JP2005014083A - Laser beam machining device and laser beam machining method - Google Patents

Laser beam machining device and laser beam machining method Download PDF

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JP2005014083A JP2003186444A JP2003186444A JP2005014083A JP 2005014083 A JP2005014083 A JP 2005014083A JP 2003186444 A JP2003186444 A JP 2003186444A JP 2003186444 A JP2003186444 A JP 2003186444A JP 2005014083 A JP2005014083 A JP 2005014083A
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Japan
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laser processing
laser
processing surface
laser beam
thin film
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JP2003186444A
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Yasuhiro Yokoyama
康弘 横山
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Fuji Electric Co Ltd
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Fuji Electric Holdings Ltd
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To subject a thin film deposited on a substrate to laser beam machining in a clean environment. <P>SOLUTION: A flexible substrate 2 is attracted on a sucking stage 5, and the laser beam machining face 2a thereof is made vertical. A galvanomirror 7 is arranged on a normal at the center of the laser beam machining face 2a, and by the combination of the angles of two reflectors 7a and 7b, a laser beam oscillated from a laser oscillator 9 is applied to the desired position on the laser beam machining face 2a. Since the laser beam machining face 2a is vertical and the galvanomirror 7 is not arranged in the vertical lower region thereof, the scattering of machining dust produced on the removal of a thin film over the laser beam machining face 2a and the galvanomirror 7 can remarkably be reduced, thereby a clean laser beam machining process can be realized. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はレーザ加工装置およびレーザ加工方法に関し、特に薄膜太陽電池の製造において、その基板上に形成された薄膜を、レーザを用いて加工するためのレーザ加工装置およびレーザ加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
原料ガスのグロー放電分解や光CVD(Chemical Vapor Deposition)により形成されるアモルファスシリコン(a−Si)、アモルファスシリコンゲルマニウム(a−SiGe)、微結晶シリコンなどの非単結晶シリコン系薄膜は、気相成長法で形成できるため、大面積化が容易であるという特徴を有している。さらに、これらの非単結晶シリコン系薄膜は、その形成温度が低いために、プラスチックフィルムのような基板にも形成できるという特徴を有している。
【0003】
こうした非単結晶シリコン系薄膜を用いて薄膜太陽電池を形成する場合、基板にガラスやプラスチックフィルムなどの絶縁材料を用いて集積型の直列接続構造を実現でき、1枚の基板から数十V〜数百Vの高電圧を取り出せるというメリットがある。直列接続構造としては、例えば特開平6−342924号公報に開示されているように、ガラスなどの透光絶縁性基板を用いて短冊状の素子を一方の面で接続する構造や、プラスチックフィルム基板を用い、その主面に短冊状に素子を形成し、背面には接続用電極を形成して、接続孔を介して素子を接続する構造がある。
【0004】
このような直列接続構造を実現するためには、一辺が0.3m〜2m程度の大面積基板上に一様に形成した非単結晶シリコン系薄膜を、短冊状に分離加工する技術が必要であり、このような分離加工にあたっては主に以下の(1)〜(3)に示すような条件が要求される。
【0005】
(1)ピンホールを発生させないクリーンな加工プロセスであること。
(2)加工ライン幅が10μm〜500μm程度で安定性が良好であること。
(3)加工位置精度が良好であること。
【0006】
これらの条件を満足し、現在、最も一般的に用いられているのはYAG(Yttrium Aluminum Garnet)レーザ光を用いたレーザ加工技術である。薄膜の分離加工に用いるレーザ加工装置としては、基板をX−Yステージ上に吸着し、このX−YステージをX方向またはY方向に移動させることによって、その基板に対しレーザ光を走査するものがある。また、図4は従来のレーザ加工装置の一例を説明する図である。この図4に示すように、基板100をX−Yステージ101に固定し、レーザ光をファイバ光学系102により出射光学部103に導き、出射光学部103をX方向またはY方向に移動させながら基板100に対しレーザ光104を走査するものもある。
【0007】
さらに、ガルバノミラーを用いてレーザ光をレーザ加工面の所望の位置に二次元照射できるようにしたものも提案されている。薄膜分離加工にガルバノミラーを用いたレーザ加工装置を用いることにより、1m角以上の大面積基板も高速に加工することができ、薄膜膜太陽電池の低コスト化を図れる。
【0008】
従来、ガルバノミラーを用いたレーザ加工装置としては、例えば、リチウム2次電池などの電池用電極板に塗着された活物質に対し、電極板が形成される電極材料のローラによる移送中に、ガルバノミラーを用いてレーザ光を上方から照射して速度0.6m/sで走査し、照射部分の活物質を昇華させて除去するようにした装置が提案されている。さらに、この提案では、電極板表面およびレーザ光に対して傾斜角度を持たせたノズルからレーザ光の照射スポット付近に圧縮空気を吹き付け、活物質昇華時に発生する活物質の煙状物体を吹き飛ばし、それを集塵ダクトで集塵するようにした装置が示されている(特許文献1参照)。
【0009】
【特許文献1】
特開2000−149911号公報(段落番号[0018]〜[0020],[0025],図1,図2)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
薄膜太陽電池製造における薄膜分離加工では、レーザ光の照射を受けて薄膜が昇華して除去される際に、薄膜から加工塵を含んだガスが発生するため、高速・低コスト化を図れるガルバノミラーを用いたレーザ加工装置による薄膜分離加工をクリーンな環境下で行うためには、そのような加工塵によって引き起こされ得るいくつかの問題を解決しなければならない。具体的には以下のような問題点が挙げられる。
【0011】
まずレーザ加工の際に圧縮空気を吹き付けないタイプのレーザ加工装置の場合、第1に、レーザ加工面を上向きにして加工すると、レーザ加工面に加工塵が堆積してしまい、特にこれから加工しようとする部分に付着した加工塵はドライプロセスで除去することが難しい。第2に、基板のレーザ加工面を下向きにしてガルバノミラーを含むレーザ光学系を下方に配置した場合には、光学系に加工塵が降りかかって付着するのを防止する保護ガラスが必要になる。ところが、ガルバノミラーを用いたレーザ加工では、レーザ光が角度を有して照射されるため、レーザ光がその保護ガラスを通過する際に屈折し、加工精度を低下させる原因となる。第3に、レーザ加工面を上向きにすると下向きにするとを問わず、薄膜へのレーザ照射時に発生するガスに含まれている加工塵がレーザ光の光路を遮ると、薄膜加工状態に影響を及ぼしてしまうようになる。
【0012】
また、薄膜太陽電池製造では基板が大面積化してきており、基板の一辺が1m以上になることも少なくない。そのため、レーザ加工の際に圧縮空気を照射スポット付近に吹き付ける従来のレーザ加工装置では、そのような大面積基板に形成した薄膜のレーザ加工において発生する加工塵を含んだガスの影響を効果的に排除することが難しい。
【0013】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、低コストで高い生産性を実現し、かつ、クリーンな環境下でのレーザ加工プロセスを実現するためのレーザ加工装置およびレーザ加工方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記問題を解決するために、薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して前記薄膜の一部を除去するレーザ加工装置において、前記レーザ光が照射される前記基板のレーザ加工面が鉛直または鉛直下向きに配置され、前記レーザ加工面における前記レーザ光の照射位置を調整して前記レーザ光を前記レーザ加工面で走査するためのガルバノミラーが前記レーザ加工面の鉛直下方領域外であって前記レーザ加工面中央の法線上に配置されていることを特徴とするレーザ加工装置が提供される。
【0015】
このようなレーザ加工装置によれば、レーザ加工面におけるレーザ光の照射位置を調整するガルバノミラーが、鉛直または鉛直下向きに配置された基板のレーザ加工面の鉛直下方領域外でレーザ加工面中央の法線上に配置されるので、薄膜除去の際に生じる加工塵のレーザ加工面およびガルバノミラーへの飛散、付着が低減される。
【0016】
また、本発明では、薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して前記薄膜の一部を除去するレーザ加工方法において、前記基板のレーザ加工面を鉛直または鉛直下向きに配置し、鉛直または鉛直下向きに配置された前記レーザ加工面の鉛直下方領域外であって前記レーザ加工面中央の法線上に配置したガルバノミラーを用いて、前記レーザ加工面に前記レーザ光を照射することを特徴とするレーザ加工方法が提供される。
【0017】
このようなレーザ加工方法によれば、鉛直または鉛直下向きに配置された基板のレーザ加工面の鉛直下方領域外でレーザ加工面中央の法線上に配置されたガルバノミラーを用いてレーザ加工面にレーザ光を照射するので、薄膜除去の際に生じる加工塵のレーザ加工面およびガルバノミラーへの飛散、付着が低減される。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
まず第1の実施の形態について説明する。
【0019】
図1は第1の実施の形態のレーザ加工装置の概略図である。
レーザ加工装置1は、可撓性を有する厚さ50μmのポリイミドフィルム材の上に薄膜が形成された可撓性基板2が、直径150mmのロールコアに巻き付けられた巻き出しロール3、この巻き出しロール3から送り出された可撓性基板2が巻き取られる巻き取りロール4を有している。巻き出しロール3と巻き取りロール4との間には、可撓性基板2のレーザ光で加工する範囲となるレーザ加工面2aの裏面側に、可撓性基板2を吸着する吸着面5aを有する吸着ステージ5が配置されている。この吸着ステージ5は、ここでは吸着面5aが鉛直になるように配置されている。また、可撓性基板2のレーザ加工面2a側には、可撓性基板2にあらかじめ定められた位置に形成されているマーカホール2bを検出するためのマーカ検出器6が配置されている。
【0020】
さらに、レーザ加工装置1は、可撓性基板2のレーザ加工面2a側であって吸着面5a上のレーザ加工面2a中央の法線上にガルバノミラー7が配置されている。ガルバノミラー7は、その取り付け姿勢に制約がないため、可撓性基板2のレーザ加工面2aを鉛直にしての加工が可能である。このようなガルバノミラー7は、2枚の反射ミラー7a,7bをそれぞれサーボモータなどの回転駆動機構7c,7dにより回転可能にした構成を有している。ガルバノミラー7への入射側には、レーザ加工面2a上でレーザ光が焦点を結ぶように調整するための焦点調整レンズ8が配置され、この焦点調整レンズ8を介してレーザ発振器9が配置されている。ガルバノミラー7、焦点調整レンズ8およびレーザ発振器9は、制御部10によって駆動制御されるようになっている。
【0021】
このレーザ加工装置1において、ガルバノミラー7は、レーザ発振器9から発振されたレーザ光のレーザ加工面2aにおける照射位置を、反射ミラー7a,7bの角度の組み合わせによって高速で所望の位置に調整して移動させることができるようになっている。例えば、レーザ光の照射位置を速度0.9m/s程度で移動できるようにした回転駆動機構7c,7dによって2枚の反射ミラー7a,7bを駆動する。それにより、レーザ加工面2aが例えば1m角の大きさであれば、レーザ光の照射位置をレーザ加工面2aの一端から他端までおよそ1秒程度で移動させることが可能になる。なお、レーザ光のある照射終了位置から次の照射開始位置まで移動させる非加工時の移動の場合には、より高速で反射ミラー7a,7bを駆動させる構成としてもよい。
【0022】
また、このレーザ加工装置1は、ガルバノミラー7を用いて、集光用Fθレンズを介さずに、角度を有した状態でレーザ光をレーザ加工面2aに直接照射するように構成されている。
【0023】
このような構成を有するレーザ加工装置1による可撓性基板2のレーザ加工では、まず、巻き出しロール3から送り出された可撓性基板2は、そのマーカホール2bが位置決め基準となり、マーカホール2bがマーカ検出器6で検出されることによって送り出しが停止する。送り出しが停止された可撓性基板2は、そのレーザ加工面2aの裏面を吸着面5aに吸着され、吸着ステージ5上に一時的に固定される。
【0024】
吸着ステージ5に固定された可撓性基板2のレーザ加工面2aに対しては、所定のパターン、例えば短冊状に、レーザ加工が施される。その際、レーザ光は、制御部10からの指令に基づき、レーザ発振器9から発振されて焦点調整レンズ8に入射され、反射ミラー7a,7bの角度に応じた照射位置に照射される。レーザ加工面2aでレーザ光の照射位置に形成されている薄膜は、レーザ光の照射によって加熱され、昇華する。
【0025】
この第1の実施の形態のレーザ加工装置1では、吸着面5aを鉛直とした吸着ステージ5を用い、レーザ加工面2aが鉛直になっているため、昇華時に薄膜から生じるガスに含まれる加工塵のレーザ加工面2aへの飛散、堆積が大幅に低減されるようになる。また、このレーザ加工装置1では、ガルバノミラー7がレーザ加工面2aの鉛直下方領域に配置されていないため、加工塵がガルバノミラー7に降りかかることがなく、ガルバノミラー7への加工塵の飛散、付着が大幅に低減されるようになる。さらに、保護ガラスが不要であり、加工精度の向上が図られる。
【0026】
図2はレーザ加工面とガルバノミラーとの間の別の配置関係を示す図である。ただし、図2では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
【0027】
この図2では、吸着ステージ5がその吸着面5aを鉛直下向きに向けて配置され、それによって可撓性基板2のレーザ加工面2aが鉛直下向きに配置されるようになっており、この点で吸着面5aを鉛直に配置した上記図1に示した例と相違している。この図2に示すように吸着面5aがある角度で鉛直下向きに向いていても、ガルバノミラー7が、吸着面5a上のレーザ加工面2aの鉛直下方領域20外であってレーザ加工面2a中央の法線上に配置されていれば、レーザ加工面2aにレーザ光を照射したときに発生する加工塵のレーザ加工面2aやガルバノミラー7への飛散を抑制することができる。
【0028】
以上述べたように、第1の実施の形態のレーザ加工装置1では、可撓性基板2のレーザ加工面2aを鉛直または鉛直下向きになるように配置し、ガルバノミラー7をレーザ加工面2aの鉛直下方領域外であってレーザ加工面2a中央の法線上に配置して、レーザ加工面2aにレーザ光を照射する。これにより、レーザ加工面2aやガルバノミラー7への加工塵の飛散が抑えられ、クリーンな環境下でのレーザ加工プロセスを実現できる。
【0029】
次に第2の実施の形態について説明する。
図3は第2の実施の形態のレーザ加工装置の要部断面概略図である。ただし、図3では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
【0030】
図3に示すレーザ加工装置30は、吸着ステージ5の吸着面5a側の一端に、レーザ加工面2aの幅方向の長さ以上の長さを有する吹き付けノズル31が配置されている。この吹き付けノズル31は、コンプレッサー32に接続され、吹き付けノズル31から圧縮空気が吹き出るようになっている。さらに、吸着ステージ5の吸着面5a側であって吹き付けノズル31に対向する他端には、吹き付けノズル31同様、レーザ加工面2aの幅方向の長さ以上の長さを有していて、吹き付けノズル31から吹き出された圧縮空気および加工塵を含んだガスを吸引するための吸引ダクト33が配置されている。この吸引ダクト33は、排気ポンプ34に接続されている。吹き付けノズル31およびコンプレッサー32によってレーザ加工装置30のエアーブロー手段が構成され、吸引ダクト33および排気ポンプ34によってレーザ加工装置30の吸引手段が構成されている。
【0031】
エアーブロー手段および吸引手段は、レーザ光の走査方向との関係では、レーザ光を走査するときの終点側に吹き付けノズル31が配置され、レーザ光を走査するときの始点側に吸引ダクト33が配置されるように構成されている。すなわち、吹き付けノズル31から吸引ダクト33へ向かって流れる圧縮空気は、レーザ光走査方向に対向して流れるようになっている。
【0032】
なお、図3では図示を省略しているが、レーザ加工装置30は、吹き付けノズル31から吸引ダクト33へ流れる圧縮空気の流れ方向に直交する方向にも、1対の吹き付けノズルと吸引ダクトが配置されており、それぞれコンプレッサーと排気ポンプに接続されてエアーブロー手段と吸引手段が構成されている。この場合も、圧縮空気はレーザ光走査方向に対向して流れるようになっている。
【0033】
ここでは、第2の実施の形態のレーザ加工装置30は、このようなエアーブロー手段と吸引手段を上記第1の実施の形態のレーザ加工装置1に設けた構成とする。
【0034】
このようなレーザ加工装置30を用い、例えば吹き付けノズル31から吸引ダクト33へ流れる圧縮空気の吸着ステージ5上での流速を約4m/sとし、ガルバノミラー7によってレーザ光を圧縮空気の流れ方向と対向する方向に速度0.9m/sで走査してレーザ加工を行う。このような条件で吸着面5aに吸着された可撓性基板2のレーザ加工面2aに対しレーザ光を照射すると、照射位置の薄膜は、レーザ光の照射によって加熱され、昇華する。その際、昇華時に生じる加工塵を含んだガスは、吹き付けノズル31から吹き付けられる圧縮空気によって吹き飛ばされ、圧縮空気と共に吸引ダクト33に吸引される。図3に示したレーザ走査方向に直交する方向にレーザ光を走査する場合も同様に、加工塵を含んだガスは、吹き付けノズルからの圧縮空気と共に吸引ダクトに吸引される。
【0035】
このように、エアーブロー手段および吸引手段を有するレーザ加工装置30では、レーザ加工時に発生した加工塵を含んだガスが、レーザ光走査方向に対向して吹き付けられる圧縮空気によって吹き飛ばされ、吸引される。レーザ光走査方向に対向する方向に圧縮空気を流し、加工塵が加工進行方向に流れるのを防ぐことにより、加工塵の加工する部分への付着が大幅に低減される。なお、このレーザ加工装置30において、レーザ加工面2aは、鉛直、鉛直下向きのいずれに向いていてもよく、いずれの場合であっても、上記図1または図2に示したように、ガルバノミラー7は、レーザ加工面2aの鉛直下方領域外であってレーザ加工面2a中央の法線上に配置されるようにする。これにより、加工塵のレーザ加工面2aやガルバノミラー7への飛散が大幅に低減され、一層クリーンで信頼性の高いレーザ加工プロセスを実現できる。
【0036】
ただし、このレーザ加工装置30では、吹き付けノズル31と吸引ダクト33との配置関係が固定されるため、その圧縮空気の流れ方向に対向する方向にレーザ光走査方向が限定されることになる。そのため、レーザ加工面2a上のレーザ光の照射位置をある照射終了位置から次の照射開始位置まで移動させる非加工時の移動距離が長くなる。その点、このレーザ加工装置30は、ガルバノミラー7を高速で移動させることで、非加工時の移動距離が長くなっても、それが生産性を阻害する要因にならないようにしている。
【0037】
なお、この第2の実施の形態では、第1の実施の形態のレーザ加工装置1にエアーブロー手段と吸引手段を設けた場合を例にして説明したが、このエアーブロー手段および吸引手段は、その他のレーザ加工装置、例えばレーザ加工面が水平に配置される従来のレーザ加工装置などにも適用可能である。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、基板のレーザ加工面を鉛直または鉛直下向きに配置し、そのレーザ加工面の鉛直下方領域外でレーザ加工面中央の法線上に配置したガルバノミラーを用いてレーザ加工面にレーザ光を照射する。これにより、薄膜除去の際に生じる加工塵のレーザ加工面およびガルバノミラーへの飛散を大幅に低減でき、低コストで生産性の高いガルバノミラーを用いたレーザ加工装置によるクリーンなレーザ加工プロセスを実現できる。
【0039】
さらに、このようなレーザ加工装置にエアーブロー手段および吸引手段を設けることにより、一層クリーンで信頼性の高いレーザ加工プロセスを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態のレーザ加工装置の概略図である。
【図2】レーザ加工面とガルバノミラーとの間の別の配置関係を示す図である。
【図3】第2の実施の形態のレーザ加工装置の要部断面概略図である。
【図4】従来のレーザ加工装置の一例を説明する図である。
【符号の説明】
1 レーザ加工装置
2 可撓性基板
2a レーザ加工面
2b マーカホール
3 巻き出しロール
4 巻き取りロール
5 吸着ステージ
5a 吸着面
6 マーカ検出器
7 ガルバノミラー
7a,7b 反射ミラー
7c,7d 回転駆動機構
8 焦点調整レンズ
9 レーザ発振器
10 制御部
20 鉛直下方領域
30 レーザ加工装置
31 吹き付けノズル
32 コンプレッサー
33 吸引ダクト
34 排気ポンプ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method, and more particularly to a laser processing apparatus and a laser processing method for processing a thin film formed on a substrate using a laser in the manufacture of a thin film solar cell.
[0002]
[Prior art]
Non-single-crystal silicon-based thin films such as amorphous silicon (a-Si), amorphous silicon germanium (a-SiGe), and microcrystalline silicon formed by glow discharge decomposition of source gas and photo CVD (Chemical Vapor Deposition) Since it can be formed by a growth method, it has a feature that it is easy to increase the area. Furthermore, these non-single-crystal silicon thin films have a feature that they can be formed on a substrate such as a plastic film because the formation temperature is low.
[0003]
When a thin-film solar cell is formed using such a non-single-crystal silicon thin film, an integrated series connection structure can be realized using an insulating material such as glass or plastic film on the substrate, and several tens of volts or more can be obtained from a single substrate. There is an advantage that a high voltage of several hundred volts can be taken out. As a serial connection structure, for example, as disclosed in JP-A-6-342924, a structure in which strip-shaped elements are connected on one surface using a light-transmitting insulating substrate such as glass, or a plastic film substrate There is a structure in which a device is formed in a strip shape on the main surface, a connection electrode is formed on the back surface, and the device is connected through a connection hole.
[0004]
In order to realize such a series connection structure, a technique for separating and processing a non-single crystal silicon thin film uniformly formed on a large area substrate having a side of about 0.3 m to 2 m in a strip shape is necessary. In such separation processing, the following conditions (1) to (3) are mainly required.
[0005]
(1) A clean machining process that does not generate pinholes.
(2) The processing line width is about 10 μm to 500 μm and the stability is good.
(3) The processing position accuracy is good.
[0006]
A laser processing technique that satisfies these conditions and is most commonly used at present is a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser beam. As a laser processing apparatus used for thin film separation processing, a substrate is adsorbed on an XY stage, and the XY stage is moved in the X direction or Y direction to scan the substrate with laser light. There is. FIG. 4 is a diagram for explaining an example of a conventional laser processing apparatus. As shown in FIG. 4, the substrate 100 is fixed to the XY stage 101, the laser light is guided to the emission optical unit 103 by the fiber optical system 102, and the substrate is moved while the emission optical unit 103 is moved in the X direction or the Y direction. Some scan 100 with laser light 104.
[0007]
Further, there has also been proposed a device in which a galvano mirror can be used to two-dimensionally irradiate a laser beam at a desired position on a laser processing surface. By using a laser processing apparatus using a galvanometer mirror for thin film separation processing, a large area substrate of 1 m square or more can be processed at high speed, and the cost of the thin film solar cell can be reduced.
[0008]
Conventionally, as a laser processing apparatus using a galvanometer mirror, for example, while an active material applied to a battery electrode plate such as a lithium secondary battery is being transferred by a roller of an electrode material on which the electrode plate is formed, An apparatus has been proposed in which a galvano mirror is used to irradiate laser light from above and scan at a speed of 0.6 m / s to sublimate and remove the active material in the irradiated portion. Furthermore, in this proposal, compressed air is blown from the nozzle plate surface and the nozzle having an inclination angle to the laser beam in the vicinity of the irradiation spot of the laser beam, and a smoke-like object of the active material generated at the time of sublimation of the active material is blown off. An apparatus is shown that collects it with a dust collection duct (see Patent Document 1).
[0009]
[Patent Document 1]
JP 2000-149911 A (paragraph numbers [0018] to [0020], [0025], FIGS. 1 and 2)
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
In thin film separation processing in the manufacture of thin film solar cells, gas containing processing dust is generated from the thin film when the thin film is sublimated and removed by irradiation with laser light, so the galvanometer mirror can achieve high speed and low cost. In order to perform thin film separation processing by a laser processing apparatus using a laser in a clean environment, several problems that may be caused by such processing dust must be solved. Specifically, there are the following problems.
[0011]
First, in the case of a laser processing apparatus of a type that does not blow compressed air at the time of laser processing, first, if processing is performed with the laser processing surface facing upward, processing dust accumulates on the laser processing surface, and in particular, trying to process from now on. It is difficult to remove the processing dust adhering to the portion to be removed by a dry process. Secondly, when a laser optical system including a galvanometer mirror is disposed below with the laser processing surface of the substrate facing downward, a protective glass is required to prevent processing dust from falling on and adhere to the optical system. . However, in laser processing using a galvanometer mirror, the laser light is irradiated with an angle, so that the laser light is refracted when passing through the protective glass, which causes a reduction in processing accuracy. Third, regardless of whether the laser processing surface is facing upward or downward, if the processing dust contained in the gas generated when the thin film is irradiated with laser blocks the optical path of the laser beam, the thin film processing state is affected. It will end up.
[0012]
In addition, in the manufacture of thin film solar cells, the substrate has become larger in area, and one side of the substrate is often 1 m or more. Therefore, in the conventional laser processing apparatus that blows compressed air near the irradiation spot during laser processing, the effect of gas containing processing dust generated in laser processing of a thin film formed on such a large area substrate is effective. It is difficult to eliminate.
[0013]
The present invention has been made in view of these points, and provides a laser processing apparatus and a laser processing method for realizing high productivity at a low cost and realizing a laser processing process in a clean environment. The purpose is to provide.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
In the present invention, in order to solve the above problem, in a laser processing apparatus for irradiating a substrate on which a thin film is formed with laser light to remove a part of the thin film, a laser processing surface of the substrate on which the laser light is irradiated Is arranged vertically or vertically downward, and a galvanometer mirror for adjusting the irradiation position of the laser beam on the laser machined surface and scanning the laser beam on the laser machined surface is outside the vertically lower region of the laser machined surface. A laser processing apparatus is provided, wherein the laser processing apparatus is disposed on a normal line in the center of the laser processing surface.
[0015]
According to such a laser processing apparatus, the galvanometer mirror that adjusts the irradiation position of the laser beam on the laser processing surface is located outside the vertical lower region of the laser processing surface of the substrate arranged vertically or vertically downward, at the center of the laser processing surface. Since it is arranged on the normal line, scattering and adhesion of the processing dust generated when removing the thin film to the laser processing surface and the galvanometer mirror are reduced.
[0016]
In the present invention, in the laser processing method for removing a part of the thin film by irradiating a laser beam onto the substrate on which the thin film is formed, the laser processing surface of the substrate is arranged vertically or vertically downward, and the vertical or vertical The laser processing surface is irradiated with the laser light by using a galvano mirror disposed outside the vertically lower region of the laser processing surface disposed downward and on the normal line of the center of the laser processing surface. A laser processing method is provided.
[0017]
According to such a laser processing method, a laser is applied to the laser processing surface by using a galvanometer mirror disposed on the normal line of the center of the laser processing surface outside the vertically lower region of the laser processing surface of the substrate disposed vertically or vertically downward. Since light is irradiated, scattering and adhesion of the processing dust generated when removing the thin film to the laser processing surface and the galvanometer mirror are reduced.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
First, a first embodiment will be described.
[0019]
FIG. 1 is a schematic view of the laser processing apparatus according to the first embodiment.
The laser processing apparatus 1 includes an unwinding roll 3 in which a flexible substrate 2 in which a thin film is formed on a flexible polyimide film material having a thickness of 50 μm is wound around a roll core having a diameter of 150 mm, the unwinding roll 3 has a take-up roll 4 on which the flexible substrate 2 fed from 3 is taken up. Between the unwinding roll 3 and the take-up roll 4, an adsorption surface 5a for adsorbing the flexible substrate 2 is provided on the back surface side of the laser processing surface 2a that is a range processed by the laser beam of the flexible substrate 2. A suction stage 5 is disposed. Here, the suction stage 5 is arranged so that the suction surface 5a is vertical. A marker detector 6 for detecting a marker hole 2b formed in a predetermined position on the flexible substrate 2 is disposed on the laser processing surface 2a side of the flexible substrate 2.
[0020]
Further, in the laser processing apparatus 1, a galvanometer mirror 7 is disposed on the laser processing surface 2a side of the flexible substrate 2 and on the normal line of the laser processing surface 2a center on the suction surface 5a. Since the galvanometer mirror 7 is not restricted in its mounting posture, it can be processed with the laser processing surface 2a of the flexible substrate 2 vertical. Such a galvanometer mirror 7 has a configuration in which two reflection mirrors 7a and 7b can be rotated by rotation drive mechanisms 7c and 7d such as servo motors, respectively. On the incident side to the galvanometer mirror 7, a focus adjustment lens 8 for adjusting the laser beam to be focused on the laser processing surface 2 a is disposed, and a laser oscillator 9 is disposed via the focus adjustment lens 8. ing. The galvano mirror 7, the focus adjustment lens 8, and the laser oscillator 9 are driven and controlled by the control unit 10.
[0021]
In this laser processing apparatus 1, the galvano mirror 7 adjusts the irradiation position of the laser light oscillated from the laser oscillator 9 on the laser processing surface 2a to a desired position at a high speed by combining the angles of the reflection mirrors 7a and 7b. It can be moved. For example, the two reflection mirrors 7a and 7b are driven by the rotation drive mechanisms 7c and 7d that can move the irradiation position of the laser beam at a speed of about 0.9 m / s. Thereby, if the laser processing surface 2a is, for example, 1 m square, the irradiation position of the laser light can be moved from one end to the other end of the laser processing surface 2a in about 1 second. In the case of movement during non-processing in which the laser beam is moved from an irradiation end position to the next irradiation start position, the reflection mirrors 7a and 7b may be driven at a higher speed.
[0022]
Further, the laser processing apparatus 1 is configured to directly irradiate the laser processing surface 2a with laser light with an angle without using a condensing Fθ lens by using a galvano mirror 7.
[0023]
In laser processing of the flexible substrate 2 by the laser processing apparatus 1 having such a configuration, first, the marker hole 2b serves as a positioning reference for the flexible substrate 2 fed from the unwinding roll 3, and the marker hole 2b. Is detected by the marker detector 6, and the feeding is stopped. The flexible substrate 2 whose feeding has been stopped is adsorbed on the adsorption surface 5 a of the back surface of the laser processed surface 2 a and temporarily fixed on the adsorption stage 5.
[0024]
The laser processing surface 2a of the flexible substrate 2 fixed to the suction stage 5 is subjected to laser processing in a predetermined pattern, for example, a strip shape. At that time, the laser light is oscillated from the laser oscillator 9 based on a command from the control unit 10, is incident on the focus adjustment lens 8, and is irradiated to the irradiation position according to the angles of the reflection mirrors 7 a and 7 b. The thin film formed at the laser beam irradiation position on the laser processing surface 2a is heated and sublimated by the laser beam irradiation.
[0025]
In the laser processing apparatus 1 according to the first embodiment, the suction stage 5 with the suction surface 5a being vertical is used, and the laser processing surface 2a is vertical. Therefore, machining dust contained in the gas generated from the thin film during sublimation. Scattering and deposition on the laser processing surface 2a are greatly reduced. Moreover, in this laser processing apparatus 1, since the galvanometer mirror 7 is not disposed in the vertically lower region of the laser processing surface 2a, the processing dust does not fall on the galvanometer mirror 7, and the scattering of the processing dust to the galvanometer mirror 7 occurs. Adhesion is greatly reduced. Furthermore, no protective glass is required, and processing accuracy can be improved.
[0026]
FIG. 2 is a diagram showing another arrangement relationship between the laser processed surface and the galvanometer mirror. However, in FIG. 2, the same elements as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0027]
In FIG. 2, the suction stage 5 is arranged with its suction surface 5a facing vertically downward, whereby the laser processing surface 2a of the flexible substrate 2 is arranged vertically downward. This is different from the example shown in FIG. 1 in which the suction surface 5a is arranged vertically. As shown in FIG. 2, even if the suction surface 5a is directed vertically downward at an angle, the galvano mirror 7 is outside the vertical lower region 20 of the laser processing surface 2a on the suction surface 5a and is in the center of the laser processing surface 2a. If it is arrange | positioned on this normal line, scattering to the laser processing surface 2a and the galvanometer mirror 7 of the processing dust which generate | occur | produces when a laser beam is irradiated to the laser processing surface 2a can be suppressed.
[0028]
As described above, in the laser processing apparatus 1 of the first embodiment, the laser processing surface 2a of the flexible substrate 2 is arranged so as to be vertical or vertically downward, and the galvanometer mirror 7 is disposed on the laser processing surface 2a. It arrange | positions on the normal line of the laser processing surface 2a center outside a vertically downward area | region, and a laser beam is irradiated to the laser processing surface 2a. Thereby, scattering of the processing dust to the laser processing surface 2a and the galvanometer mirror 7 is suppressed, and a laser processing process in a clean environment can be realized.
[0029]
Next, a second embodiment will be described.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an essential part of the laser processing apparatus according to the second embodiment. However, in FIG. 3, the same elements as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0030]
In the laser processing apparatus 30 shown in FIG. 3, a spray nozzle 31 having a length equal to or longer than the length in the width direction of the laser processing surface 2a is disposed at one end of the suction stage 5 on the suction surface 5a side. The spray nozzle 31 is connected to a compressor 32 so that compressed air is blown from the spray nozzle 31. Further, the other end on the suction surface 5a side of the suction stage 5 and facing the spray nozzle 31 has a length equal to or greater than the length in the width direction of the laser processing surface 2a, like the spray nozzle 31. A suction duct 33 for sucking compressed air blown out from the nozzle 31 and gas containing processing dust is disposed. The suction duct 33 is connected to the exhaust pump 34. The blowing nozzle 31 and the compressor 32 constitute air blowing means of the laser processing apparatus 30, and the suction duct 33 and the exhaust pump 34 constitute suction means of the laser processing apparatus 30.
[0031]
In the relationship with the laser beam scanning direction, the air blowing unit and the suction unit are arranged such that the blowing nozzle 31 is disposed on the end point side when scanning the laser beam, and the suction duct 33 is disposed on the starting point side when scanning the laser beam. It is configured to be. That is, the compressed air flowing from the spray nozzle 31 toward the suction duct 33 flows so as to face the laser beam scanning direction.
[0032]
Although not shown in FIG. 3, the laser processing apparatus 30 has a pair of spray nozzles and a suction duct arranged in a direction orthogonal to the flow direction of the compressed air flowing from the spray nozzle 31 to the suction duct 33. The air blow means and the suction means are configured by being connected to the compressor and the exhaust pump, respectively. Also in this case, the compressed air flows so as to face the laser beam scanning direction.
[0033]
Here, the laser processing apparatus 30 of the second embodiment has a configuration in which such an air blow unit and a suction unit are provided in the laser processing apparatus 1 of the first embodiment.
[0034]
Using such a laser processing device 30, for example, the flow velocity of the compressed air flowing from the spray nozzle 31 to the suction duct 33 on the adsorption stage 5 is set to about 4 m / s, and the galvano mirror 7 changes the laser light in the flow direction of the compressed air. Laser processing is performed by scanning in the opposite direction at a speed of 0.9 m / s. When the laser processing surface 2a of the flexible substrate 2 adsorbed on the adsorption surface 5a is irradiated with laser light under such conditions, the thin film at the irradiation position is heated by the laser light irradiation and sublimates. At that time, the gas containing the processing dust generated at the time of sublimation is blown off by the compressed air blown from the blowing nozzle 31 and sucked into the suction duct 33 together with the compressed air. Similarly, when the laser beam is scanned in a direction orthogonal to the laser scanning direction shown in FIG. 3, the gas containing the processing dust is sucked into the suction duct together with the compressed air from the spray nozzle.
[0035]
As described above, in the laser processing apparatus 30 having the air blowing means and the suction means, the gas containing the processing dust generated at the time of laser processing is blown off and sucked by the compressed air blown facing the laser beam scanning direction. . By flowing compressed air in a direction opposite to the laser beam scanning direction and preventing the machining dust from flowing in the machining progress direction, adhesion of the machining dust to the portion to be machined is greatly reduced. In this laser processing apparatus 30, the laser processing surface 2a may face either vertically or vertically downward, and in either case, as shown in FIG. 1 or FIG. 7 is arranged outside the vertically lower region of the laser processing surface 2a and on the normal line of the center of the laser processing surface 2a. Thereby, scattering of the machining dust to the laser machined surface 2a and the galvanometer mirror 7 is greatly reduced, and a cleaner and more reliable laser machining process can be realized.
[0036]
However, in this laser processing apparatus 30, since the arrangement relationship between the spray nozzle 31 and the suction duct 33 is fixed, the laser beam scanning direction is limited to the direction facing the flow direction of the compressed air. Therefore, the movement distance at the time of non-processing which moves the irradiation position of the laser beam on the laser processing surface 2a from a certain irradiation end position to the next irradiation start position becomes long. In this regard, the laser processing apparatus 30 moves the galvanometer mirror 7 at a high speed so that it does not become a factor that hinders productivity even if the moving distance during non-processing increases.
[0037]
In the second embodiment, the case where the air blowing means and the suction means are provided in the laser processing apparatus 1 of the first embodiment has been described as an example. The present invention can also be applied to other laser processing apparatuses, for example, a conventional laser processing apparatus in which a laser processing surface is horizontally arranged.
[0038]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, the laser processing surface of the substrate is disposed vertically or vertically downward, and the laser is used by using the galvanomirror disposed on the normal line at the center of the laser processing surface outside the vertically lower region of the laser processing surface. Laser light is irradiated to the processed surface. This greatly reduces the scattering of processing dust generated during thin film removal to the laser processing surface and galvanometer mirror, and realizes a clean laser processing process using a laser processing device using a low-cost, high-productivity galvanometer mirror. it can.
[0039]
Furthermore, by providing an air blow means and a suction means in such a laser processing apparatus, a cleaner and more reliable laser processing process can be realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view of a laser processing apparatus according to a first embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing another arrangement relationship between a laser processed surface and a galvanometer mirror.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an essential part of a laser processing apparatus according to a second embodiment.
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a conventional laser processing apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser processing apparatus 2 Flexible substrate 2a Laser processing surface 2b Marker hole 3 Unwinding roll 4 Winding roll 5 Suction stage 5a Suction surface 6 Marker detector 7 Galvano mirror 7a, 7b Reflecting mirror 7c, 7d Rotation drive mechanism 8 Focus Adjustment lens 9 Laser oscillator 10 Control unit 20 Vertically lower region 30 Laser processing device 31 Spray nozzle 32 Compressor 33 Suction duct 34 Exhaust pump

Claims (6)

薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して前記薄膜の一部を除去するレーザ加工装置において、
前記レーザ光が照射される前記基板のレーザ加工面が鉛直または鉛直下向きに配置され、前記レーザ加工面における前記レーザ光の照射位置を調整して前記レーザ光を前記レーザ加工面で走査するためのガルバノミラーが前記レーザ加工面の鉛直下方領域外であって前記レーザ加工面中央の法線上に配置されていることを特徴とするレーザ加工装置。
In a laser processing apparatus for removing a part of the thin film by irradiating the substrate on which the thin film is formed with a laser beam,
A laser processing surface of the substrate irradiated with the laser light is arranged vertically or vertically downward, and the laser processing surface is scanned on the laser processing surface by adjusting an irradiation position of the laser light on the laser processing surface. A laser processing apparatus, characterized in that a galvanometer mirror is disposed outside a vertically lower region of the laser processing surface and on a normal line at the center of the laser processing surface.
前記レーザ加工面の一端側に配置され、前記レーザ加工面の一端側から他端側に向かって圧縮空気を吹き付け、前記薄膜から生じる加工塵を前記レーザ加工面の他端側に吹き飛ばすエアーブロー手段と、
前記レーザ加工面の他端側に配置され、前記エアーブロー手段によって吹き付けられた前記圧縮空気と共に前記加工塵を吸引する吸引手段と、
を有することを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。
An air blowing means that is disposed on one end side of the laser processing surface, blows compressed air from one end side to the other end side of the laser processing surface, and blows processing dust generated from the thin film to the other end side of the laser processing surface. When,
A suction unit that is disposed on the other end side of the laser processing surface and sucks the processing dust together with the compressed air blown by the air blowing unit;
The laser processing apparatus according to claim 1, comprising:
前記エアーブロー手段は、前記レーザ光を走査するときの終点側に配置され、前記吸引手段は、前記レーザ光を走査するときの始点側に配置されていることを特徴とする請求項2記載のレーザ加工装置。The said air blow means is arrange | positioned at the end point side when scanning the said laser beam, and the said attraction | suction means is arrange | positioned at the start point side when scanning the said laser beam. Laser processing equipment. 薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して前記薄膜の一部を除去するレーザ加工方法において、
前記基板のレーザ加工面を鉛直または鉛直下向きに配置し、鉛直または鉛直下向きに配置された前記レーザ加工面の鉛直下方領域外であって前記レーザ加工面中央の法線上に配置したガルバノミラーを用いて、前記レーザ加工面に前記レーザ光を照射することを特徴とするレーザ加工方法。
In the laser processing method of removing a part of the thin film by irradiating the substrate on which the thin film is formed with laser light,
A laser processing surface of the substrate is disposed vertically or vertically downward, and a galvano mirror disposed outside the vertically lower region of the laser processing surface disposed vertically or vertically downward and on the normal line of the center of the laser processing surface is used. And irradiating the laser processing surface with the laser beam.
前記レーザ光を照射して前記薄膜の一部を除去する際に、前記レーザ加工面の一端側から他端側に向かって圧縮空気を吹き付け、前記薄膜から生じる加工塵を前記レーザ加工面の他端側に吹き飛ばし、前記レーザ加工面の他端側において前記圧縮空気と共に前記加工塵を吸引することを特徴とする請求項4記載のレーザ加工方法。When removing a part of the thin film by irradiating the laser beam, compressed air is blown from one end side to the other end side of the laser processing surface, and the processing dust generated from the thin film is removed from the laser processing surface. The laser processing method according to claim 4, wherein the processing dust is blown off to the end side and the processing dust is sucked together with the compressed air on the other end side of the laser processing surface. 前記圧縮空気は、前記レーザ光を走査するときの終点側から前記レーザ光を走査するときの始点側に向かって吹き付けられることを特徴とする請求項5記載のレーザ加工方法。6. The laser processing method according to claim 5, wherein the compressed air is blown from an end point side when the laser beam is scanned toward a start point side when the laser beam is scanned.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027283A (en) * 2005-07-13 2007-02-01 Fuji Electric Holdings Co Ltd Method and apparatus for manufacturing thin-film solar cell
JP2008130590A (en) * 2006-11-16 2008-06-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd Composite processing apparatus, and composite processing method
JP2009045625A (en) * 2007-08-13 2009-03-05 Fuji Electric Systems Co Ltd Laser beam machining apparatus
JP2009195972A (en) * 2008-02-25 2009-09-03 Fuji Electric Holdings Co Ltd Laser beam machining apparatus
JP2010069530A (en) * 2008-09-22 2010-04-02 Toshiba Tec Corp Laser drawing apparatus and control method thereof
JP2010171233A (en) * 2009-01-23 2010-08-05 Fuji Electric Systems Co Ltd Laser processing device and processing method of thin-film solar battery
WO2013145775A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 Organic thin-film solar cell module and method for manufacturing same
JP2016087643A (en) * 2014-11-05 2016-05-23 トリニティ工業株式会社 Laser drawing device, manufacturing method for vehicular decorative component, and laser decoration method

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027283A (en) * 2005-07-13 2007-02-01 Fuji Electric Holdings Co Ltd Method and apparatus for manufacturing thin-film solar cell
JP2008130590A (en) * 2006-11-16 2008-06-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd Composite processing apparatus, and composite processing method
JP2009045625A (en) * 2007-08-13 2009-03-05 Fuji Electric Systems Co Ltd Laser beam machining apparatus
JP2009195972A (en) * 2008-02-25 2009-09-03 Fuji Electric Holdings Co Ltd Laser beam machining apparatus
JP2010069530A (en) * 2008-09-22 2010-04-02 Toshiba Tec Corp Laser drawing apparatus and control method thereof
JP2010171233A (en) * 2009-01-23 2010-08-05 Fuji Electric Systems Co Ltd Laser processing device and processing method of thin-film solar battery
WO2013145775A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 Organic thin-film solar cell module and method for manufacturing same
JP2013211473A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Jx Nippon Oil & Energy Corp Organic thin film solar cell module and manufacturing method therefor
JP2016087643A (en) * 2014-11-05 2016-05-23 トリニティ工業株式会社 Laser drawing device, manufacturing method for vehicular decorative component, and laser decoration method

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