JP2005007428A - レーザ加工装置とその制御方法および生産設備 - Google Patents
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Abstract
【課題】加工に際して発生する反射光によるレーザ光源の寿命短縮を軽減できる半導体レーザ加工装置を提供する事を目的とする。
【解決手段】レーザ光源と被加工物の間にS波/P波分離鏡6、1/4波長板7、集光レンズ8を配置し、加工による反射光がレーザ光源に戻りにくくするのと同時に、反射光の影響をレーザ光ダンパ9に設けたサーマルガード43で観測し、規定温度以上の場合にはサーマルガード43の温度異常信号によりレーザ光が停止する。
この本発明によれば、加工に際して発生する反射光によるレーザ光源の寿命短縮を軽減する半導体レーザ加工装置を提供することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】レーザ光源と被加工物の間にS波/P波分離鏡6、1/4波長板7、集光レンズ8を配置し、加工による反射光がレーザ光源に戻りにくくするのと同時に、反射光の影響をレーザ光ダンパ9に設けたサーマルガード43で観測し、規定温度以上の場合にはサーマルガード43の温度異常信号によりレーザ光が停止する。
この本発明によれば、加工に際して発生する反射光によるレーザ光源の寿命短縮を軽減する半導体レーザ加工装置を提供することができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、レーザ加工装置とその制御方法および生産設備に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、アルミニウムを中心とする高輝材(被加工材料からの反射が大きい材料)のワーク加工が要望されている。
【0003】
従来のレーザ加工装置は、ワーク、特に高輝材の加工による反射光を再び加工に利用している(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
図4に従来のレーザ加工装置にアレイ型半導体レーザを搭載した半導体レーザ加工装置の概略構成図を示す。
【0005】
図中の破線はレーザ光の軌跡を示す。アレイ型半導体レーザ51には、駆動電源52と、冷却水を供給するチラー54が接続され、駆動電源52,チラー54は、制御装置53に接続されている。一方、レーザヘッド60はアレイ型半導体レーザ51、S波/P波分離鏡56、1/4波長板57、集光レンズ58から構成されている。
【0006】
以上のように構成されたレーザ加工装置の動作について説明する。アレイ型半導体レーザ51から出射する、紙面に対して平行な偏光状態の直線偏光レーザ光(以下、P偏光波と称す)は、S波/P波分離鏡56を透過し、1/4波長板57により、時計方向の円偏光レーザ光に変換される。
【0007】
この時計方向の円偏光レーザ光は集光レンズ58より集光され、高反射材料である高輝材の被加工物である平面ワーク59上に集光し、平面ワーク59を加工する。この時、レーザ光の一部は平面ワーク59の表面で反射されて反時計方向の円偏光反射光となり、集光レンズ58を通過して、1/4波長板57に入射し、紙面に対して垂直な直線偏光(S偏光波とする)に変換される。
【0008】
S偏光波はS波/P波分離鏡56により伝播方向を曲げられ、再帰用手段である再帰用ミラー55に入射する。再帰用ミラー55は、レーザ光をS波のまま、S波/P波分離鏡56に再帰させ、再帰した光はS偏光波となりS波/P波分離鏡56により伝播方向を曲げられ1/4波長板57により反時計方向の円偏光レーザ光に変換され集光レンズ58により集光し、再度平面ワーク59を加工する。
【0009】
【特許文献1】
特開昭57−10284号公報(第2頁、第3図)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ワーク形状は平面とは限らない。例えば、平面でない場合、時計方向の円偏光レーザ光で加工した時の反射光は、反時計方向の円偏光レーザ光ではなく、反時計方向の楕円偏光レーザ光となる場合がある。従って、S波/P波分離鏡56を用いても、アレイ型半導体レーザ51に戻る反射光を完全には除去することはできない。その結果、レーザ光がレーザ光源であるアレイ型半導体レーザ51に戻り、アレイ型半導体レーザ51における半導体レーザ素子を加熱し、アレイ型半導体レーザ51の寿命を短縮するという問題点があった。
【0011】
本発明は、このようなレーザ加工装置において、加工時に発生する反射光によるレーザ光源の寿命短縮を防止するレーザ加工装置とその制御方法および生産設備を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、本発明のレーザ加工装置は、レーザ光を出射するレーザ光出射手段と、前記レーザ光を偏光して被加工物へ照射する偏光手段と、前記レーザ光出射手段と前記偏光手段との間に配置され、前記被加工物からの反射光を反射光受光手段へ分岐するレーザ光分岐手段とを備え、前記反射光受光手段は温度を検出する温度検出手段を有し、温度検出手段で検出した温度が所定値を超えるとレーザ光出射手段から出射されるレーザ光が停止されるものである。
【0013】
この構成により、加工に際して発生する過大な反射光量を推定し、反射光によるレーザ光源の寿命短縮を軽減するという作用を有する。
【0014】
また、本発明のレーザ加工装置は、温度検出手段で検出した温度が所定値以下になるように、レーザ光出射手段から出射されるレーザ光の光量を制御するもので、この所定値は、被加工物の材料やレーザ光出射手段の周囲の汚染度やレーザ光出射手段の周囲の湿度により定められるものである。
【0015】
この構成により、加工に際して発生する過大な反射光量を予防し、レーザ光の寿命短縮を軽減するという作用を有する。
【0016】
また、本発明のレーザ加工装置の制御方法は、レーザ光出射手段からレーザ光を出射して被加工物を加工するレーザ加工装置の制御方法であって、前記レーザ光は偏光手段によって偏光され被加工物へ照射された後、前記被加工物からの反射光をレーザ光分岐手段で分岐し、その分岐されたレーザ光の温度を検出して、その温度が所定値を越えると前記レーザ光出射手段からのレーザ光の出射を停止するものである。
【0017】
この構成により許容反射受光量が増加しても、レーザ光の寿命短縮を予防するという作用を有する。
【0018】
また、本発明の生産設備は、上述のレーザ加工装置を配置した生産設備としたものであり、レーザ加工装置のレーザ光の寿命の短縮がない生産設備が実現するという作用を有する。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図1から図4を用いて説明する。
【0020】
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1について、レーザ光源としてアレイ型半導体レーザを搭載したレーザ加工装置について、図面を参照しながら説明する。以下、図においては、紙面に対して平行な偏光状態の偏光をP偏光、紙面に対して垂直な偏光をS偏光という。
【0021】
図1に本実施の形態1における概略構成図を示す。図1において、1はアレイ型半導体レーザであり、P偏光レーザ光を出射する。アレイ型半導体レーザ1から出射されたレーザ光は、偏光分離手段であるS波/P波分離鏡6を通過し、1/4波長板7を通過して、集光レンズ8で集光されて被加工物であるワーク14に到達する。なお、S波/P波分離鏡6は伝播方向に対して45度傾け、1/4波長板7と集光レンズ8は伝播方向に対して直角に配置する。
【0022】
加えて、S波/P波分離鏡6の伝播方向と直角をなす方向に、レーザ光を吸収するレーザ光ダンパ9と、レーザ光ダンパ9に設けられレーザ光ダンパ9の温度を検出し、基準温度を超えると信号を発生する温度センサであるサーマルガード43を配置する。
【0023】
アレイ型半導体レーザ1には電源2,チラ−4が接続されており、各々、電力、冷却水を供給している。電源2,チラ−4,サーマルガード43は制御装置3に接続されており、制御装置3は電源2,チラ−4を制御し、また、電源2,チラ−4,サーマルガード43からの出力信号を処理する。
【0024】
以下、信号の動作を説明する。レーザ光ダンパ9が反射光により基準値を超えて加熱されると、サーマルガード43から温度異常信号が制御装置3に出力され、制御装置3から電源2に信号を出し、アレイ型半導体レーザ1から出射されるレーザ光を停止する。
【0025】
次に、レーザ光の伝播について説明する。図1において、破線はレーザ光の軌跡を示している。アレイ型半導体レーザ1から出射されたP偏光レーザ光のうち、大部分(望ましくは99%以上)は、S波/P波分離鏡6を透過し、1/4波長板7により、時計方向の円偏光レーザ光に変換される。この時計方向円偏光レーザ光を集光レンズ8で、被加工物であるワーク14上に集光し、ワーク14を加工する。
【0026】
この時、レーザ光の一部はワーク14で反射して反時計方向の楕円偏光反射光となり、集光レンズ8を通過後、1/4波長板7によって、所定方向に偏光した直線偏光の反射光となる。この偏光の方向成分は加工に応じて変化するが、何れの場合もS偏光成分とP偏光成分の合成である。
【0027】
従って、この反射光のうち、P偏光成分であるP偏光反射光は、S波/P波分離鏡6を透過し、アレイ型半導体レーザ1に到達する。このP偏光反射光がアレイ型半導体レーザ1に入射すると、半導体素子の温度が上昇し、その結果、アレイ型半導体レーザ1の寿命が短くなる。一方、S偏光成分であるS偏光反射光はS波/P波分離鏡6により伝播方向を90度曲げられ、レーザ光ダンパ9に入射して吸収される。
【0028】
この吸収によりレーザ光ダンパ9の温度が上昇し、所定の基準温度を超えるとレーザ光ダンパ9に設けられたサーマルガード43が温度異常信号を制御装置3に出力し、制御装置3により電源2が制御され、アレイ型半導体レーザ1から出射されるレーザ光が停止される。これにより、アレイ型半導体レーザ1の寿命短縮を抑制する。
【0029】
以上のように、ワーク14からのレーザ光の反射光を受光して熱に変換し、その温度上昇によりレーザ光を停止することにより、レーザ光源であるアレイ型半導体レーザ1の寿命短縮を抑制することができ、経済性の向上が図れ、省エネルギー化にも貢献できる。
【0030】
なお、本実施の形態では、反射光による温度上昇でレーザ光を停止したが、基準温度を超えないようにアレイ型半導体レーザ1から出射されるレーザ光の光量を制御しても同様の効果を得ることができる。
【0031】
(実施の形態2)
本実施の形態2において、実施の形態1と同様の構成については同一の番号を付して詳細な説明を省略する。
【0032】
図2に本実施の形態2における概略構成図を示し、その構成を説明する。図2において、実施の形態1と構成が異なるのは、制御装置23と、S波/P波分離鏡6とレーザ光ダンパ9との間(S波/P波分離鏡6の伝播方向と略直角をなす方向)に設けた、反射光を集光する集光レンズ13と、レーザ光ダンパ9にレーザ光ダンパ9の温度検出手段として熱電対5を設けた点と、S波/P波分離鏡6を挟んで集光レンズ13と相対した出力ダンパ11を設けて漏れ光を吸収した点と、レーザヘッド22内部にレーザヘッド22内部の汚染度を監視するパーティクルモニタ40,レーザヘッド22内部の湿度を監視する湿度モニタ41を設けた点と、流量調整機39を介してドライエア37をレーザヘッド22内部に供給し、ドライエア37を外部に排気し、外部環境からの汚染を軽減するフィルタ42を設けた点である。
【0033】
また、制御が異なるのは制御装置23に、レーザ光ダンパ9の冷却水量を制御できる流量調整機38,ドライエア37の流量を制御できる流量調整機39,レーザヘッド12内部の汚染度を計測するパーティクルモニタ40,レーザヘッド22内部の湿度を計測する湿度モニタ41がそれぞれ追加接続され、制御装置23がこれらの構成物の信号を処理し、制御する点である。
【0034】
以下、図3に本実施の形態2における加工フローチャートを示し、レーザ光と信号の動作について説明する。但し、反射光が発生する過程は実施の形態1と同様であり、その説明を省略する。
【0035】
先ず、被加工物であるワーク14の材料データを入力する。次に、ワーク14が高輝材の場合でも加工を継続するか否かを入力する。加工の開始に先立ち、制御装置23は加工前のレーザ光ダンパ9の温度T0、さらにレーザヘッド22内部の汚染度やレーザヘッド22内部の湿度を計測して記憶する。制御装置23はこれら被加工物の材料毎,汚染度,湿度に応じた加工許容温度差△Tthの算出や、加工許容温度差△Tthのデータベースを参照して、その値を記憶する。その後、加工を開始し、加工時にレーザ光ダンパ9の温度Tmを計測(モニタリング)する。
【0036】
このとき、加工により生じる反射光は集光レンズ13により集光され、レーザ光ダンパ9に吸収される。この吸収により上昇する加工時レーザ光ダンパの温度Tmを、温度検出手段である熱電対5を用いて経時的に計測する。制御装置23において、許容温度差Tw=(Tm−T0−△Tth)を計算し、その計算値が零以下か否かを判断する。許容温度差Twが零以下の場合、反射光は許容値以下であると考えられるので、加工を継続する。
【0037】
また、許容温度差Twが正の場合、反射光は許容値を超えていると考えられるので、被加工物は高輝材であると判断する。前述の入力において、高輝材の場合でも加工を継続する旨を入力した場合、加工を継続するが、高輝材の場合には加工を継続しない旨を入力した場合、制御装置3から電源2に信号を出力し、レーザ光を停止して、加工を中断、終了する。
【0038】
なお、本実施の形態2では許容温度差Twが正で、高輝材と判断した時には加工を継続しない旨を入力した場合、加工を中断して終了するとしたが、レーザヘッド22を移動手段、例えばロボットに搭載することにより、許容温度差Twが零以下になるまでレーザヘッド22を、被加工物であるワーク14に対して移動、望ましくは傾けることで加工を継続しても良い。
【0039】
そして、所定時間内に許容温度差Twが零以下にならない場合は、ロボトやレーザ光を停止させてもよい。
【0040】
また、本実施の形態2ではレーザヘッド22内の汚染度や湿度に応じて加工許容温度△Tthを定めたが、汚染度や湿度が基準値(望ましくはレーザ光量と等しい許容温度差Twより導かれる基準値)を超過する場合に、この基準値を満たすまではレーザ光を出射せず、制御装置23からの信号により流量調整機39を介してドライエア37の流量を増加し、汚染物質をフィルタ42に吸着させ、湿度をさげることで結露を防止でき構成とし、材料毎に加工許容温度△Tthを定める構成としても良い。
【0041】
そして、前述の基準値を満たすまではレーザ光を出射させないことで、アレイ型半導体レーザ1の寿命の短縮を抑制することができる。
【0042】
以上のように、偏光分離手段と、1/4波長偏光手段と、レーザ光を受光して熱に変換してその温度を計測する手段を設けてその信号を処理することにより加工材料に合わせたレーザ光源の寿命短縮、すなわち、余分な寿命短縮、を抑制することができる。
【0043】
【発明の効果】
本発明は、このような半導体レーザ加工装置において、寿命短縮化を軽減可能な半導体レーザ加工装置を提供する事が実現できるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における概略構成図
【図2】同実施の形態2における概略構成図
【図3】同実施の形態2における加工フローチャート
【図4】従来の半導体レーザ加工装置概略構成図
【符号の説明】
1 アレイ型半導体レーザ
5 熱電対
6 S波/P波分離鏡
7 1/4波長板
9 レーザ光ダンパ
11 出力ダンパ
12,22 レーザヘッド
14 ワーク
40 パーティクルモニタ
41 湿度モニタ
42 フィルタ
43 サーマルガード
【産業上の利用分野】
本発明は、レーザ加工装置とその制御方法および生産設備に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、アルミニウムを中心とする高輝材(被加工材料からの反射が大きい材料)のワーク加工が要望されている。
【0003】
従来のレーザ加工装置は、ワーク、特に高輝材の加工による反射光を再び加工に利用している(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
図4に従来のレーザ加工装置にアレイ型半導体レーザを搭載した半導体レーザ加工装置の概略構成図を示す。
【0005】
図中の破線はレーザ光の軌跡を示す。アレイ型半導体レーザ51には、駆動電源52と、冷却水を供給するチラー54が接続され、駆動電源52,チラー54は、制御装置53に接続されている。一方、レーザヘッド60はアレイ型半導体レーザ51、S波/P波分離鏡56、1/4波長板57、集光レンズ58から構成されている。
【0006】
以上のように構成されたレーザ加工装置の動作について説明する。アレイ型半導体レーザ51から出射する、紙面に対して平行な偏光状態の直線偏光レーザ光(以下、P偏光波と称す)は、S波/P波分離鏡56を透過し、1/4波長板57により、時計方向の円偏光レーザ光に変換される。
【0007】
この時計方向の円偏光レーザ光は集光レンズ58より集光され、高反射材料である高輝材の被加工物である平面ワーク59上に集光し、平面ワーク59を加工する。この時、レーザ光の一部は平面ワーク59の表面で反射されて反時計方向の円偏光反射光となり、集光レンズ58を通過して、1/4波長板57に入射し、紙面に対して垂直な直線偏光(S偏光波とする)に変換される。
【0008】
S偏光波はS波/P波分離鏡56により伝播方向を曲げられ、再帰用手段である再帰用ミラー55に入射する。再帰用ミラー55は、レーザ光をS波のまま、S波/P波分離鏡56に再帰させ、再帰した光はS偏光波となりS波/P波分離鏡56により伝播方向を曲げられ1/4波長板57により反時計方向の円偏光レーザ光に変換され集光レンズ58により集光し、再度平面ワーク59を加工する。
【0009】
【特許文献1】
特開昭57−10284号公報(第2頁、第3図)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ワーク形状は平面とは限らない。例えば、平面でない場合、時計方向の円偏光レーザ光で加工した時の反射光は、反時計方向の円偏光レーザ光ではなく、反時計方向の楕円偏光レーザ光となる場合がある。従って、S波/P波分離鏡56を用いても、アレイ型半導体レーザ51に戻る反射光を完全には除去することはできない。その結果、レーザ光がレーザ光源であるアレイ型半導体レーザ51に戻り、アレイ型半導体レーザ51における半導体レーザ素子を加熱し、アレイ型半導体レーザ51の寿命を短縮するという問題点があった。
【0011】
本発明は、このようなレーザ加工装置において、加工時に発生する反射光によるレーザ光源の寿命短縮を防止するレーザ加工装置とその制御方法および生産設備を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、本発明のレーザ加工装置は、レーザ光を出射するレーザ光出射手段と、前記レーザ光を偏光して被加工物へ照射する偏光手段と、前記レーザ光出射手段と前記偏光手段との間に配置され、前記被加工物からの反射光を反射光受光手段へ分岐するレーザ光分岐手段とを備え、前記反射光受光手段は温度を検出する温度検出手段を有し、温度検出手段で検出した温度が所定値を超えるとレーザ光出射手段から出射されるレーザ光が停止されるものである。
【0013】
この構成により、加工に際して発生する過大な反射光量を推定し、反射光によるレーザ光源の寿命短縮を軽減するという作用を有する。
【0014】
また、本発明のレーザ加工装置は、温度検出手段で検出した温度が所定値以下になるように、レーザ光出射手段から出射されるレーザ光の光量を制御するもので、この所定値は、被加工物の材料やレーザ光出射手段の周囲の汚染度やレーザ光出射手段の周囲の湿度により定められるものである。
【0015】
この構成により、加工に際して発生する過大な反射光量を予防し、レーザ光の寿命短縮を軽減するという作用を有する。
【0016】
また、本発明のレーザ加工装置の制御方法は、レーザ光出射手段からレーザ光を出射して被加工物を加工するレーザ加工装置の制御方法であって、前記レーザ光は偏光手段によって偏光され被加工物へ照射された後、前記被加工物からの反射光をレーザ光分岐手段で分岐し、その分岐されたレーザ光の温度を検出して、その温度が所定値を越えると前記レーザ光出射手段からのレーザ光の出射を停止するものである。
【0017】
この構成により許容反射受光量が増加しても、レーザ光の寿命短縮を予防するという作用を有する。
【0018】
また、本発明の生産設備は、上述のレーザ加工装置を配置した生産設備としたものであり、レーザ加工装置のレーザ光の寿命の短縮がない生産設備が実現するという作用を有する。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図1から図4を用いて説明する。
【0020】
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1について、レーザ光源としてアレイ型半導体レーザを搭載したレーザ加工装置について、図面を参照しながら説明する。以下、図においては、紙面に対して平行な偏光状態の偏光をP偏光、紙面に対して垂直な偏光をS偏光という。
【0021】
図1に本実施の形態1における概略構成図を示す。図1において、1はアレイ型半導体レーザであり、P偏光レーザ光を出射する。アレイ型半導体レーザ1から出射されたレーザ光は、偏光分離手段であるS波/P波分離鏡6を通過し、1/4波長板7を通過して、集光レンズ8で集光されて被加工物であるワーク14に到達する。なお、S波/P波分離鏡6は伝播方向に対して45度傾け、1/4波長板7と集光レンズ8は伝播方向に対して直角に配置する。
【0022】
加えて、S波/P波分離鏡6の伝播方向と直角をなす方向に、レーザ光を吸収するレーザ光ダンパ9と、レーザ光ダンパ9に設けられレーザ光ダンパ9の温度を検出し、基準温度を超えると信号を発生する温度センサであるサーマルガード43を配置する。
【0023】
アレイ型半導体レーザ1には電源2,チラ−4が接続されており、各々、電力、冷却水を供給している。電源2,チラ−4,サーマルガード43は制御装置3に接続されており、制御装置3は電源2,チラ−4を制御し、また、電源2,チラ−4,サーマルガード43からの出力信号を処理する。
【0024】
以下、信号の動作を説明する。レーザ光ダンパ9が反射光により基準値を超えて加熱されると、サーマルガード43から温度異常信号が制御装置3に出力され、制御装置3から電源2に信号を出し、アレイ型半導体レーザ1から出射されるレーザ光を停止する。
【0025】
次に、レーザ光の伝播について説明する。図1において、破線はレーザ光の軌跡を示している。アレイ型半導体レーザ1から出射されたP偏光レーザ光のうち、大部分(望ましくは99%以上)は、S波/P波分離鏡6を透過し、1/4波長板7により、時計方向の円偏光レーザ光に変換される。この時計方向円偏光レーザ光を集光レンズ8で、被加工物であるワーク14上に集光し、ワーク14を加工する。
【0026】
この時、レーザ光の一部はワーク14で反射して反時計方向の楕円偏光反射光となり、集光レンズ8を通過後、1/4波長板7によって、所定方向に偏光した直線偏光の反射光となる。この偏光の方向成分は加工に応じて変化するが、何れの場合もS偏光成分とP偏光成分の合成である。
【0027】
従って、この反射光のうち、P偏光成分であるP偏光反射光は、S波/P波分離鏡6を透過し、アレイ型半導体レーザ1に到達する。このP偏光反射光がアレイ型半導体レーザ1に入射すると、半導体素子の温度が上昇し、その結果、アレイ型半導体レーザ1の寿命が短くなる。一方、S偏光成分であるS偏光反射光はS波/P波分離鏡6により伝播方向を90度曲げられ、レーザ光ダンパ9に入射して吸収される。
【0028】
この吸収によりレーザ光ダンパ9の温度が上昇し、所定の基準温度を超えるとレーザ光ダンパ9に設けられたサーマルガード43が温度異常信号を制御装置3に出力し、制御装置3により電源2が制御され、アレイ型半導体レーザ1から出射されるレーザ光が停止される。これにより、アレイ型半導体レーザ1の寿命短縮を抑制する。
【0029】
以上のように、ワーク14からのレーザ光の反射光を受光して熱に変換し、その温度上昇によりレーザ光を停止することにより、レーザ光源であるアレイ型半導体レーザ1の寿命短縮を抑制することができ、経済性の向上が図れ、省エネルギー化にも貢献できる。
【0030】
なお、本実施の形態では、反射光による温度上昇でレーザ光を停止したが、基準温度を超えないようにアレイ型半導体レーザ1から出射されるレーザ光の光量を制御しても同様の効果を得ることができる。
【0031】
(実施の形態2)
本実施の形態2において、実施の形態1と同様の構成については同一の番号を付して詳細な説明を省略する。
【0032】
図2に本実施の形態2における概略構成図を示し、その構成を説明する。図2において、実施の形態1と構成が異なるのは、制御装置23と、S波/P波分離鏡6とレーザ光ダンパ9との間(S波/P波分離鏡6の伝播方向と略直角をなす方向)に設けた、反射光を集光する集光レンズ13と、レーザ光ダンパ9にレーザ光ダンパ9の温度検出手段として熱電対5を設けた点と、S波/P波分離鏡6を挟んで集光レンズ13と相対した出力ダンパ11を設けて漏れ光を吸収した点と、レーザヘッド22内部にレーザヘッド22内部の汚染度を監視するパーティクルモニタ40,レーザヘッド22内部の湿度を監視する湿度モニタ41を設けた点と、流量調整機39を介してドライエア37をレーザヘッド22内部に供給し、ドライエア37を外部に排気し、外部環境からの汚染を軽減するフィルタ42を設けた点である。
【0033】
また、制御が異なるのは制御装置23に、レーザ光ダンパ9の冷却水量を制御できる流量調整機38,ドライエア37の流量を制御できる流量調整機39,レーザヘッド12内部の汚染度を計測するパーティクルモニタ40,レーザヘッド22内部の湿度を計測する湿度モニタ41がそれぞれ追加接続され、制御装置23がこれらの構成物の信号を処理し、制御する点である。
【0034】
以下、図3に本実施の形態2における加工フローチャートを示し、レーザ光と信号の動作について説明する。但し、反射光が発生する過程は実施の形態1と同様であり、その説明を省略する。
【0035】
先ず、被加工物であるワーク14の材料データを入力する。次に、ワーク14が高輝材の場合でも加工を継続するか否かを入力する。加工の開始に先立ち、制御装置23は加工前のレーザ光ダンパ9の温度T0、さらにレーザヘッド22内部の汚染度やレーザヘッド22内部の湿度を計測して記憶する。制御装置23はこれら被加工物の材料毎,汚染度,湿度に応じた加工許容温度差△Tthの算出や、加工許容温度差△Tthのデータベースを参照して、その値を記憶する。その後、加工を開始し、加工時にレーザ光ダンパ9の温度Tmを計測(モニタリング)する。
【0036】
このとき、加工により生じる反射光は集光レンズ13により集光され、レーザ光ダンパ9に吸収される。この吸収により上昇する加工時レーザ光ダンパの温度Tmを、温度検出手段である熱電対5を用いて経時的に計測する。制御装置23において、許容温度差Tw=(Tm−T0−△Tth)を計算し、その計算値が零以下か否かを判断する。許容温度差Twが零以下の場合、反射光は許容値以下であると考えられるので、加工を継続する。
【0037】
また、許容温度差Twが正の場合、反射光は許容値を超えていると考えられるので、被加工物は高輝材であると判断する。前述の入力において、高輝材の場合でも加工を継続する旨を入力した場合、加工を継続するが、高輝材の場合には加工を継続しない旨を入力した場合、制御装置3から電源2に信号を出力し、レーザ光を停止して、加工を中断、終了する。
【0038】
なお、本実施の形態2では許容温度差Twが正で、高輝材と判断した時には加工を継続しない旨を入力した場合、加工を中断して終了するとしたが、レーザヘッド22を移動手段、例えばロボットに搭載することにより、許容温度差Twが零以下になるまでレーザヘッド22を、被加工物であるワーク14に対して移動、望ましくは傾けることで加工を継続しても良い。
【0039】
そして、所定時間内に許容温度差Twが零以下にならない場合は、ロボトやレーザ光を停止させてもよい。
【0040】
また、本実施の形態2ではレーザヘッド22内の汚染度や湿度に応じて加工許容温度△Tthを定めたが、汚染度や湿度が基準値(望ましくはレーザ光量と等しい許容温度差Twより導かれる基準値)を超過する場合に、この基準値を満たすまではレーザ光を出射せず、制御装置23からの信号により流量調整機39を介してドライエア37の流量を増加し、汚染物質をフィルタ42に吸着させ、湿度をさげることで結露を防止でき構成とし、材料毎に加工許容温度△Tthを定める構成としても良い。
【0041】
そして、前述の基準値を満たすまではレーザ光を出射させないことで、アレイ型半導体レーザ1の寿命の短縮を抑制することができる。
【0042】
以上のように、偏光分離手段と、1/4波長偏光手段と、レーザ光を受光して熱に変換してその温度を計測する手段を設けてその信号を処理することにより加工材料に合わせたレーザ光源の寿命短縮、すなわち、余分な寿命短縮、を抑制することができる。
【0043】
【発明の効果】
本発明は、このような半導体レーザ加工装置において、寿命短縮化を軽減可能な半導体レーザ加工装置を提供する事が実現できるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における概略構成図
【図2】同実施の形態2における概略構成図
【図3】同実施の形態2における加工フローチャート
【図4】従来の半導体レーザ加工装置概略構成図
【符号の説明】
1 アレイ型半導体レーザ
5 熱電対
6 S波/P波分離鏡
7 1/4波長板
9 レーザ光ダンパ
11 出力ダンパ
12,22 レーザヘッド
14 ワーク
40 パーティクルモニタ
41 湿度モニタ
42 フィルタ
43 サーマルガード
Claims (14)
- レーザ光を出射するレーザ光出射手段と、前記レーザ光を1/4波長だけ偏光して被加工物へ照射する偏光手段と、前記レーザ光出射手段と前記偏光手段との間に配置され、前記被加工物からの反射光を反射光受光手段へ分岐するレーザ光分岐手段とを備え、前記反射光受光手段は温度を検出する温度検出手段を有したレーザ加工装置。
- 温度検出手段で検出した温度が所定値を超えるとレーザ光出射手段から出射されるレーザ光が停止される請求項1記載のレーザ加工装置。
- 温度検出手段で検出した温度が所定値以下になるように、レーザ光出射手段から出射されるレーザ光の光量を制御する請求項2記載のレーザ加工装置。
- 所定値は、被加工物の材料により定められた請求項2または3に記載のレーザ加工装置。
- 所定値は、レーザ光出射手段の周囲の汚染度により定められた請求項2または3に記載のレーザ加工装置。
- 所定値は、レーザ光出射手段の周囲の湿度により定められた請求項2または3に記載のレーザ加工装置。
- 所定値は、レーザ光出射手段のレーザ出射許容量により定められた請求項2または3に記載のレーザ加工装置。
- レーザ光出射手段からのレーザ光を被加工物に照射するレーザヘッド部と、前記レーザヘッド部の保持と移動を行う駆動手段とを備え、前記レーザ光の制御は前記駆動手段により被加工物へのレーザ光の照射角度を制御する請求項1または2記載のレーザ加工装置。
- 温度検出手段で検出した温度が、所定値になるまでレーザ光出射せず、レーザ光出射手段の周囲の汚染を低減する請求項2記載のレーザ加工装置。
- 温度検出手段で検出した温度が、所定値になるまでレーザ出射せず、レーザ光出射手段の周囲の湿度を低減する請求項2記載のレーザ加工装置。
- レーザ光出射手段からレーザ光を出射して被加工物を加工するレーザ加工装置の制御方法であって、前記レーザ光は偏光手段によって1/4波長だけ偏光され被加工物へ照射された後、前記被加工物からの反射光をレーザ光分岐手段で分岐し、その分岐されたレーザ光の温度を検出して、その温度が所定値を越えると前記レーザ光出射手段からのレーザ光の出射を停止するレーザ加工装置の制御方法。
- レーザ光出射手段からレーザ光を出射して被加工物を加工するレーザ加工装置の制御方法であって、前記レーザ光は偏光手段によって1/4波長だけ偏光され被加工物へ照射された後、前記被加工物からの反射光をレーザ光分岐手段で分岐し、その分岐されたレーザ光の温度を検出して、その温度が所定値を越えると前記レーザ光出射手段からのレーザ光の前記被加工物への照射角度を変化させるレーザ加工装置の制御方法。
- 検出された温度が所定値以下になるまで、レーザ光出射手段からのレーザ光の被加工物への照射角度を変化させる請求項12記載のレーザ加工装置の制御方法。
- 請求項1から10のいずれかに記載のレーザ加工装置を配置した生産設備。
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-
2003
- 2003-06-19 JP JP2003174326A patent/JP2005007428A/ja active Pending
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