JP2005017959A

JP2005017959A - 表示装置の駆動方法

Info

Publication number: JP2005017959A
Application number: JP2003185968A
Authority: JP
Inventors: Haruo Kawakami; 春雄川上; Hisato Kato; 久人加藤; Hirosuke Yamashiro; 啓輔山城
Original assignee: Fuji Electric Holdings Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2003-06-27
Filing date: 2003-06-27
Publication date: 2005-01-20

Abstract

【課題】有機ＥＬディスプレイパネルなどの自発光パネルをスイッチング素子でデューティ駆動する際、ｏｆｆ状態への切替信号が絶対値の大きな負の値を持つ場合にも、当該信号をスイッチング素子に印加し、かつｏｎ／ｏｆｆ状態への切替信号の行間の影響を抑制することができる表示装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】単一の画素において、印加される消光指示信号が直列接続した表示装置のスイッチング素子６５側の端子にパルス状の電界として印加する。予め定めたウィンドウ期間Ｃ、Ｄ中に供給される発光指示信号Ｖｏｎもしくは消光指示信号Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２に応答して特定の画素６０を発光もしくは消光させる際に、デューティ駆動される行については所定電圧を印加すると共に、その他の行についてはウィンドウ期間Ｃ、Ｄ中のみ該所定電圧を既定オフセット値Ｖｃ、Ｖｄだけオフセットさせた電圧を印加する。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイパネルの自発光パネルに適用可能な表示装置の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特開平２００１−１６０４９２号公報
【特許文献２】特願２００２−２５５７６３
【非特許文献１】真空蒸着法によるＣｕ：ＴＣＮＱ錯体薄膜の形成とスイッチング素子、第４９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集、２００２年３月、東海大学湘南校舎、第３分冊２７ａ−Ｍ−５
【非特許文献２】Ｌ．Ｐ．Ｍａ著、ＯｒｇａｎｉｃＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｂｉｓｔａｂｌｅｄｅｖｉｃｅｓａｎｄｒｅｗｒｉｔａｂｌｅｍｅｍｏｒｙｃｅｌｌｓ，ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．８０，Ｎｕｍｂｅｒ１６，２２Ａｐｒｉｌ２００２，２００２ＡｍｅｒｉｃａｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ
【０００３】
近年、情報機器用のフラットディスプレイとして液晶ディスプレイの普及が目覚しい。液晶ディスプレイはバックライトの光を液晶が光シャッターとなってｏｎ／ｏｆｆ制御し、カラーフィルターにより色彩をつけるものである。これに対して有機ＥＬディスプレイは、ＲＧＢのサブピクセルからなる１ピクセル（画素）が個々に発光する（すなわち、自発光する）ため、視野角が広くなると共にカラーフィルターが不要になるという利点がある。さらにバックライトが不要であることから薄型化が可能になり、かつフレキシブルな基板上に形成が可能である等、多くの利点を持っている。これらのことから、次世代のディスプレイとして期待されている。
【０００４】
上述の有機ＥＬディスプレイパネルの駆動方式は、大別して２つの種類に分けることができる。第１の駆動方式は所謂パッシブマトリックス型と呼ばれるものであり、その他デューティ駆動方式または単純マトリックス方式とも呼ばれる駆動方式である。このパッシブマトリックス型駆動方式等における発光パネルは、複数の行および列よりなるマトリックスの交点に位置する画素に対し、その発光制御のための信号が行方向には１行毎に時系列で走査され同一行の各列には同時に付加されるように構成された発光パネルであり、各画素には制御素子を設けず、行の走査周期のうち各行のデューティ時間にのみ発光制御するようにしたものである。第２の駆動方式は所謂アクティブマトリックス型と呼ばれるものであり、各画素に制御素子を持ち、行の走査周期内にわたって発光が可能な駆動方式である。
【０００５】
例えば、１００行ｘ１５０列のパネルを全面で１００Ｃｄ／ｍ^２で発光させる場合、アクティブマトリックス型では、画素の面積率や各種の損失を考慮しないとすると、各画素は１００Ｃｄ／ｍ^２で発光すれば良いことになる。これに対して、パッシブマトリックス型では上述のように各行のデューティ時間にのみ発光制御しているため瞬間輝度が非常に高くなる。上記の例では各画素の発光時間のデューティ比が１／１００になるので、その発光時間内での発光強度としては１００倍の１００００Ｃｄ／ｍ^２が必要となる。
【０００６】
一方、有機ＥＬの発光は電流値により制御されるが、その効率は発光強度が上がると低下してくる。その結果、アクティブマトリックス型の駆動方式に比してパッシブマトリックス型では消費電力が大きくなるという不都合が生じ、また発熱等による材料の劣化のため寿命も短くなるという不都合も生じる。さらに加えてパッシブマトリックス型での発光時間のデューティ比は上述のようにパネルの行数の逆数になることから、結果としてパッシブマトリックス型では画素数が制限されることとなり、大面積、高精細度のパネルを実現するにはアクティブマトリックス型の駆動方式を用いる必要があった。
【０００７】
しかし、アクティブマトリックス型の駆動方式では、画素の制御素子としてポリシリコンを用いた薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）が用いられているため、種々の解決すべき問題点がある。例えば、▲１▼ポリシリコンのＴＦＴを形成するプロセス温度が少なくとも２５０℃以上の高温のため、フレキシブルなプラスチック基板を用いることが困難である、▲２▼製造コストが高くなり、ディスプレイパネル全体のコストの５０％以上を占めてしまうという問題点がある。
【０００８】
上述のような従来の有機ＥＬディスプレイパネルが有する種々の問題点を解決するため、特許文献１に新しいタイプの有機薄膜ＥＬ素子が開示されている。特許文献１には、「従来の有機薄膜ＥＬ素子とは異なり、発光・非発光状態が過去の印加電圧の加え方に応じたメモリ性を有し、この結果、ＯＮ／ＯＦＦ信号を加えることにより発光・非発光状態を制御できるような新しいタイプの有機薄膜ＥＬ素子とその駆動方法」が記載されている。より具体的に述べると、「有機薄膜と電極の片面又は両面との間に、所定の値以上の電圧を印加することによって絶縁体から導体に転移する物質の薄膜から形成された電流スイッチング層を設ける。電極に所定電圧を印加して、電流スイッチング層を絶縁体から導体に転移させることによって有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子の発光状態を出現させ、さらに、電圧を電流スイッチング層が導体から絶縁体に転移するまで減ずることによって有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子の非発光状態を出現させるように駆動する。特に好ましい態様として、該有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子に一定電圧を印加した状態に保持し、この一定電圧に正負のパルス電圧を重畳することにより発光状態と非発光状態をスイッチングするよう駆動することができる。」という点が開示されている。
【０００９】
上述のスイッチング素子に関連する従来技術として、有機ＬＥＤの駆動を可能にするための非特許文献１が知られている。さらに、非特許文献２には、アミノイミダゾールジカーボネト（ＡＩＤＣＮ）を用いたスイッチング素子を用いて有機ＥＬ素子を２値で駆動する方法が開示され、メモリ等への適用可能性を示している。これらの素子は、いずれも、ある電圧に対して２値の抵抗値を持ち、その切替は適切なパルスを印加することにより行われるものである。この抵抗値切替に要する時間は１０ｎｓｅｃ程度であることから、通常のディスプレイ駆動には充分な応答性が確保できる。しかし、マトリックス構成されたディスプレイ装置を駆動する具体的な方法については、いずれの両文献にも開示されていない。
【００１０】
特許文献２にはマトリックス構成の表示装置の駆動方法が開示されている。これによれば、マトリックス構成の表示装置は以下のように駆動される。まず単一の画素の場合について述べる。図１６は特許文献２で例示したスイッチング素子の電圧・電流特性を示す。図１６において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は電流の対数（ｌｏｇ（Ｉ））である。図１６に示されるように、このスイッチング素子は高抵抗特性５１（ｏｆｆ状態）と低抵抗特性５２（ｏｎ状態）との２つの電圧・電流特性を有している。ここで、バイアスＶｂをかけた状態で印加電圧を第２の閾値電圧（Ｖｔｈ２）以上にするとｏｆｆ状態→ｏｎ状態へ遷移し、一方印加電圧を第２の閾値電圧（Ｖｔｈ１）以下にするとｏｎ状態→ｏｆｆ状態へと遷移する特性を有している。従ってｏｆｆ状態→ｏｎ状態への遷移にはＶｔｈ２以上のパルスを印加し、ｏｎ状態→ｏｆｆ状態への遷移にはＶｔｈ１以下のパルスを印加することにより、抵抗値の切替が可能である。
【００１１】
図１７はマトリックス構成されたディスプレイ装置について形成される積層構造の表示画素６０を示す。図１７では通常とは上下が逆に示されているが、ガラス基板６１上に陽極としてＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）電極６１が形成され、ＩＴＯ電極６１上に有機ＥＬ素子６３が形成され、有機ＥＬ素子６３上に金属電極６４が形成され、金属電極６４上にスイッチング素子６５が形成され、スイッチング素子６５上に陰極として金属電極６６が形成されている。図１８は表示画素６０をマトリックス状に配列した場合を示す。図１８に示されるように走査方向は各行毎に順次に行なう方向である。以下、図１８のような配列を想定して説明する。
【００１２】
図１８に示されるようなマトリックス状に配置された多数の表示画素の場合は、ある行の画素につき上述のような抵抗値の切替の制御を行い、次の走査周期までバイアスをＶｔｈ１からＶｔｈ２の範囲に維持することにより、デューティ時間に制限されることなくｏｎ／ｏｆｆ状態のいずれか一方の状態を維持することが可能となる。このような制御を行った場合、以下のような問題点が生じる。まず、従来のパッシブマトリックス型の駆動方式では、ある時点でｏｎ状態にあるのは一つの行内の画素だけであり、従って当該行の走査デューティ時間にはその他の行の回路は切られた状態とするため、当該行の状態を切替るための信号が他の行に影響を与えることはない。
【００１３】
しかし、図１６（および図１７）に示されるような特性を有するスイッチング素子６５を用いて走査周期中に電圧印加を維持する場合、常にマトリックス全面の画素に電圧が印加されており、当該行以外の行の回路も接続状態に維持されていることから、一つの行の切替信号が他の行すべてに印加されることになる。その結果として、従来のパッシブマトリックス型駆動方式では、図１６（および図１７）に示されるような特性を有するスイッチング素子６５を用いてマトリックス全面にある画素のｏｎ／ｏｆｆ状態の制御を行うことは困難であるという問題があった。
【００１４】
上述の問題点を解決するために、特許文献２にはマトリックス構成の表示装置の駆動方法として、行方向には１行毎に順次デューティ駆動し且つ同一行内の該当する列には発光制御のための信号を同時に付加することにより、当該画素を電流駆動で発光させる発光パネルの駆動方法が開示されている。詳しくは、予め定めたウィンドウ期間中に供給される発光指示信号もしくは消光指示信号に応答して特定の画素を発光もしくは消光させる際に、デューティ駆動される行については所定電圧を印加するとともに、その他の行については前記ウィンドウ期間中のみ該所定電圧を既定オフセット値だけオフセットさせた電圧を印加する発光パネルの駆動方法が開示されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように特許文献２の方法によれば、スイッチング素子６５の導電状態から非導電状態への第１の閾値電圧（Ｖｔｈ１）が正、もしくは０Ｖ近傍である場合には、所定の動作を実現できる。しかし、図１９に示されるような電圧・電流特性を有するスイッチング素子を想定されたい。図１９において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は電流の対数（ｌｏｇ（Ｉ））であり、図１６と同じ符号を付した箇所は同じ意味を示すため説明は省略する。図１９に示されるように、第１の閾値電圧（Ｖｔｈ１）が負の値であり、その絶対値が第２の閾値電圧（Ｖｔｈ２）と同程度である場合には、以下のような問題点が生じる。
【００１６】
まず単一の画素の場合について説明する。図２０と図２１とは、有機ＥＬ発光素子６３とスイッチング素子６５との２通りの直列接続を各々示す。
【００１７】
図２０（Ａ）に示されるように、スイッチング素子６５がｏｆｆ状態の時は、等価的にはコンデンサと同等である。例えば、スイッチング素子６５の特性が図１６のように非導電状態を呈する第１の閾値電圧（Ｖｔｈ１）が正、もしくは０．２Ｖ以下の絶対値の負の値を持つ場合は、図２０（Ａ）に示されるような直列接続において、スイッチング素子６５側の端子Ｙをアースとし、有機ＥＬ素子（発光素）６３側の端子Ｘの電圧を負とすることにより、スイッチング素子６５にかかる電圧をＶｔｈ１以下にすることが可能である。ここで、直列に接続された発光素子６３およびスイッチング素子６５に印加された電圧は両方の素子に分圧（分圧配分）または分割される。スイッチング素子６５に分圧される割合をαとおくと、発光素子６３には１−αだけ分圧されるため、図２０（Ａ）に示されるような電圧が各素子に印加されることになる。この時、発光素子６３が逆バイアス状態で全く電流が流れなければ、後述するようにスイッチング素子６５に負の電圧は印加できないが、実際は若干のリーク電流があるため、−０．２程度までは印加することが可能である。この結果、ｏｆｆ状態でｏｆｆ信号を与えても遷移（スイッチング）は起こらない。
【００１８】
一方、図２０（Ｂ）に示されるように、スイッチング素子６５がｏｎ態の時は、等価的には抵抗と同等である。図２０（Ａ）と同様の条件の場合、直列に接続された有機ＥＬ素子６３およびスイッチング素子６５に印加された電圧はほとんど発光素子６３に印加される。この結果、ｏｎ状態でｏｆｆ信号を与えても遷移（スイッチング）は起こらないという問題があった。
【００１９】
図２１（Ａ）は図２０（Ａ）とは逆の接続を示す。図２１（Ａ）に示されるように、直列に接続された発光素子６３およびスイッチング素子６５に印加された電圧は両方の素子に分圧（分圧配分）または分割される。発光素子６３に分圧される割合をαとおくと、スイッチング素子６５には１−αだけ分圧されるため、図２１（Ａ）に示されるような電圧が各素子に印加されることになる。図２１（Ａ）に示される接続においても、発光素子６３側の端子Ｙをアースとし、スイッチング素子６５側の端子Ｘの電圧を負とすることにより、スイッチング素子６５にかかる電圧をＶｔｈ１以下にすることが可能である。図２０（Ａ）と同様に、ｏｆｆ状態でｏｆｆ信号を与えても遷移（スイッチング）は起こらない。
【００２０】
一方、図２１（Ｂ）に示されるように、スイッチング素子６５がｏｎ態の時は、図２１（Ａ）と同様の条件の場合、直列に接続された発光素子６３およびスイッチング素子６５に印加された電圧はほとんど発光素子６３に印加される。この結果、ｏｎ状態でｏｆｆ信号を与えても遷移（スイッチング）は起こらないという問題があった。
【００２１】
以上の場合と異なり、スイッチング素子６５の特性が図１９に示されるようにＶｔｈ１が絶対値の大きな負の値の特性を有する場合、図２０、図２１に示される構成ではスイッチング素子６５に印加される電圧をＶｔｈ１以下にすることは困難である。即ち上記のような構成の表示装置に負の電圧を印加した場合、発光素子６３がダイオードであるため負の電圧に対しては抵抗が大きくなり、印加された電圧のほとんどが発光素子６３に分配される。このため、スイッチング素子６５に大きな負電圧を印加することが困難となり、第１の閾値電圧（Ｖｔｈ１）が負であり且つその絶対値が第２の閾値電圧（Ｖｔｈ２）と同程度の大きな値である場合は不都合を生じるという問題があった。
【００２２】
そこで、本発明の目的は、上記問題を解決するためになされたものであり、有機ＥＬディスプレイパネルなどの自発光パネルをスイッチング素子でデューティ駆動する際、ｏｆｆ切替信号が絶対値の大きな負の値を持つ場合にも、当該信号をスイッチング素子に印加し、かつｏｎ／ｏｆｆ状態の切替信号の行間の影響を抑制することができる表示装置の駆動方法を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明の表示装置の駆動方法は、印加される電圧が第１の閾値より小さくなった後は非導電状態を呈し第１の閾値より大きい第２の閾値より大きくなった後は導電状態を呈するスイッチング素子と、該スイッチング素子に直列接続された整流特性を有する発光素子とを積層してなる表示装置に、発光制御のための信号を付加することにより該発光素子を電流駆動で発光させる表示装置の駆動方法であって、印加される消光指示信号は、該直列接続した表示装置のスイッチング素子側の端子にパルス状の電界を印加することにより得ることを特徴とする。
【００２４】
本発明の表示装置の駆動方法は、印加される電圧が第１の閾値より小さくなった後は非導電状態を呈し第１の閾値より大きい第２の閾値より大きくなった後は導電状態を呈するスイッチング素子と、複数の行および複数の列よりなるマトリックス構成の交点に発光する画素を備え、行方向には一行毎に順次デューティ駆動し且つ同一行内の該当する列には発光制御のための信号を同時に付加することにより、該画素を電流駆動で発光させる発光パネルとを積層してなる表示装置の駆動方法であって、所定の期間中（好適にはウィンドウ期間中）に供給される発光指示時信号または消光指示信号に応答して特定の画素を発光または消光させる際に、デューティ駆動される行については所定の電圧を印加すると共に、他の行については前記所定の期間中にのみ該所定の電圧を所定のオフセット値だけオフセットさせた電圧を印加し、前記所定の期間中に所定の列に印加される消光指示信号の期間内に、該デューティ駆動される行または該所定の列の少なくとも一方に、前記消光指示信号とは別の電圧信号を一定時間印加することを特徴とする。
【００２５】
ここで、本発明の表示装置の駆動方法において、前記消光指示信号はパルス状信号であって前記所定の期間中に該当する行に対して印加されるものであり、前記消光指示信号の期間内に該デューティ駆動される行または該所定の列の少なくとも一方に、前記消光指示信号とは別の電圧信号を一定時間印加し、前記スイッチング素子を非導電状態に遷移させる閾値電圧を超えさせて前記特定の画素を挟みこむ行と列との電圧差を制御することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
（実施の形態の概要）
本発明の表示装置の駆動方法で用いる表示装置は、▲１▼印加される電圧の大きさに応じて導電状態および非導電状態を呈するスイッチング素子と、▲２▼複数の行および複数の列よりなるマトリックス構成の交点に発光する画素を有する発光パネルとを積層してなる表示装置である。このような表示装置を用いて、マトリックスの行方向には一行毎に順次デューティ（ｄｕｔｙ）駆動し且つ同一行内の該当する列には発光制御のための信号を同時に付加することにより、当該画素を電流駆動で発光させることに特徴を有するものである。単一の画素においては、印加される消光指示信号が、直列接続した表示装置のスイッチング素子側の端子にパルス状の電界を印加される。予め定めたウィンドウ期間中に供給される発光指示信号もしくは消光指示信号に応答して特定の画素を発光もしくは消光させる際に、デューティ駆動される行については所定電圧を印加すると共に、その他の行についてはウィンドウ期間中のみ該所定電圧を既定オフセット値だけオフセットさせた電圧を印加する。ウィンドウ期間中に所定の列に印加される消光指示信号の期間内に、デューティ駆動される行には所定電圧を一定時間変化させることを特徴とする。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】
まず単一画素に対する駆動方法を説明する。図１３は、直列に接続された有機ＥＬ素子およびスイッチング素子にプラス電圧（発光素子に関して順方向）を印加した時の電圧配分を説明する図である。図１３（Ａ）は本発明の表示装置の駆動方法が適用される積層構造の表示画素６０を示す。図１３（Ａ）では通常とは上下が逆に示されているが、ガラス基板６１上に陽極としてＩＴＯ電極６１が形成され、ＩＴＯ電極６１上に有機ＥＬ素子６３が形成され、有機ＥＬ素子６３上に金属電極６４が形成され、金属電極６４上にスイッチング素子６５が形成され、スイッチング素子６５上に陰極として金属電極６６が形成されている。
【００２９】
図１３（Ｂ）、（Ｃ）は有機ＥＬ素子（発光素子）６３とスイッチング素子６５との２通りの直列接続を各々示す。図１３（Ｂ）に示されるように、スイッチング素子６５がｏｆｆ状態の時は、等価的にはコンデンサと同等である。したがって、直列に接続された有機ＥＬ素子６３およびスイッチング素子６５に印加された電圧のほとんどは、スイッチング素子６５の両端に印加されている。一方、図１３（Ｃ）に示されるように、スイッチング素子６５がｏｎ態の時は、直列に接続された有機ＥＬ素子６３およびスイッチング素子６５に印加電圧された電圧は両方の素子に分担（分圧配分）または分割される。ここで、スイッチング素子６５に分圧される割合をαとおくと、有機ＥＬ素子６３に分圧される割合は１−αとなり、図１３（Ｃ）に示したような電圧が各素子に印加されることになる。有機ＥＬ素子６３の駆動電圧はバイアス電圧×（１−α）となる。図１３（Ｄ）は、単体で図１６に示すような特性を持つスイッチング素子６５を用い且つ有機ＥＬ素子６３とスイッチング素子６５とを直列に接続した場合のスイッチング素子６５に付加される電圧と電流との特性を示す。図１３（Ｄ）において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は電流の対数（ｌｏｇ（Ｉ））である。図１３（Ｄ）に示されるように、スイッチング素子６５は高抵抗特性（ｏｆｆ状態）と低抵抗特性（ｏｎ状態）との２つの電圧・電流特性を有している。Ｖｔｈ１とＶｔｈ２とは図１６と同様に第１、第２の閾値電圧である。図１３（Ｂ）および（Ｃ）で説明したように、ｏｆｆ状態でスイッチング素子６５に付加される電圧は位置Ａの電圧となり、ｏｎ状態で流れる最大電流は位置Ｂの電流となる。
【００３０】
これに対し、単一の画素に対してマイナス電圧を印加する駆動方法のうち、図１４は図２０の構成に対して、図１５は図２１の構成に対しての駆動方法を示したものである。なお、プラス電圧を印加する場合は、図２０、図２１の両構成に対して駆動方法を変える必要は無い。
【００３１】
図１４（Ａ）に示されるように、スイッチング素子６５がｏｆｆ状態の時は、等価的にはコンデンサと同等である。直列に接続された発光素子６３およびスイッチング素子６５に印加された電圧は両方の素子に分圧（分圧配分）または分割される。スイッチング素子６５に分圧される割合をαとおくと、発光素子６３には１−αだけ分圧されるため、図１４（Ａ）に示されるような電圧が各素子に印加されることになる。
【００３２】
図１４（Ａ）においては、消光状態（ｏｆｆ状態）への切替信号は、発光素子６３側のＸ端子の電圧を０Ｖにした後、スイッチング素子６５側のＹ端子に絶対値がＶｔｈ１より大きなプラス電圧（絶対値Ｖｏｆｆ２）を印加する。これによりスイッチング素子６５に逆方向の電圧を印加することができる。ｏｆｆ状態でｏｆｆ信号を与えても遷移（スイッチング）は起こらない。
【００３３】
一方、図１４（Ｂ）に示されるように、スイッチング素子６５がｏｎ状態の時は、等価的には抵抗と同等である。ｏｆｆ状態への切替信号（Ｖｏｆｆ１）は、Ｘ端子の電圧をバイアス電圧（Ｖｂ）にした後、Ｙ端子にプラス電圧Ｖｏｆｆ２を印加する。これによりスイッチング素子６５に逆方向の電圧がかかる。時間の経過とともにＸ−Ｙ端子間の全電圧は発光素子６３に印加されるので、スイッチング素子６３に印加される電圧は減衰して行くが、遷移状態でスイッチング素子６５に逆方向の電圧が印加され逆方向の電流が流れることにより、スイッチング素子６５のｏｆｆ状態への切替えが可能となる。
【００３４】
図１４（Ｃ）はスイッチング素子６５がｏｎ状態の場合におけるＸ端子に印加される電圧とＹ端子に印加される電圧との時間変化を示す。図１４（Ｃ）において横軸は時間、縦軸は電圧であり、Ｘ端子に印加される電圧は線、Ｙ端子に印加される電圧は破線で示す。図１４（Ｃ）に示されるように、最初Ｙ端子の電圧を０ＶとしＸ端子の電圧をバイアス電圧（Ｖｂ）とする。これによりスイッチング素子６５に順方向の電圧がかかる。次に、Ｘ端子の電圧を絶対値の小さい負電圧としＹ端子にＶｏｆｆ２を印加する。これによりスイッチング素子６５に逆方向の電圧がかかる。
【００３５】
図１４（Ｄ）はスイッチング素子６５がｏｎ状態の場合における発光素子に印加される電圧とスイッチング素子に印加される電圧との時間変化を示す。図１４（Ｄ）において横軸は時間、縦軸は電圧であり、発光素子に印加される電圧は線、スイッチング素子に印加される電圧は破線で示す。図１４（Ｄ）に示されるように、スイッチング素子６５に印加される電圧はＹ端子にプラス電圧Ｖｏｆｆ２が印加されると逆方向の電圧となるが、時間の経過により減衰していく。
【００３６】
次に図１５（Ａ）に示される駆動方法について説明する。図１５（Ａ）に示されるように、スイッチング素子６５がｏｆｆ状態の時は、等価的にはコンデンサと同等である。直列に接続された発光素子６３およびスイッチング素子６５に印加された電圧は両方の素子に分圧（分圧配分）または分割される。発光素子６３に分圧される割合をαとおくと、スイッチング素子６５には１−αだけ分圧されるため、図１５（Ａ）に示されるような電圧が各素子に印加されることになる。
【００３７】
図１５（Ａ）においては、消光状態（ｏｆｆ状態）への切替信号は、スイッチング素子６５側のＸ端子に絶対値がＶｔｈ１より大きなマイナス電圧（絶対値Ｖｏｆｆ２）を印加する。これによりスイッチング素子６５に逆方向の電圧を印加することができる。ｏｆｆ状態でｏｆｆ信号を与えても遷移（スイッチング）は起こらない。
【００３８】
一方、図１５（Ｂ）に示されるように、スイッチング素子６５がｏｎ状態の時は、等価的には抵抗と同等である。ｏｆｆ状態への切替信号（Ｖｏｆｆ１）は、Ｘ端子の電圧をバイアス電圧（Ｖｂ）にした後、絶対値がＶｔｈ１より大きなマイナス電圧（絶対値Ｖｏｆｆ２）を印加する。Ｙ端子には０Ｖを印加する。これによりスイッチング素子６５に逆方向の電圧がかかる。時間の経過とともにＸ−Ｙ端子間の全電圧は発光素子６３に印加されるので、スイッチング素子６３に印加される電圧は減衰して行くが、遷移状態でスイッチング素子６５に逆方向の電圧が印加され逆方向の電流が流れることにより、スイッチング素子６５のｏｆｆ状態への切替えが可能となる。
【００３９】
図１５（Ｃ）はスイッチング素子６５がｏｎ状態の場合におけるＸ端子に印加される電圧とＹ端子に印加される電圧との時間変化を示す。図１５（Ｃ）において横軸は時間、縦軸は電圧であり、Ｘ端子に印加される電圧は線、Ｙ端子に印加される電圧は破線で示す。図１５（Ｃ）に示されるように、最初Ｙ端子の電圧を０ＶとしＸ端子の電圧をバイアス電圧（Ｖｂ）とする。これによりスイッチング素子６５に順方向の電圧がかかる。次に、Ｙ端子の電圧を０ＶにしたままＸ端子に絶対値の大きい負電圧Ｖｏｆｆ２を印加する。これによりスイッチング素子６５に逆方向の電圧がかかる。
【００４０】
図１５（Ｄ）はスイッチング素子６５がｏｎ状態の場合における発光素子に印加される電圧とスイッチング素子に印加される電圧との時間変化を示す。図１５（Ｄ）において横軸は時間、縦軸は電圧であり、発光素子に印加される電圧は線、スイッチング素子に印加される電圧は破線で示す。図１５（Ｄ）に示されるように、スイッチング素子６５に印加される電圧はＸ端子にマイナス電圧Ｖｏｆｆ２が印加されると逆方向の電圧となるが、時間の経過により減衰していく。
【００４１】
次にマトリックス構成の表示装置の駆動について述べる。図１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態における、ある画素６０のスイッチング素子６５に印加される電圧と電流との関係をモデル的に示す図である。図１（Ａ）において横軸は時間、縦軸は電圧を示し、図１（Ｂ）において横軸は時間、縦軸は電流を示す。説明を簡単にするため、図１では直列に接続された有機ＥＬ素子６３に印加される電圧は示していない。このスイッチング素子６５にはバイアス電圧Ｖｂ（１３）が印加されている。当初スイッチング素子６５はｏｆｆ状態であったが、最初の走査デューティ時間Ａの時点でｏｎ状態への切替信号Ｖｏｎ（１１）が印加されて電流が立ち上がり、走査周期Ｔの間その電流が維持される。次の走査デューティ時間Ｂの時点でｏｆｆ状態への切替信号（符号１２で示される−Ｖｏｆｆ）により電流が立ち下がる。図１に示されるように、ＶｏｎおよびＶｏｆｆは、切替の第１の閾値Ｖｔｈ１、第２の閾値Ｖｔｈ２に対し、Ｖｂ＋Ｖｏｎ＞Ｖｔｈ２，Ｖｂ−Ｖｏｆｆ＜Ｖｔｈ１となるよう設定されている。
【００４２】
図２は、選択された行における走査デューティ時間を詳細に示す。図２において横軸は時間、縦軸は電圧を示す。図２に示されるように、例えば時間ウィンドウとしてＣとＤとを設定し、ｏｎ状態への切替信号ＶｏｎはＣのウィンドウ内に、ｏｆｆ状態への切替信号ＶｏｆｆはＤのウィンドウ内に出すこととする。
【００４３】
図３は、選択された行以外の行における走査デューティ時間を詳細に示す。図３において横軸は時間、縦軸は電圧を示す。図３に示されるように、それぞれのウィンドウＣ、Ｄ内でのバイアスを各々−Ｖｃ、Ｖｄだけオフセットさせることにより、選択された該当行以外の行でスイッチングが起こることを防ぐことができる。
【００４４】
図３に示した電圧はスイッチング素子６５に印加される電圧であるが、実際の発光パネルにおける各行、各列に信号を印加する例を以下に示す。
【００４５】
図４は、マトリックス駆動における電気信号印加の一例を示す。ここでは説明を簡単化するために行はＡ、Ｂ、Ｃ行とし、列は１、２、３、４列として駆動を考える。各行の電圧値は通常はアースとするが、本実施の形態におけるウィンドウＣ、Ｄ内のバイアス電圧Ｖｃ、Ｖｄのオフセット制御は行電極で行われる。デューティ内状態の行における消光指示信号は選択された該当列の信号と行の信号との組合せによって得られる。図４は、Ａ行がデューティ（ｄｕｔｙ）内状態にあり、Ｂ行およびＣ行はデューティ外状態として、各画素での状態を例示したものである。ここで３列にｏｎ状態への切替信号、４列にｏｆｆ状態への切替信号が与えられたものとする。
【００４６】
各画素（例えば１列Ａ行の画素は１Ａと示す）における電圧条件は図４に示した通りである。図４に示されるように、画素１Ａは最初ｏｆｆ状態であり、１列には切替信号が与えられないためデューティ内の状態も変化しない。画素２Ａは最初ｏｎ状態であり、２列には切替信号が与えられないためデューティ外の状態も変化しない。画素３Ａは最初ｏｆｆ状態であり、３列にはｏｎ状態への切替信号が与えられるためｏｎ状態へ変化する。画素３Ｂは最初ｏｆｆ状態であり、３列には切替信号が与えられるがデューティ外のため状態は変化しない。画素３Ｃは最初ｏｎ状態であり、３列にはｏｎ状態への切替信号が与えられるがデューティ外のため状態は変化しない。画素４Ａは最初ｏｎ状態であり、４列にはｏｆｆ状態への切替信号が与えられるためｏｆｆ状態へ変化する。画素４Ｂは最初ｏｆｆ状態であり、４列にはｏｆｆ状態への切替信号が与えられるがデューティ外のため状態は変化しない。画素４Ｃは最初ｏｎ状態であり、４列にはｏｆｆ状態への切替信号が与えられるがデューティ外のため状態は変化しない。
【００４７】
以上における電圧は、上述した記号を用いて以下の（式１）〜（式５）に集約される。
【００４８】
Ｖｏｎ＞Ｖｔｈ２−Ｖｂ（式１）
（Ｖｔｈ１／α）＜（Ｖｂ−Ｖｃ）＜（Ｖｔｈ２−Ｖｏｎ）（式２）
（Ｖｔｈ１／α）＋Ｖｏｆｆ１＜（Ｖｂ＋Ｖｄ）＜Ｖｔｈ２（式３）
Ｖｔｈ１＜（Ｖｂ−Ｖｏｆｆ２）＜Ｖｔｈ２（式４）
Ｖｏｆｆ１−Ｖｏｆｆ２＜Ｖｔｈ１＋Ｖｂ（式５）
【００４９】
図５ないし図１２は、画素１Ａ、２Ａ、３Ａ〜３Ｃ、４Ａ〜４Ｃに印加される電圧と閾値との関連を説明する図である。図５ないし図１２において、横軸は時間、縦軸は電圧を示し、符号Ｖｔｈ１等は図１ないし３、１４、および１５等で用いられた符号と同じ意味を有する。
【００５０】
図５に示されるように画素１Ａについては、Ａ行に印加される電圧はデューティ内のためＶｏｆｆ２が印加されるが、１列に印加される電圧は切替信号が与えられないためＶｂのままである。このため、ｏｆｆ状態は変化しない。
【００５１】
図６に示されるように画素２Ａについては、Ａ行に印加される電圧はデューティ内のためＶｏｆｆ２が印加されるが、２列に印加される電圧は切替信号が与えられないためＶｂのままである。このため、ｏｎ状態は変化しない。
【００５２】
図７に示されるように画素３Ａについては、Ａ行に印加される電圧はデューティ内のためＶｏｆｆ２が印加され、３列に印加される電圧はｏｎ状態への切替信号が与えられるためＶｂ＋Ｖｏｎとなる。Ｖｂ＋Ｖｏｎ＞Ｖｔｈ２となるためｏｎ状態へ変化する。
【００５３】
図８に示されるように画素３Ｂについては、Ｂ行に印加される電圧はデューティ外のため、３列にｏｎ状態への切替信号が与えられてＶｂ＋Ｖｏｎとなった際にオフセット電圧Ｖｃが付加される。このためｏｆｆ状態は変化しない。
【００５４】
図９に示されるように画素３Ｃについては、Ｃ行に印加される電圧はデューティ外のため、３列にｏｎ状態への切替信号が与えられてＶｂ＋Ｖｏｎとなった際にオフセット電圧Ｖｃが付加される。このためｏｎ状態は変化しない。
【００５５】
図１０に示されるように画素４Ａについては、Ａ行に印加される電圧はデューティ内のためＶｏｆｆ２が印加される。４列にはｏｆｆ状態への切替信号が与えられてＶｂ−Ｖｏｆｆ１となった際にオフセット電圧Ｖｃが減じられる。このためｏｎ状態は変化しない。４列に印加される電圧はｏｆｆ状態への切替信号が与えられるためｏｆｆ状態へ変化する。
【００５６】
図１１に示されるように画素４Ｂについては、Ｂ行に印加される電圧はデューティ外のため、４列にｏｆｆ状態への切替信号が与えられてＶｂ−Ｖｏｆｆ１なった際にオフセット電圧Ｖｄが付加される。このためｏｆｆ状態は変化しない。
【００５７】
図１２に示されるように画素４Ｃについては、Ｃ行に印加される電圧はデューティ外のため、４列にｏｆｆ状態への切替信号が与えられてＶｂ−Ｖｏｆｆ１なった際にオフセット電圧Ｖｄが付加される。このためｏｎ状態は変化しない。
【００５８】
以上より、本発明の実施の形態によれば、２値で動作するスイッチング素子を用いて有機ＥＬパネルを制御するにあたり、当該スイッチング素子６５のｏｆｆ切替信号が絶対値の大きな負の値Ｖｏｆｆ２を持つ場合にも、当該信号をスイッチング素子６５に印加し、かつｏｎ／ｏｆｆ切替信号の行間の影響を抑制する手段を提供することができる。詳しくは、マトリックスの行方向には一行毎に順次デューティ駆動し且つ同一行内の該当する列には発光制御のための信号を同時に付加することにより、画素６０を電流駆動で発光させることができる。単一の画素においては、印加される消光指示信号が、直列接続した表示装置のスイッチング素子６５側の端子にパルス状の電界として印加される。予め定めたウィンドウ期間Ｃ、Ｄ中に供給される発光指示信号Ｖｏｎもしくは消光指示信号Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２に応答して特定の画素６０を発光もしくは消光させる際に、デューティ駆動される行については所定電圧を印加すると共に、その他の行についてはウィンドウ期間Ｃ、Ｄ中のみ該所定電圧を既定オフセット値Ｖｃ、Ｖｄだけオフセットさせた電圧を印加する。ウィンドウ期間Ｃ、Ｄ中に所定の列に印加される消光指示信号Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２の期間内に、デューティ駆動される行には所定電圧を一定時間変化させる。この結果、ｏｎ／ｏｆｆ切替信号の行間の影響を抑制することができる。
【００５９】
実施例１．
ＩＴＯ６２付ガラス基板６１上にポリエチレンジオキシチオフェン膜とポリフェニレンビニレン膜とをスピンコートにより順次形成し、その後、カルシウム膜を真空蒸着により成膜して有機ＥＬ層６３を形成した。各層の厚さは、それぞれ１００ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍとした。ＩＴＯ６２は１ｍｍピッチ、幅０．７ｍｍで１５列のパターニングが予めなされており、カルシウム蒸着膜は金属マスクを用いて１ｍｍピッチ、幅０．７ｍｍで１０行のパターニングを行うことにより、１５列、１０行のマトリックスを形成している。これに連続してアルミニウム、ジシアノ系化合物（化合物１）、アルミニウムを順次、それぞれ１００ｎｍ、５０ｎｍと１００ｎｍ厚さで真空蒸着成膜することにより、有機ＥＬ６３部分に直列にスイッチング素子部６５を形成した。スイッチング素子部６５は有機ＥＬ層６３のカルシウム膜の上に形成され、カルシウム膜と同様の、１ｍｍピッチ、幅０．７ｍｍで１０行のパターニングを行った。
【００６０】
【化１】

【００６１】
スイッチング素子６５の性能は、Ｖｔｈ１が−５．０Ｖ、Ｖｔｈ２が５．０Ｖ、バイアスＶｂが４．０Ｖでのｏｎ状態での電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２、ｏｆｆ状態での電流密度が０．０１ｍＡ／ｃｍ^２であった。ｏｎ状態での有機ＥＬ素子６３の電圧降下は３．５Ｖ、発光強度は３０Ｃｄ／ｍ^２であり、ｏｆｆ状態での電圧降下、発光は観測されなかった。
【００６２】
パネル全体の走査周波数を６０Ｈｚ、すなわち走査周期Ｔを約１６．７ｍｓｅｃとすると、各行あたりの走査デューティ時間は１．６７ｍｓｅｃとなる。前述のウィンドウＣとＤとをそれぞれ時間幅０．１ｍｓｅｃ、切替信号のパルス幅を０．０５ｍｓｅｃとし、Ｖｂ＝４．０Ｖ、Ｖｏｎ＝１．５Ｖ、Ｖｏｆｆ１＝４．０Ｖ、Ｖｏｆｆ２＝５．５Ｖ、Ｖｃ＝１．５Ｖ、Ｖｄ＝０．８Ｖと設定することにより、パネルは順調に動作した。ちなみに、ウィンドウ時間の間は発光は中断するが、１．６７ｍｓｅｃのうち少なくともウィンドウ時間を除いた１．４７ｍｓｅｃは発光しており、発光時間比は８８％以上となる。これは、従来の単純なパッシブマトリックスの場合の発光時間比１０％（＝１／１０行）と比較すると、十分大きな値である。
【００６３】
実施例２．
実施例１と同様に有機ＥＬ素子６３を構成した後、これに連続してアルミニウム、化合物１、アルミニウムを順次、それぞれ１００ｎｍ、７０ｎｍと１２０ｎｍ厚さで真空蒸着成膜することにより、有機ＥＬ素子部分６３に直列にスイッチング素子部６５を形成した。スイッチング素子部６５は実施例１と同様に有機ＥＬ層６３のカルシウム膜の上に形成され、カルシウム膜と同様の、１ｍｍピッチ、幅０．７ｍｍで１０行のパターニングを行った。
【００６４】
スイッチング素子６３の性能は、Ｖｔｈ１が−５．５Ｖ、Ｖｔｈ２が５．５Ｖ、バイアスＶｂが４．５Ｖでのｏｎ状態での電流密度が２０ｍＡ／ｃｍ^２、ｏｆｆ状態での電流密度が０．１ｎＡ／ｃｍ^２以下であった。ｏｎ状態での有機ＥＬ素子６３の電圧降下は４Ｖ、発光強度は５０Ｃｄ／ｍ^２であり、ｏｆｆ状態での電圧降下、発光は観測されなかった。
【００６５】
パネル全体の走査周期Ｔ、各行あたりの走査デューティ時間、ウィンドウＣとＤの時間幅、切替信号のパルス幅は実施例１と同様とし、Ｖｂ＝４．５Ｖ、Ｖｏｎ＝２．５Ｖ、Ｖｏｆｆ１＝４．５Ｖ、Ｖｏｆｆ２＝６．０Ｖ、Ｖｃ＝２．５Ｖ、Ｖｄ＝０．８Ｖと設定することにより、パネルは順調に動作した。
【００６６】
実施例３．
実施例１と同様に有機ＥＬ素子６３を構成した後、これに連続してアルミニウム、ジシアノ系化合物（化合物２）、アルミニウムを順次、それぞれ１００ｎｍ、８０ｎｍ、１２０ｎｍ厚さで合計５層の真空蒸着成膜することにより、有機ＥＬ素子部分６３に直列にスイッチング素子部６５を形成した。スイッチング素子部６５は実施例１と同様に有機ＥＬ層６３のカルシウム膜の上に形成され、カルシウム膜と同様の、１ｍｍピッチ、幅０．７ｍｍで１０行のパターニングを行った。
【００６７】
スイッチング素子６５の性能は、Ｖｔｈ１が−４．５Ｖ、Ｖｔｈ２が４．５Ｖ、バイアスＶｂが３．５Ｖでのｏｎ状態での電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２、ｏｆｆ状態での電流密度が０．０１ｍＡ／ｃｍ^２であった。ｏｎ状態での有機ＥＬ素子６３の電圧降下は３．０Ｖ、発光強度は２０Ｃｄ／ｍ^２であり、ｏｆｆ状態での電圧降下、発光は観測されなかった。
【００６８】
パネル全体の走査周期Ｔ、各行あたりの走査デューティ時間、ウィンドウＣとＤの時間幅、切替信号のパルス幅は実施例１と同様とし、Ｖｂ＝３．５Ｖ、Ｖｏｎ＝１．５Ｖ、Ｖｏｆｆ１＝３．５Ｖ、Ｖｏｆｆ２＝５．０Ｖ，Ｖｃ＝１．５Ｖ、Ｖｄ＝０．８Ｖと設定することにより、パネルは順調に動作した。
【００６９】
【化２】

【００７０】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明の表示装置の駆動方法によれば、単一の画素において、印加される消光指示信号が直列接続した表示装置のスイッチング素子６５側の端子にパルス状の電界として印加されることにより、有機ＥＬディスプレイパネルなどの自発光パネルをスイッチング素子でデューティ駆動する際、ｏｆｆ切替信号が絶対値の大きな負の値を持つ場合にも、当該信号をスイッチング素子に印加することができる。予め定めたウィンドウ期間Ｃ、Ｄ中に供給される発光指示信号Ｖｏｎもしくは消光指示信号Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２に応答して特定の画素６０を発光もしくは消光させる際に、デューティ駆動される行については所定電圧を印加すると共に、その他の行についてはウィンドウ期間Ｃ、Ｄ中のみ該所定電圧を既定オフセット値Ｖｃ、Ｖｄだけオフセットさせた電圧を印加することにより、ｏｎ／ｏｆｆ切替信号の行間の影響を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における、ある画素６０のスイッチング素子６５に印加される電圧と電流との関係をモデル的に示す図である。
【図２】選択された行における走査デューティ時間を詳細に示す図である。
【図３】選択された行以外の行における走査デューティ時間を詳細に示す図である。
【図４】マトリックス駆動における電気信号印加の一例を示す図である。
【図５】画素１Ａに印加される電圧と閾値との関連を説明する図である。
【図６】画素２Ａに印加される電圧と閾値との関連を説明する図である。
【図７】画素３Ａに印加される電圧と閾値との関連を説明する図である。
【図８】画素３Ｂに印加される電圧と閾値との関連を説明する図である。
【図９】画素３Ｃに印加される電圧と閾値との関連を説明する図である。
【図１０】画素４Ａに印加される電圧と閾値との関連を説明する図である。
【図１１】画素４Ｂに印加される電圧と閾値との関連を説明する図である。
【図１２】画素４Ｃに印加される電圧と閾値との関連を説明する図である。
【図１３】直列に接続された有機ＥＬ素子およびスイッチング素子にプラス電圧（発光素子に関して順方向）を印加した時の電圧配分を説明する図である。
【図１４】有機ＥＬ発光素子６３とスイッチング素子６５との一直列接続の場合の駆動方法を示す図である。
【図１５】有機ＥＬ発光素子６３とスイッチング素子６５との他の直列接続の場合の駆動方法を示す図である。
【図１６】図１６は特許文献２で例示したスイッチング素子の電圧・電流特性を示す図である。
【図１７】マトリックス構成されたディスプレイ装置について形成される積層構造の表示画素を示す図である。
【図１８】表示画素６０をマトリックス状に配列した場合を示す図である。
【図１９】スイッチング素子の電圧・電流特性を示す図である。
【図２０】有機ＥＬ発光素子６３とスイッチング素子６５との一直列接続を示す図である。
【図２１】有機ＥＬ発光素子６３とスイッチング素子６５との他の直列接続を示す図である。
【符号の説明】
１１スイッチング素子をｏｆｆ状態からｏｎ状態へ切替る電圧パルス（Ｖｏｎ）
１２スイッチング素子をｏｎ状態からｏｆｆ状態へ切替る電圧パルス（Ｖｏｆｆ）
１３スイッチング素子へのバイアス電圧（Ｖｂ）
２１スイッチング素子の電流（Ｉ）
Ｃ時間ウィンドウＣ
Ｄ時間ウィンドウＤ
Ｔ走査周期
５１スイッチング素子の高抵抗状態（ｏｆｆ状態）
５２スイッチング素子の低抵抗状態（ｏｎ状態）
６１ガラス基板
６２ＩＴＯ電極
６３有機ＥＬ素子
６４金属電極
６５スイッチング素子
６６金属電極

Claims

印加される電圧が第１の閾値より小さくなった後は非導電状態を呈し第１の閾値より大きい第２の閾値より大きくなった後は導電状態を呈するスイッチング素子と、該スイッチング素子に直列接続された整流特性を有する発光素子とを積層してなる表示装置に、発光制御のための信号を付加することにより該発光素子を電流駆動で発光させる表示装置の駆動方法であって、
印加される消光指示信号は、該直列接続した表示装置のスイッチング素子側の端子にパルス状の電界を印加することにより得ることを特徴とする表示装置の駆動方法。
印加される電圧が第１の閾値より小さくなった後は非導電状態を呈し第１の閾値より大きい第２の閾値より大きくなった後は導電状態を呈するスイッチング素子と、複数の行および複数の列よりなるマトリックス構成の交点に発光する画素を備え、行方向には一行毎に順次デューティ駆動し且つ同一行内の該当する列には発光制御のための信号を同時に付加することにより、該画素を電流駆動で発光させる発光パネルとを積層してなる表示装置の駆動方法であって、
所定の期間中に供給される発光指示時信号または消光指示信号に応答して特定の画素を発光または消光させる際に、デューティ駆動される行については所定の電圧を印加すると共に、他の行については前記所定の期間中にのみ該所定の電圧を所定のオフセット値だけオフセットさせた電圧を印加し、
前記所定の期間中に所定の列に印加される消光指示信号の期間内に、該デューティ駆動される行または該所定の列の少なくとも一方に、前記消光指示信号とは別の電圧信号を一定時間印加することを特徴とする表示装置の駆動方法。
請求項２記載の表示装置の駆動方法において、
前記消光指示信号はパルス状信号であって前記所定の期間中に該当する行に対して印加されるものであり、前記消光指示信号の期間内に該デューティ駆動される行または該所定の列の少なくとも一方に、前記消光指示信号とは別の電圧信号を一定時間印加し、前記スイッチング素子を非導電状態に遷移させる閾値電圧を超えさせて前記特定の画素を挟みこむ行と列との電圧差を制御することを特徴とする表示装置の駆動方法。