JP2005003962A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】透過領域と反射領域に対しそれぞれ異なる共通電圧を印加することにより液晶表示器において透過領域と反射領域の彩度を一致させることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数の透過領域ＩＩ及び複数の反射領域Ｉを有する第１基板３０１と、透過領域ＩＩに位置する透過電極３４と、反射領域Ｉに位置し透過電極３４と電気的に接続する反射電極３３と、透過領域ＩＩに当たる上方に位置する複数の第１共通電極３７、及び第１共通電極３７と電気的に接続しない且つ反射領域Ｉに当たる上方に位置する複数の第２共通電極３６を有する第２基板３０２と、第１基板３０１と第２基板３０２の間に位置する液晶層３９とからなる。
【選択図】 図３
【解決手段】複数の透過領域ＩＩ及び複数の反射領域Ｉを有する第１基板３０１と、透過領域ＩＩに位置する透過電極３４と、反射領域Ｉに位置し透過電極３４と電気的に接続する反射電極３３と、透過領域ＩＩに当たる上方に位置する複数の第１共通電極３７、及び第１共通電極３７と電気的に接続しない且つ反射領域Ｉに当たる上方に位置する複数の第２共通電極３６を有する第２基板３０２と、第１基板３０１と第２基板３０２の間に位置する液晶層３９とからなる。
【選択図】 図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関わり、特に、透過領域と反射領域に対しそれぞれ異なる共通電圧を印加することにより液晶表示装置の透過領域と反射領域における彩度を同一化する半透過半反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
カラー液晶表示パネルは二つの透明基板とこれらの透明基板間にある液晶層からなる。一般、既存のＴＦＴ液晶表示器においてよく使用されるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶はネマチック液晶（ｎｅｍａｔｉｃ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）である。この種の液晶の分子は空間上一次元的かつ規則的に配列する。全てのネマチック液晶の分子は、各分子の主軸となる長軸が所定の方向に沿い分子同士が平行し合うように、配列する。ネマチック液晶は粘度が低く、流動し易い（この流動性は、主に液晶分子がその長軸方向においてより自由に移動できることから起因する）。
【０００３】
液晶分子は異方性の構成を有するため、その光電効果は方向の相違により異なる。即ち、液晶分子の光電特性（例えば誘電係数や屈折率等）からみると異方性がある。このような特性を利用し入射光の強度を変えることにより表示素子における彩度が形成されるため、表示素子としての応用が可能になる。
【０００４】
例えば、誘電係数ε（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ）は二つの方向における両分量即ちε‖（液晶長軸方向に平行する分量）とε⊥（液晶方向に垂直する分量）に分けられる。ε‖＞ε⊥の場合、液晶は、誘電係数の異方性がプラス型である液晶と呼ばれ（以下単にプラス液晶という）、平行的マッチングの場合に用いられる。一方、ε‖＜ε⊥の場合、液晶は、誘電係数の異方性がマイナス型である液晶と呼ばれ、垂直的マッチングの場合のみに用いられる。電圧が印加される場合、液晶分子の誘電係数異方性がプラスかまたはマイナスかということは液晶分子の回転方向が電圧に平行するかまたは垂直するか、即ち、光が透過するかまたは透過しないかということを左右する。
【０００５】
現在、ＴＦＴ−ＬＣＤにおいてよく利用されるＴＮ型液晶は殆どプラス型誘電係数の液晶である。
【０００６】
図１Ａはプラス型液晶が電圧を印加されていないときの液晶配列パターンを示す図、図１Ｂはプラス型液晶が電圧Ｖ１を印加されているときの液晶配列パターンを示す図である。
【０００７】
図１Ａによると、画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２と共通電極（ｃｏｍｍｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３が電圧を印加されていない場合（または両電極が同様な電圧を印加され液晶層１１における電圧差が０である場合）、即ち、液晶層１１について電圧を印加しない場合、液晶１４は水平方向に沿って平行配列する。このとき、光線が透過領域及び反射領域から透過し液晶表示器において発光することができる。
【０００８】
一方、液晶層１１について電圧を印加し始めると、液晶１４は、水平方向に沿って平行配列することができなくなり、垂直方向に回転し始まる。印加電圧が所定値Ｖ１となると、図１Ｂに示すように、液晶１４は画素電極１２及び共通電極１３に垂直するようになる。このとき、光線が透過領域及び反射領域から透過できず、液晶表示器において発光することができない。
【０００９】
図２ＡはＴ−Ｖカーブ（透過率と印加電圧の関係を示す）及びＲ−Ｖカーブ（反射率と印加電圧の関係を示す）を示す図である。
【００１０】
図２Ａに示すように、印加電圧が大きければ大きいほど透過率または反射率が小さい。したがって、このような特性を利用し入射光の強度を変えることにより彩度を形成することができる。
【００１１】
図２Ｂは従来の半透過半反射型液晶表示装置を示す断面図である。
【００１２】
図２Ｂにおいて、画素電極は電気的に接続し合う透過電極２１と反射電極２２からなるが、共通電極２３はワンピースの透明な導体層からなり、透過領域と反射領域との区分がない。したがって、画素電極及び共通電極が電圧を印加されるとき、透過領域及び反射領域における印加電圧は同様である。
【００１３】
しかし、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが同様でない（即ち、重なっていない。図２Ａ参照）。このため、同一の印加電圧において、光線の透過率と反射率が異なり、反射領域における彩度と透過領域における彩度が異なる。したがって、液晶表示器において反射領域の色彩と透過領域の色彩が異なる。よって、透過方式による彩度と反射方式による彩度が異なる（透過方式とは液晶表示器自体の光源を以って透過領域における表示を行う方式を、反射方式とは液晶表示器外部の光源を以って反射領域における表示を行う方式を言う）。例えば、透過方式を用いる場合、表示器は青色を呈するが、反射方式を用いる場合、表示器は薄い青色を呈する。これにより、使用者が製品の質について疑問を抱える問題が生じられる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
前記のように、従来の半透過半反射型液晶表示器は、その共通電極がワンピースの透明導体層からなり、透過領域と反射領域との区分がない。このため、画素電極及び共通電極が電圧を印加されるとき、透過領域及び反射領域における印加電圧は同様である。しかし、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが同様でないため、液晶表示器の表示において、透過方式による彩度と反射方式による彩度が異なる。
【００１５】
前記のような問題点を解決するため、本発明の目的は、透過領域と反射領域に対しそれぞれ異なる共通電圧を印加することにより液晶表示器において透過領域の彩度と反射領域の彩度を一致させることが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明の液晶表示装置は、複数の透過領域及び複数の反射領域を有する第１基板と、前記透過領域に位置する透過電極と、前記反射領域に位置し前記透過電極と電気的に接続する反射電極と、前記透過領域に当たる上方に位置する複数の第１共通電極、及び前記第１共通電極と電気的に接続しない且つ前記反射領域に当たる上方に位置する複数の第２共通電極を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に位置する液晶層とから構成される。
【００１７】
また、前記液晶表示装置において、前記第１共通電極は前記反射領域に当たる上方までに延在することが好ましい。
【００１８】
また、前記液晶表示装置において、前記第２共通電極は前記透過領域に当たる上方までに延在することが好ましい。
【００１９】
また、前記液晶表示装置において、前記第１基板と前記第２基板は透明基板でありうる。
【００２０】
また、前記液晶表示装置において、前記透過電極は透明導体でありうる。なお、該透明導体の材質がインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を用いても良い。
【００２１】
また、前記液晶表示装置において、前記反射電極が金属層から構成されて良い。なお、該金属層の材質がＡｌ、Ａｇ及びＡｌＮｄ合金のうちいずれかでありうる。
【００２２】
また、前記液晶表示装置において、前記第１共通電極と前記第２共通電極は透明導体層から構成されて良い。なお、前記透明導体層の材質がインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）でありうる。
【００２３】
また、前記液晶表示装置において、前記第１共通電極と前記第２基板の距離は前記第２共通電極と前記第２基板の距離に等しいことが好ましい。
【００２４】
また、液晶表示装置において、前記第１共通電極と前記第２基板の距離は前記第２共通電極と前記第２基板の距離より短くても良い。
【００２５】
液晶表示装置において、前記第１共通電極と前記第２基板の距離は前記第２共通電極と前記第２基板の距離より長くても良い。
【００２６】
【発明の実施の形態】
前記の目的を達成して従来の欠点を除去するための課題を実行する本発明の実施例の構成とその作用を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００２７】
図３は本発明の第一の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【００２８】
図３において、半透過半反射型液晶表示器は、その画素のいずれかが二つの部分、即ち透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉからなる。液晶表示器の形成は下記の通りである。
【００２９】
まず、一方の透明基板３０１の内側に順に薄膜トランジスタ３１と透明絶縁層３２１が形成される。ここで、透明絶縁層３２１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）層またはこれらを積層してなるものであって良い。
【００３０】
次に、透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉの定義が行われる。反射領域Ｉの位置にて表面に突起（ｂｕｍｐ）があるパッド絶縁層３２２が形成される。パッド絶縁層３２２の材質は感光樹脂や光透過できる絶縁材料または光透過できない絶縁材料を用いて良い。
【００３１】
例えば、パッド絶縁層３２２の材質が感光樹脂である。この場合、感光樹脂を透明基板に塗布した上、露光／現像により反射領域のパターン化が行われる。
【００３２】
透過領域及び反射領域のパターン化が完了した後、透過電極３４及び反射電極３３の形成が行われる。ここで、透過領域ＩＩの透過電極３４はスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を成膜してなるものでありうる。反射領域Ｉの反射電極３３はスパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）またはアルミネオジム（ＡｌＢｄ）合金を成膜してなるものでありうる。
【００３３】
次に、透過電極３４と反射電極３３を電気的に接続することにより画素電極が形成される。該画素電極は薄膜トランジスタ３１と電気的に接続される。
【００３４】
一方、他方の透明基板３０２の内側にカラーフィルタ３５が形成された後、反射領域共通電極３６及び透過領域共通電極３７が形成される。
【００３５】
該両電極の形成方法は、スパッタ法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を成膜する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより両電極を分離（電気的遮断）する段階から構成される。
【００３６】
両電極が電気的に遮断されるため、液晶表示器を操作する際、反射領域共通電極３６と透過領域共通電極３７に対しそれぞれ異なる電圧を印加することにより、反射領域における印加電圧と透過領域における印加電圧が異なるように印加電圧を調節することができる。よって、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが重なっていないため同一電圧が印加される反射領域と透過領域のそれぞれの彩度が異なるという従来の問題が解消される。
【００３７】
最後、両透明基板３０１と３０２の内面が対向し合うように両透明基板３０１と３０２を合せた上、液晶を注入し液晶層３９を形成する。ここで、液晶表示器が完成される。
【００３８】
図４は本発明の第二の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【００３９】
図４において、半透過半反射型液晶表示器は、その画素のいずれかが二つの部分、即ち透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉからなる。液晶表示器の形成は下記の通りである。
【００４０】
まず、一方の透明基板４０１の内側に順に薄膜トランジスタ４１と透明絶縁層４２１が形成される。ここで、透明絶縁層４２１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）層またはこれらを積層してなるものであって良い。
【００４１】
次に、透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉの定義が行われる。反射領域Ｉの位置にて表面に突起があるパッド絶縁層４２２が形成される。パッド絶縁層４２２の材質は感光樹脂や光透過できる絶縁材料または光透過できない絶縁材料を用いて良い。
【００４２】
例えば、パッド絶縁層４２２の材質が感光樹脂である。この場合、感光樹脂を透明基板に塗布した上、露光／現像により反射領域のパターン化が行われる。
【００４３】
透過領域及び反射領域のパターン化が完了した後、透過電極４４及び反射電極４３の形成が行われる。ここで、透過領域ＩＩの透過電極４４はスパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜してなるものでありうる。反射領域Ｉの反射電極４３はスパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）またはアルミネオジム（ＡｌＢｄ）合金を形成してなるものでありうる。
【００４４】
次に、透過電極４４と反射電極４３を電気的に接続することにより画素電極が形成される。該画素電極は薄膜トランジスタ４１と電気的に接続される。
【００４５】
一方、他方の透明基板４０２の内側にカラーフィルタ４５が形成された後、反射領域共通電極４６及び透過領域共通電極４７が形成される。
【００４６】
該両電極の形成方法は、透明絶縁層４８を堆積する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより透過領域ＩＩに当たる透明絶縁層を除去する段階と、スパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより両電極を分離（電気的遮断）する段階からなる。
【００４７】
両電極が電気的に遮断されるため、液晶表示器を操作する際、反射領域共通電極４６と透過領域共通電極４７に対しそれぞれ異なる電圧を印加することにより、反射領域における印加電圧と透過領域における印加電圧が異なるように印加電圧を調節することができる。このため、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが重なっていないため同一電圧が印加される反射領域と透過領域のそれぞれの彩度が異なるという従来の問題が解消される。
【００４８】
最後、両透明基板４０１と４０２の内面が対向し合うように両透明基板４０１と４０２を合せた上、液晶を注入し液晶層４９を形成する。ここで、液晶表示器が完成される。
【００４９】
図５は本発明の第三の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【００５０】
図５において、半透過半反射型液晶表示器は、その画素のいずれかが二つの部分、即ち透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉからなる。液晶表示器の形成は下記の通りである。
【００５１】
まず、一方の透明基板５０１の内側に順に薄膜トランジスタ５１と透明絶縁層５２１が形成される。ここで、透明絶縁層５２１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）層またはこれらを積層してなるものであって良い。
【００５２】
次に、透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉの定義が行われる。反射領域Ｉの位置にて表面に突起があるパッド絶縁層５２２が形成される。パッド絶縁層５２２の材質は感光樹脂や光透過できる絶縁材料または光透過できない絶縁材料を用いて良い。
【００５３】
例えば、パッド絶縁層５２２の材質が感光樹脂である。この場合、感光樹脂を透明基板に塗布した上、露光／現像により反射領域のパターン化が行われる。
【００５４】
透過領域及び反射領域のパターン化が完了した後、透過電極５４及び反射電極５３の形成が行われる。ここで、透過領域ＩＩの透過電極５４はスパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜してなるものでありうる。反射領域Ｉの反射電極５３はスパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）またはアルミネオジム（ＡｌＢｄ）合金を形成してなるものでありうる。
【００５５】
次に、透過電極５４と反射電極５３を電気的に接続することにより画素電極が形成される。該画素電極は薄膜トランジスタ５１と電気的に接続される。
【００５６】
一方、他方の透明基板５０２の内側にカラーフィルタ５５が形成された後、反射領域共通電極５６及び透過領域共通電極５７が形成される。
【００５７】
該両電極の形成方法は、スパッタ法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を成膜する段階と、透明絶縁層５８を堆積する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより透過領域ＩＩに当たる透明絶縁層を除去する段階と、スパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより両電極を分離（電気的遮断）する段階とからなる。
【００５８】
両電極が電気的に遮断されるため、液晶表示器を操作する際、反射領域共通電極５６と透過領域共通電極５７に対しそれぞれ異なる電圧を印加することにより、反射領域における印加電圧と透過領域における印加電圧が異なるように印加電圧を調節することができる。このため、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが重なっていないため同一電圧が印加される反射領域と透過領域のそれぞれの彩度が異なるという従来の問題が解消される。
【００５９】
最後、両透明基板５０１と５０２の内面が対向し合うように両透明基板５０１と５０２を合せた上、液晶を注入し液晶層５９を形成する。ここで、液晶表示器が完成される。
【００６０】
図６は本発明の第四の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【００６１】
図６において、半透過半反射型液晶表示器は、その画素のいずれかが二つの部分、即ち透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉからなる。液晶表示器の形成は下記の通りである。
【００６２】
まず、一方の透明基板６０１の内側に順に薄膜トランジスタ６１と透明絶縁層６２１が形成される。ここで、透明絶縁層６２１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）層またはこれらを積層してなるものであって良い。
【００６３】
次に、透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉの定義が行われる。反射領域Ｉの位置にて表面に突起があるパッド絶縁層６２２が形成される。パッド絶縁層６２２の材質は感光樹脂や光透過できる絶縁材料または光透過できない絶縁材料を用いて良い。
【００６４】
例えば、パッド絶縁層６２２の材質が感光樹脂である。この場合、感光樹脂を透明基板に塗布した上、露光／現像により反射領域のパターン化が行われる。
【００６５】
透過領域及び反射領域のパターン化が完了した後、透過電極６４及び反射電極６３の形成が行われる。ここで、透過領域ＩＩの透過電極６４はスパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜してなるものでありうる。反射領域Ｉの反射電極６３はスパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）またはアルミネオジム（ＡｌＢｄ）合金を形成してなるものでありうる。
【００６６】
次に、透過電極６４と反射電極６３を電気的に接続することにより画素電極が形成される。該画素電極は薄膜トランジスタ６１と電気的に接続される。
【００６７】
一方、他方の透明基板６０２の内側にカラーフィルタ６５が形成された後、反射領域共通電極６６及び透過領域共通電極６７が形成される。
【００６８】
該両電極の形成方法は、透明絶縁層６８を堆積する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより反射領域Ｉに当たる透明絶縁層を除去する段階と、スパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより両電極を分離（電気的遮断）する段階とからなる。
【００６９】
両電極が電気的に遮断されるため、液晶表示器を操作する際、反射領域共通電極６６と透過領域共通電極６７に対しそれぞれ異なる電圧を印加することにより、反射領域における印加電圧と透過領域における印加電圧が異なるように印加電圧を調節することができる。このため、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが重なっていないため同一電圧が印加される反射領域と透過領域のそれぞれの彩度が異なるという従来の問題が解消される。
【００７０】
最後、両透明基板６０１と６０２の内面が対向し合うように両透明基板６０１と６０２を合せた上、液晶を注入し液晶層６９を形成する。ここで、液晶表示器が完成される。
【００７１】
図７は本発明の第五の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【００７２】
図７において、半透過半反射型液晶表示器は、その画素のいずれかが二つの部分、即ち透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉからなる。液晶表示器の形成は下記の通りである。
【００７３】
まず、一方の透明基板７０１の内側に順に薄膜トランジスタ７１と透明絶縁層７２１が形成される。ここで、透明絶縁層７２１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）層またはこれらを積層してなるものであって良い。
【００７４】
次に、透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉの定義が行われる。反射領域Ｉの位置にて表面に突起があるパッド絶縁層７２２が形成される。パッド絶縁層７２２の材質は感光樹脂や光透過できる絶縁材料または光透過できない絶縁材料を用いて良い。
【００７５】
例えば、パッド絶縁層７２２の材質が感光樹脂である。この場合、感光樹脂を透明基板に塗布した上、露光／現像により反射領域のパターン化が行われる。
【００７６】
透過領域及び反射領域のパターン化が完了した後、透過電極７４及び反射電極７３の形成が行われる。ここで、透過領域ＩＩの透過電極７４はスパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜してなるものでありうる。反射領域Ｉの反射電極７３はスパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）またはアルミネオジム（ＡｌＢｄ）合金を形成してなるものでありうる。
【００７７】
次に、透過電極７４と反射電極７３を電気的に接続することにより画素電極が形成される。該画素電極は薄膜トランジスタ７１と電気的に接続される。
【００７８】
一方、他方の透明基板７０２の内側にカラーフィルタ７５が形成された後、反射領域共通電極７６及び透過領域共通電極７７が形成される。
【００７９】
該両電極の形成方法は、スパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜する段階と、透明絶縁層７８を堆積する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより反射領域Ｉに当たる透明絶縁層を除去する段階と、スパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより両電極を分離（電気的遮断）する段階とからなる。
【００８０】
両電極が電気的に遮断されるため、液晶表示器を操作する際、反射領域共通電極７６と透過領域共通電極７７に対しそれぞれ異なる電圧を印加することにより、反射領域における印加電圧と透過領域における印加電圧が異なるように印加電圧を調節することができる。このため、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが重なっていないため同一電圧が印加される反射領域と透過領域のそれぞれの彩度が異なるという従来の問題が解消される。
【００８１】
最後、両透明基板７０１と７０２の内面が対向し合うように両透明基板７０１と７０２を合せた上、液晶を注入し液晶層７９を形成する。ここで、液晶表示器が完成される。
【００８２】
本発明は前記実施例の如く提示されているが、これは本発明を限定するものではなく、当業者は本発明の要旨と範囲内において変形と修正をすることができる。従って、本発明の権利範囲は特許請求の範囲に準じるものである。
【００８３】
【発明の効果】
液晶表示器を操作する際、反射領域共通電極と透過領域共通電極に対しそれぞれ異なる電圧を印加することにより、反射領域における印加電圧と透過領域における印加電圧が異なるように印加電圧を調節することができる。このため、反射領域と透過領域の彩度が一致するようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】プラス型液晶が電圧を印加されていないときの液晶配列パターンを示す図。
【図１Ｂ】プラス型液晶が電圧Ｖ１を印加されているときの液晶配列パターンを示す図である。
【図２Ａ】Ｔ−Ｖカーブ及びＲ−Ｖカーブを示す図である。
【図２Ｂ】従来の半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【図３】本発明の第一の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【図４】本発明の第二の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【図５】本発明の第三の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【図６】本発明の第四の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【図７】本発明の第五の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【符号の説明】
１１ 液晶層
１２ 画素電極
１３ 共通電極
１４ 液晶
２１ 透過電極
２２ 反射電極
２３ 共通電極
３０１，４０１，５０１，６０１，７０１ 一方の透明基板
３０２，４０２，５０２，６０２，７０２ 他方の透明基板
３１，４１，５１，６１，７１ 薄膜トランジスタ
３２１，４２１，５２１，６２１，７２１ 透明絶縁層
３２２，４２２，５２２，６２２，７２２ パッド絶縁層
３３，４３，５３，６３，７３ 反射電極
３４，４４，５４、６４，７４ 透過電極
３５，４５，５５，６５，７５ カラーフィルタ
３６，４６，５６，６６，７６ 反射領域共通電極
３７，４７，５７，６７，７７ 透過領域共通電極
４８，５８，６８，７８ 透明絶縁層
３９，４９，５９，６９，７９ 液晶層
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関わり、特に、透過領域と反射領域に対しそれぞれ異なる共通電圧を印加することにより液晶表示装置の透過領域と反射領域における彩度を同一化する半透過半反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
カラー液晶表示パネルは二つの透明基板とこれらの透明基板間にある液晶層からなる。一般、既存のＴＦＴ液晶表示器においてよく使用されるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶はネマチック液晶（ｎｅｍａｔｉｃ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）である。この種の液晶の分子は空間上一次元的かつ規則的に配列する。全てのネマチック液晶の分子は、各分子の主軸となる長軸が所定の方向に沿い分子同士が平行し合うように、配列する。ネマチック液晶は粘度が低く、流動し易い（この流動性は、主に液晶分子がその長軸方向においてより自由に移動できることから起因する）。
【０００３】
液晶分子は異方性の構成を有するため、その光電効果は方向の相違により異なる。即ち、液晶分子の光電特性（例えば誘電係数や屈折率等）からみると異方性がある。このような特性を利用し入射光の強度を変えることにより表示素子における彩度が形成されるため、表示素子としての応用が可能になる。
【０００４】
例えば、誘電係数ε（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ）は二つの方向における両分量即ちε‖（液晶長軸方向に平行する分量）とε⊥（液晶方向に垂直する分量）に分けられる。ε‖＞ε⊥の場合、液晶は、誘電係数の異方性がプラス型である液晶と呼ばれ（以下単にプラス液晶という）、平行的マッチングの場合に用いられる。一方、ε‖＜ε⊥の場合、液晶は、誘電係数の異方性がマイナス型である液晶と呼ばれ、垂直的マッチングの場合のみに用いられる。電圧が印加される場合、液晶分子の誘電係数異方性がプラスかまたはマイナスかということは液晶分子の回転方向が電圧に平行するかまたは垂直するか、即ち、光が透過するかまたは透過しないかということを左右する。
【０００５】
現在、ＴＦＴ−ＬＣＤにおいてよく利用されるＴＮ型液晶は殆どプラス型誘電係数の液晶である。
【０００６】
図１Ａはプラス型液晶が電圧を印加されていないときの液晶配列パターンを示す図、図１Ｂはプラス型液晶が電圧Ｖ１を印加されているときの液晶配列パターンを示す図である。
【０００７】
図１Ａによると、画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２と共通電極（ｃｏｍｍｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３が電圧を印加されていない場合（または両電極が同様な電圧を印加され液晶層１１における電圧差が０である場合）、即ち、液晶層１１について電圧を印加しない場合、液晶１４は水平方向に沿って平行配列する。このとき、光線が透過領域及び反射領域から透過し液晶表示器において発光することができる。
【０００８】
一方、液晶層１１について電圧を印加し始めると、液晶１４は、水平方向に沿って平行配列することができなくなり、垂直方向に回転し始まる。印加電圧が所定値Ｖ１となると、図１Ｂに示すように、液晶１４は画素電極１２及び共通電極１３に垂直するようになる。このとき、光線が透過領域及び反射領域から透過できず、液晶表示器において発光することができない。
【０００９】
図２ＡはＴ−Ｖカーブ（透過率と印加電圧の関係を示す）及びＲ−Ｖカーブ（反射率と印加電圧の関係を示す）を示す図である。
【００１０】
図２Ａに示すように、印加電圧が大きければ大きいほど透過率または反射率が小さい。したがって、このような特性を利用し入射光の強度を変えることにより彩度を形成することができる。
【００１１】
図２Ｂは従来の半透過半反射型液晶表示装置を示す断面図である。
【００１２】
図２Ｂにおいて、画素電極は電気的に接続し合う透過電極２１と反射電極２２からなるが、共通電極２３はワンピースの透明な導体層からなり、透過領域と反射領域との区分がない。したがって、画素電極及び共通電極が電圧を印加されるとき、透過領域及び反射領域における印加電圧は同様である。
【００１３】
しかし、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが同様でない（即ち、重なっていない。図２Ａ参照）。このため、同一の印加電圧において、光線の透過率と反射率が異なり、反射領域における彩度と透過領域における彩度が異なる。したがって、液晶表示器において反射領域の色彩と透過領域の色彩が異なる。よって、透過方式による彩度と反射方式による彩度が異なる（透過方式とは液晶表示器自体の光源を以って透過領域における表示を行う方式を、反射方式とは液晶表示器外部の光源を以って反射領域における表示を行う方式を言う）。例えば、透過方式を用いる場合、表示器は青色を呈するが、反射方式を用いる場合、表示器は薄い青色を呈する。これにより、使用者が製品の質について疑問を抱える問題が生じられる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
前記のように、従来の半透過半反射型液晶表示器は、その共通電極がワンピースの透明導体層からなり、透過領域と反射領域との区分がない。このため、画素電極及び共通電極が電圧を印加されるとき、透過領域及び反射領域における印加電圧は同様である。しかし、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが同様でないため、液晶表示器の表示において、透過方式による彩度と反射方式による彩度が異なる。
【００１５】
前記のような問題点を解決するため、本発明の目的は、透過領域と反射領域に対しそれぞれ異なる共通電圧を印加することにより液晶表示器において透過領域の彩度と反射領域の彩度を一致させることが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明の液晶表示装置は、複数の透過領域及び複数の反射領域を有する第１基板と、前記透過領域に位置する透過電極と、前記反射領域に位置し前記透過電極と電気的に接続する反射電極と、前記透過領域に当たる上方に位置する複数の第１共通電極、及び前記第１共通電極と電気的に接続しない且つ前記反射領域に当たる上方に位置する複数の第２共通電極を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に位置する液晶層とから構成される。
【００１７】
また、前記液晶表示装置において、前記第１共通電極は前記反射領域に当たる上方までに延在することが好ましい。
【００１８】
また、前記液晶表示装置において、前記第２共通電極は前記透過領域に当たる上方までに延在することが好ましい。
【００１９】
また、前記液晶表示装置において、前記第１基板と前記第２基板は透明基板でありうる。
【００２０】
また、前記液晶表示装置において、前記透過電極は透明導体でありうる。なお、該透明導体の材質がインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を用いても良い。
【００２１】
また、前記液晶表示装置において、前記反射電極が金属層から構成されて良い。なお、該金属層の材質がＡｌ、Ａｇ及びＡｌＮｄ合金のうちいずれかでありうる。
【００２２】
また、前記液晶表示装置において、前記第１共通電極と前記第２共通電極は透明導体層から構成されて良い。なお、前記透明導体層の材質がインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）でありうる。
【００２３】
また、前記液晶表示装置において、前記第１共通電極と前記第２基板の距離は前記第２共通電極と前記第２基板の距離に等しいことが好ましい。
【００２４】
また、液晶表示装置において、前記第１共通電極と前記第２基板の距離は前記第２共通電極と前記第２基板の距離より短くても良い。
【００２５】
液晶表示装置において、前記第１共通電極と前記第２基板の距離は前記第２共通電極と前記第２基板の距離より長くても良い。
【００２６】
【発明の実施の形態】
前記の目的を達成して従来の欠点を除去するための課題を実行する本発明の実施例の構成とその作用を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００２７】
図３は本発明の第一の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【００２８】
図３において、半透過半反射型液晶表示器は、その画素のいずれかが二つの部分、即ち透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉからなる。液晶表示器の形成は下記の通りである。
【００２９】
まず、一方の透明基板３０１の内側に順に薄膜トランジスタ３１と透明絶縁層３２１が形成される。ここで、透明絶縁層３２１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）層またはこれらを積層してなるものであって良い。
【００３０】
次に、透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉの定義が行われる。反射領域Ｉの位置にて表面に突起（ｂｕｍｐ）があるパッド絶縁層３２２が形成される。パッド絶縁層３２２の材質は感光樹脂や光透過できる絶縁材料または光透過できない絶縁材料を用いて良い。
【００３１】
例えば、パッド絶縁層３２２の材質が感光樹脂である。この場合、感光樹脂を透明基板に塗布した上、露光／現像により反射領域のパターン化が行われる。
【００３２】
透過領域及び反射領域のパターン化が完了した後、透過電極３４及び反射電極３３の形成が行われる。ここで、透過領域ＩＩの透過電極３４はスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を成膜してなるものでありうる。反射領域Ｉの反射電極３３はスパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）またはアルミネオジム（ＡｌＢｄ）合金を成膜してなるものでありうる。
【００３３】
次に、透過電極３４と反射電極３３を電気的に接続することにより画素電極が形成される。該画素電極は薄膜トランジスタ３１と電気的に接続される。
【００３４】
一方、他方の透明基板３０２の内側にカラーフィルタ３５が形成された後、反射領域共通電極３６及び透過領域共通電極３７が形成される。
【００３５】
該両電極の形成方法は、スパッタ法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を成膜する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより両電極を分離（電気的遮断）する段階から構成される。
【００３６】
両電極が電気的に遮断されるため、液晶表示器を操作する際、反射領域共通電極３６と透過領域共通電極３７に対しそれぞれ異なる電圧を印加することにより、反射領域における印加電圧と透過領域における印加電圧が異なるように印加電圧を調節することができる。よって、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが重なっていないため同一電圧が印加される反射領域と透過領域のそれぞれの彩度が異なるという従来の問題が解消される。
【００３７】
最後、両透明基板３０１と３０２の内面が対向し合うように両透明基板３０１と３０２を合せた上、液晶を注入し液晶層３９を形成する。ここで、液晶表示器が完成される。
【００３８】
図４は本発明の第二の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【００３９】
図４において、半透過半反射型液晶表示器は、その画素のいずれかが二つの部分、即ち透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉからなる。液晶表示器の形成は下記の通りである。
【００４０】
まず、一方の透明基板４０１の内側に順に薄膜トランジスタ４１と透明絶縁層４２１が形成される。ここで、透明絶縁層４２１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）層またはこれらを積層してなるものであって良い。
【００４１】
次に、透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉの定義が行われる。反射領域Ｉの位置にて表面に突起があるパッド絶縁層４２２が形成される。パッド絶縁層４２２の材質は感光樹脂や光透過できる絶縁材料または光透過できない絶縁材料を用いて良い。
【００４２】
例えば、パッド絶縁層４２２の材質が感光樹脂である。この場合、感光樹脂を透明基板に塗布した上、露光／現像により反射領域のパターン化が行われる。
【００４３】
透過領域及び反射領域のパターン化が完了した後、透過電極４４及び反射電極４３の形成が行われる。ここで、透過領域ＩＩの透過電極４４はスパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜してなるものでありうる。反射領域Ｉの反射電極４３はスパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）またはアルミネオジム（ＡｌＢｄ）合金を形成してなるものでありうる。
【００４４】
次に、透過電極４４と反射電極４３を電気的に接続することにより画素電極が形成される。該画素電極は薄膜トランジスタ４１と電気的に接続される。
【００４５】
一方、他方の透明基板４０２の内側にカラーフィルタ４５が形成された後、反射領域共通電極４６及び透過領域共通電極４７が形成される。
【００４６】
該両電極の形成方法は、透明絶縁層４８を堆積する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより透過領域ＩＩに当たる透明絶縁層を除去する段階と、スパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより両電極を分離（電気的遮断）する段階からなる。
【００４７】
両電極が電気的に遮断されるため、液晶表示器を操作する際、反射領域共通電極４６と透過領域共通電極４７に対しそれぞれ異なる電圧を印加することにより、反射領域における印加電圧と透過領域における印加電圧が異なるように印加電圧を調節することができる。このため、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが重なっていないため同一電圧が印加される反射領域と透過領域のそれぞれの彩度が異なるという従来の問題が解消される。
【００４８】
最後、両透明基板４０１と４０２の内面が対向し合うように両透明基板４０１と４０２を合せた上、液晶を注入し液晶層４９を形成する。ここで、液晶表示器が完成される。
【００４９】
図５は本発明の第三の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【００５０】
図５において、半透過半反射型液晶表示器は、その画素のいずれかが二つの部分、即ち透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉからなる。液晶表示器の形成は下記の通りである。
【００５１】
まず、一方の透明基板５０１の内側に順に薄膜トランジスタ５１と透明絶縁層５２１が形成される。ここで、透明絶縁層５２１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）層またはこれらを積層してなるものであって良い。
【００５２】
次に、透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉの定義が行われる。反射領域Ｉの位置にて表面に突起があるパッド絶縁層５２２が形成される。パッド絶縁層５２２の材質は感光樹脂や光透過できる絶縁材料または光透過できない絶縁材料を用いて良い。
【００５３】
例えば、パッド絶縁層５２２の材質が感光樹脂である。この場合、感光樹脂を透明基板に塗布した上、露光／現像により反射領域のパターン化が行われる。
【００５４】
透過領域及び反射領域のパターン化が完了した後、透過電極５４及び反射電極５３の形成が行われる。ここで、透過領域ＩＩの透過電極５４はスパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜してなるものでありうる。反射領域Ｉの反射電極５３はスパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）またはアルミネオジム（ＡｌＢｄ）合金を形成してなるものでありうる。
【００５５】
次に、透過電極５４と反射電極５３を電気的に接続することにより画素電極が形成される。該画素電極は薄膜トランジスタ５１と電気的に接続される。
【００５６】
一方、他方の透明基板５０２の内側にカラーフィルタ５５が形成された後、反射領域共通電極５６及び透過領域共通電極５７が形成される。
【００５７】
該両電極の形成方法は、スパッタ法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を成膜する段階と、透明絶縁層５８を堆積する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより透過領域ＩＩに当たる透明絶縁層を除去する段階と、スパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより両電極を分離（電気的遮断）する段階とからなる。
【００５８】
両電極が電気的に遮断されるため、液晶表示器を操作する際、反射領域共通電極５６と透過領域共通電極５７に対しそれぞれ異なる電圧を印加することにより、反射領域における印加電圧と透過領域における印加電圧が異なるように印加電圧を調節することができる。このため、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが重なっていないため同一電圧が印加される反射領域と透過領域のそれぞれの彩度が異なるという従来の問題が解消される。
【００５９】
最後、両透明基板５０１と５０２の内面が対向し合うように両透明基板５０１と５０２を合せた上、液晶を注入し液晶層５９を形成する。ここで、液晶表示器が完成される。
【００６０】
図６は本発明の第四の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【００６１】
図６において、半透過半反射型液晶表示器は、その画素のいずれかが二つの部分、即ち透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉからなる。液晶表示器の形成は下記の通りである。
【００６２】
まず、一方の透明基板６０１の内側に順に薄膜トランジスタ６１と透明絶縁層６２１が形成される。ここで、透明絶縁層６２１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）層またはこれらを積層してなるものであって良い。
【００６３】
次に、透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉの定義が行われる。反射領域Ｉの位置にて表面に突起があるパッド絶縁層６２２が形成される。パッド絶縁層６２２の材質は感光樹脂や光透過できる絶縁材料または光透過できない絶縁材料を用いて良い。
【００６４】
例えば、パッド絶縁層６２２の材質が感光樹脂である。この場合、感光樹脂を透明基板に塗布した上、露光／現像により反射領域のパターン化が行われる。
【００６５】
透過領域及び反射領域のパターン化が完了した後、透過電極６４及び反射電極６３の形成が行われる。ここで、透過領域ＩＩの透過電極６４はスパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜してなるものでありうる。反射領域Ｉの反射電極６３はスパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）またはアルミネオジム（ＡｌＢｄ）合金を形成してなるものでありうる。
【００６６】
次に、透過電極６４と反射電極６３を電気的に接続することにより画素電極が形成される。該画素電極は薄膜トランジスタ６１と電気的に接続される。
【００６７】
一方、他方の透明基板６０２の内側にカラーフィルタ６５が形成された後、反射領域共通電極６６及び透過領域共通電極６７が形成される。
【００６８】
該両電極の形成方法は、透明絶縁層６８を堆積する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより反射領域Ｉに当たる透明絶縁層を除去する段階と、スパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより両電極を分離（電気的遮断）する段階とからなる。
【００６９】
両電極が電気的に遮断されるため、液晶表示器を操作する際、反射領域共通電極６６と透過領域共通電極６７に対しそれぞれ異なる電圧を印加することにより、反射領域における印加電圧と透過領域における印加電圧が異なるように印加電圧を調節することができる。このため、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが重なっていないため同一電圧が印加される反射領域と透過領域のそれぞれの彩度が異なるという従来の問題が解消される。
【００７０】
最後、両透明基板６０１と６０２の内面が対向し合うように両透明基板６０１と６０２を合せた上、液晶を注入し液晶層６９を形成する。ここで、液晶表示器が完成される。
【００７１】
図７は本発明の第五の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【００７２】
図７において、半透過半反射型液晶表示器は、その画素のいずれかが二つの部分、即ち透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉからなる。液晶表示器の形成は下記の通りである。
【００７３】
まず、一方の透明基板７０１の内側に順に薄膜トランジスタ７１と透明絶縁層７２１が形成される。ここで、透明絶縁層７２１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）層またはこれらを積層してなるものであって良い。
【００７４】
次に、透過領域ＩＩ及び反射領域Ｉの定義が行われる。反射領域Ｉの位置にて表面に突起があるパッド絶縁層７２２が形成される。パッド絶縁層７２２の材質は感光樹脂や光透過できる絶縁材料または光透過できない絶縁材料を用いて良い。
【００７５】
例えば、パッド絶縁層７２２の材質が感光樹脂である。この場合、感光樹脂を透明基板に塗布した上、露光／現像により反射領域のパターン化が行われる。
【００７６】
透過領域及び反射領域のパターン化が完了した後、透過電極７４及び反射電極７３の形成が行われる。ここで、透過領域ＩＩの透過電極７４はスパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜してなるものでありうる。反射領域Ｉの反射電極７３はスパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）またはアルミネオジム（ＡｌＢｄ）合金を形成してなるものでありうる。
【００７７】
次に、透過電極７４と反射電極７３を電気的に接続することにより画素電極が形成される。該画素電極は薄膜トランジスタ７１と電気的に接続される。
【００７８】
一方、他方の透明基板７０２の内側にカラーフィルタ７５が形成された後、反射領域共通電極７６及び透過領域共通電極７７が形成される。
【００７９】
該両電極の形成方法は、スパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜する段階と、透明絶縁層７８を堆積する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより反射領域Ｉに当たる透明絶縁層を除去する段階と、スパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯを成膜する段階と、フォトリソグラフィ及びエッチングにより両電極を分離（電気的遮断）する段階とからなる。
【００８０】
両電極が電気的に遮断されるため、液晶表示器を操作する際、反射領域共通電極７６と透過領域共通電極７７に対しそれぞれ異なる電圧を印加することにより、反射領域における印加電圧と透過領域における印加電圧が異なるように印加電圧を調節することができる。このため、Ｔ−ＶカーブとＲ−Ｖカーブが重なっていないため同一電圧が印加される反射領域と透過領域のそれぞれの彩度が異なるという従来の問題が解消される。
【００８１】
最後、両透明基板７０１と７０２の内面が対向し合うように両透明基板７０１と７０２を合せた上、液晶を注入し液晶層７９を形成する。ここで、液晶表示器が完成される。
【００８２】
本発明は前記実施例の如く提示されているが、これは本発明を限定するものではなく、当業者は本発明の要旨と範囲内において変形と修正をすることができる。従って、本発明の権利範囲は特許請求の範囲に準じるものである。
【００８３】
【発明の効果】
液晶表示器を操作する際、反射領域共通電極と透過領域共通電極に対しそれぞれ異なる電圧を印加することにより、反射領域における印加電圧と透過領域における印加電圧が異なるように印加電圧を調節することができる。このため、反射領域と透過領域の彩度が一致するようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】プラス型液晶が電圧を印加されていないときの液晶配列パターンを示す図。
【図１Ｂ】プラス型液晶が電圧Ｖ１を印加されているときの液晶配列パターンを示す図である。
【図２Ａ】Ｔ−Ｖカーブ及びＲ−Ｖカーブを示す図である。
【図２Ｂ】従来の半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【図３】本発明の第一の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【図４】本発明の第二の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【図５】本発明の第三の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【図６】本発明の第四の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【図７】本発明の第五の実施例に係る半透過半反射型液晶表示器を示す断面図である。
【符号の説明】
１１ 液晶層
１２ 画素電極
１３ 共通電極
１４ 液晶
２１ 透過電極
２２ 反射電極
２３ 共通電極
３０１，４０１，５０１，６０１，７０１ 一方の透明基板
３０２，４０２，５０２，６０２，７０２ 他方の透明基板
３１，４１，５１，６１，７１ 薄膜トランジスタ
３２１，４２１，５２１，６２１，７２１ 透明絶縁層
３２２，４２２，５２２，６２２，７２２ パッド絶縁層
３３，４３，５３，６３，７３ 反射電極
３４，４４，５４、６４，７４ 透過電極
３５，４５，５５，６５，７５ カラーフィルタ
３６，４６，５６，６６，７６ 反射領域共通電極
３７，４７，５７，６７，７７ 透過領域共通電極
４８，５８，６８，７８ 透明絶縁層
３９，４９，５９，６９，７９ 液晶層
Claims (8)
- 複数の透過領域及び複数の反射領域を有する第１基板と、
前記透過領域に位置する透過電極と、
前記反射領域に位置し前記透過電極と電気的に接続する反射電極と、
前記透過領域に当たる上方に位置する複数の第１共通電極、及び前記第１共通電極と電気的に接続しない且つ前記反射領域に当たる上方に位置する複数の第２共通電極を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に位置する液晶層とからなる液晶表示装置。 - 前記第１共通電極は前記反射領域に当たる上方までに延在することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
- 前記第２共通電極は前記透過領域に当たる上方までに延在することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
- 前記第１基板と前記第２基板は透明基板であることを特徴とする請求項１、２または３に記載の液晶表示装置。
- 前記反射電極が金属層からなり、該金属層の材質がＡｌ、Ａｇ及びＡｌＮｄ合金のうちいずれかであることを特徴とする請求項１、２または３に記載の液晶表示装置。
- 前記第１共通電極と前記第２基板の距離は前記第２共通電極と前記第２基板の距離に等しいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
- 前記第１共通電極と前記第２基板の距離は前記第２共通電極と前記第２基板の距離より短いことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
- 前記第１共通電極と前記第２基板の距離は前記第２共通電極と前記第２基板の距離より長いことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
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