JP2004524705A - 精密タイミング制御を有する注入シード方式レーザ - Google Patents

精密タイミング制御を有する注入シード方式レーザ Download PDF

Info

Publication number
JP2004524705A
JP2004524705A JP2002580447A JP2002580447A JP2004524705A JP 2004524705 A JP2004524705 A JP 2004524705A JP 2002580447 A JP2002580447 A JP 2002580447A JP 2002580447 A JP2002580447 A JP 2002580447A JP 2004524705 A JP2004524705 A JP 2004524705A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
pulse
high voltage
cores
discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002580447A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4542745B2 (ja
Inventor
ネス リチャード エム
サンドストロム リチャード エル
パートロ ウィリアム エヌ
アレクサンダー アイ エルショフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cymer Inc
Original Assignee
Cymer Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/829,475 external-priority patent/US6765945B2/en
Application filed by Cymer Inc filed Critical Cymer Inc
Publication of JP2004524705A publication Critical patent/JP2004524705A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4542745B2 publication Critical patent/JP4542745B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2366Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media comprising a gas as the active medium
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70041Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • H01S3/09705Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser with particular means for stabilising the discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • H01S3/0971Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10084Frequency control by seeding
    • H01S3/10092Coherent seed, e.g. injection locking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0057Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/036Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/038Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/038Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
    • H01S3/0385Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/041Arrangements for thermal management for gas lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H01S3/08009Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0943Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a gas laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • H01S3/09702Details of the driver electronics and electric discharge circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/139Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/2207Noble gas ions, e.g. Ar+>, Kr+>
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2258F2, i.e. molecular fluoride is comprised for lasing around 157 nm
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2325Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2325Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
    • H01S3/2333Double-pass amplifiers

Abstract

2つのレーザサブシステムを有する狭帯域レーザシステム。第1のレーザサブシステムは、狭帯域パルスシードビームが増幅されて狭帯域パルス出力ビームを生成する第2のレーザサブシステムを注入シードするのに使用される、超狭帯域パルス出力ビームを準備するように構成される。放電を適正に同期化するために、2つのレーザサブシステムの放電の時期を正確に決めるように特に構成されたパルス電源が設けられる。好ましい実施形態は、二組の変圧器コアを有するパルス変圧器ユニットを備えたパルス電力システムを含む。単一の上流側パルス圧縮回路は、両方の組のコアの全ての一次巻線に対して並列に高電圧パルスを供給する。別々の二次導体(一方は一方の組のコアを通り、他方は他方の組のコアを通る)は、2つの別々のレーザチャンバの各々の電極に放電パルスを供給する別々の下流側回路にそれぞれ超高電圧パルスを準備する。好ましい実施形態は、KrF、ArF、及びF2システムを含む。これらの好ましい実施形態において、ライン・ナローイングは、シードレーザの共振空洞内で達成することができるか、又は、シードレーザの出力をプレ利得フィルタを使用してライン・ナローイングすることができる。
【選択図】図3B

Description

【技術分野】
【0001】
本出願は、「精密なタイミング制御を伴う注入シード方式レーザ」という名称の2001年5月3日出願の米国特許出願一連番号第09/848,043号、「予注入フィルタを有する注入シード方式F2レーザ」という名称の2001年4月9日出願の米国特許出願一連番号第09/829,475号、「超狭帯域注入シード方式F2リソグラフィレーザ」という名称の1999年12月28日出願の米国特許出願一連番号第09/473,795号、「注入シード方式F2リソグラフィレーザ」という名称の1999年12月10日出願の米国特許出願一連番号第09/459,165号、「目視及びIR制御を伴うF2レーザ」という名称の1999年11月12日出願の米国特許出願一連番号第09/438,249号、「ライン・ナロード・シードビームを有する単一チャンバガス放電レーザ」という名称の1999年10月20日出願の米国特許出願一連番号第09/421,701号、及び、「エタロン出力カプラを有するライン・ナロード・レーザ」という名称の1999年9月27日出願の米国特許出願一連番号第09/407,120号の一部継続出願である。本発明は、レーザに関し、特に、集積回路リソグラフィに有益な注入シード方式レーザに関する。
【背景技術】
【0002】
従来技術のリソグラフィレーザ
KrFエキシマレーザは、集積回路リソグラフィ用の最先端光源である。このようなレーザは、米国特許第4,959,840号、米国特許第5,991,324号、及び米国特許第6,128,323号で説明されている。このレーザは、約248nmの波長で作動する。KrFレーザで、寸法がわずか180nmの集積回路を製造することができる。更に微細な寸法は、約193nmで作動するArFレーザ、又は約157nmで作動するF2レーザでもたらすことができる。これらのレーザ、つまり、KrFレーザ、ArFレーザ、及びF2レーザは、非常に似通っており、実際に、KrFレーザを製造するのに使用されるのと同じ基本的な機器は、わずかに異なる波長に適合するように単にガス濃度を変化させ、放電電圧を上げ、制御装置及び計装を改造すれば、ArFレーザ又はF2レーザを製造するのに使用することができる。
【0003】
集積回路の製造に使用される一般的な従来技術によるKrFエキシマレーザを図1、図1A、及び図1Bに示す。この従来技術によるレーザのレーザチャンバの断面図を図1Bに示す。図1Aに示すように、高電圧電源3により電力が供給されるパルス電力システム2は、電気パルスを放電チャンバ8に位置する電極6に供給する。一般的な最先端リソグラフィレーザは、約10ミリジュール/パルスのパルスエネルギを用いて約1000Hzから2000Hzのパルス繰返し数で作動される。電極間の空間を通して、約1,000から2,000センチメートル/秒の速度で、約3気圧のレーザガス(KrFレーザの場合は、約0.1%フッ素、1.3%クリプトン、及び残りのバッファガスとして機能するネオン)を循環させる。これは、レーザ放電チャンバに位置する接線方向送風機10で行われる。レーザガスは、やはりレーザ放電チャンバに位置する熱交換器11、及びチャンバの外側に取り付けられた冷間板(図示せず)で冷却される。エキシマレーザの自然帯域幅は、ライン・ナローイング・モジュール18によって狭められる(ライン・ナローイング・パッケージ、又は「LNP」ということもある)。市販のエキシマレーザシステムは、一般的に、システムの残りの部分を乱すことなく素早く交換することができる幾つかのモジュールで構成されている。主なモジュールには、以下のものが含まれる。
レーザチャンバモジュール
高電圧電源モジュール
高電圧圧縮ヘッドモジュール
整流子モジュール
出力カプラモジュール
ライン・ナローイング・モジュール
波長計モジュール
コンピュータ制御モジュール
ガス制御モジュール
冷却水モジュール
【0004】
電極6は、陰極6A及び陽極6Bから成る。陽極6Bは、この従来技術による実施形態では、図1Bの断面図に示す陽極サポートバー44によって支えられている。流れは、この図では反時計回りである。陽極サポートバー44の1つの隅部及び1つの縁部は、送風機10からの空気を強制的に電極6A及び6Bの間に流すための案内羽としての役目をする。この従来技術によるレーザにおける他の案内羽は、46、48、及び50で示されている。有孔流れ戻り板52は、チャンバ8の金属構造体に対して陽極6Bを接地するのを助ける。この板には、この流れ戻り板が実質的にガス流に影響を与えないようにレーザガス流路内に位置する大きな穴(図3では図示せず)が穿孔されている。個々のコンデンサ19のアレーで構成されたピークコンデンサバンクは、パルス電力システム2によって各パルスの前に充電される。ピークコンデンサ上での電圧上昇中に1つ又はそれ以上のプレイオン化装置56は、電極6A及び6Bとの間のレージングガスを弱くイオン化し、コンデンサ19上の電荷が約16,000ボルトに達すると、電極全体に亘る放電が発生してエキシマレーザパルスが生成される。各パルスに続いて、送風機10によって生成された約1から2センチメートル/ミリ秒の電極間のガス流は、0.5から1ミリ秒後に発生する次のパルスに間に合うように電極間に新しいレーザガスをもたらすのに十分なものである。
【0005】
一般的なリソグラフィエキシマレーザでは、フィードバック制御システムにより各パルスの出力レーザエネルギが測定され、所望のパルスエネルギからのシフトの程度が判断された後に、その後のパルスエネルギが所望のエネルギの近傍となるように電源電圧を調節する信号がコントローラに送られる。これらのエキシマレーザは、一般的に、計画された保守のために短い休止があるだけであって、数ヵ月間の間、24時間/日及び7日/週で連続的に作動することが要求される。
【0006】
注入シード方式
ガス放電レーザシステム(エキシマレーザシステムを含む)の帯域幅を小さくするための公知の技術では、狭帯域「シード」ビームが利得媒体に注入される。1つのこのようなシステムでは、「シードレーザ」又は「マスタ発振器」というレーザが非常に狭いレーザ帯域ビームを供給するように設計され、そのレーザビームは、第2のレーザのシードビームとして使用される。第2のレーザが電力増幅器として機能する場合、そのシステムは、一般的に、マスタ発振器電力増幅器(MOPA)システムという。第2レーザ自体が共振空洞を有する場合、システムは、一般的に注入シード方式発振器(ISO)と呼ばれ、シードレーザは、通常はマスタ発振器と呼ばれ、下流側レーザは、通常は電力発振器と呼ばれる。
【0007】
ジターの問題
上述の種類のガス放電レーザでは、放電の持続時間は非常に短い時間であり、一般的に、約20から50ns(1秒の200億分の一から500億分の一)である。更に、放電によって作り出される反転分布は、その反転分布が実質的に放電中のみに存在するように極めて急速に消耗される。これらの2つのレーザシステムでは、下流側レーザの分布は、上流側レーザからのビームが第2レーザに達した時に反転されなければならない。従って、2つのレーザの放電は、レーザシステムの適正な作動のために適切に同期されるべきである。一般的なパルス電力システム内では放電タイミングの変動のいくつかの潜在的な原因があるので、これは問題になる可能性がある。タイミング変動の最も重要な原因の2つは、パルス電力回路で使用される飽和可能インダクタにおける電圧変動及び温度変動である。放電のタイミングを所望の値に正規化するために、パルス電力充電電圧及びインダクタ温度をモニタすること、及び、測定からのデータ及び遅延回路を利用することが公知である。従来技術の一例は、本明細書において引用により組み込まれる、米国特許第6,016,325号に説明されている。そこでは、従来技術においてタイミング誤差を低減することはできても、それを除去することはできないであろう。最終的にもたらされるこれらの誤差は、「ジター」と呼ばれる。
【0008】
レーザ帯域幅
一般的なKrFレーザは、約248nmを中心とした約300pm(FWHM)の自然帯域を有し、リソグラフィ用には、一般的に約0.6pmにライン・ナローイングされる。ArFレーザは、約193nmを中心とした約500の自然帯域を有し、一般的に0.5pmにライン・ナローイングされる。これらのレーザは、図2に示すライン・ナローイング・モジュール18を使用して自然帯域の大部分に亘って比較的に簡単に同調させることができる。F2レーザは、一般的に、エネルギの大半が約157.63nm及び157.52nmを中心とした2つの狭いライン内にあるレーザビームを生成する。多くの場合、これらの狭い線の強度の小さい方(即ち、157.52nmライン)が抑制され、レーザは、157.63nmラインで作動するように強制される。157.63nmラインの自然帯域幅は圧力に依存し、約0.6から1.2pmまで変動する。帯域幅がこの範囲にあるF2レーザは、屈折及び反射の両方の光学要素を使用する反射屈折レンズデザインを利用するリソグラフィ装置と共に使用することができるが、全屈折レンズデザインに対しては、レーザビームは、所望の結果をもたらす約0.1pmの帯域幅を有するべきである。
リソグラフィ機器のためのレーザは、非常に複雑かつ高価である。帯域幅が更に小さくなれば、リソグラフィ機器のレンズデザインが大幅に簡素化され、及び/又は、その機器によって製造された集積回路の品質が向上するであろう。すなわち、帯域幅が実質的に低減されたリソグラフィレーザ(KrF、ArF、及びF2レーザを含む)に対する必要性が存在する。
【0009】
光学フィルタ
ビーム内の狭い範囲の光を選択する光学フィルタが数多くある。1つのこのようなフィルタは、単色光分光器であり、第1のスリットを通過する光がレンズで平行化され、プリズム又は回折格子のような分散要素でスペクトル的に分散されて、この配分された光は、次に焦点平面に集束され、選択されたスペクトル範囲が、局所的平面に位置するスリットを通して集められる。
【0010】
【特許文献1】
米国特許出願一連番号第09/848,043号
【特許文献2】
米国特許出願一連番号第09/829,475号
【特許文献3】
米国特許出願一連番号第09/473,795号
【特許文献4】
米国特許出願一連番号第09/459,165号
【特許文献5】
米国特許出願一連番号第09/438,249号
【特許文献6】
米国特許出願一連番号第09/421,701号
【特許文献7】
米国特許出願一連番号第09/407,120号
【特許文献8】
米国特許第4,959,840号
【特許文献9】
米国特許第5,991,324号
【特許文献10】
米国特許第6,128,323号
【特許文献11】
米国特許第6,016,325号
【特許文献12】
米国特許第5,978,394号
【特許文献13】
米国特許第6,192,064号B1
【特許文献14】
米国特許第5,142,166号
【特許文献15】
米国特許第6,151,346号
【特許文献16】
米国特許第5,729,562号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
必要とされているのは、リソグラフィの帯域幅を実質的に低減する技術である。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明は、2つのレーザサブシステムを有する狭帯域レーザシステムを提供する。第1のレーザサブシステムは、狭帯域パルスシードビームが増幅されて狭帯域パルス出力ビームを生成する第2のレーザサブシステムを注入シードするのに使用される、超狭帯域パルス出力ビームを準備するように構成される。放電を適正に同期化するために、2つのレーザサブシステムの放電の時期を正確に決めるように特に構成されたパルス電源が設けられる。好ましい実施形態は、二組の変圧器コアを有するパルス変圧器ユニットを備えたパルス電力システムを含む。単一の上流側パルス圧縮回路は、両方の組のコアの全ての一次巻線に対して並列に高電圧パルスを供給する。別々の二次導体(一方は一方の組のコアを通り、他方は他方の組のコアを通る)は、2つの別々のレーザチャンバの各々の電極に放電パルスを供給する別々の下流側回路にそれぞれ超高電圧パルスを準備する。好ましい実施形態は、KrF、ArF、及びF2システムを含む。これらの好ましい実施形態において、ライン・ナローイングは、シードレーザの共振空洞内で達成することができるか、又は、シードレーザの出力をプレ利得フィルタを使用してライン・ナローイングすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
本発明の好ましい実施形態は、図を参照しながら説明することができる。本発明の第1の好ましい実施形態を図13に示す。これは、注入シード方式電力増幅器ArFレーザシステム200である。それは、2つのレーザシステム、つまり、シードレーザシステム202及び電力増幅器レーザシステム204を備える。シードレーザシステム202は、レーザチャンバ206と、四プリズム35Xビームエキスパンダ210、同調ミラー212、及び10インチ回折格子214を含むライン・ナローイング・モジュール208とで構成されている。電力増幅器レーザシステムは、レーザチャンバ216を含む。
【0014】
シードレーザには、好ましくは幅1.5mm及び高さ6mmの小さな断面を有する出力ビームを生成するために絞りが設置されている。本システムは、シードレーザ出力ビーム断面を3mmx12mmに協働して拡大するレンズ218及びレンズ219を含む。約0.05mJ毎パルスのエネルギを有するこのパルスのビームは、電力増幅レーザシステムにおいて、約10mJ毎パルスのパルスエネルギに増幅される。
【0015】
ビームの約4%に当たる小部分が、部分反射ミラー220により採取されて、電力増幅器出力ビームのパルスエネルギ波長及び帯域幅をモニタする波長計222に向けられる。この波長計は、好ましくは、米国特許第5,978,394号又は米国特許第6,192,064号B1で説明されているものである。波長計からの信号は、パルス電力システムの充電電圧を調節するためにコントローラ224により利用され、このパルス電力システムは、次に、本明細書の以下の節で説明するように、両方のレーザシステムの放電電圧を判断する。パルス電力システムは、所望の出力パルスエネルギを生成するために放電が正確に同調されるように、その節で説明するように構成される。コントローラはまた、所望の中心波長が得られるように同調ミラー212のピボット部分を制御する。
【0016】
本出願人の試験は、シードレーザ出力ビームの半値全幅帯域幅が、集積回路リソグラフィに現在使用される最良の最先端ArFレーザの場合で約0.4pmであるのに対して、この構成を用いて0.15pmよりも小さく低減することができることを明らかにした。
1.0mJ及び0.2pmのシードビームを用いて、本出願人は、図13に示す構成で、5から10mJのパルスエネルギ及び0.2pmの帯域幅を有するレーザシステム出力ビームを予想している。この出力ビームは、約0.4pm及び5mJで作動する最先端ArFリソグラフィレーザに対する大幅な改良であることを示すものである。35Xビームエキスパンダに代わって45Xビームエキスパンダを使用することができ、より大きな回折格子が使用される。本出願人の試験により、この改造は、シードレーザ出力ビームの帯域幅を更に一層低減して約0.15pmにすることが示された。
【0017】
第1の好ましい実施形態に対する改造
上述のシステムに対して、いくらか異なる性能を生み出すために行うことができる幾つかの改造がある。1つの変形は、図14に示されている。この変形では、レンズ219が除去され、それに代わって電力増幅器216の出力の下流側に位置するレンズ219Aが使用されている。この変更は、シードビームが増幅される時に拡大して、放電領域の活性部分で更に均一な電力密度を生み出すことを可能にする。
【0018】
パルスタイミング
本発明の好ましい実施形態は、所望の出力パルスレーザビームを生成するために2つのレーザシステムの放電タイミングを制御するように構成されたパルス電力システムを利用する。これらの実施形態は、米国特許第5,142,166号で説明されている部分巻回パルス変圧器と類似の部分巻回パルス変圧器設計を利用する。これらの実施形態では、パルス電力回路の2つのレーザシステムに対する部分は、パルス変圧器システムの下流側で別々のものであり、パルス電力回路のパルス変圧器システムの上流側の部分は、両方のレーザシステムに対して共通である。
【0019】
図3は、好ましいパルス電力システムの主な要素の電気的概要を示す。パルス変圧器システムの上流側のシステムの部分は、米国特許第6,151,346号で説明されている(本明細書において引用により組み込まれる)図11に示す回路と非常に似通っている。単一コンデンサバンクが、充電C0コンデンサバンク42を形成する。電気パルスは、並列に取り付けられた2つの「IGBT」スイッチから成るスイッチS146を閉じることにより発生する。L0インダクタ48は、スイッチが劣化することなく閉じてC1コンデンサバンク52を充電することができるように、S1を通る電流の流れを遠ざける。L1飽和可能インダクタは、コンデンサL1が飽和するまで、パルス変圧器システム56を通る相当の電流の流れを遠ざけ、それが飽和した時点で、部分巻回パルス変圧器システム56の一次巻回は、短い約0.5マイクロ秒の1000ボルトパルスでパルスを加えられる。この実施形態において、変圧器システム56は、この場合は実質的に同一である2つの別々の変圧器ユニット56A及び56Bで構成される。
【0020】
パルス変圧器ユニット56の各々は、米国特許第6,151,346号で説明されているパルス変圧器と類似のものである。本実施形態のパルス変圧器ユニットは、二次巻線に単一巻回のみと、23個のインダクションユニットとを有する。変圧器は、図3Bに示すように、1:24のステップアップ比が得られるように自動変圧器として構成される。23個のインダクションユニットの各々は、図3Aの下縁に沿って示すように、プリント回路基板56B上の正端子及び負端子にボルト留めされる2つのフランジ(各々がねじ付きボルト穴を備えた平坦縁部を有する)を有するアルミニウム製スプール56Aを含む。(負端子は、23個の一次巻線の高電圧端子である。)絶縁体56Cは、各スプールの正端子を隣接スプールの負端子から分離させる。スプールのフランジ間には、外径0.875、壁厚約1/32インチで長さ1と1/16インチの中空シリンダがある。スプールは、絶縁された「Metglas(登録商標)」ラッピングの外径が2.24インチになるまで、1インチ幅で0.7ミル厚の「Metglas(登録商標)2605 S3A」、及び、0.1ミル厚のマイラーフィルムでラップされている。1つの一次巻線を形成する単一のラップされたスプールの斜視図が、米国特許第6,151,346号の図5に示されている。
【0021】
各変圧器の二次側は、「Teflon(登録商標)」(PTFE)のきつく嵌る絶縁管内に取り付けられた単一外径のステンレス鋼ロッドである。変圧器ユニットは、図3Aに示すように4つの部分になっている。図3Aに56Dとして示すステンレス鋼二次側の低電圧端部は、56Eでプリント回路基板56B上の一次側HVリード線に結合され、高電圧端子は、56Fに示されている。その結果、変圧器は、自動変圧器構成を有し、ステップアップ比は、1:23ではなく1:24になる。すなわち、インダクションユニットの正及び負端子間の約−1400ボルトのパルスにより、二次側の端子56Fで約−35,000ボルトのパルスが生成されることになる。1000ボルトの一次パルスにより、両方の変圧器の二次側に約24,000ボルトのパルスが生成される。この単一巻回二次巻線設計により、極めて高速の出力立ち上がり時間を可能にする非常に低い漏れインダクタンスが得られる。
【0022】
パルス変圧器システムの一般的な構成を図3Bに示す。この図で示すように、パルス電力システムの上流側部分により生成された約1000ボルトの一次高電圧パルスは、全く同時に各パルス変圧器に到達し、変圧器の各々の対応する出力パルスは、従って、形状及び時間が実質的に同一であることになる。本出願人は、2つの変圧器の出力におけるジターは、1ナノ秒よりも短いことになると推定する。
【0023】
図3に示すように、この実施形態において、パルス電力回路のパルス変圧器の下流側の部分は別々であるが実質的に等しく、そのために電極83及び84とA及びBとにおけるジターは、3nsよりも短いと推定される。従って、両方のレーザにおける利得媒体は、約3nsよりも短い変動があるが同時に生成される。各パルスの持続時間は、第1レーザにおいて生成されたレーザパルスが第2レーザにおいて適正に増幅されるように、約20から50nsである。回路には、全ての飽和可能インダクタにバイアスを掛けることによりそれらが各パルスの前に逆方向に導電するように、バイアス回路を設けることが好ましい。バイアス回路は、米国特許第5,729,562号で詳細に説明されているように、パルス直後の短い時間の間は飽和可能インダクタが順方向導電のままであり、それによって電極から反射したパルスエネルギを回復することができるように設計される。
【0024】
本発明の好ましい実施形態では、第1レーザの出力カプラは、第2レーザの入力窓の約1フィート下流側に位置する。従って、この理由又は他の理由から、第1レーザと比較して第2レーザの放電を遅延させることが望ましいであろう。これは、電気パルスが約1.0ns/20cmの割合で良導体を通って進むので、第2レーザのパルスを運ぶ導体を第1レーザの対応する導体よりも長くする(例えば、20から40cmだけ)ことにより容易に達成することができる。
【0025】
調節可能な遅延
一方のレーザの放電のタイミングを他方のレーザに対して制御する別の手法は、図3に示す回路において、図3Cに示す位置63のような変圧器56の下流のブランチの1つに飽和可能インダクタを挿入することである。この飽和可能インダクタには、調節可能な順方向バイアスが装着されている。付加される順方向バイアスは、インダクタの順方向の飽和を完了させる時間がほぼ所望の遅延時間と等しくなるように選択される。この遅延時間は、飽和可能インダクタにおける巻回数、その磁心の断面積、及びインダクタの磁束振れΔBの関数である。所要の遅延は非常に小さいことから、巻回数は、1巻回とすることができ、磁心は小さい(2インチ直径など)とすることができ、磁束振れΔBもまた、図3C1に示すように小さいとすることができる。バイアスを調節することにより、相対遅延を調節することができる。遅延制御は、ジターを制御するためにフィードバックループ設計に組み込むことができるであろう。発振器/増幅器構成に必要とされる予想される遅延は小さいので(ns又は数10ns程度)、遅延反応器は小型化することができる。更に、ここでもまた、ボルト・秒の要件がおそらくパルス電力圧縮回路において必要とされるよりも遥かに小さいので、コア材料は、回路で導入される損失を最小限に抑えるように選択することができる。調節可能な遅延を準備する別の技術を図3Dに示す。この場合、パルスをレーザの1つに搬送する導体101は、単一ループコイル102に配置され、高い透磁率を有するロッド103は、コイルから出入り可能に配置される。このロッドは、ステッパモータ又は圧電ドライバのような高速駆動装置と共に配置することができる。
【0026】
他のパルス変圧器構成
図3Bに示すパルス変圧器構成の多くの変形が可能である。2つのレーザシステムに対する好ましい出力電圧は同じでない場合がある。異なる電圧が必要とされる場合、変圧器の一方に対するインダクションユニット数を他方に対して増減することにより、これを容易に達成することができる。また、いくつかのインダクションユニットを削除するために変圧器の一方にスイッチを含めることができ、その変圧器の放電電圧出力を他方の変圧器に対して小さくすることができるであろう。低減されたレベルで二次電圧を取り去るために、いずれかの変圧器の4つの変圧器部分の任意の部分の間にタップを設けることができる。
【0027】
注入シード方式F 2 レーザシステム
シードレーザ
図4から図11Dまでは、注入シード方式F2レーザシステムを設計し、作動させるための様々な技術を説明するものである。好ましい第1のF2注入シード方式光源は、面平行光学共振器又は不安定共振器構成を使用する従来のF2レーザとすることができる。両方のレーザサブシステムに対するパルス電源は、上述の技術の1つを利用して提供されることが好ましい。それによって、各レーザビームの放電タイミングが確実に適度に同期される。好ましいF2実施形態では、シードレーザビームは、シードレーザの下流側で濾過される。シードレーザは、好ましくは、濾過後に10〜100μJの狭帯域エネルギがF2電力利得段をシードするのに利用可能であるような十分なエネルギを発生させることになる。不安定共振器は、安定共振器よりも発散性が低く空間的に密着したビームを生成することになり、これは、注入スペクトルフィルタを通してエネルギを結合する際に何らかの利点があるであろう。例えば、フィルタが単純な単色光分光器である場合、低い発散性のビームは、単色光分光器の入力スリットまでより容易に集束することになる。別の設計上の任意選択肢は、比較的低い圧力(≒100〜200kPa)で第1のF2光源レーザを作動させることである。これによって、実質的に低減されたスペクトル幅の0.3〜0.6pmを生み出す。スペクトル幅が小さくなるというのは、ポストゲインフィルタに入るエネルギのより多くの部分がフィルタを通過することになることを意味する。第1のF2光源からの生の出力エネルギの方が遥かに小さいが、これは、注入フィルタが処理することのできる最大エネルギが同様に限定されるので、実際には欠点にはならないであろう。
【0028】
好ましい実施形態で第1のF2光源として使用される従来のF2レーザは、F2レーザとして作動するように改造された標準的KrFリソグラフィレーザシステムである。これらのKrFリソグラフィレーザは公知であり、今日では1,000を超えるこれらのユニットが、集積回路リソグラフィ機械用の光源として集積回路製造工場で稼動している。これらのレーザは、1000から2000パルス/秒の範囲の繰返し数でレーザパルスを生成し、米国カリフォルニア州サンディエゴ所在の「Cymer」インコーポレーテッドのような供給業者から入手可能である。これらのリソグラフィレーザは、共に本明細書において引用により組み込まれる、米国特許第5,991,324号及び米国特許第6,128,323号のような多くの特許で詳細に説明されている。F2レーザとしての作動に必要とされる主な改造点は、ガス混合気を約0.1%のフッ素と残りのヘリウムとに変えることであり(ただし、ネオン、又は、ヘリウム及びネオンの組合せを使用することもできる)、好ましくは、放電電圧の上限範囲が、約26,000ボルトから約36,000ボルトに増加される。第1のF2光源と電力利得段とに使用される基本的原型F2レーザシステムについては、「F2レーザシステムの設計」という名称の節で以下に説明する。その節では、F2レーザを製造するための従来技術のKrFレーザシステムに対する重要な改良点について説明する。
【0029】
プレ電力利得フィルタ
好ましい従来技術の回折格子単色光分光器プレ電力利得フィルタについて、図6を参照しながら説明する。このフィルタは、マスタ発振器としての自励F2レーザと共に使用された時、好ましくは、マスタ発振器からの自励スペクトルの0.1pm帯域幅部分を薄切りしなければならず、また、それに続く増幅器段によって必要とされる10〜100μJの狭帯域エネルギを生成することができるべきである。図6に示すこの第1フィルタ実施形態は、従来の回折格子単色光分光器の実施形態である。マスタ発振器からの光は、最初に、入力スリット50に集束される。入力スリットを通過する光は、好ましくは曲面鏡52によって平行化され、この曲面鏡は、単純な球面鏡、又は軸外放物線面とすることができ、平行化された光は、回折格子54に向けられる。この回折格子は、157nm波長範囲で光を分散するように選択された高分散型(例えば、エシェル格子)である。この回折格子は、「Lithrow」構成にされる。ビーム経路54に沿って反射して返される選択された非常に狭い範囲の光は、ビームスプリッタ56の助けを得て出口スリット57上で再映像化される。装置の様々な幾何学的かつ光学的パラメータ(即ち、スリット幅、回折格子分散、曲面鏡焦点距離)によって、出口スリットを出る光の帯域幅が決定される。克服しなければならない1つの設計上の問題は、単色光分光器を通して所望の量のエネルギを結合しようとした時に入力及び出口スリットに到達する高いピーク強度である。これらの高い強度を処理する一方法は、屈折スリット、即ち、エネルギを吸収することなく不要な光を別の方向に屈折させる刃形楔を使用することである。このようなスリット装置を図6Aに示す。
【0030】
フィルタとしての機能に加え、図6の装置は、出口映像平面に配置された付加的なビームスプリッタ58及び線形検出器アレー60を含む。この増設によって、重要な残りの問題、即ち、(同調可能)注入フィルタを所望の波長に維持する方法が解決される。回折格子角度に数十マイクロラジアンを超える誤差がある場合、シードビームは、出口スリットに当たり損ねることになり、それに続く電力増幅器段を固定する狭帯域エネルギがないことになる。この角度の狂いが極めてごく僅かであった場合も、増幅されたスペクトルは所望の波長ではなくなる。幸いにも、単色光分光器は、本質的にそれ自体をモニタすることができる。回折格子及び球面鏡によって形成された映像は、単色光分光器に入った光の分散スペクトルである。第2のビームスプリッタは、2つの同一映像(スペクトル)を1つは出口スリット、1つは線形検出器アレーに生成する。線形検出器アレーは、自励マスタ発振器からの比較的広いスペクトルを感知すると、それをアレー上の各点でのスペクトル強度を表すビデオ信号に変換する。自励波長は、安定で公知であるから、単色光分光器の較正用基準としての役目を果たす。コントローラ66は、線形検出器アレーから読取りを行い、スペクトル映像の中心をアレー上の所望の点、例えばその中心近くに置くように回折格子角度を調節する。このようにして、単色光分光器は、マスタ発振器の自励スペクトルに対して自己安定化する。出口スリット及び線形アレーは、基本的には二重映像平面であるから、出口スリット位置は、線形アレー上の特定位置、従って波長に対応する。従って、マスタ発振器からの自励スペクトルをスペクトル基準として用い、出口スリットを出る光の波長を正確に判断することができる。
この装置を較正する一方法は、ビームスプリッタ62を単色光分光器を出るビームの経路内に置き、エネルギ検出器64でビームエネルギをモニタすることである。このような検出器は、注入シードのエネルギをモニタする必要があるので、いずれにせよ望ましいものである。
【0031】
較正
較正シーケンスは、以下のように進行すると思われる。(1)開始角度にある回折格子を用いて、レーザが発射され、線形アレー上に落ちるスペクトル映像と共に出口スリットからの出力エネルギがモニタされる。スペクトルのピークが、アレー上のピクセル単位の位置を用いて判断される。(2)回折格子角度を上げて測定を繰り返す。(3)回折格子角度をある範囲を通して走査した後、得られたデータを検査する。出力エネルギが最大になるアレー上のスペクトルの位置(ピクセル単位)は、スリットの同等な位置に対応する。
【0032】
この較正された位置が判断されると、単色光分光器の公知の分散を利用して、回折格子を他の波長に再同調させることができる。例えば、単色光分光器の分散が0.1pm/ピクセルと仮定し、更に、出口スリットの較正位置がピクセル300であると仮定する。出力の所望の波長が157.6299nm(157,629.9pm)、つまり、自励スペクトルの中心である場合、回折格子角度は、映像の中心がピクセル300にあるように調節される。所望の波長が中心(157.6301nm)から+0.2pm離れている場合、映像の中心がピクセル302になるように回折格子を動かすことになるであろう。更に別の微調節は、自励スペクトルの中心が圧力に依存することから、単色光分光器の較正及びその後の使用においてマスタ発振器の圧力を含めることである。この圧力依存性は、特にマスタ発振器の圧力が大幅に変動することを許す場合には較正の中に含むべきである。自励レーザの中心波長は、ヘリウムがバッファとして使用された時には約1から2fm/kPaの範囲の圧力シフト係数を有すると判断された。任意の与えられた圧力に対して、波長の良好な推定値は、従って、157.6309+0.00000192*Pnmであり、ここで、P=kPa単位の圧力である。他のバッファガス(例えばネオン、又は、ヘリウム及びネオンの混合気)が使用される場合には、他の圧力シフト係数を使用することができる。
【0033】
改造回折格子単色光分光器
狭帯域光を生成する代替方法は、図7に示すような改造回折格子単色光分光器を使用することである。このフィルタは、良好に平行化されて回折をほぼ制限した干渉性ビームを生成するマスタ発振器の出力ビームを濾過し、この場合、単色光分光器の入口スリットが削除される。
マスタ発振器からのビームの発散を小さくするために、また、マスタ発振器からのビームのサイズを回折格子54と物理的に適合させるためにビームエキスパンダ70を使用する。回折格子からの分散光は、球面鏡(又は、レンズ)を通して、所望の波長が選択される出口スリット72に集束される。線形検出器アレー60及びコントローラ66の作動は、先に説明したものと同じである。この装置の利点は、入口スリットが不要となり、高いピーク強度に付随する問題が除外されることである。この装置には、マスタ発振器の位置決め安定性が今度はアレー上の映像位置、従って波長選択過程の一因子になるという点で欠点がある。マスタ発振器からの入力角度のゆっくり変動する変化に対しては、コントローラは、回折格子を再同調して波長を一定に保持することができる。
【0034】
エタロンフィルタ
エタロン78はまた、図8に示すように帯域通過フィルタとして使用することができる。単色光分光器フィルタの場合と同様に、エタロンは、原子標準として使用されるマスタ発振器の自励スペクトルに対して自己基準化することが望ましい。マスタ発振器からのビームは、最初に、その発散を小さくすると共にエタロン上のパワー密度を小さくするために、ビームエキスパンダ70で拡大される。拡大後に、ビームは、特別の「部分拡散器」74、つまり、光の大半を改変することなく透過させる光学要素を通過するが、少ない割合である角度範囲に散乱させる。この例は、低い回折強度、又は非常に軽くかつ細かく研磨されたオプティカルフラットを有する回折光学装置である。その後、光は、ほぼ通常の入射角でエタロンを通過する。エタロンの帯域通過特性は、自由スペクトル範囲(FRS)及びフィネスによって判断される。例えば、2pmのFSR及び20のフィネスを有するエタロンは、0.1pmFWHMの帯域通過を有することになる。エタロンは、その後、自励マスタ発振器からのスペクトルの0.1pmスライスを伝達する。単色光分光器の場合と同様に、エタロンに負荷される電力を制限するために、低圧力、従って、低減した帯域幅でマスタ発振器を作動させることが有利である。更に、開始スペクトルが狭いほど、エタロンの隣接する伝達順位においてエネルギ量が低減することになる(中心波長から±1FSR)。エタロンを通過した後、レンズ76(又は、球面鏡)は、絞りが設置されている点に光を集束させる。ビームの一部分は、ビームスプリッタ80によって分割され、フォトダイオードアレー82によってモニタされ、このフォトダイオードアレーは、中心波長及び帯域幅信号をコントローラ66に供給し、このコントローラは、この情報を使用してエタロン78を制御する。絞りの目的は、ビームの軸線上の非拡散成分以外の全ての光を阻止することである。狭帯域のこの光は、その後、電力増幅器段に転送される。ビームスプリッタ及び光学検出器が絞りの後に置かれ、注入フィルタを出るエネルギをモニタする。
【0035】
一般に、エタロンの帯域通過の中心波長は、自励マスタ発振器のスペクトルの中心と位置が合わないことになり、エタロンを調節する必要がある。それには、エタロンが中実プレートタイプか又は空隙タイプによって4つの方法が可能である。中実エタロンの場合、エタロンは、入射ビームに対して傾けることができるか、又は、エタロンの温度を変えることができ、これは、プレートの光学的な厚みを実質的に変える。空隙エタロンの場合、その角度を変えることができるか、プレート間隔を変えることができるか(例えば、PZTアクチュエータにより)、又は、ガスの密度を変えることによってプレート間のガスの屈折率を変えることができる。
【0036】
好ましい実施形態では、エタロンは、図8に示すような耐圧ハウジング84内に封入されている空隙タイプである。圧力コントローラを使用して、ハウジング内のガスの圧力を変え(一定の温度で)、それによってエタロンを圧力で調節する。所要の調節量は非常に小さいので(約±0.2から±0.5pm)、必要とされる圧力変化も小さく、ガスとして窒素を用いた場合約±3から±8torrである。これは、(密封)ハウジングの容積を変えることにより、又は、適切な供給装置からガスを能動的に導入するか又は抜くことによって達成することができる。エタロンは圧力で調節されるので、帯域通過波長が自励マスタ発振器からのスペクトルを通して走査する時に、出力強度が交互に増加及び消滅することになる。
【0037】
エタロンの調節に対する制御は、エタロンを独自のエタロン分光計に変える付加的な光学要素を含むことによって達成される。付加的なビームスプリッタが出口絞りの前に設置され、レンズの第2焦点平面を形成する。この焦点平面においては(第1の場合と同様に)、強度分布は、焦点中心での強いスポット、及び遥かに弱い従来のエタロン・リング・パターンから成る。強いスポットは、エタロンを通過するビームの非拡散部分によって形成され、エタロン・リング・パターンは、ビームの拡散部分によって形成される。強い中心スポットは、ここでは使用されず、ビームストップ81により阻止される。その後、エタロン・リング・パターンを読み取るために、焦点平面内に線形検出器アレー82が置かれる。この構成は、リソグラフィレーザで使用される現在の波長計デザインと非常に似通っている。任意の光学的構成に対して、エタロンリングの直径とエタロン帯域通過の中心波長との間に直接的な関係がある。
【0038】
この装置の較正は、単色光分光器フィルタについて先に説明した手順と類似の方法で行われる。較正シーケンスは、以下のように進むと考えられる。(1)開始波長に圧力調節したエタロンを用いて、レーザを発射し、線形アレー上に落ちるエタロン・リング・パターンと共に、出口絞りからの出力エネルギを測定する。最も内側の完全に形成されたリングの直径を判断する。(2)圧力コントローラによってエタロン内の圧力が増分された後に測定を繰り返す。(3)1つの自由スペクトル範囲を通してエタロンを圧力調節した後に、得られたデータを検査する。出力エネルギが最大になる最も内側のリングの直径は、圧力依存のマスタ発振器からの自励スペクトルのピークにエタロンの帯域通過が正確に同調された状態に対応する。
【0039】
この較正された直径が判断された状態で、直径を維持するようにエタロン内の圧力を変えることにより、エタロン帯域通過フィルタの波長を安定させることができる。更に別の微調節として、リソグラフィ波長計で使用されるのと同じ非線形エタロン方程式を使用することにより、エタロン・リング・パターンを直接に「波長」に変換することができる。これによって、帯域通過関数をマスタ発振器スペクトルのピークから既知量だけ離調させることができる。更に別の微調節は、上述の通り、マスタ発振器の圧力をエタロンの較正及びその後の使用に含めることである。
【0040】
同調
通常は、レーザシステムの作動に選択される狭いスペクトル帯域(約0.1pm又はそれ以下)は、最大出力パルスエネルギで所望の帯域幅仕様を満足する狭帯域になる。しかし、限定された量の波長の同調は、上述のプレ利得フィルタで可能である。本出願人は、少なくとも約1.2pmの同調範囲をかなり容易に達成することができると予想する。出力パルスエネルギと何らかの相当な妥協をすると、追加の同調が実行可能である。同調範囲は、先に示したようにレーザガス圧力の関数である。従って、レーザ内の圧力を調節することにより、より長い全体範囲を達成することができる。
【0041】
電力利得段
図9及び図10を参照しながら2つの好ましい電力利得段を説明することができる。
電力発振器
電力利得段は、図9に示すように、電力発振器として構成することができる。電力発振器の設計には、目標とする出力によって、多くの異なる共振器を使用することができる。好ましい実施形態では、共振器は、全てを図9に示すように、2つの分割被覆ミラーにより形成された軸外ハイブリッド不安定共振器である。
【0042】
注入シードビーム90は、不安定共振器92の上部に沿って中心軸線に位置合わせされ、最初に、50%部分反射器93Aを通って進む。後部共振光学装置94は、ゼロ電力メニスカスタイプであり、注入されたビームの平行化を妨害するものではない。注入ビームは、共振器の「フレネル」コアを満たし、空洞間フィールドに亘る制御が確立される(この場合の「フレネル」コアは、50%Rミラー93Aと100%Rミラー94Aとの間に形成される容積である)。ビームは、増幅と共に前部光学装置まで伝播した後、100%反射凸面表面から反射される。ビームは拡大し、後部光学装置まで進むにつれて増幅され、そこで、一部分が100%反射凹面表面93Bから反射し、一部分が表面93Aから反射する。これによりビームが再平行化され、3回目の利得を通過により更に増幅される。出力カプラの下部94Bは、反射防止被覆されており、ビームは最小の損失で出ることができる。後部光学装置の場合と同様に、前部光学装置は、出力ビームの平行化を保存するためにゼロ電力メニスカスタイプである。この種類の共振器は、50%及び100%反射面が共振器の「フレネル」コア内へのフィードバックをもたらすので電力発振器を形成する。この種類の共振器の利点は、(1)ビーム内に中心の暗い部分又は穴がなく、(2)電力発振器をシードに固定するのにシードエネルギをほんの僅かしか必要としないということである。
【0043】
電力増幅器
電力増幅器の形の電力利得段を図10に示す。この場合、共振器は、50%反射面93Aを反射防止面に変えることによりフィードバックが排除されている点を除き、図9似示すものと類似のものである。この構成により、軸外マルチパス電力増幅器が得られる。
2 レーザシステムの設計
第1のF2光源、及び電力利得段の両方に対して利得媒体としての役目を果たすように、本出願人及びその同僚は、幾つかの原型F2レーザシステムを製造して試験した。
これらのシステムは、主として、高効率チャンバ及び半導体パルス電力励起を利用して、従来技術によるエキシマレーザシステムに対する幾つかの重要な改良点を組み込んだKrFレーザ及びArFレーザの現在の製造に基づくものである。放電は、ガス汚染を最小限に抑えるためにコロナプレイオン化される。光ビーム経路全体は、酸素による光の吸収を回避するために、また、光学構成要素の損傷を回避するために窒素パージされる。全ての共振光学装置は、傾斜チャンバ窓を装備したレーザチャンバの外部に置かれた。ガス混合気は、4気圧のヘリウムにおける0.1%のフッ素であり、電極隙間は、10mmに減らされた。
【0044】
これらの原型ユニットでは、第1のF2光源及び電力利得段の両方については、改造パルス電力システムを使用しており、そのシステムの回路図を図11、及び図2及び図3に示す。これらの実施形態に対するパルス電力システムと、従来技術のKrFレーザに対する対応するシステムとの大きな相違は、F2レーザに対してより高い出力電圧を供給し、上述したように、変圧器上流側の回路の一部分が単一回路であり、変圧器の下流側の一部分が分割回路であるパルス変圧器56である。このパルス変圧器では、二次巻線として機能する単一四分割ステンレス鋼ロッド(上述で参照した米国特許第6,128,323号で説明されている)に代わって、図11A、11B、及び図11Cに示すように、全てが直接接続されて互いに絶縁されている内側円筒形ロッド及び2つの同軸管から成る変圧器二次導体が使用されている。二次導体は、302で示すようなバスバーと304に示すようなHVケーブルとで接続された2つの同軸アセンブリ(その断面を図11B及び図11Cに図示)から成る。図11Dは、図11B及び11Cと同じ断面と、「Metglas(登録商標)」の層306及び一次巻線を形成するスプールのシリンダ部分308回りに巻かれたマイラーフィルムもまた示す。また、図11Dでは、パルス変圧器の二次部分を形成する中心ワイヤ310、及び、中空円筒形導体312及び314が示されている。「Metglas(登録商標)」層及びマイラー層は、図11A、図11B、及び図11Cでは図示していない。約1,000ボルトの電圧ピークを有する電流パルス(316に示すように)により、図11Aの318に示すように約36,000ボルトのパルスが二次HV端子で生成されることになる。すなわち、2つのレーザに電力を供給する2つのパルス変圧器部分の各々は、12個のインダクションユニット(図3HBに示す23ではなく)で構成される。しかし、12個のインダクションユニットを通過する3つの二次導体は、36の電圧増幅を生み出す。
【0045】
一次シリンダと3つの同軸二次導体との間の結合は、図8Eを参照しながら説明するように、「Metglas(登録商標)」及びマイラー層の巻き付けによりもたらされる。この実施形態では、追加の圧縮段(1つの付加的なコンデンサバンクCp-1)が設けられている。この実施形態におけるコンデンサバンクは、以下の値を有する。
0=約12.1μF
1=約12.4μF
p-2=約8.82nF
p-1=約8.4nF
p=約10nF
【0046】
この原型実施形態における改造パルス電力システムは、約80nsの出力立ち上げ時間をピークコンデンサバンク内に生成する。パルス変圧器のステップアップ比は、36X(先に詳細に説明した実施形態の24Xに対して)である。これにより、レーザは、改造なしのパルス変圧器と比較すると、相当に高い電圧で作動することができ、相応にF2濃度が低い。本出願人は、作動時の電圧が高いほど放電の安定性が向上し、繰返し数を高くすることができると判断した。先に説明したように、この実施形態では、別々の変圧器が設置され、その各々は、図3Bに示すように共通の電源から一次電流により電力が供給されるが、変圧器の各々は、図3Bに示すような24Xではなく36Xステップアップをもたらすように、図11A、B、C、及びDに示すように構成される。
【0047】
ポスト出力フィルタ
先に示したように、本発明の好ましい実施形態の電力利得段の出力は、ライン中心が公称波長回りの約±0.5pmのスペクトル範囲を覆う公称F2157.63nmライン内にある約0.1pm又はそれ以下の紫外線帯域幅を有することになる。以下の節で示すように、他のスペクトル範囲、特にヘリウムが使用された時の赤色光及び赤外線光の少量の光エネルギがF2レーザ内で生成される。この赤色光が問題になった場合、157nmUV光を透過して赤色光を吸収又は反射する(レーザ内には戻らない)ように設計された公知の光学フィルタで容易に排除することができる。また、UV範囲の出力ビームを更にラインナローイングするために、上述の種類のうちの1つのポスト出力フィルタを増設することができるであろう。しかし、ポスト出力フィルタとして使用された時、フィルタの構成要素は、遥かに高いエネルギビームを処理するように設計する必要がある。
本発明を特定の実施形態に関して説明したが、本発明は、特許請求の範囲及びその法律上の均等物により範囲が定められることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【0048】
【図1】従来技術の市販エキシマリソグラフィレーザの図である。
【図1A】集積回路リソグラフィに使用される従来技術の市販エキシマレーザのいくつかの主要要素を示すブロック図である。
【図1B】図1のレーザのレーザチャンバの図である。
【図2】本発明の特徴を示すブロック図である。
【図3】本発明の好ましい実施形態の特徴を示す電気回路図である。
【図3A】パルス変圧器の図である。
【図3B】図3Aの特徴を示す図である。
【図3C】調節可能な遅延を提供する、図3の回路の変更を示す図である。
【図3C1】B−H曲線を示す図である。
【図3D】代替のフィルタ調節技術を示す図である。
【図4】F2レーザシステムのブロック図である。
【図5】F2レーザシステムのブロック図である。
【図6】第1の回折格子単色光分光器の特徴を示す図である。
【図6A】第1の回折格子単色光分光器の特徴を示す図である。
【図7】第2の回折格子単色光分光器の特徴を示す図である。
【図8】エタロンフィルタの特徴を示す図である。
【図9】電力利得段の図である。
【図10】電力利得段の図である。
【図11】パルス電力システムの特徴を示す図である。
【図11A】パルス電力システムの特徴を示す図である。
【図11B】パルス電力システムの特徴を示す図である。
【図11C】パルス電力システムの特徴を示す図である。
【図12】フィードバック制御システムにおけるパルスエネルギ検出器を示す図である。
【図13】本発明の好ましい実施形態の特徴を示すブロック図である。
【図14】本発明の好ましい実施形態の特徴を示すブロック図である。

Claims (11)

  1. A)1)レーザガスと、帯域幅を有する第1のレーザビームを生成するために電気放電が前記レーザガス内に利得媒体を生成する第1の放電領域を形成する第1の組の電極とを包含する第1のレーザチャンバ、及び
    2)前記第1のレーザビームの帯域幅を低減して、狭帯域の第1のレーザサブシステム出力ビームを生成するためのライン・ナローイング装置、
    を含む第1の放電レーザサブシステムと、
    B)循環レーザガスと、前記第1のレーザサブシステム出力ビームを増幅するために電気放電が利得媒体を生成する第2の放電領域を形成する第2の組の電極とを包含する第2のレーザチャンバ、
    を含む第2の放電レーザサブシステムと、
    C)1)a)i)各コアが一次巻線を有する幾つかのコアNを形成する第1の複数の変圧器コア、及び
    ii)前記第1の複数のコアの全てを通過する少なくとも1つの第1の二次導体、
    を含む第1のパルス変圧器と、
    b)i)各コアが一次巻線を有する幾つかのコアMを形成する第2の複数のコア、及び
    ii)前記第2の複数のコアの全てを通過する少なくとも1つの第2の二次導体、
    を含む第2のパルス変圧器と、
    を有するパルス変圧器システム、
    2)比較的長い持続時間の高電圧電気パルスを生成するための高電圧パルス電源、
    3)前記高電圧電気パルスを圧縮して比較的短い持続時間の圧縮された高電圧パルスを生成するための上流側電気パルス圧縮回路であって、
    前記圧縮された高電圧パルスを、
    a)前記第1の複数の変圧器コアの各々の前記一次巻線、及び
    b)前記第2の複数の変圧器コアの各々の前記一次巻線、
    に対して並列に印加し、前記第1の二次導体上の出力において非常に高電圧の第1のパルスを生成し、前記第2の二次導体上の出力において非常に高電圧の第2のパルスを生成するように構成された上流側回路、
    4)前記第1の非常に高電圧のパルスを前記第1の組の電極に印加して、前記第1の放電領域に放電を引き起こすための第1の下流側電気回路、及び
    5)前記第2の非常に高電圧のパルスを前記第2の組の電極に印加して、前記第2の放電領域に放電を引き起こすようにパルスを掛けるための第2の下流側電気回路、
    を含むパルス電力システムと、
    を含み、
    前記第1のレーザサブシステムの出力ビームは、前記第2の放電領域で増幅され、前記第2の放電レーザサブシステムの出力において増幅されたレーザビームを生成する、
    ことを特徴とする、注入シード方式狭帯域ガス放電パルスレーザシステム。
  2. Nは、Mに等しいことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
  3. Nは、Mに等しくないことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
  4. N及びMは、それぞれ23にほぼ等しいことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
  5. 前記第1の二次導体は、単一導体であり、
    前記第2の二次導体も、単一導体である、
    ことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
  6. 前記少なくとも1つの第1の二次導体は、複数の同軸導体であり、
    前記少なくとも1つの第2の二次導体も、複数の同軸導体である、
    ことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
  7. 前記非常に高電圧の第1のパルス及び非常に高電圧の第2のパルスの一方を他方に対して遅延させるパルス遅延手段を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
  8. 前記パルス遅延手段は、導電経路の延長部を含むことを特徴とする請求項7に記載のレーザシステム。
  9. 前記遅延手段は、飽和可能な指示器上の調節可能なバイアスを含むことを特徴とする請求項7に記載のレーザシステム。
  10. 調節可能な順方向バイアスで濾過された飽和可能インダクタを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザ。
  11. ジターを検出する手段、及びジター制御フィードバックループを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザ。
JP2002580447A 2001-04-09 2002-04-02 精密タイミング制御を有する注入シード方式レーザ Expired - Lifetime JP4542745B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/829,475 US6765945B2 (en) 1999-09-27 2001-04-09 Injection seeded F2 laser with pre-injection filter
US09/848,043 US6549551B2 (en) 1999-09-27 2001-05-03 Injection seeded laser with precise timing control
PCT/US2002/010448 WO2002082597A1 (en) 2001-04-09 2002-04-02 Injection seeded laser with precise timing control

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007000213A Division JP2007150333A (ja) 2001-04-09 2007-01-04 精密タイミング制御を有する注入シード方式レーザ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004524705A true JP2004524705A (ja) 2004-08-12
JP4542745B2 JP4542745B2 (ja) 2010-09-15

Family

ID=27125276

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002580447A Expired - Lifetime JP4542745B2 (ja) 2001-04-09 2002-04-02 精密タイミング制御を有する注入シード方式レーザ
JP2007000213A Pending JP2007150333A (ja) 2001-04-09 2007-01-04 精密タイミング制御を有する注入シード方式レーザ

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007000213A Pending JP2007150333A (ja) 2001-04-09 2007-01-04 精密タイミング制御を有する注入シード方式レーザ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6549551B2 (ja)
EP (1) EP1378036B1 (ja)
JP (2) JP4542745B2 (ja)
DE (1) DE60231798D1 (ja)
WO (1) WO2002082597A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007150333A (ja) * 2001-04-09 2007-06-14 Cymer Inc 精密タイミング制御を有する注入シード方式レーザ
JP2008103604A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Komatsu Ltd レーザ装置
JP2010004053A (ja) * 2003-04-22 2010-01-07 Komatsu Ltd 露光用2ステージレーザ装置

Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6567450B2 (en) 1999-12-10 2003-05-20 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6625191B2 (en) * 1999-12-10 2003-09-23 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US7856044B2 (en) 1999-05-10 2010-12-21 Cymer, Inc. Extendable electrode for gas discharge laser
US6765945B2 (en) * 1999-09-27 2004-07-20 Cymer, Inc. Injection seeded F2 laser with pre-injection filter
US6556600B2 (en) * 1999-09-27 2003-04-29 Cymer, Inc. Injection seeded F2 laser with centerline wavelength control
US6865210B2 (en) * 2001-05-03 2005-03-08 Cymer, Inc. Timing control for two-chamber gas discharge laser system
US7061959B2 (en) * 2001-04-18 2006-06-13 Tcz Gmbh Laser thin film poly-silicon annealing system
US7167499B2 (en) * 2001-04-18 2007-01-23 Tcz Pte. Ltd. Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system
US7009140B2 (en) * 2001-04-18 2006-03-07 Cymer, Inc. Laser thin film poly-silicon annealing optical system
US7598509B2 (en) * 2004-11-01 2009-10-06 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US7476886B2 (en) * 2006-08-25 2009-01-13 Cymer, Inc. Source material collection unit for a laser produced plasma EUV light source
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
US7897947B2 (en) * 2007-07-13 2011-03-01 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave
US7928416B2 (en) 2006-12-22 2011-04-19 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US7378673B2 (en) * 2005-02-25 2008-05-27 Cymer, Inc. Source material dispenser for EUV light source
US7372056B2 (en) * 2005-06-29 2008-05-13 Cymer, Inc. LPP EUV plasma source material target delivery system
US7491954B2 (en) * 2006-10-13 2009-02-17 Cymer, Inc. Drive laser delivery systems for EUV light source
US20050259709A1 (en) 2002-05-07 2005-11-24 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US7465946B2 (en) * 2004-03-10 2008-12-16 Cymer, Inc. Alternative fuels for EUV light source
US7916388B2 (en) * 2007-12-20 2011-03-29 Cymer, Inc. Drive laser for EUV light source
US7439530B2 (en) * 2005-06-29 2008-10-21 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US7830934B2 (en) * 2001-08-29 2010-11-09 Cymer, Inc. Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing
US7671349B2 (en) * 2003-04-08 2010-03-02 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US8653437B2 (en) 2010-10-04 2014-02-18 Cymer, Llc EUV light source with subsystem(s) for maintaining LPP drive laser output during EUV non-output periods
US6798812B2 (en) 2002-01-23 2004-09-28 Cymer, Inc. Two chamber F2 laser system with F2 pressure based line selection
US8654438B2 (en) 2010-06-24 2014-02-18 Cymer, Llc Master oscillator-power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source
US20030219094A1 (en) * 2002-05-21 2003-11-27 Basting Dirk L. Excimer or molecular fluorine laser system with multiple discharge units
EP1540783B1 (en) * 2002-07-31 2017-01-18 Cymer, LLC Control system for a two chamber gas discharge laser
US20040202220A1 (en) * 2002-11-05 2004-10-14 Gongxue Hua Master oscillator-power amplifier excimer laser system
US7308013B2 (en) 2002-11-05 2007-12-11 Lambda Physik Ag Excimer or molecular fluorine laser system with precision timing
US6987790B2 (en) * 2003-02-14 2006-01-17 Lambda Physik Ag Excimer or molecular fluorine laser with several discharge chambers
US7217941B2 (en) * 2003-04-08 2007-05-15 Cymer, Inc. Systems and methods for deflecting plasma-generated ions to prevent the ions from reaching an internal component of an EUV light source
US7277188B2 (en) * 2003-04-29 2007-10-02 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US7366213B2 (en) * 2003-05-19 2008-04-29 Lambda Physik Ag MOPA excimer or molecular fluorine laser system with improved synchronization
US20060146906A1 (en) * 2004-02-18 2006-07-06 Cymer, Inc. LLP EUV drive laser
US7196342B2 (en) * 2004-03-10 2007-03-27 Cymer, Inc. Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source
US7087914B2 (en) * 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
US7006547B2 (en) * 2004-03-31 2006-02-28 Cymer, Inc. Very high repetition rate narrow band gas discharge laser system
US7522650B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-21 Cymer, Inc. Gas discharge laser chamber improvements
US7282666B2 (en) * 2004-05-07 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to increase throughput of processing using pulsed radiation sources
US7109503B1 (en) * 2005-02-25 2006-09-19 Cymer, Inc. Systems for protecting internal components of an EUV light source from plasma-generated debris
US7355191B2 (en) * 2004-11-01 2008-04-08 Cymer, Inc. Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source
US7482609B2 (en) 2005-02-28 2009-01-27 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US7365349B2 (en) * 2005-06-27 2008-04-29 Cymer, Inc. EUV light source collector lifetime improvements
US7633989B2 (en) * 2005-06-27 2009-12-15 Cymer, Inc. High pulse repetition rate gas discharge laser
US7180083B2 (en) * 2005-06-27 2007-02-20 Cymer, Inc. EUV light source collector erosion mitigation
US7394083B2 (en) 2005-07-08 2008-07-01 Cymer, Inc. Systems and methods for EUV light source metrology
JP4677857B2 (ja) 2005-08-23 2011-04-27 ヤマハ株式会社 楽器用部材または楽器とその製造方法
US7679029B2 (en) * 2005-10-28 2010-03-16 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations
US7317179B2 (en) * 2005-10-28 2008-01-08 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate
US20090296755A1 (en) * 2005-11-01 2009-12-03 Cymer, Inc. Laser system
US7630424B2 (en) * 2005-11-01 2009-12-08 Cymer, Inc. Laser system
US20090296758A1 (en) * 2005-11-01 2009-12-03 Cymer, Inc. Laser system
US7778302B2 (en) * 2005-11-01 2010-08-17 Cymer, Inc. Laser system
US7885309B2 (en) 2005-11-01 2011-02-08 Cymer, Inc. Laser system
JP5506194B2 (ja) * 2005-11-01 2014-05-28 サイマー インコーポレイテッド レーザシステム
US7746913B2 (en) 2005-11-01 2010-06-29 Cymer, Inc. Laser system
US7643529B2 (en) 2005-11-01 2010-01-05 Cymer, Inc. Laser system
US7999915B2 (en) * 2005-11-01 2011-08-16 Cymer, Inc. Laser system
US7715459B2 (en) * 2005-11-01 2010-05-11 Cymer, Inc. Laser system
US7920616B2 (en) * 2005-11-01 2011-04-05 Cymer, Inc. Laser system
US7453077B2 (en) * 2005-11-05 2008-11-18 Cymer, Inc. EUV light source
US7307237B2 (en) * 2005-12-29 2007-12-11 Honeywell International, Inc. Hand-held laser welding wand nozzle assembly including laser and feeder extension tips
US7822084B2 (en) * 2006-02-17 2010-10-26 Cymer, Inc. Method and apparatus for stabilizing and tuning the bandwidth of laser light
US8158960B2 (en) * 2007-07-13 2012-04-17 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US8803027B2 (en) * 2006-06-05 2014-08-12 Cymer, Llc Device and method to create a low divergence, high power laser beam for material processing applications
JP5179736B2 (ja) * 2006-09-21 2013-04-10 株式会社小松製作所 露光装置用レーザ装置
US20080089369A1 (en) * 2006-10-16 2008-04-17 Pavilion Integration Corporation Injection seeding employing continuous wavelength sweeping for master-slave resonance
JP4804313B2 (ja) * 2006-11-17 2011-11-02 株式会社小松製作所 露光装置用狭帯域レーザ装置
US7659529B2 (en) * 2007-04-13 2010-02-09 Cymer, Inc. Method and apparatus for vibration reduction in laser system line narrowing unit wavelength selection optical element
TWI424645B (zh) * 2007-04-13 2014-01-21 Cymer Inc 用以穩定及調諧雷射光帶寬之方法與裝置
US7812329B2 (en) * 2007-12-14 2010-10-12 Cymer, Inc. System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus
US7655925B2 (en) * 2007-08-31 2010-02-02 Cymer, Inc. Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
US20090095924A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 International Business Machines Corporation Electrode design for euv discharge plasma source
US7960701B2 (en) * 2007-12-20 2011-06-14 Cymer, Inc. EUV light source components and methods for producing, using and refurbishing same
JP2009246345A (ja) * 2008-03-12 2009-10-22 Komatsu Ltd レーザシステム
US7872245B2 (en) * 2008-03-17 2011-01-18 Cymer, Inc. Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source
US20090250637A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Cymer, Inc. System and methods for filtering out-of-band radiation in EUV exposure tools
US8198612B2 (en) * 2008-07-31 2012-06-12 Cymer, Inc. Systems and methods for heating an EUV collector mirror
US8519366B2 (en) * 2008-08-06 2013-08-27 Cymer, Inc. Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source
US7641349B1 (en) 2008-09-22 2010-01-05 Cymer, Inc. Systems and methods for collector mirror temperature control using direct contact heat transfer
US7995637B2 (en) * 2008-10-21 2011-08-09 Cymer, Inc. Gas discharge laser chamber
US8283643B2 (en) * 2008-11-24 2012-10-09 Cymer, Inc. Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source
US8969838B2 (en) * 2009-04-09 2015-03-03 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for protecting an EUV light source chamber from high pressure source material leaks
US8304752B2 (en) * 2009-04-10 2012-11-06 Cymer, Inc. EUV light producing system and method utilizing an alignment laser
US8000212B2 (en) * 2009-12-15 2011-08-16 Cymer, Inc. Metrology for extreme ultraviolet light source
US8173985B2 (en) * 2009-12-15 2012-05-08 Cymer, Inc. Beam transport system for extreme ultraviolet light source
JP5687488B2 (ja) 2010-02-22 2015-03-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US8368039B2 (en) 2010-04-05 2013-02-05 Cymer, Inc. EUV light source glint reduction system
US8462425B2 (en) 2010-10-18 2013-06-11 Cymer, Inc. Oscillator-amplifier drive laser with seed protection for an EUV light source
JP2012216768A (ja) 2011-03-30 2012-11-08 Gigaphoton Inc レーザシステム、極端紫外光生成システム、およびレーザ光生成方法
US8411720B2 (en) * 2011-06-30 2013-04-02 Cymer, Inc. System and method for automatic gas optimization in a two-chamber gas discharge laser system
WO2017158694A1 (ja) 2016-03-14 2017-09-21 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び極端紫外光生成システム

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4534035A (en) 1983-08-09 1985-08-06 Northrop Corporation Tandem electric discharges for exciting lasers
US4959840A (en) 1988-01-15 1990-09-25 Cymer Laser Technologies Compact excimer laser including an electrode mounted in insulating relationship to wall of the laser
IT1231783B (it) 1989-05-12 1992-01-14 Enea Testa laser per eccitazione a scarica trasversa con tre elettrodi
US5142166A (en) 1991-10-16 1992-08-25 Science Research Laboratory, Inc. High voltage pulsed power source
EP0759215B1 (en) 1995-02-17 2003-06-04 Cymer, Inc. Pulse power generating circuit with energy recovery
JP2820103B2 (ja) * 1996-01-31 1998-11-05 日本電気株式会社 注入同期レーザ装置
US6005880A (en) * 1997-02-14 1999-12-21 Lambda Physik Gmbh Precision variable delay using saturable inductors
US6128323A (en) 1997-04-23 2000-10-03 Cymer, Inc. Reliable modular production quality narrow-band high REP rate excimer laser
US5991324A (en) 1998-03-11 1999-11-23 Cymer, Inc. Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser
US5856991A (en) 1997-06-04 1999-01-05 Cymer, Inc. Very narrow band laser
DE69813812T2 (de) * 1997-07-01 2003-11-06 Cymer Inc Sehr schmalbandiger laser mit instabilem resonator
US6018537A (en) 1997-07-18 2000-01-25 Cymer, Inc. Reliable, modular, production quality narrow-band high rep rate F2 laser
US6151346A (en) 1997-12-15 2000-11-21 Cymer, Inc. High pulse rate pulse power system with fast rise time and low current
US6219360B1 (en) * 1998-04-24 2001-04-17 Trw Inc. High average power solid-state laser system with phase front control
US6016325A (en) 1998-04-27 2000-01-18 Cymer, Inc. Magnetic modulator voltage and temperature timing compensation circuit
AU5079199A (en) * 1998-05-20 1999-12-06 Cymer, Inc. Reliable modular production quality narrow-band high rep rate arf excimer laser
JP3879889B2 (ja) * 1998-11-20 2007-02-14 株式会社小松製作所 インジェクションロック型狭帯域化パルスレーザ装置
US6381257B1 (en) * 1999-09-27 2002-04-30 Cymer, Inc. Very narrow band injection seeded F2 lithography laser
US6549551B2 (en) * 1999-09-27 2003-04-15 Cymer, Inc. Injection seeded laser with precise timing control
WO2001001531A1 (en) * 1999-06-23 2001-01-04 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1pm
US6359922B1 (en) 1999-10-20 2002-03-19 Cymer, Inc. Single chamber gas discharge laser with line narrowed seed beam
US6392743B1 (en) 2000-02-29 2002-05-21 Cymer, Inc. Control technique for microlithography lasers

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007150333A (ja) * 2001-04-09 2007-06-14 Cymer Inc 精密タイミング制御を有する注入シード方式レーザ
JP2010004053A (ja) * 2003-04-22 2010-01-07 Komatsu Ltd 露光用2ステージレーザ装置
JP4530302B2 (ja) * 2003-04-22 2010-08-25 株式会社小松製作所 露光用2ステージレーザ装置
JP2008103604A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Komatsu Ltd レーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4542745B2 (ja) 2010-09-15
EP1378036A4 (en) 2006-01-25
WO2002082597A1 (en) 2002-10-17
US6549551B2 (en) 2003-04-15
EP1378036A1 (en) 2004-01-07
EP1378036B1 (en) 2009-04-01
US20020085606A1 (en) 2002-07-04
JP2007150333A (ja) 2007-06-14
DE60231798D1 (de) 2009-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4542745B2 (ja) 精密タイミング制御を有する注入シード方式レーザ
JP4071709B2 (ja) ライン選択及び弁別を用いる注入シード方式f2レーザ
US6556600B2 (en) Injection seeded F2 laser with centerline wavelength control
USRE42588E1 (en) Control system for a two chamber gas discharge laser system
US6798812B2 (en) Two chamber F2 laser system with F2 pressure based line selection
US20020071468A1 (en) Injection seeded F2 laser with pre-injection filter
US6765945B2 (en) Injection seeded F2 laser with pre-injection filter
US20020186741A1 (en) Very narrow band excimer or molecular fluorine laser
US6577665B2 (en) Molecular fluorine laser
JP2005502208A (ja) 線幅選択型2室式レーザシステム
US6490306B2 (en) Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm
JP2006344988A (ja) 2室放電ガスレーザ用制御システム
US6834069B1 (en) Molecular fluorine laser with intracavity polarization enhancer
US6314116B1 (en) Single resonator for simultaneous multiple single-frequency wavelengths
JP2003503860A (ja) 1pm未満のスペクトル線幅を有するフッ素分子レーザ
Govorkov et al. Sub-0.25-pm 50-W amplified excimer laser system for 193-nm lithography

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060703

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20061003

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20061011

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070104

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070604

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070904

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070911

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071129

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080922

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090121

RD13 Notification of appointment of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433

Effective date: 20090127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20090127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090324

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090327

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20090522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100422

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100628

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4542745

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term