JP2004529954A - 無水カルボン酸からのケトンの製造方法 - Google Patents

無水カルボン酸からのケトンの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】カルボン酸から調製される比較的非反応的なカルボン酸誘導体を、ホウ酸誘導体と反応させてケトンを得る。
【解決手段】本発明は、遷移金属触媒の存在のもとにホウ酸誘導体とカルボン酸無水物とを反応させてケトンを製造する方法に関する。カルボン酸無水物は分離型を用いても良く、又は反応混合物中で製造しても良い。本方法では、多数の感応性ケトンを一回の反応工程で簡単に実現できる。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、遷移金属触媒の存在のもとにカルボン酸無水物をホウ酸誘導体と反応させてケトンを調整する方法に関する。カルボン酸無水物は、分離型で用いても良く、又はカルボン酸の反応混合物中に生成しても良い。この方法では、多種の官能性ケトンを１回の反応工程で簡単に調整することが可能である。
【０００２】
ケト基は、例えばエタクリン酸（ethacrynic acid）、セリオプロロル（celioprolol）、トルペリゾン（tolperisone）、アセペロン（aceperone）、その他多種のように、一連の薬理学的に重要な化合物中で重要な官能基である。ケト基を感受性官能性分子に導入する緩やかかつ効果的な方法について、従って非常に関心が高い。
【０００３】
アリルアルキルケトンは、一般的にフリーデル−クラフツ反応のアシル化により得られる、しかしこの方法では、ただ芳香環上のある置換パターンや分離が難しい異性体混合物が得られるのみである。（例えば、以下を参照。J. March, Advanced Organic Chemistry, Wiley, New York, 3rd Edition, 1985, 484-487, 496-497）。
【０００４】
これとは別に、カーボン求核試薬をカルボン酸誘導体に添加する方法がケトンの合成に有効であることがわかった。しかしながら、カルボン酸のケトンへの直接変換は、例えば、アルキルリチウム化合物のような、いくつかの高反応性カーボン求核試薬についてのみしか知られていない。適正な反応条件を選択すれば、反応は第三アルコールを生成しないケトンの段階に留まる。代表的な方法は、例えば、以下に記載されている。M. J. Jorgenson, Org. React. 1970, 18, 1-97; G. M. Rubottom, C. Kim, J. Org. Chem. 1983, 48, 1550; または、Y. Ahn, T. Cohen, Tetrahedron Lett. 1994, 35, 203-206。不利な点は、この条件ではほんの少しの官能基しか受容できないことである。
【０００５】
もっと代表的な改良型は、カーボン求核試薬と、例えばニトリル、酸塩化物またはバインレブアミド（Weinreb amides）のような、反応性カルボン酸誘導体との反応である。ある場合には、これらは別途の反応工程でまずカルボン酸から調製しなければならない。この反応のためには、例えば、グリナール試薬、有機リチウム化合物、銅塩または有機亜鉛化合物のような、多量のカーボン求核試薬が使用される。これについては、以下に記載がある。F. A. Carey, R. J. Sundberg, Organische Chemie, VCH, Weinheim, 1995, 1105-1248。この反応例のいくつかを図１に示した。図１には、カルボン酸誘導体からケトンを得る従来の合成法を示した。
【０００６】
(図１)
Figure 2004529954
【０００７】
グリニヤール試薬および有機リチウム化合物を用いることの不利な点は、有機金属またはカルボニル成分に感受性官能基がないことである。Ｃ＝Ｃの二重結合、アルコキシまたはアセタール基のみ受容できるが、例えば、ＯＨ、ＮＨ、Ｃ＝Ｏ、ＮＯ２およびＣＮ基、そしてまた酸性Ｃ−Ｈ基、では副反応が生じる。
【０００８】
実質的に官能基をより受容できるのは有機亜鉛化合物であり、例えば以下の例に記載されている。P. Knochel, R. D. Singer, Chem. Rev. 1993, 93, 2117またはF. A. Carey, R. J. Sundberg, Organishe Chemie, VCH, Weinheim, 1995, 1128-1132。しかしながら、不利な点は、例えばグリニヤール化合物を用いる場合のように間接的にのみしか得られないことであり、また、酸素や湿気に対して感受性が高いことから、取扱いが簡単ではない。この点にについては下記に記載がある。J. Boersma, Comprehensive Organic Chemistry, G. Wilkinson (Ed.), Pergamon Press, Oxford, 1982, 1974またはP. T. Li, T. P. Burns, S.T. Uhm, J. Org. Chem. 1981, 46, 4323。
【０００９】
銅塩については、例えば、J. F. Normant. Synthesis, 1972, 63-80: G. H. Posner, An Introduction to Synthesis using Organnocopper Reagents, Wiley, New York, 1980, 68-81; O. P. Vig, S. D. Sharma, J. C. Kapur, J. Ind. Chem Soc. 1969, 46, 167; A. E. Jukes, S. S. Dua, H. Gilman, J. Organomet. Chem. 1970, 21, 241,に記載されており、同様に多くの官能基に適合するが、一般的に最初により反応性の化合物から調製しなければならない。
【００１０】
錫およびカドミウム化合物はまた、選択的にカルボン酸誘導体と反応させることができる。例えば、P. R. Jones, P. J. Desio, Chem. Rev. 1978, 78, 491; E. R. Burkhardt, R. D. Rieke, J. Org. Chem. 1985, 50, 416; J. Carson, F. S. Prout, Org. Synth. III 1955, 601,に記載がある。ところが、これらを用いると、毒性のためにかなり限定される。
【００１１】
触媒を用いないカップリング反応を除いて、遷移金属触媒の交差カップリング反応は、例えば金属Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔがまた重要である。
【００１２】
交差カップリングの出発原料としては、ホウ酸誘導体が有利であることがわかっている。
というのは、例えば、前記したグリニヤール化合物または亜鉛化合物と違って、毒性が少ないこと、および空気や湿気に対して否感受性であり、高純度品で貯蔵でき取扱いも容易であるからである。ホウ酸ピナコールエステルは蒸留またはクロマトグラフ分離できる。
【００１３】
例えば、他の有機金属化合物をホウ酸エステルと反応させるか、または、例えば、ビスピナコルジボロンまたはピナコルボランとビニル、アリルまたはヘテロアリルハロゲン化物またはトリフレートとのパラジウム触媒カップリング反応により、ルイス酸の存在のもとで芳香族をホウ酸エステルに置換することで、多数のアルキル−、ビニル−、アリル−、またはヘテロアリルホウ酸誘導体を簡単な方法で得ることができる。後者の反応では、広範囲の官能基を受容できる。
【００１４】
ホウ酸を用いた各種パラジウム触媒によるケトン合成は文献に記載されている。これら合成では、反応性カルボン酸誘導体は、パラジウム錯体の存在のもとでホウ酸と反応してケトンを生成する。特に、カルボニル塩化物、カルボン酸チオエステルおよびパーフルオロフェノールカルボン酸塩の交差カップリングが知られている。
【００１５】
カルボニル塩化物を用いることの不利な点は、まずカルボン酸、および、猛烈な塩素化試薬である通常塩化チオニルから、別の反応工程により調整しなければならないことである（R. K. Dieter, Tetrahedron 1999, 55, 4177-4236; M. P. Sibi, Org. Prep. Proced. Int. 1993, 25, 15-40; V. Farina, V. Krishnamurthy, W. Scott in Organic Reactions, Wiley, New York, 1997, Vol. 50, 1-652）。従って、また前述の反応条件のもとで安定な誘導体のみを調整することが可能となる。カルボニル塩化物の交差カップリングには化学量論的量の基剤の添加が必要であり、大量の無機塩の副生成物が必然的に生成するので、これらを除去したり処理するにはコスト高となる。さらに不利なことは、カルボニル塩化物の加水分解感受性が高いので、反応中に水を厳しく排除することが必要である。
【００１６】
Ｌ．Ｌｉｅｂｅｓｋｉｎｄその他は、パラジウム触媒のもとでチオエステルとホウ酸を反応させてケトンを得た例を報告している（L. Liebenskind, J. Srogl, J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 11260-11261）。この方法では、感受性ケトンを高効率で調製することができる。欠点は、化学量論的量の銅を高価なチオフェンカルボン酸塩の形で用いなければならないことである。反応の間、多量の銅排出物が発生するので、その処理のためコスト高となる。さらに不利なことは、別の反応段階で高臭気で毒性のチオールからチオエステルを予備調製することがこの方法には必要なことである。
【００１７】
山本その他は、フェノールパーフルオロアルキルカルボン酸塩をパラジウム触媒のもとでホウ酸と反応させて、パーフルオロアルキルケトンを得る方法を報告している（R. Kakino, I. Shimizu, A. Yamamoto, Bull. Chem. Soc. JP. 2001, 74, 371-376）。しかしながら、反応は高反応性のパーフルオロカルボキシルエステルに限定され、他のカルボキシル酸誘導体には適用できない。さらに他の不利なことは、フェノールエステルがインサイツで生成できないことである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
それゆえ、比較的簡単な方法でカルボン酸から調製される比較的非反応的なカルボン酸誘導体を、ホウ酸誘導体と反応させてケトンを得る方法であって、いわゆる、操作が簡単であり、反応が穏やかであり、排出物が少なく、健康に害を与えることなく格安の試薬が用い得るような一般的な方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記課題を解決するために、本発明の第１の態様は、ホウ酸誘導体をカルボン酸無水物と反応させてケトンを調整する方法であって、前記反応が遷移金属触媒の存在のもとに行われ、前記用いる遷移金属がＰｄ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｃｕの群のいずれか一つであることを特徴とするケトンの調製方法である。
【００２０】
本発明の第２の態様は、前記用いる遷移金属は、Ｐｄであることを特徴とするケトンの調製方法である。
【００２１】
本発明の第３の態様は、前記反応は、水の存在のもとで行われることを特徴とするケトンの調製方法。
【００２２】
本発明の第４の態様は、前記無水物は、対応するカルボン酸からインサイツ法により調整されることを特徴とするケトンの調製方法である。
【００２３】
本発明の第５の態様は、前記無水物は、カルボン酸を無水物と反応させてインサイツ法により生成されることを特徴とするケトンの調製方法である。
【００２４】
本発明の第６の態様は、前記反応は、下記の化学式１のカルボン酸無水物を用いて行われることを特徴とするケトンの調製方法である。
【化１】
Figure 2004529954
ここで、置換基Ｒ１およびＲ２は、以下の各基、すなわち水素、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ１４−アルキル、アリル、ビニル、またはピリジン、ピリミジン、ピロール、チオフェン、フランの各基のヘテロアリル、からそれぞれ別々に選択され、そして、それら自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルアミニカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アリルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、フォルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノおよび、例えばフッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲンのさらなる置換基を生ぜしめる。
【００２５】
本発明の第７の態様は、前記カルボン酸は、下記の化学式２で示されるものであることを特徴とするケトンの調製方法である。
【化２】
Figure 2004529954
ここで置換式Ｒ１は、下記の各基、すなわち、水素、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ１４−アルキル、アリル、ビニルまたはピリジン、ピリミジン、ピロール、チオフェン、フランの各基のヘテロアリルから選択され、そしてそれ自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルアミニカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アリルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、ホルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノおよびフッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲンのさらなる置換基を生ぜしめる。
【００２６】
本発明の第８の態様は、前記カルボン酸は、化学式３のカルボン酸無水物とインサイツ法により反応させることを特徴とするケトンの調製方法である。
【化３】
Figure 2004529954
ここで置換基Ｒ４およびＲ５は、以下の各基、すなわち、水素、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ１４−アルキル、アリル、ビニルまたはピリジン、ピリミジン、ピロール、チオフェン、フランの各基のヘテロアリルからそれぞれ別々に選択され、そして、それら自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルアミニカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アリルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、ホルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノおよびフッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲンのさらなる置換基を生ぜしめる。
【００２７】
本発明の第９の態様は、化学式４で示されるホウ酸誘導体が用いられることを特徴とするケトンの調製方法である。
【化４】
Figure 2004529954
ここで、Ｚ１およびＺ２は、ヒドロキシル、ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシ、アリルオキシ、フッ素、臭素、塩素、ヨウ素の各基の置換基であり、Ｚ１およびＺ２ラジカルは、またＣ−Ｃ結合または直鎖または分枝鎖アルキル架橋、ビニル基またはアリル基により連結され、Ｒ３は、アルキル、アリル、ビニルまたはピリジン、ピリミジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、チオフェン、フランの各基のヘテロラジカルアリルの各基であり、そして、それ自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ８−アリル、ビニル、またはピリジン、ピリミジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、チオフェン、フラン、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ８−アリル、Ｃ１−Ｃ８−アリルカルボニル、直鎖およびおよび分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アリル−またはＣ１−Ｃ８−アリルオキシカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、フォルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノ、アミノおよび、例えばフッ素、塩素、臭素、およびヨウ素のようなハロゲンからさらなる置換基を生ぜしめる。
【００２８】
本発明の第１０の態様は、パラジウム触媒は、パラディウム（II）塩およびフォスフィン試薬ＰＲ１Ｒ２Ｒ３から生成させることを特徴とするケトンの調製方法である。
ここで、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、以下の各基、すなわち水素、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル、アリル、ビニルまたはピリジン、ピリミジン、ピロール、チオフェン、フランの各基のヘテロアリルの置換基であり、そして、それら自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ８−アリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ８−アリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルオキシカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノ、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アリルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、ホルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノおよび、例えばフッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲンのさらなる置換基に置換される。
【００２９】
本発明の第１１の態様は、用いるフォスフィン試薬は、トリフェニルフォスフィン、トリ−（４−メトキシフェニル）フォスフィン、トリシクロヘキシルフォスインまたはジフェニルフォスフィノフェロセンであることを特徴とするケトンの調製方法である。
【００３０】
本発明の第１２の態様は、遷移金属の量に基づき１から２０等量のフォスフィンを用いることを特徴とするケトンの調製方法である。
【００３１】
本発明の第１３の態様は、ホウ酸誘導体に基づき０．００１から２０ｍｏｌ％の遷移金属触媒を用いることを特徴とするケトンの調製方法である。
【００３２】
本発明の第１４の態様は、前記反応は、ホウ酸誘導体に基づき１から２０等量の水の存在のもとに進めることを特徴とするケトンの調製方法である。
【００３３】
本発明の第１５の態様は、前記反応は、溶剤としてのエーテル中で進めることを特徴とするケトンの調製方法である。
【００３４】
本発明の第１６の態様は、前記反応は、０℃から８０℃の温度範囲で進めることを特徴とするケトンの調製方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
カルボン酸無水物１およびホウ酸誘導体２からケトン３を調製する方法を発明したが、驚くべきことに、反応はパラジウム触媒（図２参照）の存在のもとで行われることに特徴がある。Ｐｄを除いて、他の交差カップリング反応に適すと知られている有用金属には、例えば、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕがある。なお、図２は、カルボン酸無水物のケトンへの変換を示した。
【００３６】
（図２）
Figure 2004529954
【００３７】
カルボニル塩化物又はカルボキシルチオエステルを用いる前述の方法と対照的に、本発明の方法では、驚くべきことに基剤を必要としない。材料コストが下がり、生成物の分離が簡単になるので有利である。
【００３８】
カルボニル塩化物に比較して、カルボン酸無水物はより際立って反応性が低いことが特徴であり、カルボニル塩化物と違って、基剤がなくても、例えば、ＯＨ基のような官能基と、とにかく、ゆっくり反応する。基剤がない状態でカルボン酸無水物が交差カップリングすることは驚くべき発見であった、というのは、パラジウム触媒に添加しても同様の反応挙動が期待できるからである。
【００３９】
本発明方法により生成される副生成物は、カルボン酸とホウ酸またはこれらの誘導体である。カルボン酸は蒸留または抽出により除去し、多数の公知の方法により対応する無水物に変換され、再使用される。本発明の方法によれば、前述の標準的な方法に比べて排出物の量を相当に下げることができる。この方法は、従来法に比べさらなる有利な点を構成している。
【００４０】
望むならば、無水物は、大量を容易に入手できるカルボン酸４、およびカルボン酸無水物５とから、本発明のインサイツ法により生成することができる。図３を参照。図３は、カルボン酸のケトンへの変換を示した。ケトン３とケトン７の２種のどちらが形成されるかは、Ｒ１ラジカルの大きさによって決定され、Ｒ２はＲ１に比べより立体的に厳しく（sterically demanding）、ケトン３は相当に選択性をもって生成される。本発明によるこの改良法の副生成物はカルボン酸であり、公知の方法により対応する無水物に再使用される。この改良法は、変換させるカルボン酸４が高価なときには特に有利である。
【００４１】
（図３）
Figure 2004529954
【００４２】
この後に述べた改良法は、他のカルボン酸からケトンへの直接変換に比較して、特に実質的に簡単な反応状態であること、および極めて広い基質スペクトル（substrate spectrum）に特徴がある。初めて、この方法は、例えばフェノールエステルのような基剤感受性基を持たせたカルボン酸を、一段反応工程のみでケトンに変換することを可能にする。既存のホウ酸誘導体からケトンへのパラジウム触媒を用いる変換に比べ、一つ工程が少ないので有利である。
【００４３】
驚くべきことに、反応混合物中の水分含有量が少ないことは、カルボニル塩化物の類似の変換のようには不利ではなく、むしろ変換、および反応の選択性を実質的に支えていることがわかった。特に驚くべきことには、無水物はまた水によりゆっくりと加水分解するので、生成ロスは水を添加する場合に実際に予想されるものであった。この事実はまた、カルボニル塩化物法に比較して、本発明による方法がより優位であるという結果をもたらす。というのは、含水溶剤は実質的に無水溶剤に比べて安いからである。
【００４４】
本発明の方法では、一般化学式１のカルボン酸無水物が用いられるか、一般化学式２のカルボン酸および一般化学式３の無水カルボン酸からインサイツ法により生成される。
【００４５】
【化１】
Figure 2004529954
【００４６】
【化２】
Figure 2004529954
【００４７】
【化３】
Figure 2004529954
【００４８】
置換基Ｒ１およびＲ２は、以下の各基、すなわち水素、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ１４−アルキル、アリル、ビニル、またはピリジン、ピリミジン、ピロール、チオフェン、フランの各基のヘテロアリルからそれぞれ別々に選択され、そして、それら自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルアミニカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アリルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、フォルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノおよび、例えばフッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲン、のさらなる置換基を生ぜしめる。
【００４９】
図２に示した本発明の改良法においては、孤立型無水物が用いられているが、好ましくは、一般化学式１のカルボン酸無水物を用い、置換基Ｒ１およびＲ２の両方を同じくする。
【００５０】
図３の本発明による改良法において、一般式２のカルボン酸のＲ１は、下記の各基、すなわち、水素、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ１４−アルキル、アリル、ビニルまたはピリジン、ピリミジン、ピロール、チオフェン、フランの各基のヘテロアリルから選択され、そしてそれ自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルアミニカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アリルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、ホルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノおよびフッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲン、のさらなる置換基を生ぜしめ、そして、一般化学式３の無水物とともに活性化されるが、ここで置換基Ｒ４およびＲ５は、以下の各基、すなわち、水素、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ１４−アルキル、アリル、ビニルまたはピリジン、ピリミジン、ピロール、チオフェン、フランの各基のヘテロアリルからそれぞれ別々に選択され、そして、それら自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルアミニカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アリルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、ホルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノおよびフッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲン、のさらなる置換基を生ぜしめる。
【００５１】
図３の改良法において、それ自身、遷移金属触媒に比べて、図１の反応に対して低い反応性のみを示すことができるように、カルボン酸は一般式３の無水物を用いて活性化されていることが好ましい。一般化学式３のカルボン酸無水物を用い、置換基Ｒ４およびＲ５の両方がカルボキシル基のα位置に分枝されていることが特に好ましい。
ピバリン酸無水物を用いることが、最も好ましい。
【００５２】
用いる反応パートナーは一般化学式４のホウ酸およびこれらの誘導体であり、Ｚ１およびＺ２はヒドロキシル、ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシ、アリルオキシ、フッ素、臭素、塩素、ヨウ素の各基の置換基である。Ｚ１およびＺ２ラジカルは、またＣ−Ｃ結合または直鎖または分枝鎖アルキルまたはアリル架橋により連結される。Ｒ３置換基は、アルキル、アリル、ビニルまたはピリジン、ピリミジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、チオフェン、フランの各基のヘテロラジカルアリルの各基であり、そして、それ自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ８−アリル、ビニル、またはピリジン、ピリミジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、チオフェン、フラン、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ８−アリル、Ｃ１−Ｃ８−アリルカルボニル、直鎖およびおよび分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アリル−またはＣ１−Ｃ８−アリルオキシカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、フォルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノ、アミノおよび、例えばフッ素、塩素、臭素、およびヨウ素のようなハロゲン、の各基からさらなる置換基を生ぜしめる。
【００５３】
【化４】
Figure 2004529954
【００５４】
希望であれば、ホウ酸は、適当なハロゲン化ビニル、ハロゲン化アリルまたはハロゲン化ヘテロアリル、またはビニル、アリルまたは擬ハロゲン化ヘテロアリルと、ジボロン化合物またはボランのどちらとでも先行技術にあるパラジウム触媒の存在のもとで反応させインサイツ法により生成させることができる。
【００５５】
本発明による方法に用いる触媒は、好ましくは、例えば、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウムアセチルアセトネートのような一般的なパラジウム（II）塩であり、選択的に更なる試薬、例えば、フォスフィン、アルキルニトリル、ケトン、またはＰｄ（０）種、例えば、パラジウム賦活活性炭（palladium on activated carbon）またはトリ（ジベンジリデン−アセトン）ジパラジウム（tris(dibenzylidene-acetone)dipalladium)）により安定化される。
【００５６】
特に好ましいのは、例えば、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウムアセチルアセトネートのような一般的なパラジウム（II）塩、
または、Ｐｄ（０）種、例えば、パラジウム賦活活性炭またはトリ（ジベンジルideneアセトン）−ジパラジウムに、フォスフィン試薬ＰＲ１Ｒ２Ｒ３を加えてインサイツ法によりパラジウム触媒を生成させることである。ここで、Ｒｉは、以下の各基、すなわち水素、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル、アリル、ビニルまたはピリジン、ピリミジン、ピロール、チオフェン、フランの各基のヘテロアリルの置換基であり、そして、それら自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ８−アリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ８−アリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルオキシカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノ、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アリルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、ホルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノおよび、例えばフッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲン、のさらなる置換基によって置換される。選択的には、前述の試薬を用いて１又は２工程であらかじめ生成させた特定のパラジウム錯体を用いても良い。
【００５７】
本発明による方法では、用いる遷移金属の量によって１〜２０等量、好ましくは１〜４等量のフォスフィンを用いる。
【００５８】
本発明の方法によれば、酢酸誘導体により０．００１ｍｏｌ％から２０ｍｏｌ％の触媒を用いる。好ましくは、０．０１ｍｏｌ％から３ｍｏｌ％の触媒を用いる。
【００５９】
本発明の方法では、温度が−２０℃から１５０℃で、好ましくは２０℃から１００℃で、より好ましくは４０℃から７０℃で行われる。
【００６０】
本発明の方法は溶剤が存在する、または存在しない状態で行われる。溶剤の存在する状態で行うことが好ましい。好ましい溶剤は水、飽和炭化水素、脂環炭化水素、芳香族炭化水素、アルコール、アミド、スルフォキシド、スルフォン酸、ニトリル、エステルまたはエーテルである。
【００６１】
例えば、用いる溶剤はペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、ベンジン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチレン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメイルエーテル、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｔ−ブチル、ジメチルフォルムアミド、ジエチルフォルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルフォキシド、スルフォラン、アセトニトリル、プロピオニトリル、または水である。
【００６２】
好ましいのは、芳香族炭化水素、アミド、エステルおよびエーテルである。特に好ましいのはエーテルである。
【００６３】
好ましいのは、本発明は水の存在のもとで行うことである。特に好ましいのは、ホウ酸誘導体に基づき０．１から１００等量の水を存在させて行うことである。溶剤および試薬中に存在する水は考慮しなければならない。特段好ましいのは、水２〜２０等量を加えることである。
【００６４】
本発明の方法では、固形分と溶剤の一部を最初に入れ、液状の開始剤を更なる溶剤の一部とともに量り入れることが好ましい。
【００６５】
本発明に対応して調整されたケトンを分離するには、反応混合物は反応の完了次第、好ましくは蒸留および／または抽出または晶出によって仕上げる。
【００６６】
（実施例１）
３−フェニルプロピルフェニルケトンの調製
隔壁キャップおよびマグネッチクスタラーを備えた１００ｍｌ容量のフラスコに、酢酸パラジウム（６７．３ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、ジフェニルフェロセニルフォスフィン（１９４ｍｇ、０．３５ｍｍｏｌ）、３−フェニルプロピオン酸（１．５０ｇ、１０ｍｍｏｌ）およびホウ酸ベンゼン（１．４６ｇ、１２ｍｍｏｌ）を最初に入れた。ＴＨＴ（４０ｍｌ）、水（４５ｍｇ、２．５ｍｍｏｌ）およびピバリン酸無水物（２．７９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を注射器を用いて次々添加した。反応容器は不活性ガスで置換し、反応混合物は数時間で６０℃に加熱した。反応の進み具合は、ガスクロマトグラフィーにて確認した。
完全な変換が得られてから、触媒をシリカゲルを用いてろ過して除き、溶剤は蒸留除去し、残物はヘキサンで再結晶させた。ピバリン酸は母液中に残し、回収された。このようにして、無色結晶の１．７３ｇ（８３％）の３−フェニルプロピルフェニルケトンが得られた。
【００６７】
１Ｈ ＮＭＲ（２００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、２５℃、ＴＭＳ）：δ＝７．９５（ｍ、２Ｈ）、７．６１−７．１９（ｍ、８Ｈ）、３．３２（ｔ、３Ｊ（Ｈ、Ｈ）＝６Ｈｚ、２Ｈ）、３．１３（ｔ、３Ｊ（Ｈ、Ｈ）＝６Ｈｚ，２Ｈ）ｐｐｍ；１３Ｃ ＮＭＲ（５０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、２５℃、ＴＭＳ）：δ＝１９８．８、１４１．８、１４１．０、１３６．５、１３２．７、１２８．３、１２８．２、１２８．１、１２７．７、１２５．８、４０．１、２９．８ｐｐｍ；ＭＳ（７０ｅＶ）：ｍ／ｚ（％）：２１０（５３）［Ｍ＋］、１０５（１００）、７７（４６）、５１（１７）、ＨＲＭＳ：Ｃ１５Ｈ１４Ｏ計算値［Ｍ＋］：２１０．１０４４６５；実測値：２１０．１０４４７；Ｃ１５Ｈ１４Ｏ解析、計算値（２１０．３）：Ｃ ８５．６８％；Ｈ ６．７１％；Ｎ ０．００％；実測値：Ｃ ８５．３７； Ｈ ６．６７； Ｎ ０．００％。
【００６８】
（比較例２−１６）
各例において、１ｍｍｏｌのヘキサノン無水物を、１．２ｍｍｏｌのホウ酸ベンゼン、０．０３ｍｍｏｌの酢酸パラジウム、０．０７ｍｍｏｌの試薬（キレート試薬の場合には０．０３５ｍｍｏｌ）および適量の水、とともに６０℃で１６時間加熱した。生成物はガスクロマログラフィーによって確定した。結果は、表１にまとめた。表１の例９は２０℃におけるデータである。
【００６９】
【表１】
Figure 2004529954
【００７０】
（例１７から２８）
カルボン酸無水物Ｒ１−ＣＯＯＣＯ−Ｒ１およびホウ酸Ｒ３Ｂ（ＯＨ）２からアリルケトンＲ１−ＣＯ−Ｒ３の調整
【００７１】
各例において、１ｍｍｏｌのカルボン酸を、１．２ｍｍｏｌのホウ酸、０．０３ｍｍｏｌの酢酸パラジウム、０．０７ｍｍｏｌのトリ（ｐ−メトキシフェニル）フォスフィンおよび２．５ｍｍｏｌの水とともに４ｍｌのＴＨＴ中で６０℃に１６時間加熱した。生成物はカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２または塩基性Ａｌ２Ｏ３、ヘキサン／酢酸エチル）により仕上げ、１Ｈ および１３Ｃ ＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳおよびＨＲＭＳによって確定した。結果は表２にまとめた。表２の例１９は、試薬は０．０７ｍｍｏｌのＰＣｙ３であり、２６、２７は試薬がＰＰｈ３である。引用した収率は、分離生成物に係る。
【００７２】
【表２】
Figure 2004529954
【００７３】
例２９−４６
ピバリン酸無水物の存在のもとでのカルボン酸Ｒ１−ＣＯＯＨとホウ酸Ｒ３Ｂ（ＯＨ）２からアリルケトンＲ１−ＣＯ−Ｒ３の調整
【００７４】
各例において、１ｍｍｏｌのカルボン酸を、１．５ｍｍｏｌのピバリン酸無水物、１．２ｍｍｏｌのホウ酸。０．０３ｍｍｏｌの酢酸パラジウム、０．０７ｍｍｏｌの試薬（フォスフィンキレートの場合０．０３５ｍｍｏｌ）および２．５ｍｍｏｌの水とともに、ＴＨＦ４ｍｌ中で６０℃で１６時間加熱した。生成物はカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２または塩基性Ａｌ２Ｏ３、ヘキサン／酢酸エチル）により仕上げ、１Ｈおよび１３Ｃ ＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳおよびＨＲＭＳによって確定した。結果は表３にまとめた。表３の、生成物について、ホウ酸のＲ３ラジカルをケト基の左手側に設けた。試薬について、ＡはＰ（ｐ−ＭｅＯＰｈ）であり、ＢはＰＰｈ３であり、ＣはＤＰＰＦであり、ＤはＰＣｙ３である。例３０は溶剤がＤＭＥである。引用した収率は分離生成物に係る。
【００７５】
【表３】
Figure 2004529954
Figure 2004529954
Figure 2004529954
【００７６】
例４７および４８
無水炭酸の存在のもとでのカルボン酸Ｒ１−ＣＯＯＨおよびホウ酸Ｒ３Ｂ（ＯＨ）２からのアリルケトンＲ１−ＣＯ−Ｒ３の調製。
【００７７】
１ｍｍｏｌの安息香酸を、２ｍｍｏｌのジメチルジカーボネート（例４７）またはジ−ｔ−ブチルジカーボネート（例４８）、１．２ｍｍｏｌのホウ酸ベンゼン、０．０３ｍｍｏｌの酢酸パラジウム、０．０７ｍｍｏｌのトリ（ｐ−メトキシフェニル）フォスフィンおよび２．５ｍｍｏｌの水とともに、４ｍｌのＴＨＦ中で６０℃に１６時間加熱した。分離された生成物はベンゾフェノンであり、９１％収率（例４７）であり、２４％収率（例４８）であった。生成物の分光データは、例３３のそれに同じであった。副生成した炭酸誘導体（炭酸モノメチルまたは炭酸ｔ−ブチル）は反応条件で分解してＣＯ２およびメチルアルコールまたはｔ−ブタノールを発生させる。

Claims (16)

  1. ホウ酸誘導体をカルボン酸無水物と反応させてケトンを調整する方法であって、前記反応が遷移金属触媒の存在のもとに行われ、前記用いる遷移金属がＰｄ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕの群のいずれか一つであることを特徴とするケトンの調製方法。
  2. 前記用いる遷移金属は、Ｐｄであることを特徴とする請求項１に記載のケトンの調製方法。
  3. 前記反応は、水の存在のもとで行われることを特徴とする請求項１または２に記載のケトンの調製方法。
  4. 前記無水物は、対応するカルボン酸からインサイツ法により調整されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のケトンの調製方法。
  5. 前記無水物は、カルボン酸を無水物と反応させてインサイツ法により生成されることを特徴とする請求項４に記載のケトンの調製方法。
  6. 前記反応は、下記の化学式１のカルボン酸無水物を用いて行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のケトンの調製方法。
    Figure 2004529954
    ここで、置換基Ｒ１およびＲ２は、以下の各基、すなわち水素、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ１４−アルキル、アリル、ビニル、またはピリジン、ピリミジン、ピロール、チオフェン、フランの各基のヘテロアリル、からそれぞれ別々に選択され、そして、それら自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルアミニカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アリルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、フォルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノおよび、例えばフッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲンのさらなる置換基を生ぜしめる。
  7. 前記カルボン酸は、下記の化学式２で示されるものであることを特徴とする請求項４または５に記載のケトンの調製方法。
    Figure 2004529954
    ここで置換式Ｒ１は、下記の各基、すなわち、水素、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ１４−アルキル、アリル、ビニルまたはピリジン、ピリミジン、ピロール、チオフェン、フランの各基のヘテロアリルから選択され、そしてそれ自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルアミニカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アリルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、ホルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノおよびフッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲンのさらなる置換基を生ぜしめる。
  8. 前記カルボン酸は、化学式３のカルボン酸無水物とインサイツ法により反応させることを特徴とする請求項４または５に記載のケトンの調製方法。
    Figure 2004529954
    ここで置換基Ｒ４およびＲ５は、以下の各基、すなわち、水素、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ１４−アルキル、アリル、ビニルまたはピリジン、ピリミジン、ピロール、チオフェン、フランの各基のヘテロアリルからそれぞれ別々に選択され、そして、それら自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ１０−アリルまたはヘテロアリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルアミニカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アリルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、ホルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノおよびフッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲンのさらなる置換基を生ぜしめる。
  9. 化学式４で示されるホウ酸誘導体が用いられることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載のケトンの調製方法。
    Figure 2004529954
    ここで、Ｚ１およびＺ２は、ヒドロキシル、ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシ、アリルオキシ、フッ素、臭素、塩素、ヨウ素の各基の置換基であり、Ｚ１およびＺ２ラジカルは、またＣ−Ｃ結合または直鎖または分枝鎖アルキル架橋、ビニル基またはアリル基により連結され、Ｒ３は、アルキル、アリル、ビニルまたはピリジン、ピリミジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、チオフェン、フランの各基のヘテロラジカルアリルの各基であり、そして、それ自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ８−アリル、ビニル、またはピリジン、ピリミジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、チオフェン、フラン、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ８−アリル、Ｃ１−Ｃ８−アリルカルボニル、直鎖およびおよび分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アリル−またはＣ１−Ｃ８−アリルオキシカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、フォルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノ、アミノおよび、例えばフッ素、塩素、臭素、およびヨウ素のようなハロゲンからさらなる置換基を生ぜしめる。
  10. パラジウム触媒は、パラディウム（II）塩およびフォスフィン試薬ＰＲ１Ｒ２Ｒ３から生成させることを特徴とする請求項２〜９の何れかに記載のケトンの調製方法。
    ここで、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、以下の各基、すなわち水素、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル、アリル、ビニルまたはピリジン、ピリミジン、ピロール、チオフェン、フランの各基のヘテロアリルの置換基であり、そして、それら自身は、以下の各基、すなわち、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはＣ１−Ｃ８−アリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルオキシまたはＣ１−Ｃ８−アリルオキシ、ハロゲン化直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルまたはハロゲン化Ｃ１−Ｃ８−アリル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキル−またはＣ１−Ｃ８−アリルオキシカルボニル、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−アルキルアミノ、直鎖および分枝鎖Ｃ１−Ｃ８−ジアルキルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−アリルアミノ、Ｃ１−Ｃ８−ジアリルアミノ、ホルミル、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノおよび、例えばフッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲンのさらなる置換基に置換される。
  11. 用いるフォスフィン試薬は、トリフェニルフォスフィン、トリ−（４−メトキシフェニル）フォスフィン、トリシクロヘキシルフォスインまたはジフェニルフォスフィノフェロセンであることを特徴とする請求項１０に記載のケトンの調製方法。
  12. 遷移金属の量に基づき１から２０等量のフォスフィンを用いることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のケトンの調製方法。
  13. ホウ酸誘導体に基づき０．００１から２０ｍｏｌ％の遷移金属触媒を用いることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のケトンの調製方法。
  14. 前記反応は、ホウ酸誘導体に基づき１から２０等量の水の存在のもとに進めることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載のケトンの調製方法。
  15. 前記反応は、溶剤としてのエーテル中で進めることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法
  16. 前記反応は、０℃から８０℃の温度範囲で進めることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
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