JP2001300450A - Method and apparatus for cleaning for reticule, and method for producing reticule - Google Patents

Method and apparatus for cleaning for reticule, and method for producing reticule

Info

Publication number
JP2001300450A
JP2001300450A JP2000120402A JP2000120402A JP2001300450A JP 2001300450 A JP2001300450 A JP 2001300450A JP 2000120402 A JP2000120402 A JP 2000120402A JP 2000120402 A JP2000120402 A JP 2000120402A JP 2001300450 A JP2001300450 A JP 2001300450A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
cleaned
laser light
laser beam
irradiating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000120402A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Obara
隆 小原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000120402A priority Critical patent/JP2001300450A/en
Publication of JP2001300450A publication Critical patent/JP2001300450A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for cleaning the surfaces of reticule, wafer, etc., sufficiently, and an apparatus for the method. SOLUTION: An object X is irradiated with laser beam L2 for laser cleaning, and an atmosphere close to the object X is irradiated with laser beam L1 which can be positioned independent of the laser beams L2 for ozone cleaning so that effective cleaning can be accomplished.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄装置および洗
浄方法、レチクルの製造方法に関する。
The present invention relates to a cleaning apparatus, a cleaning method, and a reticle manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造用ステッパ等に用いられるレ
チクルを製作する過程で、レチクル表面にごみ等の異物
が付着することがある。こうした異物が付着したまま露
光を行うと正確なパターニングが困難となるため、レチ
クルの製造工程において、製作されたレチクルの洗浄を
行う。従来レチクル表面上の異物を除去する洗浄方法
は、レーザ洗浄方法やオゾン洗浄方法等の方法があっ
た。レーザ洗浄方法とは、レーザ光をレチクル等の洗浄
対象物に照射して異物を除去する洗浄方法である。洗浄
対象物の表面にある異物は、レーザ光の吸収によってア
ブレーション(曝光部の局部破壊)等を起こし微小振動
するため、基板表面から剥離除去される。このようなレ
ーザ洗浄方法は特開平11―26411号公報等に記載
されている。また、オゾン洗浄方法とは、洗浄対象物表
面にオゾンを吹きつけるとともに、紫外線を照射して洗
浄を行う方法である。洗浄対象物表面に吹きつけられた
オゾンは、洗浄対象物に照射された紫外光のエネルギを
吸収して、酸素分子と活性酸素に分解される。この活性
酸素は、洗浄対象物の表面に付着している有機汚染物と
酸化し、一酸化炭素、二酸化炭素、水に化学変化して、
洗浄対象物の表面から気散する。このようなオゾン洗浄
方法は、特開平10―289853号公報や「応用物
理」1998年6月号P.673等に記載されている。
2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a reticle used for a semiconductor manufacturing stepper or the like, foreign substances such as dust may adhere to the reticle surface. If exposure is performed with such foreign matter adhered, accurate patterning becomes difficult. Therefore, in the reticle manufacturing process, the manufactured reticle is cleaned. Conventionally, as a cleaning method for removing foreign matter on the reticle surface, there have been methods such as a laser cleaning method and an ozone cleaning method. The laser cleaning method is a cleaning method for irradiating a cleaning object such as a reticle with laser light to remove foreign matter. Foreign matter on the surface of the object to be cleaned causes ablation (local destruction of the exposed portion) or the like due to absorption of the laser beam and causes minute vibration, and thus is separated and removed from the substrate surface. Such a laser cleaning method is described in, for example, JP-A-11-26411. The ozone cleaning method is a method in which ozone is sprayed on the surface of the object to be cleaned, and the surface is cleaned by irradiating ultraviolet rays. The ozone blown onto the surface of the object to be cleaned absorbs the energy of the ultraviolet light applied to the object to be cleaned and is decomposed into oxygen molecules and active oxygen. This active oxygen oxidizes with organic contaminants attached to the surface of the object to be cleaned, and chemically changes into carbon monoxide, carbon dioxide, and water,
The air diffuses from the surface of the object to be cleaned. Such an ozone cleaning method is described in JP-A-10-289853 and “Applied Physics”, June 1998, p. 673 etc.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レチク
ル表面に微小なゴミが付着した場合、レーザ洗浄におい
ても、オゾン洗浄においてもゴミの除去が困難な場合が
ある。レーザ洗浄の場合、レチクル上のマスクを損傷さ
せないために、照射するレーザ光のエネルギ強度は制限
される。しかしレーザ光のエネルギ強度が制限される
と、洗浄に十分なエネルギが吸収されないため、大きな
洗浄効果が得られない。特に、微小なゴミがレチクルに
密着している場合、ゴミの体積が小さいため吸収される
エネルギ量が小さくなる一方、密着によりゴミの振動は
抑制されるため、レーザ洗浄の効果はかなり小さくな
る。このため微小なゴミが除去されないことがしばしば
起こる。一方オゾン洗浄は、有機物を酸化してゴミを除
去するものであるため、無機物のゴミには効果がない。
また、ガスフロー等の影響によりオゾンガスの流れが方
向性を有する場合は、洗浄の効果も方向性を有し、洗い
残しが生じる場合が多い。本発明は上記課題を解決する
ためのもので、被洗浄物の表面に密着した微小なゴミを
除去することが可能となる洗浄装置、洗浄方法を提供す
ることである。また、レチクル製造の洗浄工程におい
て、この洗浄方法を用いてレチクルを洗浄することによ
り、歩留まりを高くできるレチクルの製造方法を提供す
ることである。
However, if minute dust adheres to the reticle surface, it may be difficult to remove the dust in both laser cleaning and ozone cleaning. In the case of laser cleaning, the energy intensity of the laser light to be irradiated is limited so as not to damage the mask on the reticle. However, when the energy intensity of the laser beam is limited, sufficient energy for cleaning is not absorbed, so that a large cleaning effect cannot be obtained. In particular, when minute dust is in close contact with the reticle, the amount of energy absorbed is small because the volume of the dust is small, but the vibration of the dust is suppressed by the close contact, so that the effect of laser cleaning is considerably reduced. For this reason, it often happens that minute dust is not removed. On the other hand, ozone cleaning is intended to oxidize organic substances to remove dust, and therefore has no effect on inorganic dust.
When the flow of the ozone gas has directionality due to the influence of the gas flow and the like, the cleaning effect also has directionality, and unwashing often occurs. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a cleaning apparatus and a cleaning method capable of removing minute dust adhered to the surface of an object to be cleaned. Another object of the present invention is to provide a reticle manufacturing method capable of increasing the yield by cleaning the reticle using this cleaning method in the reticle manufacturing cleaning step.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば洗浄対象物を収納するための容器
と、前記洗浄対象物の周囲の気体に波長200nm以下
の第1のレーザ光を照射するための第1のレーザ光照射
手段と、前記第1のレーザ光とは独立に位置決め可能
に、波長400nm以下の第2のレーザ光を前記洗浄対
象物表面に照射するための第2のレーザ光照射手段と、
を備えていることを特徴とする洗浄装置である。また、
前記第1のレーザ光照射手段は、ArFエキシマレーザ
装置またはF2エキシマレーザ装置であることを特徴と
する前記洗浄装置である。また、前記第1のレーザ光と
前記第2のレーザ光との集光点がほぼ一致するように構
成されていることを特徴とする前記洗浄装置である。ま
た、前記洗浄対象物はレチクルであることとし、前記レ
ーザ光照射手段は、前記レチクル表面にほぼ平行に前記
第1のレーザ光を照射するように構成されていることを
特徴とする請求項1記載の洗浄装置である。また、洗浄
対象物の表面に波長400nm以下のレーザ光を照射す
るためのレーザ光照射手段と、前記レーザ光が照射され
る位置を中心として前記洗浄対象物を回転させる回転手
段と、前記洗浄対象物表面に照射される前記レーザ光の
入射角を変化させる入射角変化手段と、を備えているこ
とを特徴とする洗浄装置である。また、前記第2のレー
ザ光により照射される位置を中心として、前記洗浄対象
物を回転させる回転手段を付加したことを特徴とする前
記洗浄装置である。また、前記洗浄対象物表面に照射さ
れる前記第2のレーザ光の入射角を変化させる入射角変
化手段を付加したことを特徴とする前記洗浄装置であ
る。また、波長200nm以下の第1のレーザ光を洗浄
対象物の周囲の気体に照射する第1のレーザ光照射工程
と、前記第1のレーザ光とは独立に位置決め可能な波長
400nm以下の第2のレーザ光を前記洗浄対象物に照
射する第2のレーザ光照射工程と、を同時に行うことを
特徴とする洗浄方法である。また、前記第1のレーザ光
の集光点と前記第2のレーザ光の集光点をほぼ一致する
ようにして洗浄することを特徴とする請求項7記載の洗
浄方法である。また、前記洗浄対象物はレチクルである
こととし、前記第1のレーザ光は、前記レチクルの表面
にほぼ平行に前記洗浄対象物の周囲の気体を照射するこ
とを特徴とする請求項7記載の洗浄方法である。また、
洗浄対象物の表面に波長400nm以下のレーザ光を照
射する照射工程と、前記レーザ光を照射しながら、前記
照射される位置を中心として前記洗浄対象物を回転させ
る回転工程と、前記レーザ光を照射しながら、前記洗浄
対象物表面に照射される前記レーザ光の前記洗浄対象物
表面に対する入射角を変化させる入射角変化工程と、を
備えていることを特徴とする洗浄方法である。また、前
記第1および第2のレーザ光を照射しながら、前記第2
のレーザ光により照射される位置を中心として、前記洗
浄対象物を回転させる回転工程を付加したことを特徴と
する請求項7記載の洗浄方法である。また、前記第2の
レーザ光を照射しながら、前記洗浄対象物表面に照射さ
れる前記第2のレーザ光の前記洗浄対象物表面に対する
入射角を変化させる入射角変化工程を付加したことを特
徴とする請求項11記載の洗浄方法である。また、透明
基板上に遮光膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程に
より成膜された遮光膜の所定部分をエッチングしてパタ
ーンを形成し、レチクルを製作するエッチング工程と、
前記エッチング工程により製作されたレチクルの洗浄を
行う洗浄工程とを備えるレチクルの製造方法において、
前記洗浄工程は、請求項8記載または請求項11記載の
洗浄方法を用いて前記レチクルを洗浄することを特徴と
するレチクルの製造方法である。
According to the present invention, there is provided a container for accommodating an object to be cleaned, and a first laser having a wavelength of 200 nm or less in a gas surrounding the object to be cleaned. A first laser light irradiating means for irradiating light, and a second laser light for irradiating the surface of the object to be cleaned with a second laser light having a wavelength of 400 nm or less such that the first laser light can be positioned independently of the first laser light. 2 laser light irradiation means;
A cleaning device comprising: Also,
The first laser light irradiation means is an ArF excimer laser device or an F2 excimer laser device, wherein the cleaning device is provided. Further, the cleaning apparatus is characterized in that the converging points of the first laser light and the second laser light substantially coincide with each other. The object to be cleaned is a reticle, and the laser beam irradiating means is configured to irradiate the first laser beam substantially parallel to a surface of the reticle. It is a washing | cleaning apparatus of description. A laser beam irradiating unit for irradiating a laser beam having a wavelength of 400 nm or less to the surface of the object to be cleaned; a rotating unit for rotating the object to be cleaned around a position irradiated with the laser beam; An incident angle changing means for changing an incident angle of the laser light applied to an object surface. Further, the cleaning apparatus is characterized in that a rotating means for rotating the object to be cleaned is added around a position irradiated by the second laser light. The cleaning apparatus further includes an incident angle changing unit that changes an incident angle of the second laser light applied to the surface of the object to be cleaned. A first laser light irradiation step of irradiating a gas around the object to be cleaned with a first laser light having a wavelength of 200 nm or less, and a second laser light having a wavelength of 400 nm or less that can be positioned independently of the first laser light. And a second laser light irradiating step of irradiating the laser light to the object to be cleaned. 8. The cleaning method according to claim 7, wherein the cleaning is performed such that a focal point of the first laser light and a focal point of the second laser light substantially coincide with each other. 8. The apparatus according to claim 7, wherein the object to be cleaned is a reticle, and the first laser beam irradiates a gas around the object to be cleaned substantially parallel to a surface of the reticle. This is a cleaning method. Also,
An irradiation step of irradiating the surface of the object to be cleaned with laser light having a wavelength of 400 nm or less, a rotation step of rotating the object to be cleaned around the irradiation position while irradiating the laser light, An incident angle changing step of changing an incident angle of the laser beam irradiated on the surface of the object to be cleaned while irradiating the surface of the object to be cleaned. While irradiating the first and second laser beams,
8. The cleaning method according to claim 7, further comprising a rotation step of rotating the object to be cleaned around a position irradiated by the laser light. In addition, an incident angle changing step of changing an incident angle of the second laser light applied to the surface of the cleaning object with respect to the surface of the cleaning object while irradiating the second laser light is added. The cleaning method according to claim 11, wherein A film-forming step of forming a light-shielding film on a transparent substrate; and an etching step of forming a pattern by etching a predetermined portion of the light-shielding film formed in the film-forming step to form a reticle;
A reticle manufacturing method comprising: a cleaning step of cleaning the reticle manufactured by the etching step.
The cleaning step is a method for manufacturing a reticle, wherein the reticle is cleaned by using the cleaning method according to claim 8 or 11.

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を説明する。 (第1の実施の形態)図1に第1の実施の形態に係る洗
浄装置10の構成図を示す。この洗浄装置10における
洗浄の概要について説明する。まず紫外線レーザ光L1
およびL2が照射される。紫外線レーザ光L1は、酸素
供給装置11により酸素濃度が高くなった洗浄対象物X
の周囲の気体に照射され、オゾン洗浄のためのオゾンを
生成させる。一方紫外線レーザ光L2は、洗浄対象物X
の表面に照射されるため、洗浄対象物X表面にあるゴミ
のレーザ洗浄が行われる。したがって、洗浄対象物Xは
レーザ洗浄とオゾン洗浄が同時に行われることになる。
以下この洗浄装置10の各構成要素について説明する。
ArFレーザ13aは波長193nmの紫外線レーザ光
L1を出射する。紫外線レーザ光L1が洗浄対象物X上
方1mm程度の位置を洗浄対象物Xと平行に照射される
ように、ArFレーザ13aは予め載置されている。ま
た、この紫外線レーザ光L1はバリアブルアッテネ−タ
17aによりオゾンを生成させるのに好適な出力、例え
ば300Wとなるように出力調整される。また、集光レ
ンズ14aによりこの紫外線レーザ光L1は集光され
る。この集光レンズ14aは3次元に位置合せ可能な構
成となっている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 shows a configuration diagram of a cleaning apparatus 10 according to a first embodiment. An outline of cleaning in the cleaning apparatus 10 will be described. First, the ultraviolet laser light L1
And L2 are irradiated. The ultraviolet laser beam L1 is the cleaning object X whose oxygen concentration has been increased by the oxygen supply device 11.
Is irradiated to the surrounding gas to generate ozone for ozone cleaning. On the other hand, the ultraviolet laser beam L2 is
Is irradiated on the surface of the object to be cleaned, thereby performing laser cleaning of dust on the surface of the object X to be cleaned. Therefore, the object X to be cleaned is subjected to laser cleaning and ozone cleaning at the same time.
Hereinafter, each component of the cleaning device 10 will be described.
The ArF laser 13a emits ultraviolet laser light L1 having a wavelength of 193 nm. The ArF laser 13a is mounted beforehand so that the ultraviolet laser beam L1 irradiates a position about 1 mm above the cleaning object X in parallel with the cleaning object X. The output of the ultraviolet laser beam L1 is adjusted by the variable attenuator 17a to an output suitable for generating ozone, for example, 300 W. The ultraviolet laser beam L1 is collected by the condenser lens 14a. The condensing lens 14a has a configuration capable of three-dimensional alignment.

【0005】紫外線レーザ光L2が洗浄対象物Xに垂直
に照射されるように、全反射ミラー15は紫外線レーザ
光L2を反射する。また、集光レンズ14bによりこの
紫外線レーザ光L2の集光点は、紫外線レーザ光L1の
集光点、すなわち洗浄対象物X上方1mm程度の位置と
略一致するように予め調整されている。また、この紫外
線レーザ光L2はバリアブルアッテネ−タ17bにより
出力調整されており、洗浄対象物X表面においてエネル
ギ強度が150mJ/cm2となるように調整されてい
る。酸素供給装置11は、容器12内に酸素分子を供給
する。XYテーブル16は洗浄対象物Xである洗浄対象
物Xを支持するとともに、洗浄対象物X上で検出された
ゴミに紫外線レーザ光L2が照射されるように、洗浄対
象物Xを水平方向に移動させる。容器12は、外部から
洗浄対象物Xにゴミが付着することを防ぐとともに、酸
素供給装置11から供給された酸素分子が拡散するのを
防止し、容器12内の酸素濃度を一定に保つ機能を有す
る。また、容器12の上面および側面には紫外線レーザ
光L1、L2を透過させるための石英ガラス製の入射窓
15a、15bが設けられている。
[0005] The total reflection mirror 15 reflects the ultraviolet laser light L2 so that the ultraviolet laser light L2 is irradiated perpendicularly to the object X to be cleaned. The focal point of the ultraviolet laser beam L2 is adjusted in advance by the condenser lens 14b so as to substantially coincide with the focal point of the ultraviolet laser beam L1, that is, about 1 mm above the object X to be cleaned. The output of the ultraviolet laser beam L2 is adjusted by a variable attenuator 17b so that the energy intensity on the surface of the cleaning object X is adjusted to 150 mJ / cm2. The oxygen supply device 11 supplies oxygen molecules into the container 12. The XY table 16 supports the cleaning object X, which is the cleaning object X, and moves the cleaning object X in the horizontal direction so that the dust detected on the cleaning object X is irradiated with the ultraviolet laser beam L2. Let it. The container 12 has a function of preventing dust from adhering to the object X to be cleaned from the outside, preventing diffusion of oxygen molecules supplied from the oxygen supply device 11, and maintaining a constant oxygen concentration in the container 12. Have. In addition, incident windows 15a and 15b made of quartz glass for transmitting the ultraviolet laser beams L1 and L2 are provided on the top and side surfaces of the container 12.

【0006】前記構成における洗浄の作用について以下
に説明する。まず洗浄対象物XがXYテーブル16にセ
ットされる。洗浄対象物Xはレチクルである。このレチ
クルは石英ガラス上にクロム膜のパターンが形成された
ものである。続いて図示しないCCDカメラにより、洗
浄対象物X全面が撮像される。撮像されて得られた画像
データはゴミがまったくないとした場合の設計データと
比較される。この比較によりゴミの有無とゴミの位置が
検出される。そして、紫外線レーザ光L2がゴミに照射
されるように、画像データに基づいてXYテーブル16
が駆動して洗浄対象物Xが移動する。次に酸素供給装置
11が起動し、酸素供給口から容器12に清浄な酸素が
供給される。このため容器12内の酸素濃度が高くな
る。また、余分なガスは排気口から排気されるため、酸
素供給口から排気口に向けてガスフローが生じる。続い
てArFレーザ光13a、13bが起動する。ArFレ
ーザ光13aから出射された紫外線レーザ光L1は入射
窓15aを透過し、洗浄対象物Xの上方1mmに集光さ
れる。また、ArFレーザ光13bから出射された紫外
線レーザ光L2は入射窓15bを透過して上方から洗浄
対象物Xに照射される。
The operation of the cleaning in the above configuration will be described below. First, the cleaning object X is set on the XY table 16. The cleaning object X is a reticle. This reticle has a chromium film pattern formed on quartz glass. Subsequently, the entire surface of the cleaning object X is imaged by a CCD camera (not shown). The image data obtained by imaging is compared with the design data when there is no dust. The presence or absence of dust and the position of the dust are detected by this comparison. Then, the XY table 16 is set based on the image data so that the dust is irradiated with the ultraviolet laser beam L2.
Is driven to move the cleaning object X. Next, the oxygen supply device 11 is activated, and clean oxygen is supplied to the container 12 from the oxygen supply port. Therefore, the oxygen concentration in the container 12 increases. Further, since excess gas is exhausted from the exhaust port, a gas flow is generated from the oxygen supply port toward the exhaust port. Subsequently, the ArF laser beams 13a and 13b are activated. The ultraviolet laser beam L1 emitted from the ArF laser beam 13a passes through the entrance window 15a and is focused 1 mm above the object X to be cleaned. The ultraviolet laser beam L2 emitted from the ArF laser beam 13b passes through the entrance window 15b and irradiates the cleaning object X from above.

【0007】容器12内の酸素分子は、この紫外線レー
ザ光L1およびL2を吸収して、オゾンに化学変化す
る。このオゾンにより、洗浄対象物X表面のゴミは酸化
され、洗浄対象物X表面から気散する。紫外線レーザ光
L1とL2の集光点が略一致しているため、この集光点
付近で最もオゾン濃度が高くなる。このため、この集光
点周辺の洗浄対象物X表面において、オゾン洗浄の効果
が大きい。一方、紫外線レーザ光L2の集光点は洗浄対
象物Xの表面から1mm上方になるように予めセッティ
ングされているため、図2に示されるようにやや広がっ
た紫外線レーザ光L2が照射される。洗浄対象物X表面
におけるエネルギ密度は150mJ/cm2以下であ
る。このエネルギ強度であれば、パターンを形成してい
るクロム膜を溶融させることや、傷つけるおそれがな
い。この紫外線レーザ光L2の照射によって洗浄対象物
X表面のゴミは微小振動し、洗浄対象物X表面から剥離
除去される。両洗浄により生じたダスト等はガスフロー
によって排気口から排気される。所定時間洗浄が行われ
た後、紫外線レーザ光L1,L2の照射は一旦ストップ
する。そして紫外線レーザ光L2が別のゴミに照射され
るように、XYテーブル16が駆動する。そして再び紫
外線レーザ光L1,L2が照射されて洗浄が行われる。
以上のようにして洗浄対象物X上のすべてのゴミに対し
て洗浄が行われる。
The oxygen molecules in the container 12 absorb the ultraviolet laser beams L1 and L2 and chemically change to ozone. The dust on the surface of the cleaning object X is oxidized by the ozone and diffuses from the surface of the cleaning object X. Since the focal points of the ultraviolet laser beams L1 and L2 substantially coincide, the ozone concentration becomes highest near this focal point. For this reason, the ozone cleaning effect is large on the surface of the cleaning object X around the light collection point. On the other hand, since the focal point of the ultraviolet laser light L2 is set in advance so as to be 1 mm above the surface of the object X to be cleaned, the ultraviolet laser light L2 which is slightly spread is applied as shown in FIG. The energy density on the surface of the cleaning object X is 150 mJ / cm2 or less. With this energy intensity, there is no possibility of melting or damaging the chromium film forming the pattern. The dust on the surface of the cleaning object X vibrates minutely by the irradiation of the ultraviolet laser light L2, and is separated and removed from the surface of the cleaning object X. Dust and the like generated by both washings are exhausted from an exhaust port by a gas flow. After the cleaning for a predetermined time, the irradiation of the ultraviolet laser beams L1 and L2 is temporarily stopped. Then, the XY table 16 is driven so that the ultraviolet laser light L2 is irradiated on another dust. Then, ultraviolet laser beams L1 and L2 are irradiated again to perform cleaning.
As described above, cleaning is performed on all dust on the cleaning target X.

【0008】以上により洗浄対象物X表面のゴミはオゾ
ン洗浄およびレーザ洗浄によって十分に洗浄される。オ
ゾン洗浄を行うためのオゾンの生成は、紫外線レーザ光
L1,L2により生成される。このうち、レーザ洗浄を
行うために洗浄対象物に照射される紫外線レーザ光L2
は、洗浄対象物を傷つけたりすることがないように出力
を制限する必要がある。しかしながら、出力を制限する
とオゾン生成が好適に行われず、オゾン洗浄の効果が小
さい場合がある。しかし本発明に係る洗浄装置10の場
合、オゾン生成するための高出力の紫外線レーザ光L1
をレーザ洗浄のための紫外線レーザ光L2とは別個独立
に設け、その紫外線レーザ光L1を洗浄対象物に照射さ
せずに雰囲気のみに照射させることにより、洗浄対象物
を傷つけることなくオゾン洗浄の効果を高めることがで
きる。さらに、この紫外線レーザ光L1の集光点をレー
ザ洗浄のための紫外線レーザ光L2の集光点と一致させ
ることで、レーザ洗浄される位置とオゾン洗浄の効果が
大きい位置が一致し、レーザ洗浄とオゾン洗浄が同時に
行われるため、両洗浄の効果が相乗的に作用して洗浄効
果がより高まる。なお、洗浄対象物が傷つきにくいもの
である場合は、オゾン生成のための紫外線レーザ光L1
は、洗浄対象物に直接照射しても良い。
As described above, dust on the surface of the cleaning object X is sufficiently cleaned by ozone cleaning and laser cleaning. Ozone for performing ozone cleaning is generated by ultraviolet laser beams L1 and L2. Among them, the ultraviolet laser light L2 irradiated to the object to be cleaned to perform the laser cleaning.
It is necessary to limit the output so as not to damage the object to be cleaned. However, if the output is limited, ozone generation is not performed appropriately, and the effect of ozone cleaning may be small. However, in the case of the cleaning device 10 according to the present invention, a high-output ultraviolet laser beam L1 for generating ozone is used.
Is provided separately and independently from the ultraviolet laser beam L2 for laser cleaning, and the ultraviolet laser beam L1 is applied only to the atmosphere without irradiating the object to be cleaned, thereby achieving an ozone cleaning effect without damaging the object to be cleaned. Can be increased. Further, by making the focal point of the ultraviolet laser beam L1 coincide with the focal point of the ultraviolet laser beam L2 for laser cleaning, the position where the laser cleaning is performed and the position where the ozone cleaning effect is large coincide with each other. And ozone cleaning are performed simultaneously, so that the effects of both cleanings act synergistically to further enhance the cleaning effect. When the object to be cleaned is not easily damaged, the ultraviolet laser light L1 for generating ozone is used.
May be directly applied to the object to be cleaned.

【0009】また、オゾン生成のための紫外線レーザ光
L1は複数にしても良い。この場合、紫外線レーザ光を
複数にし、かつ集光点を一致させることによって多くの
オゾンを生成し、オゾン洗浄の効果を高めることができ
る。また、酸素供給装置のかわりに、空気をフィルター
処理した清浄なガスを供給させるようにしても良い。ま
た、酸素供給装置のかわりに、オゾン生成装置によって
オゾンを供給するようにしても良い。この場合、紫外線
レーザ光によってオゾンが活性酸素と酸素分子に分解さ
れる。この活性酸素によってオゾン洗浄が行われる。ま
た、同一の光源からスプリットミラーを用いてレーザ洗
浄のための紫外線レーザ光とオゾン洗浄のための紫外線
レーザ光に分岐させる機構にしても良い。この場合、一
つの光源で洗浄を行うことが可能となるのでコスト面で
有利である。また、洗浄対象物はクロム膜でパターンが
形成されたレチクルに限られない。例えばシリコンウエ
ハや、クロム膜以外の材料でパターンが形成されたレチ
クル、あるいはレンズ等の光学素子でも本実施の形態で
の洗浄が可能である。洗浄対象物表面に、パターン等が
形成されていない場合には、洗浄対象物表面のエネルギ
密度を大きくして、洗浄を行うことも可能である。例え
ば、レンズを洗浄する場合、レンズ表面に紫外線レーザ
光を集光して、洗浄を行ってもよい。
Further, the ultraviolet laser beam L1 for generating ozone may be plural. In this case, a large amount of ozone is generated by using a plurality of ultraviolet laser beams and making the focal points coincide with each other, so that the ozone cleaning effect can be enhanced. Further, instead of the oxygen supply device, a clean gas obtained by filtering air may be supplied. Further, instead of the oxygen supply device, ozone may be supplied by an ozone generation device. In this case, the ozone is decomposed into active oxygen and oxygen molecules by the ultraviolet laser light. Ozone cleaning is performed by the active oxygen. Alternatively, a mechanism may be used in which a split light source is used to split ultraviolet laser light for laser cleaning and ultraviolet laser light for ozone cleaning from the same light source. In this case, the cleaning can be performed by one light source, which is advantageous in cost. Further, the object to be cleaned is not limited to a reticle having a pattern formed with a chromium film. For example, a silicon wafer, a reticle having a pattern formed of a material other than a chromium film, or an optical element such as a lens can be cleaned in the present embodiment. When a pattern or the like is not formed on the surface of the object to be cleaned, it is possible to perform cleaning by increasing the energy density of the surface of the object to be cleaned. For example, when cleaning a lens, cleaning may be performed by concentrating an ultraviolet laser beam on the lens surface.

【0010】また、紫外線レーザ光はArFエキシマレ
ーザ光に限られず、F2エキシマレーザ光やYAGレー
ザ光の第4高調波、或はX線、軟X線等を用いても良
い。ただし、オゾン洗浄を好適に行わせるためには、波
長240nm以下であることが望ましい。また、各紫外
線レーザ光L1,L2の繰り返し周波数および出力等は
洗浄対象によって適宜調整可能である。また、紫外線レ
ーザ光の出力を強めることにより、オゾン洗浄の効果を
高めることも可能である。その他同様の趣旨において種
々変形可能である。 (第2の実施の形態)第2の実施の形態に係る洗浄装置
30の構成図を図3に示す。この洗浄装置30は、洗浄
対象物Xをレーザ洗浄するための紫外線レーザ光L3を
出射するレーザ装置31と、この紫外線レーザ光L3の
出力を調整するためのビームホモジナイザ32と、この
紫外線レーザ光L3の光軸を位置決めするための全反射
ミラー33と、この紫外線レーザ光L3を洗浄対象物X
表面付近に集光させるための集光レンズ34と、洗浄対
象物Xを支持するXYZテーブル35と、XYZテーブ
ル35を制御するためのテーブルドライバ36と、XY
Zテーブル35を支持固定するテーブル37と、洗浄対
象物Xを回転させるためのモータ38と、モータ38を
制御するためのモータ38制御ユニットと、紫外線レー
ザ光L3の入射角を変化させるためのガイド40および
ガイド台41と、ガイド40を制御するためのガイド制
御ユニット42と、XYテーブルドライバ36、モータ
制御ユニット39、ガイド制御ユニット42およびレー
ザ装置31を制御するためのメインコントローラ43
と、から構成される。以下各構成要素について説明す
る。
The ultraviolet laser beam is not limited to the ArF excimer laser beam, but may be a fourth harmonic of an F2 excimer laser beam or a YAG laser beam, or an X-ray or a soft X-ray. However, it is desirable that the wavelength is 240 nm or less in order to perform ozone cleaning suitably. In addition, the repetition frequency and output of each of the ultraviolet laser beams L1 and L2 can be appropriately adjusted depending on a cleaning target. In addition, the effect of ozone cleaning can be enhanced by increasing the output of the ultraviolet laser light. Various other modifications are possible for the same purpose. (Second Embodiment) FIG. 3 shows a configuration diagram of a cleaning apparatus 30 according to a second embodiment. The cleaning device 30 includes a laser device 31 that emits an ultraviolet laser beam L3 for laser-cleaning an object to be cleaned X, a beam homogenizer 32 for adjusting the output of the ultraviolet laser beam L3, and an ultraviolet laser beam L3. A total reflection mirror 33 for positioning the optical axis of the laser beam, and the ultraviolet laser beam L3 is
A condenser lens 34 for condensing light near the surface, an XYZ table 35 for supporting the object X to be cleaned, a table driver 36 for controlling the XYZ table 35, and XY
A table 37 for supporting and fixing the Z table 35, a motor 38 for rotating the cleaning object X, a motor 38 control unit for controlling the motor 38, and a guide for changing the incident angle of the ultraviolet laser beam L3 40, a guide table 41, a guide control unit 42 for controlling the guide 40, and an XY table driver 36, a motor control unit 39, a guide control unit 42, and a main controller 43 for controlling the laser device 31.
And Hereinafter, each component will be described.

【0011】レーザ装置31は、KrFエキシマレーザ
装置である。出射されるレーザ光の発振繰り返し数は2
00Hzである。全反射ミラー33および集光レンズ3
4は、レーザ装置31から出射された紫外線レーザ光L
3の光軸の位置および集光点を調整する。図4(a)に
示されるように、紫外線レーザ光L3の集光点は、後述
するガイド40の回転中心軸C1から真上に1mm程度
の距離となるように調整されている。また、紫外線レー
ザ光L3の光軸は、ほぼ鉛直方向となるように調整され
ている。後述するように、洗浄対象物Xの表面上に回転
中心軸C1がくるように、洗浄対象物Xは載置される。
そのため、洗浄対象物Xの表面には図4(b)に示され
るように、やや広がった紫外線レーザ光L3が照射され
る。また、この紫外線レーザ光L3のエネルギ強度は洗
浄対象物X表面において、150mJ/cm2以下とな
るように、ビームホモジナイザ32により予め調整され
ている。XYZテーブル35は、洗浄対象物Xを支持す
るとともに、洗浄対象物Xを移動させて、紫外線レーザ
光L3が照射される位置を調整する機能を有する。ま
た、XYZテーブル35のZ方向、すなわち洗浄対象物
Xの法線方向の調整により、洗浄対象物Xの表面上には
回転中心軸C1がくるように予め設定されている。この
XYZテーブル35は、テーブル37上に固定されてい
る。
The laser device 31 is a KrF excimer laser device. The oscillation repetition number of the emitted laser light is 2
00 Hz. Total reflection mirror 33 and condenser lens 3
4 is an ultraviolet laser beam L emitted from the laser device 31
Adjust the position of the optical axis and the light condensing point of No. 3. As shown in FIG. 4A, the focal point of the ultraviolet laser light L3 is adjusted so as to be about 1 mm directly above a rotation center axis C1 of a guide 40 described later. The optical axis of the ultraviolet laser beam L3 is adjusted to be substantially vertical. As will be described later, the object to be cleaned X is placed such that the rotation center axis C1 is located on the surface of the object to be cleaned X.
For this reason, as shown in FIG. 4B, the surface of the cleaning object X is irradiated with the ultraviolet laser light L3 that has spread slightly. The energy intensity of the ultraviolet laser beam L3 is adjusted in advance by the beam homogenizer 32 on the surface of the cleaning object X so as to be 150 mJ / cm2 or less. The XYZ table 35 has a function of supporting the cleaning target X and moving the cleaning target X to adjust the position where the ultraviolet laser light L3 is irradiated. Further, by adjusting the Z direction of the XYZ table 35, that is, the normal direction of the object X to be cleaned, the rotation center axis C1 is preset on the surface of the object X to be cleaned. The XYZ table 35 is fixed on the table 37.

【0012】モータ38は、XYZテーブル35を回転
させる機能を有する。回転数は、60rpmで360度
ごとに回転方向を反転させる。このモータ38の回転軸
C2上に紫外線レーザ光L3が照射される位置が存在す
るため、洗浄対象物Xは紫外線レーザ光L3が照射され
る位置を中心に回転することになる。ガイド40は、回
転中心軸C1を軸として、図3に示す矢印50の方向
に、0度から90度まで0.5Hzの周期で往復回転移
動する。このガイド40の往復移動により、洗浄対象物
Xは回転中心軸C1を軸として回転する。この洗浄対象
物Xの回転により、紫外線レーザ光L3の洗浄対象物X
に対する入射角は、90度近くから0度まで0.5Hz
で周期的に変化することになる。以上のXYZテーブル
35、モータ38、ガイド40、モータ38は、それぞ
れテーブルドライバ36、モータ制御ユニット39、ガ
イド制御ユニット42により動作制御される。そして、
テーブルドライバ36、モータ制御ユニット39、ガイ
ド制御ユニット42およびレーザ装置31は、メインコ
ントローラ43からの指令に基づいて動作する。以上の
構成のもと、洗浄の作用について説明する。まず洗浄対
象物XがXYZテーブル35にセットされる。この洗浄
対象物Xは、合成石英ガラス上にクロム膜のパターンが
形成されているレチクルである。
The motor 38 has a function of rotating the XYZ table 35. The rotation direction is reversed every 360 degrees at 60 rpm. Since there is a position on the rotation axis C2 of the motor 38 where the ultraviolet laser light L3 is irradiated, the object X to be cleaned rotates around the position where the ultraviolet laser light L3 is irradiated. The guide 40 reciprocates around the rotation center axis C1 in the direction of the arrow 50 shown in FIG. 3 from 0 degree to 90 degrees at a cycle of 0.5 Hz. Due to the reciprocating movement of the guide 40, the cleaning object X rotates around the rotation center axis C1. Due to the rotation of the cleaning object X, the cleaning object X of the ultraviolet laser beam L3 is
Angle of incidence from near 90 ° to 0 ° 0.5Hz
Will change periodically. The operations of the XYZ table 35, the motor 38, the guide 40, and the motor 38 are controlled by a table driver 36, a motor control unit 39, and a guide control unit 42, respectively. And
The table driver 36, the motor control unit 39, the guide control unit 42, and the laser device 31 operate based on a command from the main controller 43. With the above configuration, the operation of the cleaning will be described. First, the cleaning object X is set on the XYZ table 35. The object X to be cleaned is a reticle in which a pattern of a chromium film is formed on synthetic quartz glass.

【0013】続いて図示しないCCDカメラによりレチ
クル表面が撮像される。撮像された画像データと、パタ
ーンの形成に用いられた理想的な設計データとが比較さ
れ、ゴミの位置が検出される。そして、XYZテーブル
35が駆動し、ゴミの位置に紫外線レーザ光L3が照射
されるように洗浄対象物Xが移動する。以上の初期設定
のもとレーザ洗浄が行われる。レーザ装置31から出射
された紫外線レーザ光L3は、洗浄対象物X表面のゴミ
Dに照射される。この照射と同時に、モータ38により
洗浄対象物Xは回転中心軸C2を中心として回転する。
図5(a)に示されるように、ゴミDは回転中心軸C2
上に位置するため、ゴミDは並進移動せず、ゴミDに対
して紫外線レーザ光L3は常に照射される。また、この
ゴミDが回転する一方、紫外線レーザ光L3の光軸は移
動しないため、ゴミのすべての方向から紫外線レーザ光
L3が照射されることになる。また、モータ38による
回転とともに、ガイド40も回転中心軸C1を軸として
回転する。図5(b)に示されるようにこのガイド40
の回転に伴って、洗浄対象物Xも回転中心軸C1を軸と
して回転する。したがって、紫外線レーザ光L3の洗浄
対象物Xに対する入射角は連続的に、0度から90度近
くまで変化する。結局、ゴミDのあらゆる方向からあら
ゆる入射角で紫外線レーザ光L3が照射されることにな
る。
Subsequently, the reticle surface is imaged by a CCD camera (not shown). The captured image data is compared with ideal design data used for forming a pattern, and the position of dust is detected. Then, the XYZ table 35 is driven, and the object X to be cleaned is moved so that the position of the dust is irradiated with the ultraviolet laser beam L3. Laser cleaning is performed under the above initial settings. The ultraviolet laser light L3 emitted from the laser device 31 irradiates the dust D on the surface of the cleaning object X. Simultaneously with this irradiation, the object to be cleaned X is rotated by the motor 38 about the rotation center axis C2.
As shown in FIG. 5A, the dust D is the rotation center axis C2.
Since the dust D is located above, the dust D does not move in translation, and the dust D is constantly irradiated with the ultraviolet laser beam L3. Further, while the dust D rotates, the optical axis of the ultraviolet laser light L3 does not move, so that the ultraviolet laser light L3 is irradiated from all directions of the dust. The guide 40 also rotates about the rotation center axis C1 along with the rotation by the motor 38. As shown in FIG.
With the rotation of, the object X to be cleaned also rotates around the rotation center axis C1. Therefore, the incident angle of the ultraviolet laser beam L3 with respect to the object X to be cleaned continuously changes from 0 degree to nearly 90 degrees. As a result, the ultraviolet laser light L3 is irradiated from all directions of the dust D at all incident angles.

【0014】一般にレーザ洗浄の場合、ゴミと洗浄対象
物Xとが密接していない部分に紫外線レーザ光を照射し
た方が、洗浄効果が大きい。図6(a)に示されるよう
に、紙面左側においてゴミD1が洗浄対象物Xと密接し
ており、紙面右側においてはゴミD1が洗浄対象物Xと
密接していない場合、以下のようにしてゴミD1が剥離
除去される。図6(a)のように紫外線レーザ光L3が
ゴミD1の左側に照射されているときは、紫外線レーザ
光L3の吸収によるゴミD1の振動は洗浄対象物Xに吸
収されるため、ゴミD1は洗浄対象物Xと剥離しない。
しかし、図6(b)に示されるように、ゴミD1の右側
に紫外線レーザ光L3が照射されると、ゴミD1の右側
の部分は洗浄対象物Xと密接していないため、ゴミD1
は振動する。そしてこの振動は、ゴミD1と洗浄対象物
Xとがもっとも近づいている地点を支点とする、てこの
原理の要領でゴミD1の左側に伝播する。こうした振動
によってゴミD1は洗浄対象物Xから剥離する。また、
図7に示されるようにゴミD2の中心部分が洗浄対象物
Xと離れ、周辺部において密接している場合、紫外線レ
ーザ光L3の入射角が45度程度のときにゴミD2は振
動しないが、入射角が0度程度のときは、ゴミD2は剥
離除去される。
In general, in the case of laser cleaning, it is more effective to irradiate the portion where the dust and the object X to be cleaned are not in close contact with each other with ultraviolet laser light. As shown in FIG. 6A, when the dust D1 is in close contact with the object X to be cleaned on the left side of the paper and the dust D1 is not in close contact with the object X to be cleaned on the right side of the paper, as follows. The dust D1 is separated and removed. When the ultraviolet laser light L3 is irradiated on the left side of the dust D1 as shown in FIG. 6A, the vibration of the dust D1 due to the absorption of the ultraviolet laser light L3 is absorbed by the object X to be cleaned. It does not peel off from the cleaning object X.
However, as shown in FIG. 6B, when the right side of the dust D1 is irradiated with the ultraviolet laser beam L3, the right portion of the dust D1 is not in close contact with the cleaning object X, so that the dust D1
Vibrates. Then, this vibration propagates to the left side of the dust D1 according to the principle of leverage, with the point at which the dust D1 and the cleaning object X are closest to each other as a fulcrum. The dust D1 is separated from the cleaning object X by such vibration. Also,
As shown in FIG. 7, when the central portion of the dust D2 is separated from the object X to be cleaned and is close to the periphery, the dust D2 does not vibrate when the incident angle of the ultraviolet laser beam L3 is about 45 degrees. When the incident angle is about 0 degrees, the dust D2 is separated and removed.

【0015】以上のようなレーザ洗浄がCCDカメラに
より認識された全てのゴミについて行われ、洗浄が終了
する。ゴミは洗浄対象物Xに対して規則性を有さずに洗
浄対象物Xに付着する。従ってゴミを基板から剥離除去
させようとしたときに、剥離除去に最適なレーザ光の入
射角や方向も規則性を有しない。本発明においては、モ
ータ38およびガイド40を用いて、洗浄対象物Xを回
転させることにより、一つのゴミに対して紫外線レーザ
光を全ての方向およびすべての入射角から照射させる。
従って、従来の方法では除去しえなかったゴミを除去す
ることが可能となる。なお、洗浄対象物Xが入っている
容器44内に酸素を供給させ、オゾン洗浄の効果も同時
に得ることも可能である。その他、本実施の形態は同様
の趣旨において種々変形可能である。 (第3の実施の形態)第3の実施の形態に係る洗浄装置
は、第1の実施の形態に示された洗浄装置と、第2の実
施の形態に係る洗浄装置を組み合わせた洗浄装置であ
る。すなわち、第2の実施の形態に係る洗浄装置30
に、オゾン洗浄のための紫外線レーザ光照射手段および
酸素供給手段を付加したものである。具体的には、容器
内に酸素を供給させるための酸素供給装置を付加する。
また、この容器に石英ガラス製の窓を設け、その窓から
オゾン生成のための紫外線レーザ光を照射させる。な
お、この紫外線レーザ光の光軸は、ガイドによる洗浄対
象物Xの回転軸C1と略平行な方向、すなわち図3にお
ける紙面垂直方向に位置決めする。このように位置決め
することで、洗浄対象物Xが回転しても、オゾン生成の
ための紫外線レーザ光が洗浄対象物Xに照射されること
が防がれる。また、オゾン生成のための紫外線レーザ光
の集光点は、レーザ洗浄のための紫外線レーザ光の集光
点とほぼ一致するように調整されている。
The above laser cleaning is performed for all dust recognized by the CCD camera, and the cleaning is completed. The dust adheres to the cleaning object X without regularity with respect to the cleaning object X. Therefore, when the dust is to be peeled off from the substrate, the incident angle and direction of the laser beam optimal for the peeling and removal do not have regularity. In the present invention, the object to be cleaned X is rotated by using the motor 38 and the guide 40, so that one dust is irradiated with ultraviolet laser light from all directions and all incident angles.
Therefore, it is possible to remove dust that could not be removed by the conventional method. Note that it is also possible to supply oxygen into the container 44 containing the object X to be cleaned, and to simultaneously obtain the effect of ozone cleaning. In addition, this embodiment can be variously modified for the same purpose. (Third Embodiment) The cleaning device according to the third embodiment is a cleaning device that combines the cleaning device according to the first embodiment and the cleaning device according to the second embodiment. is there. That is, the cleaning device 30 according to the second embodiment
In addition, an ultraviolet laser light irradiation unit for cleaning ozone and an oxygen supply unit are added to the embodiment. Specifically, an oxygen supply device for supplying oxygen into the container is added.
In addition, a window made of quartz glass is provided in this container, and an ultraviolet laser beam for generating ozone is irradiated from the window. The optical axis of the ultraviolet laser beam is positioned in a direction substantially parallel to the rotation axis C1 of the object X to be cleaned by the guide, that is, in a direction perpendicular to the plane of FIG. Such positioning prevents the object X to be cleaned from being irradiated with ultraviolet laser light for generating ozone even when the object X to be cleaned is rotated. The focal point of the ultraviolet laser light for generating ozone is adjusted so as to substantially coincide with the focal point of the ultraviolet laser light for laser cleaning.

【0016】以上のような構成における洗浄の場合、オ
ゾン生成するための紫外線レーザ光を、レーザ洗浄のた
めの紫外線レーザ光とは別個独立に設け、その紫外線レ
ーザ光を洗浄対象物に照射させずに雰囲気に照射するこ
とが可能になる。したがって洗浄対象物を損傷しないよ
うにレーザ光の出力を制限する必要がないためオゾン洗
浄の効果を高めることができる。また、洗浄対象物Xを
回転させることにより、一つのゴミに対して紫外線レー
ザ光を全ての方向およびすべての入射角から照射させ
る。したがってレーザ洗浄の効果が高まる。さらに、洗
浄対象物Xの回転により、生成されたオゾンはゴミに対
して四方から吹き付けられることになる。オゾンは容器
内のガスフローの方向に沿って流れる。したがって従来
の方法では、オゾン洗浄の効果はムラがあった。しかし
ながら、洗浄対象物Xの回転によって、オゾン洗浄をム
ラなく行わせることが可能になる。なお、本実施の形態
は上記されたように種々変形可能である。 (第4の実施の形態)第4の実施の形態はレチクルの製
造方法に関するものである。レチクルの製造工程は、透
明基板上に遮光膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程
により成膜された遮光膜の所定部分をエッチングするエ
ッチング工程と、前記エッチング工程により形成された
洗浄対象物Xの洗浄を行う洗浄工程とからなる。
In the case of cleaning in the above configuration, an ultraviolet laser beam for generating ozone is provided independently of the ultraviolet laser beam for laser cleaning, and the ultraviolet laser beam is not irradiated to the object to be cleaned. It becomes possible to irradiate the atmosphere. Therefore, it is not necessary to limit the output of the laser beam so as not to damage the object to be cleaned, so that the effect of ozone cleaning can be enhanced. Further, by rotating the object to be cleaned X, one laser beam is irradiated with ultraviolet laser light from all directions and all incident angles. Therefore, the effect of laser cleaning is enhanced. Further, the generated ozone is blown from all directions by the rotation of the cleaning object X. Ozone flows along the direction of gas flow in the container. Therefore, in the conventional method, the effect of the ozone cleaning was uneven. However, the rotation of the cleaning object X enables the ozone cleaning to be performed evenly. This embodiment can be variously modified as described above. (Fourth Embodiment) The fourth embodiment relates to a method for manufacturing a reticle. The reticle manufacturing process includes a film forming process of forming a light shielding film on a transparent substrate, an etching process of etching a predetermined portion of the light shielding film formed by the film forming process, and a cleaning process formed by the etching process. A cleaning step of cleaning the object X.

【0017】まず、成膜工程を行う。図8(a)に示さ
れるように充分に良く研磨、洗浄された合成石英ガラス
の基板81上に、スパッタ成膜法を用いて、遮光膜とな
るクロム膜82を約100nmの厚みに形成する。次に
エッチング工程を行う。図8(b)に示されるように、
クロム膜82の上に電子線レジスト83を約50nmの
厚みでスピナーを用いて塗布する。その電子線描画装置
を用いて所望のパターンに露光した後、現像を行う。続
いて塩素系ガスを用いて、クロム膜82に対しプラズマ
エッチングを行い、図8(c)に示されるようにパター
ンを形成する。その後図8(d)に示されるようにアッ
シングを行って電子線レジストを除去する。そして、製
作されたレチクルの洗浄を行う。第1の実施の形態と同
様に洗浄を行う。すなわち、第1の実施の形態に示され
た洗浄方法を用いて、レチクルの洗浄を行い、レチクル
表面に付着したゴミを除去する。以上のようにしてレチ
クルの製造を行った。その結果、レチクルに付着した微
小なゴミを除去することが可能となった。従って歩留ま
りの向上したレチクルの製造を行うことが可能となっ
た。なお、第2の実施の形態で示された洗浄方法または
第3の実施の形態で示された洗浄方法を用いて、洗浄対
象物Xの洗浄を行っても良い。
First, a film forming step is performed. As shown in FIG. 8A, a chromium film 82 serving as a light-shielding film is formed to a thickness of about 100 nm on a sufficiently polished and cleaned synthetic quartz glass substrate 81 by a sputtering film forming method. . Next, an etching step is performed. As shown in FIG.
An electron beam resist 83 is applied on the chromium film 82 with a thickness of about 50 nm using a spinner. After exposure to a desired pattern using the electron beam lithography apparatus, development is performed. Subsequently, plasma etching is performed on the chromium film 82 using a chlorine-based gas to form a pattern as shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 8D, ashing is performed to remove the electron beam resist. Then, the manufactured reticle is cleaned. Cleaning is performed in the same manner as in the first embodiment. That is, the reticle is cleaned by using the cleaning method described in the first embodiment, and dust adhering to the reticle surface is removed. A reticle was manufactured as described above. As a result, fine dust adhering to the reticle can be removed. Therefore, it has become possible to manufacture a reticle with an improved yield. The cleaning object X may be cleaned using the cleaning method described in the second embodiment or the cleaning method described in the third embodiment.

【0018】なお、本発明に係るレチクルの製造方法
は、本実施の形態に限られるものではなく、同様の趣旨
において種々変形可能である。
The method of manufacturing a reticle according to the present invention is not limited to the present embodiment, but can be variously modified in the same spirit.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、オ
ゾン洗浄を行うためのレーザ光とレーザ洗浄を行うため
のレーザ光を独立に照射させるため、従来よりも効果の
大きい洗浄が可能となる。
As described above in detail, according to the present invention, laser light for performing ozone cleaning and laser light for performing laser cleaning are independently irradiated, so that cleaning more effective than before can be performed. Becomes

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る洗浄装置の構
成図。
FIG. 1 is a configuration diagram of a cleaning device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態において、紫外線レ
ーザ光が洗浄対象物Xに照射された模式図。
FIG. 2 is a schematic diagram showing an object to be cleaned X irradiated with an ultraviolet laser beam in the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施の形態に係る洗浄装置の構
成図。
FIG. 3 is a configuration diagram of a cleaning device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施の形態において、洗浄対象
物Xの回転中心軸と紫外線レーザ光の集光点の位置関係
を示した模式図。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a positional relationship between a rotation center axis of an object to be cleaned X and a focal point of an ultraviolet laser beam in the second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施の形態において、洗浄対象
物X上のゴミを中心にして洗浄対象物Xが回転する様子
を示した模式図。
FIG. 5 is a schematic view showing a state in which the cleaning object X rotates around dust on the cleaning object X in the second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第2の実施の形態において、洗浄対象
物X上のゴミに紫外線レーザ光が照射された模式図。
FIG. 6 is a schematic diagram showing that dust on an object to be cleaned X is irradiated with an ultraviolet laser beam in the second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2の実施の形態において、洗浄対象
物X上のゴミに紫外線レーザ光が照射された模式図。
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating that dust on an object to be cleaned X is irradiated with an ultraviolet laser beam in the second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第4の実施の形態において、レチクル
の製造工程を示している模式図。
FIG. 8 is a schematic view showing a reticle manufacturing process according to a fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11・・・酸素供給装置、12・・・容器、13a・・
・ArFレーザ光、13b・・・ArFレーザ光、31
・・・レーザ装置31、38・・・モータ38、40・
・・ガイド、41・・・ガイド台。
11 ... oxygen supply device, 12 ... container, 13a ...
ArF laser light, 13b ... ArF laser light, 31
... Laser devices 31, 38 ... Motors 38, 40
..Guide, 41 ... Guide stand.

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 洗浄対象物を収納するための容器と、 前記洗浄対象物の周囲の気体に波長200nm以下の第
1のレーザ光を照射するための第1のレーザ光照射手段
と、 前記第1のレーザ光とは独立に位置決め可能に、波長4
00nm以下の第2のレーザ光を前記洗浄対象物表面に
照射するための第2のレーザ光照射手段と、 を備えていることを特徴とする洗浄装置。
A container for accommodating an object to be cleaned; a first laser light irradiating unit for irradiating a gas around the object to be cleaned with a first laser light having a wavelength of 200 nm or less; Wavelength 4
A second laser beam irradiating unit for irradiating the surface of the object to be cleaned with a second laser beam of not more than 00 nm.
【請求項2】 前記第1のレーザ光照射手段は、ArF
エキシマレーザ装置またはF2エキシマレーザ装置であ
ることを特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
2. The method according to claim 1, wherein the first laser beam irradiating means is ArF
The cleaning device according to claim 1, wherein the cleaning device is an excimer laser device or an F2 excimer laser device.
【請求項3】 前記第1のレーザ光と前記第2のレーザ
光との集光点がほぼ一致するように構成されていること
を特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
3. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the focal points of the first laser light and the second laser light substantially coincide with each other.
【請求項4】 前記洗浄対象物はレチクルであることと
し、前記レーザ光照射手段は、前記レチクル表面にほぼ
平行に前記第1のレーザ光を照射するように構成されて
いることを特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
4. The apparatus according to claim 1, wherein the object to be cleaned is a reticle, and the laser beam irradiating means is configured to irradiate the first laser beam substantially parallel to a surface of the reticle. The cleaning device according to claim 1.
【請求項5】 洗浄対象物の表面に波長400nm以下
のレーザ光を照射するためのレーザ光照射手段と、前記
レーザ光が照射される位置を中心として前記洗浄対象物
を回転させる回転手段と、前記洗浄対象物表面に照射さ
れる前記レーザ光の入射角を変化させる入射角変化手段
と、を備えていることを特徴とする洗浄装置。
5. A laser beam irradiating unit for irradiating a laser beam having a wavelength of 400 nm or less to a surface of an object to be cleaned, a rotating unit for rotating the object to be cleaned around a position where the laser beam is irradiated, A cleaning device, comprising: an incident angle changing unit configured to change an incident angle of the laser light applied to the surface of the object to be cleaned.
【請求項6】 前記第2のレーザ光により照射される位
置を中心として、前記洗浄対象物を回転させる回転手段
を付加したことを特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
6. The cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a rotation unit configured to rotate the object to be cleaned around a position irradiated by the second laser light.
【請求項7】 前記洗浄対象物表面に照射される前記第
2のレーザ光の入射角を変化させる入射角変化手段を付
加したことを特徴とする請求項5記載の洗浄装置。
7. The cleaning apparatus according to claim 5, further comprising an incident angle changing means for changing an incident angle of the second laser light irradiated on the surface of the object to be cleaned.
【請求項8】 波長200nm以下の第1のレーザ光を
洗浄対象物の周囲の気体に照射する第1のレーザ光照射
工程と、前記第1のレーザ光とは独立に位置決め可能な
波長400nm以下の第2のレーザ光を前記洗浄対象物
に照射する第2のレーザ光照射工程と、を同時に行うこ
とを特徴とする洗浄方法。
8. A first laser light irradiation step of irradiating a gas around a cleaning object with a first laser light having a wavelength of 200 nm or less, and a wavelength of 400 nm or less which can be positioned independently of the first laser light. And a second laser light irradiation step of irradiating the object to be cleaned with the second laser light.
【請求項9】 前記第1のレーザ光の集光点と前記第2
のレーザ光の集光点をほぼ一致するようにして洗浄する
ことを特徴とする請求項8記載の洗浄方法。
9. A light-converging point of the first laser beam and the second laser beam
9. The cleaning method according to claim 8, wherein the cleaning is performed so that the focal points of the laser light substantially coincide with each other.
【請求項10】 前記洗浄対象物はレチクルであること
とし、前記第1のレーザ光は、前記レチクルの表面にほ
ぼ平行に前記洗浄対象物の周囲の気体を照射することを
特徴とする請求項8記載の洗浄方法。
10. The object to be cleaned is a reticle, and the first laser beam irradiates a gas around the object to be cleaned substantially parallel to a surface of the reticle. 9. The washing method according to 8.
【請求項11】 洗浄対象物の表面に波長400nm以
下のレーザ光を照射する照射工程と、前記レーザ光を照
射しながら、前記照射される位置を中心として前記洗浄
対象物を回転させる回転工程と、前記レーザ光を照射し
ながら、前記洗浄対象物表面に照射される前記レーザ光
の前記洗浄対象物表面に対する入射角を変化させる入射
角変化工程と、を備えていることを特徴とする洗浄方
法。
11. An irradiation step of irradiating a laser light having a wavelength of 400 nm or less to the surface of the object to be cleaned, and a rotating step of rotating the object to be cleaned around the irradiated position while irradiating the laser light. An incident angle changing step of changing an incident angle of the laser light applied to the surface of the object to be cleaned while irradiating the laser light. .
【請求項12】 前記第1および第2のレーザ光を照射
しながら、前記第2のレーザ光により照射される位置を
中心として、前記洗浄対象物を回転させる回転工程を付
加したことを特徴とする請求項8記載の洗浄方法。
12. A rotation step for rotating the object to be cleaned around a position irradiated by the second laser light while irradiating the first and second laser lights. The cleaning method according to claim 8, wherein the cleaning method is performed.
【請求項13】 前記第2のレーザ光を照射しながら、
前記洗浄対象物表面に照射される前記第2のレーザ光の
前記洗浄対象物表面に対する入射角を変化させる入射角
変化工程を付加したことを特徴とする請求項11記載の
洗浄方法。
13. While irradiating the second laser light,
12. The cleaning method according to claim 11, further comprising an incident angle changing step of changing an incident angle of the second laser beam applied to the cleaning object surface with respect to the cleaning object surface.
【請求項14】 透明基板上に遮光膜を成膜する成膜工
程と、 前記成膜工程により成膜された遮光膜の所定部分をエッ
チングしてパターンを形成し、レチクルを製作するエッ
チング工程と、 前記エッチング工程により製作されたレチクルの洗浄を
行う洗浄工程と、を備えるレチクルの製造方法におい
て、 前記洗浄工程は、請求項8記載または請求項11記載の
洗浄方法を用いて前記レチクルを洗浄することを特徴と
するレチクルの製造方法。
14. A film-forming step of forming a light-shielding film on a transparent substrate, and an etching step of forming a pattern by etching a predetermined portion of the light-shielding film formed in the film-forming step to form a reticle. A cleaning step of cleaning the reticle manufactured by the etching step, wherein the cleaning step cleans the reticle using the cleaning method according to claim 8 or 11. A method of manufacturing a reticle.
JP2000120402A 2000-04-21 2000-04-21 Method and apparatus for cleaning for reticule, and method for producing reticule Pending JP2001300450A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000120402A JP2001300450A (en) 2000-04-21 2000-04-21 Method and apparatus for cleaning for reticule, and method for producing reticule

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000120402A JP2001300450A (en) 2000-04-21 2000-04-21 Method and apparatus for cleaning for reticule, and method for producing reticule

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001300450A true JP2001300450A (en) 2001-10-30

Family

ID=18631223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000120402A Pending JP2001300450A (en) 2000-04-21 2000-04-21 Method and apparatus for cleaning for reticule, and method for producing reticule

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001300450A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120895A (en) * 2004-10-22 2006-05-11 Canon Inc Removing apparatus, exposure apparatus including the same, and device manufacturing method
JP2010536066A (en) * 2007-08-09 2010-11-25 レイヴ リミテッド ライアビリティ カンパニー Apparatus and method for indirect surface cleaning
KR101557586B1 (en) 2014-05-19 2015-10-05 주식회사 아이엠티 Method and apparatus for wafer edge cleaning
CN107716468A (en) * 2017-10-31 2018-02-23 广东工业大学 A kind of laser auto focusing method, system, device and readable storage medium storing program for executing
EP3550679A4 (en) * 2016-11-29 2020-01-29 Gigaphoton Inc. Laser machining system and laser machining method
KR20210016058A (en) * 2018-07-05 2021-02-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Photomask pellicle adhesive residue removal

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120895A (en) * 2004-10-22 2006-05-11 Canon Inc Removing apparatus, exposure apparatus including the same, and device manufacturing method
JP4681849B2 (en) * 2004-10-22 2011-05-11 キヤノン株式会社 Removal apparatus, exposure apparatus having the removal apparatus, and device manufacturing method
JP2010536066A (en) * 2007-08-09 2010-11-25 レイヴ リミテッド ライアビリティ カンパニー Apparatus and method for indirect surface cleaning
KR101557586B1 (en) 2014-05-19 2015-10-05 주식회사 아이엠티 Method and apparatus for wafer edge cleaning
EP3550679A4 (en) * 2016-11-29 2020-01-29 Gigaphoton Inc. Laser machining system and laser machining method
US11465233B2 (en) 2016-11-29 2022-10-11 Gigaphoton Inc. Laser processing system and laser processing method
CN107716468A (en) * 2017-10-31 2018-02-23 广东工业大学 A kind of laser auto focusing method, system, device and readable storage medium storing program for executing
KR20210016058A (en) * 2018-07-05 2021-02-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Photomask pellicle adhesive residue removal
JP2021529356A (en) * 2018-07-05 2021-10-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Photomask Pellicle Adhesive Residue Removal
JP7155386B2 (en) 2018-07-05 2022-10-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Removal of photomask pellicle adhesive residue
KR102579196B1 (en) * 2018-07-05 2023-09-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Removal of photomask pellicle adhesive residue

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8206510B2 (en) Method and apparatus for an in-situ ultraviolet cleaning tool
US6635844B2 (en) Apparatus for on-line cleaning a wafer chuck with laser
JP2000515811A (en) Material removal by radiation irradiated at oblique angles
US20090020137A1 (en) Cleaning apparatus and method, exposure apparatus having the cleaning apparatus, and device manufacturing method
JP2002263877A (en) Laser beam machining equipment
US7379151B2 (en) Exposure apparatus comprising cleaning apparatus for cleaning mask with laser beam
JP2000091207A (en) Projection aligner and cleaning method of projection optical system
JP2002015970A (en) Method and device for exposure
JP2022189840A (en) Photomask pellicle glue residue removal
JP2001300450A (en) Method and apparatus for cleaning for reticule, and method for producing reticule
JP3940378B2 (en) Self-cleaning method of semiconductor exposure apparatus and transmission plate for self-cleaning
US20040224508A1 (en) Apparatus and method for cleaning a substrate using a homogenized and non-polarized radiation beam
JP2000126704A (en) Method and apparatus for cleaning optical element
JP2003332215A (en) Processing method, method of manufacturing semiconductor device, and processing device
JP2003031466A (en) Manufacturing method and apparatus of semiconductor device
JP2001300453A (en) Method for cleaning surface of article and cleaning device, method for manufacturing optic element using method for cleaning surface of article and cleaning device, and optic element manufacturing device, optical system, aligning method and aligning device, and device manufacturing method
JPH01265513A (en) Reduction projection aligner
JP3106040B2 (en) Dry cleaning system for substrate surface
RU2764237C1 (en) Method and device for cleaning substrate and computer software product
JP2717855B2 (en) Ashing method
CN112882354B (en) Universal photoetching equipment and photoetching process
JP2004140239A (en) Thin film removing device and its method
JP2006147982A (en) Self-cleaning method of exposure device and exposure device
JPH10242098A (en) Wafer cleaning equipment and wafer cleaning method
KR20140100720A (en) Method and apparatus for dry cleaning of contamination on the glass edge

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050414

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20050606