JP4542745B2 - 精密タイミング制御を有する注入シード方式レーザ - Google Patents

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Description

本出願は、「精密なタイミング制御を伴う注入シード方式レーザ」という名称の2001年5月3日出願の米国特許出願一連番号第09/848,043号、「予注入フィルタを有する注入シード方式F2レーザ」という名称の2001年4月9日出願の米国特許出願一連番号第09/829,475号、「超狭帯域注入シード方式F2リソグラフィレーザ」という名称の1999年12月28日出願の米国特許出願一連番号第09/473,795号、「注入シード方式F2リソグラフィレーザ」という名称の1999年12月10日出願の米国特許出願一連番号第09/459,165号、「目視及びIR制御を伴うF2レーザ」という名称の1999年11月12日出願の米国特許出願一連番号第09/438,249号、「ライン・ナロード・シードビームを有する単一チャンバガス放電レーザ」という名称の1999年10月20日出願の米国特許出願一連番号第09/421,701号、及び、「エタロン出力カプラを有するライン・ナロード・レーザ」という名称の1999年9月27日出願の米国特許出願一連番号第09/407,120号の一部継続出願である。本発明は、レーザに関し、特に、集積回路リソグラフィに有益な注入シード方式レーザに関する。
従来技術のリソグラフィレーザ
KrFエキシマレーザは、集積回路リソグラフィ用の最先端光源である。このようなレーザは、米国特許第4,959,840号、米国特許第5,991,324号、及び米国特許第6,128,323号で説明されている。このレーザは、約248nmの波長で作動する。KrFレーザで、寸法がわずか180nmの集積回路を製造することができる。更に微細な寸法は、約193nmで作動するArFレーザ、又は約157nmで作動するF2レーザでもたらすことができる。これらのレーザ、つまり、KrFレーザ、ArFレーザ、及びF2レーザは、非常に似通っており、実際に、KrFレーザを製造するのに使用されるのと同じ基本的な機器は、わずかに異なる波長に適合するように単にガス濃度を変化させ、放電電圧を上げ、制御装置及び計装を改造すれば、ArFレーザ又はF2レーザを製造するのに使用することができる。
集積回路の製造に使用される一般的な従来技術によるKrFエキシマレーザを図1、図1A、及び図1Bに示す。この従来技術によるレーザのレーザチャンバの断面図を図1Bに示す。図1Aに示すように、高電圧電源3により電力が供給されるパルス電力システム2は、電気パルスを放電チャンバ8に位置する電極6に供給する。一般的な最先端リソグラフィレーザは、約10ミリジュール/パルスのパルスエネルギを用いて約1000Hzから2000Hzのパルス繰返し数で作動される。電極間の空間を通して、約1,000から2,000センチメートル/秒の速度で、約3気圧のレーザガス(KrFレーザの場合は、約0.1%フッ素、1.3%クリプトン、及び残りのバッファガスとして機能するネオン)を循環させる。これは、レーザ放電チャンバに位置する接線方向送風機10で行われる。レーザガスは、やはりレーザ放電チャンバに位置する熱交換器11、及びチャンバの外側に取り付けられた冷間板(図示せず)で冷却される。エキシマレーザの自然帯域幅は、ライン・ナローイング・モジュール18によって狭められる(ライン・ナローイング・パッケージ、又は「LNP」ということもある)。市販のエキシマレーザシステムは、一般的に、システムの残りの部分を乱すことなく素早く交換することができる幾つかのモジュールで構成されている。主なモジュールには、以下のものが含まれる。
レーザチャンバモジュール
高電圧電源モジュール
高電圧圧縮ヘッドモジュール
整流子モジュール
出力カプラモジュール
ライン・ナローイング・モジュール
波長計モジュール
コンピュータ制御モジュール
ガス制御モジュール
冷却水モジュール
電極6は、陰極6A及び陽極6Bから成る。陽極6Bは、この従来技術による実施形態では、図1Bの断面図に示す陽極サポートバー44によって支えられている。流れは、この図では反時計回りである。陽極サポートバー44の1つの隅部及び1つの縁部は、送風機10からの空気を強制的に電極6A及び6Bの間に流すための案内羽としての役目をする。この従来技術によるレーザにおける他の案内羽は、46、48、及び50で示されている。有孔流れ戻り板52は、チャンバ8の金属構造体に対して陽極6Bを接地するのを助ける。この板には、この流れ戻り板が実質的にガス流に影響を与えないようにレーザガス流路内に位置する大きな穴(図3では図示せず)が穿孔されている。個々のコンデンサ19のアレーで構成されたピークコンデンサバンクは、パルス電力システム2によって各パルスの前に充電される。ピークコンデンサ上での電圧上昇中に1つ又はそれ以上のプレイオン化装置56は、電極6A及び6Bとの間のレージングガスを弱くイオン化し、コンデンサ19上の電荷が約16,000ボルトに達すると、電極全体に亘る放電が発生してエキシマレーザパルスが生成される。各パルスに続いて、送風機10によって生成された約1から2センチメートル/ミリ秒の電極間のガス流は、0.5から1ミリ秒後に発生する次のパルスに間に合うように電極間に新しいレーザガスをもたらすのに十分なものである。
一般的なリソグラフィエキシマレーザでは、フィードバック制御システムにより各パルスの出力レーザエネルギが測定され、所望のパルスエネルギからのシフトの程度が判断された後に、その後のパルスエネルギが所望のエネルギの近傍となるように電源電圧を調節する信号がコントローラに送られる。これらのエキシマレーザは、一般的に、計画された保守のために短い休止があるだけであって、数ヵ月間の間、24時間/日及び7日/週で連続的に作動することが要求される。
注入シード方式
ガス放電レーザシステム(エキシマレーザシステムを含む)の帯域幅を小さくするための公知の技術では、狭帯域「シード」ビームが利得媒体に注入される。1つのこのようなシステムでは、「シードレーザ」又は「マスタ発振器」というレーザが非常に狭いレーザ帯域ビームを供給するように設計され、そのレーザビームは、第2のレーザのシードビームとして使用される。第2のレーザが電力増幅器として機能する場合、そのシステムは、一般的に、マスタ発振器電力増幅器(MOPA)システムという。第2レーザ自体が共振空洞を有する場合、システムは、一般的に注入シード方式発振器(ISO)と呼ばれ、シードレーザは、通常はマスタ発振器と呼ばれ、下流側レーザは、通常は電力発振器と呼ばれる。
ジターの問題
上述の種類のガス放電レーザでは、放電の持続時間は非常に短い時間であり、一般的に、約20から50ns(1秒の200億分の一から500億分の一)である。更に、放電によって作り出される反転分布は、その反転分布が実質的に放電中のみに存在するように極めて急速に消耗される。これらの2つのレーザシステムでは、下流側レーザの分布は、上流側レーザからのビームが第2レーザに達した時に反転されなければならない。従って、2つのレーザの放電は、レーザシステムの適正な作動のために適切に同期されるべきである。一般的なパルス電力システム内では放電タイミングの変動のいくつかの潜在的な原因があるので、これは問題になる可能性がある。タイミング変動の最も重要な原因の2つは、パルス電力回路で使用される飽和可能インダクタにおける電圧変動及び温度変動である。放電のタイミングを所望の値に正規化するために、パルス電力充電電圧及びインダクタ温度をモニタすること、及び、測定からのデータ及び遅延回路を利用することが公知である。従来技術の一例は、本明細書において引用により組み込まれる、米国特許第6,016,325号に説明されている。そこでは、従来技術においてタイミング誤差を低減することはできても、それを除去することはできないであろう。最終的にもたらされるこれらの誤差は、「ジター」と呼ばれる。
レーザ帯域幅
一般的なKrFレーザは、約248nmを中心とした約300pm(FWHM)の自然帯域を有し、リソグラフィ用には、一般的に約0.6pmにライン・ナローイングされる。ArFレーザは、約193nmを中心とした約500の自然帯域を有し、一般的に0.5pmにライン・ナローイングされる。これらのレーザは、図2に示すライン・ナローイング・モジュール18を使用して自然帯域の大部分に亘って比較的に簡単に同調させることができる。F2レーザは、一般的に、エネルギの大半が約157.63nm及び157.52nmを中心とした2つの狭いライン内にあるレーザビームを生成する。多くの場合、これらの狭い線の強度の小さい方(即ち、157.52nmライン)が抑制され、レーザは、157.63nmラインで作動するように強制される。157.63nmラインの自然帯域幅は圧力に依存し、約0.6から1.2pmまで変動する。帯域幅がこの範囲にあるF2レーザは、屈折及び反射の両方の光学要素を使用する反射屈折レンズデザインを利用するリソグラフィ装置と共に使用することができるが、全屈折レンズデザインに対しては、レーザビームは、所望の結果をもたらす約0.1pmの帯域幅を有するべきである。
リソグラフィ機器のためのレーザは、非常に複雑かつ高価である。帯域幅が更に小さくなれば、リソグラフィ機器のレンズデザインが大幅に簡素化され、及び/又は、その機器によって製造された集積回路の品質が向上するであろう。すなわち、帯域幅が実質的に低減されたリソグラフィレーザ(KrF、ArF、及びF2レーザを含む)に対する必要性が存在する。
光学フィルタ
ビーム内の狭い範囲の光を選択する光学フィルタが数多くある。1つのこのようなフィルタは、単色光分光器であり、第1のスリットを通過する光がレンズで平行化され、プリズム又は回折格子のような分散要素でスペクトル的に分散されて、この配分された光は、次に焦点平面に集束され、選択されたスペクトル範囲が、局所的平面に位置するスリットを通して集められる。
米国特許出願一連番号第09/848,043号 米国特許出願一連番号第09/829,475号 米国特許出願一連番号第09/473,795号 米国特許出願一連番号第09/459,165号 米国特許出願一連番号第09/438,249号 米国特許出願一連番号第09/421,701号 米国特許出願一連番号第09/407,120号 米国特許第4,959,840号 米国特許第5,991,324号 米国特許第6,128,323号 米国特許第6,016,325号 米国特許第5,978,394号 米国特許第6,192,064号B1 米国特許第5,142,166号 米国特許第6,151,346号 米国特許第5,729,562号
必要とされているのは、リソグラフィの帯域幅を実質的に低減する技術である。
本発明は、2つのレーザサブシステムを有する狭帯域レーザシステムを提供する。第1のレーザサブシステムは、狭帯域パルスシードビームが増幅されて狭帯域パルス出力ビームを生成する第2のレーザサブシステムを注入シードするのに使用される、超狭帯域パルス出力ビームを準備するように構成される。放電を適正に同期化するために、2つのレーザサブシステムの放電の時期を正確に決めるように特に構成されたパルス電源が設けられる。好ましい実施形態は、二組の変圧器コアを有するパルス変圧器ユニットを備えたパルス電力システムを含む。単一の上流側パルス圧縮回路は、両方の組のコアの全ての一次巻線に対して並列に高電圧パルスを供給する。別々の二次導体(一方は一方の組のコアを通り、他方は他方の組のコアを通る)は、2つの別々のレーザチャンバの各々の電極に放電パルスを供給する別々の下流側回路にそれぞれ超高電圧パルスを準備する。好ましい実施形態は、KrF、ArF、及びF2システムを含む。これらの好ましい実施形態において、ライン・ナローイングは、シードレーザの共振空洞内で達成することができるか、又は、シードレーザの出力をプレ利得フィルタを使用してライン・ナローイングすることができる。
本発明の好ましい実施形態は、図を参照しながら説明することができる。本発明の第1の好ましい実施形態を図13に示す。これは、注入シード方式電力増幅器ArFレーザシステム200である。それは、2つのレーザシステム、つまり、シードレーザシステム202及び電力増幅器レーザシステム204を備える。シードレーザシステム202は、レーザチャンバ206と、四プリズム35Xビームエキスパンダ210、同調ミラー212、及び10インチ回折格子214を含むライン・ナローイング・モジュール208とで構成されている。電力増幅器レーザシステムは、レーザチャンバ216を含む。
シードレーザには、好ましくは幅1.5mm及び高さ6mmの小さな断面を有する出力ビームを生成するために絞りが設置されている。本システムは、シードレーザ出力ビーム断面を3mmx12mmに協働して拡大するレンズ218及びレンズ219を含む。約0.05mJ毎パルスのエネルギを有するこのパルスのビームは、電力増幅レーザシステムにおいて、約10mJ毎パルスのパルスエネルギに増幅される。
ビームの約4%に当たる小部分が、部分反射ミラー220により採取されて、電力増幅器出力ビームのパルスエネルギ波長及び帯域幅をモニタする波長計222に向けられる。この波長計は、好ましくは、米国特許第5,978,394号又は米国特許第6,192,064号B1で説明されているものである。波長計からの信号は、パルス電力システムの充電電圧を調節するためにコントローラ224により利用され、このパルス電力システムは、次に、本明細書の以下の節で説明するように、両方のレーザシステムの放電電圧を判断する。パルス電力システムは、所望の出力パルスエネルギを生成するために放電が正確に同調されるように、その節で説明するように構成される。コントローラはまた、所望の中心波長が得られるように同調ミラー212のピボット部分を制御する。
本出願人の試験は、シードレーザ出力ビームの半値全幅帯域幅が、集積回路リソグラフィに現在使用される最良の最先端ArFレーザの場合で約0.4pmであるのに対して、この構成を用いて0.15pmよりも小さく低減することができることを明らかにした。
1.0mJ及び0.2pmのシードビームを用いて、本出願人は、図13に示す構成で、5から10mJのパルスエネルギ及び0.2pmの帯域幅を有するレーザシステム出力ビームを予想している。この出力ビームは、約0.4pm及び5mJで作動する最先端ArFリソグラフィレーザに対する大幅な改良であることを示すものである。35Xビームエキスパンダに代わって45Xビームエキスパンダを使用することができ、より大きな回折格子が使用される。本出願人の試験により、この改造は、シードレーザ出力ビームの帯域幅を更に一層低減して約0.15pmにすることが示された。
第1の好ましい実施形態に対する改造
上述のシステムに対して、いくらか異なる性能を生み出すために行うことができる幾つかの改造がある。1つの変形は、図14に示されている。この変形では、レンズ219が除去され、それに代わって電力増幅器216の出力の下流側に位置するレンズ219Aが使用されている。この変更は、シードビームが増幅される時に拡大して、放電領域の活性部分で更に均一な電力密度を生み出すことを可能にする。
パルスタイミング
本発明の好ましい実施形態は、所望の出力パルスレーザビームを生成するために2つのレーザシステムの放電タイミングを制御するように構成されたパルス電力システムを利用する。これらの実施形態は、米国特許第5,142,166号で説明されている部分巻回パルス変圧器と類似の部分巻回パルス変圧器設計を利用する。これらの実施形態では、パルス電力回路の2つのレーザシステムに対する部分は、パルス変圧器システムの下流側で別々のものであり、パルス電力回路のパルス変圧器システムの上流側の部分は、両方のレーザシステムに対して共通である。
図3は、好ましいパルス電力システムの主な要素の電気的概要を示す。パルス変圧器システムの上流側のシステムの部分は、米国特許第6,151,346号で説明されている(本明細書において引用により組み込まれる)図11に示す回路と非常に似通っている。単一コンデンサバンクが、充電C0コンデンサバンク42を形成する。電気パルスは、並列に取り付けられた2つの「IGBT」スイッチから成るスイッチS146を閉じることにより発生する。L0インダクタ48は、スイッチが劣化することなく閉じてC1コンデンサバンク52を充電することができるように、S1を通る電流の流れを遠ざける。L1飽和可能インダクタは、コンデンサL1が飽和するまで、パルス変圧器システム56を通る相当の電流の流れを遠ざけ、それが飽和した時点で、部分巻回パルス変圧器システム56の一次巻回は、短い約0.5マイクロ秒の1000ボルトパルスでパルスを加えられる。この実施形態において、変圧器システム56は、この場合は実質的に同一である2つの別々の変圧器ユニット56A及び56Bで構成される。
パルス変圧器ユニット56の各々は、米国特許第6,151,346号で説明されているパルス変圧器と類似のものである。本実施形態のパルス変圧器ユニットは、二次巻線に単一巻回のみと、23個のインダクションユニットとを有する。変圧器は、図3Bに示すように、1:24のステップアップ比が得られるように自動変圧器として構成される。23個のインダクションユニットの各々は、図3Aの下縁に沿って示すように、プリント回路基板56B’上の正端子及び負端子にボルト留めされる2つのフランジ(図示せず。各々がねじ付きボルト穴を備えた平坦縁部を有する)を有するアルミニウム製スプール56A’を含む。(負端子は、23個の一次巻線の高電圧端子である。)絶縁体56Cは、各スプールの正端子を隣接スプールの負端子から分離させる。スプールのフランジ間には、外径0.875、壁厚約1/32インチで長さ1と1/16インチの中空シリンダがある。スプールは、絶縁された「Metglas(登録商標)」ラッピングの外径が2.24インチになるまで、1インチ幅で0.7ミル厚の「Metglas(登録商標)2605 S3A」、及び、0.1ミル厚のマイラーフィルムでラップされている。1つの一次巻線を形成する単一のラップされたスプールの斜視図が、米国特許第6,151,346号の図5に示されている。
各変圧器の二次側は、「Teflon(登録商標)」(PTFE)のきつく嵌る絶縁管内に取り付けられた単一外径のステンレス鋼ロッドである。変圧器ユニットは、図3Aに示すように4つの部分になっている。図3Aに56Dとして示すステンレス鋼二次側の低電圧端部は、56Eでプリント回路基板56B上の一次側HVリード線に結合され、高電圧端子は、56Fに示されている。その結果、変圧器は、自動変圧器構成を有し、ステップアップ比は、1:23ではなく1:24になる。すなわち、インダクションユニットの正及び負端子間の約−1400ボルトのパルスにより、二次側の端子56Fで約−35,000ボルトのパルスが生成されることになる。1000ボルトの一次パルスにより、両方の変圧器の二次側に約24,000ボルトのパルスが生成される。この単一巻回二次巻線設計により、極めて高速の出力立ち上がり時間を可能にする非常に低い漏れインダクタンスが得られる。
パルス変圧器システムの一般的な構成を図3Bに示す。この図で示すように、パルス電力システムの上流側部分により生成された約1000ボルトの一次高電圧パルスは、全く同時に各パルス変圧器に到達し、変圧器の各々の対応する出力パルスは、従って、形状及び時間が実質的に同一であることになる。本出願人は、2つの変圧器の出力におけるジターは、1ナノ秒よりも短いことになると推定する。
図3に示すように、この実施形態において、パルス電力回路のパルス変圧器の下流側の部分は別々であるが実質的に等しく、そのために電極83及び84とA及びBとにおけるジターは、3nsよりも短いと推定される。従って、両方のレーザにおける利得媒体は、約3nsよりも短い変動があるが同時に生成される。各パルスの持続時間は、第1レーザにおいて生成されたレーザパルスが第2レーザにおいて適正に増幅されるように、約20から50nsである。回路には、全ての飽和可能インダクタにバイアスを掛けることによりそれらが各パルスの前に逆方向に導電するように、バイアス回路を設けることが好ましい。バイアス回路は、米国特許第5,729,562号で詳細に説明されているように、パルス直後の短い時間の間は飽和可能インダクタが順方向導電のままであり、それによって電極から反射したパルスエネルギを回復することができるように設計される。
本発明の好ましい実施形態では、第1レーザの出力カプラは、第2レーザの入力窓の約1フィート下流側に位置する。従って、この理由又は他の理由から、第1レーザと比較して第2レーザの放電を遅延させることが望ましいであろう。これは、電気パルスが約1.0ns/20cmの割合で良導体を通って進むので、第2レーザのパルスを運ぶ導体を第1レーザの対応する導体よりも長くする(例えば、20から40cmだけ)ことにより容易に達成することができる。
調節可能な遅延
一方のレーザの放電のタイミングを他方のレーザに対して制御する別の手法は、図3に示す回路において、図3Cに示す位置63のような変圧器56の下流のブランチの1つに飽和可能インダクタを挿入することである。この飽和可能インダクタには、調節可能な順方向バイアスが装着されている。付加される順方向バイアスは、インダクタの順方向の飽和を完了させる時間がほぼ所望の遅延時間と等しくなるように選択される。この遅延時間は、飽和可能インダクタにおける巻回数、その磁心の断面積、及びインダクタの磁束振れΔBの関数である。所要の遅延は非常に小さいことから、巻回数は、1巻回とすることができ、磁心は小さい(2インチ直径など)とすることができ、磁束振れΔBもまた、図3C1に示すように小さいとすることができる。バイアスを調節することにより、相対遅延を調節することができる。遅延制御は、ジターを制御するためにフィードバックループ設計に組み込むことができるであろう。発振器/増幅器構成に必要とされる予想される遅延は小さいので(ns又は数10ns程度)、遅延反応器は小型化することができる。更に、ここでもまた、ボルト・秒の要件がおそらくパルス電力圧縮回路において必要とされるよりも遥かに小さいので、コア材料は、回路で導入される損失を最小限に抑えるように選択することができる。調節可能な遅延を準備する別の技術を図3Dに示す。この場合、パルスをレーザの1つに搬送する導体101は、単一ループコイル102に配置され、高い透磁率を有するロッド103は、コイルから出入り可能に配置される。このロッドは、ステッパモータ又は圧電ドライバのような高速駆動装置と共に配置することができる。
他のパルス変圧器構成
図3Bに示すパルス変圧器構成の多くの変形が可能である。2つのレーザシステムに対する好ましい出力電圧は同じでない場合がある。異なる電圧が必要とされる場合、変圧器の一方に対するインダクションユニット数を他方に対して増減することにより、これを容易に達成することができる。また、いくつかのインダクションユニットを削除するために変圧器の一方にスイッチを含めることができ、その変圧器の放電電圧出力を他方の変圧器に対して小さくすることができるであろう。低減されたレベルで二次電圧を取り去るために、いずれかの変圧器の4つの変圧器部分の任意の部分の間にタップを設けることができる。
注入シード方式F 2 レーザシステム
シードレーザ
図4から図11Dまでは、注入シード方式F2レーザシステムを設計し、作動させるための様々な技術を説明するものである。好ましい第1のF2注入シード方式光源は、面平行光学共振器又は不安定共振器構成を使用する従来のF2レーザとすることができる。両方のレーザサブシステムに対するパルス電源は、上述の技術の1つを利用して提供されることが好ましい。それによって、各レーザビームの放電タイミングが確実に適度に同期される。好ましいF2実施形態では、シードレーザビームは、シードレーザの下流側で濾過される。シードレーザは、好ましくは、濾過後に10〜100μJの狭帯域エネルギがF2電力利得段をシードするのに利用可能であるような十分なエネルギを発生させることになる。不安定共振器は、安定共振器よりも発散性が低く空間的に密着したビームを生成することになり、これは、注入スペクトルフィルタを通してエネルギを結合する際に何らかの利点があるであろう。例えば、フィルタが単純な単色光分光器である場合、低い発散性のビームは、単色光分光器の入力スリットまでより容易に集束することになる。別の設計上の任意選択肢は、比較的低い圧力(≒100〜200kPa)で第1のF2光源レーザを作動させることである。これによって、実質的に低減されたスペクトル幅の0.3〜0.6pmを生み出す。スペクトル幅が小さくなるというのは、ポストゲインフィルタに入るエネルギのより多くの部分がフィルタを通過することになることを意味する。第1のF2光源からの生の出力エネルギの方が遥かに小さいが、これは、注入フィルタが処理することのできる最大エネルギが同様に限定されるので、実際には欠点にはならないであろう。
好ましい実施形態で第1のF2光源として使用される従来のF2レーザは、F2レーザとして作動するように改造された標準的KrFリソグラフィレーザシステムである。これらのKrFリソグラフィレーザは公知であり、今日では1,000を超えるこれらのユニットが、集積回路リソグラフィ機械用の光源として集積回路製造工場で稼動している。これらのレーザは、1000から2000パルス/秒の範囲の繰返し数でレーザパルスを生成し、米国カリフォルニア州サンディエゴ所在の「Cymer」インコーポレーテッドのような供給業者から入手可能である。これらのリソグラフィレーザは、共に本明細書において引用により組み込まれる、米国特許第5,991,324号及び米国特許第6,128,323号のような多くの特許で詳細に説明されている。F2レーザとしての作動に必要とされる主な改造点は、ガス混合気を約0.1%のフッ素と残りのヘリウムとに変えることであり(ただし、ネオン、又は、ヘリウム及びネオンの組合せを使用することもできる)、好ましくは、放電電圧の上限範囲が、約26,000ボルトから約36,000ボルトに増加される。第1のF2光源と電力利得段とに使用される基本的原型F2レーザシステムについては、「F2レーザシステムの設計」という名称の節で以下に説明する。その節では、F2レーザを製造するための従来技術のKrFレーザシステムに対する重要な改良点について説明する。
プレ電力利得フィルタ
好ましい従来技術の回折格子単色光分光器プレ電力利得フィルタについて、図6を参照しながら説明する。このフィルタは、マスタ発振器としての自励F2レーザと共に使用された時、好ましくは、マスタ発振器からの自励スペクトルの0.1pm帯域幅部分を薄切りしなければならず、また、それに続く増幅器段によって必要とされる10〜100μJの狭帯域エネルギを生成することができるべきである。図6に示すこの第1フィルタ実施形態は、従来の回折格子単色光分光器の実施形態である。マスタ発振器からの光は、最初に、入力スリット50に集束される。入力スリットを通過する光は、好ましくは曲面鏡52によって平行化され、この曲面鏡は、単純な球面鏡、又は軸外放物線面とすることができ、平行化された光は、回折格子54に向けられる。この回折格子は、157nm波長範囲で光を分散するように選択された高分散型(例えば、エシェル格子)である。この回折格子は、「Lithrow」構成にされる。ビーム経路54に沿って反射して返される選択された非常に狭い範囲の光は、ビームスプリッタ56の助けを得て出口スリット57上で再映像化される。装置の様々な幾何学的かつ光学的パラメータ(即ち、スリット幅、回折格子分散、曲面鏡焦点距離)によって、出口スリットを出る光の帯域幅が決定される。克服しなければならない1つの設計上の問題は、単色光分光器を通して所望の量のエネルギを結合しようとした時に入力及び出口スリットに到達する高いピーク強度である。これらの高い強度を処理する一方法は、屈折スリット、即ち、エネルギを吸収することなく不要な光を別の方向に屈折させる刃形楔を使用することである。このようなスリット装置を図6Aに示す。
フィルタとしての機能に加え、図6の装置は、出口映像平面に配置された付加的なビームスプリッタ58及び線形検出器アレー60を含む。この増設によって、重要な残りの問題、即ち、(同調可能)注入フィルタを所望の波長に維持する方法が解決される。回折格子角度に数十マイクロラジアンを超える誤差がある場合、シードビームは、出口スリットに当たり損ねることになり、それに続く電力増幅器段を固定する狭帯域エネルギがないことになる。この角度の狂いが極めてごく僅かであった場合も、増幅されたスペクトルは所望の波長ではなくなる。幸いにも、単色光分光器は、本質的にそれ自体をモニタすることができる。回折格子及び球面鏡によって形成された映像は、単色光分光器に入った光の分散スペクトルである。第2のビームスプリッタは、2つの同一映像(スペクトル)を1つは出口スリット、1つは線形検出器アレーに生成する。線形検出器アレーは、自励マスタ発振器からの比較的広いスペクトルを感知すると、それをアレー上の各点でのスペクトル強度を表すビデオ信号に変換する。自励波長は、安定で公知であるから、単色光分光器の較正用基準としての役目を果たす。コントローラ66は、線形検出器アレーから読取りを行い、スペクトル映像の中心をアレー上の所望の点、例えばその中心近くに置くように回折格子角度を調節する。このようにして、単色光分光器は、マスタ発振器の自励スペクトルに対して自己安定化する。出口スリット及び線形アレーは、基本的には二重映像平面であるから、出口スリット位置は、線形アレー上の特定位置、従って波長に対応する。従って、マスタ発振器からの自励スペクトルをスペクトル基準として用い、出口スリットを出る光の波長を正確に判断することができる。
この装置を較正する一方法は、ビームスプリッタ62を単色光分光器を出るビームの経路内に置き、エネルギ検出器64でビームエネルギをモニタすることである。このような検出器は、注入シードのエネルギをモニタする必要があるので、いずれにせよ望ましいものである。
較正
較正シーケンスは、以下のように進行すると思われる。(1)開始角度にある回折格子を用いて、レーザが発射され、線形アレー上に落ちるスペクトル映像と共に出口スリットからの出力エネルギがモニタされる。スペクトルのピークが、アレー上のピクセル単位の位置を用いて判断される。(2)回折格子角度を上げて測定を繰り返す。(3)回折格子角度をある範囲を通して走査した後、得られたデータを検査する。出力エネルギが最大になるアレー上のスペクトルの位置(ピクセル単位)は、スリットの同等な位置に対応する。
この較正された位置が判断されると、単色光分光器の公知の分散を利用して、回折格子を他の波長に再同調させることができる。例えば、単色光分光器の分散が0.1pm/ピクセルと仮定し、更に、出口スリットの較正位置がピクセル300であると仮定する。出力の所望の波長が157.6299nm(157,629.9pm)、つまり、自励スペクトルの中心である場合、回折格子角度は、映像の中心がピクセル300にあるように調節される。所望の波長が中心から+0.2pm離れている場合(157.6301nm)、映像の中心がピクセル302になるように回折格子を動かすことになるであろう。更に別の微調節は、自励スペクトルの中心が圧力に依存することから、単色光分光器の較正及びその後の使用においてマスタ発振器の圧力を含めることである。この圧力依存性は、特にマスタ発振器の圧力が大幅に変動することを許す場合には較正の中に含むべきである。自励レーザの中心波長は、ヘリウムがバッファとして使用された時には約1から2fm/kPaの範囲の圧力シフト係数を有すると判断された。任意の与えられた圧力に対して、波長の良好な推定値は、従って、157.6309+0.00000192*Pnmであり、ここで、P=kPa単位の圧力である。他のバッファガス(例えばネオン、又は、ヘリウム及びネオンの混合気)が使用される場合には、他の圧力シフト係数を使用することができる。
改造回折格子単色光分光器
狭帯域光を生成する代替方法は、図7に示すような改造回折格子単色光分光器を使用することである。このフィルタは、良好に平行化されて回折をほぼ制限した干渉性ビームを生成するマスタ発振器の出力ビームを濾過し、この場合、単色光分光器の入口スリットが削除される。
マスタ発振器からのビームの発散を小さくするために、また、マスタ発振器からのビームのサイズを回折格子54と物理的に適合させるためにビームエキスパンダ70を使用する。回折格子からの分散光は、球面鏡(又は、レンズ)を通して、所望の波長が選択される出口スリット72に集束される。線形検出器アレー60及びコントローラ66の作動は、先に説明したものと同じである。この装置の利点は、入口スリットが不要となり、高いピーク強度に付随する問題が除外されることである。この装置には、マスタ発振器の位置決め安定性が今度はアレー上の映像位置、従って波長選択過程の一因子になるという点で欠点がある。マスタ発振器からの入力角度のゆっくり変動する変化に対しては、コントローラは、回折格子を再同調して波長を一定に保持することができる。
エタロンフィルタ
エタロン78はまた、図8に示すように帯域通過フィルタとして使用することができる。単色光分光器フィルタの場合と同様に、エタロンは、原子標準として使用されるマスタ発振器の自励スペクトルに対して自己基準化することが望ましい。マスタ発振器からのビームは、最初に、その発散を小さくすると共にエタロン上のパワー密度を小さくするために、ビームエキスパンダ70で拡大される。拡大後に、ビームは、特別の「部分拡散器」74、つまり、光の大半を改変することなく透過させるが、わずかな割合の光をある範囲の角度に散乱させる、光学要素を通過する。この例は、低い回折強度、又は非常に軽くかつ細かく研磨されたオプティカルフラットを有する回折光学装置である。その後、光は、ほぼ通常の入射角でエタロンを通過する。エタロンの帯域通過特性は、自由スペクトル範囲(FRS)及びフィネスによって判断される。例えば、2pmのFSR及び20のフィネスを有するエタロンは、0.1pmFWHMの帯域通過を有することになる。エタロンは、その後、自励マスタ発振器からのスペクトルの0.1pmスライスを伝達する。単色光分光器の場合と同様に、エタロンに負荷される電力を制限するために、低圧力、従って、低減した帯域幅でマスタ発振器を作動させることが有利である。更に、開始スペクトルが狭いほど、エタロンの隣接する伝達順位においてエネルギ量が低減することになる(中心波長から±1FSR)。エタロンを通過した後、レンズ76(又は、球面鏡)は、絞りが設置されている点に光を集束させる。ビームの一部分は、ビームスプリッタ80によって分割され、フォトダイオードアレー82によってモニタされ、このフォトダイオードアレーは、中心波長及び帯域幅信号をコントローラ66に供給し、このコントローラは、この情報を使用してエタロン78を制御する。絞りの目的は、ビームの軸線上の非拡散成分以外の全ての光を阻止することである。狭帯域のこの光は、その後、電力増幅器段に転送される。ビームスプリッタ及び光学検出器が絞りの後に置かれ、注入フィルタを出るエネルギをモニタする。
一般に、エタロンの帯域通過の中心波長は、自励マスタ発振器のスペクトルの中心と位置が合わないことになり、エタロンを調節する必要がある。それには、エタロンが中実プレートタイプか又は空隙タイプによって4つの方法が可能である。中実エタロンの場合、エタロンは、入射ビームに対して傾けることができるか、又は、エタロンの温度を変えることができ、これは、プレートの光学的な厚みを実質的に変える。空隙エタロンの場合、その角度を変えることができるか、プレート間隔を変えることができるか(例えば、PZTアクチュエータにより)、又は、ガスの密度を変えることによってプレート間のガスの屈折率を変えることができる。
好ましい実施形態では、エタロンは、図8に示すような耐圧ハウジング84内に封入されている空隙タイプである。圧力コントローラを使用して、ハウジング内のガスの圧力を変え(一定の温度で)、それによってエタロンを圧力で調節する。所要の調節量は非常に小さいので(約±0.2から±0.5pm)、必要とされる圧力変化も小さく、ガスとして窒素を用いた場合約±3から±8torrである。これは、(密封)ハウジングの容積を変えることにより、又は、適切な供給装置からガスを能動的に導入するか又は抜くことによって達成することができる。エタロンは圧力で調節されるので、帯域通過波長が自励マスタ発振器からのスペクトルを通して走査する時に、出力強度が交互に増加及び消滅することになる。
エタロンの調節に対する制御は、エタロンを独自のエタロン分光計に変える付加的な光学要素を含むことによって達成される。付加的なビームスプリッタが出口絞りの前に設置され、レンズの第2焦点平面を形成する。この焦点平面においては(第1の場合と同様に)、強度分布は、焦点中心での強いスポット、及び遥かに弱い従来のエタロン・リング・パターンから成る。強いスポットは、エタロンを通過するビームの非拡散部分によって形成され、エタロン・リング・パターンは、ビームの拡散部分によって形成される。強い中心スポットは、ここでは使用されず、ビームストップ81により阻止される。その後、エタロン・リング・パターンを読み取るために、焦点平面内に線形検出器アレー82が置かれる。この構成は、リソグラフィレーザで使用される現在の波長計デザインと非常に似通っている。任意の光学的構成に対して、エタロンリングの直径とエタロン帯域通過の中心波長との間に直接的な関係がある。
この装置の較正は、単色光分光器フィルタについて先に説明した手順と類似の方法で行われる。較正シーケンスは、以下のように進むと考えられる。(1)開始波長に圧力調節したエタロンを用いて、レーザを発射し、線形アレー上に落ちるエタロン・リング・パターンと共に、出口絞りからの出力エネルギを測定する。最も内側の完全に形成されたリングの直径を判断する。(2)圧力コントローラによってエタロン内の圧力が増分された後に測定を繰り返す。(3)1つの自由スペクトル範囲を通してエタロンを圧力調節した後に、得られたデータを検査する。出力エネルギが最大になる最も内側のリングの直径は、圧力依存のマスタ発振器からの自励スペクトルのピークにエタロンの帯域通過が正確に同調された状態に対応する。
この較正された直径が判断された状態で、直径を維持するようにエタロン内の圧力を変えることにより、エタロン帯域通過フィルタの波長を安定させることができる。更に別の微調節として、リソグラフィ波長計で使用されるのと同じ非線形エタロン方程式を使用することにより、エタロン・リング・パターンを直接に「波長」に変換することができる。これによって、帯域通過関数をマスタ発振器スペクトルのピークから既知量だけ離調させることができる。更に別の微調節は、上述の通り、マスタ発振器の圧力をエタロンの較正及びその後の使用に含めることである。
同調
通常は、レーザシステムの作動に選択される狭いスペクトル帯域(約0.1pm又はそれ以下)は、最大出力パルスエネルギで所望の帯域幅仕様を満足する狭帯域になる。しかし、限定された量の波長の同調は、上述のプレ利得フィルタで可能である。本出願人は、少なくとも約1.2pmの同調範囲をかなり容易に達成することができると予想する。出力パルスエネルギと何らかの相当な妥協をすると、追加の同調が実行可能である。同調範囲は、先に示したようにレーザガス圧力の関数である。従って、レーザ内の圧力を調節することにより、より長い全体範囲を達成することができる。
電力利得段
図9及び図10を参照しながら2つの好ましい電力利得段を説明することができる。
電力発振器
電力利得段は、図9に示すように、電力発振器として構成することができる。電力発振器の設計には、目標とする出力によって、多くの異なる共振器を使用することができる。好ましい実施形態では、共振器は、全てを図9に示すように、2つの分割被覆ミラーにより形成された軸外ハイブリッド不安定共振器である。
注入シードビーム90は、不安定共振器92の上部に沿って中心軸線に位置合わせされ、最初に、50%部分反射器93Aを通って進む。後部共振光学装置94は、ゼロ電力メニスカスタイプであり、注入されたビームの平行化を妨害するものではない。注入ビームは、共振器の「フレネル」コアを満たし、空洞間フィールドに亘る制御が確立される(この場合の「フレネル」コアは、50%Rミラー93Aと100%Rミラー94Aとの間に形成される容積である)。ビームは、増幅と共に前部光学装置まで伝播した後、100%反射凸面表面から反射される。ビームは拡大し、後部光学装置まで進むにつれて増幅され、そこで、一部分が100%反射凹面表面93Bから反射し、一部分が表面93Aから反射する。これによりビームが再平行化され、3回目の利得を通過により更に増幅される。出力カプラの下部94Bは、反射防止被覆されており、ビームは最小の損失で出ることができる。後部光学装置の場合と同様に、前部光学装置は、出力ビームの平行化を保存するためにゼロ電力メニスカスタイプである。この種類の共振器は、50%及び100%反射面が共振器の「フレネル」コア内へのフィードバックをもたらすので電力発振器を形成する。この種類の共振器の利点は、(1)ビーム内に中心の暗い部分又は穴がなく、(2)電力発振器をシードに固定するのにシードエネルギをほんの僅かしか必要としないということである。
電力増幅器
電力増幅器の形の電力利得段を図10に示す。この場合、共振器は、50%反射面93Aを反射防止面に変えることによりフィードバックが排除されている点を除き、図9似示すものと類似のものである。この構成により、軸外マルチパス電力増幅器が得られる。
2 レーザシステムの設計
第1のF2光源、及び電力利得段の両方に対して利得媒体としての役目を果たすように、本出願人及びその同僚は、幾つかの原型F2レーザシステムを製造して試験した。
これらのシステムは、主として、高効率チャンバ及び半導体パルス電力励起を利用して、従来技術によるエキシマレーザシステムに対する幾つかの重要な改良点を組み込んだKrFレーザ及びArFレーザの現在の製造に基づくものである。放電は、ガス汚染を最小限に抑えるためにコロナプレイオン化される。光ビーム経路全体は、酸素による光の吸収を回避するために、また、光学構成要素の損傷を回避するために窒素パージされる。全ての共振光学装置は、傾斜チャンバ窓を装備したレーザチャンバの外部に置かれた。ガス混合気は、4気圧のヘリウムにおける0.1%のフッ素であり、電極隙間は、10mmに減らされた。
これらの原型ユニットでは、第1のF2光源及び電力利得段の両方については、改造パルス電力システムを使用しており、そのシステムの回路図を図11、及び図2及び図3に示す。これらの実施形態に対するパルス電力システムと、従来技術のKrFレーザに対する対応するシステムとの大きな相違は、F2レーザに対してより高い出力電圧を供給し、上述したように、変圧器上流側の回路の一部分が単一回路であり、変圧器の下流側の一部分が分割回路であるパルス変圧器56である。このパルス変圧器では、二次巻線として機能する単一四分割ステンレス鋼ロッド(上述で参照した米国特許第6,128,323号で説明されている)に代わって、図11A、11B、及び図11Cに示すように、全てが直接接続されて互いに絶縁されている内側円筒形ロッド及び2つの同軸管から成る変圧器二次導体が使用されている。二次導体は、302で示すようなバスバーと304に示すようなHVケーブルとで接続された2つの同軸アセンブリ(その断面を図11B及び図11Cに図示)から成る。図11Dは、図11B及び11Cと同じ断面と、「Metglas(登録商標)」の層306及び一次巻線を形成するスプールのシリンダ部分308回りに巻かれたマイラーフィルムもまた示す。また、図11Dでは、パルス変圧器の二次部分を形成する中心ワイヤ310、及び、中空円筒形導体312及び314が示されている。「Metglas(登録商標)」層及びマイラー層は、図11A、図11B、及び図11Cでは図示していない。約1,000ボルトの電圧ピークを有する電流パルス(316に示すように)により、図11Aの318に示すように約36,000ボルトのパルスが二次HV端子で生成されることになる。すなわち、2つのレーザに電力を供給する2つのパルス変圧器部分の各々は、12個のインダクションユニット(図3HBに示す23ではなく)で構成される。しかし、12個のインダクションユニットを通過する3つの二次導体は、36の電圧増幅を生み出す。
一次シリンダと3つの同軸二次導体との間の結合は、図8Eを参照しながら説明するように、「Metglas(登録商標)」及びマイラー層の巻き付けによりもたらされる。この実施形態では、追加の圧縮段(1つの付加的なコンデンサバンクCp-1)が設けられている。この実施形態におけるコンデンサバンクは、以下の値を有する。
0=約12.1μF
1=約12.4μF
p-2=約8.82nF
p-1=約8.4nF
p=約10nF
この原型実施形態における改造パルス電力システムは、約80nsの出力立ち上げ時間をピークコンデンサバンク内に生成する。パルス変圧器のステップアップ比は、36X(先に詳細に説明した実施形態の24Xに対して)である。これにより、レーザは、改造なしのパルス変圧器と比較すると、相当に高い電圧で作動することができ、相応にF2濃度が低い。本出願人は、作動時の電圧が高いほど放電の安定性が向上し、繰返し数を高くすることができると判断した。先に説明したように、この実施形態では、別々の変圧器が設置され、その各々は、図3Bに示すように共通の電源から一次電流により電力が供給されるが、変圧器の各々は、図3Bに示すような24Xではなく36Xステップアップをもたらすように、図11A、B、C、及びDに示すように構成される。
ポスト出力フィルタ
先に示したように、本発明の好ましい実施形態の電力利得段の出力は、ライン中心が公称波長回りの約±0.5pmのスペクトル範囲を覆う公称F2157.63nmライン内にある約0.1pm又はそれ以下の紫外線帯域幅を有することになる。以下の節で示すように、他のスペクトル範囲、特にヘリウムが使用された時の赤色光及び赤外線光の少量の光エネルギがF2レーザ内で生成される。この赤色光が問題になった場合、157nmUV光を透過して赤色光を吸収又は反射する(レーザ内には戻らない)ように設計された公知の光学フィルタで容易に排除することができる。また、UV範囲の出力ビームを更にラインナローイングするために、上述の種類のうちの1つのポスト出力フィルタを増設することができるであろう。しかし、ポスト出力フィルタとして使用された時、フィルタの構成要素は、遥かに高いエネルギビームを処理するように設計する必要がある。
本発明を特定の実施形態に関して説明したが、本発明は、特許請求の範囲及びその法律上の均等物により範囲が定められることを理解すべきである。
従来技術の市販エキシマリソグラフィレーザの図である。 集積回路リソグラフィに使用される従来技術の市販エキシマレーザのいくつかの主要要素を示すブロック図である。 図1のレーザのレーザチャンバの図である。 本発明の特徴を示すブロック図である。 本発明の好ましい実施形態の特徴を示す電気回路図である。 パルス変圧器の図である。 図3Aの特徴を示す図である。 調節可能な遅延を提供する、図3の回路の変更を示す図である。 B−H曲線を示す図である。 代替のフィルタ調節技術を示す図である。 2レーザシステムのブロック図である。 2レーザシステムのブロック図である。 第1の回折格子単色光分光器の特徴を示す図である。 第1の回折格子単色光分光器の特徴を示す図である。 第2の回折格子単色光分光器の特徴を示す図である。 エタロンフィルタの特徴を示す図である。 電力利得段の図である。 電力利得段の図である。 パルス電力システムの特徴を示す図である。 パルス電力システムの特徴を示す図である。 パルス電力システムの特徴を示す図である。 パルス電力システムの特徴を示す図である。 フィードバック制御システムにおけるパルスエネルギ検出器を示す図である。 本発明の好ましい実施形態の特徴を示すブロック図である。 本発明の好ましい実施形態の特徴を示すブロック図である。

Claims (10)

  1. A)1)レーザガスと、帯域幅を有する第1のレーザビームを生成するために電気放電が前記レーザガス内に利得媒体を生成する第1の放電領域を形成する第1の組の電極とを包含する第1のレーザチャンバ、及び
    2)前記第1のレーザビームの帯域幅を低減して、狭帯域の第1のレーザサブシステム出力ビームを生成するためのライン・ナローイング装置、
    を含む第1の放電レーザサブシステムと、
    B)循環レーザガスと、前記第1のレーザサブシステム出力ビームを増幅するために電気放電が利得媒体を生成する第2の放電領域を形成する第2の組の電極とを包含する第2のレーザチャンバ、
    を含む第2の放電レーザサブシステムと、
    C)1)a)i)各コアが一次巻線を有する幾つかのコアNを形成する第1の複数の変圧器コア、及び
    ii)第1のパルス変圧器の出力パルスが生成される前記第1の複数のコアの全てを通過する少なくとも1つの第1の二次導体、
    を含む第1のパルス変圧器と、
    b)i)各コアが一次巻線を有する幾つかのコアMを形成する第2の複数のコア、及び
    ii)第2のパルス変圧器の出力パルスが生成される前記第2の複数のコアの全てを通過する少なくとも1つの第2の二次導体、
    を含む第2のパルス変圧器と、
    を有するパルス変圧器システム、
    2)比較的長い持続時間の高電圧電気パルスを生成するための高電圧パルス電源、
    3)前記高電圧電気パルスを圧縮して比較的短い持続時間の圧縮された高電圧パルスを生成するための上流側電気パルス圧縮回路であって、
    前記圧縮された高電圧パルスを、
    a)前記第1の複数の変圧器コアの各々の前記一次巻線、及び
    b)前記第2の複数の変圧器コアの各々の前記一次巻線、
    に対して印加し、前記第1の二次導体上の出力において非常に高電圧の第1のパルスを生成し、前記第2の二次導体上の出力において非常に高電圧の第2のパルスを生成し、前記第1のパルス変圧器の出力パルスと前記第2のパルス変圧器の出力パルスとが実質的に同一の形状を有するように構成された上流側回路、
    4)前記第1の非常に高電圧のパルスを前記第1の組の電極に印加して、前記第1の放電領域に放電を引き起こすための第1の下流側電気回路、及び
    5)前記第2の非常に高電圧のパルスを前記第2の組の電極に印加して、前記第2の放電領域に放電を引き起こすようにパルスを掛けるための第2の下流側電気回路、
    を含むパルス電源システムと、
    を含み、
    前記非常に高電圧の第1のパルス及び非常に高電圧の第2のパルスの一方を他方に対して遅延させるパルス遅延手段を更に含み、該遅延手段は、調整可能なバイアスが付加された飽和可能インダクタを含み、
    前記第1のレーザサブシステムの出力ビームは、前記第2の放電領域で増幅され、前記第2の放電レーザサブシステムの出力において増幅されたレーザビームを生成する、
    ことを特徴とする、注入シード方式狭帯域ガス放電パルスレーザシステム。
  2. Nは、Mに等しいことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
  3. Nは、Mに等しくないことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
  4. N及びMは、所定のステップアップ比が得られるように選ばれることを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
  5. 前記第1の二次導体は、単一導体であり、
    前記第2の二次導体も、単一導体である、
    ことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
  6. 前記少なくとも1つの第1の二次導体は、複数の同軸導体であり、
    前記少なくとも1つの第2の二次導体も、複数の同軸導体である、
    ことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
  7. 前記パルス遅延手段は、延長された導電経路を含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
  8. 調節可能な順方向バイアスが装着された飽和可能インダクタを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザ。
  9. ジター制御フィードバックループを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザ。
  10. さらに、前記第1のパルス変圧器の出力パルスと前記第2のパルス変圧器の出力パルスとが実質的に同時に出力されることを特徴とする請求項1に記載のレーザ。
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