JP2004527821A - メモリのための簡略な故障許容 - Google Patents
メモリのための簡略な故障許容 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004527821A JP2004527821A JP2002558137A JP2002558137A JP2004527821A JP 2004527821 A JP2004527821 A JP 2004527821A JP 2002558137 A JP2002558137 A JP 2002558137A JP 2002558137 A JP2002558137 A JP 2002558137A JP 2004527821 A JP2004527821 A JP 2004527821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- value
- address
- address value
- memory
- remapped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
メモリに対して故障許容を与える方法及び関連の装置が開示されている。当該方法は、再マッピング値を発生することを含む(202)。次いで、再マッピング値は、所与のメモリ場所にアクセスするのを意図されたアドレス値と論理的に組み合わされて(204)、不良アドレスを未使用のアドレスに対して再マッピングできる。次いで、再マッピングされたアドレスは、意図されたアドレスに代わって、アクセスできる(206)。
【選択図】図1
【選択図】図1
Description
【背景技術】
【0001】
技術分野
本発明は、固体状態記憶装置(固体メモリ)、又は一部のディスク・ドライブのような平面のメモリ空間を利用し得る他のメモリのようなメモリのための故障許容に関し、より詳細には不良のメモリ・アドレスの再マッピングに関する。
【0002】
背景
メモリが専用チップに具体化されようと、また多目的チップに統合化されようと、あるいは更にシリンダ/セクタ・アドレッシングよりむしろ平面のメモリ空間を利用するディスク・ドライブに具体化されようと、メモリは、時間の経過で働かなくなる又は製造時点で不良である場所を有することがある。しかしながら、メモリ内の大部分の場所は、通常使用可能状態のままである。従って、故障場所を補償し、それにより非故障場所の使用を継続し得るための方法が案出されてきた。
【0003】
故障許容のための従来の方法は、故障場所の代わりに使う格納場所を与える専用の予備の行、列、チップ、モジュール等を追加することを含む。専用の予備部分は、代用を必要とする故障が存在しない場合無駄になる。他の方法は、メモリに格納されたワード内のビットの順序を変えることを含む。これらは、2ビット以上の幅のメモリ構成要素を用いることを許可しない複雑なスキームである。大きな細分性の再構成方法を用いることにより、1つ又はそれより多い欠陥場所を含む1群の場所が使用不能にされるが、しかし故障のメモリ範囲より多い範囲が使用不能のままにされる。
【0004】
他の方法は、故障場所を、ブロックされている所定の場所へ再構成することを含む。所定の場所へのアクセスが追加の記憶のため常に必要とされる場合、再構成が失敗する。装置の回路を整列し、それにより故障場所を回避する方法が、実行されてきた。しかしながら、これは、製造中のみ実行され、そして現場では適用不能である。他の方法は、アドレス・ビットをシャッフルするか、又はデータを完全に並べ替えるが、しかしこれらの方法は、より複雑である。
【0005】
従って、メモリのための簡略な故障許容に対する必要性がある。
概要
本発明は、メモリ内の場所を再マッピングするための方法として捉え得る。この方法は、再マッピング値を発生するステップを含む。再マッピング値は、意図されたアドレス値と論理的に組み合わされて、再マッピングされたアドレス値を発生する。次いで、再マッピングされたアドレス値を有するメモリ場所(記憶場所)が、アクセスされる。
【0006】
本発明はまた、メモリ内の場所を再マッピングするシステムとして捉え得る。このシステムは、再マッピング値を発生するよう構成された第1の論理部を含む。また、第2の論理部を含み、そしてその第2の論理部は、再マッピング値を、意図されたアドレス値と組み合わせて、再マッピングされたアドレス値を発生するよう構成されている。システムはまた、再マッピングされたアドレス値を有するメモリ場所にアクセスするよう構成されたメモリ・アドレス入力部を含む。
【0007】
詳細な説明
本発明の様々な実施形態が、図面を参照して詳細に説明され、そこにおいて類似の参照番号は類似の構成要素及び組立体を幾つかの図面を通して表す。様々な実施形態についての言及は、本発明の範囲を制限するものではなく、本発明は、特許請求の範囲によってのみ制限されるものである。
【0008】
本発明の実施形態は、簡略化された故障許容スキームを与え、それにより特定のインスタンスの間未使用であると分かっているメモリ場所が、故障であると分かっているメモリ場所と論理的に組み合わされる。次いで、結果として生じる再マッピング値が、異なる場所へ再マッピングするためデータの格納を意図されている、プロセッサのような、装置により出力されたメモリ・アドレスと論理的に組み合わされることができる。こうして、装置が、不良アドレスに等しい意図されたアドレスを出力するとき、その意図されたアドレスは、再マッピング・アドレスと論理的に組み合わされ、そしてその関連されたデータが、上記の状態でなければ未使用の異なったメモリ場所に向けられる。
【0009】
図1は、故障許容システム100の代表的実施形態を図示する。故障許容システムを利用する、コンピュータ・システムのような電子装置は、典型的には、プロセッサ102と、1つ又はそれより多い入力122を有するRAM、EPROM等のような書き換え可能なメモリ装置106とを含む。故障許容システム100はまた、論理部104及び別の論理部108を含む。故障許容システム100はまた、ラッチ110を含む。論理部104及び論理部108は、ハードウエア又はソフトウエアで実現され得る。論理部108は典型的にはメモリの動作の1周期当たり唯1回だけ用いられるので、論理部108は、性能を劣化させずにソフトウエアで実現され得る。しかしながら、論理部104は、どのメモリ・アクセスに対しても用いられ得て、従って、論理部104をハードウエアで実現することが、ときに好ましい。
【0010】
図2に示されるように、代表的プロセスは次のとおりである。不良と分かっているメモリ場所に対するアドレス値112が、論理部108に与えられる。未使用であると分かっているメモリ場所に対するアドレス値114がまた、論理部108に与えられる。次いで、論理部108は、図2の第1の論理演算202でこれら2つのアドレス値を組み合わせて、再マッピング値116を生成する。代替として、第1の論理演算202で、再マッピング値は、上記の状態でなければ、システムが常に未使用であるある一定の場所又は範囲を取っておく場合のようなとき、選定され得て、そしてその再マッピング値が、不良アドレス値に設定され得る。例えば、ゼロ・アドレスが常に未使用であるとして取っておかれる場合、再マッピング値は、その不良メモリ・アドレスを再マッピング値として単純に用いることにより発生され得る。この場合、論理部108は、不良アドレス値を再マッピング値として出力するよう構成され得る。再マッピング値は、ラッチ110に格納され得る。
【0011】
論理部104は、データが格納されるであろう場所を通常示すであろうプロセッサ102により出力された意図されたアドレス値118を遮断する。通常、その意図されたアドレス値118は、メモリ106の入力部122に直接与えられるであろう。論理部104はまた、再マッピング値116を受け取る。意図されたアドレス値118は、第2の論理演算204で再マッピング値116と論理的に組み合わされて、その結果再マッピングされたアドレス値120をもたらす。
【0012】
次いで、その再マッピングされたアドレス値120は、メモリ106の入力部122に供給され、それによりアクセス操作206において、プロセッサ102によりメモリ106内の故障でない場所へのアクセスに向かう。メモリのアクセスは、読み出し又は書き込みの目的のためである。一度、データが固定の(即ち、ラッチされた)再マッピング値118を備える故障許容システム100を用いてメモリ106に書き込まれると、所望のデータと関連した同じ意図されたアドレス値118を利用することが、所望のデータを含むメモリ106内の正しい再マップ値の場所にアクセスすることをもたらすであろう。
【0013】
不良メモリ・アドレス値112及び未使用のメモリ・アドレス値114は、それぞれ、メモリ内の個々のデータ場所に対応する。これは、メモリの別個の場所に対して唯1つの不良アドレス値が存在するとき真である。一例が以下の表Aに与えられている。その例に示されるように、全てのアドレスが再マッピングされる。
【0014】
【表1】
【0015】
表Aに示されるように、アドレス場所13が不良、従って使用不能であるが、しかしプロセッサ・プログラムは、データが場所13に格納されるであろうことを指定した。プロセッサ・プログラムは、場所7が未使用であろうことを指定した。従って、不良場所を良い場所に再マッピングするため、場所13に対する2進数アドレス値(1101)が、場所7に対する2進数アドレス値(0111)と排他的論理和演算(XOR)されて、再マッピング値1010を生成する。次いで、その再マッピング値は、プロセッサ102からの各意図されたアドレスと排他的論理和演算(XOR)されて、再マッピングされたアドレスを生成する。こうして、プロセッサが不良場所13に対する1101を出力するとき、再マッピングされた値は0111になり、それは、場所13に対するデータを、先に未使用であると考えられていた場所7に指向させる。全ての場所を再マッピングすることの代替は、意図されたアドレスが不良アドレスであるときのみ比較器を用いて論理部104を意図されたアドレスに適用することにより、その不良アドレスを未使用のアドレスに単に再マッピングすることである。
【0016】
本発明は、単一の場所が不良場合以外の他のシナリオに適用することができる。本発明は、未使用の値が不良値と組み合わされて、不良場所を未使用の場所に常に再マッピングする再マッピング値を生成することができるときはいつでも適用可能である。以下の表Bは、2つの連続した不良場所及び2つの連続した未使用の場所が存在する場合の一例を示す。
【0017】
【表2】
【0018】
示されているように、両方の場所12及び13が不良、そして場所6及び7が未使用である。従って、2進数アドレス110x(ここで、xは、ビット値が0又は1のいずれかであり得る。)が、011xと排他的論理和演算(XOR)されて、再マッピング値101x又は1010を生成する。次いで、このマッピング値は、各意図されたアドレスに適用され、それを再マッピングする。次いで、不良アドレス13が場所7に再マッピングされ、そして不良アドレス12が場所6に再マッピングされる。
【0019】
本発明はまた、個々の場所を考慮する場合以外の別の状況に適用され得る。例えば、メモリのページ全体が不良、そして別のページが未使用である場合、不良ページ・アドレスが、未使用のページ・アドレスと論理的に組み合わされて、再マッピング値を生成し、次いでその再マッピング値が、プロセッサにより出力されたページ・アドレスと論理的に組み合わされて、不良ページを未使用のページに再マッピングすることができる。
【0020】
更に、アドレス値の最下位ビットを論理的に組み合わせることにより一層低い組のアドレスを再マッピングするように、本発明をメモリのサブセットに適用することが有利であり得る。例えば、不良アドレス値が場所2にあり、且つ未使用のアドレス値が場所0にある場合、場所0−3のサブセットは、アドレス全体ではなく2つの最下位ビットを論理的に組み合わせることにより再マッピングされ得る。これは、メモリが既にデータを1個のサブセット内に含み、そこにおいて不良アドレスが存在せず、且つ不良アドレスを持たないサブセットのそれらの場所が再マッピングされていない場合有益である。不良アドレスを持たないサブセットのそれらの場所が再マッピングされてないので、当該それらの場所に含まれるデータは、通常アドレス可能のままであり、そしてデータの再ローディングを必要としない。
【0021】
第1の論理部108及び第2の論理部104は、XORゲート、XNORゲート、又は多分類似の論理的組み合わせを提供する他のデバイスであってよい。論理部104及び108、並びにラッチ110は、プロセッサ102に対する組み込み型障害管理ハードウエアとして、又はプロセッサ102とメモリ・チップ106との間の中間デバイスとして、あるいはメモリ・チップ106に対する組み込み型障害管理ハードウエアとしてあり得る。最良の性能を達成するため、ゲート及びラッチをプロセッサ又はメモリ・チップ上に設けることが好適であり得る。
【0022】
不良アドレス112を論理部108に与えることは、パリティ、EDAC又はチェッカーボード試験のような通常の手続きを介して不良の位置を検出し、次いでその値をゲートに通すことにより行い得る。前述したように、再マッピング値は、メモリの固定範囲が常に未使用状態にされているように割り当てられている場合不良アドレス値を再マッピング値として用いることによるように、選定され得る。固定範囲が常に未使用として取っておかれるわけではない場合、又は未使用のアドレスである他の場所に対して再マッピングすることが望ましい場合、未使用のアドレスが、同様に通常の手続きを介して与えられ得る。例えば、ソフトウエア・リンカ/ローダによりメモリに置かれたような「使用の終わり」記号が配置されて、1つ又はそれより多い未使用の場所を決定し得て、そして次に、未使用のアドレス値が論理部108に与えられる。
【0023】
本発明が、その好適な実施形態を参照して特に示され且つ説明されたが、形式及び詳細において様々な他の変更が、本発明の趣旨及び範囲を逸脱することなしに実施形態において行い得ることが当業者に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】図1は、メモリ内の場所を再マッピングするための代表的システムを示す。
【図2】図2は、メモリ内の場所を再マッピングするための代表的システムの動作フローを示す。
【0001】
技術分野
本発明は、固体状態記憶装置(固体メモリ)、又は一部のディスク・ドライブのような平面のメモリ空間を利用し得る他のメモリのようなメモリのための故障許容に関し、より詳細には不良のメモリ・アドレスの再マッピングに関する。
【0002】
背景
メモリが専用チップに具体化されようと、また多目的チップに統合化されようと、あるいは更にシリンダ/セクタ・アドレッシングよりむしろ平面のメモリ空間を利用するディスク・ドライブに具体化されようと、メモリは、時間の経過で働かなくなる又は製造時点で不良である場所を有することがある。しかしながら、メモリ内の大部分の場所は、通常使用可能状態のままである。従って、故障場所を補償し、それにより非故障場所の使用を継続し得るための方法が案出されてきた。
【0003】
故障許容のための従来の方法は、故障場所の代わりに使う格納場所を与える専用の予備の行、列、チップ、モジュール等を追加することを含む。専用の予備部分は、代用を必要とする故障が存在しない場合無駄になる。他の方法は、メモリに格納されたワード内のビットの順序を変えることを含む。これらは、2ビット以上の幅のメモリ構成要素を用いることを許可しない複雑なスキームである。大きな細分性の再構成方法を用いることにより、1つ又はそれより多い欠陥場所を含む1群の場所が使用不能にされるが、しかし故障のメモリ範囲より多い範囲が使用不能のままにされる。
【0004】
他の方法は、故障場所を、ブロックされている所定の場所へ再構成することを含む。所定の場所へのアクセスが追加の記憶のため常に必要とされる場合、再構成が失敗する。装置の回路を整列し、それにより故障場所を回避する方法が、実行されてきた。しかしながら、これは、製造中のみ実行され、そして現場では適用不能である。他の方法は、アドレス・ビットをシャッフルするか、又はデータを完全に並べ替えるが、しかしこれらの方法は、より複雑である。
【0005】
従って、メモリのための簡略な故障許容に対する必要性がある。
概要
本発明は、メモリ内の場所を再マッピングするための方法として捉え得る。この方法は、再マッピング値を発生するステップを含む。再マッピング値は、意図されたアドレス値と論理的に組み合わされて、再マッピングされたアドレス値を発生する。次いで、再マッピングされたアドレス値を有するメモリ場所(記憶場所)が、アクセスされる。
【0006】
本発明はまた、メモリ内の場所を再マッピングするシステムとして捉え得る。このシステムは、再マッピング値を発生するよう構成された第1の論理部を含む。また、第2の論理部を含み、そしてその第2の論理部は、再マッピング値を、意図されたアドレス値と組み合わせて、再マッピングされたアドレス値を発生するよう構成されている。システムはまた、再マッピングされたアドレス値を有するメモリ場所にアクセスするよう構成されたメモリ・アドレス入力部を含む。
【0007】
詳細な説明
本発明の様々な実施形態が、図面を参照して詳細に説明され、そこにおいて類似の参照番号は類似の構成要素及び組立体を幾つかの図面を通して表す。様々な実施形態についての言及は、本発明の範囲を制限するものではなく、本発明は、特許請求の範囲によってのみ制限されるものである。
【0008】
本発明の実施形態は、簡略化された故障許容スキームを与え、それにより特定のインスタンスの間未使用であると分かっているメモリ場所が、故障であると分かっているメモリ場所と論理的に組み合わされる。次いで、結果として生じる再マッピング値が、異なる場所へ再マッピングするためデータの格納を意図されている、プロセッサのような、装置により出力されたメモリ・アドレスと論理的に組み合わされることができる。こうして、装置が、不良アドレスに等しい意図されたアドレスを出力するとき、その意図されたアドレスは、再マッピング・アドレスと論理的に組み合わされ、そしてその関連されたデータが、上記の状態でなければ未使用の異なったメモリ場所に向けられる。
【0009】
図1は、故障許容システム100の代表的実施形態を図示する。故障許容システムを利用する、コンピュータ・システムのような電子装置は、典型的には、プロセッサ102と、1つ又はそれより多い入力122を有するRAM、EPROM等のような書き換え可能なメモリ装置106とを含む。故障許容システム100はまた、論理部104及び別の論理部108を含む。故障許容システム100はまた、ラッチ110を含む。論理部104及び論理部108は、ハードウエア又はソフトウエアで実現され得る。論理部108は典型的にはメモリの動作の1周期当たり唯1回だけ用いられるので、論理部108は、性能を劣化させずにソフトウエアで実現され得る。しかしながら、論理部104は、どのメモリ・アクセスに対しても用いられ得て、従って、論理部104をハードウエアで実現することが、ときに好ましい。
【0010】
図2に示されるように、代表的プロセスは次のとおりである。不良と分かっているメモリ場所に対するアドレス値112が、論理部108に与えられる。未使用であると分かっているメモリ場所に対するアドレス値114がまた、論理部108に与えられる。次いで、論理部108は、図2の第1の論理演算202でこれら2つのアドレス値を組み合わせて、再マッピング値116を生成する。代替として、第1の論理演算202で、再マッピング値は、上記の状態でなければ、システムが常に未使用であるある一定の場所又は範囲を取っておく場合のようなとき、選定され得て、そしてその再マッピング値が、不良アドレス値に設定され得る。例えば、ゼロ・アドレスが常に未使用であるとして取っておかれる場合、再マッピング値は、その不良メモリ・アドレスを再マッピング値として単純に用いることにより発生され得る。この場合、論理部108は、不良アドレス値を再マッピング値として出力するよう構成され得る。再マッピング値は、ラッチ110に格納され得る。
【0011】
論理部104は、データが格納されるであろう場所を通常示すであろうプロセッサ102により出力された意図されたアドレス値118を遮断する。通常、その意図されたアドレス値118は、メモリ106の入力部122に直接与えられるであろう。論理部104はまた、再マッピング値116を受け取る。意図されたアドレス値118は、第2の論理演算204で再マッピング値116と論理的に組み合わされて、その結果再マッピングされたアドレス値120をもたらす。
【0012】
次いで、その再マッピングされたアドレス値120は、メモリ106の入力部122に供給され、それによりアクセス操作206において、プロセッサ102によりメモリ106内の故障でない場所へのアクセスに向かう。メモリのアクセスは、読み出し又は書き込みの目的のためである。一度、データが固定の(即ち、ラッチされた)再マッピング値118を備える故障許容システム100を用いてメモリ106に書き込まれると、所望のデータと関連した同じ意図されたアドレス値118を利用することが、所望のデータを含むメモリ106内の正しい再マップ値の場所にアクセスすることをもたらすであろう。
【0013】
不良メモリ・アドレス値112及び未使用のメモリ・アドレス値114は、それぞれ、メモリ内の個々のデータ場所に対応する。これは、メモリの別個の場所に対して唯1つの不良アドレス値が存在するとき真である。一例が以下の表Aに与えられている。その例に示されるように、全てのアドレスが再マッピングされる。
【0014】
【表1】
【0015】
表Aに示されるように、アドレス場所13が不良、従って使用不能であるが、しかしプロセッサ・プログラムは、データが場所13に格納されるであろうことを指定した。プロセッサ・プログラムは、場所7が未使用であろうことを指定した。従って、不良場所を良い場所に再マッピングするため、場所13に対する2進数アドレス値(1101)が、場所7に対する2進数アドレス値(0111)と排他的論理和演算(XOR)されて、再マッピング値1010を生成する。次いで、その再マッピング値は、プロセッサ102からの各意図されたアドレスと排他的論理和演算(XOR)されて、再マッピングされたアドレスを生成する。こうして、プロセッサが不良場所13に対する1101を出力するとき、再マッピングされた値は0111になり、それは、場所13に対するデータを、先に未使用であると考えられていた場所7に指向させる。全ての場所を再マッピングすることの代替は、意図されたアドレスが不良アドレスであるときのみ比較器を用いて論理部104を意図されたアドレスに適用することにより、その不良アドレスを未使用のアドレスに単に再マッピングすることである。
【0016】
本発明は、単一の場所が不良場合以外の他のシナリオに適用することができる。本発明は、未使用の値が不良値と組み合わされて、不良場所を未使用の場所に常に再マッピングする再マッピング値を生成することができるときはいつでも適用可能である。以下の表Bは、2つの連続した不良場所及び2つの連続した未使用の場所が存在する場合の一例を示す。
【0017】
【表2】
【0018】
示されているように、両方の場所12及び13が不良、そして場所6及び7が未使用である。従って、2進数アドレス110x(ここで、xは、ビット値が0又は1のいずれかであり得る。)が、011xと排他的論理和演算(XOR)されて、再マッピング値101x又は1010を生成する。次いで、このマッピング値は、各意図されたアドレスに適用され、それを再マッピングする。次いで、不良アドレス13が場所7に再マッピングされ、そして不良アドレス12が場所6に再マッピングされる。
【0019】
本発明はまた、個々の場所を考慮する場合以外の別の状況に適用され得る。例えば、メモリのページ全体が不良、そして別のページが未使用である場合、不良ページ・アドレスが、未使用のページ・アドレスと論理的に組み合わされて、再マッピング値を生成し、次いでその再マッピング値が、プロセッサにより出力されたページ・アドレスと論理的に組み合わされて、不良ページを未使用のページに再マッピングすることができる。
【0020】
更に、アドレス値の最下位ビットを論理的に組み合わせることにより一層低い組のアドレスを再マッピングするように、本発明をメモリのサブセットに適用することが有利であり得る。例えば、不良アドレス値が場所2にあり、且つ未使用のアドレス値が場所0にある場合、場所0−3のサブセットは、アドレス全体ではなく2つの最下位ビットを論理的に組み合わせることにより再マッピングされ得る。これは、メモリが既にデータを1個のサブセット内に含み、そこにおいて不良アドレスが存在せず、且つ不良アドレスを持たないサブセットのそれらの場所が再マッピングされていない場合有益である。不良アドレスを持たないサブセットのそれらの場所が再マッピングされてないので、当該それらの場所に含まれるデータは、通常アドレス可能のままであり、そしてデータの再ローディングを必要としない。
【0021】
第1の論理部108及び第2の論理部104は、XORゲート、XNORゲート、又は多分類似の論理的組み合わせを提供する他のデバイスであってよい。論理部104及び108、並びにラッチ110は、プロセッサ102に対する組み込み型障害管理ハードウエアとして、又はプロセッサ102とメモリ・チップ106との間の中間デバイスとして、あるいはメモリ・チップ106に対する組み込み型障害管理ハードウエアとしてあり得る。最良の性能を達成するため、ゲート及びラッチをプロセッサ又はメモリ・チップ上に設けることが好適であり得る。
【0022】
不良アドレス112を論理部108に与えることは、パリティ、EDAC又はチェッカーボード試験のような通常の手続きを介して不良の位置を検出し、次いでその値をゲートに通すことにより行い得る。前述したように、再マッピング値は、メモリの固定範囲が常に未使用状態にされているように割り当てられている場合不良アドレス値を再マッピング値として用いることによるように、選定され得る。固定範囲が常に未使用として取っておかれるわけではない場合、又は未使用のアドレスである他の場所に対して再マッピングすることが望ましい場合、未使用のアドレスが、同様に通常の手続きを介して与えられ得る。例えば、ソフトウエア・リンカ/ローダによりメモリに置かれたような「使用の終わり」記号が配置されて、1つ又はそれより多い未使用の場所を決定し得て、そして次に、未使用のアドレス値が論理部108に与えられる。
【0023】
本発明が、その好適な実施形態を参照して特に示され且つ説明されたが、形式及び詳細において様々な他の変更が、本発明の趣旨及び範囲を逸脱することなしに実施形態において行い得ることが当業者に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】図1は、メモリ内の場所を再マッピングするための代表的システムを示す。
【図2】図2は、メモリ内の場所を再マッピングするための代表的システムの動作フローを示す。
Claims (10)
- 再マッピング値(116)を発生するステップ(202)と、
前記再マッピング値(116)を、意図されたアドレス値(118)と論理的に組み合わせて、再マッピングされたアドレス値(120)を発生するステップ(204)と、
前記再マッピングされたアドレス値(120)を有するメモリ場所にアクセスするステップ(206)と
を備える、メモリ内の場所を再マッピングする方法。 - 前記再マッピング値(116)は、不良アドレス値(112)を未使用のアドレス値(114)と論理的に組み合わせることにより発生される、請求項1記載の方法。
- 前記不良アドレス値(112)、未使用のメモリ・アドレス値(114)、及び再マッピングされたアドレス値(120)は個々のデータ場所に対応する、請求項2記載の方法。
- 前記再マッピング値(116)は、各意図されたアドレス値(118)と論理的に組み合わされて、各意図されたアドレスを個々の再マッピングされたアドレス値(120)に対して再マッピングする、請求項1記載の方法。
- 前記不良アドレス値(112)は、前記未使用のアドレス値(114)と排他的論理和演算され、且つ前記再マッピング値(116)は前記意図されたアドレス値(118)と排他的論理和演算される、請求項2記載の方法。
- 再マッピング値(116)を出力するよう構成された第1の論理部(108)と、
前記再マッピング値(116)を、意図されたアドレス値(118)と組み合わせて、再マッピングされたアドレス値(120)を発生するよう構成された第2の論理部(104)と、
前記再マッピングされたアドレス値(120)を有するメモリ場所にアクセスするよう構成されたメモリ・アドレス入力部(122)と
を備える、メモリ内の場所を再マッピングするシステム。 - 前記第1の論理部(108)は更に、不良アドレス値(112)を未使用のアドレス値(114)と論理的に組み合わせて、前記再マッピング値(116)を生成するよう構成されている、請求項6記載のシステム。
- 前記の不良メモリ・アドレス値(112)及び未使用のメモリ・アドレス値(114)は、それぞれ複数のデータ場所に対応する、請求項7記載のシステム。
- 前記第2の論理部(104)は、前記再マッピング値(116)を、前記の不良メモリ・アドレス値(112)に等しい前記意図されたアドレス値(118)のみと組み合わせて、前記の不良メモリ・アドレス値(112)のみに対して再マッピングされたアドレス値(120)を発生する、請求項7記載のシステム。
- 前記第1の論理部(108)及び第2の論理部(104)は排他的NORゲートである、請求項6記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/766,073 US6678836B2 (en) | 2001-01-19 | 2001-01-19 | Simple fault tolerance for memory |
PCT/US2002/004672 WO2002057920A2 (en) | 2001-01-19 | 2002-01-15 | Simple fault tolerance for memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004527821A true JP2004527821A (ja) | 2004-09-09 |
Family
ID=25075323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002558137A Withdrawn JP2004527821A (ja) | 2001-01-19 | 2002-01-15 | メモリのための簡略な故障許容 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6678836B2 (ja) |
EP (1) | EP1410208A2 (ja) |
JP (1) | JP2004527821A (ja) |
AU (1) | AU2002244041A1 (ja) |
CA (1) | CA2435396A1 (ja) |
TW (1) | TWI238937B (ja) |
WO (1) | WO2002057920A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006107363A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 携帯可能電子装置と携帯可能電子装置に用いられるメモリアクセス方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4235122B2 (ja) | 2004-02-06 | 2009-03-11 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置のテスト方法 |
US20060253749A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-09 | International Business Machines Corporation | Real-time memory verification in a high-availability system |
US7966518B2 (en) * | 2007-05-15 | 2011-06-21 | Sandisk Corporation | Method for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table |
US7958390B2 (en) * | 2007-05-15 | 2011-06-07 | Sandisk Corporation | Memory device for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table |
US8879295B1 (en) | 2013-08-05 | 2014-11-04 | International Business Machines Corporation | Electronic circuit for remapping faulty memory arrays of variable size |
US9343185B2 (en) | 2013-09-26 | 2016-05-17 | International Business Machines Corporation | Electronic circuit for fitting a virtual address range to a physical memory containing faulty address |
KR20190066327A (ko) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3644902A (en) | 1970-05-18 | 1972-02-22 | Ibm | Memory with reconfiguration to avoid uncorrectable errors |
US3765001A (en) | 1970-09-30 | 1973-10-09 | Ibm | Address translation logic which permits a monolithic memory to utilize defective storage cells |
US3897626A (en) | 1971-06-25 | 1975-08-05 | Ibm | Method of manufacturing a full capacity monolithic memory utilizing defective storage cells |
US3781826A (en) | 1971-11-15 | 1973-12-25 | Ibm | Monolithic memory utilizing defective storage cells |
NL7415966A (nl) | 1974-12-09 | 1976-06-11 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het opslaan van binaire informatie-elementen. |
US4461001A (en) | 1982-03-29 | 1984-07-17 | International Business Machines Corporation | Deterministic permutation algorithm |
US4489403A (en) | 1982-05-24 | 1984-12-18 | International Business Machines Corporation | Fault alignment control system and circuits |
US4453248A (en) | 1982-06-16 | 1984-06-05 | International Business Machines Corporation | Fault alignment exclusion method to prevent realignment of previously paired memory defects |
US4506364A (en) | 1982-09-30 | 1985-03-19 | International Business Machines Corporation | Memory address permutation apparatus |
US4520453A (en) | 1982-11-01 | 1985-05-28 | Ampex Corporation | Address transformation system having an address shuffler |
US4534029A (en) | 1983-03-24 | 1985-08-06 | International Business Machines Corporation | Fault alignment control system and circuits |
US4649476A (en) * | 1983-10-31 | 1987-03-10 | Motorola, Inc. | Microcomputer having an internal address mapper |
US4603399A (en) | 1983-12-27 | 1986-07-29 | International Business Machines Corporation | Data processing apparatus for address substitution |
US5123101A (en) | 1986-11-12 | 1992-06-16 | Xerox Corporation | Multiple address space mapping technique for shared memory wherein a processor operates a fault handling routine upon a translator miss |
US5253350A (en) * | 1987-10-30 | 1993-10-12 | Zenith Data Systems Corporation | Method of combining lower order and translated upper order bits to address ROM within a range reserved for other devices |
US5067105A (en) | 1987-11-16 | 1991-11-19 | International Business Machines Corporation | System and method for automatically configuring translation of logical addresses to a physical memory address in a computer memory system |
DE69033262T2 (de) * | 1989-04-13 | 2000-02-24 | Sandisk Corp | EEPROM-Karte mit Austauch von fehlerhaften Speicherzellen und Zwischenspeicher |
US5253354A (en) | 1990-08-31 | 1993-10-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Row address generator for defective DRAMS including an upper and lower memory device |
IT1261411B (it) | 1993-03-12 | 1996-05-23 | Texas Instruments Italia Spa | Metodo e circuiteria per l'uso di memorie aventi locazioni difettose erelativa apparecchiatura di produzione. |
US5455834A (en) | 1993-06-14 | 1995-10-03 | Hal Computer Systems, Inc. | Fault tolerant address translation method and system |
MY112118A (en) * | 1993-12-23 | 2001-04-30 | Hitachi Global Storage Tech Netherlands B V | System and method for skip-sector mapping in a data recording disk drive. |
US5901105A (en) | 1995-04-05 | 1999-05-04 | Ong; Adrian E | Dynamic random access memory having decoding circuitry for partial memory blocks |
US5937436A (en) | 1996-07-01 | 1999-08-10 | Sun Microsystems, Inc | Network interface circuit including an address translation unit and flush control circuit and method for checking for invalid address translations |
US5838893A (en) | 1996-12-26 | 1998-11-17 | Microsoft Corporation | Method and system for remapping physical memory |
US5943283A (en) | 1997-12-05 | 1999-08-24 | Invox Technology | Address scrambling in a semiconductor memory |
US6189118B1 (en) * | 1998-10-22 | 2001-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium, and method and apparatus for managing defect thereof |
US6535995B1 (en) * | 1999-03-10 | 2003-03-18 | International Business Machines Corporation | Prototype-based virtual in-line sparing |
-
2001
- 2001-01-19 US US09/766,073 patent/US6678836B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-15 CA CA002435396A patent/CA2435396A1/en not_active Abandoned
- 2002-01-15 EP EP02709562A patent/EP1410208A2/en not_active Withdrawn
- 2002-01-15 JP JP2002558137A patent/JP2004527821A/ja not_active Withdrawn
- 2002-01-15 AU AU2002244041A patent/AU2002244041A1/en not_active Abandoned
- 2002-01-15 WO PCT/US2002/004672 patent/WO2002057920A2/en active Application Filing
- 2002-01-18 TW TW091100757A patent/TWI238937B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-11-18 US US10/716,984 patent/US7146528B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006107363A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 携帯可能電子装置と携帯可能電子装置に用いられるメモリアクセス方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7146528B2 (en) | 2006-12-05 |
CA2435396A1 (en) | 2002-07-25 |
US6678836B2 (en) | 2004-01-13 |
US20020138708A1 (en) | 2002-09-26 |
US20040153744A1 (en) | 2004-08-05 |
AU2002244041A1 (en) | 2002-07-30 |
TWI238937B (en) | 2005-09-01 |
WO2002057920A2 (en) | 2002-07-25 |
EP1410208A2 (en) | 2004-04-21 |
WO2002057920A3 (en) | 2004-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7545689B2 (en) | Method and apparatus for improving yield in semiconductor devices by guaranteeing health of redundancy information | |
US8245109B2 (en) | Error checking and correction (ECC) system and method | |
US9201718B2 (en) | Data recovery in a solid state storage system | |
US7694198B2 (en) | Self-repairing of microprocessor array structures | |
US6754858B2 (en) | SDRAM address error detection method and apparatus | |
US7996710B2 (en) | Defect management for a semiconductor memory system | |
US20060265636A1 (en) | Optimized testing of on-chip error correction circuit | |
US20060056247A1 (en) | Memory device | |
US8316175B2 (en) | High throughput flash memory system | |
US8566669B2 (en) | Memory system and method for generating and transferring parity information | |
US20120324148A1 (en) | System and method of protecting metadata from nand flash failures | |
US10409677B2 (en) | Enhanced memory reliability in stacked memory devices | |
US7697347B2 (en) | Non-volatile memory device and method of driving the same | |
EP0689695B1 (en) | Fault tolerant memory system | |
US20180157428A1 (en) | Data protection of flash storage devices during power loss | |
JP4460967B2 (ja) | メモリカード、不揮発性半導体メモリ、及び半導体メモリの制御方法 | |
JP2004527821A (ja) | メモリのための簡略な故障許容 | |
JP3215919B2 (ja) | メモリ管理 | |
JPS62250599A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
KR20060094592A (ko) | 내장 에스램의 자체 복구 방법 및 장치 | |
JP3769395B2 (ja) | 不揮発性メモリを使用した外部記憶装置 | |
EP1622167A2 (en) | Cache memory and processor and their production methods | |
CN117037884B (zh) | 在存储阵列中使用的熔断器单元及其处理方法、存储阵列 | |
JPS60142759A (ja) | Lru決定用記憶装置のエラ−検出方式 | |
WO1996042083A1 (fr) | Methode de reconstruction de donnees et systeme de stockage de donnees |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |