JP2004362727A - 光ピックアップ - Google Patents

Abstract

【課題】 多層膜で構成される記録層を有し、かつ信号再生時に生じる偏光間位相差が互いに異なる複数種の光磁気記録媒体を記録／再生する光ピックアップにおいて、電気的に駆動する位相補償手段を用いることなく、また光学系設計制約を緩和することを可能にする。
【解決手段】 光源２２から出射され光磁気記録媒体２１で反射された反射光を分岐する光分岐素子２４には４個の光分岐部２５ａ〜２５ｄが備わり、４個の光分岐部のうち、１番目の光分岐部２５ａを除く３個の光分岐部２５ｂ〜２５ｄによる分岐光路上には、Ｍ（Ｍ＝２〜４）番目の光分岐部による分岐光に固定位相δＭを付与する３個の位相補償手段２７ｂ〜２７ｄが設けられる。この光ピックアップ２０では、４個の受光部群２６ａ〜２６ｄのうちから選択される３個以下の受光部群による検出光を用いて、４種類の光磁気記録媒体２１ａ〜２１ｄそれぞれのサーボ信号を検出する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、光磁気記録媒体に情報を記録および／または光磁気記録媒体から情報を再生する光ピックアップに関する。

記録媒体に光と磁気とを併用して情報を記録する光磁気記録媒体では、情報記録量の大容量化を目的として、ランドとグルーブとの両方に情報を記録／再生するいわゆるランド・グルーブ記録や情報記録面を多層化する多層膜記録が行なわれている。しかしながら、ランド・グルーブ記録や多層膜記録が行なわれる光磁気記録媒体では、信号再生時に、光磁気記録媒体の反射によって生成される偏光間に互いに異なる位相変化を生じる場合がある。このような偏光間に位相変化を生じた場合においても、良好な信号再生状態を得ることを目的として、電気的に制御するなどの手段によって外部から制御することのできるアクティブな位相補償用の素子を、光ピックアップに搭載して位相補償を行なう技術がある（たとえば、特許文献１参照）。

図１６は、位相補償素子を備える従来の光ピックアップ１の構成を示す系統図である。従来の光ピックアップ１は、ランド・グルーブ記録方式の光磁気記録媒体６に対して情報の記録／再生を行う。従来の光ピックアップ１では、半導体レーザ２から発した光束が、その大半が偏光ビームスプリッタ３を透過し、光がコリメータレンズ４を透過して略平行光にされ、対物レンズ５によって光磁気記録媒体６の情報記録層に集光される。

光磁気記録媒体６の反射によって生成された偏光は、再び対物レンズ５とコリメータレンズ４とを透過し、偏光ビームスプリッタ３によって反射されて、偏光位相補償素子７へ入射する。偏光位相補償素子７は、偏光位相補償素子駆動回路８によって電気的に駆動され、現在再生しているトラックがランド部かグルーブ部かの情報に基づいてランド部とグルーブ部とで異なる偏光位相差を光束に印加、すなわち偏光間の位相差を補償して出射する。偏光位相補償素子７を出射した光は、ウォラストンプリズム９で偏光分離された後、検出レンズ１０により集光され、再生用センサ１１で検出される。

特開２０００−３０６２７８号公報

多層膜で構成される記録層を有し、かつ信号再生時に生じる偏光間位相差が互いに異なる複数種の光磁気記録媒体を記録／再生する際、偏光間の位相補償をするために従来技術に開示されるようなアクティブな位相補償素子を光ピックアップに搭載すると、位相補償素子を駆動させるための電力が別途必要になる。したがって、携帯機器などのように省電力化が重要な装置に、前述のようなアクティブな位相補償素子を用いると、駆動および制御電力分の消費電力が増加することになり不利である。

また、アクティブな位相補償素子を備える構成では、サーボ信号と再生信号（以後、この再生信号を光磁気信号と呼ぶ）とを同一の光路において受光することになるけれども、サーボ信号を検出するために要求される応答性能と、光磁気信号を検出するために要求される応答性能とに大きな差が生じることがある。この場合、要求の厳しい方に設計基準を合わせることになるので、受光部の性能やサイズについて制約が厳しくなり、光学系についての要求公差も厳しくなるという問題がある。さらに外部の駆動装置との接続が必要になるので、電気的に駆動する位相補償装置を、光ピックアップにおける他の構成要素のいくつかと一体化することが難しくなるという問題がある。

サーボ信号と光磁気信号とを別の光路において受光する方法も考えられるけれども、同一の偏光分離性能の偏光分離素子を用いて光磁気記録媒体ごとに分岐光路を変えて受光するだけでは、分岐後の光の到達点が異なることに対応して分岐した光路ごとに偏光分離素子を設けなければならないので、偏光分離素子の数が不必要に増加するという問題がある。

また偏光膜もしくは位相補償素子を単独で用いるだけでは効果的な位相補償をすることが困難な場合においても、位相補償手段をより効果的に機能させて光磁気信号品質の一層の向上を実現することのできる有効な位相補償方法が望まれている。

本発明の目的は、多層膜で構成される記録層を有し、かつ信号再生時に生じる偏光間位相差が互いに異なる複数種の光磁気記録媒体を記録／再生する光ピックアップであって、電気的に駆動する位相補償手段を用いることなく、迷光低減や受光部サイズの制限などの光学系設計制約を緩和することのできる光ピックアップを提供することである。

本発明は、多層膜で構成される情報記録層を有し、信号再生時に生じる偏光間位相差が互いに異なるＮ種類の光磁気記録媒体に情報を記録および／または光磁気記録媒体から情報を再生する光ピックアップにおいて、
光を出射する光源と、
光源から出射され光磁気記録媒体で反射された反射光を分岐する光分岐素子であってＮ個の光分岐部を有する光分岐素子と、
Ｎ個の光分岐部によって分岐された光を受けるＮ個の受光部群と、
Ｎ個の光分岐部のうち、ｉ番目の光分岐部を除く残余の（Ｎ−１）個の光分岐部による分岐光路上に配置され、前記残余の（Ｎ−１）個の光分岐部のうち、Ｍ（Ｍ＝１，２，・・ｉ−１，ｉ＋１，・・Ｎ）番目の光分岐部によって分岐された光に固定位相δＭを付与する（Ｎ−１）個の位相補償手段と、
Ｎ個の光分岐部によって分岐される光を光磁気信号の検出に用いるべく偏光分離する少なくとも１つの偏光分離素子とを含み、
Ｎ個の受光部群のうち（Ｎ−１）個以下の受光部群による検出光を用いて、前記Ｎ種類の光磁気記録媒体それぞれのサーボ信号を検出することを特徴とする光ピックアップである。

また本発明は、前記位相補償手段は、位相補償素子と光分岐部に設けられる偏光膜とのうち少なくともいずれか一方であることを特徴とする。

また本発明は、前記Ｎ個、Ｍ番目の分岐光路で所定の固定位相δＭ（Ｍ＝１，２，・・ｊ−１，ｊ＋１，・・Ｎ）を与える際に、ｊ番目の固定位相差δｊを基準値としての差異（δＭ−δｊ）を固定位相として設定し、前記固定位相（δＭ−δｊ）を、ｊ番目を除く全ての分岐光路の偏光膜に与え、かつｊ番目の分岐光路では固定位相（−δｊ）を与え、かつ全ての分岐光路にまたがり、かつ固定位相δｊを与える固定位相補償素子を有することを特徴とする。

また本発明は、前記Ｎ個の光分岐部が光を分岐するためにそれぞれ反射する反射率は、
Ｎ個の光分岐部による分岐光路でそれぞれ検出される光磁気信号の変調度または信号出力レベルに応じて、重み付けされて設定されることを特徴とする。

また本発明は、前記偏光分離素子は、
複数の回折部を備え、偏光に依存して回折効率が変わる回折素子であり、
Ｎ個の光分岐部による分岐光路のうち、２つ以上の分岐光路にまたがるように、かつＭ番目の光分岐部による分岐光路においてはＭ番目の位相補償手段とＭ番目の受光部群との間に配置されることを特徴とする。

また本発明は、前記光分岐素子を装着する基台部と、前記光源を装着するサブマウント部と、前記Ｎ個の光分岐部によって分岐されたＮ個の分岐光路上に配置され、Ｎ個の分岐光をＮ個の受光部群へ導く少なくとも１つのミラー部とをさらに含み、
基台部の１表面は、サブマウント部、Ｎ個の受光部群およびミラー部が装着される基準面を構成することを特徴とする。

また本発明は、前記基台部は、前記Ｎ個の受光部群によって構成される１個の受光素子であることを特徴とする。

また本発明は、偏光分離素子および位相補償手段が光分岐素子に固設され、光源、サブマウント、光分岐素子、偏光分離素子、ミラー部および位相補償手段が、基台部に装着されることによって一体的な光学ブロック部材を構成することを特徴とする。

また本発明は、偏光分離素子がミラー部に固設され、位相補償手段が光分岐素子に固設され、光源、サブマウント、光分岐素子、偏光分離素子、ミラー部および位相補償手段が、基台部に装着されることによって一体的な光学ブロック部材を構成することを特徴とする。

また本発明は、受光素子と光源との結線用ランド部を有するユニットベース部と、前記光学ブロック部材をユニットベース部に固定する固定部材と、前記光学ブロック部材を覆う保護部材とをさらに含み、
光学ブロック部材、ユニットベース部、固定部材および保護部材は、受発光ユニットを構成することを特徴とする。

また本発明は、光源は、装着状態にある光磁気記録媒体から最も離反した位置にある光分岐部を臨んで配置され、光源から前記光分岐部に向けて出射される光が入射する光分岐素子の表面上に設けられる２分の１波長板と、
光源から出射され前記光分岐部によって反射された光が通過するように光分岐素子の表面上に設けられる４分の１波長板と、
４分の１波長板に関して光分岐素子と反対側に設けられ、４分の１波長板を通過した光を反射して４分の１波長板を往復通過させる光反射手段とを含むことを特徴とする。

本発明によれば、電気的な駆動制御手段を用いることなく、多層膜で構成される情報記録層を有し、信号再生時に生じる偏光間位相差が互いに異なるＮ種類の光磁気記録媒体のそれぞれに応じた位相補償を行ない、好適な記録／再生条件を実現することができる。このことによって、信号再生時の位相変化が異なるＮ種類の光磁気記録媒体から信号再生する場合における消費電力増加の問題を回避することができる。

また高周波数で応答する必要のある光磁気信号検出系の分岐光路を、サーボ信号検出のための分岐光路とは別途に独立させて設定することができるので、受光位置の細かな調整が必要とされるサーボ信号検出のための分岐光路に設けられる受光部群各々の受光部サイズを大きめに取ることができるなど、サーボ信号検出のための分岐光路における光学系設計公差を緩和することが可能になる。

また、たとえばＮ種類の光磁気記録媒体の中で最も反射光量の大きい、すなわちサーボ信号生成時の迷光ノイズに強い光磁気記録媒体の光磁気信号検出系をサーボ信号検出のための分岐光路として用いるとき、残余の（Ｎ−１）種類の光磁気記録媒体において光磁気信号を検出するに際し、光磁気信号検出系の分岐光路に混入する迷光の発生を防止することができる。したがって、残余の（Ｎ−１）種類の光磁気記録媒体における光磁気信号検出系での光磁気信号品質を改善することが可能であり、迷光対策として最も有効な分岐光路配置となる。

また各分岐光路から選択される任意の光路について光路長の補償を行うことができるので、特定の光路においてのみ受光部群の各受光部サイズを小さくして、ノイズ低減対策や高速応答対応を容易に行なうことができる。

さらに位相補償手段に光分岐部に設けられる偏光膜を用いるとき、光分岐素子の各分岐部において反射光に対して異なる位相差を与えることができるので、各分岐部が位相補償機能をそれぞれ持つことになり、光分岐部と位相補償手段とを一体化することができる。このとき、光路長の補償には等方性の硝子材を用いることができるので、単に光分岐素子の形状を光路長の補償分に応じて変えることによって光路長補償が可能になり、一層簡潔な構成にすることができる。

また本発明によれば、光ピックアップが、Ｎ個の光分岐部によって分岐されたすべての光に固定位相δｊを付与するもう一つの位相補償手段をさらに含む。たとえば位相補償手段が光分岐部に設けられる偏光膜とすべての分岐光路にある位相補償素子から成るとき、偏光間に透過率の差を有する偏光膜を光分岐部に形成するに際し、所望の偏光間透過率を有するＭ番目の偏光膜は、所望の偏光間位相差の相対的な差（δＭ−δｊ）を予め定める関係になるようにし（位相差を最終的に与えない光分岐部でのみ位相差−δｊを与える）て、所望の偏光間位相差を得るための固定位相δｊを位相補償素子で付加することによって実現される。このことによって、各光分岐部に設けられる偏光膜での位相付与（δＭ−δｊ）と、全ての分岐光路において共通に固定位相δｊを与える位相補償素子とで、光ピックアップの構成要素を増加させることなく、複数種の光磁気記録媒体それぞれに応じた位相補償機能が実現される。

また本発明によれば、Ｎ個の光分岐部が光を分岐するためにそれぞれ反射する反射率は、Ｎ個の光分岐部による分岐光路でそれぞれ検出される光磁気信号の変調度または信号出力レベルに応じて、重み付けされて設定される。このことによって、光分岐部によって分岐される光を受光する各受光部群での各受光部のサイズ、または光分岐部で分岐した系で検出する光磁気信号の変調度を考慮して、各分岐光路毎に反射率を決めることができる。すなわち、光磁気信号の変調度だけでなく、受光部群での各受光部サイズが小さくても位置調整によって光磁気信号品質を向上できる分岐光路であるか、または調整時の誤差吸収のために受光部群での各受光部サイズが大きくなっている分岐光路であるか、などの条件を加味して反射率を定めることができるので、より良好な光磁気信号再生条件を得ることができる。また、反射率の低い分岐光路を、再生パワーの小さい光磁気記録媒体の信号検出に用いるとき、光源の光量を増大させることによって、反射率の低下を補うこともできる。

また本発明によれば、分岐光路ごとに光ビームの最終スポットサイズが異なる場合や偏光ごとのスポットの到達位置を変えたりする場合、偏光分離素子である回折素子の回折格子の格子ピッチを変えて分岐角度を変えたり、また波面変換機能を付与したりということを、分岐光路ごとに行うことができる。したがって、Ｎ個の分岐光路ごとに、最も好適な状態で各分岐光をＮ個の受光部群にそれぞれ導くことができる。

また本発明によれば、光分岐素子を装着する基台部の１表面は、サブマウント部、Ｎ個の受光部群およびミラー部が装着される基準面を構成する。このことによって、たとえばサーボ信号を検出するための分岐光路において、サブマウントに装着される光源や受光部群と同一の装着基準面に対して装着されるミラー部を用いて、受光部群へ光を入射させることができる。したがって、調整時に補正の困難な光軸方向の誤差要因を、サブマウント形状誤差と、ミラー形状誤差と、受光部群配置誤差と、光源配置誤差とに限定される要素にまで減らすことができるので、受光部群に対する入射位置の光軸方向における誤差を低減することができる。好ましくはＮ個の受光部群によって構成される１個の受光素子を基台部とすることによって、光軸方向の誤差要因のうち受光部群配置誤差を解消することができる。このことは、サーボ信号検出用の分岐光路における許容公差を緩和することになり、その結果として他の分岐光路における光学設計上の制約をも緩和することになる。またミラー部による光路長補償が可能になるので、位相補償素子による光路長補償や、偏光膜を用いる場合の光分岐素子の形状変更による光路長補償に加えて多様な光路長補償方法を採ることができ、結果的に光路長補償が容易に行なえるようになる。

また本発明によれば、偏光分離素子および位相補償手段が光分岐素子に固設されるか、または偏光分離素子がミラー部に、位相補償手段が光分岐素子に固設され、これらと、光源およびサブマウントとが、受光素子に装着されて一体的な光学ブロック部材を構成する。また光学ブロック部材と、ユニットベース部と、固定部材と、保護部材とは、受発光ユニットを構成する。このように光ピックアップの基本要素である光学部品が、受発光ユニットとして集積小型化されるので、光学部品の配置誤差を小さくすることができる。

また、偏光分離素子が光分岐素子に固設されて光分岐素子側にあるとき、このことによって偏光分離位置と受光部群との距離を最も長く取ることができるので、偏光分離時の分離角を小さくできる。さらに偏光分離素子と光分岐素子とが一体化されることによって分離角ずれが起こりにくくなるので、分岐部によって分岐された光を受光部群に入射させるに際し、ミラー部の回転調整量や光軸に対する平行あるいは垂直移動調整量を少なくすることができる。

また偏光分離素子がミラー部に固設されて一体化されるとき、ミラー部の位置調整に伴う角度調整によって相対的な偏光分離角を変化させることができるので、より小さな回転角で角度に関する位置調整を行うことができる。したがって、サーボ信号調整の際に、ミラー部の回転によるミラー反射時のスポットの変形、たとえばサイズが大きくなるような変形を効率良く抑えることができる。

また本発明によれば、光源から光分岐部に向けて出射される光が入射する光分岐素子の表面上に２分の１波長板が設けられ、光源から出射され光分岐部によって反射された光が通過するように光分岐素子の表面上に４分の１波長板が設けられ、さらに４分の１波長板に関して光分岐素子と反対側に４分の１波長板を通過した光を反射させる光反射手段が設けられる。このことによって、光源から出射された光が光磁気記録媒体に達するまでの往路においても、その光路上にサーボ信号生成に必要な回折格子などの光ビームを複数に分割する光学素子を配置するスペースを形成できる。

図１は、本発明の実施の一形態である光ピックアップ２０の構成を簡略化して示す系統図である。光ピックアップ２０は、多層膜で構成される情報記録層を有し、信号再生時に生じる偏光間位相差が互いに異なる複数種類の光磁気記録媒体２１（本実施の形態では、２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄの４種類）に情報を記録および／または再生する装置である。

光ピックアップ２０は、光を出射する光源２２と、光源２２が装着されるサブマウント２３と、光源２２から出射され光磁気記録媒体２１で反射された反射光を分岐する光分岐素子２４であって４個の光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄを有する光分岐素子２４と、４個の光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄによって分岐された光をそれぞれ受ける４個の受光部群２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄと、４個の光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄのうち、１番目の光分岐部２５ａを除く残余の３個の光分岐部２５ｂ，２５ｃ，２５ｄによる分岐光路上に配置され、残余の３個の光分岐部２５ｂ，２５ｃ，２５ｄのうち、Ｍ（Ｍ＝２，３，４）番目の光分岐部によって分岐された光に固定位相δＭを付与する３個の位相補償手段２７ｂ，２７ｃ，２７ｄと、４個の光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄによって分岐される光を光磁気信号の検出に用いるべく偏光分離する２つの第１および第２偏光分離素子２８，２９と、光分岐素子２４から出射した光を略平行にするコリメータレンズ３０と、コリメータレンズ３０を透過した光を光磁気記録媒体の情報記録層に集光する対物レンズ３１とを含んで構成される。

光源２２は、たとえば半導体レーザである。サブマウント２３は、光源２２を保持するとともに、光源２２から発生する熱を放散する機能をも備える保持部材である。なお光源２２は、サブマウント２３に保持される構成に限定されることなく、他の構成であってもよい。

光分岐素子２４に備わる光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄは、光源２２から光磁気記録媒体２１に向って出射される光を透過（一部の光を反射する構成であってもよい）させ、光磁気記録媒体２１による反射光の一部を反射し残部を透過（光分岐部２５ｄのみは、反射光の全部を反射する構成であってもよい）させることによって、光を分岐する。

前述のように第２番目〜第４番目の光分岐部２５ｂ，２５ｃ，２５ｄによって分岐された光路上であって、第１および第２偏光分離素子２８，２９との間に設けられる位相補償手段２７ｂ，２７ｃ，２７ｄは、本実施の形態では位相補償素子である。

ここで位相補償素子の例としては、複屈折材料を所定の固定位相が偏光間で生じる（固定位相を付与する）ように結晶軸を相互に傾けて貼り合わせて構成するものや、所定の固定位相差が偏光間で生じるような厚さの複屈折性フィルムを等方性ガラス上に貼ったタイプの素子などを挙げることができる。

位相補償素子２７ｂは、第２番目の光分岐部２５ｂによって分岐された光に固定位相δ２を付与し、位相補償素子２７ｃは、第３番目の光分岐部２５ｃによって分岐された光に固定位相δ３を付与し、位相補償素子２７ｄは、第４番目の光分岐部２５ｄによって分岐された光に固定位相δ４を付与し、位相補償を行なうすなわち偏光間の位相差を補正する。

位相補償素子２７ｂ，２７ｃ，２７ｄによってそれぞれ位相補償された光は、各位相補償素子２７ｂ，２７ｃ，２７ｄと第１および第２偏光分離素子２８，２９との間に設けられるカバーガラス３２ｂ，３２ｃ，３２ｄを透過した後、第１および第２偏光分離素子２８，２９へ入射する。カバーガラス３２ｂ，３２ｃ，３２ｄは、光分岐部２５ｂ，２５ｃ，２５ｄによって分岐され、受光部群２６ｂ，２６ｃ，２６ｄに受光される各光の実光路長が、光分岐部２５ａによって分岐されて受光部群２６ａに受光される光の実光路長とともに、ほぼ等しくなるように調整する調整部材である。カバーガラス３２ｂ，３２ｃ，３２ｄには、実光路長をほぼ等しくする目的に従い、各分岐光に応じた屈折率を有するものが適宜選択される。

偏光分離素子には、偏光ホログラムや複屈折性のプリズムなどを、偏光分離素子による偏光分離角度と、その配置関係に応じて適宜選択して用いることができ、これらを単独または複数で用いてもよい。本実施の形態では、第１偏光分離素子２８に偏光ホログラムを用い、第２偏光分離素子２９に複屈折性のプリズムを用いている。第１および第２偏光分離素子２８，２９は、光磁気信号の検出に用いられる分岐光を偏光分離して受光部群２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄに受光させる。

４つの受光部群２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄは、１つの基板に設けられて１つの受光素子３３を構成する。なお図１中紙面に向かって左方に示す部材は、矢符３４方向から見た受光素子３３である。各受光部群は、複数の受光部群が１つのベースに固定されるように構成され、本実施の形態では、第１番目の受光部群２６ａは、４つの受光部２６ａ１，２６ａ２，２６ａ３，２６ａ４からなり、第２番目の受光部群２６ｂは、３つの受光部２６ｂ１，２６ｂ２，２６ｂ３からなり、第３番目の受光部群２６ｃは、３つの受光部２６ｃ１，２６ｃ２，２６ｃ３からなり、第４番目の受光部群２６ｄは、２つの受光部２６ｄ１，２６ｄ２からなる。受光素子３３を構成する最小単位である各受光部は、たとえばフォトダイオードなどの光電変換素子である。

前述のように構成される光ピックアップ２０では、異なる４種類の光磁気記録媒体２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに記録されている光磁気信号の再生が以下のように行なわれる。位相補償素子２７ｂで位相補償される位相δ２に相当する偏光間位相差を信号再生時に発生する光磁気記録媒体２１ｂを再生する場合、受光部群２６ｂを用いて信号再生を行う。位相補償素子２７ｃで位相補償される位相δ３に相当する偏光間位相差を信号再生時に発生する光磁気記録媒体２１ｃを再生する場合、受光部群２６ｃを用いて信号再生を行う。位相補償素子２７ｄで位相補償される位相δ４に相当する偏光間位相差を信号再生時に発生する光磁気記録媒体２１ｄを再生する場合、受光部群２６ｄを用いて信号再生を行う。また偏光間位相差を生じない光磁気記録媒体２１ａを再生する場合、受光部群２６ａを用いて信号再生を行う。

このような信号再生方法によれば、光磁気記録媒体の種類が変わるごとに、電気的に駆動させて位相補償量を切り替える位相補償手段を用いることが不要になるので、消費電力量の増加を防ぐことができる。なお、この効果は以下の実施の形態すべてに共通する。

また、いずれの光磁気記録媒体の信号再生を行う場合においても、受光部群を構成する受光部の大きさが最大の受光部サイズを有する受光部群２６ａに入射する光を用いてサーボ信号検出を行うことによって、サーボ信号検出のために、分岐部２５ａからの分岐光を受光部群２６aに導くための光路調整が容易になる。このことによって、たとえば光磁気記録媒体２１ｃから光磁気信号を再生するとき、ノイズ低減対策や高速応答が必要な場合、サーボ調整動作の繁雑さを軽減もしくは排除することができるので、適宜光路長を調整して受光部群２６ｃのように受光部群を構成する各受光部サイズを小さくすることができる。

さらに、４種類の光磁気記録媒体の中で最も反射光量の大きい、すなわちサーボ信号生成時の迷光ノイズに強い光磁気記録媒体の光磁気信号検出系をサーボ信号検出のための分岐光路として用いると、残余の３種類の光磁気記録媒体において光磁気信号を検出するに際し、光磁気信号検出系の分岐光路に混入する迷光の発生を防止することができる。したがって、残余の３種類の光磁気記録媒体における光磁気信号検出系での光磁気信号品質を改善することができ、迷光対策として最も有効な分岐光路配置となる。

以下サーボ信号および光磁気信号検出について、受光部群２６ａを例に説明する。図２は、図１に示すＡ部の拡大図である。まず光磁気信号について説明する。第１偏光分離素子２８である偏光ホログラムの回折部３５は、光分岐素子２４の光分岐部２５ａによる分岐光路上に配される。この回折部３５によって偏光分離された光は、受光部群２６ａの受光部２６ａ１，２６ａ４の２つと、受光部２６ａ２，２６ａ３の２つに略均等に受光され、この差動出力から光磁気信号が得られる。次にサーボ信号について説明する。同じく回折部３５によって偏光分離された光は、受光部２６ａ２，２６ａ３とに受光され、この差動出力からプッシュプル法によるトラッキングエラー信号（略称ＴＥＳ）が得られ、受光部２６ａ１，２６ａ４の出力からスポットサイズ法によるフォーカスエラー信号（略称ＦＥＳ）が得られる。

なお、ここで、本実施の形態における回折部３５は、受光部２６ａ１へ入射させる光路に対して、焦点位置を変える機能を有している。このことによって、受光部２６ａ１への光路における受光部２６ａ１に対する入射点が本来の焦点位置のＮＥＡＲ側になり、一方、受光部２６ａ４への光路における受光部２６ａ４に対する入射点が本来の焦点位置のＦＡＲ側になる。したがって、受光部２６ａ１への入射光路と受光部２６ａ４への入射光路とにおいて、それぞれの受光部におけるスポットサイズが同じ場合に合焦点とみなすスポットサイズ法によるＦＥＳ検出が可能となる。

なおサーボ信号としては、受光部群２６ｃの受光部群を構成する各受光部サイズを大きくし、受光部群２６ａの中央の受光部２６ａ２，２６ａ３に入射する光と、受光部群２６ｃの中央の受光部２６ｃ２に入射する光とを用いて、スポットサイズ法によりＦＥＳを得ることもできる。

図３は、本発明の実施の第２形態である光ピックアップ４０の構成を簡略化して示す系統図である。本実施の形態の光ピックアップ４０は、実施の第１形態の光ピックアップ２０に類似し、対応する部分について同一の参照符号を付して説明を省略する。

本実施の形態の光ピックアップ４０において注目すべきは、位相補償手段が、光分岐部２５ｂ，２５ｃ，２５ｄにそれぞれ設けられる偏光膜４１ｂ，４１ｃ，４１ｄからなることである。また光分岐素子２４から光磁気記録媒体２１に向けて出射される光は、半有限系レンズ４２によって低ＮＡ（Numerical Aperture：開口率）化された後、実施の第１形態に用いられたものとは異なる種類の対物レンズ１３１によって光磁気記録媒体２１の情報記録面に集光される。

ここで偏光膜４１ｂ，４１ｃ，４１ｄは、誘電体多層膜で構成が可能である。誘電体多層膜の構成は種々あるが、３種類の誘電体を用い、この内の２種類の膜境界でのブリュースター角がその入射角４５度近傍になるように各誘電体の屈折率を選択して多層膜とする方法がある。この場合には、偏光面が直交する一方の偏光のみがブリュースター角を有しているので、多層膜内において一方の偏光はほとんど透過するが他方は反射するという現象が生じ、多層膜内での反射位置が偏光によって変わるということにつながり、位相差が偏光間で生じることになる。この位相差を利用すれば位相補償が可能となる。

前述のように構成される光ピックアップ４０では、異なる４種類の光磁気記録媒体２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに記録されている光磁気信号の再生が以下のように行なわれる。偏光膜４１ｂで位相補償される位相δ２に相当する偏光間位相差を信号再生時に発生する光磁気記録媒体２１ｂを再生する場合、受光部群２６ｂを用いて信号再生を行う。偏光膜４１ｃで位相補償される位相δ３に相当する偏光間位相差を信号再生時に発生する光磁気記録媒体２１ｃを再生する場合、受光部群２６ｃを用いて信号再生を行う。偏光膜４１ｄで位相補償される位相δ４に相当する偏光間位相差を信号再生時に発生する光磁気記録媒体２１ｄを再生する場合、受光部群２６ｄを用いて信号再生を行う。また偏光間位相差を生じない光磁気記録媒体２１ａを再生する場合、受光部群２６ａを用いて信号再生を行う。

本実施の形態の光ピックアップ４０は、実施の第１形態の光ピックアップ２０と同様の効果を奏することができる。また位相補償手段に偏光膜を用いるとき、位相補償された後の実光路長の調整に、複屈折材料ではなく単なる等方性ガラス材料を用いることが可能になる。本実施の形態の光ピックアップ４０においても、偏光膜４１ｂ，４１ｃ，４１ｄと第１および第２偏光分離素子２８，２９との間に、光の透過厚さが異なる等方性ガラス部材４３ｂ，４３ｃ，４３ｄを設けることによって実光路長を調整している。

図４は、本発明の実施の第３形態である光ピックアップ４５の構成を簡略化して示す系統図である。本実施の形態の光ピックアップ４５は、実施の第１形態の光ピックアップ２０に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。

本実施の形態の光ピックアップ４５において注目すべきは、備えられる偏光分離素子４６が１つであり、偏光ホログラムからなる偏光分離素子４６には、４つの回折部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄが形成されることである。偏光分離素子４６に形成される４つの回折部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの各格子周期は、それぞれ異なる回折角になるように決めることができる。

光ピックアップ４５では、光分岐素子２４と受光部群２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄとの距離が固定されている。したがって、たとえば受光部群においてスポットサイズ法でサーボ信号を検出する場合、受光部群上でデフォーカス点になるよう受光させるので、サーボ信号検出に用いる受光部群とサーボ信号検出に用いない受光部群とにおいて、ビームスポットのサイズが異なることになり、受光部群を構成する各受光部に必要とされる最小のサイズが、受光部群間で異なる。受光部群２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄは、光磁気信号も検出するので、受光部群サイズに合わせて受光部群同志の間隔が定められ、受光部群サイズおよび受光部群同志の間隔に応じた入射位置の設定が必要とされる。受光部群２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄに対する光の入射位置を決めるのは、偏光分離素子４６に形成される各回折部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄによる回折角である。

このように偏光ホログラムからなり、４つの回折部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの形成された偏光分離素子４６を用いることによって、各回折部における回折角を変えることが容易に行なえる。

さらにスポットサイズ法などを二つの光路を用いて行うこともでき、たとえば、受光部２６ａ２と受光部２６ａ３とに達する光路（受光面の後ろで集光）と、受光部２６ｄ２に達する光路（受光面手前で集光）とを利用して、サーボ信号検出のために調整を一層容易にした状態を保ったまま、光磁気信号を検出することが可能になる。

また波面変換機能を付与するなどの操作を、分岐光路ごとに行うことができるので、４個の光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄからの分岐光を、それぞれ最も適した状態にして受光部群２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄに導くことができる。

図５は本発明の実施の第４形態である光ピックアップ５０の構成を簡略化して示す系統図（正面図）であり、図６は図５に示す光ピックアップ５０の右側面図であり、図７は図５に示す光ピックアップ５０の平面図である。本実施の形態の光ピックアップ５０は、実施の第３形態である光ピックアップ４５に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。

光ピックアップ５０は、光分岐素子２４を装着する基台部５１と、光源２２を装着するサブマウント部２３と、４個の光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄによって分岐された４個の分岐光路上に配置され、４個の分岐光を４個の受光部群５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄへ導く少なくとも１つのミラー部５３とをさらに含み、基台部５１の１表面５７は、サブマウント部２３、４個の受光部群５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄが構成する受光素子５４およびミラー部５３が装着される基準面５７を構成する。

光ピックアップ５０では、偏光分離素子４６がミラー部５３に固設され、位相補償手段である位相補償素子２７ｂ，２７ｃ，２７ｄが光分岐素子２４に固設される。さらに光源２２を保持するサブマウント２３、光分岐素子２４、位相補償素子２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ、偏光分離素子４６、ミラー部５３および受光素子５４が、基台部５１の基準面５７上に装着されることによって、一体的な光学ブロック部材５５を構成する。

光ピックアップ５０において、光源２２から出射された光は、光分岐素子２４を透過し、半有限系レンズ４２を透過して低ＮＡ化され、立上げミラー５６によって反射されて略９０度光路を屈曲した後、対物レンズ１３１によって光磁気記録媒体２１の情報記録面に集光される。

光磁気記録媒体２１によって反射された光は、再び対物レンズ１３１を透過し、立上げミラー５６で屈曲され、半有限系レンズ４２を透過した後、光分岐素子２４へ入射する。光分岐素子２４へ入射した光は、４個の光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄによってそれぞれ分岐される。分岐によって生成された４個の分岐光は、偏光分離素子４６の４個の回折部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄによってそれぞれ偏光分離された後、ミラー部５３によって光路が略９０度屈曲されて受光部群５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄへと導かれ、３分割された受光部群５２ａ，５２ｃ，５２ｄと４分割された受光部群５２ｂとによってそれぞれ受光検出される。

本実施の形態の光ピックアップ５０では、受光素子５４が基台部５１の基準面５７上に装着される。同じ基台部５１の基準面５７上に、光分岐素子２４と、ミラー部５３と、光源２２を保持するサブマウント２３とが装着されている。このように、サブマウント２３を介して光源２２と、光分岐素子２４と、ミラー部５３とが、基台部５１の同一基準面５７上に配置されるので、サーボ信号を検出するための分岐光路において、光源２２および受光部群５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄと、装着基準を同じくするミラー部５３とを用いて、受光部群５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄへ光を導き入射させることができる。

したがって、調整時に補正の困難な光軸方向の誤差要因を、サブマウント２３の形状誤差と、ミラー部５３の形状誤差と、受光部群５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄの配置誤差と、光源２２の配置誤差とに限定される要素にまで減らすことができるので、受光部群５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄに対する入射位置の光軸方向における誤差を極小化できる。このことは、サーボ信号検出用の分岐光路における許容公差を緩和することになり、その結果として他の分岐光路における光学設計制約も緩和することになる。

図８は本発明の実施の第５形態である光ピックアップに備わる受発光ユニット６０の構成を簡略化して示す平面図であり、図９は図８の切断面線ＩＸ−ＩＸから見た断面図であり、図１０は図８の切断面線Ｘ−Ｘから見た断面図である。また図１１は、受発光ユニット６０における光路を説明する図である。本実施の形態の光ピックアップは、実施の第４形態の光ピックアップ５０に類似し、構成を同じくする半有限系レンズ４２、対物レンズ１３１や光磁気記録媒体２１については図示を省略するとともに、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。

本実施の形態の光ピックアップに備わる受発光ユニット６０は、光源２２から出射され光磁気記録媒体で反射された反射光を分岐する２個の光分岐部６２ａ，６２ｂを有する光分岐素子６１と、２個の光分岐部６２ａ，６２ｂによって分岐された光をそれぞれ受ける２個の受光部群６３ａ，６３ｂと、２個の光分岐部６２ａ，６２ｂのうち、１番目の光分岐部６２ａによる分岐光路上に配置され、１番目の光分岐部によって分岐された光に固定位相δ１を付与する位相補償手段６４と、２個の光分岐部６２ａ，６２ｂによって分岐される光を光磁気信号の検出に用いるべく偏光分離する偏光分離素子６５と、２個の光分岐部６２ａ，６２ｂによって分岐された２個の分岐光路上に配置されて分岐光を２個の受光部群６３ａ，６３ｂへ導くミラー部５３と、２つの受光部群６３ａ，６３ｂが１つの基板上に装着されて１つの基台部を構成する受光素子６６と、受光素子６６と光源２２との結線用ランド部を有するユニットベース部６７とを含む。なお光分岐部６２ｂによる分岐光路上であって光分岐素子６１と偏光分離素子６５との間には、光路長調整用のスペーサ７４が設けられる。またミラー部５３は、光分岐部６２ａ，６２ｂと受光部群６３ａ，６３ｂとの間の距離が変わるように、２つのミラーエレメント５３ａ，５３ｂで構成される。ここで、ミラー部５３は、このような形態に限定されることなく、他の形態たとえば複数のミラーエレメント５３ａと５３ｂとが独立した形で配置されてもよい。

前述のように本実施の形態の光ピックアップでは、光分岐素子６１が有する光分岐部が２個（６２ａ，６２ｂ）である。したがって、光ピックアップで再生する光磁気記録媒体は２種類であり、２種類の光磁気記録媒体における再生時の偏光間位相差は、一方の光磁気記録媒体でのみ発生し、偏光間位相差の発生する光磁気記録媒体の再生光が、位相補償手段６４の設けられる方を通過し、変更間位相差の発生しない光磁気記録媒体の再生光が、スペーサ７４の設けられる方を通過する。

本実施の形態の光ピックアップに備わる受発光ユニット６０のさらなる特徴は、受発光ユニット６０において、光源２２が、装着状態にある光磁気記録媒体から最も離反した位置にある光分岐部６２ｂを臨んで配置され、光源２２から光分岐部６２ｂに向けて出射される光が入射する光分岐素子６１の表面６１ａ上に設けられる２分の１（１／２）波長板７１と、光源２２から出射され光分岐部６２ｂによって反射された光が通過するように光分岐素子６１の表面６１ｂ上に設けられる４分の１（１／４）波長板７２と、１／４波長板７２に関して光分岐素子６１と反対側に設けられ、１／４波長板７２を通過した光を反射して１／４波長板７２を往復通過させる光反射手段７３とを有することである。

また、光源２２を保持するサブマウント２３、光分岐素子６１、光分岐素子６１に装着される１／２波長板７１および１／４波長板７２、１／４波長板７２を介して光分岐素子６１に固設される光反射手段７３、光分岐素子６１に固設される位相補償手段６４およびスペーサ７４、位相補償手段６４とスペーサ７４とを介して光分岐素子６１に固設される偏光分離素子６５およびミラー部５３が、基台部をなす受光素子６６の基準面７５上に装着されて一体的に光学ブロック部材７０を構成する。光学ブロック部材７０は、受光素子６６の基準面７５の反対面が固定部材６８を介してユニットベース部６７に固定され、さらに光学ブロック部材７０を覆うようにして保護部材６９がユニットベース部６７に装着されることによって受発光ユニット６０が構成される。なお、このユニットベース部６７には、結線用ランド部８５が形成されており、受光素子６６に形成された結線用パッド部８６に対してワイヤで結線されている。

本実施の形態における位相補償手段６４は、波長板６４である。この波長板には、たとえば磁壁移動により高密度の記録／再生を行なうＤＷＤＤ（DomainWall Displacement
Detection）方式の光磁気記録媒体の場合には、４０度の位相補償用λ／９板が用いられる。偏光分離素子６５は、偏光ホログラム６５である。光学ブロック部材７０では、前述のように波長板６４が光分岐素子６１に固設され、さらに偏光ホログラム６５が波長板６４を介して光分岐素子６１に固設される。すなわち、光分岐素子６１と波長板６４と偏光ホログラム６５とが一体化されている。

このように偏光ホログラム６５が光分岐素子６１に固設されることによって、分岐光の偏光分離される位置と受光部群６３ａ，６３ｂとの距離を長く取ることができるので、偏光分離時の分離角を相対的に小さくすることができる。

また偏光ホログラム６５と光分岐素子６１とが一体化されることによって、分離角ずれが起こりにくくなるので、分岐部からの光を受光部群６３ａ，６３ｂに入射させるに際し、ミラー部５３の回転調整量や光軸に対する平行あるいは垂直移動調整量を少なくすることができる。

また受光素子６６が基台部をなし、受光素子６６の基準面７５を、サブマウント２３や、光分岐素子６１、ミラー部５３などを装着する共通基準面としているので、サーボ信号を検出するための分岐光路において、受光部群６３ａ，６３ｂへ光を入射させる際の光軸方向の誤差要因を、サブマウント２３の形状誤差と、ミラー部５３の形状誤差と、光源２２の配置誤差とに限定される要素にまでさらに減らすことができる。したがって、受光部群６３ａ，６３ｂに対する入射位置の光軸方向における誤差をさらに極小化することができる。また光学ブロック部材７０をユニットベース部６７に装着し、保護部材６９で覆って受発光ユニット６０を構成することによって、装置の主要部が小型化されるので、各光学部材の配置誤差を小さくすることができる。

また受発光ユニット６０では、前述のように光分岐素子６１に装着される１／２波長板７１、１／４波長板７２および光反射手段７３を設けることによって、光が光源２２から出射される方向と、光が受発光ユニット６０から光磁気記録媒体に向けて出射される方向とが、略直角になるように光源２２を配置することができる。このように配置することによって、光源２２から光分岐部６２ｂまでの往路における光路長を伸ばすことができ、また光分岐部６２ａ，６２ｂで分岐後の光路長を長くして、偏光ホログラム６５とミラー部５３との間で調整ためのマージンを確保したり、光分岐部６２ａによる分岐光路と光分岐部６２ｂによる分岐光路との光路長合わせを容易にすることができる。

以下図１１を参照し、受発光ユニット６０において、光源２２から光分岐部６２ａ，６２ｂまでの光路と、光分岐部６２ａ，６２ｂから受発光ユニット６０を出射するまでの光路について説明する。まず光源２２から光分岐素子６１に向って出射された第１光７６（以後、光路毎の区別を明確にするために各光路の光に順位を付けて表記する）は、図１１中の矢符８１方向に偏光方向を有するＰ偏光である。第１光７６は、１／２波長板７１を通過することによって偏光面が９０度回転されたＳ偏光の第２光７７となって光分岐素子６１へ入射する。光分岐素子６１の光分岐部６２ｂには、Ｐ偏光を９０％透過して１０％反射し、Ｓ偏光を１００％反射する性質の偏光膜が形成されている。したがって、光分岐部６２ｂでは、１／４波長板７２に向って第２光７７が反射されて第３光７８となる。

第３光７８は、１／４波長板７２を通過することによって偏光面が円偏光になり、さらに光反射手段７３である反射型回折素子によって回折されつつ反射されて再度１／４波長板７２を通過して第４光７９となる。第３光７８から第４光７９になる過程において１／４波長板７２を往復通過するので、第４光７９は、再度偏光面が回転して矢符８２方向に偏光方向を有するＰ偏光になる。光分岐部６２ｂではＰ偏光が９０％透過するので、第４光７９は、受発光ユニット６０から出射する方向に進む。次に第４光７９が通過する光分岐部６２ａは、Ｐ偏光を９０％透過して１０％反射し、Ｓ偏光を５０％透過して５０％反射する性質の偏光膜が形成されているので、光分岐部６２ａ，６２ｂに形成された偏光膜が、光磁気信号再生時のカー回転角増倍の効果をそれぞれ有している。

なお光反射手段７３は、反射型回折素子によって構成されるけれども、これに限定されることなく、たとえば単純なミラーが設けられる構成であってもよく、また１／４波長板７２の表面に直接光反射面を形成する構成であってもよい。本実施の形態では、光反射手段７３に反射型回折素子を用い、この反射型回折素子の格子を位相格子（回折光に複数の位相の光が混在する回折格子）にして３ビームを発生させ、差動プッシュプル法によるトラッキング信号の検出が可能なようにしてある。このことによって、２種の異なるトラックピッチを有する光磁気記録媒体のいずれを再生する場合においても、安定したトラッキング動作をすることができる。

図１２は本発明の実施の第６形態である光ピックアップに備わる受発光ユニット９０の構成を簡略化して示す平面図であり、図１３は図１２の切断面線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩから見た断面図であり、図１４は図１２の切断面線ＸＩＶ−ＸＩＶから見た断面図である。本実施の形態の光ピックアップに備わる受発光ユニット９０は、実施の第５形態の光ピックアップに備わる受発光ユニット６０に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。なお本実施の形態の光ピックアップも実施の第４形態の光ピックアップと、半有限系レンズ４２、対物レンズ１３１や光磁気記録媒体２１について構成を同じくするので、図示を省略した。

本実施の形態の光ピックアップに備わる受発光ユニット９０において注目すべきは、光学ブロック部材９１の構成部材である偏光分離素子９２がミラー部９３に固設され、位相補償手段９４が光分岐素子９５に固設されることである。本実施の形態では、位相補償手段９４は波長板９４であり、偏光分離素子９２は偏光ホログラム９２である。波長板９４と光分岐素子９５とが一体化され、ミラー部９３と偏光ホログラム９２とが一体化されることによって、ミラー部９３の位置調整に伴う角度調整によって相対的な偏光分離角を変化させることができるので、より小さな回転角で角度に関する位置調整を行うことができる。したがって、サーボ信号調整の際に、ミラー部９３の回転によるミラー反射時のスポットの変形、たとえばサイズが大きくなるような変形を効率良く抑えることが可能になる。

本実施の形態の光ピックアップにおいても、実施の第５形態の光ピックアップと同様、光分岐素子９５が有する光分岐部が２個（９６ａ，９６ｂ）である。したがって、光ピックアップで再生する光磁気記録媒体は２種類であり、２種類の光磁気記録媒体における再生時の偏光間位相差は、一方の光磁気記録媒体でのみ発生し、偏光間位相差の発生する光磁気記録媒体の再生光が、位相補償手段である波長板９４の設けられる方を通過する。

図１５は、本発明の実施の第７形態である光ピックアップ１００の構成を簡略化して示す系統図である。本実施の形態の光ピックアップ１００は、実施の第２形態である光ピックアップ４０に類似し、対応する部分については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

たとえば、各光分岐部での偏光間の位相差を偏光膜によって、位相差の目標値として、δ１、δ２、δ３、δ４（δ４＝０）を与える必要があるときに、偏光膜の設計では、その膜での偏光間の透過率調整のために、この各偏光膜で与える位相としては、上記の値に設定できない場合がある。これは、位相差と透過率とが膜設計では、関連が強いことに起因する。一方で、各偏光膜で、δ´１（＝δ１−δ０）、δ´２（＝δ２−δ０）、δ´３（＝δ３−δ０）、δ´４（＝δ４−δ０＝δ０）（ここでδ０は一定の位相差）という値を偏光膜の偏光間位相差の目標にすれば、偏光膜を設計することができる場合がある。ここで、各光分岐部での光路に共通の位相補償δ０を加える位相補償素子を置くことで、各光分岐部での偏光間の位相差は、それぞれの光分岐部での位相差が、δ´１＋δ０＝δ１、δ´２＋δ０＝δ２、δ´３＋δ０＝δ３、δ´４＋δ０＝δ４（δ４＝０）となり、結果としてもとの目標値（δ１〜δ４（δ４＝０））に到達する。つまり、偏光膜と位相補償素子との組合せで位相補償を行うので、その設定値の自由度も上がることになり、目標の位相差を各光分岐部に与えることがより簡単にできる。

なお光ピックアップ１００では、偏光分離素子として、実施の第３形態の光ピックアップ４５に用いられた偏光ホログラムからなる偏光分離素子４６が用いられ、偏光分離素子４６の４つの回折部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの各回折格子が、それぞれ異なる回折性能を持つように定められている。

図１５では光路補償用のスペーサである等方性ガラス部材４３ｂ，４３ｃ，４３ｄが位相補償素子１０１側に取付けられているが、これは、受光部上でのスポットサイズを分岐光路ごとに変える機能を有しており、受光部上でのスポットサイズを所定のサイズに小さくしたりすることも容易にできる。

また、偏光分離素子として、偏光ホログラムを持つ構成にすることで、位相補償δ０を加える位相補償素子を、偏光ホログラム側に簡単に一体化することができる。この場合、受光部上でのスポットサイズの調整は、等方性ガラス部材４３ｂ，４３ｃ，４３ｄを用いずに、ホログラム自体に波面変換作用を持たせるなどして、偏光ホログラムを使って行うことができる。

したがって、偏光膜と位相補償素子と２つの位相補償手段を持つにも関わらず、部品点数を増やすことなしに目的の位相補償をしながらの偏光分離検出が可能になる。

このように、光ピックアップ１００は、光分岐部２５ｂ，２５ｃ，２５ｄに設けられる偏光膜４１ｂ，４１ｃ，４１ｄと、光分岐素子２４によるすべての分岐光路上に共通して設けられる位相補償素子１０１の構成部材を追加することなく、複数種の光磁気記録媒体に対応可能な位相補償を実現することができる。

また光ピックアップ１００では、光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄの各反射率は、各光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄによって分岐された分岐光路でそれぞれ検出される光磁気信号の変調度または信号出力レベルに応じて、重み付けされて設定されても良い。すなわち、光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄによって分岐される光を受光する受光部のサイズ、または光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄで分岐した系で検出する光磁気信号の変調度を考慮して、各分岐光路毎に反射率を決めることができる。

たとえば、各受光部群を構成する受光部の受光部サイズが等しいという状態においては、光磁気記録媒体２１に近い方から順に、信号再生時の光量を多くする方が有利な光磁気記録媒体２１の光磁気信号検出に適するように、光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄを配置する方が適切である。すなわち、光分岐部２５ａから光分岐部２５ｄに向う順に透過率が大きくなるように配置することが望ましい。

一方、光磁気記録媒体２１に対して遠い側の光分岐部２５ｄから近い側の光分岐部２５ａに向って、光分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄに対応する受光部のサイズが小さくなっていく場合、反射率は重み付けして設定される方が良いけれども、光分岐部同志の反射率の差は小さく設定する。

このように、光磁気信号の変調度だけでなく、受光部群を構成する受光部サイズが小さくても位置調整によって光磁気信号品質を向上できる分岐光路であるか、または調整時の誤差吸収のために受光部群を構成する受光部サイズが大きくなっている分岐光路であるか、などの条件を加味して反射率を定めることができるので、より良好な光磁気信号再生条件を得ることができる。また、反射率の低い分岐光路を、再生パワーの小さい光磁気記録媒体の信号検出に用いるとき、光源の光量を増大させることによって、反射率の低下を補うこともできる。

以上に述べたように本実施の形態では、光分岐素子に備わる光分岐部は、２または４個であるけれども、これに限定されることなく、３個または５個以上であってもよい。

本発明の実施の一形態である光ピックアップ２０の構成を簡略化して示す系統図である。 図１に示すＡ部の拡大図である。 本発明の実施の第２形態である光ピックアップ４０の構成を簡略化して示す系統図である。 本発明の実施の第３形態である光ピックアップ４５の構成を簡略化して示す系統図である。 本発明の実施の第４形態である光ピックアップ５０の構成を簡略化して示す系統図（正面図）である。 図５に示す光ピックアップ５０の右側面図である。 図５に示す光ピックアップ５０の平面図である。 本発明の実施の第５形態である光ピックアップに備わる受発光ユニット６０の構成を簡略化して示す平面図である。 図８の切断面線ＩＸ−ＩＸから見た断面図である。 図８の切断面線Ｘ−Ｘから見た断面図である。 受発光ユニット６０における光路を説明する図である。 本発明の実施の第６形態である光ピックアップに備わる受発光ユニット９０の構成を簡略化して示す平面図である。 図１２の切断面線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩから見た断面図である。 図１２の切断面線ＸＩＶ−ＸＩＶから見た断面図である。 本発明の実施の第７形態である光ピックアップ１００の構成を簡略化して示す系統図である。 位相補償素子を備える従来の光ピックアップ１の構成を示す系統図である。

符号の説明

２０，４０，４５，５０，１００ 光ピックアップ
２１ 光磁気記録媒体
２２ 光源
２３ サブマウント
２４，６１，９５ 光分岐素子
２５，６２，９６ 光分岐部
２６，５２，６３ 受光部群
２７，４１，６４，９４，１０１ 位相補償手段
２８，２９，４６，６５，９２ 偏光分離素子
３２ カバーガラス
３３，５４，６６ 受光素子
４３ 等方性ガラス部材
５１ 基台部
５５，７０，９１ 光学ブロック部材
６７ ユニットベース部
６８ 固定部材
６９ 保護部材
７１ ２分の１波長板
７２ ４分の１波長板
７３ 光反射手段
８５ 結線用ランド部
８６ 結線用パッド部

Claims (11)

1. 多層膜で構成される情報記録層を有し、信号再生時に生じる偏光間位相差が互いに異なるＮ種類の光磁気記録媒体に情報を記録および／または光磁気記録媒体から情報を再生する光ピックアップにおいて、
   光を出射する光源と、
   光源から出射され光磁気記録媒体で反射された反射光を分岐する光分岐素子であってＮ個の光分岐部を有する光分岐素子と、
   Ｎ個の光分岐部によって分岐された光を受けるＮ個の受光部群と、
   Ｎ個の光分岐部のうち、ｉ番目の光分岐部を除く残余の（Ｎ−１）個の光分岐部による分岐光路上に配置され、前記残余の（Ｎ−１）個の光分岐部のうち、Ｍ（Ｍ＝１，２，・・ｉ−１，ｉ＋１，・・Ｎ）番目の光分岐部によって分岐された光に固定位相δＭを付与する（Ｎ−１）個の位相補償手段と、
   Ｎ個の光分岐部によって分岐される光を光磁気信号の検出に用いるべく偏光分離する少なくとも１つの偏光分離素子とを含み、
   Ｎ個の受光部群のうち（Ｎ−１）個以下の受光部群による検出光を用いて、前記Ｎ種類の光磁気記録媒体それぞれのサーボ信号を検出することを特徴とする光ピックアップ。
2. 前記位相補償手段は、
   位相補償素子と光分岐部に設けられる偏光膜とのうち少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ。
3. 前記Ｎ個、Ｍ番目の分岐光路で所定の固定位相δＭ（Ｍ＝１，２，・・ｊ−１，ｊ＋１，・・Ｎ）を与える際に、ｊ番目の固定位相差δｊを基準値としての差異（δＭ−δｊ）を固定位相として設定し、前記固定位相（δＭ−δｊ）を、ｊ番目を除く全ての分岐光路の偏光膜に与え、かつｊ番目の分岐光路では固定位相（−δｊ）を与え、かつ全ての分岐光路にまたがり、かつ固定位相δｊを与える固定位相補償素子を有することを特徴とする請求項２記載の光ピックアップ。
4. 前記Ｎ個の光分岐部が光を分岐するためにそれぞれ反射する反射率は、
   Ｎ個の光分岐部による分岐光路でそれぞれ検出される光磁気信号の変調度または信号出力レベルに応じて、重み付けされて設定されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光ピックアップ。
5. 前記偏光分離素子は、
   複数の回折部を備え、偏光に依存して回折効率が変わる回折素子であり、
   Ｎ個の光分岐部による分岐光路のうち、２つ以上の分岐光路にまたがるように、かつＭ番目の光分岐部による分岐光路においてはＭ番目の位相補償手段とＭ番目の受光部群との間に配置されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光ピックアップ。
6. 前記光分岐素子を装着する基台部と、前記光源を装着するサブマウント部と、前記Ｎ個の光分岐部によって分岐されたＮ個の分岐光路上に配置され、Ｎ個の分岐光をＮ個の受光部群へ導く少なくとも１つのミラー部とをさらに含み、
   基台部の１表面は、サブマウント部、Ｎ個の受光部群およびミラー部が装着される基準面を構成することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光ピックアップ。
7. 前記基台部は、
   前記Ｎ個の受光部群によって構成される１個の受光素子であることを特徴とする請求項６記載の光ピックアップ。
8. 偏光分離素子および位相補償手段が光分岐素子に固設され、光源、サブマウント、光分岐素子、偏光分離素子、ミラー部および位相補償手段が、基台部に装着されることによって一体的な光学ブロック部材を構成することを特徴とする請求項６または７記載の光ピックアップ。
9. 偏光分離素子がミラー部に固設され、位相補償手段が光分岐素子に固設され、光源、サブマウント、光分岐素子、偏光分離素子、ミラー部および位相補償手段が、基台部に装着されることによって一体的な光学ブロック部材を構成することを特徴とする請求項６または７記載の光ピックアップ。
10. 受光素子と光源との結線用ランド部を有するユニットベース部と、前記光学ブロック部材をユニットベース部に固定する固定部材と、前記光学ブロック部材を覆う保護部材とをさらに含み、
    光学ブロック部材、ユニットベース部、固定部材および保護部材は、受発光ユニットを構成することを特徴とする請求項８または９記載の光ピックアップ。
11. 光源は、装着状態にある光磁気記録媒体から最も離反した位置にある光分岐部を臨んで配置され、光源から前記光分岐部に向けて出射される光が入射する光分岐素子の表面上に設けられる２分の１波長板と、
    光源から出射され前記光分岐部によって反射された光が通過するように光分岐素子の表面上に設けられる４分の１波長板と、
    ４分の１波長板に関して光分岐素子と反対側に設けられ、４分の１波長板を通過した光を反射して４分の１波長板を往復通過させる光反射手段とを含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の光ピックアップ。

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