともにスリーブ62の貫通孔に挿入されている。
【0054】
第2のアイソレータ63aの中心波長は、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短波長の光を遮断するように設定されている。例えば、本実施形態の第2のアイソレータ63aの中心波長は、1.48μm帯に含まれるように設定されている。
【0055】
ここで、図7は、光モジュール2aの光学的結合関係を簡略的に示したブロック図である。以下、光モジュール2aの動作について図7を参照しながら説明する。ただし、第1実施形態の光モジュール1aの動作と重複する動作については、説明を省略している。
【0056】
半導体レーザ素子34aは、波長1.55μm帯のレーザ光L1を出射する。レーザ光L1は、第1のレンズ38によってコリメートされ、第1のアイソレータ41aに順方向に入射する。そして、レーザ光L1は、第1のアイソレータ41aを通過し、第2のレンズ56によって集光される。このとき、集光点は光ファイバ59の端面59aとなっている。第2のレンズ56を通過したレーザ光L1は、第2のアイソレータ63aに順方向に入射する。レーザ光L1は、第2のアイソレータ63aを通過し、光ファイバ59の端面59aに入射する。レーザ光L1は、光ファイバ59を伝搬して光モジュール2aの外部へ提供される。
【0057】
レーザ光L1の戻り光など、レーザ光L1に起因する外部雑音光L3が光ファイバ59を逆方向に伝搬して光モジュール2aに入射した場合、外部雑音光L3は第1のアイソレータ41aによって遮断される。
【0058】
また、光増幅器を備える光通信システムにおいて光モジュール2aが光送信装置に用いられている場合に、励起光源から出射された1.48μm帯のレーザ光が、外部雑音光L4として光ファイバ59を逆方向に伝搬して光モジュール2aに入射する可能性がある。光モジュール2aにおいて、第2のアイソレータ63aの中心波長は1.48μm帯に含まれているので、外部雑音光L4は第2のアイソレータ63aにおいて遮断される。
【0059】
以上に説明した本実施形態による光モジュール2aは、次の効果を有する。すなわち、本実施形態による光モジュール2aでは、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短い波長の外部雑音光L4が、第2のアイソレータ63aにおいて遮断される。従って、半導体レーザ素子34aの発光波長よりも短い波長の外部雑音光L4が半導体レーザ素子34aの活性層に入射することを防止できるので、半導体レーザ素子34aの活性層内部のレーザ発振が擾乱される等、外部雑音光L4による半導体レーザ素子34aへの影響を抑えることができる。
【0060】
(第2の変形例)
続いて、上記した第2実施形態による光モジュール2aの変形例を説明する。本変形例による光モジュール2b(図6及び図7参照)は、上記した実施形態による光モジュール2aと以下の点で異なっている。すなわち、光モジュール2bは、半導体レーザ素子34aに代えて半導体レーザ素子34bを備えている。また、光モジュール2bは、第1のアイソレータ41aに代えて第1のアイソレータ41bを備えている。また、光モジュール2bは、第2のアイソレータ63aに代えて第2のアイソレータ63bを備えている。
【0061】
半導体レーザ素子34bは、以下の点を除いて第2実施形態の半導体レーザ素子34aと同様の構成及び機能を有している。すなわち、半導体レーザ素子34bの発光波長は、1.48μm帯のうちの所定波長となっている。
【0062】
また、第1のアイソレータ41b及び第2のアイソレータ63bは、以下の点を除いて上記実施形態の第1のアイソレータ41a及び第2のアイソレータ63aと同様の構成及び機能を有している。すなわち、第1のアイソレータ41bの中心波長は、半導体レーザ素子34bの発光波長と同じ波長の光を遮断するように設定されており、1.48μm帯に含まれるように設定されている。また、第2のアイソレータ54bの中心波長は、半導体レーザ素子34bの発光波長よりも長波長の光を遮断するように設定されている。例えば、本変形例の第2のアイソレータ63bの中心波長は、1.55μm帯に含まれるように設定されている。
【0063】
以上の構成を有する光モジュール2bは、次の動作を行う。すなわち、半導体レーザ素子34bから出射されたレーザ光L5は、第1のレンズ38によってコリメートされ、第1のアイソレータ41bを通過する。そして、レーザ光L5は、第2のレンズ56によって集光され、第2のアイソレータ63bを通過した後、光ファイバ59の端面59aに入射する。レーザ光L5は、光ファイバ59を伝搬して光モジュール2bの外部へ提供される。また、レーザ光L5に起因する外部雑音光L6は、第1のアイソレータ41bによって遮断される。
【0064】
また、光増幅器を備える光通信システムにおいて光モジュール2bが光増幅器の励起光源として用いられている場合に、光送信装置から出射された1.55μm帯の信号光が外部雑音光L7として光モジュール2bに入射する可能性がある。光モジュール2bでは、第2のアイソレータ63bの中心波長が、1.55μm帯に含まれているので、外部雑音光L7は第2のアイソレータ63bにおいて遮断される。
【0065】
本変形例による光モジュール2bは、前述した第1の変形例による光モジュール1bと同様の効果を有する。すなわち、本変形例による光モジュール2bによれば、半導体レーザ素子34bの発光波長よりも長い波長の外部雑音光L7が半導体レーザ素子34bの活性層を透過してフォトダイオード36に入射することを防止できる。これにより、フォトダイオード36からの光強度信号に基づいて半導体レーザ素子34bの発光状態を制御する際に、外部雑音光L7による影響を抑えることができる。また、信号光波長が1.55μm帯であり、励起光波長が1.48μm帯である光通信システムにおいて、励起光を発生する励起光源に光モジュール2bが用いられる場合に、信号光に起因する外部雑音光L7と励起光に起因する外部雑音光L6との双方を好適に遮断することができる。
【0066】
(第3の実施の形態)
図8は、本発明による光増幅器を備える光通信システムの第3実施形態を示す構成図である。図8を参照すると、光通信システム100は、光送信装置101及び光増幅器108を備えている。
【0067】
光送信装置101は、波長1.55μm帯の信号光L10を送信するための装置である。光送信装置101は、第1実施形態による光モジュール1aまたは第2実施形態による光モジュール2aを備えている。光送信装置101は出力101aを有しており、出力101aは光ファイバ107aといった光伝送媒体に光学的に結合されている。光送信装置101は、出力101aから光ファイバ107aへ信号光L10を送信する。
【0068】
光増幅器108は、順方向からの励起光L11及び逆方向からの励起光L12によって励起される双方向励起のEDFA(Erbium−Doped Fiber Amplifier)である。光増幅器108は、第1の励起光源102、第2の励起光源106、第1のカプラ103、第2のカプラ105、及び増幅用光ファイバ104を備えている。
【0069】
増幅用光ファイバ104としては、Erが所定の添加量で添加された石英系の光ファイバであるEr添加光ファイバ(EDF:Erbium−Doped Fiber)が用いられている。Er添加光ファイバは、所定の信号光波長帯域内(例えば、1.55μm帯)にある信号光を、例えば波長1.48μm帯の励起光によって増幅することが可能な光ファイバである。増幅用光ファイバ104は、第1の励起光源102からの励起光L11及び第2の励起光源106からの励起光L12により励起されて光送信装置101からの信号光L10を増幅する。
【0070】
第1の励起光源102は、波長1.48μm帯の励起光L11を増幅用光ファイバ104に供給するための手段である。第1の励起光源102は、第1の変形例による光モジュール1bまたは第2の変形例による光モジュール2bを備えている。第1の励起光源102は出力102aを有しており、出力102aは光ファイバ107bに光学的に結合されている。第1の励起光源102は、出力102aから光ファイバ107bへ励起光L11を出射する。
【0071】
第1のカプラ103は、光送信装置101からの信号光L10を増幅用光ファイバ104へと通過させるとともに、第1の励起光源102から供給された励起光L11を増幅用光ファイバ104へと順方向に合波させる手段である。第1のカプラ103は、入出力端103a〜103cを有している。入出力端103a及び103bは、それぞれ光ファイバ107a及び107bと光学的に結合されている。入出力端103cは、増幅用光ファイバ104と光学的に結合されている。第1のカプラ103は、光送信装置101から光ファイバ107aを介して入出力端103aに受けた信号光L10を、入出力端103cから増幅用光ファイバ104へ通過させる。また、第1のカプラ103は、励起光源102から光ファイバ107bを介して入出力端103bに受けた励起光L11を、信号光L10に合波させて入出力端103cから増幅用光ファイバ104へ伝搬させる。
【0072】
第2の励起光源106は、波長1.48μm帯の励起光L12を、信号光L10とは逆の方向から増幅用光ファイバ104に提供するための装置である。第2の励起光源106は、第1の変形例による光モジュール1bまたは第2の変形例による光モジュール2bを備えている。第2の励起光源106は出力106aを有しており、出力106aは光ファイバ107cに光学的に結合されている。第2の励起光源106は、出力106aから光ファイバ107cへ励起光L12を出射する。
【0073】
第2のカプラ105は、増幅用光ファイバ104からの増幅された信号光L13を順方向に通過させるとともに、第2の励起光源106から供給された励起光L12を増幅用光ファイバ104へと逆方向に合波させる手段である。第2のカプラ105は、入出力端105a〜105cを有している。入出力端105a及び105cは、それぞれ増幅用光ファイバ104及び光ファイバ107cと光学的に結合されている。入出力端103cは、光ファイバ107dと光学的に結合されている。第2のカプラ105は、増幅用光ファイバ104から入出力端105aに受けた信号光L13を、入出力端105bから光ファイバ107dへ通過させる。また、第2のカプラ105は、励起光源106から光ファイバ107cを介して入出力端105cに受けた励起光L12を、入出力端105aから増幅用光ファイバ104へ伝搬させる。
【0074】
上記した構成の光通信システム100において、光送信装置101から信号光L10が送信されると、信号光L10は第1のカプラ103を通過して増幅用光ファイバ104に達する。また、第1の励起光源102から励起光L11が出射されると、励起光L11は第1のカプラ103によって信号光L10と合波されて増幅用光ファイバ104に達する。また、第2の励起光源106から励起光L12が出射されると、励起光L12は第2のカプラ105によって逆方向に合波されて増幅用光ファイバ104に達する。増幅用光ファイバ104は、励起光L11及びL12によって励起され、信号光L10を増幅する。増幅用光ファイバ104によって増幅された信号光L13は、第2のカプラ105を通過した後、光ファイバ107dを介して図示しない光受信装置へ送信される。
【0075】
以上説明した本実施形態による光増幅器108は、以下の効果を有する。すなわち、光増幅器108では、第1の変形例の光モジュール1bまたは第2の変形例の光モジュール2bが励起光源102及び106に用いられている。これにより、信号光波長が1.55μm帯であり、励起光波長が1.48μm帯である光通信システム100において光増幅器108が使用される場合に、励起光源102及び106において、信号光L10に起因する外部雑音光と励起光L11及びL12に起因する外部雑音光との双方を好適に遮断できる。従って、本実施形態による光増幅器108によれば、励起光源102及び106内部の半導体レーザ素子の発光状態を制御する際に、信号光L10に起因する外部雑音光による影響を抑えることができる。
【0076】
本発明による光モジュール及び光増幅器は、上記した実施形態及び変形例に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、半導体レーザ素子の発光波長及び第1のアイソレータの中心波長は、1.55μm帯及び1.48μm帯に限らず、他の様々な波長帯に含まれるように設定することができる。また、第2のアイソレータの中心波長についても、半導体レーザ素子の発光波長よりも短い(あるいは長い)波長帯であれば、1.48μm帯及び1.55μm帯に限らず、他の様々な波長帯に含まれるように設定することができる。
【0077】
【発明の効果】
本発明による光モジュール及び光増幅器によれば、半導体レーザ素子の発光波長とは異なる波長の外部雑音光による半導体レーザ素子への影響を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明による光モジュールの第1実施形態を示す平面図である。
【図2】図2は、図1に示す光モジュールのI−I断面を示す断面図である。
【図3】図3は、第1のアイソレータの外観を示す斜視図である。
【図4】図4は、第2のアイソレータの外観を示す斜視図である。
【図5】図5は、図1及び図2に示す光モジュールの光結合関係を簡略化したブロック図である。
【図6】図6は、本発明による光モジュールの第2実施形態を示す断面図である。
【図7】図7は、図6に示す光モジュールの光学的結合関係を簡略的に示したブロック図である。
【図8】図8は、本発明による光増幅器を備える光通信システムの第3実施形態を示す構成図である。
【図9】図9は、中心波長が1.55μm帯のアイソレータのアイソレーション特性を示すグラフである。
【符号の説明】
1a、1b、2a、2b…光モジュール、3…主要部、5…パッケージ、5a…パッケージ本体部、5b…筒状部、31…ペルチェ素子、32、33、35…搭載部材、32a…支持部、34a、34b…半導体レーザ素子、36…フォトダイオード、36a…受光面、37、53、55…保持部材、38…第1のレンズ、41a、41b…第1のアイソレータ、44a〜44k…ワイヤ、51…ハーメチックガラス、54a、54b、63a、63b…第2のアイソレータ、56…第2のレンズ、57、62…スリーブ、58…フェルール、59…光ファイバ、65…光出射面、66…光反射面、70…所定の軸、72…サーミスタ、75a〜75n…リードピン、77、79…アパーチャ、100…光通信システム、101…光送信装置、102…第1の励起光源、103…第1のカプラ、104…増幅用光ファイバ、105…第2のカプラ、106…第2の励起光源、107a〜107d…光ファイバ、108…光増幅器。
Claims (7)
- レーザ光を発生する半導体レーザ素子と、
前記レーザ光を伝搬する光ファイバと、
前記レーザ光の光軸上に配置され、前記半導体レーザ素子からの前記レーザ光を通過させるとともに前記光ファイバからの光を遮断する第1のアイソレータ及び第2のアイソレータとを備え、
前記第1のアイソレータが前記半導体レーザ素子の発光波長と同じ波長の光を遮断するように前記第1のアイソレータの中心波長が設定されており、前記第2のアイソレータが前記半導体レーザ素子の発光波長よりも短波長の光を遮断するように前記第2のアイソレータの中心波長が設定されていることを特徴とする光モジュール。 - 前記第1のアイソレータの中心波長が1.55μm帯に含まれており、前記第2のアイソレータの中心波長が1.48μm帯に含まれていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
- レーザ光を発生する半導体レーザ素子と、
前記レーザ光を伝搬する光ファイバと、
前記レーザ光の光軸上に配置され、前記半導体レーザ素子からの前記レーザ光を通過させるとともに前記光ファイバからの光を遮断する第1のアイソレータ及び第2のアイソレータと、
前記レーザ光の光軸上において、前記半導体レーザ素子に対して前記光ファイバの反対側に配置された受光素子とを備え、
前記第1のアイソレータが前記半導体レーザ素子の発光波長と同じ波長の光を遮断するように前記第1のアイソレータの中心波長が設定されており、前記第2のアイソレータが前記半導体レーザ素子の発光波長よりも長波長の光を遮断するように前記第2のアイソレータの中心波長が設定されていることを特徴とする光モジュール。 - 前記第1のアイソレータの中心波長が1.48μm帯に含まれており、前記第2のアイソレータの中心波長が1.55μm帯に含まれていることを特徴とする請求項3に記載の光モジュール。
- 前記レーザ光の光軸上に配置され、前記半導体レーザ素子からの前記レーザ光をコリメートする第1のレンズと、
前記レーザ光の光軸上において前記第1のレンズと前記光ファイバとの間に配置され、前記第1のレンズによりコリメートされた前記レーザ光を集光して該レーザ光を前記光ファイバへ提供する第2のレンズとをさらに備え、
前記第1のアイソレータ及び前記第2のアイソレータが、前記第1のレンズと前記第2のレンズとの間に設けられていることを特徴とする請求項1または3に記載の光モジュール。 - 前記レーザ光の光軸上に配置され、前記半導体レーザ素子からの前記レーザ光をコリメートする第1のレンズと、
前記レーザ光の光軸上において前記第1のレンズと前記光ファイバとの間に配置され、前記第1のレンズによりコリメートされた前記レーザ光を集光して該レーザ光を前記光ファイバへ提供する第2のレンズとをさらに備え、
前記第1のアイソレータが、前記第1のレンズと前記第2のレンズとの間に設けられており、
前記第2のアイソレータが、前記第2のレンズと前記光ファイバとの間に設けられていることを特徴とする請求項1または3に記載の光モジュール。 - 光送信装置からの信号光を増幅する光増幅器であって、
請求項4に記載の光モジュールを有する励起光源と、
前記光送信装置及び前記励起光源と光学的に結合されており、前記励起光源から励起光を受けることにより前記光送信装置からの前記信号光を増幅する増幅用光ファイバとを備えることを特徴とする光増幅器。
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