JP2005008766A - 高分子化合物の製造方法及びレジスト材料 - Google Patents

Abstract

【解決手段】下記一般式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を酸触媒を用いてアセタール基の選択的脱保護反応を行うことを特徴とする下記一般式（２）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物の製造方法。
【化１】

【化２】

【効果】本発明の製造方法により得られた高分子化合物は、その分子量分布が従来の製造方法で得られるものよりも狭く、また、これら高分子化合物をベース樹脂としてレジスト材料に配合することにより、レジスト膜の溶解コントラスト、解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好であり、ラインエッジラフネスが少ない特性を示す。
【選択図】 なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アセタール基で保護されたヒドロキシスチレンモノマーと３級アルコキシカルボニルスチレンモノマーを用いて重合し、得られた高分子化合物を酸触媒を用いて、選択的脱保護反応を行い、ヒドロキシスチレン単位と３級アルコキシカルボニルスチレン単位を含む高分子化合物を製造する方法及びこの高分子化合物をベース樹脂として用いたレジスト材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が求められているなか、次世代の微細加工技術として遠紫外線リソグラフィーが有望視されている。遠紫外線リソグラフィーは、０．５μｍ以下の加工も可能であり、光吸収の低いレジスト材料を用いた場合、基板に対して垂直に近い側壁を有したパターン形成が可能になる。
【０００３】
近年開発された酸を触媒とした化学増幅ポジ型レジスト材料（特許文献１：特公平２−２７６６０号公報、特許文献２：特開昭６３−２７８２９号公報等記載）は、遠紫外線の光源として高輝度なＫｒＦエキシマレーザーを利用し、感度、解像性、ドライエッチング耐性が高く、優れた特徴を有した遠紫外線リソグラフィーに特に有望なレジスト材料として期待されている。
【０００４】
このような化学増幅ポジ型レジスト材料としては、ベースポリマー、酸発生剤からなる二成分系、ベースポリマー、酸発生剤、酸不安定基を有する溶解阻止剤からなる三成分系が知られている。
【０００５】
例えば、ヒドロキシスチレンと、（メタ）アクリル酸３級エステルとの共重合体を使用したレジスト材料が報告されているが（特許文献３：特開平３−２７５１４９号公報、特許文献４：特開平６−２８９６０８号公報）、この種のレジスト材料は耐熱性や、露光後のパターン形状が悪い等の問題があり、また解像性能も満足できるものではなかった。これらの１つの原因として、ヒドロキシスチレンと、（メタ）アクリル酸３級エステルとのランダム共重合体を合成する製造方法が、アセトキシスチレンモノマーと（メタ）アクリル酸３級エステルモノマーを重合後、得られた高分子化合物のアセトキシ部位を脱保護し製造する方法、ヒドロキシスチレンモノマー、（メタ）アクリル酸３級エステルモノマーを直接重合する製造方法（特許文献５：特開昭６１−２９１６０６号公報）しか報告されていないことが挙げられ、これら製造方法では、ラジカル重合法、カチオン重合でのみ重合可能で、得られる高分子化合物の分子量分布も非常に広いものしか製造できないからであった。加えて最近、アセタール保護されたヒドロキシスチレンと、（メタ）アクリル酸３級エステルとの共重合体から製造する方法も報告（特許文献６：特開２００２−３４８３２８号公報）されたが、アセタール保護されたヒドロキシスチレンと（メタ）アクリル酸３級エステルはアニオン重合法ではブロック体のみで重合が進行し、化学増幅ポジ型レジスト材料には適さない。
現在、更に高解像度化が進むにつれ、露光後のパターン形状が良好で、エッジラフネスが少ない特性を示すレジスト材料及びその製造方法が望まれている。
【０００６】
【特許文献１】
特公平２−２７６６０号公報
【特許文献２】
特開昭６３−２７８２９号公報
【特許文献３】
特開平３−２７５１４９号公報
【特許文献４】
特開平６−２８９６０８号公報
【特許文献５】
特開昭６１−２９１６０６号公報
【特許文献６】
特開２００２−３４８３２８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、従来のポジ型レジスト材料を上回る高感度及び高解像度、露光余裕度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、エッジラフネスが少ない特性を示すポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物の製造方法及びこの高分子化合物をベース樹脂として用いたレジスト材料を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者らは上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、アセタール基で保護されたヒドロキシスチレンモノマーと３級アルコキシカルボニルスチレンモノマーを用いて重合し、得られた一般式（１）で示される高分子化合物を酸触媒を用いて、選択的脱保護反応を行い、製造される一般式（２）で示されるヒドロキシスチレン単位と３級アルコキシカルボニルスチレン単位を含む高分子化合物、特に重合方法としてアニオン重合法を用いて得られたランダム共重合高分子化合物をベース樹脂としてレジスト材料に配合することにより、得られるレジスト膜は溶解コントラスト、解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好であり、エッジラフネスが少ない特性を示し、これらのことから実用性が高く、超ＬＳＩ用レジスト材料として非常に有効であることを知見し、本発明に到達したものである。
【０００９】
従って、本発明は、下記高分子化合物の製造方法及びレジスト材料を提供する。
請求項１：
下記一般式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を酸触媒を用いてアセタール基の選択的脱保護反応を行うことを特徴とする下記一般式（２）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物の製造方法。
【化３】

（式中、Ｒ^２、Ｒ^３は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、又はＲ^２、Ｒ^３はこれらが結合する炭素原子及び酸素原子と共に環を形成してもよい。Ｒ^５は水素原子、ヒドロキシ基、直鎖状又は分岐状のアルキル基、置換可アルコキシ基、ハロゲン原子、又は酸不安定基を表し、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^６は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^７は炭素数４〜２０の３級アルキル基を表す。また、ｎは０又は１〜４の正の整数である。ｐ、ｒは正数、ｑは０又は正数である。）
【化４】

（式中、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、ｎ、ｐ、ｑ、ｒは上記の通り。）
請求項２：
一般式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物がアニオン重合法により得られたものである請求項１記載の製造方法。
請求項３：
酸触媒がシュウ酸である請求項１又は２記載の製造方法。
請求項４：
（Ａ）有機溶剤、
（Ｂ）ベース樹脂として請求項１乃至３のいずれか１項記載の製造方法で得られた一般式（２）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物、
（Ｃ）酸発生剤
を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
請求項５：
（Ａ）有機溶剤、
（Ｂ）ベース樹脂として請求項１乃至３のいずれか１項記載の製造方法で得られた一般式（２）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物、
（Ｃ）酸発生剤、
（Ｄ）溶解阻止剤
を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
請求項６：
更に、（Ｅ）添加剤として塩基性化合物を配合したことを特徴とする請求項４又は５記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
【００１０】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のレジスト材料は、アセタール基で保護されたヒドロキシスチレンモノマーと３級アルコキシカルボニルスチレンモノマーを用いて重合し、得られた下記一般式（１）で示される高分子化合物を酸触媒を用いて選択的脱保護反応を行い、製造される下記一般式（２）で示されるヒドロキシスチレン単位と３級アルコキシカルボニルスチレン単位を含む高分子化合物、特に重合方法としてアニオン重合法を用いて得られたランダム共重合高分子化合物をベース樹脂として含有する。
【００１１】
【化５】

（式中、Ｒ^２、Ｒ^３は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、又はＲ^２、Ｒ^３はこれらが結合する炭素原子及び酸素原子と共に環を形成してもよい。Ｒ^５は水素原子、ヒドロキシ基、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０の置換可アルコキシ基、ハロゲン原子、又は酸不安定基を表し、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^６は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^７は炭素数４〜２０の３級アルキル基を表す。また、ｎは０又は１〜４の正の整数である。ｐ、ｒは正数、ｑは０又は正数である。）
ここで、直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等を例示できる。また、Ｒ^２、Ｒ^３が環を形成する場合、３員環から７員環構造が好ましく、具体的には２−フラニルオキシ基、２−ピラニルオキシ基等が挙げられる。また、置換可アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。
【００１２】
上記Ｒ^５において、これが酸不安定基の機能を示す場合、酸不安定基としては種々選定されるが、特にｔ−ブトキシ基、ｔ−アミロキシ基（２−メチル−２−ブチルオキシ基）、下記式（３）又は（４）で示される基、又は炭素数４〜２０の直鎖状、分岐状又は環状３級アルコキシ基、各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシロキシ基、炭素数４〜２０のオキソアルコキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基又はトリアルキルシロキシ基であることが好ましい。
【００１３】
【化６】

（式中、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２は各々独立して水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、Ｒ^８とＲ^９、Ｒ^９とＲ^１０、Ｒ^８とＲ^１０とは環を形成してもよく、環を形成する場合はＲ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０はそれぞれ炭素数１〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。Ｒ^１３は炭素数４〜４０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。また、ａは０又は正数である。）
【００１４】
ここで、上記式（３）で示される酸不安定基として、具体的には酸素原子を介在したメトキシエチル基、エトキシエチル基、ｎ−プロポキシエチル基、ｉｓｏ−プロポキシエチル基、ｎ−ブトキシエチル基、ｉｓｏ−ブトキシエチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、１−メトキシ−１−メチル−エチル基、１−エトキシ−１−メチル−エチル基等が挙げられる。一方、上記式（４）の酸不安定基として、例えばｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ基、エチルシクロペンチルカルボニルオキシ基、エチルシクロヘキシルカルボニルオキシ基、メチルシクロペンチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。直鎖状、分岐状、環状３級アルコキシ基としては、トリメチルシリルオキシ基等が挙げられる。また、上記トリアルキルシロキシ基としては、トリメチルシロキシ基等の各アルキル基の炭素数が１〜６のものが挙げられる。
【００１５】
Ｒ^７の３級アルキル基としては種々選定されるが、特に下記一般式（５）又は（６）で示される基が好ましい。
【００１６】
【化７】

（式中、Ｒ^１４はメチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ビニル基、アセチル基、フェニル基、ベンジル基又はシアノ基であり、ｂは０〜３の整数である。）
【００１７】
一般式（５）の環状アルキル基としては、５員環がより好ましい。具体例としては、１−メチルシクロペンチル、１−エチルシクロペンチル、１−イソプロピルシクロペンチル、１−ビニルシクロペンチル、１−アセチルシクロペンチル、１−フェニルシクロペンチル、１−シアノシクロペンチル、１−メチルシクロヘキシル、１−エチルシクロヘキシル、１−イソプロピルシクロヘキシル、１−ビニルシクロヘキシル、１−アセチルシクロヘキシル、１−フェニルシクロヘキシル、１−シアノシクロヘキシルなどが挙げられる。
【００１８】
【化８】

（式中、Ｒ^１５はメチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ビニル基、フェニル基、ベンジル基又はシアノ基である。）
【００１９】
一般式（６）の具体例としては、ｔ−ブチル基、１−ビニルジメチル、１−ベンジルジメチル、１−フェニルジメチル、１−シアノジメチルなどが挙げられる。
【００２０】
また、更に、レジスト材料の特性を考慮すると、上記式（２）において、ｐ、ｑ、ｒは正数で、下記式を満足する数である。
０＜ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）≦０．５、更に好ましくは０．０５≦ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）≦０．４である。０＜ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）≦０．８、更に好ましくは０．３≦ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）≦０．８である。０≦ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）≦０．３である。
ｒ又はｑが０となり、上記式（２）の高分子化合物がこの単位を含まない構造となると、アルカリ溶解速度のコントラストがなくなり、解像度が悪くなる。また、ｐの割合が多すぎると、未露光部のアルカリ溶解速度が大きくなりすぎる。また、ｐ、ｑ、ｒはその値を上記範囲内で適宜選定することによりパターンの寸法制御、パターンの形状コントロールを任意に行うことができる。
【００２１】
本発明の高分子化合物は、それぞれ重量平均分子量が１，０００〜５００，０００、好ましくは２，０００〜３０，０００である必要がある。重量平均分子量が小さすぎるとレジスト材料が耐熱性に劣るものとなり、大きすぎるとアルカリ溶解性が低下し、パターン形成後に裾引き現象が生じ易くなってしまう。
【００２２】
更に、本発明の高分子化合物においては、上記式（１）及び（２）の多成分共重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が広い場合は低分子量や高分子量のポリマーが存在するために露光後、パターン上に異物が見られたり、パターンの形状が悪化したりする。それ故、パターンルールが微細化するに従ってこのような分子量、分子量分布の影響が大きくなり易いことから、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト材料を得るには、使用する多成分共重合体の分子量分布は１．０〜１．８、特に１．０〜１．３と狭分散であることが好ましい。また、本発明によるアニオン重合法を用いた合成により、分子量分布が１．０〜１．２と非常に狭分散な高分子化合物を製造することが可能であり、また得られる高分子化合物はランダム共重合体とすることも可能である。
【００２３】
上記式（２）の高分子化合物を得る方法としては、下記式（１ａ）のアルコキシアルコキシスチレンモノマーと、下記式（１ｃ）の３級アルコキシカルボニルスチレンモノマーと、必要により下記式（１ｂ）のスチレン系モノマーとを重合して、上記式（１）の高分子化合物を合成した後、酸触媒を用いてアセタール基の選択的脱保護を行うものである。
【００２４】
【化９】

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^７、ｎは上記の通り。）
【００２５】
更に詳述すると、上記高分子化合物（２）を合成するには、第一の方法としてはアルコキシアルコキシスチレンモノマー（１ａ）と３級アルコキシカルボニルスチレンモノマー（１ｃ）と必要によりスチレン系モノマー（１ｂ）とを、有機溶剤中、ラジカル重合開始剤を加えて加熱重合を行い、得られた高分子化合物を有機溶剤中、酸触媒を用いてアセタール保護基を脱保護反応し、下記式（２ａ）のヒドロキシスチレン単位と、下記式（２ｃ）の３級アルコキシカルボニルスチレン単位と、必要により下記式（２ｂ）のスチレン系単位とを含む多成分共重合体の高分子化合物を得ることができる。
【００２６】
【化１０】

（式中、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、ｎ、ｐ、ｑ、ｒは上記の通り。）
【００２７】
ここで、重合時に使用する有機溶剤としてはトルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等が例示できる。重合開始剤としては、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、ジメチル２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が例示でき、好ましくは５０〜８０℃に加熱して重合できる。反応時間としては２〜１００時間、好ましくは５〜２０時間である。
【００２８】
また、酸加水分解時の触媒としては、シュウ酸、酢酸、希塩酸、希硫酸等が使用できる。反応温度としては−２０〜１００℃、好ましくは２０〜５０℃であり、反応時間としては０．２〜１００時間、好ましくは０．５〜２０時間である。
【００２９】
本発明の高分子化合物を製造する第二の方法として、リビングアニオン重合が可能である。この場合、脱水処理を行ったアルコキシアルコキシスチレンモノマー（１ａ）と３級アルコキシカルボニルスチレンモノマー（１ｃ）、必要によりスチレン系モノマー（１ｂ）と、溶媒を用いる。使用する有機溶媒としては、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどが挙げられ、これら有機溶媒に、アニオン種を必要量添加し、その後モノマーを添加することで重合を行う。使用するアニオン種としては、有機金属を用い、例としてはアルキルリチウム、アルキルマグネシウムハライド、ナフタレンナトリウム、アルキル化ランタノイド系化合物等が挙げられ、特にｓｅｃ−ブチルリチウムやブチルマグネシウムクロライドが好ましい。重合温度としては、−１００〜３０℃の範囲内が好ましく、重合の制御性をよくするためには、−８０〜１０℃がより好ましい。また、脱保護反応はラジカル重合時と同様の手法を用いることができる。
【００３０】
更に、このようにして得られた高分子化合物（２）を単離後、フェノール性水酸基部分に対して、一般式（３）又は（４）で示される酸不安定基を導入することも可能である。例えば、高分子化合物のフェノール性水酸基をアルケニルエーテル化合物と酸触媒下反応させて、部分的にフェノール性水酸基がアルコキシアルキル基で保護された高分子化合物を得ることが可能である。
【００３１】
この時、反応溶媒としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒が好ましく、単独でも２種以上混合して使用してもかまわない。触媒の酸としては、塩酸、硫酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩等が好ましく、その使用量は反応する高分子化合物のフェノール性水酸基の水素原子をその全水酸基の１モルに対して０．１〜１０モル％であることが好ましい。反応温度としては−２０〜１００℃、好ましくは０〜６０℃であり、反応時間としては０．２〜１００時間、好ましくは０．５〜２０時間である。
【００３２】
また、ハロゲン化アルキルエーテル化合物を用いて、塩基の存在下、高分子化合物と反応させることにより、部分的にフェノール性水酸基がアルコキシアルキル基で保護された高分子化合物を得ることも可能である。
【００３３】
この時、反応溶媒としては、アセトニトリル、アセトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒が好ましく、単独でも２種以上混合して使用してもかまわない。塩基としては、トリエチルアミン、ピリジン、ジイソプロピルアミン、炭酸カリウム等が好ましく、その使用量は反応する高分子化合物のフェノール性水酸基の水素原子をその全水酸基の１モルに対して１０モル％以上であることが好ましい。反応温度としては−５０〜１００℃、好ましくは０〜６０℃であり、反応時間としては０．５〜１００時間、好ましくは１〜２０時間である。
【００３４】
更に、上記式（４）の酸不安定基の導入は、二炭酸ジアルキル化合物又はアルコキシカルボニルアルキルハライドと高分子化合物を、溶媒中において塩基の存在下に反応を行うことで可能である。反応溶媒としては、アセトニトリル、アセトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒が好ましく、単独でも２種以上混合して使用してもかまわない。
【００３５】
塩基としては、トリエチルアミン、ピリジン、イミダゾール、ジイソプロピルアミン、炭酸カリウム等が好ましく、その使用量は元の高分子化合物のフェノール性水酸基の水素原子をその全水酸基の１モルに対して１０モル％以上であることが好ましい。
【００３６】
反応温度としては０〜１００℃、好ましくは０〜６０℃である。反応時間としては０．２〜１００時間、好ましくは１〜１０時間である。
【００３７】
二炭酸ジアルキル化合物としては二炭酸ジ−ｔｅｒｔ−ブチル、二炭酸ジ−ｔｅｒｔ−アミル等が挙げられ、アルコキシカルボニルアルキルハライドとしてはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルクロライド、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニルメチルクロライド、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルブロマイド、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルエチルクロライド等が挙げられる。
【００３８】
本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、
（Ａ）有機溶剤、
（Ｂ）上記高分子化合物（ベース樹脂）、
（Ｃ）酸発生剤
必要に応じ
（Ｄ）溶解阻止剤、
（Ｅ）塩基性化合物
を含有する。
【００３９】
本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料において、（Ａ）成分の有機溶剤としては、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸シクロヘキシル、酢酸３−メトキシブチル、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、３−エトキシエチルプロピオネート、３−エトキシメチルプロピオネート、３−メトキシメチルプロピオネート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ジアセトンアルコール、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、γブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、テトラメチレンスルホン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。特に好ましいものは、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、乳酸アルキルエステルである。これらの溶剤は単独でも２種以上混合してもよい。好ましい混合溶剤の例はプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートと乳酸アルキルエステルである。なお、本発明におけるプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートのアルキル基は炭素数１〜４のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられるが、中でもメチル基、エチル基が好適である。また、このプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートには１，２置換体と１，３置換体があり、置換位置の組み合わせで３種の異性体があるが、単独あるいは混合物のいずれの場合でもよい。
【００４０】
また、上記の乳酸アルキルエステルのアルキル基は炭素数１〜４のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられるが、中でもメチル基、エチル基が好適である。
【００４１】
溶剤としてプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを添加する際には全溶剤に対して５０質量％以上とすることが好ましく、乳酸アルキルエステルを添加する際には全溶剤に対して５０質量％以上とすることが好ましい。また、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートと乳酸アルキルエステルの混合溶剤を溶剤として用いる際には、その合計量が全溶剤に対して５０質量％以上であることが好ましい。この場合、更に好ましくは、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを６０〜９５質量％、乳酸アルキルエステルを５〜４０質量％の割合とすることが好ましい。プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートが少ないと、塗布性劣化等の問題があり、多すぎると溶解性不十分、パーティクル、異物の発生の問題がある。乳酸アルキルエステルが少ないと溶解性不十分、パーティクル、異物の増加等の問題があり、多すぎると粘度が高くなり塗布性が悪くなる上、保存安定性の劣化等の問題がある。これら溶剤の添加量は化学増幅ポジ型レジスト材料の固形分１００部（質量部、以下同じ）に対して３００〜２，０００部、好ましくは４００〜１，０００部であるが、既存の成膜方法で可能な濃度であればこれに限定されるものではない。
【００４２】
（Ｃ）成分の光酸発生剤としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでもかまわない。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、Ｎ−スルホニルオキシイミド型酸発生剤等がある。以下に詳述するがこれらは単独あるいは２種以上混合して用いることができる。
【００４３】
スルホニウム塩はスルホニウムカチオンとスルホネートの塩であり、スルホニウムカチオンとしてトリフェニルスルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、（３−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（３−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（３−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、（３，４−ジｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（３，４−ジｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（３，４−ジｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ジフェニル（４−チオフェノキシフェニル）スルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）スルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ビス（４−ジメチルアミノフェニル）スルホニウム、トリス（４−ジメチルアミノフェニル）スルホニウム、２−ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチル２−ナフチルスルホニウム、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、４−メトキシフェニルジメチルスルホニウム、トリメチルスルホニウム、２−オキソシクロヘキシルシクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、トリベンジルスルホニウム等が挙げられ、スルホネートとしては、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、４−（４−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等が挙げられ、これらの組み合わせのスルホニウム塩が挙げられる。
【００４４】
ヨードニウム塩はヨードニウムカチオンとスルホネートの塩であり、ジフェニルヨードニウム、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム、４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム等のアリールヨードニウムカチオンとスルホネートとしてトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、４−（４−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等が挙げられ、これらの組み合わせのヨードニウム塩が挙げられる。
【００４５】
スルホニルジアゾメタンとしては、ビス（エチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１−メチルプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２−メチルプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（パーフルオロイソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２−ナフチルスルホニル）ジアゾメタン、４−メチルフェニルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニル−４−メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、２−ナフチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、４−メチルフェニルスルホニル−２−ナフトイルジアゾメタン、メチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−４−メチルフェニルスルホニルジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタンとスルホニルカルボニルジアゾメタンが挙げられる。
【００４６】
Ｎ−スルホニルオキシイミド型光酸発生剤としては、コハク酸イミド、ナフタレンジカルボン酸イミド、フタル酸イミド、シクロヘキシルジカルボン酸イミド、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸イミド、７−オキサビシクロ［２．２．１］−５−ヘプテン−２，３−ジカルボン酸イミド等のイミド骨格とトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフオロオクタンスルホネート、２，２，２−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等の組み合わせの化合物が挙げられる。
【００４７】
ベンゾインスルホネート型光酸発生剤としては、ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレート、ベンゾインブタンスルホネート等が挙げられる。
【００４８】
ピロガロールトリスルホネート型光酸発生剤としては、ピロガロール、フロログリシン、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノンのヒドロキシル基のすべてをトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等で置換した化合物が挙げられる。
【００４９】
ニトロベンジルスルホネート型光酸発生剤としては、２，４−ジニトロベンジルスルホネート、２−ニトロベンジルスルホネート、２，６−ジニトロベンジルスルホネートが挙げられ、スルホネートとしては、具体的にトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等が挙げられる。またベンジル側のニトロ基をトリフルオロメチル基で置き換えた化合物も同様に用いることができる。
【００５０】
スルホン型光酸発生剤の例としては、ビス（フェニルスルホニル）メタン、ビス（４−メチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（２−ナフチルスルホニル）メタン、２，２−ビス（フェニルスルホニル）プロパン、２，２−ビス（４−メチルフェニルスルホニル）プロパン、２，２−ビス（２−ナフチルスルホニル）プロパン、２−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロピオフェノン、２−（シクロヘキシルカルボニル）−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２，４−ジメチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタン−３−オン等が挙げられる。
【００５１】
グリオキシム誘導体型の光酸発生剤の例としては、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（メタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（トリフルオロメタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（１，１，１−トリフルオロエタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｔｅｒｔ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（パーフルオロオクタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（シクロヘキシルスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−フルオロベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（キシレンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（カンファースルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等が挙げられる。
【００５２】
中でも好ましく用いられる光酸発生剤としては、スルホニウム塩、ビススルホニルジアゾメタン、Ｎ−スルホニルオキシイミドである。
【００５３】
ポリマーに用いられる酸不安定基の切れ易さ等により最適な発生酸のアニオンは異なるが、一般的には揮発性がないもの、極端に拡散性の高くないものが選ばれる。この場合好適なアニオンは、ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、４−（４−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、２，２，２−トリフルオロエタンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンである。
【００５４】
本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料における光酸発生剤（Ｃ）の添加量としては、レジスト材料中のベース樹脂１００部に対して０．５〜２０部、好ましくは１〜１０部である。上記光酸発生剤（Ｃ）は単独又は２種以上混合して用いることができる。更に露光波長における透過率が低い光酸発生剤を用い、その添加量でレジスト膜中の透過率を制御することもできる。
【００５５】
（Ｄ）成分の溶解阻止剤としては、重量平均分子量が１００〜１，０００で、かつ分子内にフェノール性水酸基を２つ以上有する化合物の該フェノール性水酸基の水素原子を酸不安定基により全体として平均１０〜１００モル％の割合で置換した化合物が好ましい。なお、上記化合物の重量平均分子量は１００〜１，０００、好ましくは１５０〜８００である。溶解阻止剤の配合量は、ベース樹脂１００部に対して０〜５０部、好ましくは５〜５０部、より好ましくは１０〜３０部であり、単独又は２種以上を混合して使用できる。配合量が少ないと解像性の向上がない場合があり、多すぎるとパターンの膜減りが生じ、解像度が低下する傾向がある。
【００５６】
このような好適に用いられる（Ｄ）成分の溶解阻止剤の例としては、ビス（４−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン、ビス（４−（２’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）メタン、ビス（４−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタン、ビス（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）メタン、２，２−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ））プロパン、２，２−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−（１’’−エトキシエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−（１’’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）プロパン、４，４−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（１’’−エトキシエトキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（１’’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、トリス（４−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン、トリス（４−（２’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシメチルフェニル）メタン、トリス（４−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタン、トリス（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）メタン、１，１，２−トリス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）エタン等が挙げられる。
【００５７】
（Ｅ）成分の塩基性化合物は、光酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適しており、このような塩基性化合物の配合により、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上することができる。
【００５８】
このような（Ｅ）成分の塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。
【００５９】
具体的には、第一級の脂肪族アミン類として、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ−アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。
【００６０】
また、混成アミン類としては、例えば、ジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体（例えば、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メルアニリン、４−メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、２−ニトロアニリン、３−ニトロアニリン、４−ニトロアニリン、２，４−ジニトロアニリン、２，６−ジニトロアニリン、３，５−ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルトルイジン等）、ジフェニル（ｐ−トリル）アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体（例えば、ピロール、２Ｈ−ピロール、１−メチルピロール、２，４−ジメチルピロール、２，５−ジメチルピロール、Ｎ−メチルピロール等）、オキサゾール誘導体（例えば、オキサゾール、イソオキサゾール等）、チアゾール誘導体（例えば、チアゾール、イソチアゾール等）、イミダゾール誘導体（例えば、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体（例えば、ピロリン、２−メチル−１−ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えば、ピロリジン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチルピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体（例えば、ピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、４−（１−ブチルペンチル）ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリジン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリジン、４−ピロリジノピリジン、１−メチル−４−フェニルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えば、キノリン、３−キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
【００６１】
更に、カルボキシル基を有する含窒素化合物としては、例えば、アミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体（例えば、ニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、メトキシアラニン等）などが例示され、スルホニル基を有する含窒素化合物として、３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示され、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、２−ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、２，４−キノリンジオール、３−インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２，２’−イミノジエタノール、２−アミノエタノール、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］ピペラジン、ピペリジンエタノール、１−（２−ヒドロキシエチル）ピロリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリジノン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、３−ピロリジノ−１，２−プロパンジオール、８−ヒドロキシユロリジン、３−クイヌクリジノール、３−トロパノール、１−メチル−２−ピロリジンエタノール、１−アジリジンエタノール、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）フタルイミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）イソニコチンアミド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。
【００６２】
更に、下記一般式（Ｂ）−１で示される塩基性化合物から選ばれる１種又は２種以上を配合することもできる。
【００６３】
Ｎ（Ｘ）_ｎ（Ｙ）_３−ｎ （Ｂ）−１
（式中、ｎは１，２又は３である。側鎖Ｘは同一でも異なっていてもよく、下記一般式（Ｘ）−１〜（Ｘ）−３で表すことができる。側鎖Ｙは同一又は異種の、水素原子もしくは直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜２０のアルキル基を示し、エーテル基もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、Ｘ同士が結合して環を形成してもよい。）
【００６４】
【化１１】

【００６５】
ここで、Ｒ^３００、Ｒ^３０２、Ｒ^３０５は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、Ｒ^３０１、Ｒ^３０４は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、ラクトン環を１あるいは複数含んでいてもよい。Ｒ^３０３は単結合、炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、Ｒ^３０６は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、ラクトン環を１あるいは複数含んでいてもよい。
【００６６】
上記一般式（Ｂ）−１で表される化合物は具体的には下記に例示される。
トリス（２−メトキシメトキシエチル）アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル］アミン、４，７，１３，１６，２１，２４−ヘキサオキサ−１，１０−ジアザビシクロ［８．８．８］ヘキサコサン、４，７，１３，１８−テトラオキサ−１，１０−ジアザビシクロ［８．５．５］エイコサン、１，４，１０，１３−テトラオキサ−７，１６−ジアザビシクロオクタデカン、１−アザ−１２−クラウン−４、１−アザ−１５−クラウン−５、１−アザ−１８−クラウン−６、トリス（２−ホルミルオキシエチル）アミン、トリス（２−アセトキシエチル）アミン、トリス（２−プロピオニルオキシエチル）アミン、トリス（２−ブチリルオキシエチル）アミン、トリス（２−イソブチリルオキシエチル）アミン、トリス（２−バレリルオキシエチル）アミン、トリス（２−ピバロイルオキシエチル）アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（アセトキシアセトキシ）エチルアミン、トリス（２−メトキシカルボニルオキシエチル）アミン、トリス（２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル）アミン、トリス［２−（２−オキソプロポキシ）エチル］アミン、トリス［２−（メトキシカルボニルメチル）オキシエチル］アミン、トリス［２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）エチル］アミン、トリス［２−（シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ）エチル］アミン、トリス（２−メトキシカルボニルエチル）アミン、トリス（２−エトキシカルボニルエチル）アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（エトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（エトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（２−メトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（２−メトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（２−ヒドロキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（２−アセトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−［（メトキシカルボニル）メトキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−［（メトキシカルボニル）メトキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（２−オキソプロポキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（２−オキソプロポキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−［（２−オキソテトラヒドロフラン−３−イル）オキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−［（２−オキソテトラヒドロフラン−３−イル）オキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（４−ヒドロキシブトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）２−（４−ホルミルオキシブトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）２−（２−ホルミルオキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチル）２−（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−アセトキシエチル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ビス［２−（エトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−アセトキシエチル）ビス［２−（エトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（３−ヒドロキシ−１−プロピル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（３−アセトキシ−１−プロピル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−メトキシエチル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−ブチルビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−ブチルビス［２−（２−メトキシエトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−メチルビス（２−アセトキシエチル）アミン、Ｎ−エチルビス（２−アセトキシエチル）アミン、Ｎ−メチルビス（２−ピバロイルオキシエチル）アミン、Ｎ−エチルビス［２−（メトキシカルボニルオキシ）エチル］アミン、Ｎ−エチルビス［２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ）エチル］アミン、トリス（メトキシカルボニルメチル）アミン、トリス（エトキシカルボニルメチル）アミン、Ｎ−ブチルビス（メトキシカルボニルメチル）アミン、Ｎ−ヘキシルビス（メトキシカルボニルメチル）アミン、β−（ジエチルアミノ）−δ−バレロラクトンを例示できるが、これらに制限されない。
【００６７】
なお、塩基性化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は、レジスト材料中のベース樹脂１００部に対して０〜２部、特に０．０１〜１部を混合したものが好適である。配合量が２部を超えると感度が低下しすぎる場合がある。
【００６８】
本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料中には、更に、塗布性を向上させるための界面活性剤を加えることができる。
【００６９】
界面活性剤の例としては、特に限定されるものではないが、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステリアルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤、エフトップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７２，Ｆ１７３（大日本インキ化学工業）、フロラードＦＣ４３０，ＦＣ４３１（住友スリーエム）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳ−３８１，Ｓ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６、サーフィノールＥ１００４，ＫＨ−１０，ＫＨ−２０，ＫＨ−３０，ＫＨ−４０（旭硝子）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１，Ｘ−７０−０９２，Ｘ−７０−０９３（信越化学工業）、アクリル酸系又はメタクリル酸系ポリフローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業）が挙げられ、中でもＦＣ４３０、サーフロンＳ−３８１、サーフィノールＥ１００４，ＫＨ−２０，ＫＨ−３０が好適である。これらは単独あるいは２種以上の組み合わせで用いることができる。
【００７０】
本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料中の界面活性剤の添加量としては、レジスト材料組成物中のベース樹脂１００部に対して２部以下、好ましくは１部以下である。
【００７１】
本発明の（Ａ）有機溶剤と、（Ｂ）上記一般式（２）で示される高分子化合物と、（Ｃ）酸発生剤を含む化学増幅ポジ型レジスト材料を種々の集積回路製造に用いる場合は、特に限定されないが公知のリソグラフィー技術を用いることができる。
【００７２】
集積回路製造用の基板（Ｓｉ，ＳｉＯ_２，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＴｉＮ，ＷＳｉ，ＢＰＳＧ，ＳＯＧ，有機反射防止膜等）上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により塗布膜厚が０．１〜２．０μｍとなるように塗布し、ホットプレート上で６０〜１５０℃、１〜１０分間、好ましくは８０〜１２０℃、１〜５分間プリベークする。次いで、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線などから選ばれる光源、好ましくは３００ｎｍ以下の露光波長で目的とするパターンを所定のマスクを通じて露光を行う。露光量は１〜２００ｍＪ／ｃｍ^２程度、好ましくは１０〜１００ｍＪ／ｃｍ^２程度となるように露光することが好ましい。ホットプレート上で６０〜１５０℃、１〜５分間、好ましくは８０〜１２０℃、１〜３分間ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）する。
【００７３】
更に、０．１〜５質量％、好ましくは２〜３質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液の現像液を用い、０．１〜３分間、好ましくは０．５〜２分間、浸漬（ｄｉｐ）法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレー（ｓｐｒａｙ）法等の常法により現像することにより基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明のレジスト材料は、特に高エネルギー線の中でも２５４〜１９３ｎｍの遠紫外線、１５７ｎｍの真空紫外線、電子線、軟Ｘ線、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線による微細パターンニングに最適である。また、上記範囲を上限及び下限から外れる場合は、目的のパターンを得ることができない場合がある。
【００７４】
【実施例】
以下、合成例、比較合成例及び実施例、比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【００７５】
［合成例１］
２Ｌのフラスコに４−エトキシエトキシスチレン１７８．２ｇ、４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン７１．８ｇ、溶媒としてトルエンを７００ｇ添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−７０℃まで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを３回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてＡＩＢＮ（アゾビスイソブチロニトリル）を１０．５ｇ加え、６０℃まで昇温後、２０時間反応させた。この反応溶液に、メタノール１，２００ｍＬ、水５０ｍＬの混合溶液を滴下混合後１５分間撹拌し、２時間静置後、下層（ポリマー層）を分離した。得られたポリマー層を濃縮し、テトラヒドロフラン６００ｍＬ、メタノール５５０ｍＬ、シュウ酸５．０ｇを加え、４０℃に加温し、４０時間脱保護反応を行い、ピリジン６ｇを用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン０．５Ｌに溶解し、水１０．０Ｌの溶液中に沈澱させ洗浄し、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体１４８．７ｇを得た。
【００７６】
得られた重合体を^１３Ｃ，^１Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比（モル比）
４−ヒドロキシスチレン：４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン＝７２．５：２７．５
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１５，９００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．５８
これを（ｐｏｌｙ−Ａ）とする。
【００７７】
［合成例２］
２Ｌのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン溶液１，５００ｇを注入し、−７５℃まで冷却した。その後ｓ−ブチルリチウム（シクロヘキサン溶液：１Ｎ）を１２．５ｇ注入し、金属ナトリウムを用いて蒸留脱水処理を行った４−エトキシエトキシスチレン：１７９．５ｇと４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン：７０．２ｇの混合溶液を滴下注入した。このとき反応溶液の内温が−６５℃以上にならないように注意し、６０分間反応後、メタノール３０ｇを注入し反応を停止した。反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を減圧濃縮し、メタノール８００ｇを注入し撹拌して静置後、上層のメタノール層を取り除いた。この操作を３回繰り返して金属Ｌｉを取り除いた。下層のポリマー溶液を濃縮し、テトラヒドロフラン６００ｍＬ、メタノール５５０ｍＬ、シュウ酸５．０ｇを加え、４０℃に加温し、４０時間脱保護反応を行い、ピリジン６ｇを用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン０．５Ｌに溶解し、水１０．０Ｌの溶液中に沈澱させ洗浄し、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体１６６．３ｇを得た。
【００７８】
得られた重合体を^１３Ｃ，^１Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比（モル比）
４−ヒドロキシスチレン：４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン＝７３．０：２７．０
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１０，８００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．０６
これを（ｐｏｌｙ−Ｂ）とする。
【００７９】
［合成例３］
２Ｌのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン溶液１，５００ｇを注入し、−７５℃まで冷却した。その後ｓ−ブチルリチウム（シクロヘキサン溶液：１Ｎ）を１２．７ｇ注入し、金属ナトリウムを用いて蒸留脱水処理を行った４−エトキシエトキシスチレン：１８６．２ｇと４−ｔ−アミロキシカルボニルスチレン：６３．８ｇの混合溶液を滴下注入した。このとき反応溶液の内温が−６５℃以上にならないように注意し、６０分間反応後、メタノール３０ｇを注入し反応を停止した。反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を減圧濃縮し、メタノール８００ｇを注入し撹拌して静置後、上層のメタノール層を取り除いた。この操作を３回繰り返して金属Ｌｉを取り除いた。下層のポリマー溶液を濃縮し、テトラヒドロフラン６００ｍＬ、メタノール５５０ｍＬ、シュウ酸５．０ｇを加え、４０℃に加温し、４０時間脱保護反応を行い、ピリジン６ｇを用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン０．５Ｌに溶解し、水１０．０Ｌの溶液中に沈澱させ洗浄し、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体１５０．０ｇを得た。
【００８０】
得られた重合体を^１３Ｃ，^１Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比（モル比）
４−ヒドロキシスチレン：４−ｔ−アミロキシカルボニルスチレン＝７６．８：２３．２
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１１，１００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．０５
これを（ｐｏｌｙ−Ｃ）とする。
【００８１】
［合成例４］
２Ｌのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン溶液１，５００ｇを注入し、−７５℃まで冷却した。その後ｓ−ブチルリチウム（シクロヘキサン溶液：１Ｎ）を１２．５ｇ注入し、金属ナトリウムを用いて蒸留脱水処理を行った４−エトキシエトキシスチレン：１８１．３ｇと４−ｔ−ブトキシスチレン：５１．２ｇと４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン：１７．５ｇの混合溶液を滴下注入した。このとき反応溶液の内温が−６５℃以上にならないように注意し、６０分間反応後、メタノール３０ｇを注入し反応を停止した。反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を減圧濃縮し、メタノール８００ｇを注入し撹拌して静置後、上層のメタノール層を取り除いた。この操作を３回繰り返して金属Ｌｉを取り除いた。下層のポリマー溶液を濃縮し、テトラヒドロフラン６００ｍＬ、メタノール５５０ｍＬ、シュウ酸５．０ｇを加え、４０℃に加温し、４０時間脱保護反応を行い、ピリジン６ｇを用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン０．５Ｌに溶解し、水１０．０Ｌの溶液中に沈澱させ洗浄し、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体１７０．１ｇを得た。
【００８２】
得られた重合体を^１３Ｃ，^１Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比（モル比）
４−ヒドロキシスチレン：４−ｔ−ブトキシスチレン：４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン＝７１．５：２２．０：６．５
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１２，０００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．０７
これを（ｐｏｌｙ−Ｄ）とする。
【００８３】
［合成例５］
２Ｌのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン溶液１，５００ｇを注入し、−７５℃まで冷却した。その後ｓ−ブチルリチウム（シクロヘキサン溶液：１Ｎ）を１３．１ｇ注入し、金属ナトリウムを用いて蒸留脱水処理を行った４−エトキシエトキシスチレン：１８６．３ｇと４−ｔ−アミロキシスチレン：４４．９ｇと４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン：１８．８ｇの混合溶液を滴下注入した。このとき反応溶液の内温が−６５℃以上にならないように注意し、６０分間反応後、メタノール３０ｇを注入し反応を停止した。反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を減圧濃縮し、メタノール８００ｇを注入し撹拌して静置後、上層のメタノール層を取り除いた。この操作を３回繰り返して金属Ｌｉを取り除いた。下層のポリマー溶液を濃縮し、テトラヒドロフラン６００ｍＬ、メタノール５５０ｍＬ、シュウ酸５．０ｇを加え、４０℃に加温し、４０時間脱保護反応を行い、ピリジン６ｇを用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン０．５Ｌに溶解し、水１０．０Ｌの溶液中に沈澱させ洗浄し、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体１７８．４ｇを得た。
【００８４】
得られた重合体を^１３Ｃ，^１Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比（モル比）
４−ヒドロキシスチレン：４−ｔ−アミロキシスチレン：４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン＝７４．７：１８．２：７．１
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１０，９００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．０５
これを（ｐｏｌｙ−Ｅ）とする。
【００８５】
［合成例６］
２Ｌのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン溶液１，５００ｇを注入し、−７５℃まで冷却した。その後ｓ−ブチルリチウム（シクロヘキサン溶液：１Ｎ）を１２．２ｇ注入し、金属ナトリウムを用いて蒸留脱水処理を行った４−エトキシエトキシスチレン：２１５．２ｇと４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン：３４．８ｇの混合溶液を滴下注入した。このとき反応溶液の内温が−６５℃以上にならないように注意し、６０分間反応後、メタノール３０ｇを注入し反応を停止した。反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を減圧濃縮し、メタノール８００ｇを注入し撹拌して静置後、上層のメタノール層を取り除いた。この操作を３回繰り返して金属Ｌｉを取り除いた。下層のポリマー溶液を濃縮し、テトラヒドロフラン６００ｍＬ、メタノール５５０ｍＬ、シュウ酸５．０ｇを加え、４０℃に加温し、４０時間脱保護反応を行い、ピリジン６ｇを用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン０．５Ｌに溶解し、水１０．０Ｌの溶液中に沈澱させ洗浄し、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体１５０．４ｇを得た。
【００８６】
得られた重合体を^１３Ｃ，^１Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比（モル比）
４−ヒドロキシスチレン：４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン＝８６．８：１３．２
重量平均分子量（Ｍｗ）＝９，７００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．０５
上記ポリマー６０ｇを、１Ｌの反応容器に窒素雰囲気下投入し、テトラヒドロフラン溶液３００ｇを加え溶解する。その後トリエチルアミン３４ｇを加え、反応液を１０℃まで冷却後、１−クロロエチルエチルエーテル６．９ｇを滴下注入した。滴下終了後、反応溶液を室温まで昇温し続けて２時間反応させた。得られた反応溶液を減圧濃縮し、アセトン３００ｇに溶解後、水１０．０Ｌ（酢酸３０ｇ含有）の溶液中に沈澱させ洗浄し、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体６２．４ｇを得た。
【００８７】
得られた重合体を^１３Ｃ，^１Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比（モル比）
４−ヒドロキシスチレン：４−エトキシエトキシスチレン：４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン＝６９．４：２０．１：１０．５
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１１，６００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．０８
これを（ｐｏｌｙ−Ｆ）とする。
【００８８】
［比較合成例１］
２Ｌのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン溶液１，５００ｇを注入し、−７５℃まで冷却した。その後ｓ−ブチルリチウム（シクロヘキサン溶液：１Ｎ）を１６．６ｇ注入し、金属ナトリウムを用いて蒸留脱水処理を行ったｐ−エトキシエトキシスチレンを９６．４ｇ滴下注入した。このとき反応溶液の内温が−６５℃以上にならないように注意し、３０分間反応後、水素化カルシウムを用いて、蒸留脱水処理を行ったメタクリル酸ｔ−ブチルエステルを４３．６ｇ滴下注入し、滴下終了後２時間かけて０℃まで昇温しながら反応させた。この後メタノール１０ｇを注入し反応を停止した。反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を減圧濃縮し、メタノール８００ｇを注入し撹拌して静置後、上層のメタノール層を取り除いた。この操作を３回繰り返して金属Ｌｉを取り除いた。下層のポリマー溶液を濃縮し、テトラヒドロフラン８４０ｍＬ、メタノール６３０ｍＬ、シュウ酸３．２ｇを加え、４０℃に加温し、２０時間脱保護反応を行い、ピリジン３５ｇを用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン０．６Ｌに溶解し、水７．０Ｌの溶液中に沈澱させ洗浄し、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体１１１ｇを得た。
【００８９】
得られた重合体を^１３Ｃ，^１Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比（モル比）
ヒドロキシスチレン：メタクリル酸ｔ−ブチルエステル＝６２．１：３７．９
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１２，８００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．０７
これを（ｐｏｌｙ−Ｇ）とする。
【００９０】
［比較合成例２］
２Ｌのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン溶液１，５００ｇを注入し、−７５℃まで冷却した。その後ｓ−ブチルリチウム（シクロヘキサン溶液：１Ｎ）を１６．８ｇ注入し、金属ナトリウムを用いて蒸留脱水処理を行ったｐ−エトキシエトキシスチレンを１００．２ｇ滴下注入した。このとき反応溶液の内温が−６５℃以上にならないように注意し、３０分間反応後、水素化カルシウムを用いて、蒸留脱水処理を行ったメタクリル酸２−メチル−２−ブチルエステルを３５．６ｇ滴下注入し、滴下終了後２時間かけて０℃まで昇温しながら反応させた。この後メタノール１０ｇを注入し反応を停止した。反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を減圧濃縮し、メタノール８００ｇを注入し撹拌して静置後、上層のメタノール層を取り除いた。この操作を３回繰り返して金属Ｌｉを取り除いた。下層のポリマー溶液を濃縮し、テトラヒドロフラン８４０ｍＬ、メタノール６３０ｍＬ、シュウ酸３．２ｇを加え、４０℃に加温し、２０時間脱保護反応を行い、ピリジン３５ｇを用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン０．６Ｌに溶解し、水７．０Ｌの溶液中に沈澱させ洗浄し、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体１１１ｇを得た。
【００９１】
得られた重合体を^１３Ｃ，^１Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比（モル比）
ヒドロキシスチレン：メタクリル酸２−メチル−２−ブチルエステル＝６７．８：３２．２
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１３，０００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．０６
これを（ｐｏｌｙ−Ｈ）とする。
【００９２】
上記合成例で製造したポリマー（ｐｏｌｙ−Ａ〜ｐｏｌｙ−Ｈ）の構造式は下記の通りである。
【００９３】
【化１２】

【００９４】
［実施例、比較例］
次に、表１に示すレジスト材料を調製した。そのとき、表１に挙げるレジスト材料の高分子化合物は、上記合成例と比較合成例に示したｐｏｌｙ−Ａ〜Ｈを使用し、他の組成物成分は次の通りで行った。
ＰＡＧ１：トリフェニルスルホニウム４−（４’−メチルフェニルスルホニルオキシ）ベンゼンスルホネート
ＰＡＧ２：トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸
ＰＡＧ３：ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン
ＰＡＧ４：ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン
溶解阻止剤Ａ：ビス（４−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン
塩基性化合物Ａ：トリス（２−メトキシエチル）アミン
界面活性剤Ａ：ＦＣ−４３０（住友スリーエム社製）
界面活性剤Ｂ：サーフロンＳ−３８１（旭硝子社製）
溶剤Ａ：プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
溶剤Ｂ：乳酸エチル
【００９５】
【表１】

【００９６】
得られたレジスト材料を０．２μｍのテフロン製フィルターで濾過した後、このレジスト液をシリコンウエハー上へスピンコーティングし、０．３μｍに塗布した。
次いで、このシリコンウエハーを１００℃のホットプレート上で９０秒間ベークした。更に、エキシマレーザーステッパー（ニコン社、ＮＳＲ−Ｓ２０３Ｂ ＮＡ＝０．６８）を用いて露光し、１１０℃で９０秒間ベーク（ＰＥＢ：ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｅ）を施し、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ポジ型のパターン（実施例１〜６、比較例１，２）を得ることができた。
【００９７】
得られたレジストパターンを次のように評価した。
レジストパターン評価方法
０．１３μｍのラインアンドスペースのトップとボトムを１：１で解像する露光量を最適露光量（感度：Ｅｏｐ）として、この露光量における分離しているラインアンドスペースの最小線幅を評価レジストの解像度とした。また、解像したレジストパターンの形状は、走査型電子顕微鏡を用いてレジスト断面を観察した。更に、パターン上のラインエッジラフネスも同時に観測し、ラフネス（表面あれ）が少ないパターンは良好、やや多いパターンはやや不良、かなり多いパターンは不良とした。
なお、レジストのＰＥＤ安定性は、最適露光量で露光後、２４時間の放置後ＰＥＢ（ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｅ）を行い線幅の変動値で評価した。この変動値が少ないほどＰＥＤ安定性に富む。
レジストパターン評価結果を表２に示す。
【００９８】
【表２】

【００９９】
電子ビーム描画評価
描画評価では、上記で合成した高分子化合物を用いて表３に示される組成で溶解させた溶液を、０．２μｍサイズのフィルターで濾過してポジ型レジスト材料を調製した。
【０１００】
【表３】

【０１０１】
得られたポジ型レジスト材料を、芝浦製作所社製ＣＦＳ−４ＥＳを用いて直径６インチφの合成石英ウェハーにＣｒ膜をスパッタリングで１００ｎｍの厚みで作製した基板上にクリーントラックＭａｒｋ５（東京エレクトロン社製）を用いてスピンコートし、ホットプレート上で１００℃で９０秒間プリベークして４００ｎｍのレジスト膜を作製した。これに、エリオニクス社製ＥＢ描画装置を用いてＨＶ電圧３０ｋｅＶ、ビーム電流０．１Ａで真空チャンバー内描画を行った。
描画後直ちにクリーントラックＭａｒｋ５（東京エレクトロン社製）を用いてホットプレート上で１１０℃で９０秒間ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）を行い、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液で６０秒間パドル現像を行い、ポジ型のパターンを得た。
得られたレジストパターンを次のように評価した。
０．１５μｍのラインアンドスペースを１：１で解像する露光量をレジストの感度とし、この感度で解像している最小パターン寸法を解像度とした。
電子ビーム描画評価結果を表４に示す。
【０１０２】
【表４】

【０１０３】
【発明の効果】
本発明によれば、アセタール基で保護されたヒドロキシスチレンモノマーと３級アルコキシカルボニルスチレンモノマーを用いて重合し、得られた高分子化合物を酸触媒を用いて、選択的脱保護反応を行い、製造されるヒドロキシスチレン単位と３級アルコキシカルボニルスチレン単位を含む高分子化合物、特に重合方法としてアニオン重合法を用いて得られたランダム共重合高分子化合物が製造可能であり、これら製造方法により得られた高分子化合物は、その分子量分布が従来の製造方法で得られるものよりも狭く、また、これら高分子化合物をベース樹脂としてレジスト材料に配合することにより、レジスト膜の溶解コントラスト、解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好であり、ラインエッジラフネスが少ない特性を示す。特に超ＬＳＩ製造用の微細パターン形成材料として好適な化学増幅ポジ型レジスト材料等のレジスト材料を与えることが可能である。

Claims (6)

1. 下記一般式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を酸触媒を用いてアセタール基の選択的脱保護反応を行うことを特徴とする下記一般式（２）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物の製造方法。
   

   

   （式中、Ｒ^２、Ｒ^３は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、又はＲ^２、Ｒ^３はこれらが結合する炭素原子及び酸素原子と共に環を形成してもよい。Ｒ^５は水素原子、ヒドロキシ基、直鎖状又は分岐状のアルキル基、置換可アルコキシ基、ハロゲン原子、又は酸不安定基を表し、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^６は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^７は炭素数４〜２０の３級アルキル基を表す。また、ｎは０又は１〜４の正の整数である。ｐ、ｒは正数、ｑは０又は正数である。）
   

   

   （式中、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、ｎ、ｐ、ｑ、ｒは上記の通り。）
2. 一般式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物がアニオン重合法により得られたものである請求項１記載の製造方法。
3. 酸触媒がシュウ酸である請求項１又は２記載の製造方法。
4. （Ａ）有機溶剤、
   （Ｂ）ベース樹脂として請求項１乃至３のいずれか１項記載の製造方法で得られた一般式（２）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物、
   （Ｃ）酸発生剤
   を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
5. （Ａ）有機溶剤、
   （Ｂ）ベース樹脂として請求項１乃至３のいずれか１項記載の製造方法で得られた一般式（２）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物、
   （Ｃ）酸発生剤、
   （Ｄ）溶解阻止剤
   を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
6. 更に、（Ｅ）添加剤として塩基性化合物を配合したことを特徴とする請求項４又は５記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。