JP2004363245A - 紫外線レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】キセノンガス等の添加ガス濃度の変化を少なくして、紫外線レーザ装置から出力されるレーザ光の出力エネルギーを高エネルギーに維持し、且つ安定させる。
【解決手段】レーザガス及び添加ガスを封入するケース手段（レーザチャンバ１１、フィルタケース３０）の内壁及びケース手段１１、３０内の部品のうちレーザガスと接触する表面にフッ化不動態処理を施しフッ化不動態膜を形成する。フッ化不動態膜の形成領域の割合は、レーザ発振が開始されてから所定期間、添加ガス濃度の低下を防止できる程度である。
【選択図】 図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザチャンバ等のケース内に所定濃度の添加ガスが添加されたレーザガスを封入し、レーザガスを励起してレーザ発振する紫外線レーザ装置に関し、特に添加ガス濃度の低下を防止して高出力エネルギーを実現し、また出力を安定化させるものに関する。
【０００２】
【従来技術】
紫外線レーザ、例えばＡｒＦエキシマレーザやＦ_２レーザは半導体の露光用光源として使用される。半導体の露光においては、露光量の正確な制御が求められており、紫外線レーザから出力されるレーザ光の出力エネルギーが低下することは望ましくない。また、スループットの向上のために出力エネルギーの増加が望まれている。
【０００３】
紫外線レーザの出力エネルギーは、レーザチャンバ内に発生する不純物、例えばＳｉＦ_４、ＣＦ_４、ＨＦ等のフッ化物、又は大気リークを原因としてレーザチャンバ内に混入するＮ_２、Ｏ_２等により大きく低下する。上記不純物や混入ガスによる影響は、ＡｒＦエキシマレーザではＫｒＦエキシマレーザの５倍以上ある。また、Ｆ_２レーザの場合も同等の影響がある。よって、大気リークを最小限にとどめるとともに、上記フッ化物の発生を抑制することが、出力エネルギーの低下を防止するために必要である。
【０００４】
上記フッ化物のうちＳｉＦ_４は、絶縁材に用いられるアルミナセラミックスから発生する。そこで、下記特許文献１及び２には、Ｓｉ化合物含有量の少ない９９．５％以上の高純度アルミナセラミックスを使用することでＳｉＦ_４を低減させる技術が開示されている。また、下記特許文献３及び４のように、アルミナセラミックスに高純度の絶縁材をコーティングすることでＳｉＦ_４の発生を抑制する方法も開示されている。
【０００５】
また、フッ化物はレーザチャンバ内の各種部品の表面がレーザチャンバ内のフッ素ガスと反応して発生する。下記特許文献５には、このようなフッ化物を抑制するために、レーザチャンバの内壁面とレーザチャンバ内部の部品、例えば貫流ファン、熱交換器等の表面にアルミナ膜又はフッ化不働態膜を形成する技術が開示されている。
【０００６】
このように、紫外線レーザにおいて出力エネルギーの低下を防止する試みがなされると共に、出力エネルギーを増加させる試みもなされている。
【０００７】
下記特許文献６には、レーザガスに所定濃度の添加ガスを添加することによって出力エネルギーを増加させる技術が開示されている。この技術によれば、例えば、ＡｒＦエキシマレーザにおいて、レーザ媒質ガスとネオンガス又はヘリウムガス等のバッファガスとからなるレーザガスを封入したレーザチャンバ内に、１０ｐｐｍ程度のキセノンガスを添加すると、出力エネルギーが増加するとされ、さらに、レーザチャンバ内のキセノンガス濃度を数ｐｐｍから数十ｐｐｍの間の値に保つことが好ましいとされている。その理由として、キセノンガス濃度が数ｐｐｍ以下では出力エネルギーの増加率が顕著でなく、１００ｐｐｍを超えると出力エネルギーの増加率が次第に低下していき、２００ｐｐｍを超えるとキセノンガスを全く添加しない場合よりも出力エネルギーが低下するためである。さらに、キセノンガスの微量添加は、出力エネルギーの安定性向上（ばらつき抑制）にもすぐれた効果がある。
【０００８】
なお、添加ガスをキセノンガスにするのではなく、キセノン化合物ガス、酸素ガス、又は酸素化合物ガス等にすることによっても同様の効果が見られる。添加ガスを酸素ガスにすることによって出力エネルギーを増加させる技術は下記特許文献７で開示されている。また、Ｆ_２レーザにおいても上記添加ガスによって出力エネルギーが増加する。
【０００９】
【特許文献１】
特開平６−１６９１１９号公報
【特許文献２】
特開平５−０７５１８２号公報
【特許文献３】
特開平４−２８７９８６号公報
【特許文献４】
特開２０００−４０８４６号公報
【特許文献５】
特開平９−２９８３２９号公報
【特許文献６】
特開２０００−２９４８５６号公報
【特許文献７】
米国特許第５３０７３６４号明細書
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
紫外線レーザを半導体露光用として使用するためには、出力エネルギーを正確に制御する必要がある。出力エネルギーはレーザチャンバ内に封入される各種ガスの濃度に影響されるため、ガス濃度の制御は重要である。しかし、例えば上記特許文献６のようにレーザチャンバ内にキセノンガスを微量添加した場合、キセノンガスは希ガスであり化学的に安定であるにもかかわらず、レーザチャンバ内のキセノンガス濃度が安定しないことを本発明者は発見した。以下でその現象を本発明者が行った実験の結果を用いて説明する。
【００１１】
図５は時間経過に伴うキセノンガス濃度の変化を示す図である。
図５は、レーザ発振条件を指令電圧２１ｋＶ、繰り返し周波数５００Ｈｚ程度とした場合の結果である。なお、本発明者はキセノンガス濃度の計測をガスクロマトグラフ質量分析装置を用いて行っている。
【００１２】
図５に示す結果によれば、当初８ｐｐｍ程度あったキセノンガス濃度が、放電開始の数分後には２ｐｐｍ以下に減少していることが分かる。図示はしないが、さらにレーザ発振が継続されるとキセノンガス濃度は減少から増加に転じ、やがてある一定濃度に落ち着く現象も発見された。
【００１３】
所定時間放電後にレーザチャンバ内のガスを一旦排気し、新規にレーザガスを封入し、キセノンガスを添加するという一連のレーザガス交換操作を繰り返し行ったところ、繰り返しの初期段階においては、放電開始後に図５と同様のキセノンガス濃度の減少が見られた。しかし、その減少の割合は徐々に少なくなり、やがて減少がほとんど見られなくなった。
【００１４】
このようなことから、レーザチャンバ内のキセノンガス濃度の減少について、本発明者は、レーザチャンバ内に含有されるキセノンガスが放電中に活性化され、このキセノンガスとレーザチャンバの内壁面及びレーザチャンバ内に収容される各種部品の表面（以下、チャンバ内壁面等という）とが反応するため、キセノンガスがチャンバ内壁面等に蓄積されたものと推定している。また、レーザチャンバ内のキセノンガス濃度の増加について、本発明者は、チャンバ内壁面等に蓄積されたキセノンが脱離したためと推定している。
【００１５】
キセノンガス濃度は時間経過の他に、発振デューティの変化に応じても変化する。半導体露光装置では、露光とステージ移動を交互に繰り返して半導体ウェハの露光が行われる。このため、紫外線レーザでは、レーザ光を所定回数連続してパルス発振させる連続パルス発振とパルス発振を休止する発振休止とを繰り返す所謂バーストモード運転が行われる。発振デューティとはこの連続パルス発振時間と発振休止時間との比である。
【００１６】
図６は発振デューティとキセノンガス濃度及び出力エネルギーとの相関を示す図である。
図６は、一連のレーザガス交換操作を繰り返し、キセノンガス濃度が一定濃度に落ち着いた状態から発振デューティを変化させることによって得られた結果である。
【００１７】
図６に示す結果によれば、発振デューティを上げるとレーザチャンバ内のキセノンガス濃度が増加し、出力エネルギーが減少していることが分かる。本発明者はこの現象から、発振デューティを下げるとキセノンガスがチャンバ内壁面等に蓄積されるためキセノンガス濃度が減少し、発振デューティを上げるとチャンバ内壁面等に蓄積されたキセノンが脱離するためキセノンガス濃度が増加すると推定している。また、キセノンガス濃度が変化するため出力エネルギーも変化すると考えられる。
【００１８】
半導体露光用の紫外線レーザでは、半導体露光中に発振デューティが変更されて出力エネルギーのレベルが調整制御されるため、図６に示すように、発振デューティの変化によって出力エネルギーが変化するとなると、露光量の正確な制御を妨げるおそれがある。
【００１９】
以上で述べたように、レーザチャンバ内のレーザガスに数ｐｐｍから数十ｐｐｍ程度のキセノンガスを添加することによって出力エネルギーが増加するが、レーザチャンバ内のキセノンガス濃度を数ｐｐｍから数十ｐｐｍという範囲内に維持すること自体が困難であり、結果として露光量の正確な制御が困難であった
本発明はこうした実状に鑑みてなされたものであり、キセノンガス等の添加ガス濃度の変化を少なくして、紫外線レーザ装置から出力されるレーザ光の出力エネルギーを高エネルギーに維持し、且つ安定させることを解決課題とするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段、作用および効果】
上記課題を解決するため、本発明の第１発明は、
レーザ出力エネルギーを上昇させ且つ安定させる程度の濃度のキセノンガス又はキセノン化合物ガス又は酸素ガス又は酸素化合物ガスのうち少なくとも一つが添加ガスとして添加されたレーザガスを封入し且つ複数の部品を収容するケース手段１１、３０を備え、前記レーザガスを励起してレーザ発振する紫外線レーザ装置において、
前記ケース手段１１、３０の内壁及び前記部品のうち前記レーザガスと接触する表面にフッ化不動態処理を施してフッ化不動態膜を形成し、
また前記表面のうちフッ化不動態膜の形成領域の割合を、レーザ発振が開始されてから所定期間、前記レーザガス中の添加ガス濃度を略一定に維持できる程度にすること
を特徴とする。
【００２１】
図２〜図４を用いて第１発明を説明する。
【００２２】
図２で示すように、ケース手段（レーザチャンバ１１、フィルタケース３０）には、種々の部品が収容されると共に、レーザガスが封入される。レーザチャンバ１１内に対向して設けられた主放電電極２５ａ、２５ｂ間で放電を発生させるとレーザガスが励起され、レーザ光が出力される。さらに、ケース手段１１、３０内のレーザガスに、所定濃度のキセノンガス又はキセノン化合物ガス又は酸素ガス又は酸素化合物ガスのうち少なくとも一つが添加ガスとして適量、例えば０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度で望ましくは１０ｐｐｍ前後、添加されると、レーザ光の出力エネルギーが増加し且つ安定する。しかし、通常はレーザ発振を開始すると、レーザガス中の添加ガス濃度が減少し、出力エネルギーが減少し且つ不安定になる。
【００２３】
そこで、ケース手段１１、３０の内壁及びケース手段１１、３０内の部品のうちレーザガスと接触する表面にフッ化不動態処理を施しフッ化不動態膜を形成する。フッ化不動態膜によって添加ガスが各表面に蓄積されることを防止できる。
【００２４】
図３で示すように、レーザガスと接触する表面のうちフッ化不動態膜の形成領域の割合が少ないと、添加ガス濃度の減少を防止することができない。したがって、フッ化不動態膜の形成領域の割合を、レーザ発振が開始されてから所定期間、添加ガス濃度の低下を防止できる程度にする。なお、図３にはその割合を約９９％にした結果が示されているが、これに限るものではない。
【００２５】
さらに、図４で示すように、フッ化不動態膜を形成することによって、発振デューティが変化しても添加ガス濃度はほとんど変化せず、ほぼ一定の値を保つ。
【００２６】
第１発明によれば、フッ化不動態膜によって添加ガス濃度の減少を防止できる。したがって、紫外線レーザ装置から出力されるレーザ光の出力エネルギーを高エネルギーに維持することができ、且つ安定させることができる。
【００２７】
また、第２発明は、第１発明において、
前記レーザガスは、少なくともアルゴンガスとネオンガスとフッ素ガスとを含むこと
を特徴とする。
【００２８】
第２発明は、第１発明をＡｒＦエキシマレーザに適用するものである。
【００２９】
また、第３発明は、第１発明において、
Ｆ_２レーザであって、前記レーザガスは、少なくともフッ素ガスとヘリウムガスの混合ガス、フッ素ガスとネオンガスの混合ガス、フッ素ガスとヘリウムガスとネオンガスの混合ガスのうちの一つであること
を特徴とする。
【００３０】
第３発明は、第１発明をＦ_２レーザに適用するものである。
【００３１】
ＡｒＦエキシマレーザやＦ_２レーザは添加ガスの効果が顕著であるため、ケース手段１１、３０の内壁やケース手段１１、３０内の部品の表面にフッ化不動態膜を形成することによる効果が大きい。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３３】
図１は本実施形態に係る紫外線レーザ装置の構成図である。
紫外線レーザ装置１０は、対向する一対の主放電電極２５ａ、２５ｂを有すると共にレーザガスと添加ガス等を封入するレーザチャンバ１１と、レーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化するための狭帯域ボックス１２と、出力エネルギー及びその波長等を測定するモニタモジュール１３と、レーザチャンバ１１内の電極に電圧を印加する高圧電源１４と、レーザチャンバ１１内のレーザガスを排気し、新規レーザガスを供給するレーザチャンバ吸排気モジュール１５と、全体の制御を行うコントローラ１６等と、で構成されている。
【００３４】
また、レーザチャンバ１１の前後部には、主放電電極２５ａ、２５ｂの長手方向延長上にウィンドウホルダ１７ａ、１７ｂが取り付けられており、ウィンドウホルダ１７ａ、１７ｂの端部には、フロント及びリアのウィンドウがそれぞれ取り付けられている。ウィンドウホルダ１７ａの前方にはフロントミラー１８が配置されており、さらにその前方にはモニタモジュール１３が配置されている。ウィンドウホルダ１７ｂの後方には狭帯域ボックス１２が配置されている。
【００３５】
図２はレーザチャンバの断面図である。図２は主放電電極の長手方向に垂直な断面の模式図を示す。
レーザチャンバ１１は、レーザチャンバ上ケース２０及びレーザチャンバ下ケース２１とが組み合わされて構成される。レーザチャンバ上ケース２０の側面であって主放電電極２５ａ、２５ｂの長手方向の略中央には内壁側から外壁側に貫通するフィルタ吸込口が設けられており、レーザチャンバ上ケース２０の側面であって主放電電極２５ａ、２５ｂの長手方向の略両端には内壁側から外壁側に貫通するフィルタ吐出口が設けられている。レーザチャンバ上ケース２０の外壁側面にはフィルタケース３０が取り付けられる。フィルタケース３０には開口が設けられており、この開口とレーザチャンバ上ケース２０のフィルタ吸込口及びフィルタ吐出口が接続される。よって、レーザチャンバ１１内部とフィルタケース３０内部とは連通しており、レーザチャンバ１１及びフィルタケース３０によってレーザガスは封入される。
【００３６】
主放電電極２５ａは例えばアルミナセラミックス等の絶縁体２３に固定されており、主放電電極２５ｂは電極ホルダ２４に固定されている。絶縁体２３はレーザチャンバ上ケース２０に取り付けられている。レーザチャンバ上ケース２０の内壁にはリターンプレート２６が取り付けられており、主放電電極２５ａ、２５ｂが対向するように、電極ホルダ２４がリターンプレート２６に取り付けられている。
【００３７】
また、レーザチャンバ１１の内部には、レーザガスをレーザチャンバ１１内で循環させて主放電電極２５ａ、２５ｂ間に送り込む貫流ファン２７と、レーザチャンバ１１内を貫流するレーザガスを主放電電極２５ａ、２５ｂ間に案内するガス流路ガイド２８ａと、主放電電極２５ａ、２５ｂ間を通過したレーザガスを熱交換器２９に案内するガス流路ガイド２８ｂと、主放電電極２５ａ、２５ｂ間で熱せられたレーザガスを冷却する熱交換器２９とが、それぞれ設けられている。
【００３８】
フィルタケース３０の内部にはフィルタエレメント３１が内蔵されている。レーザチャンバ１１内のレーザガスには、主放電電極２５ａ、２５ｂの消耗によって発生した微小なダストが含まれる。レーザガスは、フィルタ吸込口からフィルタケース３０に吸い込まれ、フィルタエレメント３１でダストを捕捉され、フィルタ吐出口から再びレーザチャンバ１１内に吐き出される。
【００３９】
本発明者は、上記構成の紫外線レーザ装置１０において、レーザチャンバ１１及びフィルタケース３０の内壁面とレーザチャンバ１１及びフィルタケース３０内に収容される各部品のうち、レーザガスと接触する表面にフッ化不動態処理を施しフッ化不動態膜を形成した。なお、レーザガスと接触する各部品の全表面のうち、フッ化不動態膜を形成する表面の割合を約９９％とした。
【００４０】
なお、本実施形態でいうフッ化不動態膜とは、フッ化不動態処理を施して形成したものをいう。また、フッ化不動態処理とは、部品をフッ素雰囲気中で熱処理して、その表面にある程度の膜厚を有するフッ化不動態膜を形成する処理のことをいう。通常、レーザガスにフッ素ガスが含有されていると、レーザチャンバ内の各部品表面にはフッ化膜が形成される。また、レーザ発振と共に同様のフッ化膜が形成される。しかし、このようにして形成されるフッ化膜は膜厚が薄く（１０ｎｍ程度）且つポーラス状である。ポーラス状のフッ化膜ではキセノン濃度の低下を防止できない。こうしたフッ化膜と本実施形態で形成するフッ化不動態膜とは異なるものである。
【００４１】
レーザチャンバ内で使用される部品の材質は、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、アルミナセラミックスである。これらの材質の違いに応じて異なる方法でフッ化不動態処理を施した。アルミニウム部品には耐食性と表面硬度アップのためニッケル無電解めっきを施し、その後フッ化不動態処理を施した。ニッケル及びステンレス部品には直にフッ化不動態処理を施した。アルミナセラミックス部品には純度９９．５％以上の高純度の部材を使用し、直にフッ化不動態処理を施した。
【００４２】
フッ化処理反応温度は２５０℃から７００℃の間とした。フッ化不動態膜厚は処理時間を適宜変えて調節できるが、今回形成したフッ化不動態処理膜の膜厚は数百ｎｍ程度とした。低融点金属のアルミナセラミックスは低温側でフッ化不動態処理を行い、その他については高温側でフッ化不動態処理を行い、その他については中間温度でフッ化不動態処理を行った。
【００４３】
そして、レーザチャンバ１１を組み立てた後、リークチェックを行い、リークが許容範囲内であることを確認してから、窒素パージ、真空引き、ヘリウムガスまたはフッ素とヘリウムの混合ガスをレーザチャンバ１１内に封入して放電を数回行い、レーザチャンバ１１のパシベーションを行った。
【００４４】
その後、レーザチャンバ１１内にアルゴンガス、フッ素ガス、ネオンガスからなるレーザガスを充填し、さらにレーザチャンバ１１内にキセノンガスを添加した。この際、全圧を３０００ｈＰａとし、それらのガス分圧比をＡｒ：Ｆ_２：Ｘｅ：Ｎｅ＝３．５％：０．１％：９ｐｐｍ：残部、とした。そして、指令電圧２１ｋＶ、繰り返し周波数５００Ｈｚ程度としてレーザ発振を行いつつ計測を行った。図３、図４でその結果を示す。
【００４５】
図３は時間経過に伴うキセノン濃度の変化を示す図である。
図３には、上述したようにレーザガスと接触する各部品の全表面のうち、フッ化不動態膜の形成領域を約９９％とした場合の計測結果（曲線Ａ）が示されると共に、比較対象として、フッ化不動態膜の形成領域を約４０％とした場合の計測結果（曲線Ｂ）と、フッ化不動態膜の形成領域を０％とした場合の計測結果（曲線Ｃ）が示されている。
【００４６】
図３の曲線Ａで示すように、フッ化不動態膜の形成領域が約９９％の場合、キセノンガス濃度は放電を開始した後もほとんど減少していない。一方、図３の曲線Ｂで示すように、フッ化不動態膜の形成領域が約４０％である場合、また図３の曲線Ｃで示すように、フッ化不動態膜の形成領域が０％である場合、キセノンガス濃度は放電を開始すると共に減少している。曲線ＢとＣは同じ傾向で減少していることから、レーザガスと接触する各部品の全表面のうち、約４０％にフッ化不動態膜を形成することには優位性がないと思われる。
【００４７】
この結果から、次のように考えられる。レーザガスに添加されるキセノンガスは数ｐｐｍ〜数十ｐｐｍである。このように微量なキセノンガスは、フッ化不動態膜が形成されない領域が多いと、フッ化不動態膜がない領域に蓄積され易い。このことから、放電に悪影響が及ばないことを条件として、できる限り多くの部品にフッ化不動態処理を施すことによって、確実にキセノンガス濃度の低下を防止できるといえる。一方で、曲線Ａのように、フッ化不動態膜が形成されない領域が存在していてもキセノンガス濃度はほぼ一定に保たれる。このことから、全ての部品にフッ化不動態処理を施す必要はないともいえる。要は放電開始によってキセノンガス濃度が低下しなければよいのであって、そのような効果が望める程度にフッ化不動態膜を形成すればよいと考えられる。
【００４８】
図４は発振デューティとキセノンガス濃度及び出力エネルギーとの相関を示す図である。
図４に示すように、本実施形態によれば、発振デューティが変化してもキセノンガス濃度はほとんど変化せず、ほぼ一定の値（約１０ｐｐｍ）を保っている。また、出力エネルギーもほぼ一定の値（約６ｍＪ）を保ち安定している。
【００４９】
ところで、本実施形態では、アルミニウム部品にはニッケルめっき処理後にフッ化不動態処理を施してフッ化不動態膜を形成するようにしたが、フッ化不動態処理の代わりにアルミナ処理を施してアルミナの不動態膜を形成するようにしてもよい。フッ化不動態膜は化学的に極めて安定（不活性）であるが、アルミナも同様に化学的に極めて安定な物質として知られている。アルミナの不動態膜は、フッ化不動態膜には及ばないものの、キセノンガスの蓄積を防止しキセノンガス濃度の低下を防止することができる。
【００５０】
また、ＣａＦ_２（蛍石）やＭｇＦ_２のフッ化物を各部品の表面に形成してもよい。
【００５１】
なお、本実施形態では、紫外線レーザ装置１０をＡｒＦエキシマレーザとして使用した場合の結果を例にあげて説明したが、紫外線レーザ装置１０をＦ_２レーザとして使用しても同様の効果が得られる。Ｆ_２レーザの場合はレーザガスとして、フッ素ガスとヘリウムガスの混合ガス、フッ素ガスとネオンガスの混合ガス、フッ素ガスとヘリウムガスとネオンガスの混合ガスのうちの何れかがレーザチャンバ１１内に封入される。また、添加ガスとして、キセノンガスだけでなく、キセノン化合物ガス、酸素ガス、または酸素化合物ガスを添加してもキセノンガスと同様に出力エネルギーが増加すると共に安定する。
【００５２】
本発明によれば、フッ化不動態膜によって添加ガス濃度の減少を防止できる。したがって、紫外線レーザ装置から出力されるレーザ光の出力エネルギーを高エネルギーに維持することができ、且つ安定させることができる。特に、ＡｒＦエキシマレーザやＦ_２レーザは添加ガスの効果が顕著であるため、その効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本実施形態に係る紫外線レーザ装置の構成図である。
【図２】図２はレーザチャンバの断面図である。
【図３】図３は時間経過に伴うキセノン濃度の変化を示す図である。
【図４】図４は発振デューティとキセノンガス濃度及び出力エネルギーとの相関を示す図である。
【図５】図５は時間経過に伴うキセノン濃度の変化を示す図である。
【図６】図６は発振デューティとキセノンガス濃度及び出力エネルギーとの相関を示す図である。
【符号の説明】
１０ 紫外線レーザ装置
１１ レーザチャンバ
２０ レーザチャンバ上ケース
２１ レーザチャンバ下ケース
２３ 絶縁体
２４ 電極ホルダ
２５ａ、２５ｂ 主放電電極
２６ リターンプレート
２７ 貫流ファン
２８ａ、２８ｂ ガス流路ガイド
２９ 熱交換器
３０ フィルタケース
３１ フィルタエレメント

Claims (3)

1. レーザ出力エネルギーを上昇させ且つ安定させる程度の濃度のキセノンガス、キセノン化合物ガス、酸素ガス、酸素化合物ガスのうち少なくとも一つが添加ガスとして添加されたレーザガスを封入し且つ複数の部品を収容するケース手段（１１、３０）を備え、前記レーザガスを励起してレーザ発振する紫外線レーザ装置において、
   前記ケース手段（１１、３０）の内壁及び前記部品のうち前記レーザガスと接触する表面にフッ化不動態処理を施してフッ化不動態膜を形成し、
   また前記表面のうちフッ化不動態膜の形成領域の割合を、レーザ発振が開始されてから所定期間、前記レーザガス中の添加ガス濃度を略一定に維持できる程度にすること
   を特徴とする紫外線レーザ装置。
2. 前記レーザガスは、少なくともアルゴンガスとネオンガスとフッ素ガスとを含むこと
   を特徴とする請求項１記載の紫外線レーザ装置。
3. Ｆ_２レーザであって、前記レーザガスは、少なくともフッ素ガスとヘリウムガスの混合ガス、フッ素ガスとネオンガスの混合ガス、フッ素ガスとヘリウムガスとネオンガスの混合ガスのうちの一つであること
   を特徴とする請求項１記載の紫外線レーザ装置。

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