【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、増幅素子を絶縁基板に搭載して構成される高周波増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の高周波増幅器の回路構成を図４に示す。入力端子２５から入力される受信信号はコンデンサ２７を経由して電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２４のゲート（Ｇ）に供給される。ここでハイインピーダンス線路２９、コンデンサ３１、ゲート電圧端子３３はＦＥＴ２４にゲート電圧を供給する回路である。また、ＦＥＴ２４のゲートと接地間にコンデンサ２１、コイル２２、抵抗２３を直列接続している。ハイインピーダンス線路３０、コンデンサ３２、ドレイン（Ｄ）電圧用端子３４はＦＥＴ２４にドレイン電圧を供給する回路である。インダクタンス３５は帯域内での安定指数を改善するためのコイルであり、ソース（Ｓ）と接地間に接続される。受信信号はＦＥＴ２４により増幅されて、コンデンサ２８を介して出力端子２６に増幅された出力が得られる。
【０００３】
異常の構成において、ＦＥＴ２４のソースをインダクタンス３５を介して接地することにより、帯域内での異常発振を防いでいる。また、コンデンサ２１、コイル２２、抵抗２３は直列共振回路を構成し、帯域外の異常発振を防止している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−１８８６４３号公報（図１）
【０００５】
【発明が解決使用とする課題】
上記の構成では、異常発振を防止するために、ソースをインダクタンス２５によって接地し、ゲートをコンデンサ１１、インダクタンス１２、抵抗１３の直列回路によって接地するので、使用する回路部品が多くなる。また、ソースが直流的な接地電位となるので、ゲートにはバイアス電圧用として、電源電圧とは異なる電圧（一般には負電源）が必要となり、構成を一層複雑にしている。
【０００６】
本発明は、使用する部品の数を少なくし、簡単な構成で異常発振を防止することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波増幅器は、入力端子と出力端子とを有する増幅素子と、前記増幅素子を上面に搭載し、下面に接地導体を被着した絶縁基板とを備え、前記入力端子に対応する前記絶縁基板の下面の位置と前記出力端子に対応する前記絶縁基板の下面の位置との間に前記絶縁基板を露出させるための接地導体削除部を設けた。
【０００８】
また、前記増幅素子は本体部から前記入力端子と出力端子とが互いに逆方向に突出する構造を有し、前記本体部に対応する前記絶縁基板の下面の位置に前記接地導体削除部を設けた。
【０００９】
また、前記増幅素子は前記入力端子及び前記出力端子の突出方向に対して直角方向に前記本体部から突出する接地用端子を有し、前記接地導体削除部を前記接地用端子を含む領域に対応する前記絶縁基板の下面の位置まで延在した。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の高周波増幅器の構成を図１乃至図３に示す。図１は上面図、図２は断面図、図３は回路図である。絶縁基板１上に搭載される増幅素子２は、例えば、ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｏｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であり、本体部２ａから四つの端子が９０°間隔で放射状に突出し、入力端子となるゲート端子２ｂと出力端となるドレイン端子２ｃとが互いに反対方向に突出し、接地用端子となる二つのソース端子２ｄ、２ｅが互いに反対方向に突出している。二つのソース端子２ｄ、２ｅは本体２ａ内で互いに接続されている。このような増幅素子２は数ＧＨｚ程度の高い周波数の増幅値に使用される。
【００１１】
ゲート端子２ｂとドレイン端子２ｃは絶縁基板１の上面に形成されたストリップ線路３、４にそれぞれ接続される。入力側のストリップ線路３は前段側の入力回路（図示せず）に接続され、出力側のストリップ線路４は次段の出力回路（図示せず）に接続される。なお、ドレイン端子２ｄには抵抗１２、インダクタンスそし１３を介して電源端子１４から給電される（図３参照）。
【００１２】
また、ソース端子２ｄ、２ｅはそれぞれ絶縁基板１上に形成された導体ランド５、６に接続される。導体ランド５、６にそれぞれ対向する導体ランド７、８も形成される。そして、対向する二つの導体ランド５、７間にはチップ抵抗９が接続され、導体ランド６、８間にはチップコンデンサ１０が接続される。導体ランド７、８にはそれぞれスルーホール７ａ、８ａが設けられており、これらスルーホール７ａ、８ａは絶縁基板１の裏面全体に形成された接地用導体１１に接続される。
【００１３】
よって、増幅素子２を含む増幅回路は図３に示すように、ソース端子２ｄ、２ｄが抵抗７とそれに並列接続されたコンデンサ７とによって接地されので、抵抗７によってソース端子２ｄ、２ｅにバイアス電圧が与えられ、コンデンサ７によって高周波的に接地される。よって、ゲート端子２ｂにはソース端子２ｄ、２ｅよりも低い自己バイアス電圧が与えられる。
【００１４】
ここで、絶縁基板１の下面側には、ゲート端子２ｂに対応する位置とドレイン端子２ｃに対応する位置との間に、絶縁基板１を露出させるための長方形の接地導体削除部１５が設けられる。この接地導体削除部１５は、本体部２ａ及びソース端子２ｄ、２ｅを含む領域に対応する絶縁基板１の下面の位置まで延在するように設けられる。
【００１５】
このような構成にすると、入力側のストリップ線路３に対応する直下の接地導体１１ａと出力側のストリップ導体４に対応する直下の接地導体１１ｂとが接地導体削除部１５によって分断される。よってゲート端子２ｂとドレイン端子２ｃとが、あるいは入力回路と出力回路とが下面の接地導体１１を介して結合されることが無くなり、高い周波数でも異常発振の発生が防止される。
【００１６】
【発明の効果】
以上のように、この発明では、入力端子と出力端子とを有する増幅素子と、増幅素子を上面に搭載し、下面に接地導体を被着した絶縁基板とを備え、入力端子に対応する絶縁基板の下面の位置と出力端子に対応する絶縁基板の下面の位置との間に絶縁基板を露出させるための接地導体削除部を設けたので、入力端子と出力端子とが、下面の接地導体を介して結合されることが無くなり、特別な回路を設けることなく異常発振の発生が防止される。
【００１７】
また、増幅素子は本体部から入力端子と出力端子とが互いに逆方向に突出する構造を有し、本体部に対応する絶縁基板の下面の位置に接地導体削除部を設けたので、本体部も接地導体と結合せず、本体部による入力端子と出力端子との結合も少なくなるので、一層発振しにくくなる。
【００１８】
されに、増幅素子は入力端子及び出力端子の突出方向に対して直角方向に本体部から突出する接地用端子を有し、接地導体削除部を接地用端子を含む領域に対応する絶縁基板の下面の位置まで延在したので、接地用端子が接地導体によって不安定になることがないので、異常発振が起きにくい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の
【図２】本発明の
【図３】本発明の
【図４】従来の
【符号の説明】
１ 絶縁基板
２ 増幅素子
２ａ 本体部
２ｂ 入力端子
２ｃ 出力端子
２ｄ、２ｅ 接地用端子
３、４ ストリップライン
５、６、７、８ 導体ランド
７ａ、８ａ スルーホール
９ チップ抵抗
１０ チップコンデンサ
１１、１１ａ、１１ｂ 接地導体
１２ 抵抗
１３ インダクタンス素子
１４ 電源端子
１５ 接地導体削除部[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency amplifier configured by mounting an amplification element on an insulating substrate.
[0002]
[Prior art]
FIG. 4 shows a circuit configuration of a conventional high-frequency amplifier. The reception signal input from the input terminal 25 is supplied to the gate (G) of the field effect transistor (FET) 24 via the capacitor 27. Here, the high impedance line 29, the capacitor 31, and the gate voltage terminal 33 are circuits for supplying a gate voltage to the FET 24. Further, a capacitor 21, a coil 22, and a resistor 23 are connected in series between the gate of the FET 24 and the ground. The high impedance line 30, the capacitor 32, and the drain (D) voltage terminal 34 are circuits for supplying a drain voltage to the FET 24. The inductance 35 is a coil for improving the stability index in the band, and is connected between the source (S) and the ground. The received signal is amplified by the FET 24, and an amplified output is obtained at the output terminal 26 via the capacitor 28.
[0003]
In the abnormal configuration, the source of the FET 24 is grounded via the inductance 35, thereby preventing abnormal oscillation in the band. Further, the capacitor 21, the coil 22, and the resistor 23 constitute a series resonance circuit and prevent out-of-band abnormal oscillation (for example, see Patent Document 1).
[0004]
[Patent Document 1]
JP-A-6-188463 (FIG. 1)
[0005]
[Problems to be solved and used by the invention]
In the above configuration, in order to prevent abnormal oscillation, the source is grounded by the inductance 25, and the gate is grounded by the series circuit of the capacitor 11, the inductance 12, and the resistor 13, so that more circuit components are used. Further, since the source has a DC ground potential, a voltage different from the power supply voltage (generally, a negative power supply) is required for the gate for the bias voltage, which further complicates the configuration.
[0006]
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to reduce the number of components used and prevent abnormal oscillation with a simple configuration.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The high-frequency amplifier according to the present invention includes an amplifying element having an input terminal and an output terminal, and an insulating substrate having the amplifying element mounted on an upper surface and a ground conductor adhered to a lower surface, wherein the insulation corresponding to the input terminal is provided. A ground conductor removing portion for exposing the insulating substrate is provided between the position of the lower surface of the substrate and the position of the lower surface of the insulating substrate corresponding to the output terminal.
[0008]
The amplifying element has a structure in which the input terminal and the output terminal protrude from the main body in opposite directions, and the ground conductor removing part is provided at a position on the lower surface of the insulating substrate corresponding to the main body. .
[0009]
Further, the amplifying element has a ground terminal protruding from the main body in a direction perpendicular to a direction in which the input terminal and the output terminal protrude, and the ground conductor deleted portion corresponds to a region including the ground terminal. Extending to the position of the lower surface of the insulating substrate.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
1 to 3 show the configuration of the high-frequency amplifier according to the present invention. 1 is a top view, FIG. 2 is a sectional view, and FIG. 3 is a circuit diagram. The amplification element 2 mounted on the insulating substrate 1 is, for example, a HEMT (High Electron Mobility Transistor), and four terminals protrude radially at 90 ° intervals from the main body 2a, and a gate terminal 2b serving as an input terminal and an output terminal. The drain terminal 2c, which is an end, protrudes in the opposite direction, and the two source terminals 2d, 2e, which serve as ground terminals, protrude in the opposite directions. The two source terminals 2d and 2e are connected to each other in the main body 2a. Such an amplification element 2 is used for an amplification value of a high frequency of about several GHz.
[0011]
The gate terminal 2b and the drain terminal 2c are connected to strip lines 3 and 4 formed on the upper surface of the insulating substrate 1, respectively. The input-side strip line 3 is connected to a preceding-stage input circuit (not shown), and the output-side strip line 4 is connected to a next-stage output circuit (not shown). The drain terminal 2d is supplied with power from a power supply terminal 14 via a resistor 12 and an inductance 13 (see FIG. 3).
[0012]
The source terminals 2d and 2e are connected to conductor lands 5 and 6 formed on the insulating substrate 1, respectively. Conductor lands 7 and 8 which are respectively opposed to the conductor lands 5 and 6 are also formed. A chip resistor 9 is connected between the two opposing conductor lands 5 and 7, and a chip capacitor 10 is connected between the conductor lands 6 and 8. The conductor lands 7 and 8 are provided with through holes 7a and 8a, respectively, and these through holes 7a and 8a are connected to the grounding conductor 11 formed on the entire back surface of the insulating substrate 1.
[0013]
Therefore, in the amplifier circuit including the amplifier element 2, since the source terminals 2d and 2d are grounded by the resistor 7 and the capacitor 7 connected in parallel with the resistor 7, the bias voltage is applied to the source terminals 2d and 2e by the resistor 7, as shown in FIG. And grounded at a high frequency by the capacitor 7. Therefore, a lower self-bias voltage is applied to the gate terminal 2b than to the source terminals 2d and 2e.
[0014]
Here, a rectangular ground conductor removing portion 15 for exposing the insulating substrate 1 is provided on a lower surface side of the insulating substrate 1 between a position corresponding to the gate terminal 2b and a position corresponding to the drain terminal 2c. . The ground conductor removing portion 15 is provided to extend to a position on the lower surface of the insulating substrate 1 corresponding to a region including the main body 2a and the source terminals 2d and 2e.
[0015]
With such a configuration, the ground conductor 11a immediately below the strip conductor 3 on the input side and the ground conductor 11b directly below the strip conductor 4 on the output side are separated by the ground conductor removing unit 15. Therefore, the gate terminal 2b and the drain terminal 2c or the input circuit and the output circuit are not coupled via the ground conductor 11 on the lower surface, and occurrence of abnormal oscillation is prevented even at a high frequency.
[0016]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, an amplifying element having an input terminal and an output terminal, and an insulating substrate having the amplifying element mounted on an upper surface and a ground conductor adhered to a lower surface are provided. A ground conductor removing portion for exposing the insulating substrate is provided between the position of the lower surface of the insulating substrate and the position of the lower surface of the insulating substrate corresponding to the output terminal, so that the input terminal and the output terminal are connected via the ground conductor on the lower surface. Thus, the occurrence of abnormal oscillation is prevented without providing a special circuit.
[0017]
In addition, the amplification element has a structure in which the input terminal and the output terminal protrude in opposite directions from the main body, and the ground conductor is removed at a position on the lower surface of the insulating substrate corresponding to the main body. Since the coupling between the input terminal and the output terminal by the main body is reduced without being coupled to the ground conductor, oscillation is further reduced.
[0018]
In addition, the amplifying element has a ground terminal protruding from the main body in a direction perpendicular to a direction in which the input terminal and the output terminal protrude, and a ground conductor removing portion is provided on a lower surface of the insulating substrate corresponding to a region including the ground terminal. , The ground terminal does not become unstable due to the ground conductor, so that abnormal oscillation hardly occurs.
[Brief description of the drawings]
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 of the present invention FIG. 2 of the present invention FIG. 3 of the present invention FIG.
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating board 2 Amplifying element 2a Main part 2b Input terminal 2c Output terminal 2d, 2e Grounding terminal 3, 4, Strip line 5, 6, 7, 8 Conductor land 7a, 8a Through hole 9 Chip resistor 10 Chip capacitor 11, 11a 11b Ground conductor 12 Resistance 13 Inductance element 14 Power supply terminal 15 Ground conductor removal part
