JP2004343091A5

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Publication number: JP2004343091A5
Application number: JP2004123375A
Authority: JP
Filing date: 2004-04-19
Publication date: 2007-05-31
Anticipated expiration: 2024-04-19

Claims

連続的に出力されるビームを被照射物上において走査する手段を有し、
前記走査する手段は平面又は曲面を有する鏡面体を有し、
前記鏡面体は前記ビームの光軸上に配置されるよう軸に固定され、前記軸を中心として回転することを特徴とするビーム照射装置。
請求項１において、
前記走査する手段を複数有することを特徴とするビーム照射装置。
請求項１又は２において、
前記軸は、一端部、又は両端部に支持棒が設けられることを特徴とするビーム照射装置。
連続的に出力されるビームを被照射物上において走査する手段を有し、
前記走査する手段は平面又は曲面を有する複数の鏡面体を有し、
前記複数の鏡面体は前記ビームの光軸上に、前記鏡面体の側面が互いに接しないよう軸に固定され、前記軸を中心として回転することを特徴とするビーム照射装置。
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記被照射物と、前記ビームを相対的に移動させる手段を有することを特徴とするビーム照射装置。
請求項５において、
前記移動させる手段は、前記走査する手段の走査と同期して移動するように制御する制御装置を有することを特徴とするビーム照射装置。
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記ビームは、ＹＶＯ_４レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ_３レーザ、及びＡｒレーザのいずれかから射出されたビームであることを特徴とするビーム照射装置。
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記ビームを線状に加工する光学系を有し、前記光学系は前記ビームの発振器と、前記走査する手段との間に配置されることを特徴とするビーム照射装置。
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記走査する手段と、前記被照射物との間にはｆθレンズが配置されることを特徴とするビーム照射装置。
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記走査する手段と、前記被照射物との間にはテレセントリックｆθレンズが配置されることを特徴とするビーム照射装置。
平面又は曲面を有する複数の鏡面体を、連続的に出力されるビームの光軸上に配置されるように軸に固定し、
前記複数の鏡面体を前記軸を中心として回転させ、前記ビームを順に反射させることにより、被照射物上において前記ビームを走査し、
前記鏡面体の面毎に、前記ビームと、前記被照射物との相対的な位置を制御することを特徴とするビーム照射方法。
請求項１１において、
前記複数の鏡面体は間隔をあけて設けられていることを特徴とするビーム照射方法。
請求項１１において、
前記複数の鏡面体は接して設けられていることを特徴とするビーム照射方法。
請求項１１乃至１３のいずれか一において、
前記ビームを走査する手段はポリゴンミラーを有することを特徴とするビーム照射方法。
平面又は曲面を有するＮ個（１≦ｎ≦Ｎ：ｎは整数）の鏡面体を、連続的に出力されるビームの光軸上に配置されるように軸に固定し、
前記Ｎ個の鏡面体を前記軸を中心として回転させ、前記ビームを順に反射させることにより、被照射物上において前記ビームを走査し、
ｎ番目の鏡面体による走査が終了した後、前記被照射物との相対的な位置Ｙ（ｎ）を設定することを特徴とするビーム照射方法。
請求項１５において、
前記ビームを走査する手段は、ガルバノミラー又はポリゴンミラーを有することを特徴とするビーム照射方法。
請求項１１乃至１６のいずれか一において、
前記ビームは、ＹＶＯ_４レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ_３レーザ、及びＡｒレーザのいずれかから射出されたビームであることを特徴とするビーム照射方法。
平面又は曲面を有する複数の鏡面体を、連続的に出力されるビームの光軸上に配置されるように軸に固定し、
前記複数の鏡面体を前記軸を中心として回転させ、前記ビームを順に反射させることにより、半導体膜上において前記ビームを走査して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の上方にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜に不純物領域を形成し、
前記鏡面体の面毎に、前記ビームと、前記半導体膜との相対的な位置を制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
平面又は曲面を有するＮ個（１≦ｎ≦Ｎ：ｎは整数）の鏡面体を、連続的に出力されるビームの光軸上に配置されるように軸に固定し、
前記Ｎ個の鏡面体を前記軸を中心として回転させ、前記ビームを順に反射させることにより、半導体膜上において前記ビームを走査して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の上方にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜に不純物領域を形成し、
ｎ番目の前記鏡面体による走査が終了した後、前記半導体膜との相対的な位置Ｙ（ｎ）を設定することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
請求項１８又は１９において、
前記ビームは、ＹＶＯ_４レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ_３レーザ、及びＡｒレーザのいずれかから射出されたビームであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。