JP2004519847A - 半導体デバイスを導電プレートにボンディングする方法 - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電プレート上に半導体素子を有する半導体デバイスを製造する方法であって、導電プレートに近い半導体素子の面が、Au(金)を含有する導電層と接し、熱処理によって硬化する、Ag(銀)を含有する有機マトリックスによって半導体素子が導電プレートに取り付けられる方法に関する。このような方法は、半導体産業、特にディスクリート半導体部品の製造に有利に応用されている。こうした用途において、導電プレートは、例えば、いわゆるリードフレームと称される導体のアセンブリの形態になっている。上記素子が上記プレートに取り付けられた後、1つ又は複数の導電接続部がワイヤボンディングによって、半導体素子(の上方側の面)と導電プレートとの間に作られる。
【0002】
【従来の技術】
上記方法は、1991年2月22日に特開平3−41742として公開された日本国特許明細書の英語の要約から既知である。前記公開特許公報では、半導体素子が(下方)面に金(Au)及びアンチモン(Sb)を含有する合金層を備え、その後この面において、銀(Ag)有機マトリックスによって導電プレートに対して接着される態様の説明が与えられている。銀を含有する有機マトリックスを硬化させた後、素子と導電プレートとの間にワイヤ接続部が作られる。銀を含有する有機マトリックスを硬化させるために一般的に実行される熱処理は、通常150℃〜250℃の範囲の温度で行われる。最終的に、このデバイスは合成樹脂エンベロープ(封入物)を備える。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
既知の方法の欠点は、導電プレートに対する半導体素子の付着性が、ワイヤボンディング中に接続部にかけられる力に耐えるためには不十分であることが時折見出され、その結果として半導体素子が外れてしまうことにある。このことは、特に半導体素子が比較的小さい場合、例えば該素子の寸法が約400μmを下回る場合に当てはまる。こうしたこと全てが検査不合格の原因となり、原価の上昇につながる。導電接着された接合部の代わりに、ハンダ付けされた接合部が使用されることが可能である。ハンダ付けされた接合部は上述された欠点を有していないけれども、実は別の欠点を有しており、すなわち、特に安価でありそれゆえに魅力的な銅の導電プレートが、銅の膨張係数と半導体素子の膨張係数との間にあるかなりの差によって生じる応力に対処するために、銀層を最初に備えなければならないという欠点を有している。
【0004】
したがって、本発明の目的は、上述された欠点を有しておらず、安価かつ簡単明瞭であるとともに、上記プレートが銅でできている場合にも、上記導電プレートに銀層を加えることを必要とせずに、導電プレートに対する半導体素子の優れた付着性をもたらす方法であって、さらに導電プレートに取り付けられた後に半導体素子の超良好なワイヤボンディング性能(bondability)をもたらす方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この目的を実現するために、本発明によって、冒頭段落に記載されたタイプの方法は、上記熱処理が少なくとも350℃の温度で行われることを特徴とする。驚くべきことに、半導体素子における共晶組成の金(及びゲルマニウム又はアンチモン)を含有する層は、銀を含有する有機マトリックスを少なくとも約350℃の驚くほど高温で硬化するという条件で、半導体素子と導電プレートとの間において、特に強固であるとともに適切に導電する接続部をもたらすことが分かっている。その後、半導体素子に導電プレートに対するワイヤ接続部を供給することによって優れた結果が実現され、すなわち、半導体素子が導電プレートから外れてしまうためにこの工程において生じる検査不合格品のパーセンテージは非常に低く、既知の方法において生じる検査不合格品のパーセンテージよりも一層良好である結果が実現される。このことは特にディスクリートダイオード又はトランジスタのような比較的小さな半導体素子に当てはまるが、小さなICにも当てはまる。更なる研究によると、この方法では、金、及び例えば溶融共晶層を形成するゲルマニウムが、とりわけ比較的高温処理によって銀を含有する有機マトリックスに浸透することが明らかになった。明らかに、このことにより(硬化後の)銀を含有する有機マトリックスのボンディング効果が改善される一方で、有機マトリックスの導電率は相変わらす満足の行く結果がもたらされる。非常に驚くべきことに、この改善された付着性及び高温硬化にもかかわらず、有機マトリックスは、必要に応じて、半導体素子と導電プレートとの間の熱膨張の差に対処するために十分に柔軟であり続けることが分かっている。共晶Au−Sb又はAu−Geの使用は、金及びアンチモン又は金及びゲルマニウムが、例えば350℃〜400℃の範囲にわたって使用された温度で銀を含有する有機マトリックスにかなりの程度まで浸透することを可能にする。
【0006】
熱処理が約400℃の温度で行われる場合に最高の結果が得られる。この温度は、例えば、約365℃の温度で溶融する金及びゲルマニウム又は金及びアンチモンの共晶の融点を明らかに上回る。この温度で形成される接続部は、その後のワイヤボンディング工程のステップ中に非常に強固であることが分かっている。半導体素子と導電プレートとの間の接続部が妨げられる引張強さは、約350℃で形成される接続部の引張強さよりも約2のファクタ分さらに強い。さらにかなり高い温度、例えば450℃においては、接続部の特性は悪化し、使用される銀を含有する有機マトリックスの有機成分が部分的に分解する。
【0007】
銀(Ag)を含有する有機マトリックスが共晶の金−ゲルマニウム(Au−Ge)を含有する導電層を介して半導体素子に供給され、その後に半導体素子が熱処理のために必要とされる温度まで加熱された導電プレートに向かって押し下げられる場合に最適な結果が実現される。この理由に基づき、上述された好ましい結果が可能になるだけではなく、接続部を形成するために必要な期間もまた最低限に減らされ、このことは工業規模の用途にとって非常に望ましい。同じことが、導電プレート用の材料として銅を使用する場合についても当てはまる。その膨張係数が半導体素子の膨張係数とは比較的にかなり異なるこの材料は、例えば、低い熱膨張係数を有するニッケル−鉄(Ni−Fe)合金よりもさらに魅力的であり、その理由は、上記合金が銅よりもさらに高価であるとともに、上記合金の熱及び電気の伝導率は、銅の熱及び電気の伝導率より劣るからである。用いられている銀を含有する有機マトリックスについては、好ましくはエポキシ化合物を基礎にした多成分混合物が使用される。この混合物は1つ又は複数のステップで硬化し得る。ゲルマニウムの使用には、この素子が例えばアンチモンより環境的に有害でないという追加の利点がある。
【0008】
硬化期間が5〜50ミリ秒の範囲にわたって選択されるとき、好ましくは硬化期間が約20ミリ秒であるように選択されるときに良好な結果が実現される。このような非常に短い硬化期間は、本発明による方法の大規模かつ安価な応用を可能にする。導電プレート用に、好ましくは、いわゆる「リードフレーム」と称されるもの、すなわち、導電体のアセンブリが使用され、半導体素子は、導電プレートに取り付けられた後に、このプレートの一部分を形成する1つ又は複数の導体を伴う1つ又は複数のワイヤ接続部を備える。その後、半導体素子、ワイヤ接続部及びリードフレームの一部分は、例えばエポキシ材料の保護合成樹脂エンベロープを備える。
【0009】
本発明は、本発明に従う方法によって得られる半導体デバイスであって、好ましい特性を示すとともに、大量に経済的に得られる半導体デバイスも含んでいる。
【0010】
本発明のこれら及び他の態様は、本明細書の以下に説明される実施例から明らかになるであろうし、これらの実施例を参照して明瞭に説明されるであろう。
【0011】
各図面は寸法が同じに記載されておらず、明確にするため、特に厚さ方向の寸法が強く誇張されている。可能な限り、対応する領域又は部分が同じ参照符号によって示されている。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明に従う方法によって製造されるトランジスタをもつ半導体デバイスの厚さ方向に直角である概略断面図である。このデバイス10は、自身の下方側の面に金(Au)及びゲルマニウム(Ge)を含有する層3を備える半導体素子1、この場合トランジスタ1を有している。この実施例において、導電層3は、厚さ100nmのチタン(Ti)層と、厚さ300nmのニッケル(Ni)層と、重量比で12%のGe含有量を有する厚さ1200nmの金−ゲルマニウム(Au−Ge)層とを含んでいる。導電層3の面には、銀を含有する有機マトリックス4によって素子1が、導電プレート2、この場合は銅製リードフレーム2に取り付けられている。素子1の上方側の面と、リードフレーム2の部分を形成する導体2Aの上方側の面との間に、1つ又は複数のワイヤ接続部5が作られ、それにより、素子1の本図には示されていない接続領域に電気的接続部2Aを供給する。素子1、ワイヤ接続部5及びリードフレーム2の一部分は、エポキシ材料の保護合成樹脂エンベロープ6によって囲まれている。以下により詳細に説明されるであろう本発明に従う製造方法によって、デバイス10は非常に安価になり、このことは、特にワイヤ接続部5の供給を介して検査不合格のパーセンテージが非常に低くなるという事実に起因し得る。
図2A及び図2Bは、本発明に従う方法によって実行される製造工程の連続的な段階において、図1のデバイスの厚さ方向に直角な概略断面図である。半導体素子1は、半導体素子が最終的なアセンブリにとって好適に作られた後、例えばのこ引き(sawing)によって、個別の素子1に分割される例えばシリコン基板に応用される通常の半導体技術を用いる一般的な態様で得られる。このような素子1は、下方側の面において上述された導電層3を備え、この導電層に対して導電性の銀を含有する有機マトリックス4の層4、この場合エポキシマトリックスにおける銀フレークを含んでいる粘着層4が加えられ、この粘着層は室温で固体のフォイル4を形成する。
【0013】
素子1は上方側の面において真空ピペット21によって保持されている。この素子1は、導電プレート2、この場合は銅製リードフレーム2より上に位置付けられている。このプレート2は、加熱装置20によって少なくとも350℃、好ましくは約400℃の温度まで加熱される。その後、素子1を参照符号30によって示される方向においてプレート2に向かって押し下げるためにピペット21が用いられる。この場合、かけられる圧力の合計は比較的大きく、すなわち、例えば350×350μm2の寸法を有する半導体素子1の場合、50〜70グラム重量(gramf)の範囲に及ぶ。次に、銀を含有する有機マトリックス4が圧縮及び硬化され、一方では素子1に、他方ではプレート2の銅板に導電接続されている。上記のこと全てが、5〜50ミリ秒(msec)の範囲に及ぶように選択される期間において、好ましくは約20ミリ秒で行われる。その後、(図2B参照)1つ又は複数のワイヤ接続部5が、例えば素子1の上方側の面とプレート2の一部分を形成する導体2Aの上方側の面との間において熱圧縮又は超音波によって作られる。ワイヤ5は、アルミニウム若しくは銅、又は金若しくはパラジウムから構成されてもよい。素子1、ワイヤ接続部5及びリードフレーム2の一部分は、続いて保護合成樹脂エンベロープ6を備え、その後に図1に示されるデバイス10が得られる。
【0014】
驚くべきことに、本発明に従う方法によって、素子1が最大約400μmの比較的小さな寸法を有する場合でさえ、素子1とプレート2との間の化合物4の付着性が非常に強いので、素子1はワイヤ接続部5の形成中にもはやプレート2から外れないことが分かっている。他方では、このように形成される化合物4が、 素子1とプレート2との間、特に後者のプレートが銅でできている場合に両者間の熱膨張の差に対処するために依然として十分に柔軟であることが分かっている。このようにして、高い信頼性及び高い歩留り等の好ましい特性を有するデバイス10が得られる。素子1をプレート2に取り付ける間、熱処理が約400℃で実行される場合に最高の結果が得られる。上記温度で形成される接続部は、350℃で形成される接続部よりさらに約2倍も強固でありながら、導電率及び柔軟性のような特性が依然として優れていることが立証されている。
【0015】
本発明は上記に説明された実施例に限定されるものではなく、当業者であれば本発明の範囲に包含される多くの変形例及び変更態様が可能である。例えば、実施例において使用されるもの以外の厚み及び材料が使われてもよい。本発明は特に、ダイオード及びトランジスタのような(半)ディスクリート半導体デバイスに適しているけれども、さらに、とりわけ比較的小さなICの製造において有利に使用されてもよい。
【0016】
さらに、半導体素子に応用される金−ゲルマニウム(Au−Ge)(又は金−アンチモン(Au−Sb))層の他に、銀を含有する有機マトリックスに加えられる金−ゲルマニウム(Au−Ge)(金−アンチモン(Au−Sb))に用いられることも可能であることに留意されたい。さらに、半導体素子を(プレートに)置き、該素子を(プレートに向かって)押し下げ、及び銀を含有する有機マトリックスを硬化させることは、一回の組み合わされた工程で実行され得るだけではなく、複数の個別の工程においても実行され得ることに留意されたい。最後に、銀を含有する有機マトリックスが、固体のフォイルの形態で使用され得るだけでなく、ペーストとしても使用され得ることに留意されたい。このペーストは、分散技法によって半導体素子にもたらされることができる。有機マトリックスは、他の選択肢としてエポキシ材料以外の有機材料を用いて形成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従う方法によって製造されるトランジスタをもつ半導体デバイスの厚さ方向に直角である概略断面図である。
【図2A】本発明に従う方法によって実行される製造工程の連続的な段階において図1に示されるデバイスの厚さ方向に直角である概略断面図である。
【図2B】本発明に従う方法によって実行される製造工程の連続的な段階において図1に示されるデバイスの厚さ方向に直角である概略断面図である。
Claims (10)
- 導電プレート上に半導体素子を有する半導体デバイスを製造する方法であって、前記導電プレートに近い前記半導体素子の面がAu(金)を含有する導電層と接し、その後、熱処理によって硬化する、Ag(銀)を含有する有機マトリックスによって前記半導体素子が前記導電プレートに取り付けられる方法において、前記熱処理が少なくとも350℃の温度で行われることを特徴とする方法。
- 前記熱処理が約400℃の温度で行われることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記Ag(銀)を含有する有機マトリックスが、共晶組成のAu−Ge(金−ゲルマニウム)を含有する導電層の面において前記半導体素子に供給され、その後に前記半導体素子が、前記熱処理のために必要とされる前記温度まで加熱された前記導電プレートに向かって押し下げられることを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 銅が前記導電プレート用の材料として使われることを特徴とする、請求項1、2又は3に記載の方法。
- 前記半導体素子が、前記銀を含有する有機マトリックスによって前記導電プレートに直接取り付けられることを特徴とする、請求項1乃至4の何れか1項に記載の方法。
- 前記銀を含有する有機マトリックスについて、エポキシ基の多成分混合物が使用されることを特徴とする、請求項1乃至5の何れか1項に記載の方法。
- 前記熱処理の持続期間は5ミリ秒から50ミリ秒までの範囲であり、好ましくは前記持続期間が約20ミリ秒であることを特徴とする、請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法。
- 前記導電プレートが導電体のアセンブリとして形成され、前記半導体素子は、前記導電プレートに取り付けられた後、前記プレートの一部分を形成する1つ又は複数の導体に前記半導体素子を接続する1つ又は複数のワイヤ接続部を備えることを特徴とする、請求項1乃至7の何れか1項に記載の方法。
- 前記半導体素子の寸法は、約500μmより小さいか又は同等であるように選択されることを特徴とする、請求項1乃至8の何れか1項に記載の方法。
- 請求項1乃至9の何れか1項に記載の方法によって得られる半導体デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP01200665 | 2001-02-23 | ||
PCT/IB2002/000373 WO2002067316A1 (en) | 2001-02-23 | 2002-02-06 | Method of bonding a semiconductor device to an electrically conductive plate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004519847A true JP2004519847A (ja) | 2004-07-02 |
JP4247323B2 JP4247323B2 (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=8179926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002566543A Expired - Fee Related JP4247323B2 (ja) | 2001-02-23 | 2002-02-06 | 半導体デバイスを導電プレートにボンディングする方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6664134B2 (ja) |
EP (1) | EP1366514B1 (ja) |
JP (1) | JP4247323B2 (ja) |
AT (1) | ATE442664T1 (ja) |
DE (1) | DE60233642D1 (ja) |
WO (1) | WO2002067316A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4053962B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2006254185A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Orion Denki Kk | 節電機能を有する電子機器 |
US20090020876A1 (en) * | 2007-07-20 | 2009-01-22 | Hertel Thomas A | High temperature packaging for semiconductor devices |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4487638A (en) * | 1982-11-24 | 1984-12-11 | Burroughs Corporation | Semiconductor die-attach technique and composition therefor |
JPS59149956A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 速硬化導電性接着剤の製造方法 |
JPS63278236A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5296074A (en) * | 1987-03-30 | 1994-03-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for bonding small electronic components |
JPH0341742A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2555897B2 (ja) * | 1990-01-08 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | ダイボンディング用樹脂接着剤キュア装置 |
JPH11150213A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-02 | Sony Corp | 半導体装置 |
US6110805A (en) * | 1997-12-19 | 2000-08-29 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for attaching a workpiece to a workpiece support |
US6462413B1 (en) * | 1999-07-22 | 2002-10-08 | Polese Company, Inc. | LDMOS transistor heatsink package assembly and manufacturing method |
-
2002
- 2002-02-06 JP JP2002566543A patent/JP4247323B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-06 DE DE60233642T patent/DE60233642D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-06 EP EP02710237A patent/EP1366514B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-06 WO PCT/IB2002/000373 patent/WO2002067316A1/en active Application Filing
- 2002-02-06 AT AT02710237T patent/ATE442664T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-02-21 US US10/082,028 patent/US6664134B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6664134B2 (en) | 2003-12-16 |
WO2002067316A1 (en) | 2002-08-29 |
US20020123223A1 (en) | 2002-09-05 |
EP1366514A1 (en) | 2003-12-03 |
JP4247323B2 (ja) | 2009-04-02 |
ATE442664T1 (de) | 2009-09-15 |
DE60233642D1 (de) | 2009-10-22 |
EP1366514B1 (en) | 2009-09-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041221 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070816 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20071029 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080314 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080616 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080623 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4247323 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |