JP2004522596A - マイクロスケールノズル及びその製造方法 - Google Patents
マイクロスケールノズル及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004522596A JP2004522596A JP2002549470A JP2002549470A JP2004522596A JP 2004522596 A JP2004522596 A JP 2004522596A JP 2002549470 A JP2002549470 A JP 2002549470A JP 2002549470 A JP2002549470 A JP 2002549470A JP 2004522596 A JP2004522596 A JP 2004522596A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microscale
- nozzle
- substrate
- channel
- microscale channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 15
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000000132 electrospray ionisation Methods 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/162—Manufacturing of the nozzle plates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1637—Manufacturing processes molding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1643—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by plating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49401—Fluid pattern dispersing device making, e.g., ink jet
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/4998—Combined manufacture including applying or shaping of fluent material
Abstract
マイクロスケールノズル(52)の製造方法が、基板(30)の上面(34)にマイクロスケールチャネル(32)を形成する工程であって、マイクロスケールチャネル(32)が入口端部(36)とノズル端部(38)とを含む工程と、マイクロスケールチャネル(32)の一部にノズル形成層(50)を堆積する工程と、マイクロチャネル(32)のノズル端部で、基板(30)から材料を除去して、ノズル形成層(50)の少なくとも一部を露出させる工程とを含む。形成されたマイクロスケールノズルは、液体試料を、マイクロチップ流体システムから外部分析装置に移動させるのに用いられる。これにより、移動は、水滴、噴霧、又は蒸気により行なわれる。
Description
【技術分野】
【0001】
本発明は、マイクロスケール流体デバイス及びその製造方法に関する。特に、本発明は、新しいマイクロスケールノズル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
分析評価に用いる試薬や試料の量を減らすために大きな努力が払われ、ナノリットルやピコリットルのオーダーの量の試薬を使用できる新しいデバイスが開発されている。しかしながら、チップ上で全ての所望の評価を行なうことは不可能であり、時々、試料が外部の分析デバイスに移される。この移動は、多くの異なった方法で行なわれる。例えば、分析デバイス上の入口ポートに直接接続されたチップ上の出力ポートにより、又はノズルにより、水滴、噴霧、又は水蒸気として移動が行なわれる。特に興味のある分析デバイスの1つのタイプは、質量分析計(マススペクトロメータ)である。
【0003】
質量分析計は、液体クロマトグラフのような分析デバイスから得られる液体試料の成分の質量分析にしばしば用いられる。質量分析計では、分析される成分試料が、イオンを含まない状態で提供される必要があり、通常、イオンの蒸気を形成するために、液体試料を蒸発させる必要がある。これは、一般に、エレクトロスプレーイオン化を用いて達成される。エレクトロスプレーイオン化(ESI)では、液体試料が流れる細い針(ノズル)にポテンシャル(2−3kVのオーダー)を与えて、噴霧が形成できる。質量分析計への入口オリフィスには、例えば0Vのような低いポテンシャルが与えられ、針の先端から質量分析計のオリフィスに、電場が形成される。電場は液体中の正にチャージされた種を引きつけ、針の先端で、液体のメニスカスに蓄積される。液体中の負にチャージされた種は、中性化される。メニスカスは、逆にチャージされたオリフィスに向って延び、「テイラーコーン(Taylor cone)」を形成する。チャージされた種とオリフィスとの間に引きつけが、テイラーコーンの先端の表面張力を超えた場合、テイラーコーンから水滴が自由になり、オリフィスに向った電場の線に向って飛ぶ。オリフィスへ飛ぶ間、水滴状の液体は気化し、水滴の正味の正電荷は増加する。正味の電荷が増加した場合、水滴中の同じ電荷の間のクーロン反発もまた増加する。それらの同電荷の間の斥力が、水滴の液体表面張力を超えた場合、水滴は、複数のより小さな水滴に分裂する。それらの水滴中の液体は続いて気化し、それらの水滴もまた分裂する。これが、オリフィスに飛ぶ間に、何回も行なわれる。
【0004】
米国特許9,435,624には、大気圧において、液体からイオンを形成し、イオンを質量分析計に導入するためのエレクトロスプレー界面が記載されている。この装置は、1つのエレクトロスプレー針を有する。質量分析計は高価な装置であり、分析される試料は、しばしばエレクトロスコピーに同時に1つだけ入れられるため、通常、多くの使用されない時間を有する。質量分析計が有効に働く時間を多くするために、液体クロマトグラフのような多くの入力装置が、1のエレクトロスプレーノズルに連続して接続されることは良く知られている。多くの試料に同じノズルを用いることは、相互汚染のリスクを負い、試料の間で洗浄するようなこれを避けるための測定は、コストを増加させ、有効に働く時間を減らす。
【0005】
米国特許5,872,010には、この型の、幾つかのマイクロスケール液体処理システムが記載されている。これらは、マイクロファブリケートされたチップに基づく。図1aに示すように、この文献では、結合された試料入口ポート8と出口ポート/ノズル10に平行に、マイクロチップの平坦な部分の表面に設けられた、複数の独立したチャネル又は溝12を含むマイクロチップ基板6を含む具体例が示されている。この文献に記載された他の具体例では、チャネルがスポーク配置であり、チャネルの内側の端部が、共通の出力ノズルに接続されている。
【0006】
米国特許5,872,010には、更に、チャネル12の出力端部10が、エレクトロスプレーを提供する形状及び/又は大きさであることも記載されている(図1a)。出力端部10の間の相互汚染を最小にするために、基板のエッジ表面14は、図1bに示すようなリセス16を隣接する出力ポートの間に有するように、又は濡れない材料を含んだり、化学的に濡れないように形成される。残念なことに、結果のエレクトロスプレーが満足できるものではなく、それらの測定は十分ではなく、相互汚染がなお発生する。
【0007】
マイクロスケールのチャネル12に予め作製されたノズル18を取り付ける試みもまたなされた(図1c)。この技術は、ノズル18を作製する工程と、ノズル18を取りつけて位置合わせする繊細な工程とを含む。エレクトロスコピーの観点からは、このシステムが最も好ましいものであるが大量生産には適していない。
【0008】
図1a−1cに示されたマイクロスケールチャネルは、例えば、開いたマイクロスケールチャネルや溝を含む表面が、透明な又は不透明なカバーで覆われる。
【0009】
TaiらのWO00/30167には、マイクロスケールチャネルの拡張として、ポリマーベースのマイクロマシン技術によるエレクトロスプレー構造を形成する方法が記載されている。この方法は、多くの高精度なパターニング工程を含み、シリコンベースのプロセスであるため、先端的な製造手段を必要とし、比較的高価なプロセスとなる。
【発明の開示】
【0010】
エレクトロスプレーシステムの再利用は、テスト試料の汚染のリスクを増加さえるため、使い捨てのエレクトロスプレーシステムの製造には大きな関心が払われている。それゆえに、マイクロスケールノズル、特にエレクトロスプレーノズルの大量生産に適した新しい製造方法が必要とされる。
【0011】
それゆえに、本発明の目的は、マイクロスケールノズル、特にエレクトロスプレーノズルの大量生産に適した新しい製造方法を提供することにある。
【0012】
本発明の他の目的は、大量生産に適した、新しいマイクロスケールノズル、特にエレクトロスプレーノズルの提供にある。
【0013】
本発明のそれらの目的や他の目的は、請求項1〜11の製造方法により、請求項12に記載のノズルにより、及び請求項13及び15のマイクロスケール液体取扱いシステムにより達成される。本発明の具体例は、従属請求項により定義される。
【0014】
請求項1の、「基板の表面にマイクロスケールチャネルを形成する工程」の表現は、ノズル形成層を堆積した製作者と同じ製作者により、または異なった製作者により行なわれる工程を意味する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
本発明の具体例を、図面を参照しながら説明する。
【0016】
図2aは、基板30の表面34に形成された、マイクロスケールチャネル32を含むマイクロチップ基板30の部分を示す。完全に機能するチップを形成するために、ふた(図示せず)が、基板30の上に後に配置される。ふたは、そこを通って試料を入れることができる開口部を有する。マイクロチップ基板30は、ポリマー、又は他の成形、エッチング又は機械加工が可能な材料、例えばガラスやシリコンを含んでも良い。その厚みは、マイクロスケールチャネル32の深さを十分に超える。マイクロスケールチャネル32の幅と深さは、典型的には1〜100μmのオーダーであり、断面は、図3に示すような、適当な形状からなる。マイクロスケールチャネル32は入口端部36を有し、入口端部36は、一般にマイクロスケール流体システムに接続されている。他の端部であるノズル端部38は、基板30のエッジ40から距離を置いて配置され、チャネル32は、そこで終端するか、又はノズル形成端部38を超えて延びる。このノズル端部38は、後にノズルに変形する。チャネル32がノズル端部38で終端する場合、ノズルは、図4aに示すような、端部壁80を有する。図2a及び2bに点線で示されるように、チャネルが延びている場合、ノズルはチャネルの方向に開口端部82を有する(図4b)。双方の場合において、ノズルは上方の壁又はふたを欠き、それゆえに、双方は、同じ機能を有するように描かれていることに注意すべきである。図5aから5cに示すように、ノズル端部38は、幅及び深さに関して多くの異なった形状を有しても良い。
【0017】
図2bにおいて、ノズル端部38から入口端部36に向って、ノズル形成層50が、マイクロスケールチャネル30中に堆積されている。ノズル形成層50は、チャネルの底と側壁を覆うが、基板30の表面34のいずれの部分も覆わない。ノズル形成層50は、導電性又は非導電性のいずれかであり、後者の場合、エレクトロスプレープロセスで必要とされる電気的ポテンシャルは、流体システムの上流の電極により提供される。導電性ノズル形成層50は、金やニッケルのような導電性材料を含むが、例えば、導電性ポリマーのような他の導電性材料を用いても構わない。非導電性ノズル形成層50は、ポリマーやガラスのような無機化合物でも良い。多くの堆積技術、例えば、エレクトロプレーティング、物理又は化学気相成長(PVD、CVD)、溶融金属のスプレー型デポジション又はインクジェット型デポジションをノズル形成層50の形成に使用しても良い。ノズル形成層50の所望の被覆のために、多くの異なった従来のマスキング及び/又は除去技術が、用いられた堆積技術に応じて使用される。
【0018】
図2cにおいて、マイクロスケールチャネルのノズル端部38の材料が除去され、ノズル形成層50の一部が、基板のエッジ40から所定の距離だけ延びた構造52を形成する。基板材料の除去は、エッチングのように化学的なプロセス、又は、例えば制御された破壊(controlled rupture)やレーザカットのような機械的なプロセスのいずれで行なわれても良い。堆積されたノズル形成層50の全長は、用いられる除去技術に依存する。除去が、制御された破壊のような粗野な方法を用いて行なわれる場合、堆積されたノズル形成層50の長さは、所望のノズルの長さ(L)を超えて、例えば3L又はそれ以上であり、ノズル形成層50は、高い構造的強度を有しなければならない。これは、単に、ノズル形成層50を、基板の残った部分のチャネル32に接着することにより、ノズル52を、基板の外部とともに破壊から自由に保たれるためである。ノズル52の、望まない破損/破壊を避ける一の方法は、マイクロスケールチャネル32のノズル形成部分(図2bの54)の表面を変形して、その部分において、ノズル形成層50とチャネル32との間で得られる接着を小さくすることである。
【0019】
図6a及び6bに示す、好ましい具体例では、ノッチ60が基板の底面に形成され、基板の上面に十分な圧力を加えて、基板の制御された破壊を行なえるようにしている。ノッチは、上から見た場合に、ノズル端部38から入口端部36に選択された距離で、マイクロスケールチャネル32を横切るように設けられる。マイクロスケールチャネル32とノッチ60との間の関係を、図6a及び6bに示す。ノッチ60は、マイクロスケールチャネル32より先に、同時に、又は後で形成される。ノッチ60は、マイクロスケールチャネル32を妨害しない範囲で、できるだけ深く形成されるのが好ましい。ノズル端部38における基板30の外部62は、このように、下方に曲げることにより除去され、これにより、ノッチ60に沿って基板が割られる。更に、基板材料は、適当な機械的及び化学的性質を有するように選択され、例えば材料は、砕けやすいがノッチ60に沿った方向以外にクラックが伝搬しない材料である必要がある。そのような操作の結果、以下の例で示すように、この場合のノズル形成層50が基板の残った部分のエッジから突き出すことがわかる。
【0020】
基板30がレーザカットできる材料からなり、ノズル形成層50がカットできない材料からなる場合、この技術を外部基板部分の除去に使用することができる。
【0021】
図7に、本発明の他の具体例が示される。2つの基板30が、開口端部82を有するノズル32を含み、それらの上面34が互いに重なるように配置され、ノズル32が単独のノズルとして形成される。
【0022】
( 例 )
【0023】
この例は、ポリマー基板と金属ノズルとを備えたマイクロチップ流体システムを作製する、一の可能な方法を示す。このプロセスは、特に大量生産に適している。
【0024】
1.マイクロチャネル32を表面34に、ノッチ60を底面に有する、ポリカーボネートの基板30を、射出成形する。
【0025】
2.基板30の表面34に、シェードマスクを用いて、マイクロスケールチャネル32のノズル形成部分の上に、薄い金属層を堆積する。堆積された金属層は、以下で述べる電気めっき工程のシード層として働く。
【0026】
3.基板30の表面34上に、ポジ型のフォトレジスト層を堆積する。フォトレジスト層は、ドクターブレード提供技術を用いて、マイクロスケールチャネル32を埋めるように形成される。堆積後、基板30はソフトベークされる。
【0027】
4.マスク無しに基板30を露光し、これにより、マイクロスケールチャネル32を覆うレジストと共に、基板30の表面34上の薄いレジストを完全に露光し、一方マイクロスケールチャネル32中のレジストは、露光しないで残す。
【0028】
5.フォトレジスト層を現像し、これにより、基板30の表面34上の薄いレジストを除去し、一方、マイクロスケールチャネル32中の厚いレジストは残す。
【0029】
6.フォトレジストで覆われていない金属シード層の部分を除去し、即ち、マイクロスケールチャネル32中の金属シード層のみが残される。
【0030】
7.ノズル形成層50が堆積される、マイクロスケールチャネル32の部分を規定するシャドーマスクを通して残ったフォトレジストが露光され、続いて、露光された領域のフォトレジストが除去される。
【0031】
8.電気めっきにより、マイクロスケールチャネル32のフォトレジストの無い部分に5〜10μmのノズル形成金属層50を堆積する。
【0032】
9.ノッチ60に沿って基板30を割り、これにより、ノズル形成金属層50の少なくとも一部を露出させる。
【図面の簡単な説明】
【0033】
【図1a−1c】マイクロノズルを有する例を示す。
【図2a−2c】上から見た、新しい方法の主な工程を示す。
【図3a−3c】4つの可能な、マイクロスケールチャンネルの断面形状を示す。
【図4a−4b】本発明の方法により形成されたノズルの斜視図を示す。
【図5a−5b】本発明の方法により形成された、異なった形状のノズルの斜視図を示す。
【図6】本発明の一の具体例の上面図である。
【図6b】本発明の一の具体例の、a−a線に沿った断面図である。
【図7】本発明の他の具体例の斜視図である。
【符号の説明】
【0034】
30 基板、32 マイクロスケールチャネル、34 上面、36 入口端部、38 ノズル端部、50 ノズル形成層、60 ノッチ。
【0001】
本発明は、マイクロスケール流体デバイス及びその製造方法に関する。特に、本発明は、新しいマイクロスケールノズル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
分析評価に用いる試薬や試料の量を減らすために大きな努力が払われ、ナノリットルやピコリットルのオーダーの量の試薬を使用できる新しいデバイスが開発されている。しかしながら、チップ上で全ての所望の評価を行なうことは不可能であり、時々、試料が外部の分析デバイスに移される。この移動は、多くの異なった方法で行なわれる。例えば、分析デバイス上の入口ポートに直接接続されたチップ上の出力ポートにより、又はノズルにより、水滴、噴霧、又は水蒸気として移動が行なわれる。特に興味のある分析デバイスの1つのタイプは、質量分析計(マススペクトロメータ)である。
【0003】
質量分析計は、液体クロマトグラフのような分析デバイスから得られる液体試料の成分の質量分析にしばしば用いられる。質量分析計では、分析される成分試料が、イオンを含まない状態で提供される必要があり、通常、イオンの蒸気を形成するために、液体試料を蒸発させる必要がある。これは、一般に、エレクトロスプレーイオン化を用いて達成される。エレクトロスプレーイオン化(ESI)では、液体試料が流れる細い針(ノズル)にポテンシャル(2−3kVのオーダー)を与えて、噴霧が形成できる。質量分析計への入口オリフィスには、例えば0Vのような低いポテンシャルが与えられ、針の先端から質量分析計のオリフィスに、電場が形成される。電場は液体中の正にチャージされた種を引きつけ、針の先端で、液体のメニスカスに蓄積される。液体中の負にチャージされた種は、中性化される。メニスカスは、逆にチャージされたオリフィスに向って延び、「テイラーコーン(Taylor cone)」を形成する。チャージされた種とオリフィスとの間に引きつけが、テイラーコーンの先端の表面張力を超えた場合、テイラーコーンから水滴が自由になり、オリフィスに向った電場の線に向って飛ぶ。オリフィスへ飛ぶ間、水滴状の液体は気化し、水滴の正味の正電荷は増加する。正味の電荷が増加した場合、水滴中の同じ電荷の間のクーロン反発もまた増加する。それらの同電荷の間の斥力が、水滴の液体表面張力を超えた場合、水滴は、複数のより小さな水滴に分裂する。それらの水滴中の液体は続いて気化し、それらの水滴もまた分裂する。これが、オリフィスに飛ぶ間に、何回も行なわれる。
【0004】
米国特許9,435,624には、大気圧において、液体からイオンを形成し、イオンを質量分析計に導入するためのエレクトロスプレー界面が記載されている。この装置は、1つのエレクトロスプレー針を有する。質量分析計は高価な装置であり、分析される試料は、しばしばエレクトロスコピーに同時に1つだけ入れられるため、通常、多くの使用されない時間を有する。質量分析計が有効に働く時間を多くするために、液体クロマトグラフのような多くの入力装置が、1のエレクトロスプレーノズルに連続して接続されることは良く知られている。多くの試料に同じノズルを用いることは、相互汚染のリスクを負い、試料の間で洗浄するようなこれを避けるための測定は、コストを増加させ、有効に働く時間を減らす。
【0005】
米国特許5,872,010には、この型の、幾つかのマイクロスケール液体処理システムが記載されている。これらは、マイクロファブリケートされたチップに基づく。図1aに示すように、この文献では、結合された試料入口ポート8と出口ポート/ノズル10に平行に、マイクロチップの平坦な部分の表面に設けられた、複数の独立したチャネル又は溝12を含むマイクロチップ基板6を含む具体例が示されている。この文献に記載された他の具体例では、チャネルがスポーク配置であり、チャネルの内側の端部が、共通の出力ノズルに接続されている。
【0006】
米国特許5,872,010には、更に、チャネル12の出力端部10が、エレクトロスプレーを提供する形状及び/又は大きさであることも記載されている(図1a)。出力端部10の間の相互汚染を最小にするために、基板のエッジ表面14は、図1bに示すようなリセス16を隣接する出力ポートの間に有するように、又は濡れない材料を含んだり、化学的に濡れないように形成される。残念なことに、結果のエレクトロスプレーが満足できるものではなく、それらの測定は十分ではなく、相互汚染がなお発生する。
【0007】
マイクロスケールのチャネル12に予め作製されたノズル18を取り付ける試みもまたなされた(図1c)。この技術は、ノズル18を作製する工程と、ノズル18を取りつけて位置合わせする繊細な工程とを含む。エレクトロスコピーの観点からは、このシステムが最も好ましいものであるが大量生産には適していない。
【0008】
図1a−1cに示されたマイクロスケールチャネルは、例えば、開いたマイクロスケールチャネルや溝を含む表面が、透明な又は不透明なカバーで覆われる。
【0009】
TaiらのWO00/30167には、マイクロスケールチャネルの拡張として、ポリマーベースのマイクロマシン技術によるエレクトロスプレー構造を形成する方法が記載されている。この方法は、多くの高精度なパターニング工程を含み、シリコンベースのプロセスであるため、先端的な製造手段を必要とし、比較的高価なプロセスとなる。
【発明の開示】
【0010】
エレクトロスプレーシステムの再利用は、テスト試料の汚染のリスクを増加さえるため、使い捨てのエレクトロスプレーシステムの製造には大きな関心が払われている。それゆえに、マイクロスケールノズル、特にエレクトロスプレーノズルの大量生産に適した新しい製造方法が必要とされる。
【0011】
それゆえに、本発明の目的は、マイクロスケールノズル、特にエレクトロスプレーノズルの大量生産に適した新しい製造方法を提供することにある。
【0012】
本発明の他の目的は、大量生産に適した、新しいマイクロスケールノズル、特にエレクトロスプレーノズルの提供にある。
【0013】
本発明のそれらの目的や他の目的は、請求項1〜11の製造方法により、請求項12に記載のノズルにより、及び請求項13及び15のマイクロスケール液体取扱いシステムにより達成される。本発明の具体例は、従属請求項により定義される。
【0014】
請求項1の、「基板の表面にマイクロスケールチャネルを形成する工程」の表現は、ノズル形成層を堆積した製作者と同じ製作者により、または異なった製作者により行なわれる工程を意味する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
本発明の具体例を、図面を参照しながら説明する。
【0016】
図2aは、基板30の表面34に形成された、マイクロスケールチャネル32を含むマイクロチップ基板30の部分を示す。完全に機能するチップを形成するために、ふた(図示せず)が、基板30の上に後に配置される。ふたは、そこを通って試料を入れることができる開口部を有する。マイクロチップ基板30は、ポリマー、又は他の成形、エッチング又は機械加工が可能な材料、例えばガラスやシリコンを含んでも良い。その厚みは、マイクロスケールチャネル32の深さを十分に超える。マイクロスケールチャネル32の幅と深さは、典型的には1〜100μmのオーダーであり、断面は、図3に示すような、適当な形状からなる。マイクロスケールチャネル32は入口端部36を有し、入口端部36は、一般にマイクロスケール流体システムに接続されている。他の端部であるノズル端部38は、基板30のエッジ40から距離を置いて配置され、チャネル32は、そこで終端するか、又はノズル形成端部38を超えて延びる。このノズル端部38は、後にノズルに変形する。チャネル32がノズル端部38で終端する場合、ノズルは、図4aに示すような、端部壁80を有する。図2a及び2bに点線で示されるように、チャネルが延びている場合、ノズルはチャネルの方向に開口端部82を有する(図4b)。双方の場合において、ノズルは上方の壁又はふたを欠き、それゆえに、双方は、同じ機能を有するように描かれていることに注意すべきである。図5aから5cに示すように、ノズル端部38は、幅及び深さに関して多くの異なった形状を有しても良い。
【0017】
図2bにおいて、ノズル端部38から入口端部36に向って、ノズル形成層50が、マイクロスケールチャネル30中に堆積されている。ノズル形成層50は、チャネルの底と側壁を覆うが、基板30の表面34のいずれの部分も覆わない。ノズル形成層50は、導電性又は非導電性のいずれかであり、後者の場合、エレクトロスプレープロセスで必要とされる電気的ポテンシャルは、流体システムの上流の電極により提供される。導電性ノズル形成層50は、金やニッケルのような導電性材料を含むが、例えば、導電性ポリマーのような他の導電性材料を用いても構わない。非導電性ノズル形成層50は、ポリマーやガラスのような無機化合物でも良い。多くの堆積技術、例えば、エレクトロプレーティング、物理又は化学気相成長(PVD、CVD)、溶融金属のスプレー型デポジション又はインクジェット型デポジションをノズル形成層50の形成に使用しても良い。ノズル形成層50の所望の被覆のために、多くの異なった従来のマスキング及び/又は除去技術が、用いられた堆積技術に応じて使用される。
【0018】
図2cにおいて、マイクロスケールチャネルのノズル端部38の材料が除去され、ノズル形成層50の一部が、基板のエッジ40から所定の距離だけ延びた構造52を形成する。基板材料の除去は、エッチングのように化学的なプロセス、又は、例えば制御された破壊(controlled rupture)やレーザカットのような機械的なプロセスのいずれで行なわれても良い。堆積されたノズル形成層50の全長は、用いられる除去技術に依存する。除去が、制御された破壊のような粗野な方法を用いて行なわれる場合、堆積されたノズル形成層50の長さは、所望のノズルの長さ(L)を超えて、例えば3L又はそれ以上であり、ノズル形成層50は、高い構造的強度を有しなければならない。これは、単に、ノズル形成層50を、基板の残った部分のチャネル32に接着することにより、ノズル52を、基板の外部とともに破壊から自由に保たれるためである。ノズル52の、望まない破損/破壊を避ける一の方法は、マイクロスケールチャネル32のノズル形成部分(図2bの54)の表面を変形して、その部分において、ノズル形成層50とチャネル32との間で得られる接着を小さくすることである。
【0019】
図6a及び6bに示す、好ましい具体例では、ノッチ60が基板の底面に形成され、基板の上面に十分な圧力を加えて、基板の制御された破壊を行なえるようにしている。ノッチは、上から見た場合に、ノズル端部38から入口端部36に選択された距離で、マイクロスケールチャネル32を横切るように設けられる。マイクロスケールチャネル32とノッチ60との間の関係を、図6a及び6bに示す。ノッチ60は、マイクロスケールチャネル32より先に、同時に、又は後で形成される。ノッチ60は、マイクロスケールチャネル32を妨害しない範囲で、できるだけ深く形成されるのが好ましい。ノズル端部38における基板30の外部62は、このように、下方に曲げることにより除去され、これにより、ノッチ60に沿って基板が割られる。更に、基板材料は、適当な機械的及び化学的性質を有するように選択され、例えば材料は、砕けやすいがノッチ60に沿った方向以外にクラックが伝搬しない材料である必要がある。そのような操作の結果、以下の例で示すように、この場合のノズル形成層50が基板の残った部分のエッジから突き出すことがわかる。
【0020】
基板30がレーザカットできる材料からなり、ノズル形成層50がカットできない材料からなる場合、この技術を外部基板部分の除去に使用することができる。
【0021】
図7に、本発明の他の具体例が示される。2つの基板30が、開口端部82を有するノズル32を含み、それらの上面34が互いに重なるように配置され、ノズル32が単独のノズルとして形成される。
【0022】
( 例 )
【0023】
この例は、ポリマー基板と金属ノズルとを備えたマイクロチップ流体システムを作製する、一の可能な方法を示す。このプロセスは、特に大量生産に適している。
【0024】
1.マイクロチャネル32を表面34に、ノッチ60を底面に有する、ポリカーボネートの基板30を、射出成形する。
【0025】
2.基板30の表面34に、シェードマスクを用いて、マイクロスケールチャネル32のノズル形成部分の上に、薄い金属層を堆積する。堆積された金属層は、以下で述べる電気めっき工程のシード層として働く。
【0026】
3.基板30の表面34上に、ポジ型のフォトレジスト層を堆積する。フォトレジスト層は、ドクターブレード提供技術を用いて、マイクロスケールチャネル32を埋めるように形成される。堆積後、基板30はソフトベークされる。
【0027】
4.マスク無しに基板30を露光し、これにより、マイクロスケールチャネル32を覆うレジストと共に、基板30の表面34上の薄いレジストを完全に露光し、一方マイクロスケールチャネル32中のレジストは、露光しないで残す。
【0028】
5.フォトレジスト層を現像し、これにより、基板30の表面34上の薄いレジストを除去し、一方、マイクロスケールチャネル32中の厚いレジストは残す。
【0029】
6.フォトレジストで覆われていない金属シード層の部分を除去し、即ち、マイクロスケールチャネル32中の金属シード層のみが残される。
【0030】
7.ノズル形成層50が堆積される、マイクロスケールチャネル32の部分を規定するシャドーマスクを通して残ったフォトレジストが露光され、続いて、露光された領域のフォトレジストが除去される。
【0031】
8.電気めっきにより、マイクロスケールチャネル32のフォトレジストの無い部分に5〜10μmのノズル形成金属層50を堆積する。
【0032】
9.ノッチ60に沿って基板30を割り、これにより、ノズル形成金属層50の少なくとも一部を露出させる。
【図面の簡単な説明】
【0033】
【図1a−1c】マイクロノズルを有する例を示す。
【図2a−2c】上から見た、新しい方法の主な工程を示す。
【図3a−3c】4つの可能な、マイクロスケールチャンネルの断面形状を示す。
【図4a−4b】本発明の方法により形成されたノズルの斜視図を示す。
【図5a−5b】本発明の方法により形成された、異なった形状のノズルの斜視図を示す。
【図6】本発明の一の具体例の上面図である。
【図6b】本発明の一の具体例の、a−a線に沿った断面図である。
【図7】本発明の他の具体例の斜視図である。
【符号の説明】
【0034】
30 基板、32 マイクロスケールチャネル、34 上面、36 入口端部、38 ノズル端部、50 ノズル形成層、60 ノッチ。
Claims (15)
- マイクロスケールノズル(52)の製造方法であって、
基板(30)の表面にマイクロスケールチャネル(32)を形成する工程であって、該マイクロチャネル(32)が入口端部(36)とノズル端部(38)とを含む工程と、
該マイクロスケールチャネル(32)の一部分にノズル形成層(50)を堆積する工程と、
該マイクロスケールチャネル(32)の該ノズル端部(38)で、該基板(30)から材料を除去し、該ノズル形成層(50)の少なくとも一部分を露出させる工程とを含むことを特徴とする製造方法。 - 上記ノズル形成層(50)が、導電性材料を含むことを特徴とする請求項1の方法。
- 上記マイクロスケールチャネル(32)が、上記ノズル端部(38)で終端されることを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の方法。
- 上記マイクロスケールチャネル(32)が、上記ノズル端部(38)を超えて延びたことを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の方法。
- 更に、上記基板(30)の底面にノッチ(60)を形成する工程であって、上から見た場合に、上記ノズル端部(38)から上記入口端部(36)に向かう選択された距離において、上記マイクロスケールチャネル(32)を横切るように該ノッチ(60)が配置される工程を含み、
上記基板(30)から材料を除去する上記工程が、該ノッチ(60)により可能になる制御された破壊として行なわれることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の方法。 - マイクロスケールチャネル(32)を形成する工程と、ノッチ(60)を形成する工程が、射出成形による一の工程で行なわれることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 上記基板(30)から材料を除去する工程が、レーザカットで行なわれることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 上記基板(30)から材料を除去する工程が、エッチングにより行なわれる請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 上記基板(30)がポリマーを含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- ノズル形成層(50)を堆積する工程に先立って、更に、上記マイクロスケールチャネル(32)の上記ノズル形成部分(54)の表面を変形する工程を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- マイクロスケールノズル(52)の製造方法であって、
表面(34)にマイクロスケールチャネル(32)を有し、底面にノッチ(60)を有するポリマー基板(30)を射出成形する工程であって、上から見た場合に、ノズル端部(38)から入口端部(36)に向かう選択された距離において、該マイクロスケールチャネル(32)を横切るように該ノッチ(60)が配置される工程と、
該基板(30)の該表面(34)上で、シェードマスクを用いて、該マイクロスケールチャネル(32)のノズル形成部分に薄い金属層を堆積する工程と、
該基板(30)の表面(34)上にポジ型フォトレジスト層を堆積する工程であって、ドクターブレード供給技術を用いて、該マイクロスケールチャネル(32)を埋めるように該フォトレジスト層を形成する工程と、
該基板(30)をソフトベーキングする工程と、
マスク無しに該基板(30)を露光し、該マイクロスケールチャネル(32)を覆う該レジストと共に、該基板(30)の表面(34)上の薄いレジストを完全に露光し、一方該マイクロスケールチャネル(32)中のレジストを露光されないように残す工程と、
該フォトレジスト層を現像し、該基板(30)の表面(34)上の該薄いレジストを除去し、一方、該マイクロスケールチャネル(32)中の厚いレジストを残す工程と、
該フォトレジストで覆われていない金属シード層の部分を除去する工程と、
該ノズル形成層(50)が堆積される該マイクロスケールチャネル(32)の部分を規定するシャドーマスクを通して、残るフォトレジストを露光する工程と、
該フォトレジストを現像し、これにより、露光された領域の該レジストを除去する工程と、
該マイクロスケールチャネル(32)の該フォトレジストの無い部分に、5〜10μmのノズル形成金属層(50)を電気めっきする工程と、
該ノッチ(60)に沿って該基板(30)を破壊し,該ノズル形成金属層(50)の少なくとも一部を露出させる工程とを含む方法。 - 上記請求項1の方法で製造されたことを特徴とするマイクロスケールノズル(52)。
- 少なくとも1つのマイクロスケールチャネル(32)を含むマイクロスケール流体取扱いシステムであって、
1又はそれ以上の少なくとも1つのマイクロスケールチャネル(32)が、1の端部で、請求項12にかかるマイクロスケールノズル(52)に接続されたことを特徴とするシステム。 - 上記流体取扱いシステムが、ディスク形状の基板(30)を含み、1又はそれ以上のマイクロスケールノズル(52)が、該基板(30)の外部表面から、本質的に放射状に延びたことを特徴とする請求項13に記載のマイクロスケール流体取扱いシステム。
- 入口端部(36)とノズル端部(38)とを有する少なくとも一つのマイクロスケールチャネル(32)を有する基板(30)を含むマイクロスケール流体取扱いシステムであって、1又はそれ以上の、少なくとも1つの該マイクロスケールチャネル(32)中にノズル形成領域(50)が堆積され、ノッチ(60)が該基板(30)の底面に存在し、上から見た場合に、該ノズル端部(38)から該入口端部(36)に向かう選択された距離において、該マイクロスケールチャネル(32)を横切るように該ノッチ(60)が配置されたことを特徴とするシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE0004594A SE0004594D0 (sv) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | Microscale nozzie |
PCT/SE2001/002753 WO2002047913A1 (en) | 2000-12-12 | 2001-12-12 | Microscale nozzle and method for manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004522596A true JP2004522596A (ja) | 2004-07-29 |
Family
ID=20282200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002549470A Pending JP2004522596A (ja) | 2000-12-12 | 2001-12-12 | マイクロスケールノズル及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7213339B2 (ja) |
EP (1) | EP1349731B1 (ja) |
JP (1) | JP2004522596A (ja) |
AT (1) | ATE423007T1 (ja) |
DE (1) | DE60137717D1 (ja) |
SE (1) | SE0004594D0 (ja) |
WO (1) | WO2002047913A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012519857A (ja) * | 2009-03-06 | 2012-08-30 | ウオーターズ・テクノロジーズ・コーポレイシヨン | マイクロ流体基板へのエレクトロスプレイインターフェイス |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9808836D0 (en) * | 1998-04-27 | 1998-06-24 | Amersham Pharm Biotech Uk Ltd | Microfabricated apparatus for cell based assays |
GB9809943D0 (en) | 1998-05-08 | 1998-07-08 | Amersham Pharm Biotech Ab | Microfluidic device |
US7261859B2 (en) | 1998-12-30 | 2007-08-28 | Gyros Ab | Microanalysis device |
SE0001790D0 (sv) * | 2000-05-12 | 2000-05-12 | Aamic Ab | Hydrophobic barrier |
SE0004296D0 (sv) * | 2000-11-23 | 2000-11-23 | Gyros Ab | Device and method for the controlled heating in micro channel systems |
CA2441206A1 (en) | 2001-03-19 | 2002-09-26 | Gyros Ab | Characterization of reaction variables |
US6919058B2 (en) * | 2001-08-28 | 2005-07-19 | Gyros Ab | Retaining microfluidic microcavity and other microfluidic structures |
US7105810B2 (en) | 2001-12-21 | 2006-09-12 | Cornell Research Foundation, Inc. | Electrospray emitter for microfluidic channel |
EP1490292A1 (en) * | 2002-03-31 | 2004-12-29 | Gyros AB | Efficient mmicrofluidic devices |
SE0300454D0 (sv) * | 2003-02-19 | 2003-02-19 | Aamic Ab | Nozzles for electrospray ionization and methods of fabricating them |
US7007710B2 (en) * | 2003-04-21 | 2006-03-07 | Predicant Biosciences, Inc. | Microfluidic devices and methods |
US7537807B2 (en) | 2003-09-26 | 2009-05-26 | Cornell University | Scanned source oriented nanofiber formation |
US7282705B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-10-16 | Agilent Technologies, Inc. | Microdevice having an annular lining for producing an electrospray emitter |
US20090010819A1 (en) * | 2004-01-17 | 2009-01-08 | Gyros Patent Ab | Versatile flow path |
EP1849004A1 (en) * | 2005-01-17 | 2007-10-31 | Gyros Patent Ab | A versatile flow path |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4935624A (en) | 1987-09-30 | 1990-06-19 | Cornell Research Foundation, Inc. | Thermal-assisted electrospray interface (TAESI) for LC/MS |
GB2219129B (en) * | 1988-05-26 | 1992-06-03 | Plessey Co Plc | Improvements in and relating to piezoelectric composites |
JP3200881B2 (ja) * | 1991-09-20 | 2001-08-20 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法 |
JP2803697B2 (ja) * | 1991-12-26 | 1998-09-24 | 富士電機株式会社 | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
JP3097298B2 (ja) * | 1992-04-17 | 2000-10-10 | ブラザー工業株式会社 | 液滴噴射装置およびその製造方法 |
FR2727648B1 (fr) * | 1994-12-01 | 1997-01-03 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication micromecanique de buses pour jets de liquide |
US5575929A (en) * | 1995-06-05 | 1996-11-19 | The Regents Of The University Of California | Method for making circular tubular channels with two silicon wafers |
US5872010A (en) | 1995-07-21 | 1999-02-16 | Northeastern University | Microscale fluid handling system |
DE19638501A1 (de) * | 1996-09-19 | 1998-04-02 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Kapillare |
WO2000030167A1 (en) | 1998-11-19 | 2000-05-25 | California Institute Of Technology | Polymer-based electrospray nozzle for mass spectrometry |
-
2000
- 2000-12-12 SE SE0004594A patent/SE0004594D0/xx unknown
-
2001
- 2001-12-12 US US10/450,177 patent/US7213339B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-12 EP EP01270426A patent/EP1349731B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-12 AT AT01270426T patent/ATE423007T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-12-12 WO PCT/SE2001/002753 patent/WO2002047913A1/en active Application Filing
- 2001-12-12 JP JP2002549470A patent/JP2004522596A/ja active Pending
- 2001-12-12 DE DE60137717T patent/DE60137717D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012519857A (ja) * | 2009-03-06 | 2012-08-30 | ウオーターズ・テクノロジーズ・コーポレイシヨン | マイクロ流体基板へのエレクトロスプレイインターフェイス |
US8753586B2 (en) | 2009-03-06 | 2014-06-17 | Waters Technologies Corporation | Electrospray interface to a microfluidic substrate |
US9095791B2 (en) | 2009-03-06 | 2015-08-04 | Waters Technologies Corporation | Electrospray interface to a microfluidic substrate |
US9242192B2 (en) | 2009-03-06 | 2016-01-26 | Waters Technologies Corporation | Electrospray interface to a microfluidic substrate |
US10155177B2 (en) | 2009-03-06 | 2018-12-18 | Waters Technologies Corporation | Electromechanical and fluidic interface to a microfluidic substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1349731A1 (en) | 2003-10-08 |
SE0004594D0 (sv) | 2000-12-12 |
WO2002047913A1 (en) | 2002-06-20 |
US7213339B2 (en) | 2007-05-08 |
EP1349731B1 (en) | 2009-02-18 |
US20040055136A1 (en) | 2004-03-25 |
ATE423007T1 (de) | 2009-03-15 |
DE60137717D1 (de) | 2009-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6803568B2 (en) | Multi-channel microfluidic chip for electrospray ionization | |
JP2004522596A (ja) | マイクロスケールノズル及びその製造方法 | |
US7391020B2 (en) | Electrospray apparatus with an integrated electrode | |
US6702950B2 (en) | Method for fabricating LC device using latent masking and delayed LOCOS techniques | |
US7007710B2 (en) | Microfluidic devices and methods | |
US6750076B2 (en) | Fabrication of a microchip-based electrospray device | |
US8227765B2 (en) | Electrospray pneumatic nebuliser ionisation source | |
WO2000036387A1 (de) | Verfahren zum erzeugen eines mikro-elektromechanischen elements | |
EP1746631B1 (en) | Microengineered nanospray electrode system | |
US20030054645A1 (en) | Method for fabricating a nozzle in silicon | |
EP3437727B1 (en) | Microfluidic device |