JP2004510337A - 光学センサ内蔵の研磨パッド - Google Patents
光学センサ内蔵の研磨パッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004510337A JP2004510337A JP2002530263A JP2002530263A JP2004510337A JP 2004510337 A JP2004510337 A JP 2004510337A JP 2002530263 A JP2002530263 A JP 2002530263A JP 2002530263 A JP2002530263 A JP 2002530263A JP 2004510337 A JP2004510337 A JP 2004510337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing pad
- pad
- hub
- polishing
- contacts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2000年9月29日に出願された米国仮出願60/236,575に基づく優先権主張を伴う。
【0002】
(技術分野)
本発明は、半導体ウェーハ処理の分野に関し、より詳しくは、化学機械研磨に使用する使い捨て可能な研磨パッドに関する。研磨パッドは、研磨作業が行なわれている間に研磨される表面の状態を監視する光学センサを含んでおり、これにより作業の終了時点を決定することができる。
【0003】
(背景技術)
1999年4月13日に発行された米国特許No.5,893,796および2000年4月4日に発行された継続特許No.6,045,439において、Birang等は研磨パッドに組み込まれた窓の幾つかの設計を開示する。研磨されるウェーハは研磨パッド上にあり、研磨パッドは硬いプラテン上に載っている。これにより、研磨はウェーハの下面で起こる。その表面は、研磨プロセスの際に、硬いプラテンの下に配置された干渉計によって監視される。干渉計はレーザビームを上方に向けており、それをウェーハの表面に到達させるためには、レーザビームがプラテンの穴を通過して、さらに研磨パッドを通過して上方に進まなければならない。プラテンの穴の上にスラリが蓄積するのを防止するため、研磨パッドには窓が設けられている。窓がどのように形成されるかにかかわらず、干渉計センサがプラテンの下に常に配置されていて、研磨パッド内には配置されていないことは明らかである。
【0004】
1999年9月7日に発行されたTangの米国特許No.5,949,927では、研磨プロセス中に研磨面を監視する幾つかの技術が開示されている。1つの実施形態において、Tangは、研磨パッド内に埋設されたファイバーオプティックリボンについて言及する。このリボンは、単に、光の導線に過ぎない。光源およびセンシングを行なう検出器は、パッドの外部に配置されている。Tangは、研磨パッドの内部に光源および検出器が含まれることをどこにも提案していない。Tangの実施形態の幾つかでは、回転構成要素から静止構成要素に光ファイバ内の光を伝導するために、ファイバーオプティック分断器(decouplers)が用いられている。他の実施形態では、光信号が回転構成要素上で検出され、その結果としての電気信号が電気スリップリング(electrical slip rings)を介して静止構成要素に伝達される。Tangの特許には、無線、音波、変調光ビーム、または、電磁誘導によって電気信号を静止構成要素に伝達することの提案は全くない。
【0005】
他の光学的終了時点検知装置において、1992年1月21日に発行されたSchultzの米国特許No.5,081,796では、部分的研磨の後に、ウェーハの一部がプラテンの縁部からはみ出る位置にウェーハを移動させる方法が開示されている。ウェーハはこのはみ出た部分について干渉計によって測定され、研磨プロセスを継続すべきかどうかが決定される。
【0006】
研磨パッド内にセンサを搭載した先行する試行では、研磨パッドに穴が形成されており、光学センサがその穴内の所定位置に接着剤によって接着されていた。しかしながら、その後のテストでは、接着剤の使用は、反応性の化学薬品を含む研磨スラリが光学センサに入り込んだり研磨パッドを通って支持テーブルまで浸透するのを防止するうえで、信頼できるものではないことが明らかになった。
【0007】
(発明の開示)
(発明が解決しようとする技術的課題)
結果として、研磨プロセスの際に研磨面を監視するための幾つかの技術がその分野において公知になっているが、完全に満足のいく技術はない。Tangによって開示される光ファイバの束は高価でかつ壊れ易く、Birang等によって用いられるようなプラテンの下に配置された干渉計の使用は、研磨パッドを支持するプラテンを貫通する穴を形成する必要がある。したがって、本発明は、特定の構成要素の小型化における最近の進歩を利用して、経済的で丈夫な監視装置を案出することを企図するものである。
【0008】
(その解決方法)
以下に説明する使い捨て可能な研磨パッドは、発泡ウレタンで構成される。研磨パッドは、研磨されるウェーハ表面の光学特性を監視するための光学センサを含んでいる。光学センサから得られる即時のデータは、オフラインテストのためにウェーハを解放することなく、作業の終了時点を決定することを可能にする。このことは、研磨プロセスの効率を大きく向上させる。
【0009】
研磨されるウェーハは、異なる材料の複数層を含む複合構造物である。一般に、下にある層との界面に到達するまで最外層が研磨される。その時点で、研磨作業の終了時点に到達したと言われる。研磨パッドとそれに付加された光学系および電子回路(electronics)は、金属から酸化物または他の材料への変化と同様に酸化物層からシリコン層への変化を検出することができる。
【0010】
説明される研磨パッドは、パッド内に光学センサおよび他の構成要素を埋設することによって従来の研磨パッドを改良することを含む。改良されていない研磨パッドは、商業的に広く利用可能であり、ニュージャージ州のニューアークにあるRodel社製のモデルIC1000が典型的な改良されていないパッドである。Thomas West社製のパッドもまた使用されている。
【0011】
光学センサは、研磨される表面の光学特性を検知する。一般に、その表面の光学特性は反射率である。しかし、偏光、吸収率、フォトルミネセンスなどのその表面の他の光学特性もまた検知可能である。これらの種々の特性を検知する技術は、光学分野において良く知られており、一般に、それらのほとんどが光学装置に偏光プリズムまたは分光フィルタを付加するものである。この理由から、以下の説明においては、一般的な用語である「光学特性」を使用する。
【0012】
光学系のほかに、使い捨て可能な研磨パッドは、研磨パッド内の光学センサに給電する装置を提供する。
【0013】
また、使い捨て可能な研磨パッドは、回転する研磨パッドから隣接する非回転の受信器に光学特性を表す電気信号を伝送するために使用される電力を供給する装置も提供する。パッドは、電力および信号処理回路を含む使い捨てではないハブに取り外し可能に接続できる。
【0014】
光源および検出器を含む光学センサは、研磨される表面に対向するようにパッドの盲穴(blind hole)内に配置されている。光源からの光は研磨される表面で反射され、検出器は反射光を検出する。検出器は、反射されてきた光の強度に関する電子信号を生成する。
【0015】
検出器によって生成された電子信号は、研磨パッドの層間に隠された薄い導線によって検出器の位置から研磨パッドの中心穴に径方向内側へ伝送される。
【0016】
使い捨て可能な研磨パッドは、研磨パッドと共に回転するハブに対して、機械的および電気的の両方で、取り外し可能に接続される。ハブは、光学センサに給電すること、および、検出器により生成された電気信号を装置の非回転部に伝送することに関わる電子回路を含む。これらの電子回路の費用のために、ハブは使い捨てにすることは考えられない。使用によって研磨パッドが磨耗しきった後、研磨パッドは光学センサおよび薄い導線と共に廃棄される。
【0017】
ハブ内の電子回路および光学センサの光源を作動させる電力は、幾つかの技術によって提供されてもよい。1つの実施形態では、トランスの二次コイルが回転ハブ内で誘導し、一次コイルは研磨機の隣接する非回転部に配置されている。他の実施形態では、ソーラセルまたは光起電性アレイが回転ハブ上に搭載されて、機械の非回転部に搭載された光源によって照明される。別の実施形態では、電力はハブ内に配置されたバッテリから供給される。さらに別の実施形態では、回転研磨パッド内または回転ハブ内の電気導線は、研磨機の隣接する非回転部に搭載された永久磁石の磁界を通過し、発電機を構成する。
【0018】
研磨される表面の光学特性を表す電気信号は、幾つかの技術のいずれかによって回転ハブから研磨機の隣接する静止部に伝送される。1つの実施形態では、伝送される電気信号は、隣接する非回転構造物上に配置された検出器によって受け取られる光ビームを周波数変調するために使用される。他の実施形態では、信号は無線リンクまたは音波リンクによって伝送される。さらに別の実施形態では、信号は、回転ハブのトランスの一次コイルに適用され、研磨機の隣接する非回転部に配置されたトランスの二次コイルによって受信される。このトランスは、ハブに電力を供給するのに使用されるのと同じトランスであってもよいし、別のトランスであってもよい。
【0019】
センサの上部とウェーハの下面との間には存立できる光学パスがなければならない。しかし、空隙は、研磨スラリによってすぐに満たされてしまって光学媒体として機能することができなくなるので、容認できない。また、空隙は、同質で均一な弾性のある研磨パッドに大きな機械的な切れ目を与えることになる。さらに、光学センサの構成要素は、ウェーハ表面の傷つきを避けるために、研磨されることになるウェーハと機械的に直接接触してはいけない。
【0020】
この問題を解決するため、光学センサは、以下に詳細に説明される技術を用いた研磨パッド内に埋設されている。これらの技術は、上述したような不都合を解消するのに成功している。
【0021】
(発明を実施するための最良の形態)
図1は、研磨パッド3に切り込まれた光学穴2を有する化学機械装置1の上面図である。ウェーハ4(あるいは、平面化(planarization)または研磨を必要とする他の加工物)は、研磨ヘッド5によって保持され、並進アーム6から研磨パッド3の上に吊り下げられている。他の装置では、幾つかのウェーハを保持した幾つかの研磨ヘッドを用いてもよいし、研磨パッドの両側(すなわち左右)に並進アームを分けてもよい。
【0022】
研磨プロセスに使用されるスラリは、スラリ注入管7を介して研磨パッドの表面上に注入される。吊り下げアーム8は、エレクトロニクスアセンブリハブ(electronics assembly hub)10の上に吊り下がった非回転ハブ9に接続している。エレクトロニクスアセンブリハブ10は、ツイストロック(twist lock)、回り止め、スナップリング、ネジ、ネジ切り部材または他の着脱可能な連結機構によって、研磨パッド3に着脱可能に取り付けられている。ハブ10は、ハブが付随するパッド内に配置される導電アセンブリ(electrical conducting assembly)に取り付けられている。導電アセンブリは、可撓性回路またはリボンケーブルとして知られるように、薄い導電性のリボン11に取り付けられた1つまたは複数の接点であってもよい。リボン11は、光学穴2内に配置され、かつ、パッド3内に埋設された光学感知機構をエレクトロニクスハブ10内の電子回路に電気的に接続する。リボン11は、個々の配線または薄いケーブルを備えてもよい。
【0023】
窓(window)は、矢印12方向にプロセス駆動テーブルすなわちプラテン18上でそれ自体が回転する研磨パッドと共に回転する。研磨ヘッドは、矢印14方向にそれぞれのスピンドル13を中心に回転する。研磨ヘッド自体は、矢印16で示すように、移動スピンドル15によって研磨パッドの表面上で前後に移動する。これにより、光学窓2は研磨ヘッドの下を通過する一方、研磨ヘッドは回転するとともに移動して、研磨ヘッド/プラテンアセンブリの各回転によって複合的なパスを描く(swiping)。
【0024】
光学穴2および導電アセンブリ(図10参照)は、パッドが回転するとき、同じ半径線17上に常にとどまる。しかし、半径線は、パッド3がハブ9を中心に回転するとき、円形パス上で移動する。なお、導電リボン11は、半径線17に沿って存在し、かつ、それと共に移動する。
【0025】
図2に示すように、研磨パッド3は、円形状を有するとともに、中心円形穴23を有する。研磨パッドにはブライド穴24が形成され、その穴は研磨されることになる表面に対向するように上方に開放される。盲穴24内には光学センサ25が配置され、光学センサ25から中心穴23に延びる導電リボン11が研磨パッド3内部に埋設されている。
【0026】
研磨パッド3が使用されようとするとき、エレクトロニクスハブは、中心穴23内に上から挿入され、研磨パッド3の下にあるベース26をハブ10のネジ切り部分にねじ込むことによってそこに固定される。これにより、図5に示すように、研磨パッド3は、ハブの部分とベースの部分との間に挟まれる。研磨プロセスの際、研磨パッド3、ハブ10およびベース26は中心垂直軸28を中心に一緒に回転する。
【0027】
研磨機の非回転ハブ9は、ハブ10の上方近傍に位置する。非回転ハブ9は、作業の際には吊り下げアーム8に固定されている。
【0028】
図3は、光学センサ25を詳細に示す。光学センサ25は、光源35、検出器36、(プリズム、鏡、または、他の反射光学要素であってもよい)反射面37、および、導電リボン11を含む。導電リボン11は、光源35に給電するとともに検出器36の電気出力信号を中心穴23に伝えるための、ほぼ平行に重ね合わされた幾つかの導線を含む。好ましくは、光源35および検出器36は調和した(matched)対をなしている。一般に、光源35は発光ダイオードであり、検出器36はフォトダイオードである。光源35から発せられる光ビームの中心軸は、最初は水平に向いているが、反射面37に達することによって光は、研磨される表面に当たって反射されるように上方へ向きを変えられる。反射光もまた反射面37によって向きを変えられて検出器36に至り、これにより検出器36は入射した光の強度に関する電気信号を生成する。図3に示される配置は、センサの高さを最小限にするために選択されたものである。反射面37は省略されてもよく、代わりに、図4の側面図に示す配置を採用してもよい。
【0029】
光学部品および導電リボン11の端部は、図2の盲穴24内にぴったりと納まる大きさの薄いディスク38の形態にカプセル化されている。なお、図3,4の構成において、検出器36に到達する非反射光の量を減少させるためにバッフル(baffles)が使用されてもよい。導電リボン11には、3つの導線、すなわち、電力導線39、信号導線40、1つ以上の帰路または接地導線41が含まれる。
【0030】
図5は、誘導カプラ(inductive coupler)を用いたエレクトロニクスハブを図示する。電力導線39は、研磨パッド3の中心穴23の近傍にある電力プラグ48で終わっており、信号導線40も同様に信号プラグ49で終わっている。ハブ10が中心穴23に挿入されるとき、電力プラグ48は電力ジャック50と電気接触し、信号プラグ49は信号ジャック51と電気接触する。O−リングシール52は、研磨プロセスで使用される液体がプラグおよびジャックに達するのを防止する。リングシール53は、ハブ内の電子回路が汚れない状態に維持されるようにベース26内に設けられている。
【0031】
検出器によって生成される光学特性(optical characteristic)に関する電気信号は、導線54を介して信号ジャック51から信号処理回路55に伝送される。信号処理回路55は、前記電気信号に応じて光学特性を表す処理信号を導線56上に生成する。そして、導線56上の処理信号は、トランスミッタ57に送られる。
【0032】
回転ハブ10から非回転ハブ9へ信号が通るプロセスは、誘電結合(inductive coupling)またはRF結合と呼ばれる。全体のアセンブリを誘電結合またはRF結合と呼ぶこともできる。
【0033】
トランスミッタ57は、前記処理信号に対応する変化磁界(varying magnetic field)59を生成するトランスの一次コイル58に時間変化電流(time−varying electrical current)を流す。磁界59は、ハブ10の上部を通って上方に延びるが、研磨機の隣接する非回転部分9または他の非回転物に配置されるトランスの二次コイル60によって遮断される。変化磁界59は、光学特性に対応する信号を端子62上に生成する受信器61に適用される電流を二次コイル60に誘導する。そして、この信号は、研磨作業の進捗状況を監視したり、あるいは、研磨工程が終了時点に達したかどうかを決定する目的で、外部回路で使用可能になる。
【0034】
研磨機の隣接する非回転部分9から回転ハブ10に電力を伝えるために同様の技術を用いることができる。非回転部分9にある主電源63は、トランスの一次コイル64に電流を流す。一次コイル64は磁界65を生成する。磁界65は、ハブ10の上部を通って下方に延びて、二次コイル66によって遮断される。二次コイル66においては、変化磁界が電力受信回路67に適用される電流を誘導する。電力受信回路67は、導線68を介して電力ジャック50に電力を供給する。そして、電力は電力ジャック50から電力プラグ48および電力導線39を介して光源に送られる。電力受信部67はまた、導線69を介して信号処理回路55に給電するとともに、導線70を介してトランスミッタ57に給電する。このようにして、LEDを作動させる電力を誘電結合によって供給することができる。
【0035】
コイル58はコイル66と同じものであり、コイル60はコイル64と同じものであるが、異なるコイルであってもよい。重ね合わされた電力および信号の成分は、異なる周波数帯であって、フィルタにかけること(filtering)によって分けられる。
【0036】
図6ないし8は、研磨機の回転ハブ10から非回転ハブ9に信号を伝えるために、および、非回転部分9から回転ハブ10に電力を伝えるために用いられる別の技術を示す。
【0037】
図6は、トランスミッタ57が、光学特性を表す処理信号に対応する周波数変調電流(frequency modulated current)を発光ダイオードまたはレーザダイオード76に流す変調器75を含むことを示す。発光ダイオード76が放射する光波77は、レンズ78によってフォトダイオード検出器79上で焦点を合わされる。検出器79は、光学特性に対応する電気信号を端子62上に生成するために受信器80において復調される電気信号に前記光波77を変換する。
【0038】
電力の主たる供給源はバッテリ81である。バッテリ81は電力分配回路82に電力を供給し、電力分配回路82は電力ジャック50、信号処理回路55およびトランスミッタ回路57に電力を分配する。図7において、トランスミッタ57は、ハブ9の上部を通って無線波88を伝送するアンテナ87を有する無線トランスミッタである。無線波88はアンテナ89によって傍受され、光学特性に対応する電気信号を端子62上に生成するために受信器90によって復調される。
【0039】
電力は非回転部分9内に配置された永久磁石91からなるマグネトと、インダクタ92とにより発生され、インダクタ92は永久磁石91の磁界中で回転するときに電流を誘導する。誘導された電流は、電力回路93によって整流されて濾過された後、電流分配回路94によって分配される。
【0040】
図8において、送信器57は、音波102を生成するスピーカを駆動する電力増幅器100をさらに含む。音波102は、研磨機の非回転部分9内に配置されたマイクロホン103によって拾われる。マイクロホン103は、受信器104に送られる電気信号を生成する。受信器104は、光学特性に対応する電気信号を端子62上に生成する。
【0041】
電力は、非回転部分9内に配置された光源107によってソーラパネル105に照射される光106に応じてソーラセルまたはソーラパネル105によって回転ハブ9内で発生する。ソーラパネル105の電気出力は、必要であれば、変換器108によって適当な電圧に変換されて、電力分配回路94に供給される。
【0042】
図9ないし16は、ハブ挿入アセンブリおよび光学電気(oprical−electrical)挿入アセンブリ25を示す。これらはまた、(エレクトロニクスハブを着脱可能に取る付けるための)スナップリングと光学電気アセンブリを研磨パッド内に密閉する方法を開示する。これらの図に示される研磨パッド3は、例えばロデル社(Rodel Co.)製のIC1000モデルのように、産業界において利用可能な一般的な研磨パッドである。そのモデルは、0.007インチ厚の接着剤層によって対向して接着された2つの0.045インチ厚の発泡ウレタン層からなる。しかし、各層は、導電リボン11、スナップリング114および光学アセンブリ25をパッド内に配置可能にするために改良されている。
【0043】
図9は、研磨パッド3の中心穴内にエレクトロニクスハブ10を固定するために使用されるスナップリング114を備えた成形挿入物の断面を示す。スナップリング114は、研磨パッド3の中心穴23の内部に配置される。内側に向いたフランジ115すなわちカラーがスナップリング114に形成されており、これによりエレクトロニクスハブ10が所定位置にしっかりと嵌り込むことになる。ガイドピンホール116は、エレクトロニクスハブ10の正確な位置合わせを補助するために、エレクトロニクスハブガイドピン117を受容する。スナップリングは、接着剤によって、または、後に乾燥して固形化する液体ウレタンによって、研磨パッド3の内部に密閉される。エレクトロニクスハブ10は、その下部周囲に配置されたフランジまたはリッジ(ridge)118を有する。このフランジ118は、成形挿入スナップリング114に対して着脱可能に嵌め込めるような大きさに形成されている。
【0044】
電気的に導電性のリボン11は、光学アセンブリ25とエレクトロニクスハブ10との間で電気信号および電力を伝送する。リボン11の末端は、ハブ受容穴120の底部にある接触パッド126上に配置される。接触パッドには、ハブ10上に配置された接合接点122との電気接触を確立するための接点が設けられる。接点122は、(例えばポーゴピン(pogo pins)のような)スプリングで押圧または付勢された接点であることが好ましい。接点は、複数のグループで設けられてもよい。図示されるように、この図に見られるグループには3つの接点が設けられている。
【0045】
スナップリングアセンブリ114は、研磨パッド3と同じ平面であることが好ましく、これにより多数のパッドが互いの上に容易に積み重ねられる。
【0046】
図10は、スナップリング114の上面図である。スナップリングの円形リップ115、ガイドピンホール116および電気的導電リボン11は図9に示すのと同じである。また、この図においては、接触パッド126上に配置された3つの電気接点が示されている。具体的には、3つの接点は、電力伝導(接点123)、信号伝導(接点124)および共通接地(接点125)として使用され、これらのすべては接触パッド126上にある。接触パッド127は、スナップリングの底部内側表面上に配置される。
【0047】
エレクトロニクスハブは、スナップリング114のリップ115内側の所定位置に嵌め込まれる。接触パッド127の接点に対するハブの接点の適当な整列は、ガイドピン116によって確実にされる。これにより、ハブがスナップリング内に固定されるとき、ハブの接点は接触パッド126の接点123,124,125との電気的接触を確立する。
【0048】
図11,12は、光学センサ25の断面を示すとともに、研磨パッド3の光学穴2内に光学センサ25を固定する方法を示す。穴143は研磨パッド3に形成される。穴143は、光学センサ25を収容するのに十分な大きさである必要がある。光学アセンブリ25は、光学アセンブリパック(optical assembly puck)内に配置され、これにより前記穴内に容易に配置されることができる。研磨パッド3の上面144および下面145に隣接する穴の部分は、穴から径方向外側に短い距離で広がっている。これは、パッドの境界と共にスプール状の空隙をつくる。
【0049】
上部層147の下面には、エレクトロニクスハブ10から光学センサ25に電力および信号を伝送するための導電リボン11を収容するための溝が形成されている。導電リボン11は、研磨パッドの下部層149に研磨パッドの上部層147を固定する接着剤層148によって占められる空間に押し入れられてもよい。あるいは、導電リボン11は接着剤層148の上または下に配置されてもよい。
【0050】
研磨パッド3に穴143が形成された後、光学センサ25およびその導電リボン11はそれぞれの場所に挿入され、そこでそれらはウレタンからなるスペーサ、または、上部層147および下部層149の各部分によって所定位置に支持されて保持される。
【0051】
その後、アセンブリは、平らで非粘着性の表面155,156を有する固定物内に配置される。非粘着性表面155,156は、上部パッド表面144と下部パッド表面145に接触して、それらを押し付ける。
【0052】
続いて、液体ウレタンが下部成形プレート159の通路158を介して注入器157によって光学センサ25の周囲の空隙に注入される。液体ウレタンの注入は、上部成形プレート161の出口通路160から出始めるまで行なわれる。この注入の際、液体が空隙の最下点で注入され、出口通路160が最上点になるように、アセンブリを時計回り方向に僅かに傾けるのが有効である。このようにアセンブリを傾けることで、空隙内の空気が残ってしまうのを防止できる。
【0053】
光学センサの上に直接注入されたウレタン162は、光学センサ25がウェーハの下面を見通すことができる窓として機能し、上部層147の上に配置される。液体ウレタンは、硬化したときに光学的に透明であるウレタンである。液体ウレタンは、研磨パッド3のウレタンと化学的に同種であるため、耐久性があって、研磨パッド3の材料との耐液性の結合を形成する。
【0054】
スナップリングアセンブリは、図9に示すように、パッドに挿入可能であるが、射出成形プロセスによってパッドと一体に形成することもできる。図13,14に示すように、上部パッド層147、下部パッド層149および接着剤層148を含む研磨パッド3は、光学センサ、リボンケーブルおよび電極パッドのための空隙を設けるために、穿孔および切り取りされている。リボンケーブル11、接触パッドおよび光学センサ25はパッドの対応する空隙内に配置され、スナップリングハブ型がハブ穴に挿入される。電極パッドは、スナップリング型169に弱感圧性接着剤で接着されてもよい。
【0055】
図13に示すように、上部成形ベース172および下部成形ベース173は、研磨パッドの上部層147および下部層149に対してそれぞれ押圧される。そして、ウレタンまたは他の注入可能な樹脂が、注入口174から注入されて、ウレタンが空隙に充填される。プレート間の空隙が満たされたとき、液体ウレタン162が出口穴175から出てくることになり、これにより注入プロセスの完了が示される。図14に示すように、注入されたウレタン176は、スナップリングアセンブリを形成するとともに、リボンケーブル溝および光学センサアセンブリ穴を満たす。注入されたウレタンは、スナップリング114と光学挿入物25との間の空隙の全長を密閉および接続し、リボンケーブルとセンサアセンブリをパッド内の所定位置に固定する。
【0056】
この工程は、パッドのハブ穴をスナップリング挿入物(snap ring insert)よりも僅かに大きく形成した図9,10に示すようなスナップリング挿入物を用いるとともに、スナップリング挿入物をパッドに固定するための注入ウレタンを用いることによって達成される。
【0057】
図15は、図13,14に示すパッドデザインを用いた研磨パッド3をCMP装置に装着した状態を示す。パッドは、先の各図において説明された上部パッド層147、下部パッド層149、接着剤層148、注入ウレタン176、電気的導電リボン11および光学センサ25を備えている。パッドはプラテン18上に配置される。エレクトロニクスハブ10はスナップリングに挿入され、これによりポーゴピン電気接点137が電極パッドの電極と接触する。非回転受容ハブ9は、回転エレクトロニクスハブ10の上に吊り下げアーム8から吊り下げられる。回転エレクトロニクスハブ内の電子回路は、図5ないし8の部材10として符号付けされたボックスの内部の電子回路であってもよく、非回転受容ハブ9は部材9として符号付けされたボックス内に対応する電子回路を収容することになる。長期使用の後、パッドは磨耗することになり、取り外されて廃棄されることができる。新しいパッドがプラテン上に配置され、新しいパッドのスナップリングに回転ハブが挿入されることができる。
【0058】
なお、種々の工夫が種々の組み合わせで用いられ得る。例えば、誘導カプラおよび他の非接触式カプラとの関連で説明された着脱可能なハブの形態は、スリップリング(slip rings)および他の接触式カプラと共に用いられてもよい。注入のために使用され、かつ、注入される密閉剤として使用する材料としてウレタンが説明されてきたが、幾つかの挿入物とパッドとの間のしっかりとした接着および密閉を提供するものであれば他の材料が用いられてもよい。また、パッド構成は光学センサとの関連で説明されてきたが、電気センサ、熱センサ、インピーダンスセンサおよび他のセンサが代わりに用いられてもよく、その場合にも成形および着脱可能なハブの利益はなお達成される。このように、装置および方法の好適な実施形態がそれらが開発されてきた環境に関連して説明されてきたが、それらは単に本発明の原理を示したにすぎない。本発明の精神および前記特許請求の範囲から外れることなく他の実施の形態が考案されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】光学センサを埋設した研磨パッドでウェーハを研磨する化学的および機械的な平面化機械の上面図。
【図2】研磨パッド内に配置されるハブおよび光学アセンブリの構成要素の一般的配置を斜視的に示す分解図。
【図3】光学センサの正面上部斜視図。
【図4】プリズムを除いて光学センサを示す側面図。
【図5】誘導カプラを用いたエレクトロニクスハブを示す図。
【図6】信号を非回転ハブに伝達するために発光手段を用いたハブの断面図。
【図7】信号を非回転ハブに伝達するために無線送信手段を用いたハブの断面図。
【図8】信号を非回転ハブに伝達するために音波を用いたハブの断面図。
【図9】研磨パッド内に配置されるスナップリングを示す図。
【図10】スナップリングの底部に配置される接触パッドおよび導電リボンを含む、スナップリングの上面図。
【図11】研磨パッドに埋設された光学センサの中央断面図。
【図12】図13に示す光学センサを埋設するために用いられる射出成形工程を示す中央断面図。
【図13】単一の射出成形パッド内に埋設された光学センサおよびハブアセンブリの中央断面図。
【図14】光学センサおよびハブアセンブリを埋設するために用いられる射出成形工程を示す中央断面図。
【図15】CMP装置に装着された研磨パッドを示す図。
【符号の説明】
1…装置、2…光学穴、3…研磨パッド、4…ウェーハ、9…非回転ハブ、10…エレクトロニクスアセンブリハブ、11…導線リボン、13…スピンドル、18…プラテン。
Claims (23)
- CMPプロセスの進捗状況を検出するためのセンサアセンブリを用いたCMPプロセスで使用する研磨パッドアセンブリであって、
前記研磨パッドアセンブリは、
中心を有するパッドと、
前記パッドの中心から径方向に広がって前記パッドに配置されたスプール状の空隙と、
前記スプール状空隙内に配置されるスプール状プラグ内に配置されるセンサアセンブリとを備えていることを特徴とする研磨パッド。 - 前記スプール状プラグはウレタンからなることを特徴とする請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記スプール状プラグは光学的に透明なウレタンからなることを特徴とする請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記パッド内に配置されるとともに前記センサアセンブリから前記パッドの中心に延びる電気導線をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の研磨パッド。
- CMPプロセスの進捗状況を検出するためのセンサアセンブリを用いたCMPプロセスで使用する研磨パッドアセンブリであって、
前記研磨パッドアセンブリは、
中心を有するパッドと、
前記パッドの中心に配置され、第1の組の電気接点を有する連結解除可能な結合構造と、
前記パッドの中心から離れて前記パッド内に配置されたセンサアセンブリと、
前記センサアセンブリを前記連結解除可能な回転結合構造に接続する電気導線と、
前記連結解除可能な結合構造に着脱可能に取り付けられるようにしたハブとを備え、
前記ハブは第2の組の電気接点を有し、前記ハブが前記連結解除可能な構造に挿入されると前記第1の組の電気接点と前記第2の組の電気接点とが電気的に接続することを特徴とする研磨パッド。 - 前記連結解除可能な結合構造は、
前記研磨パッドの中心に配置され、スナップリングと底部をもつハブ受容穴とを有するスナップリングアセンブリと、
前記ハブ受容穴の底部に配置され、前記ハブ受容穴に向いている前記第1の組の電気接点が配置されている接触パッドと、
前記センサアセンブリを前記スナップリングの底部にある前記複数の電気接点に電気的に接続する電気導線と、をさらに備えたことを特徴とする請求項5に記載の研磨パッド。 - 前記連結解除可能な結合構造の上面と前記パッドの上面とがほぼ同一平面上にあり、前記スナップリングの底面と前記パッドの底面とがほぼ同一平面上にあることを特徴とする請求項5に記載の研磨パッド。
- 前記スナップリングの上面と前記パッドの上面とがほぼ同一平面上にあり、前記スナップリングの底面と前記パッドの底面とがほぼ同一平面上にあることを特徴とする請求項6に記載の研磨パッド。
- 前記着脱可能に取り付けられたハブは電子回路を保持するエレクトロニクスハブであることを特徴とする請求項5に記載の研磨パッド。
- 前記着脱可能に取り付けられたハブは電子回路を保持するエレクトロニクスハブであることを特徴とする請求項6に記載の研磨パッド。
- 前記第1の組の接点は信号接点、電力接点および接地接点を含み、前記着脱可能に取り付けられたハブは、前記信号接点から受信した信号の処理、前記電力接点への電力の伝送、および、前記接地接点を共通接地に接続するための電子回路を保持したエレクトロニクスハブであることを特徴とする請求項5に記載の研磨パッド。
- 前記第1の組の接点は信号接点、電力接点および接地接点を含み、前記着脱可能に取り付けられたハブは、前記信号接点から受信した信号の処理、前記電力接点への電力の伝送、および、前記接地接点を共通接地に接続するための電子回路を保持したエレクトロニクスハブであることを特徴とする請求項6に記載の研磨パッド。
- 前記電気導線は、電力導線、信号導線、および、接地導線を含むことを特徴とする請求項5に記載の研磨パッド。
- 前記光学穴は前記研磨パッドの上部層および下部層に横に挿入された円形リップを有し、前記穴は乾燥すると透明な固体になる液体密閉剤を受容するのに適していることを特徴とする請求項5に記載の研磨パッド。
- 前記研磨パッドは前記スナップリングアセンブリから前記光学アセンブリに延びる切り取り部を有し、前記切り取り部は乾燥すると透明な固体になる液体密閉剤を受容するのに適していることを特徴とする請求項5に記載の研磨パッド。
- 前記光学センサアセンブリ、前記電気導電リボンおよび前記スナップリングが前記液体密閉剤によって前記切り取り部内に密閉されていることを特徴とする請求項15に記載の研磨パッド。
- 前記液体密閉剤が液体ウレタンからなることを特徴とする請求項16に記載の研磨パッド。
- 上部層および下部層を有する研磨パッドに穿設された光学穴内に光学センサアセンブリを密閉する方法であって、
乾燥すると透明な固体になる液体密閉剤を受容するのに適した穴をパッドに穿設して形成した研磨パッドを準備するステップと、
前記穴に対して前記光学センサアセンブリと前記パッドとの間に空隙が残るような大きさになっている前記光学センサアセンブリを前記光学穴内に挿入するステップと、
前記研磨パッドの上面に上部成形プレートを押圧するとともに前記研磨パッドの下面に下部成形プレートを押圧するステップと、
前記液体密閉剤で前記空隙が満たされるまで前記穴に前記液体密閉剤を注入するステップと、
前記液体密閉剤を乾燥させるステップと、
前記上部成形プレートおよび下部成形プレートを取り外すステップと、からなる方法。 - 前記液体密閉剤は液体ウレタンからなることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記液体密閉剤は光学的に透明なウレタンからなることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 研磨パッドを形成する方法であって、
ウレタン上部層、ウレタン下部層、前記パッドの中心に配置された中心穴および前記中心から径方向に離れて前記パッドに配置されたセンサ穴と、前記中心穴に挿入され、スナップリングと底部を有するハブ受容穴とを有するスナップリングアセンブリと、前記ハブ受容穴の底部に配置される接触パッドと、前記接触パッド上に配置されて前記ハブ受容穴に向いている複数の電気接点と、前記センサ受容穴内に配置されたセンサアセンブリと、前記パッド内に配置され、前記光学センサアセンブリと前記スナップリングの底部にある電気接点とに電気的に接続される電気導線と、を含む研磨パッドを準備するステップと、
前記パッド内に密閉剤を注入するための型をつくるために、前記研磨パッドの上面に上部成形プレートを押圧するとともに前記研磨パッドの下面に下部成形プレートを押圧するステップと、
前記型内に液体密閉剤を注入するステップと、
前記液体密閉剤を乾燥させるステップと、
前記上部成形プレートおよび前記下部成形プレートを取り外すステップと、からなる方法。 - 前記液体密閉剤は液体ウレタンからなることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記液体密閉剤は光学的に透明なウレタンからなることを特徴とする請求項21に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US23657500P | 2000-09-29 | 2000-09-29 | |
PCT/US2001/030922 WO2002026445A1 (en) | 2000-09-29 | 2001-09-29 | Polishing pad with built-in optical sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004510337A true JP2004510337A (ja) | 2004-04-02 |
Family
ID=22890065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002530263A Pending JP2004510337A (ja) | 2000-09-29 | 2001-09-29 | 光学センサ内蔵の研磨パッド |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US6739945B2 (ja) |
EP (1) | EP1324859B1 (ja) |
JP (1) | JP2004510337A (ja) |
KR (1) | KR100821747B1 (ja) |
CN (1) | CN1250372C (ja) |
AT (1) | ATE496730T1 (ja) |
AU (1) | AU2002211387A1 (ja) |
DE (1) | DE60143948D1 (ja) |
TW (1) | TW515021B (ja) |
WO (1) | WO2002026445A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011161520A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Koyo Electronics Ind Co Ltd | センタレス研削盤 |
KR20210116883A (ko) * | 2020-03-18 | 2021-09-28 | 서울대학교산학협력단 | 하이브리드 레이저-연마 가공기 및 이를 이용한 레이저-연마 가공 방법 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8485862B2 (en) | 2000-05-19 | 2013-07-16 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad for endpoint detection and related methods |
US7374477B2 (en) * | 2002-02-06 | 2008-05-20 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads useful for endpoint detection in chemical mechanical polishing |
US7127362B2 (en) * | 2000-08-22 | 2006-10-24 | Mundt Randall S | Process tolerant methods and apparatus for obtaining data |
TWI220405B (en) * | 2002-11-19 | 2004-08-21 | Iv Technologies Co Ltd | Method of fabricating a polishing pad having a detection window thereon |
US7235154B2 (en) * | 2004-01-08 | 2007-06-26 | Strasbaugh | Devices and methods for optical endpoint detection during semiconductor wafer polishing |
DE102004024737A1 (de) * | 2004-05-19 | 2005-12-15 | Voith Paper Patent Gmbh | Produktionsoptimierung |
JP4938231B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2012-05-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 平坦度測定器 |
US7846008B2 (en) * | 2004-11-29 | 2010-12-07 | Semiquest Inc. | Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad |
US7722434B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-05-25 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus for measurement of parameters in process equipment |
EP1915353A2 (de) * | 2005-08-11 | 2008-04-30 | Boehringer Ingelheim International GmbH | Isophthalsäurediamide zur behandlung der alzheimer erkrankung |
US7537511B2 (en) * | 2006-03-14 | 2009-05-26 | Micron Technology, Inc. | Embedded fiber acoustic sensor for CMP process endpoint |
US7840305B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-23 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles, CMP monitoring system and method |
US7698952B2 (en) * | 2006-10-03 | 2010-04-20 | Kla-Tencor Corporation | Pressure sensing device |
TW200929348A (en) * | 2007-11-21 | 2009-07-01 | Jian-Min Sung | Examination method for trimming chemical mechanical polishing pad and related system thereof |
US7927092B2 (en) * | 2007-12-31 | 2011-04-19 | Corning Incorporated | Apparatus for forming a slurry polishing pad |
WO2009094539A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Applied Materials, Inc. | Solar panel edge deletion module |
US8182312B2 (en) * | 2008-09-06 | 2012-05-22 | Strasbaugh | CMP system with wireless endpoint detection system |
US9017140B2 (en) | 2010-01-13 | 2015-04-28 | Nexplanar Corporation | CMP pad with local area transparency |
US9156124B2 (en) | 2010-07-08 | 2015-10-13 | Nexplanar Corporation | Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate |
US8657653B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-02-25 | Nexplanar Corporation | Homogeneous polishing pad for eddy current end-point detection |
US8628384B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-01-14 | Nexplanar Corporation | Polishing pad for eddy current end-point detection |
US8439994B2 (en) | 2010-09-30 | 2013-05-14 | Nexplanar Corporation | Method of fabricating a polishing pad with an end-point detection region for eddy current end-point detection |
US20150325994A1 (en) | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Ruggedreel Inc. | System and apparatus for electrically coupling to a cable on a rotatable reel using a torsional spring |
US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
CN113579992A (zh) | 2014-10-17 | 2021-11-02 | 应用材料公司 | 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构 |
WO2017074773A1 (en) | 2015-10-30 | 2017-05-04 | Applied Materials, Inc. | An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential |
US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
BR112020006842A2 (pt) | 2017-10-04 | 2020-10-06 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | artigo abrasivo e método para formação do mesmo |
KR20200108098A (ko) * | 2018-02-05 | 2020-09-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 3d 프린트된 cmp 패드들을 위한 압전 엔드포인팅 |
CN112654655A (zh) | 2018-09-04 | 2021-04-13 | 应用材料公司 | 先进抛光垫配方 |
US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4793895A (en) * | 1988-01-25 | 1988-12-27 | Ibm Corporation | In situ conductivity monitoring technique for chemical/mechanical planarization endpoint detection |
JPH03234467A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-18 | Canon Inc | スタンパの金型取付面の研磨方法およびその研磨機 |
US5081796A (en) | 1990-08-06 | 1992-01-21 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer |
US6614529B1 (en) | 1992-12-28 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
US5433651A (en) | 1993-12-22 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
JP3270282B2 (ja) * | 1994-02-21 | 2002-04-02 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP3313505B2 (ja) * | 1994-04-14 | 2002-08-12 | 株式会社日立製作所 | 研磨加工法 |
US5893796A (en) | 1995-03-28 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
US5838447A (en) * | 1995-07-20 | 1998-11-17 | Ebara Corporation | Polishing apparatus including thickness or flatness detector |
US6010538A (en) * | 1996-01-11 | 2000-01-04 | Luxtron Corporation | In situ technique for monitoring and controlling a process of chemical-mechanical-polishing via a radiative communication link |
US6068539A (en) | 1998-03-10 | 2000-05-30 | Lam Research Corporation | Wafer polishing device with movable window |
US6106662A (en) | 1998-06-08 | 2000-08-22 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing |
US6190234B1 (en) * | 1999-01-25 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection with light beams of different wavelengths |
US6146242A (en) * | 1999-06-11 | 2000-11-14 | Strasbaugh, Inc. | Optical view port for chemical mechanical planarization endpoint detection |
-
2001
- 2001-09-29 AU AU2002211387A patent/AU2002211387A1/en not_active Abandoned
- 2001-09-29 JP JP2002530263A patent/JP2004510337A/ja active Pending
- 2001-09-29 WO PCT/US2001/030922 patent/WO2002026445A1/en active Application Filing
- 2001-09-29 US US09/970,252 patent/US6739945B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-29 AT AT01979415T patent/ATE496730T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-09-29 KR KR1020037004479A patent/KR100821747B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-09-29 CN CNB01818877XA patent/CN1250372C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-29 DE DE60143948T patent/DE60143948D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-29 EP EP01979415A patent/EP1324859B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-02 TW TW090124359A patent/TW515021B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-05-20 US US10/850,346 patent/US6986701B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-01-17 US US11/334,148 patent/US7083497B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2006-07-31 US US11/497,545 patent/US20070032170A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011161520A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Koyo Electronics Ind Co Ltd | センタレス研削盤 |
KR20210116883A (ko) * | 2020-03-18 | 2021-09-28 | 서울대학교산학협력단 | 하이브리드 레이저-연마 가공기 및 이를 이용한 레이저-연마 가공 방법 |
KR102461737B1 (ko) | 2020-03-18 | 2022-11-02 | 서울대학교 산학협력단 | 하이브리드 레이저-연마 가공기 및 이를 이용한 레이저-연마 가공 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050009449A1 (en) | 2005-01-13 |
US6986701B2 (en) | 2006-01-17 |
EP1324859B1 (en) | 2011-01-26 |
TW515021B (en) | 2002-12-21 |
US20070032170A1 (en) | 2007-02-08 |
US20020090887A1 (en) | 2002-07-11 |
KR20030048050A (ko) | 2003-06-18 |
EP1324859A1 (en) | 2003-07-09 |
CN1250372C (zh) | 2006-04-12 |
ATE496730T1 (de) | 2011-02-15 |
AU2002211387A1 (en) | 2002-04-08 |
US20060116051A1 (en) | 2006-06-01 |
KR100821747B1 (ko) | 2008-04-11 |
US6739945B2 (en) | 2004-05-25 |
EP1324859A4 (en) | 2004-10-13 |
WO2002026445A1 (en) | 2002-04-04 |
US7083497B2 (en) | 2006-08-01 |
DE60143948D1 (de) | 2011-03-10 |
CN1489509A (zh) | 2004-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004510337A (ja) | 光学センサ内蔵の研磨パッド | |
US7918712B2 (en) | Endpoint detection system for wafer polishing | |
US20080032602A1 (en) | Devices and Methods for Optical Endpoint Detection During Semiconductor Wafer Polishing | |
KR100973126B1 (ko) | 광센서가 달린 연마패드 | |
US6696005B2 (en) | Method for making a polishing pad with built-in optical sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080929 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110927 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111004 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120522 |