JP2004529494A - 低屈折率クラッドを有する光波長フィルタ装置 - Google Patents

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Abstract

光ファイバ等の導波路において、第1の波長λの光を第2の波長λの光から分離するための装置と方法について述べた。λ<λである。本装置は、低屈折率クラッド(16)によって囲まれたコア(12)を有し、低屈折率クラッド(16)は第2のクラッド(18)によって囲まれている。コア断面、低屈折率クラッド断面、第2のクラッドの断面、および、コア、低屈折率クラッド、第2のクラッドの屈折率は、λ<λ<λである基本モードカットオフ波長λを生成し、第2の波長λで高損失を生成すべく選択される。本装置は、フィルタ、増幅器、レーザ、又は、非線形光スイッチとして使用され得る。

Description

【技術分野】
【0001】
本発明は、光波長フィルタ、特には、低屈折率のクラッドを使用した受動および能動フィルタに関する。
【背景技術】
【0002】
光導波路は、制御された状態のある波長範囲内に含まれる、多様なモードと偏光状態の光をガイドするために設計されている。単一モード光ファイバは、光の長距離伝送のための最も一般的な導波路である。分散導波路、イオン交換導波路、ストライプ負荷導波路、プラナ導波路、および高分子導波路は、短距離間で光をガイドする、特に、異なる波長の光を組み合わせる/分離する、非線形光学材料中で光学周波数を混合する、光を変調して多くの機能を集積する、および、小空間中へ動作する、ために一般に使用される。
【0003】
基本的に、導波路において、光ファイバのコア部は通常は高屈折率材料であり、クラッドは通常は低屈折率の材料又は構造であって、従って、受け入れコーン内の高屈折率材料中に注入された光は、通常高屈折材料中を通って伝播すべく拘束される。なぜならば、高屈折率材料と低屈折率材料との境界面で光が全内部反射(TIR)して高屈折材料中に戻る。
【0004】
Erドープ増幅器やファイバレーザ等の能動ファイバ部材の出現によって、ファイバのクラッドが更に進歩した。例えば、単一モードファイバの能動コア中でのレーザ発振を促進するために、「クラッドポンプ」として設計されたプロファイルを有するファイバが開発された。このようなファイバは一般にコア、多モードのクラッド層、および、最外層のクラッド層を有している。励起光は、多モードクラッド層中に結合されて、伝播しながらコアを縦横に動いてレーザ発振を促進する。残念ながら、ファイバコアが励起されて所望の発振波長が放射された後、コアが不要な信号、いわゆる励起ラマン散乱による「ラマン波長」を発し得る。ラマン効果は放射波長を、ファイバコアのファイバ・ストークス波長にシフトして、高パワーレベルで優勢になる効果を有する。従って、所望の出力波長でのクラッド励起ファイバレーザの出力パワーが制限される。
【0005】
媒体中の活性材料が、所望の放射波長に加えて励起される他の放射波長を有するときには、同様の問題が発生する。この問題は一般に増幅同時放射(ASE)と呼ばれ、非常に高強度の不要な波長のASEによって所望の波長がかき消されることにより、レーザが所望の波長で動作することが妨害される。この状態の例は、Ndドープコアが二重クラッドによって囲まれたネオジミウム(Nd)ファイバレーザを作動し、ネオジミウム原子の3/2から9/2への転移によって約900nmの光を発生する時に起こる。残念ながら、900nm転移は3レベルタイプで、ネオジミウム原子は、転移が4レベルタイプの約1050〜1070nmの光を放射する可能性が高い。1050nmでの不要光は弱い900nm放射よりも簡単に優勢になり、ファイバレーザや増幅器がほとんど実用にならなくなる。
【0006】
結局、ファイバレーザや特に増幅器のようなファイバ装置は不要な長波長では高損失である必要がある。900nmの光を放射や増幅するNd:ガラスのレーザや増幅器の具体例においては、1050nmでは非常に高損失になる必要がある。なぜならば、900nmの光は非常に弱く(880nmの放射のピークから20nm離れている)、1050nmの放射光の放射断面は900nmの光の放射断面の約10倍である。又、900nmの光は、例えば40dB増幅されなければならない。残念ながら、900nmの光が40dB増幅されると、1050nmの光も400dB増幅され、900nmの光よりも完全に優勢になってしまう。明らかに、この問題を回避するには、1050nmの光は400dB以上減衰される必要がある。
【0007】
更に、ファイバレーザや増幅器によって約1KWの電力が生成されると、それがナノ秒以下であっても、ラマン散乱に加えて多くの非線形プロセスが900nmの有用な光の生成を妨害し始める。これらは、ブリュアン(Brillouin)散乱、他の非線形光混合のホストと同様の自己位相変調、ファイバ材料の三次非線形サセプティビリティχによる共役プロセス等の現象を含む。これらの効果はこのようなファイバレーザや増幅器に使用されるファイバの長さを制限する。実際、これらの効果によって、ファイバ長は1mのオーダーかそれ以下でなければならない。これは、1050の光は400dB/mの減衰率で減衰しなければならないことを意味する。
【0008】
上述を鑑みて、不要の波長をフィルタして、非常に高減衰率、例えば400dB/m以上で、ファイバレーザや増幅器から選択的に取り除くことが望ましい。これは、受動ファイバ、ファイバレーザおよびファイバ増幅器等の受動導波路や能動導波路にとって重要である。
【0009】
従来技術によると、導波路は通常、注入光が、エバネセント波のアウトカプリング(トンネリング)、散乱、曲げ損失、および漏れモード損失等のメカニズムによって結合が外れるのを防止すべく設計されている。これらのメカニズムの一般的研究は、L. G. Cohen等の「低下屈折率クラッドを有する単一モード導波路の放射漏れモード損失」,IEEE Journal of Quantum Electronics,Vol. QE- 18,No. 10,October 1982,pp. 1467〜72等の論文がある。この参照例において、著者等は、二重クラッドファイバだけでなく、種々の屈折率を有するクラッドのある、より複雑な光導波路中の光の伝播を記述している。著者等は、クラッドプロファイルが変化すると、低損失を維持しながら、導波モードの種々の性能パラメータが改良され得ることを示した。更に、低屈折率のクラッドは長波長では基本モードで高損失が発生することを観察した。更に著者らは、高屈折率のコアおよび、低屈折率の内側クラッドと中屈折率の外側クラッドを有するWプロファイルファイバはあるカットオフ波長を有し、その波長より上では、コアからの基本モード損失は段階的に大きくなることを決定した。これらの損失では非常に大きな減衰率は発生せず、事実、著者らは、このカットオフ波長近傍のファイバの導波挙動を研究して、損失を減少させるための方法を示唆した。
【0010】
米国特許第5,892,615号、および米国特許第6,118,575号は、L. G. Cohenによって記載されたのと同様のWプロファイルファイバ、即ちクラッド励起レーザ中で不要の周波数を抑制して高出力を達成するためのQCファイバの使用を記載している。上述のように、そのようなファイバは長波長で光が漏れ易いし、他のファイバよりも曲げに敏感である。実際、曲がると、曲率がW、即ち、全内部反射によって光を導波するQCファイバの能力を悪化させる。波長が長いと、エバネセント場がファイバのコアから深く浸透して、曲がったファイバのコアからの、その波長の光の損失は大きくなる。従って、ファイバを曲げると、ラマン散乱波長のような好ましくない低周波数(長波長)を、メータ当たり数百dBの割合でカットする。
【0011】
残念ながら、プロファイルファイバの曲げの制御性は悪く、規定されたカットオフ損失を達成するための再現性のある方法がない。特定の曲率を達成するために、ファイバは、例えば、正確な曲率のスプールの周りを巻くことによって曲げられる。異なる時に製造されたことなるファイバは、コアやクラッドの厚さだけでなく、屈折率プロファイルも多様である。従って、ファイバの正確な曲率はファイバ毎に異なる。従って、高減衰率を得る現実の製造方法は無い。
【0012】
先行技術は、偏光制御のために、応力による複屈折よりも、複雑なクラッド構造を有する導波路を記載している。例えば、メッセリ(Messerly)等に付与された米国特許第5,056,888号は、通常楕円形のWプロファイルを有する、単一モードで単一偏光のファイバを記載している。この半径方向のプロファイル分布によって、所与の波長での光の直角偏光が分離される。この分離は、1つの偏光光はコアから漏れてしまい、直角偏光の光は漏れないことによってなされる。この件に関する更なる提案は、ストールン(Stolen)等の「短いWトンネリングファイバ偏光」Electronics Letters,24巻,1998、524〜525頁;ハワード(Howard)等に付与された米国特許第4,515,436号、および多数の文献に見出される。残念ながら、このようなファイバ導波路は必要な減衰率を達成し得ない。
【0013】
上記を鑑みて、当業界においては、必要な波長より長い不要の波長に対して、例えば400dB/m以上の非常に高減衰率を有する、量産可能の波長フィルタを提供することは進歩である。そのような波長フィルタは、受動フィルタ、ファイバレーザ、及びファイバ増幅器等の能動光導波路や受動光導波路に適合可能でなければならない。フィルタの製造後に、ファイバ或いは導波路を曲げずに、又はファイバと導波路を操作と調整して、フィルタ特性を正確に調整し得ることは特に歓迎されるべき進歩である。
【特許文献1】
米国特許第5,892,615号
【特許文献2】
米国特許第6,118,575号
【特許文献3】
米国特許第5,056,888号
【特許文献4】
米国特許第4,515,436号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
上記に鑑みて、本発明の基本的目的は、信頼性と再現性があり、かつ、簡単な方法で高損失の光導波路を設計する方法を提供することである。その方法は、導波路やフィルタを曲げずに、即ち操作や調整をした、長波長で400dB/m以上の損失を示す波長フィルタ即ち、短波長通過フィルタ、を提供する。
【0015】
本発明の更なる目的は、受動フィルタ、ファイバレーザ、及びファイバ増幅器等の能動光導波路や受動光導波路に使用され得る、波長をフィルタする方法を提供することである。
【0016】
本発明の他の目的は、非線形光素子と適合し得る波長フィルタおよびその方法を提供することである。
本発明の多くの他の利点は、詳細説明を読むことによって明らかになる。
【課題を解決するための手段】
【0017】
本発明は、第1の波長λの光を第2の波長λの光と分離するための装置と方法を提供することである。ここでλ<λである。その装置は、あるコア断面を示し、屈折率nを有するコアを有する。そのコアは、低屈折率クラッド、即ち低屈折率nを有するクラッドによって囲まれている。低屈折率クラッドは低屈折率クラッド断面を有し、それ自身が第2のクラッドに囲まれている。第2のクラッドは、屈折率nおよび第2のクラッド断面を有する。その装置は、第2の波長λでコア内を伝播する光の基本モードは取り除かれ又はカットオフされるべく設計されている。これは、λ<λ<λである、基本モードカットオフ波長λcを生成するために、コアの断面、低屈折率クラッドの断面、第2のクラッドの断面、および屈折率,n,n,n,を選択することによって達成される。実用に際しては、屈折率,n,n,nは、対応する断面での平均値である。
【0018】
コア部とクラッド部とは、いかなる形状も可能である。例えば、同様な円筒形対称性を示してもよい。しかしながらある実施例において、円筒形の対称性は不適切で、他の対称性が選択され得る。例えば、幾つかの実施例において、コアは楕円形の断面を有する。
【0019】
本発明によると、断面と屈折率の選択によって、モードカットオフ波長λcより上の波長によって受ける損失だけでなく、基本モードカットオフ波長λが決定される。具体的には、これらの選択によって第2の波長λの光が受ける損失が決定される。幾つかの実施例においては、第2の波長λで少なくとも100dB/mの損失を発生すべく選択される。第2の波長に非常な高損失を必要とする実施例においては、第2の波長λの損失が少なくとも400dB/mであるように、断面と屈折率とが選択される。
【0020】
断面と屈折率との選択ルールは、マックスウェル(Maxwell)の式から導き出される。しかしながらより具体的には、数1によって屈折率を選択するのが便利である。
【0021】
【数1】
Figure 2004529494
他の実施例においては、数2によって屈折率を選択するのも便利である。
【0022】
【数2】
Figure 2004529494
コアの断面半径がrで、低屈折率クラッド部の外部半径がrのときは、数3、によって屈折率を選択するのも便利である。
【0023】
【数3】
Figure 2004529494
装置は、第1の波長λで光学的に活性な材料のコアを有する。例えば、光学的に活性な材料は非線形光学材料、又は、λで第1の利得を有する利得媒体である。ある場合には装置は、利得媒体に光学的フィードバックを更に備え、それによってλで放射するレーザを発生し得る。そのようなレーザは、外側クラッドを囲む第2のクラッドと、コアに励起光を供給するために第2のクラッドと光学的に結合するポンプ源も備える。この装置はフィードバックなしに、λで光を増幅するための光学増幅器として動作し得る。他の実施例において、装置はλ近傍の光の、広帯域増幅された自発放射源として動作する。
【0024】
装置がレーザであっても増幅器であっても、コアはしばしば、第2の波長λで第2の利得を有する。この場合、断面と屈折率とは、第2の波長λで少なくとも第2の利得に等しい損失を発生すべく選択される。好ましくは、λでの損失は少なくとも100dB/mと同等、或いは、400dB/m以上である。
【0025】
利得媒体は、ネオジウム、イッテルビウム、エルビウム、ツリウムおよびホルミウムのうちの少なくとも1つの希土類元素である。好ましい実施例において、利得媒体としてエルビウムが選択され、装置がλでの光学増幅器として機能する場合、カットオフ波長λはS帯の中間、又は、長波長端方向に設定される。この構成は通信分野においては特に有用である。
【0026】
幾つかの実施例において、コアはλで光を発生するか、又はλで第2の利得を有する光学的活性材料を有する。幾つかの場合、光学的活性材料は第3の波長λで第3の利得を示してもよい。ここで、λ<λである。このような装置においては、λとλとは共にコアからフィルタで除去される。この状況は、例えば、第2の利得が光学的に活性な材料の励起放射またはλでの利得媒体により、又、第3の利得がλの光の促進ラマン散乱による場合に見出される。
【0027】
本発明の更に別の実施例によると、装置は偏光選択性にもなり得る。例えば、λでの光は、第1の偏光と、第1の偏光と直角の第2の偏光とを有し得る。本発明において、第1の偏光ではλ<λで、第2の偏光ではλ>λである等の、1つ以上の断面と屈折率が更に調整される。即ち、λでの第1の偏光は、波長λと一緒にコアからカットオフされる。同様に,又は他の実施例において、コア、低屈折率クラッド、および外部コアは偏光維持ファイバを形成し得る。
【0028】
本発明は又、第2波長λから第1波長λを分離する方法を提供する。ここでλ<λである。これは、これらの波長での光の基本モードに対する基本的なカットオフ波長λがλ<λ<λになることを保証するための、コア、低屈折率クラッド、および第2のクラッドの屈折率と断面を設計することによってなされる。断面と屈折率との適切な選択によって、λに対する損失が100dB/m、又は400dB/m以上にさえなるべく調整される。
【0029】
場合によれば、第2のクラッドは外側のクラッドによって囲まれ、コア中の利得媒体を励起する励起光を導波するためのポンプ源に光学的に結合する。この方法が、利得媒体への光学フィードバックを有するファイバ増幅器やファイバレーザに適用されたとき、この方法は特に有用である。
【0030】
λで光の特定の偏光がλと一緒にカットオフされなければならない状況では、この方法は更に、断面及び/又は屈折率を調整し得る。更にこの状況では、コア及び/又は低屈折率クラッドの偏光を選択可能にするために応力が印加され得る。
【0031】
本発明と好ましい或いは別の実施例の詳細を添付図を参考にして下記で説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0032】
先ず、図1を参照して構造と設計理論を概観することによって、本発明を最も良く理解し得るであろう。この図の断面図は、円筒状のコア断面を示すコア12を有する光ファイバの形状で、装置10を図示している。コア12に関連する領域1は、グラフ14のr軸上に示すように、0≦r≦rまで拡がっている。実際、グラフ14は、装置10の屈折率プロファイルを示す。それによると、コア12は領域1、即ちr=0からr=rで、平均屈折率nを有する。理論的には、コア12内の屈折率値は、半径rと極角度θで一定であることが望ましい。この理論上のプロファイルを一点鎖線Aで示す。実際上は、現在の製造工程の理由によって、領域1の屈折率プロファイルはグラフ14に描かれているように半径方向で変化している。本発明の目的のためには、コア12の半径方向に変化する屈折率がnの平均値を有することで十分である。
【0033】
コア12は、円筒状に対称性な低屈折率クラッドの断面を有する、低屈折率クラッド16に囲まれている。低屈折率クラッド16はr≦r≦rまで拡がり、領域IIを占める。低屈折率クラッド16は円筒状の対称性の第2のクラッド16に囲まれている。第2のクラッド16は、r≧rまで拡がる領域IIIを占める。
【0034】
グラフ14から明らかなように、低屈折率クラッド16は、コア12の平均屈折率nや、第2のクラッド18の平均屈折率n、よりも低い平均屈折率nを有すべく選択される。再度、平均屈折率値を一点鎖線Aで示し、代表的な製造工程によって得られた実際の屈折率プロファイルをグラフ14で示す。ファイバ10のハッチングした領域は境界領域で、領域I,II,およびIIIの平均屈折率値間の過渡領域を示す。グラフ14の屈折率プロファイルはWという文字に似ている(線Aで示される理論プロファイルはより明確である)。従って、ファイバ10はしばしば、W‐ファイバ、又は、W−プロファイルファイバと呼ばれる。再度、本発明の目的には、半径方向に変化する屈折率が、低屈折率クラッド16と第2のクラッド18とに関連する領域IIとIIIとでnとnとの平均値を有すれば十分である。任意選択で外側のクラッド(不図示)が第2のクラッド14を囲ってもよい。このような外側のクラッドは、下記で説明する目的のために、ファイバ10中への励起源を結合するために使用され得る。
【0035】
本発明によると、グラフ14に図示されるW−プロファイルは、第1波長λの光が全内部反射によってコア12に伝播することを保証すべく設計されている。同時に、λよりも長い第2の波長λの光(λ<λ)が除去される、又は高損失或いは高減衰率でカットオフされる。具体的には、W−プロファイルは基本モードカットオフ波長λを有し、λの基本モードでの光はコア12に維持され、λの基本モードでの光は、鎖線Bに示されるように、短距離で第2のクラッド18に除去されるべく設計されている。この目的は、ファイバ10を曲げたり、他の機械的調整をするよりも、W−プロファイルを適切に設計することによって達成される。
【0036】
ファイバ10のカットオフ波長λは、基本モード(LP01モード)がコア12中で低損失から高損失に突然転移する、即ちコア12からカットオフされる、波長である。カットオフ波長λは、必要な波長λと不必要な波長λとの間で選択される。即ち、λ<λ<λである。
【0037】
理論的には、W−ファイバのカットオフ波長λを決定するために、W−ファイバ10の断面と屈折率n,nおよびnの選択ルールは、マックスウェルの式から導き出される。弱い導波近似において(コア12、クラッド16,18の屈折率がすべて互いに接近している場合には有効である)、マックスウェルのべクトルの式はスカラー式で代替し得る。スカラーΨ はファイバ中の横断電場の強度を示す。更なる情報は、例えば、G. AgrawalのNonlinear Fiber Optics(Academic,San Diego,1995)、D. Marcuse,Light Transmission Optics(Van Nostrand,Princeton,1972)、及び、D. Marcuse,Theory of Dielectric Optical Waveguides(Academic,New York,1974)に記載されている。
【0038】
便利のために、次のパラメータを規定する。
【0039】
【数4】
Figure 2004529494
ファイバ中のスカラー場Ψは、波動方程式を満足し、その解はベッセル(Bessel)関数と改変ベッセル関数である。ファイバ10による基本モードでは、内部コア12は
【0040】
【数5】
Figure 2004529494
で示され、kは決定されるべき固有値で、Jはゼロ番目のベッセル関数である。
低屈折率クラッド16では、スカラー場Ψは、
【0041】
【数6】
Figure 2004529494
で示され、AとBは決定されるべき定数である。
【0042】
【数7】
Figure 2004529494
は改変ベッセル関数である。ここでλは光の真空波長である。
第2のクラッド18においては
【0043】
【数8】
Figure 2004529494
が得られる。ここで、Cは別の定数で、
【0044】
【数9】
Figure 2004529494
は、境界条件を用いて見出される。Ψとそれの第1微分は共にrとrで連続である必要がある。
【0045】
基本モードカットオフ波長λはγ=0で波長λである(例えばCohen等のIEEE J. Quant. Electron. QE−18(1982)1467〜1472を参照)。
【0046】
更に便利なように、次のパラメータを規定する。
【0047】
【数10】
Figure 2004529494
これで、パラメータxが決定されれば、カットオフ波長λは、当業者に周知の代数によって決定され得る。パラメータxは、
【0048】
【数11】
Figure 2004529494
の平方根である。
式(6)の解は図2のグラフで示される。xは、パラメータρの種々の値に対する比sの関数として示される。
【0049】
パラメータxに関しては、次の3点は注目されるべきである。第1に、xはsやρのすべての値に対して存在するわけではない。例えば、ρ=1でs≦√2では、式(6)を満足するxは存在しない。これは、この領域では、すべての波長がコア12中に導波されることを意味する。式(6)が解を有する臨界は
【0050】
【数12】
Figure 2004529494
である。
第2に、実際の応用においては、xは小さすぎてはならない。なぜならば式(5)によって、パラメータxはコア12の半径rに比例し、その半径は、光をコア12の中に結合したり、コア12から出したりし易いように十分に大きくなければならない。(小さいコア12では非線形効果が強くなり、これは大きな不利点である。) コア12の半径rは2μm以上が好ましい。uとλの代表的な値はそれぞれ、0. 1と1μmである。従って、x=2πu/λ、好ましくはx≧1である。これは、ρ≧0. 224、即ち、屈折率√(n −n )/(n −n )≧0. 224、であることを示す。
【0051】
第3に、図2から、大きなs値では、xの値はsへの依存性は小さい。従って、この領域のパラメータ空間のファイバは有利である。なぜなら、製造工程においてsの誤差が生じても、カットオフ波長λの値への
影響が小さい。従って、s≧1+1/ρのルール或いは、屈折率で
【0052】
【数13】
Figure 2004529494
を使用すると便利である。
適切な基本モードカットオフ波長λを決定するに際して、コア12、低屈折率クラッド16、及び外側クラッド18の断面と屈折率との選択は、上式によって導き出される。先ずλは、λ<λ<λで選択され、次に、uとrとの適切な値が選択される。これらを選択した後に、xが5式から計算される。好ましくはx≧1(さもなければ前の選択を調整する)である。次に、式6を使用して、sとρの適切な値を見出す。sとρの値の範囲によって所望のλを得る。代表的には、ρのすべての値は0. 224よりも大きい。更に、sとρの適切な値の範囲を更に狭くするために、式8のルールが使用される。
【0053】
最後に、sとρの値には更なる限定がされる。即ちそれらの値は、ファイバ10のコア12が例えば、不要な波長λで、100dB/m、又400dB/m以上の十分に大きな損失を有すべく選択される。λでの損失を見出すために、波長λ>λの光のファイバモードが必要である。
【0054】
式(2)、(3)、および(4)はλ<λときの基本モードを規定する。λ>λのとき、第2クラッド18における関数Ψは指数級数的に減衰するのではなくて、振動性である。従って、λ>λのとき、式(4)は
【0055】
【数14】
Figure 2004529494
で置換される。ここで、N(Yとも呼ばれる)はゼロ番目のノイマン(Neumann)係数で、
【0056】
【数15】
Figure 2004529494
CとDは決定されるべき定数である。
λ>λのモードに関して、注意すべき2つのキーの項目がある。第1は、5つの未知数(A、B、C、D、およびk)と4つの境界条件(rとrでのΨとdΨ/drの連続性)がある。式は束縛されている:kは0と(2π/λ)√u +u との間の任意の数が選択される。従って、kが有する値の連続性に対応して、各λ>λには状態の連続性がある。この状況は、4つの未知数(A、B、C、k)が4つの境界条件によって固定され、その結果、kが各λで特定の値を有する個別の固有値である、λ<λの場合とは大きく異なる。
【0057】
第2に、式(2)、(3)、(9)によって特定されるモードはW−ファイバの固有のモードである;しかしながら、これらのモードは物理的に実現される状況には対応しない。これは、入射波と放出波とを含む式(9)の結果であるが、実際には、放出波のみが存在する(コア12中を最初に伝播する波長λの光は放出される)。
【0058】
それにもかかわらず、式(2)、(3)および(9)は、λよりも長い波長の損失を推定するために使用され得る。先ず、所与の波長λにおいて、C+Dを最小化するkの値を見出す。これは、コア内で最も長く存在するモードに対応する。(ファイバ中のスカラーΨ の波動方程式とポテンシャル壁中の粒子の量子力学波動方程式との間を類推し得る。次に、量子力学の結果を利用する。例えば、David Bohm,量子理論、Dover1989、12章、14〜22頁を参照)。次に、kが上記の手段で見出されると、放出波長は式(9)から計算可能になる。これらの放出波長は、入射波が存在しなくても、コア12から第2のクラッド18中に放出される量を合理的に推定し得る。これらの放出波は、コア12中を伝播する波長λ>λのビームがファイバの長手方向に沿って減衰することなる。ビームが電力Pを有する場合、ファイバ10の長手方向の距離zでの電力Pの変化は、
【0059】
【数16】
Figure 2004529494
で示される。
損失は係数Λで与えられ、近似的に
【0060】
【数17】
Figure 2004529494
である。
−1の単位を有する損失Λは、
【0061】
【数18】
Figure 2004529494
の関係を使用して、単位dB/mでの損失βに変換し得る。
ここで、「損失」、コア12から第2のクラッド18中に漏洩する放射を意味する。実際には、放射は、それが第2のクラッド18に残存する場合は、正しくはファイバ10自身から失われていないが、ある場合にはこれで十分である。他の場合には、第2のクラッド18からの光は、必要によって、除去される。
【0062】
本発明によって構成されたファイバ10が、波長λをフィルタ除去するために使用され得る、方法は具体例によって理解されるであろう。この目的のために、図3は、コア12に存在する波長の関数として、ネオジウムをドープしたガラス(即ち、Nd:ガラス)の放射断面のグラフを示す。コア12中に保持されるべき必要な波長λは約880nmで、コア12からカットオフされるべき不要の波長λは約1050nmである。実際には、900nmの波長は、正味利得を達成するために大きな励起強度を必要としないので、λとして好ましい。しかしながら、900nmの放射強度は低下し、1050nm近傍でピークになる競合転移がある。背景技術で説明したように、Nd:ガラスでは900nmよりも1050nmの放射光が選択される。従って、1050nmで約400dB/m以上の損失を有し、(励起されると)900nmで約40dB/mの利得を有するのが好ましい。
【0063】
図4は、パラメータρとsの種々の値における、波長に対する損失のグラフである。それぞれの場合、基本モードカットオフ波長λは940nmで、λ<λ<λという要求に合致している。その要求は、1050nmの損失は少なくとも約400dB/mで、900nmの損失はゼロ、である。図4を参照して、式(7)の不等式、s≧1+1/ρを維持しながらこの要求を満足させるためには、パラメータρは約3以下、即ち、屈折率
【0064】
【数19】
Figure 2004529494
でなければならない。本例においては、400dB/m以上の損失は、ρ=1、s=2で与えられる。
【0065】
損失を計算するための他の方法は、W−ファイバ10の漏洩基本モードの複素伝播定数の計算を含む。漏洩モードは、例えば、D. Marcuse,誘電体光導波路の理論(Academic,New York,1974)第1章で論じられている。損失は漏洩モードの複素伝播定数の素数部に関連する。複素伝播定数、又は、それと等価の、屈折率の複素有効係数は、例えば、カナダのオンタリオ州、ネピーン(Nepean)の、Optiwave社からの、市場で入手可能なソフトウェアを使用して計算され得る。
【0066】
ある場合には、実際のファイバは、図1の線Aで示される理想的なステップ屈折率プロファイルを有さず、屈折率プロファイルのグラフ14に示されるように理想値から変動しているので、上記で概要説明したベッセル関数法を使用するよりは、所与のW‐ファイバのモードで数値解を得るのが望ましい。特に、今日の単一モードファイバ製造の最も一般的な方法はMOCVD法であって、コアの中央に屈折率の窪みが残る。数値解は、上記の方法よりも簡単に、半径の関数としての屈折率の実際の変動を考慮できる。そのような数値計算によって、カットオフ波長λおよび断面と屈折率とを含むファイバパラメータの関数としてのファイバ損失が得られ、それによって、W−ファイバ10が好ましい特徴を示すべく設計され得る。
【0067】
損失を推定するために式(11)を使用する場合、実際の屈折率は半径の関数で変動するので、屈折率n,n、およびnは一般に平均屈折率である。
屈折率nは必ずしも半径方向で対称的ではない。ファイバ10の断面を極座標rとθ(例えば図1を参照)とによって記載すると、屈折率は、n=n(r,θ)のように、半径rと角度θとに依存する。そのような非対称性ファイバは、例えば、偏光維持のためには好ましいこともある。
【0068】
カットオフ波長λを有することはファイバの前提条件である。Rは、半径Rの屈折率が値nに実質的に平均化されるのに十分な大きさである。ファイバ10は、
【0069】
【数20】
Figure 2004529494
の場合にはカットオフ波長λを有する(B.Simon,Ann.Phys.97(1976),279頁を参照)。
【0070】
図1と式(13)のプロファイルは、
【0071】
【数21】
Figure 2004529494
になり、これは上記の式(7)と等価である。
カットオフ波長λは、領域Iに局在する固有モードがある場合の最大波長である。カットオフ波長λ以上の波長の損失は例えば、(1)局在していないが入射波と放射波とを含むモードを解く、(2)各波長に対して、最小の放射強度を有するモードを見出す、および、(3)損失を推定するためにこの放射強度を使用して決定される。上述のように、損失を計算するために、当業者は他の方法も使用し得る。
【0072】
一般に、好ましいカットオフ波長λと損失とを有するファイバ10は、従って、プロファイルn(r,θ)を調整することによって決定される。それは、コア12、低屈折率クラッド16および第2のクラッド18の断面と屈折率とを調整することに対応する。
【0073】
発明の上述の理論は、図1に示したタイプのW−ファイバを作製するためにも使用され得る。本発明のW−ファイバは、光ファイバ(短波長通過フィルタ)、光増幅器、レーザ、非線形光スイッチ等にも使用され得る。
【0074】
特殊ガラス、ファイバブラッグ回折格子、導波路ルータアレー、および、ダイクロイックミラー等の光学フィルタは、一つの波長の伝送、減衰、或いは他への転換のための光学にしばしば使用される。図5は本発明による、第1の波長λを伝送し、より長い、不要な第2の波長λを減衰するためのファイバ‐オプチクスフィルタとして動作するW−ファイバを備えた、光学システム20の等尺図である。装置20は、コア24が光学活性材料をなにも含まないので受動装置で、ファイバ22内でλやλの利得は無い。
【0075】
光学システム20は、第1の波長λと、短距離Lの間に高損失でフィルタで除去されるべき第2の波長λと、を含む光28を移送する光源26を有する。W‐ファイバ22のコア中に光28を集光するために、光カプラ30、この場合レンズが使用される。
【0076】
ファイバ22は、コア24を囲む低屈折率クラッド32と、低屈折率クラッド32を囲む第2のクラッド34とを有する。外部の影響からファイバ22を保護するために、ジャケット36も形成される。コア24およびクラッド32,34の断面は円筒状で対称性である。ファイバ22のパラメータは、コア24とクラッド32、34の各屈折率n,n、n、および、半径rとrである。これらのパラメータは本発明によって選択され、λ<λ<λとなるように、波長λとλから適切な間隔で、コア24内の基本モードカットオフ波長λcが決定され、又、波長の必要な損失が決定される。従って、ファイバ22中を距離Lだけ伝播した後、λの光28の大部分はコア24からカットオフされ、第2のクラッド34中を通過する。この実施例では、100dB/m以下はλの十分な損失であり得る。より良く図示するために、図6Aは、図5に示した光学システム20のW−ファイバの側面断面図を示す。
【0077】
図6Bの側面断面で示される実施例において、コア40、低屈折率クラッド42および第2のクラッド44を有するW−ファイバ38は、光増幅器として動作すべく設計されている。ファイバ38のコア40は、適切な利得媒体のような光学活性材料46を有する。たとえば、利得媒体46は、ネオジウム、イッテルビウム、エルビウム、ツリウム、ホルミウム等の希土類元素又はこれらの元素の組合せであって、それによって、第1の波長λを増幅するための第1の利得を発生する。図3Bで示したように、波長λの光は、W−ファイバ38のコア40の中に結合される。励起光(不図示)はコア40に結合されて、光学活性材料46を活性化する。コア40内部の光学活性材料46は、例えば、λ<λのように、活性化ラマン散乱のような非線形散乱工程によって不要の波長λで第2利得を示す。λのみを増幅すべきなので、λでの利得によって発生した光は不要である。従って本発明によると、コア40内でλ1とλ2との間の基本モードカットオフ波長λc(即ち、λ<λ<λ)を作製し、λでの必要な損失を生成するために、ファイバ38のパラメータが選択される。この実施例においては、100dB/m以上の損失が望まれる。
【0078】
図6Cは本発明による、コア52、低屈折率クラッド54、および、第2のクラッド56を有する、W−ファイバ50を示す。更に、nの屈折率を有し、n<nである、外側クラッド58が第2のクラッド56を囲む。ファイバ50のパラメータは、λ<λ<λの基本モードカットオフ波長λを発生させるために選択される。励起波長λの光は、第2のクラッド56を介してファイバ50に結合される。λの光は、コア52内でλの放射を促進するために使用される。効率的にコア52中に、又は交差して結合されるために、代表的には、λ<λである。
【0079】
コア52は、必要な波長λの第1の利得と、不要な波長λの第2の利得と、を示す、希土類の利得材料60を含む。従ってファイバ50は、λの損失が、材料60の希土類原子によるλの利得がλの信号を圧倒しないように十分大きくなるべく、本発明によって設計される。特に、λの損失がλの利得以上になることが好ましい。ある場合には、λの損失は、100dB/m以上を必要とする。ある場合には、非常に高い損失が必要であり、400dB/m以上のλの損失が必要である。ファイバ50はλでの光の効率的な光増幅器として使用され得る。
【0080】
実際、図6Cの光増幅器は、図6Eに示されるように、ファイバレーザに簡単に転換され得る。この目的のためには、光フィードバック部材53、この場合はミラー、が備えられて、コア54中の利得媒体60に光フィードバックされる。利得媒体60の周辺のファイバ50内で適切なレーザキャビティを設定するために、当業者に周知の更なるミラーや他のフィードバック部材も使用され得る。
【0081】
ファイバ50の代替方法として、2つの断面を図7A、7Bに示す。これらの実施例において、λの光がコア52に交差して有効に導かれることを保証するために、第2のクラッド56は非環状断面を有する。これらの2つの例において、第2のクラッド56は花の形状を有し、不規則な多角形である。この目的のためには他の形状も実施され得る。更に、コア52と低屈折率クラッド54の図7Bは、円筒形の対称性を示さない。このような断面を得るために、応力や適当な製造方法も使用され得る。これらの断面は、ファイバ50を選択可能に偏光させるのに有効である。
【0082】
光増幅器としてのファイバ50の具体的な使用例を下記する。
例1:ネオジミウムドープのファイバ増幅器。
増幅器は、上記の如く、コア、低屈折率クラッド、および第2のクラッドを有するW−ファイバを含む。更に、コアにはネオジウムイオンがドープされており(例えば、1020イオン/cmのオーダー)、第2のクラッドが、屈折率nで、n<n、の外側クラッドに囲まれている。第2のクラッドは、Nd原子を活性化するための活性光を導くために使用される。第2のクラッドは40μmと80μmとの間の平均直径を有する。
【0083】
第2のクラッドは、808nm近傍の波長を有するレーザダイオードに光学的に結合される。これらのダイオードからの光は、900nm近傍と1050nm近傍とで、コア内で利得を得る。900nm近傍の光はコアに入射され、増幅される。1050nmの光はNd原子の4レベルの転移によって発生するが不要である。例として、増幅されるべき光は914nmの波長を有する。この波長は、ネオジウム‐ドープされたイットリウム・バナジウム酸化物結晶からなるレーザからの光に相当する。
【0084】
従って、この例においてはλ=914nmでλ=1050nmである。屈折率n,n,n、及び、半径r、rは、λとλの間のカットオフ波長λを得るために選択される。例として、r=3μmで、r=6μmである。第2のクラッドはn=1. 458を有する溶融シリカである。外側のクラッドは高分子クラッドである。コアは、n−n=0. 0022で、低屈折率クラッドは、n−n=0. 0022によって与えられる屈折率nを有する。従って、ρ≒1で、s=2である。式(6)から、x=1. 549で、カットオフ波長λ=975nmに対応する。λの損失は約1400dB/mである。
【0085】
例2:イッテルビウムドープされたファイバ増幅器
この例は、例1に記載のネオジミウムドープされたファイバ増幅器と同様である。第2のクラッドが励起クラッドになる。コアはイッテルビウム原子でドープされる。920nmの光で励起されると、イッテルビウムは980nmと約1050nmとで利得を示す。この例においてはλ=980nmでλ=1050nmである。W‐ファイバのパラメータは、上述したように、980nmと1050nmとの間のカットオフ波長を与え、1050nmで適切な損失を得るべく調整される。
【0086】
図6Dは、ラマン効果を使用した光増幅器として動作するW‐ファイバ70を示す。λとλとの波長の光がW‐ファイバ70のコア72中に結合される。コア72は光活性材料74を含む。この場合、光活性材料74はファイバ70のシリカ自身である。コア72は更に低屈折率クラッド76と第2のコア78とに囲まれる。
【0087】
ラマン散乱の際、波長λのフォトンは吸収され、同時に、波長λのフォトンが放射される。入射フォトンと放射フォトンとのエネルギーの差が分子振動励起となる。ラマンプロセスは利得を有する、即ち、ラマンが発生する確率は、波長λの入射光の強度とλの放射光の強度との比であることを意味する。ファイバのラマン増幅器はガラス中のラマン効果よりも優れている。ラマン効果によるエネルギーシフトは代表的には約440cm−1である。波長λの励起光と波長λの信号光がファイバ70中を伝播する。励起光のフォトンは信号光のフォトンよりも約440cm−1大きいエネルギーを示す。次にそのラマン効果は、λの励起光を信号光に変換し、それによってλの光を増幅する。
【0088】
しかしながら、信号光自身は、ラマン効果によって他の波長λに下がり得る。λとλのエネルギー差は約440cm−1である。従って、ラマン増幅器はλとλで利得を有するが、λの利得は不要である。従って、波長λの信号の大きな降下を防止するために、λの十分に大きな損失を有しながら、λとλの間のカットオフ波長λを生成すべく、W‐ファイバ70のパラメータが選択される。λの損失はλの利得以上であることが望ましい。
【0089】
例えば、面積が35μmのコアを有するファイバ70中を伝播する、ピーク電力が1kWのパルス信号においては、λのラマン利得は約13dB/mである。従って、W‐ファイバ70のλの損失は13dB/m以上であることが望ましい。しかしながら、波長λの光は自発放射から蓄積しなければならないので、そのような大きな損失は必ずしも必要ではない。波長λの光は、いわゆる「ラマンしきい値」に達する前に、7桁、即ち70dB増幅され得る。その後、波長λの光は、急速に波長λに変換される。従って、ラマンしきい値が達成されない限りは、ラマン利得よりも小さな損失を有するW‐ファイバ70は許容範囲である。
【0090】
別例として、例1と2に記載した希土類元素でドープされたコアを有するクラッド励起ファイバ増幅器は、図6Dの例と同様な方法で不要なラマン利得を抑制するために使用され得る。そのような抑制は、高ピーク電力の増幅器において特に望ましい。さもないと、信号光(波長λ)はラマン効果によって他の波長にシフトされ得る。
【0091】
図1のW−ファイバは又、非線形光スイッチに使用され得る。多くのファイバ光スイッチは光ファイバの屈折率による強度に依存する。屈折率は、強度依存性相を信号に与え、その信号はマッハゼンダ(Mach‐Zendar)干渉計等の、当業者に周知の適当な構造を使用して、出口ポート番号の1つに向かう。信号が向かう出口ポートは、印加相に依存する、干渉条件によって決定される。相は信号の強度のみによる。即ち、その信号と一緒に伝播する第2ビームの強度による。しかしながら、光の強度が屈折率を変えるのに十分なほど高い場合は、それはラマンシフトに十分従う。従って、λで利得が無く、λでラマン効果による利得を有するファイバ中を伝播する、波長λの光の場合もある。従って、上述のように、λとλの間でカットオフ波長λを生成し、ラマン効果を抑圧するためにλが十分な損失を有すべく、W−ファイバのパラメータが選択される。
【0092】
本発明によるW−ファイバ80の別例の断面を図8に示す。ここで、コア82は偏光を選択し得るように楕円形である。コア82は、低屈折率クラッド84と第2のクラッド86とに囲まれている。この実施例において、第1波長λの光は第1の偏光pと、第1の偏光に直角の第2の偏光sとを有する。コア82とクラッド84,86の断面は全体的に円筒形の対称性を示さないので、基本モードカットオフ波長λは、上述の設計理論を使用して、s偏光とp偏光との軸に沿って異なるべく設計される。ファイバ80は、p偏光に対してはλ<λ、s偏光に対してはλ>λが、都合がよい。
【0093】
この方法に依れば、クラッド84,86の断面は、非円筒形でもよい。更に、屈折率プロファイルもまた、偏光選択工程において、偏光角θの関数として変化する。実際、本発明のW−ファイバは、偏光維持ファイバ又は、偏光選択し得るべく適当に応力がかけられたファイバにおいても実施され得る。
【0094】
本発明のW−ファイバは、短波長通過フィルタ、増幅器、通信用のレーザ等に使用され得る.例えば、W−ファイバはS−帯のファイバ増幅器として使用され、利得媒体としてエルビウムが使用されるこのようは応用に際して、生成されるべき必要な波長は1520nmで、フィルタによって除去されるべき不要波長は1530nmである。これを達成するために、W−ファイバは、S−帯(例えば、1525nmと1530nmの間)の基本モードカットオフ波長を有すべく設計される。
【0095】
本発明によって設計されたW−プロファイルを有するファイバは、コア中に種々の光学活性材料を用いて使用される。そのような活性材料は、ファイバを作製するガラス又はシリカのみに、希土類をドープしたものを含む。当業者に周知の、種々の非線形の感受性を示す他の非線形材料と同様に、他の材料やドーピング材も使用され得る。
【0096】
上記の実施例は、本発明の範囲から逸脱せずに、多くの改変が可能である。従って、本発明の範囲は上記の請求項とそれらの法的同等物によって決定される。
【図面の簡単な説明】
【0097】
【図1】本発明のWファイバの一般的な屈折率プロファイルおよび断面図。
【図2】種々の値のパラメータρに対する、率sの係数としてのxを示すグラフ。
【図3】波長の関数としてのネオジウムをドープしたガラスの放射断面を示す図。
【図4】種々のWファイバの波長の関数としての損失を示すグラフ。
【図5】光学フィルタとして動作するWファイバを有する光学システムの等尺図。
【図6A】図5のWファイバの断面側面図。
【図6B】本発明による種々の応用のためのWファイバの断面側面図。
【図6C】本発明による種々の応用のためのWファイバの断面側面図。
【図6D】本発明による種々の応用のためのWファイバの断面側面図。
【図6E】本発明による種々の応用のためのWファイバの断面側面図。
【図7A】Wファイバの第2のクラッドの形状を例示した断面図。
【図7B】Wファイバの第2のクラッドの形状を例示した断面図。
【図8】偏光選択可能なWファイバの断面図。

Claims (44)

  1. 第1の波長λの光を第2の波長λの光から分離するための装置で、λ<λであって、
    a)コア断面と屈折率nとを有し、かつ、第1の波長λで第1の利得を有する光学活性材料を含むコアと、
    b)前記コアを囲み、かつ、低屈折率クラッド断面および屈折率nを有する低屈折率クラッドと、
    c)前記低屈折率クラッドを囲み、かつ、第2のクラッドの断面および屈折率nを有する第2のクラッドと、
    からなり、
    前記コア断面、低屈折率クラッド断面および第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nは、λ<λ<λである基本モードカットオフ波長λを生成すべく選択される装置。
  2. 前記コア断面、低屈折率クラッド断面および第2のクラッドの断面が円筒形の対称性を有する請求項1に記載の装置。
  3. 前記コア断面、低屈折率クラッド断面および第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nは、前記第2の波長λで少なくとも100dB/mの損失を発生すべく選択される請求項1に記載の装置。
  4. 前記コア断面、低屈折率クラッド断面および第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nは、前記第2の波長λで少なくとも400dB/mの損失であるべく選択される請求項3に記載の装置。
  5. Figure 2004529494
    である請求項1に記載の装置。
  6. Figure 2004529494
    である請求項1に記載の装置。
  7. 前記コア断面が半径rを有し、前記低屈折率クラッド断面が外部半径r1を有し、
    Figure 2004529494
    である請求項1に記載の装置。
  8. 前記光学活性材料が第2の波長λで第2の利得を有し、該第2の利得は励起されたラマン散乱による請求項1に記載の装置。
  9. 前記光学活性材料が、第1の波長λで第1の利得を有する利得媒体であって、前記装置は更に、該第1の波長λで放射するレーザ等の、該利得媒体への光フィードバックを含む請求項1に記載の装置。
  10. 前記コアは前記第2の波長λで第2の利得を生成し、前記コア断面、低屈折率クラッド断面、第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nは、前記第2の波長λで少なくとも該第2の利得と同等の損失を発生すべく選択される請求項9に記載の装置。
  11. 前記コアは前記第2の波長λで第2の利得を生成し、前記コア断面、低屈折率クラッド断面、第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nは、前記第2の波長λで少なくとも100dB/mの損失を発生すべく選択される請求項9に記載の装置。
  12. 前記光学活性材料が前記第1の波長λで光を増幅するための利得媒体であって、従って、光増幅器を含む請求項1に記載の装置。
  13. 前記コアは前記第2の波長λで第2の利得を有し、前記コア断面、低屈折率クラッド断面、第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nは、前記第2の波長λで少なくとも該第2の利得と同等の損失を発生すべく選択される請求項12に記載の装置。
  14. 前記コアは前記第2の波長λで第2の利得を有し、前記コア断面、低屈折率クラッド断面、第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nは、前記第2の波長λで少なくとも100dB/mの損失を発生すべく選択される請求項12に記載の装置。
  15. 前記光学活性材料が非線形光学材料からなる請求項1に記載の装置。
  16. 前記光学活性材料が、前記第1の波長λで利得を生成するために、ネオジミウム、イッテルビウム、エルビウム、ツリウム、およびホルミウムのうちの少なくとも1つの希土類元素からなる請求項1に記載の装置。
  17. 前記光学活性材料がエルビウムからなる光増幅器であって、前記カットオフ波長λが1525nmと1530nmの間にある請求項16に記載の装置。
  18. 前記コアが、前記第2の波長λで光を発生する光学活性材料を含む請求項1に記載の装置。
  19. 前記第2のクラッドを囲む外側クラッドと、該第2のクラッドに光学的に結合される励起源とを更に含む請求項1に記載の装置。
  20. 前記屈折率n,n,nは、前記コア断面、低屈折率クラッド断面、および第2のクラッドの各断面の平均値である請求項1に記載の装置。
  21. 前記コアは、前記第2の波長λで第2の利得を有し、第3の波長λで第3の利得を有し、かつ、λ<λである、前記光学活性材料を含む請求項1に記載の装置。
  22. 前記第2の利得は、前記第2の波長λで前記光学活性材料の励起放射によって生成さ
    れ、前記第3の利得は前記第1の波長λの光の励起ラマン散乱による請求項21に記載の装置。
  23. 前記第1の波長λの光が、第1の偏光と、同第1の偏光と直角な第2の偏光とからなり、前記コア断面、低屈折率クラッド断面、第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nの少なくとも1つが、該第1の偏光ではλ<λ、該第2の偏光ではλ>λとなるべく更に調整される請求項1に記載の装置。
  24. 前記コア、低屈折率クラッド、および外側のクラッドが、偏光維持ファイバからなる請求項1に記載の装置。
  25. 前記コア断面が楕円形である請求項1に記載の装置。
  26. 第1の波長λの光を第2の波長λの光から分離するための方法で、λ<λであって、
    a)コア断面と屈折率nとを有し、かつ、第1の波長λで第1の利得を有する光学活性材料を含むコアを作製する工程と、
    b)前記コアを囲み、かつ、低屈折率クラッド断面および屈折率nを有する低屈折率クラッドを作製する工程と、
    c)前記低屈折率クラッドを囲み、かつ、第2のクラッドの断面および屈折率nを有する第2のクラッドを作製する工程と、
    d)前記コア断面、低屈折率クラッド断面および第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nが、λ<λ<λである基本モードカットオフ波長λを前記コア中に生成すべく選択される工程と、からなる方法。
  27. 前記コア断面、低屈折率クラッド断面および第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nを選択する工程が、前記第2の波長λでの損失が少なくとも100dB/mになるべく行われる工程である請求項26に記載の方法。
  28. 前記コア断面、低屈折率クラッド断面および第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nを選択する工程が、前記第2の波長λでの損失が少なくとも400dB/mになるべく行われる工程である請求項27に記載の方法。
  29. 前記屈折率n,n,n
    Figure 2004529494
    になるべく選択される請求項26に記載の方法。
  30. Figure 2004529494
    である請求項26に記載の方法。
  31. 前記コア断面が半径rを有し、前記低屈折率クラッド断面が外部半径rを有し、前記屈折率が
    Figure 2004529494
    になるべく選択される請求項26に記載の方法。
  32. 前記光学活性材料が第2の波長λで第2の利得を有し、該第2の利得は励起されたラマン散乱による請求項26に記載の方法。
  33. 前記コアが前記波長λで放射すべく、第1の波長λで第1の利得を有する利得媒体である前記光学活性材料に光フィードバックが行われる請求項26に記載の方法。
  34. 前記コアは前記第2の波長λで第2の利得を生成し、前記コア断面、低屈折率クラッド断面、第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nは、前記第2の波長λで少なくとも該第2の利得と同等の損失を発生すべく選択される請求項33に記載の方法。
  35. 前記コアは前記第2の波長λで第2の利得を有し、前記コア断面、低屈折率クラッド断面、第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nは、前記第2の波長λで少なくとも100dB/mの損失を発生すべく選択される請求項33に記載の方法。
  36. 前記光学活性材料が前記第1の波長λで光を増幅する請求項26に記載の方法。
  37. 前記コアは前記第2の波長λで第2の利得を生成し、前記コア断面、低屈折率クラッド断面、第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nは、前記第2の波長λで少なくとも該第2の利得と同等の損失を発生すべく選択される請求項36に記載の方法。
  38. 前記コアは前記第2の波長λで第2の利得を有し、前記コア断面、低屈折率クラッド断面、第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nは、前記第2の波長λで少なくとも100dB/mの損失を発生すべく選択される請求項36に記載の方法。
  39. 前記第1の波長λの光が、第1の偏光と、同第1の偏光と直角な第2の偏光とからなり、前記コア断面、低屈折率クラッド断面、第2のクラッドの断面、および、前記屈折率n,n,nの少なくとも1つが、該第1の偏光ではλ<λ、該第2の偏光ではλ>λとなるべく更に調整される請求項26に記載の方法。
  40. 更に、前記コアと前記低屈折率クラッドとの少なくとも1つに応力を印加することからなる請求項26に記載の方法。
  41. 前記光学活性材料がシリカからなる請求項1に記載の装置。
  42. 前記光学活性材料がネオジミウムからなり、前記第1の波長λは約914nmで、前記第2の波長λは約1050nmである請求項16に記載の装置。
  43. 前記光学活性材料がイッテルビウムからなり、前記第1の波長λは約980nmで、前記第2の波長λは約1050nmである請求項16に記載の装置。
  44. 前記光学活性材料がエルビウムからなり、前記第1の波長λは約1520nmで、前記第2の波長λは約1530nmである請求項16に記載の装置。
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