JP2004335180A

JP2004335180A - Electro-optical device, base plate for electro-optical device, and manufacturing method of electro-optical device

Info

Publication number: JP2004335180A
Application number: JP2003126578A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Tanabe; 誠一田邊
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-05-01
Filing date: 2003-05-01
Publication date: 2004-11-25
Anticipated expiration: 2023-05-01
Also published as: JP4432358B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optical device, and its manufacturing method, suitably used for forming of a functional layer using an ink-jet system and capable of easily forming the functional layer excellent in uniformity even in case a base plate is made large-sized. <P>SOLUTION: The electro-optical device, provided with a plurality of pixel areas A formed in arrangement on a support base plate, is further provided with main partition walls 112c zoning each pixel area A on the support base plate, dividing walls 112d dividing the pixel areas A into a plurality of areas A1, A2, and functional layers formed in the areas A1, A2 divided by the dividing walls. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置用基板、及び電気光学装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機蛍光材料等の発光材料をインク化し、当該インク（組成物）を基材上に吐出するインクジェット法により、発光材料のパターニングを行う方法を採用して、陽極及び陰極の間に該発光材料からなる発光層が挟持された構造のカラー表示装置、特に発光材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の開発が行われている。特に、画素毎を区画する隔壁を基板上に設け、この隔壁で囲まれた領域内に上記発光材料を吐出するならば、基板上に正確に上記発光層を形成することができる（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−３２３２７６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記発光材料のパターニング方法としてインクジェット法を採用することで、上記発光材料の無駄を無くし、低コストで迅速に有機ＥＬ表示装置を得ることができる。しかし、例えば５インチ以上の大型の有機ＥＬ表示装置の製造に上記インクジェット法を適用する場合には、大型化した画素領域に対してインク組成物を吐出すると、画素領域（隔壁に囲まれた領域）内をインク組成物で埋めることができず、形成される発光層の膜厚や平坦性に不均一が生じるおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために成されたものであって、インクジェット方式を用いた機能層の形成に好適に用いることができ、基板を大型化した場合にも均一性に優れる機能層を容易に形成することができる構成を備えた電気光学装置を提供することを目的としている。
また本発明は、基板を大型化した場合にも均一性に優れる機能層を容易に形成することができる電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置であって、前記支持基板上に前記画素領域毎を区画する主隔壁と、前記画素領域内を複数の領域に分割する分割壁と、前記分割壁に区画された領域内に形成された機能層とを備えたことを特徴としている。
この構成によれば、前記機能層を液体吐出法により作製する電気光学装置の製造方法を適用することで、画素領域を大型化した場合にも、均一な膜厚の機能層を容易に形成することができる電気光学装置を提供することができる。上記液体吐出法では、上記機能層形成用の液状組成物を、液滴吐出装置等の吐出ヘッドから吐出して支持基板上の所定位置に配置し、この液状組成物を乾燥させることで所望の組成を有する機能層を形成するようになっているが、本発明の構成によれば、上記画素領域毎を区画する主隔壁に加え、画素領域内をさらに複数の領域に区画する分割壁を備えていることで、パネルの大型化に伴って大型化した画素領域に対しても、均一かつ正確に上記液状組成物を吐出配置することができる。
尚、本明細書において、「画素領域」とは、本発明に係る電気光学装置における最小表示単位に対応する平面領域を指し、本発明を適用したＥＬ装置や液晶装置においては、１つの画素電極により駆動される表示領域に対応する。
【０００７】
本発明の電気光学装置では、前記分割壁に囲まれた領域が、前記画素領域の長さ方向に沿う平面形状とされた構成とすることが好ましい。
この構成によれば、前記主隔壁及び分割壁に囲まれた領域に対し、上記液滴吐出装置を用いて液状組成物を吐出する場合に、当該領域の延在方向に沿って吐出ヘッドを走査しながら液状組成物の吐出を行えば、吐出ヘッドの走査方向に対して交差する方向を短くでき、この方向への液状組成物の広がりを抑えることができるので、前記領域内において液状組成物の配置に偏りを生じ難くなる。これにより、形成される機能層を平坦化し易く、製造容易性に優れる電気光学装置を提供できる。
【０００８】
本発明の電気光学装置では、前記分割壁が絶縁性の材料からなることが好ましい。この構成によれば、上記機能層が複数の薄膜を積層してなる構成である場合に、前記薄膜どうしの導通を効果的に防止することができ、信頼性に優れる電気光学装置を提供することができる。
【０００９】
本発明の電気光学装置では、前記機能層が、有機ＥＬ層である構成とすることができる。この構成によれば、前記有機ＥＬ層の膜厚均一性、及び平坦性に優れ、高画質の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１０】
本発明の電気光学装置では、前記有機ＥＬ層が、正孔注入層と発光層とを有することが好ましい。このような構成とすることで高効率の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１１】
本発明の電気光学装置では、前記主隔壁及び／又は分割壁の表面が撥インク性を有することが好ましい。この構成によれば、上記液体吐出法による機能層の形成に際して、液状吐出物を正確かつ容易に定点配置することが可能な電気光学装置を提供することができる。
【００１２】
本発明の電気光学装置では、前記分割壁の高さが、前記主隔壁の高さより低く形成されている構成とすることもできる。この構成によれば、前記液体吐出法による機能層の形成に際して、液状吐出物が主隔壁から溢れて隣接する画素領域へ混入するのを防止し得る電気光学装置を提供できる。また、画素領域内において、前記機能層及び分割壁を覆う薄膜を形成する場合に、係る薄膜のステップカバレッジの確保が容易になり、信頼性に優れる電気光学装置を実現できる。
【００１３】
次に、本発明の電気光学装置用基板は、支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置用基板であって、前記支持基板上に前記画素領域毎を区画する主隔壁と、前記主隔壁に囲まれる領域内をさらに複数の領域に分割する分割壁とを備えたことを特徴とする。
この構成によれば、液体吐出法により液状組成物を基板上に吐出して機能層を形成する電気光学装置の製造方法に用いて好適な電気光学装置用基板を提供することができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置用基板では、前記主隔壁及び／又は分割壁に囲まれる領域に色材層が形成された構成とすることもできる。この構成によれば、色材層の膜厚均一性、及び平坦性に優れるカラーフィルタを備えた電気光学装置用基板を提供することができる。
【００１５】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記支持基板上に前記画素領域毎を区画する主隔壁と、前記画素領域内を複数の領域に分割する分割壁とを形成する隔壁形成工程と、前記分割壁に区画された領域内に、機能層形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する機能層形成工程とを含むことを特徴とする。
係る製造方法によれば、前記画素領域内を複数領域に区画すべく分割壁を形成するので、パネルの大型化に伴い画素領域が大型化した場合にも、比較的狭い領域内に、上記液状組成物を配置することができるので、滴下領域における液状組成物の配置に偏りを生じ難く、これにより、膜厚の均一性に優れる機能層を形成することができる。そして、画素領域の特性が均一で、信頼性に優れる電気光学装置を製造することができる。
【００１６】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記隔壁形成工程において、前記主隔壁及び／又は分割壁を、撥インク性を有する材料を用いて形成することが好ましい。
この製造方法によれば、上記液体吐出法による機能層の形成に際して、液状吐出物を正確かつ容易に定点配置することが可能である。
【００１７】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記主隔壁及び／又は分割壁の表面に、撥インク性を付与する工程を含むこともできる。
この製造方法によっても、上記液体吐出法による機能層の形成に際して、液状吐出物を正確かつ容易に定点配置することが可能である。
【００１８】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記機能層形成工程において、前記分割壁に囲まれる領域の長さ方向に沿って、前記液状組成物を順次滴下することもできる。
この製造方法によれば、吐出ヘッドの走査方向に対して交差する方向への液状組成物の広がりを抑えることができるので、前記領域内において液状組成物の配置に偏りを生じ難くなる。これにより、形成される機能層を平坦化し易くなる。
【００１９】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記機能層が有機ＥＬ層である構成とすることもできる。
この製造方法によれば、有機ＥＬ層の膜厚均一性及び平坦性に優れる有機ＥＬ装置を容易に製造することができる。
【００２０】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記隔壁形成工程において、前記主隔壁を形成する工程と、前記分割壁を形成する工程のうち、少なくとも一方の工程が、隔壁形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する工程であることもできる。
この製造方法によれば、前記隔壁形成工程を液体吐出法により行うので、前記機能層形成工程と合わせて、製造工程を効率化することができる。また、分割壁の平面形状の変更にも容易かつ柔軟に対応できるという利点が得られる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記隔壁形成工程において、前記分割壁の高さを前記主隔壁より低く形成するもできる。
この製造方法によれば、前記機能層形成工程において、液状吐出物が主隔壁から溢れて隣接する画素領域へ混入するのを容易に防止することができる。また、画素領域内において、前記機能層及び分割壁を覆う薄膜を形成する場合に、係る薄膜のステップカバレッジの確保が容易になるという利点もある。
【００２２】
【発明の実施の形態】
（有機ＥＬ装置）
以下、図面を参照して、本発明に係る有機ＥＬ装置及びその製造方法、並びに電子機器の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【００２３】
図１は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態であるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置の模式図である。また、図示する有機ＥＬ装置１は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。
有機ＥＬ装置１は、基板２の上に回路素子として薄膜トランジスタを含む回路素子部１４、画素電極（陽極）１１１、有機ＥＬ層（発光層）を含む有機機能層（機能層）１１０、対向電極（陰極）１２及び封止部３等を順次積層した構造からなる有機ＥＬ素子をマトリクス状に複数配置したものである。
【００２４】
基板２としては、本実施形態ではガラス基板が用いられている。基板２は、ガラス基板の他にもシリコン基板、石英基板、セラミックス基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電機光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な基板が適用される。この基板２の表面（図１における下面）は、外光の反射を抑制する減反射処理が施してあることが好ましい。基板２の表面に減反射処理を施すことによって外光の反射を抑制できるので本有機ＥＬ装置１のコントラストを向上させることが可能となる。基板２内には、発光領域としての複数の画素領域Ａがマトリクス状に配列形成されており、カラー表示を行う場合、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応する画素領域Ａが所定の配列で配置されている。すなわち、本明細書において「画素領域」とは、ＥＬ装置１の最小表示単位を指す。
前記各画素領域Ａには、画素電極１１１が配置され、その近傍には信号線１３２、電源線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されている。画素領域Ａの平面形状は、図示するような矩形の他に円形、長円形など任意の形状が適用される。
【００２５】
また、封止部３は、水や酸素の浸入を防ぐことによって陰極１２あるいは有機機能層１１０の酸化を防止するものであり、基板２に塗布される封止樹脂及び基板２に貼り合わされる封止基板３ｂ（封止缶）等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の一種であるエポシキ樹脂が好ましく用いられる。封止樹脂は、基板２の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等によって塗布される。封止基板３ｂは、ガラスや金属等からなり、基板２と封止基板３ｂとは封止樹脂を介して貼り合わされる。
【００２６】
図２は、上記有機ＥＬ装置１の回路構造を示している。この図２において、基板２上には複数の走査線１３１と、走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、信号線に並列に延びる複数の電源線１３３とが配線されている。また、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に上記画素領域Ａが形成されている。信号線１３２には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを含むデータ側駆動回路１０３が接続されている。また、走査線１３１にはシフトレジスタ及びレベルシフタを含む走査側駆動回路１０４が接続されている。
【００２７】
画素領域Ａには走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１２３と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１２３を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量１３５と、保持容量１３５によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２４と、この駆動用の薄膜トランジスタ１２４を介して電源線１３３に電気的に接続したときに電源線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１１１と、画素電極１１１と陰極１２との間に挟み込まれる有機機能層１１０とが設けられている。有機機能層１１０は、有機ＥＬ素子としての発光層を含む。
【００２８】
画素領域Ａでは走査線１３１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１２３がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量１３５に保持され、この保持容量１３５の状態に応じて駆動用の薄膜トランジスタ１２４の導通状態が決まる。また、駆動用の薄膜トランジスタ１２４のチャネルを介して電源線１３３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに有機機能層１１０を通じて陰極１２に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて有機機能層１１０が発光する。
【００２９】
図３は、上記有機ＥＬ装置１における１画素領域Ａを示す平面構成図である。図３に示す平面構成図では、図１に示す有機機能層１１０や対向電極１２、回路素子部１４等はその図示を省略している。図３に示すように、本実施形態の画素領域Ａでは、画素電極１１１の周縁部を取り囲んで平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成されており、この主隔壁１１２ｃに囲まれた領域の短辺方向中央部を上下に横断する分割壁１１２ｄにより、画素領域Ａが２つの領域に区画されている。
【００３０】
図４は、図３に示すＧ−Ｇ線に沿う画素領域Ａの断面構造を拡大した図である。上述のように有機ＥＬ装置１は、基板２上にＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４と、画素電極１１１及び有機機能層１１０が形成された発光素子部１１と、陰極１２とが順次積層されて構成されている。この有機ＥＬ装置１では有機機能層１１０から基板２側に発した光が回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に放出されると共に、有機機能層１１０から基板２の反対側に発した光が陰極１２によって反射されて回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に放出されるようになっている。
【００３１】
回路素子部１４には基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護層２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。なお、半導体膜１４１にはソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みによって形成されている。なお、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。さらに回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ，１４４ｂを貫通して半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ，１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
【００３２】
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。このようにして、回路素子部１４には各画素電極１１１に接続された駆動用のスイッチング用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。なお、回路素子部１４には上述した保持容量１３５及び駆動用の薄膜トランジスタ１２４も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
【００３３】
発光素子部１１は、複数の画素電極１１１上の各々に積層された有機機能層１１０と、有機機能層１１０同士の間に配されて各有機機能層１１０を画素領域毎に区画する主隔壁１１２ｃと、画素領域Ａを横断して形成され、上記有機機能層１１０を画素領域内で分割する分割壁１１２ｄとを主体として構成されている。有機機能層１１０上には陰極１２が配置されている。
発光素子である有機ＥＬ素子は、画素電極１１１、陰極１２及び有機機能層１１０等を含んで構成される。ここで、画素電極１１１は、ＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形状にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度が良い。
【００３４】
主隔壁１１２ｃは、図４に示すように基板２側に位置する無機物バンク層１１２ａと基板２から離れて位置する有機物バンク層１１２ｂとが積層されて構成されている。無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２等の無機材料からなる。また、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。また、分割壁１１２ｄは、画素電極１１１上にその主要部が形成されており、上記有機物バンク層１１２ｂと同層に、同一材料で形成されている。また、本実施形態の場合、分割壁１１２ｄと有機物バンク層１１２ｂ（主隔壁）とが、基板２に対してほぼ同一の高さに形成されている。
【００３５】
有機機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層（有機ＥＬ層）１１０ｂと、発光層１１０ｂ及びバンク部１１２上かつ全面に亘って形成された電子注入／輸送層１１０ｃとから構成されている。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有すると共に、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。電子注入／輸送層１１０ｃは、電子を発光層１１０ｂに注入する機能を有すると共に、電子を電子注入／輸送層１１０ｃ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａ、を画素電極１１１と発光層１１０ａの間に設け、電子注入／輸送層１１０ｃを陰極１２と発光層１１０ｂの間に設けることによって発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、電子注入／輸送層１１０ｃから注入される電子が発光層１１０ｂで再結合し、発光が得られる。
【００３６】
図４では、発光層１１０ｂとして、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１を図示しているが、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層と、青色（Ｂ）に発光する青色発光層とを合わせ、発光する波長帯域が互いに異なる３種類の発光層を備えている。これらの発光層は、所定の配列（例えばストライプ状）で配置されている。
【００３７】
次に、陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、電子注入／輸送層１１０ｃに電子を注入する役割を果たす。この陰極１２は、カルシウム層１２ａとアルミニウム層１２ｂとが積層されて構成されている。カルシウム層の層厚は例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましい。また、アルミニウム層１２ｂは、発光層１１０ｂから発せられた光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【００３８】
以上の構成を備えた有機ＥＬ装置１では、図３及び図４に示すように、主隔壁１１２ｃに囲まれる画素領域をさらに複数の領域Ａ１，Ａ２に区画する分割壁１１２ｄが設けられていることで、パネルの大型化に伴い画素領域を大型化した場合にも、インクジェット法（液体吐出法）による有機機能層１１０の形成を効率的に行うことができる。つまり、大型の画素領域に対して、インクジェット法を用いて上記有機機能層形成用の液状組成物の滴下を行った場合には、滴下された液状組成物の広がる面積が大きいこと、及び画素領域を区画するバンク層（隔壁）表面には、通常撥インク性が付与されていることから、画素領域全体に均一に液状組成物が配置されず、乾燥時に機能層の膜厚に不均一を生じるおそれがある。これに対して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１では、画素領域Ａを２つの領域Ａ１，Ａ２に分割する分割壁１１２ｄが形成されていることで、比較的狭い領域内で液状組成物の滴下を行うことができるため、液状組成物の配置を正確かつ均一に行うことができ、もって形成される有機機能層１１０の膜厚均一性を向上させることが可能である。
このように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、その製造に際して、膜厚の均一性、及び画素領域の被覆性に優れる有機機能層１１０をインクジェット法により形成することができるので、製造容易性に優れ、大型パネルの量産に好適な構成を備えた有機ＥＬ装置とされている。
【００３９】
上記実施形態では、分割壁１１２ｄの高さを、主隔壁１１２ｃとほぼ同等の高さに形成しているが、分割壁１１２ｄは、主隔壁１１２ｃに対して低く形成することもできる。すなわち、インクジェット法による上記液状組成物の滴下に際して、例えば、上記領域Ａ１に滴下された液状組成物が分割壁を乗り越えて隣接する領域Ａ２側へ一部混入したとしても、前記両領域Ａ１，Ａ２は同一の画素領域に含まれる領域であるため、両者における液状組成物の混入が生じたとしても表示特性上問題を生じることはない。また、前記有機機能層として相当の膜厚を有する層を形成する必要がある場合には、主隔壁１１２ｃの頂部近傍まで上記液状組成物を充填する必要があるが、分割壁１１２ｄを主隔壁１１２ｃより低く形成しておけば、液状組成物が主隔壁１１２ｃを乗り越える以前に分割壁１１２ｄを乗り越えるので、隣接する画素領域間での液状組成物の混入防止という点で有利な構成となる。
【００４０】
上記実施の形態では、画素領域Ａの長さ方向（図３上下方向）に延在する分割壁１１２ｄを備えた有機ＥＬ装置１について説明したが、本発明に係る分割壁１１２ｄの構成は、上記実施の形態に限定されず、画素領域Ａのサイズや、インクジェット法において有機機能層形成用の液状組成物を吐出する吐出ヘッドの構成に応じて、種々の形態をとることができる。この分割壁１１２ｄの他の構成例について、図５ないし図８を参照して以下に説明する。図５ないし図８は、本構成例における有機ＥＬ装置の１画素領域Ａを示す平面構成図である。これらの図において、主隔壁１１２ｃ、分割壁１１２ｄ、及び画素電極１１１以外は、その図示を省略しているが、実際には、各画素領域は図１と同様の構成を備えている。
【００４１】
図５に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成され、画素領域Ａの中央部を通って図示左右方向に横断する分割壁１１２ｄが形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄとにより画素領域Ａが２つの領域Ａ１，Ａ２に分割されている。
【００４２】
次に、図６（ａ）に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成され、画素領域Ａを図示左右方向に横断する２本の分割壁１１２ｄ，１１２ｄが、互いに略平行に等間隔で形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄ，１１２ｄとによって画素領域Ａが、ほぼ同一の平面形状を有する３つの領域Ａ１〜Ａ３に分割されている。
図６（ｂ）に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成され、画素領域Ａを図示上下方向に横断する２本の分割壁１１２ｄ，１１２ｄが互いに略平行に等間隔で形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄ，１１２ｄとによって画素領域Ａが、ほぼ同一の平面形状を有する３つの領域Ａ１〜Ａ３に分割されている。
【００４３】
次に、図７（ａ）に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成され、画素領域Ａの中央部を通って図示上下左右方向に横断する平面視略十字状の分割壁１１２ｄが形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄとによって画素領域Ａが、ほぼ同一の平面形状を有する４つの領域Ａ１〜Ａ４に分割されている。
図７（ｂ）に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成され、画素領域Ａを図示上下方向に横断する３本の分割壁１１２ｄ，１１２ｄが互いに略平行に等間隔で形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄ…とによって画素領域Ａが、ほぼ同一の平面形状を有する４つの領域Ａ１〜Ａ３に分割されている。
【００４４】
次に、図８（ａ）に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成されるとともに、画素領域Ａの中央部を通る平面視略格子状の分割壁１１２ｄが形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄとによって画素領域Ａが、ほぼ同一の平面形状を有する６つの領域Ａ１〜Ａ６に分割されている。
図８（ｂ）に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成され、画素領域Ａを横断する平面視略格子状の分割壁１１２ｄが形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄとによって画素領域Ａが、ほぼ同一の平面形状を有する９つの領域Ａ１〜Ａ９に分割されている。
【００４５】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ装置１を製造する方法について図９〜図１２を参照して説明する。
本実施形態の製造方法は、（１）隔壁形成工程、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程、（４）電子注入／輸送層形成工程、（５）陰極形成工程及び（６）封止工程等を有する。なお、ここで説明する製造方法は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されたり、上記の工程の一部が除かれたりする。本実施形態において、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程は、本発明に係る機能層形成工程を成し、液滴吐出装置を用いた液体吐出法（インクジェット法）を用いて行われる。
なお、基板２上には、それぞれ先の図４に示した、スイッチング用及び駆動用の薄膜トランジスタ１２３，１２４を含む回路素子部１４、及び画素電極１１１がすでに形成されているものとする。
【００４６】
（１）隔壁形成工程
図９に示すように、画素電極１１１が形成された基板２上に、主隔壁１１２ｃ（無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂ）及び分割壁１１２ｄを形成する。上記無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２等の無機物膜を材料として用いることができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
【００４７】
無機物バンク層１１２ａは、層間絶縁層１４４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層１１２ａとして形成することができる。この開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するものである。このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部と重なるように形成される。図４に示すように、画素電極１１１の周縁部と無機物バンク層１１２ａとが重なるように無機物バンク層１１２ａを形成することにより、発光層１１０の発光領域を制御することができる。
【００４８】
次に、図９に示すように、上記無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。本実施形態の製造方法では、この工程において同時に、画素電極１１１の所定位置（先の実施形態では画素電極１１１を図示上下方向に横切る位置）に、分割壁１１２ｄを形成する。
有機物バンク層１１２ｂ、及び分割壁１１２ｄとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂ、分割壁１１２ｄをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。すなわち、上記無機物バンク層１１２ａの開口部と対応する位置が開口されて上記有機物バンク層１１２ｂが形成されるとともに、有機物バンク層１１２ｂにより囲まれる領域を２つの領域に区画する分割壁１１２ｄが形成される。
【００４９】
上記有機物バンク層１１２ａの開口部は、図４及び図９に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された開口部より広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂは図示のようにテーパーを有する形状が好ましく、有機物バンク層１１２ｂの最低面では画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅に形成する事が好ましい。すなわち、テーパーを有する有機物バンク層１１２ｂの側壁が、底部側で画素電極１１１の中央部側へ延出された形状とすることが好ましい。
また、分割壁１１２ｄの側壁部についても、有機物バンク層１１２ｂと同様のテーパー形状を有して形成されることが好ましい。
【００５０】
なお、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが有機物バンク層１１２ｂの開口部から溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、有機物バンク層１１２ｂの開口部による段差が大きくなり、これらのバンク層を覆って形成される陰極１２のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【００５１】
上記工程において、分割壁１１２ｄは、有機物バンク層１１２ｂよりも低く形成することができる。このように分割壁１１２ｄを相対的に低く形成することで、後述の機能層形成工程において上記開口部に液状組成物を滴下した際に、液状組成物が有機物バンク層１１２ｂを乗り越えて隣の画素領域に混入するのを防止しやすくなる。また、画素領域内において陰極１２のステップカバレッジを確保し易くなるという利点もある。
【００５２】
尚、上記工程では、有機物バンク層１１２ｂと、分割壁１１２ｄとを同一の工程で形成することにより、工程の効率化を図っているが、これら有機物バンク層１１２ｂと分割壁１１２ｄとは、別々の工程にて、互いに異なる材料を用いて形成することもできる。
【００５３】
また、上記有機物バンク層１１２ｂ、及び分割壁１１２ｄを形成する工程は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を含む液状組成物を液滴吐出装置により滴下して、基板２上の所定位置に定点配置する液体吐出法により形成することもできる。
【００５４】
（２）正孔注入／輸送層形成工程
次に、図９に示すように、画素電極１１１が形成された基板２上に、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。正孔注入／輸送層形成工程では、液体吐出法を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む組成物を画素電極１１１上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。なお、この正孔注入／輸送層形成工程を含め、以降の工程は、例えば窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００５５】
液体吐出法による正孔注入／輸送層の形成手順としては、液体を吐出するための吐出ヘッドＨに、正孔注入／輸送層の材料を含有する組成物インクを充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを、バンク部１１２の開口部内に位置する画素電極１１１に対向させ、吐出ヘッドと基板２とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御されたインク滴ｄを吐出する。その後、吐出後のインク滴を乾燥処理して組成物インクに含まれる極性溶媒（液体材料）を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層が形成される。
【００５６】
ここで用いる組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類、ジエチレングリコール等を挙げることができる。より具体的な組成物の組成としては、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１１重量％、ＰＳＳ：２重量％、ジエチレングリコール：５０重量％、純水：３７重量％のものを例示できる。なお、組成物の粘度は２〜２０ｃＰｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ程度が良い。
【００５７】
（３）発光層形成工程
次に、図９及び図１０に示すように、正孔注入／輸送層１１０ａが積層された画素電極１１１上に発光層１１０ｂを形成する。図９では、主隔壁１１２ｃ及び分割壁１１２ｄに囲まれる開口部内に組成物インクを充填し、続いて図１０のように赤色発光層１１０ｂ１、１１０ｂ１を形成する。ここでは液体吐出法により、発光層用材料を含む組成物インクを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出し、その後に乾燥処理及び熱処理して、主隔壁１１２ｃ及び分割壁１１２ｄに囲まれた開口部内に各色発光層１１０ｂ、１１０ｂ１を形成している。
【００５８】
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層１１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる組成物インクの溶媒として、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶な無極性溶媒を用いる。この場合、無極性溶媒に対する正孔注入／輸送層１１０ａの表面の濡れ性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うのが好ましい。表面改質工程は、例えば上記無極性溶媒と同一溶媒又はこれに類する溶媒を液体吐出法、スピンコート法又はディップ法等により正孔注入／輸送層１１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。なお、ここで用いる表面改質用溶媒は、組成物インクの無極性溶媒と同一なものとして例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、イソプロピルビフェニル等を例示でき、組成物インクの無極性溶媒に類するものとしては、例えばトルエン、キシレン等を例示することができる。
【００５９】
液体吐出法による発光層の形成手順としては、まず赤色発光層の形成に際しては、図９に示すように、吐出ヘッドＨに赤色発光層１１０ｂ１を形成する材料を含有する組成物インクを充填し、吐出ヘッドＨの吐出ノズルを、主隔壁１１２ｃ及び分割壁１１２ｄに囲まれる開口部内に位置する赤色用の正孔注入／輸送層１１０ａに対向させ、吐出ヘッドＨと基板２とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御されたインク滴を吐出する。吐出されたインク滴は、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって開口部内に満たされる。続いて、吐出後のインク滴を乾燥処理することにより組成物インクに含まれる無極性溶媒が蒸発し、赤色発光層１１０ｂ１が形成される。
赤色発光層１１０ｂ１を形成する発光材料としては、例えばローダミンおよびその誘導体などの有機ＥＬ材料からなるものを用いることができる。一方、無極性溶媒としては、正孔注入／輸送層に対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、イソプロピルビフェニル等を用いることができる。
【００６０】
続いて、正孔注入／輸送層１１０ａが積層された赤色以外の画素電極１１１の上にも、それぞれの発光層１１０ｂを形成する。この発光層形成工程は、前述した赤色発光層形成工程と同様の手順で行われる。なお、緑色発光層を形成する発光材料としては、例えばキナクリドンおよびその誘導体などの有機ＥＬ材料からなるものを用いることができ、青色発光層を形成する発光材料としては、例えばジスチリルビフェニルおよびその誘導体、クマリンおよびその誘導体、テトラフェニルブタジエンおよびその誘導体などの有機ＥＬ材料からなるものを用いることができる。
【００６１】
また、上記（２）正孔注入／輸送層形成工程、及び（３）発光層形成工程では、図３に示した領域（開口部）Ａ１、Ａ２の延在方向（図示上下方向）に沿って吐出ヘッドＨを走査し、組成物インクの滴下を行うことが好ましい。このようにして分割壁１１２ｄにより区画された領域Ａ１，Ａ２の形状に沿って吐出ヘッドＨを走査することで、滴下されたインク組成物が、上記開口部内で不均一に配置されるのを効果的に防止することができ、もって良好な膜厚均一性を有する正孔注入／輸送層、及び発光層を形成することが可能である。
【００６２】
（４）電子注入／輸送層形成工程
次に、図１１に示すように、発光層１１０ｂ及びバンク層１１２の全面に電子注入／輸送層１１０ｃを形成する。電子注入／輸送層１１０ｃは、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。
【００６３】
（５）陰極形成工程
次に、図１２に示すように、画素電極（陽極）１１１と対をなす陰極１２を形成する。即ち、各色発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂ（主隔壁１１２ｃ）、分割壁１１２ｄを含む基板２上の領域全面に、カルシウム層１２ａとアルミニウム層１２ｂとを順次積層して陰極１２を形成する。これにより、各色発光層１１０ｂの形成領域全体に、陰極１２が積層され、赤色、緑色、青色の各色に対応する有機ＥＬ素子がそれぞれ形成される。
【００６４】
陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ_２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【００６５】
（６）封止工程
最後に、有機ＥＬ素子（発光素子）が形成された基板２と封止基板３ｂ（図１参照）とを封止樹脂を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板２の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板３ｂを配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【００６６】
この後、基板２の配線に陰極１２を接続するとともに、基板２上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ（駆動回路）に回路素子部１４（図１参照）の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置１が完成する。
【００６７】
このように、本実施形態に係る製造方法では、（１）隔壁形成工程において、画素領域毎を区画する主隔壁１１２ｃ（無機物バンク層１１２ａ、有機物バンク層１１２ｂ）を形成するとともに、画素領域内を区画する分割壁１１２ｄを形成するので、パネルの大型化により画素領域を大型化した場合にも、後の（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程での液体吐出法において、滴下された組成物インクの配置に偏りが生じるのを効果的に防止でき、もって膜厚均一性に優れる有機機能層１１０を形成することが可能であり、係る製造方法によれば、発光特性が均一な画素が配列された高画質の表示が可能な有機ＥＬ装置を容易に製造することができる。また、分割壁１１２ｄにより区画された領域に対して、その延在方向に沿って吐出ヘッドを走査しながら上記組成物インクを滴下するならば、さらに組成物インクの配置の偏りを効果的に防止でき、より膜厚均一性に優れる有機機能層の形成が可能である。
また、上述した製造方法のうち、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程においては、一貫して液体吐出法が用いられるので工程の簡略化を図ることができる。
【００６８】
（カラーフィルタ）
上記では、本発明に係る電気光学装置の一実施形態として有機ＥＬ装置を挙げて示したが、本発明は、電気光学装置に用いるカラーフィルタの構成要素となる膜の形成にも適用することができる。図１３は基板Ｐ上に形成されるカラーフィルタを示す図であり、図１４はカラーフィルタの製造手順を示す図である。
【００６９】
図１３に示すように、本例では長方形形状の基板Ｐ上に生産性を向上させる観点から複数個のカラーフィルタ領域２５１をマトリクス状に形成する。これらカラーフィルタ領域２５１は、後で基板Ｐを切断することにより、液晶表示装置等に適合するカラーフィルタとして用いることができる。カラーフィルタ領域２５１は、Ｒ（赤）の液状体組成物、Ｇ（緑）の液状体組成物、及びＢ（青）の液状体組成物をそれぞれ所定のパターン、本例では従来公知のストライプ型で形成される。なお、この形成パターンとしては、ストライプ型の他に、モザイク型、デルタ型、あるいはスクウェア型などでもよい。そして、ＲＧＢそれぞれの液状体組成物には上述した界面活性剤が添加されている。
【００７０】
このようなカラーフィルタ領域２５１を形成するには、まず図１４（ａ）に示すように透明の基板Ｐの一方の面に対し、上記各色毎の色材層の領域を区画する平面視略格子状の主隔壁２６１が形成される。この主隔壁２６１の形成方法は、スピンコート後に露光、現像することによる。そして、この主隔壁２６１に囲まれる領域をさらに分割する分割壁２６２が形成される。図１４（ａ）では、図３に示した平面形状を有していることとして、主隔壁２６１，２６１間に紙面に垂直に延在する分割壁２６２を図示している。この分割壁２６２の平面形状は、先の有機ＥＬ装置の実施形態で述べた構成例をいずれも適用することが可能である。
次いで、主隔壁２６１及び分割壁２６２の格子で囲まれる領域内部にインクが配置される。このとき、主隔壁２６１及び分割壁２６２は撥液性を有することが好ましい。また、主隔壁２６１はブラックマトリクスとして機能することが好ましく、分割壁２６２はブラックマトリクスとして機能させるか、あるいは充填されるインクと同色に形成することが好ましい。
【００７１】
次に、図１４（ｂ）に示すように、前記液滴吐出ヘッドから液状体組成物の液滴２５４が吐出され、フィルタエレメント２５３に着弾する。吐出する液滴２５４の量については、加熱工程における液状体組成物の体積減少を考慮した十分な量とする。このようにして基板Ｐ上の全てのフィルタエレメント２５３に液滴２５４を充填したら、ヒータを用いて基板Ｐが所定の温度（例えば７０℃程度）となるように加熱処理される。この加熱処理により、液状体組成物の溶媒が蒸発して液状体組成物の体積が減少する。この体積現状の激しい場合には、カラーフィルタとして十分な膜厚が得られるまで、液滴吐出工程と加熱工程とを繰り返す。この処理により、液状体組成物に含まれる溶媒が蒸発して、最終的に液状体組成物に含まれる固形分のみが残留して膜化し、図１４（ｃ）に示すようなカラーフィルタ（色材層）２５５となる。
【００７２】
次いで、基板Ｐを平坦化し、且つカラーフィルタ２５５を保護するために、図１４（ｄ）に示すようにカラーフィルタ２５５やバンク２５２を覆って基板Ｐ上に保護膜２５６を形成する。この保護膜２５６の形成にあたっては、スピンコート法、ロールコート法、リッピング法などの方法を採用することができるが、カラーフィルタ２５５と同様に、液体吐出法により行うこともできる。
次いで、図１４（ｅ）に示すようにこの保護膜２５６の全面に、スパッタ法や真空蒸着法などによって透明導電膜２５７を形成する。その後、透明導電膜２５７をパターニングし、図１４（ｆ）に示すように画素電極２５８をフィルタエレメント２５３に対応させてパターニングする。なお、液状表示パネルの駆動にＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いる場合には、このパターニングは不用となる。
【００７３】
本実施形態では、カラーフィルタ２５５を形成する際に本発明の製造方法を適用できる。すなわち、各カラーフィルタ２５５を形成すべき領域において、主隔壁２６１により各色毎を区画するととともに、分割壁２６２により、先の主隔壁２６１により区画された領域をさらに複数の領域に区画し、これら分割壁２６２及び主隔壁２６１により囲まれる領域にカラーフィルタ２５５を形成する。このような製造方法を適用することで、パネルの大型化に伴い画素領域が大型化された場合にも、上記分割壁２６２を有していることで、比較的狭い領域内に前記インクを滴下することができるため、インクの配置を正確に行うことができるとともに、形成された色材層の膜厚の均一性に優れたカラーフィルタ基板（電気光学装置用基板）を製造することができる。
【００７４】
（電子機器）
図１５は、本発明の電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、上述した有機ＥＬ装置１を表示手段として備えている。図１５は、携帯電話の一例を示した斜視図で、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。このように本発明の電気光学装置に係る有機ＥＬ装置を表示手段として備える電子機器は、良好な発光寿命及び発光特性を得ることができる。
【００７５】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
本実施例では、先の実施形態の構成を備えた有機ＥＬ装置を、本発明に係る製造方法により作成した。ガラス基板２上に、素子部１４等を形成したのち、ＩＴＯからなる画素電極１１１をパターニングして形成し、さらに無機物バンク層１１２ａ（主隔壁）をＳｉＯ_２を用いて、有機物バンク層１１２ｂ（主隔壁）、及び分割壁１１２ｄをアクリル樹脂を用いて、それぞれフォトリソグラフィ技術を用いてパターン形成した。また、本例においてバンク径（無機物バンク層１１２ａの開口径）は、形成する画素サイズに応じて適宜変更し、有機物バンク層１１２ｂ及び分割壁１１２ｄの高さは２μｍとした。また、上記主隔壁１１２ｃ及び分割壁１１２ｄの平面形状を種々に変えて作製した。それぞれの平面形状は、図３、図５（実施例１）、図６（実施例２）、図７（実施例３）、図８（ａ）（実施例４）、図８（ｂ）（実施例５）に示す形状とした。また、比較のために、主隔壁１１２ｃのみを形成し、画素領域のサイズを変えたものを２種類（比較例１，比較例２）作製した。各実施例及び比較例の有機ＥＬ装置の画素サイズ、及びバンク数（画素領域Ａの分割数）を以下の表１に示す。
【００７６】
また、上記主隔壁１１２ｃ及び分割壁１１２ｄに囲まれる領域内に、正孔注入／輸送材料のインク組成物の滴下を行うに先立ち、大気圧プラズマによりアクリル樹脂からなる有機物バンク層１１２ｂ及び分割壁１１２ｄの表面を撥インク処理した。この大気圧プラズマ処理の条件は、大気圧下で、パワー３００Ｗ、電極−基板間距離１ｍｍ、酸素プラズマ処理では酸素ガス流量８０ｃｃｍ、ヘリウムガス流量１０ＳＬＭ、テーブル搬送速度１０ｍｍ／ｓで行い、続けて、ＣＦ４プラズマ処理では、ＣＦ４ガス流量１００ｃｃｍ、ヘリウムガス流量１０ＳＬＭ、テーブル搬送速度５ｍｍ／ｓで行った。
【００７７】
上記プラズマ処理による表面処理後、以下の表２に示した正孔注入／輸送層用インク組成物を、液滴吐出装置の吐出ヘッド（１ヘッド中１８０個×２列でノズルが配置されたものを用いた）から吐出し、パターン塗布した。その際の吐出量は、膜厚が８００Åになるように調整した。次いで、真空中（１Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ））、２５℃、２０分の乾燥条件で上記インク組成物に含まれる溶媒を除去し、その後、大気中２００℃（ホットプレート上）、１０分の熱処理を行い、図９に示すような正孔注入／輸送層１１０ａを形成した。
【００７８】
次に、以下の（化１）〜（化５）に示すような発光層用材料を表３〜表５に示す組成として用い、液滴吐出装置の吐出ヘッドから吐出し、パターン塗布した。その際の吐出量は、膜厚が８００Åになるように調整した。次いで、真空中（１Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ））、２５℃、２０分の乾燥条件で上記インク組成物に含まれる溶媒を除去し、赤色、緑色、青色の各色の発光層１１０ｂを形成した。
【００７９】
次に、上記にて得られた実施例１〜５及び、比較例１，２の各有機ＥＬ装置について、画素領域内（主隔壁１１２ｃ及び分割壁１１２ｄに囲まれる領域内）におけるインクの濡れ性を、顕微鏡観察により行った。その結果を表１に併記する。表１に示すように、本発明に係る製造方法を用いて作製された実施例１ないし５の有機ＥＬ装置では、いずれもバンク内にインクが均一に充填されており、良好な膜厚均一性を有する正孔注入／輸送層、及び発光層を形成できることが確認された。これに対して、主隔壁１１２ｃのみを形成した比較例１，２の有機ＥＬ装置では、バンク内に滴下したインクに偏りが生じ、均一な膜厚に正孔注入／輸送層、及び発光層を形成することができなかった。
【００８０】
【表１】

【００８１】
【表２】

【００８２】
【表３】

【００８３】
【表４】

【００８４】
【表５】

【００８５】
【化１】

【００８６】
【化２】

【００８７】
【化３】

【００８８】
【化４】

【００８９】
【化５】

【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、実施形態の有機ＥＬ装置を示す斜視構成図。
【図２】図２は、同、回路構成図。
【図３】図３は、同、１画素領域を示す平面構成図。
【図４】図４は、同、断面構成図。
【図５】図５は、同、１画素領域の他の例示す平面構成図。
【図６】図６は、同、１画素領域の他の例示す平面構成図。
【図７】図７は、同、１画素領域の他の例示す平面構成図。
【図８】図８は、同、１画素領域の他の例示す平面構成図。
【図９】図９は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す断面工程図。
【図１０】図１０は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す断面工程図。
【図１１】図１１は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す断面工程図。
【図１２】図１２は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す断面工程図。
【図１３】図１３は、実施形態のカラーフィルタの構成図。
【図１４】図１４は、同、断面工程図。
【図１５】図１５は、電子機器の斜視構成図。
【符号の説明】
１有機ＥＬ装置（電気光学装置）、１１２ａ無機物バンク層（主隔壁）、１１２ｂ有機物バンク層（主隔壁）、１１２ｃ主隔壁、１１２ｄ分割壁、１１０有機機能層（機能層）、１１０ａ正孔注入／輸送層、１１０ｂ（発光層）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electro-optical device, a substrate for an electro-optical device, and a method for manufacturing the electro-optical device.
[0002]
[Prior art]
In recent years, a light emitting material such as an organic fluorescent material is converted into an ink, and a method of patterning the light emitting material by an ink jet method in which the ink (composition) is ejected onto a substrate is employed. A color display device having a structure in which a light emitting layer made of a material is sandwiched, in particular, an organic EL (electroluminescence) display device using an organic light emitting material as a light emitting material has been developed. In particular, if a partition partitioning each pixel is provided on a substrate and the light emitting material is discharged into a region surrounded by the partition, the light emitting layer can be accurately formed on the substrate (Patent Document 1). reference).
[0003]
[Patent Document 1]
JP 2000-323276 A
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By adopting an ink jet method as a patterning method for the light emitting material, waste of the light emitting material can be eliminated, and an organic EL display device can be obtained quickly at low cost. However, when the ink jet method is applied to manufacture a large organic EL display device having a size of 5 inches or more, for example, when the ink composition is ejected to the enlarged pixel region, the pixel region (the region surrounded by the partition walls) ) Cannot be filled with the ink composition, and the film thickness and flatness of the light emitting layer to be formed may be uneven.
[0005]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and can be suitably used for forming a functional layer using an ink jet method, and has a high uniformity even when the substrate is enlarged. It is an object of the present invention to provide an electro-optical device having a configuration that can be easily formed.
It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing an electro-optical device that can easily form a functional layer having excellent uniformity even when the substrate is enlarged.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problem, an electro-optical device according to the present invention is an electro-optical device including a plurality of pixel regions arranged on a support substrate, and each pixel region is partitioned on the support substrate. A main partition, a partition wall that divides the pixel region into a plurality of regions, and a functional layer formed in a region partitioned by the partition wall are provided.
According to this configuration, by applying an electro-optical device manufacturing method in which the functional layer is manufactured by a liquid ejection method, a functional layer having a uniform thickness can be easily formed even when the pixel region is enlarged. An electro-optical device that can be provided can be provided. In the liquid ejection method, the liquid composition for forming the functional layer is ejected from an ejection head such as a droplet ejection apparatus and disposed at a predetermined position on a support substrate, and the liquid composition is dried to obtain a desired composition. A functional layer having a composition is formed. According to the configuration of the present invention, in addition to the main partition wall that divides each pixel region, a partition wall that further divides the pixel region into a plurality of regions is provided. As a result, the liquid composition can be discharged and arranged evenly and accurately even in a pixel region that has been enlarged with an increase in the size of the panel.
In this specification, the “pixel region” refers to a planar region corresponding to the minimum display unit in the electro-optical device according to the present invention. In an EL device or a liquid crystal device to which the present invention is applied, one pixel electrode is used. Corresponds to the display area driven by.
[0007]
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the region surrounded by the dividing wall has a planar shape along the length direction of the pixel region.
According to this configuration, when the liquid composition is discharged to the region surrounded by the main partition wall and the dividing wall using the droplet discharge device, the discharge head is scanned along the extending direction of the region. However, if the liquid composition is discharged, the direction intersecting the scanning direction of the discharge head can be shortened, and the spread of the liquid composition in this direction can be suppressed. It becomes difficult to generate a bias in the arrangement. Accordingly, it is possible to provide an electro-optical device that is easy to flatten the functional layer to be formed and is excellent in manufacturability.
[0008]
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the dividing wall is made of an insulating material. According to this configuration, when the functional layer is configured by laminating a plurality of thin films, it is possible to effectively prevent conduction between the thin films, and to provide an electro-optical device having excellent reliability. Can do.
[0009]
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the functional layer may be an organic EL layer. According to this configuration, it is possible to provide a high-quality organic EL device with excellent film thickness uniformity and flatness of the organic EL layer.
[0010]
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the organic EL layer includes a hole injection layer and a light emitting layer. With such a configuration, a highly efficient organic EL device can be provided.
[0011]
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the surface of the main partition wall and / or the partition wall has ink repellency. According to this configuration, it is possible to provide an electro-optical device that can accurately and easily place a liquid discharge on a fixed point when forming a functional layer by the liquid discharge method.
[0012]
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the partition wall may have a height that is lower than the main partition wall. According to this configuration, it is possible to provide an electro-optical device capable of preventing the liquid discharge from overflowing from the main partition wall and mixing into the adjacent pixel region when the functional layer is formed by the liquid discharge method. Further, when a thin film covering the functional layer and the dividing wall is formed in the pixel region, it is easy to ensure the step coverage of the thin film, and an electro-optical device having excellent reliability can be realized.
[0013]
Next, an electro-optical device substrate according to the present invention is an electro-optical device substrate including a plurality of pixel regions arranged and formed on a support substrate, and the main regions partition each pixel region on the support substrate. A partition wall and a partition wall that further divides the region surrounded by the main partition wall into a plurality of regions are provided.
According to this configuration, it is possible to provide an electro-optical device substrate suitable for use in a method for manufacturing an electro-optical device in which a liquid composition is discharged onto a substrate by a liquid discharge method to form a functional layer.
[0014]
In the electro-optical device substrate of the present invention, a color material layer may be formed in a region surrounded by the main partition wall and / or the dividing wall. According to this configuration, it is possible to provide an electro-optical device substrate including a color filter having excellent color material layer thickness uniformity and flatness.
[0015]
Next, a method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention is a method for manufacturing an electro-optical device having a plurality of pixel regions arranged on a support substrate, and each pixel region is partitioned on the support substrate. A partition wall forming step for forming a main partition wall and a partition wall that divides the pixel region into a plurality of regions; and a liquid composition for forming a functional layer is ejected into the region partitioned by the partition wall And a functional layer forming step of dropping by an apparatus.
According to such a manufacturing method, the dividing wall is formed so as to divide the pixel region into a plurality of regions. Therefore, even when the pixel region is enlarged with an increase in the size of the panel, the liquid state is contained in a relatively narrow region. Since the composition can be arranged, the arrangement of the liquid composition in the dropping region is hardly biased, and thereby a functional layer having excellent film thickness uniformity can be formed. In addition, an electro-optical device having uniform pixel region characteristics and excellent reliability can be manufactured.
[0016]
Next, in the method for manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that in the partition formation step, the main partition and / or the partition wall is formed using a material having ink repellency.
According to this manufacturing method, when forming the functional layer by the liquid discharge method, it is possible to place the liquid discharge accurately and easily at fixed points.
[0017]
Next, the electro-optical device manufacturing method of the present invention may include a step of imparting ink repellency to the surface of the main partition wall and / or the dividing wall.
Also with this manufacturing method, it is possible to accurately and easily place fixed points on the liquid discharge when forming the functional layer by the liquid discharge method.
[0018]
Next, in the electro-optical device manufacturing method of the present invention, in the functional layer forming step, the liquid composition can be sequentially dropped along the length direction of the region surrounded by the dividing wall.
According to this manufacturing method, since the spread of the liquid composition in the direction intersecting the scanning direction of the ejection head can be suppressed, the arrangement of the liquid composition is less likely to be biased in the region. Thereby, it becomes easy to planarize the functional layer to be formed.
[0019]
Next, in the method for manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, the functional layer may be an organic EL layer.
According to this manufacturing method, an organic EL device excellent in film thickness uniformity and flatness of the organic EL layer can be easily manufactured.
[0020]
Next, in the method of manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, in the partition formation step, at least one of the step of forming the main partition and the step of forming the dividing wall is a liquid for forming the partition. It can also be a step of dropping the composition with a droplet discharge device.
According to this manufacturing method, since the partition wall forming step is performed by a liquid discharge method, the manufacturing step can be made efficient together with the functional layer forming step. Moreover, the advantage that it can respond easily and flexibly to the change of the planar shape of the dividing wall is obtained.
[0021]
In the method of manufacturing the electro-optical device according to the aspect of the invention, in the partition formation step, the partition wall may be formed to be lower than the main partition.
According to this manufacturing method, in the functional layer forming step, it is possible to easily prevent the liquid discharge material from overflowing from the main partition and mixing into the adjacent pixel region. Further, when a thin film covering the functional layer and the dividing wall is formed in the pixel region, there is an advantage that it is easy to ensure the step coverage of the thin film.
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(Organic EL device)
Hereinafter, an embodiment of an organic EL device according to the present invention, a manufacturing method thereof, and an electronic device will be described with reference to the drawings. In each of the drawings to be referred to, the scale may be different for each layer or each member in order to make the size recognizable on the drawing.
[0023]
FIG. 1 is a schematic diagram of an active matrix organic EL device which is an embodiment of an electro-optical device according to the invention. The illustrated organic EL device 1 employs an active driving method using thin film transistors.
The organic EL device 1 includes a circuit element unit 14 including a thin film transistor as a circuit element on a substrate 2, a pixel electrode (anode) 111, an organic functional layer (functional layer) 110 including an organic EL layer (light emitting layer), a counter electrode ( A plurality of organic EL elements having a structure in which a cathode 12 and a sealing portion 3 are sequentially laminated are arranged in a matrix.
[0024]
As the substrate 2, a glass substrate is used in the present embodiment. As the substrate 2, various known substrates used for electro-optical devices and circuit substrates such as a silicon substrate, a quartz substrate, a ceramic substrate, a plastic substrate, and a plastic film substrate can be used in addition to a glass substrate. The surface of the substrate 2 (the lower surface in FIG. 1) is preferably subjected to a dereflection treatment that suppresses reflection of external light. Since the reflection of external light can be suppressed by performing the antireflection treatment on the surface of the substrate 2, the contrast of the organic EL device 1 can be improved. In the substrate 2, a plurality of pixel areas A as light emitting areas are arranged in a matrix, and when performing color display, for example, each color is red (R), green (G), and blue (B). Corresponding pixel regions A are arranged in a predetermined arrangement. That is, in this specification, the “pixel region” refers to the minimum display unit of the EL device 1.
In each pixel region A, a pixel electrode 111 is arranged, and in the vicinity thereof, a signal line 132, a power line 133, a scanning line 131, a scanning line for other pixel electrodes (not shown), and the like are arranged. As the planar shape of the pixel region A, an arbitrary shape such as a circle or an oval is applied in addition to a rectangle as illustrated.
[0025]
The sealing portion 3 prevents oxidation of the cathode 12 or the organic functional layer 110 by preventing water and oxygen from entering. The sealing resin applied to the substrate 2 and the seal bonded to the substrate 2 are used. A stop substrate 3b (sealing can) and the like are included. As the material of the sealing resin, for example, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is used, and in particular, an epoxy resin which is a kind of thermosetting resin is preferably used. The sealing resin is annularly applied to the periphery of the substrate 2 and is applied by, for example, a microdispenser. The sealing substrate 3b is made of glass, metal, or the like, and the substrate 2 and the sealing substrate 3b are bonded together via a sealing resin.
[0026]
FIG. 2 shows a circuit structure of the organic EL device 1. In FIG. 2, a plurality of scanning lines 131, a plurality of signal lines 132 extending in a direction intersecting with the scanning lines 131, and a plurality of power supply lines 133 extending in parallel with the signal lines are wired on the substrate 2. ing. Further, the pixel region A is formed at each intersection of the scanning line 131 and the signal line 132. For example, the data line driving circuit 103 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 132. Further, the scanning line drive circuit 104 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 131.
[0027]
In the pixel region A, a switching thin film transistor 123 in which a scanning signal is supplied to the gate electrode through the scanning line 131 and a storage capacitor for holding an image signal supplied from the signal line 132 through the switching thin film transistor 123. 135, a driving thin film transistor 124 to which an image signal held by the storage capacitor 135 is supplied to the gate electrode, and the power line 133 when electrically connected to the power line 133 through the driving thin film transistor 124 A pixel electrode (anode) 111 into which a driving current flows and an organic functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 111 and the cathode 12 are provided. The organic functional layer 110 includes a light emitting layer as an organic EL element.
[0028]
In the pixel region A, when the scanning line 131 is driven and the switching thin film transistor 123 is turned on, the potential of the signal line 132 at that time is held in the holding capacitor 135, and the driving thin film transistor according to the state of the holding capacitor 135. The conduction state of 124 is determined. In addition, a current flows from the power supply line 133 to the pixel electrode 111 through the channel of the driving thin film transistor 124, and further a current flows to the cathode 12 through the organic functional layer 110. The organic functional layer 110 emits light according to the amount of current at this time.
[0029]
FIG. 3 is a plan configuration diagram showing one pixel region A in the organic EL device 1. In the plan configuration diagram shown in FIG. 3, the organic functional layer 110, the counter electrode 12, the circuit element unit 14 and the like shown in FIG. 1 are not shown. As shown in FIG. 3, in the pixel region A of the present embodiment, a main partition 112c having a substantially rectangular frame shape in plan view is formed surrounding the periphery of the pixel electrode 111, and the region surrounded by the main partition 112c. A pixel region A is divided into two regions by a dividing wall 112d that vertically traverses the central portion in the short side direction.
[0030]
FIG. 4 is an enlarged view of the cross-sectional structure of the pixel region A along the line GG shown in FIG. As described above, the organic EL device 1 includes the circuit element unit 14 in which a circuit such as a TFT is formed on the substrate 2, the light emitting element unit 11 in which the pixel electrode 111 and the organic functional layer 110 are formed, the cathode 12, Are sequentially stacked. In the organic EL device 1, light emitted from the organic functional layer 110 to the substrate 2 side passes through the circuit element unit 14 and the substrate 2 and is emitted to the lower side (observer side) of the substrate 2, and the organic functional layer 110. Then, the light emitted from the opposite side of the substrate 2 is reflected by the cathode 12, passes through the circuit element portion 14 and the substrate 2, and is emitted to the lower side (observer side) of the substrate 2.
[0031]
In the circuit element portion 14, a base protective film 2c made of a silicon oxide film is formed on the substrate 2, and an island-shaped semiconductor film 141 made of polycrystalline silicon is formed on the base protective layer 2c. Note that a source region 141a and a drain region 141b are formed in the semiconductor film 141 by high concentration P ion implantation. A portion where P is not introduced is a channel region 141c. Further, a transparent gate insulating film 142 covering the base protective film 2c and the semiconductor film 141 is formed in the circuit element portion 14, and a gate electrode 143 made of Al, Mo, Ta, Ti, W, or the like is formed on the gate insulating film 142. (Scanning lines) are formed, and a transparent first interlayer insulating film 144 a and a second interlayer insulating film 144 b are formed on the gate electrode 143 and the gate insulating film 142. The gate electrode 143 is provided at a position corresponding to the channel region 141c of the semiconductor film 141. Also, contact holes 145 and 146 are formed through the first and second interlayer insulating films 144a and 144b and connected to the source and drain regions 141a and 141b of the semiconductor film 141, respectively.
[0032]
On the second interlayer insulating film 144b, a transparent pixel electrode 111 made of ITO or the like is formed by patterning into a predetermined shape, and one contact hole 145 is connected to the pixel electrode 111. In this manner, the driving switching thin film transistor 123 connected to each pixel electrode 111 is formed in the circuit element portion 14. The circuit element unit 14 is also formed with the storage capacitor 135 and the driving thin film transistor 124 described above, but these are not shown in FIG.
[0033]
The light emitting element portion 11 includes an organic functional layer 110 stacked on each of the plurality of pixel electrodes 111, and a main partition 112c disposed between the organic functional layers 110 to partition each organic functional layer 110 for each pixel region. And a partition wall 112d formed across the pixel region A and dividing the organic functional layer 110 in the pixel region. A cathode 12 is disposed on the organic functional layer 110.
An organic EL element that is a light emitting element includes a pixel electrode 111, a cathode 12, an organic functional layer 110, and the like. Here, the pixel electrode 111 is made of ITO, and is formed by patterning in a substantially rectangular shape in plan view. The thickness of the pixel electrode 111 is preferably in the range of 50 to 200 nm, particularly about 150 nm.
[0034]
As shown in FIG. 4, the main partition 112 c is configured by laminating an inorganic bank layer 112 a positioned on the substrate 2 side and an organic bank layer 112 b positioned away from the substrate 2. The inorganic bank layer 112a is made of, for example, SiO. ₂ TiO ₂ It consists of inorganic materials such as. The organic bank layer 112b is formed of a resist having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin. The partition wall 112d has a main portion formed on the pixel electrode 111, and is formed of the same material in the same layer as the organic bank layer 112b. In the present embodiment, the dividing wall 112 d and the organic bank layer 112 b (main partition wall) are formed at substantially the same height with respect to the substrate 2.
[0035]
The organic functional layer 110 includes a hole injection / transport layer 110a laminated on the pixel electrode 111, a light emitting layer (organic EL layer) 110b formed adjacent to the hole injection / transport layer 110a, and a light emitting layer. 110b and an electron injection / transport layer 110c formed on the bank 112 and over the entire surface. The hole injection / transport layer 110a has a function of injecting holes into the light emitting layer 110b and a function of transporting holes inside the hole injection / transport layer 110a. The electron injection / transport layer 110c has a function of injecting electrons into the light emitting layer 110b and a function of transporting electrons inside the electron injection / transport layer 110c. By providing such a hole injection / transport layer 110a between the pixel electrode 111 and the light emitting layer 110a and providing an electron injection / transport layer 110c between the cathode 12 and the light emitting layer 110b, the luminous efficiency of the light emitting layer 110b, The device characteristics such as lifetime are improved. In the light emitting layer 110b, the holes injected from the hole injection / transport layer 110a and the electrons injected from the electron injection / transport layer 110c are recombined in the light emitting layer 110b to obtain light emission.
[0036]
In FIG. 4, the red light emitting layer 110b1 that emits red (R) is illustrated as the light emitting layer 110b. However, the organic EL device 1 of the present embodiment has a green light emitting layer that emits green (G), a blue light emitting layer 110b1, and a blue light emitting layer 110b. (B) is combined with the blue light-emitting layer that emits light, and three types of light-emitting layers having different wavelength bands for light emission are provided. These light emitting layers are arranged in a predetermined arrangement (for example, a stripe shape).
[0037]
Next, the cathode 12 is formed on the entire surface of the light emitting element portion 11, and plays a role of injecting electrons into the electron injection / transport layer 110c. The cathode 12 is configured by laminating a calcium layer 12a and an aluminum layer 12b. The layer thickness of the calcium layer is preferably in the range of 2 to 50 nm, for example. The aluminum layer 12b reflects light emitted from the light emitting layer 110b to the substrate 2 side, and is preferably composed of an Al film, an Ag film, a laminated film of Al and Ag, and the like. The thickness is preferably in the range of 100 to 1000 nm, for example.
[0038]
In the organic EL device 1 having the above configuration, as shown in FIGS. 3 and 4, a partition wall 112d that further divides the pixel region surrounded by the main partition 112c into a plurality of regions A1 and A2 is provided. Thus, the organic functional layer 110 can be efficiently formed by the ink jet method (liquid ejection method) even when the pixel region is enlarged along with the enlargement of the panel. That is, when the liquid composition for forming the organic functional layer is dropped onto the large pixel area using the inkjet method, the area where the dropped liquid composition spreads is large, and the pixel area Since the surface of the bank layer (partition wall) that divides the surface is usually provided with ink repellency, the liquid composition is not uniformly distributed over the entire pixel region, and the film thickness of the functional layer is nonuniform during drying. There is a fear. On the other hand, in the organic EL device 1 according to the present embodiment, the partition wall 112d that divides the pixel region A into two regions A1 and A2 is formed, so that the liquid composition is formed in a relatively narrow region. Since dripping can be performed, the liquid composition can be arranged accurately and uniformly, and the film thickness uniformity of the organic functional layer 110 formed can be improved.
As described above, the organic EL device 1 of the present embodiment can be easily manufactured because the organic functional layer 110 having excellent film thickness uniformity and pixel region coverage can be formed by the inkjet method. It is an organic EL device having an excellent structure and suitable for mass production of large panels.
[0039]
In the above embodiment, the height of the dividing wall 112d is formed to be substantially the same as that of the main partition wall 112c, but the dividing wall 112d can also be formed lower than the main partition wall 112c. That is, when the liquid composition is dropped by the ink jet method, for example, even if the liquid composition dropped onto the region A1 crosses the dividing wall and partially enters the adjacent region A2 side, both the regions A1, A2 Since these are regions included in the same pixel region, there is no problem in display characteristics even if the liquid composition is mixed in both. Further, when it is necessary to form a layer having a considerable thickness as the organic functional layer, it is necessary to fill the liquid composition up to the vicinity of the top of the main partition 112c. If it is formed lower, the liquid composition gets over the dividing wall 112d before getting over the main partition 112c, which is advantageous in preventing the liquid composition from being mixed between adjacent pixel regions.
[0040]
In the above embodiment, the organic EL device 1 including the partition wall 112d extending in the length direction (vertical direction in FIG. 3) of the pixel region A has been described. However, the configuration of the partition wall 112d according to the present invention is as described above. Without being limited to the embodiment, various forms can be taken according to the size of the pixel region A and the configuration of the ejection head that ejects the liquid composition for forming the organic functional layer in the ink jet method. Another configuration example of the dividing wall 112d will be described below with reference to FIGS. 5 to 8 are plan configuration diagrams showing one pixel region A of the organic EL device in this configuration example. In these drawings, illustrations are omitted except for the main partition 112c, the partition wall 112d, and the pixel electrode 111, but each pixel region actually has the same configuration as that in FIG.
[0041]
In the example shown in FIG. 5, a main partition 112 c having a substantially rectangular frame shape in plan view is formed along the peripheral edge of the pixel region A, and a dividing wall 112 d is formed that crosses the center of the pixel region A in the horizontal direction in the drawing. The pixel area A is divided into two areas A1 and A2 by the main partition 112c and the dividing wall 112d.
[0042]
Next, in the example shown in FIG. 6A, a main partition 112c having a substantially rectangular frame shape in plan view is formed along the peripheral edge of the pixel region A, and two divisions crossing the pixel region A in the horizontal direction in the drawing. The

walls

112d and 112d are formed at substantially equal intervals to each other, and the pixel region A is divided into three regions A1 to A3 having substantially the same planar shape by the main partition 112c and the divided

walls

112d and 112d. It is divided.
In the example shown in FIG. 6B, a main partition wall 112c having a substantially rectangular frame shape in plan view is formed along the peripheral edge of the pixel region A, and two dividing walls 112d that cross the pixel region A in the vertical direction in the figure. 112d are formed in substantially parallel to each other at equal intervals, and the pixel area A is divided into three areas A1 to A3 having substantially the same planar shape by the main partition 112c and the dividing

walls

112d and 112d. .
[0043]
Next, in the example shown in FIG. 7A, a main partition 112c having a substantially rectangular frame shape in plan view is formed along the peripheral edge of the pixel region A, and passes through the center of the pixel region A in the vertical and horizontal directions shown in the drawing. A partition wall 112d having a substantially cross shape in plan view is formed so as to cross the pixel region A into four regions A1 to A4 having substantially the same planar shape by the main partition 112c and the partition wall 112d. Yes.
In the example shown in FIG. 7B, a main partition 112c having a substantially rectangular frame shape in plan view is formed along the peripheral edge of the pixel region A, and three dividing walls 112d that cross the pixel region A in the vertical direction in the figure. 112d are formed in substantially parallel to each other at equal intervals, and the pixel partition A is divided into four regions A1 to A3 having substantially the same planar shape by the main partition 112c and the partition walls 112d.
[0044]
Next, in the example shown in FIG. 8A, a main partition 112 c having a substantially rectangular frame shape in plan view is formed along the peripheral edge of the pixel region A, and a substantially lattice in plan view passing through the center of the pixel region A. A partition wall 112d is formed, and the pixel region A is divided into six regions A1 to A6 having substantially the same planar shape by the main partition 112c and the partition wall 112d.
In the example shown in FIG. 8B, a main partition 112c having a substantially rectangular frame shape in plan view is formed along the peripheral edge of the pixel region A, and a partition wall 112d having a substantially lattice shape in plan view that crosses the pixel region A is formed. The pixel region A is divided into nine regions A1 to A9 having substantially the same planar shape by the main partition 112c and the partition wall 112d.
[0045]
(Method for manufacturing organic EL device)
Next, a method for manufacturing the organic EL device 1 will be described with reference to FIGS.
The manufacturing method of this embodiment includes (1) a barrier rib forming step, (2) a hole injection / transport layer forming step, (3) a light emitting layer forming step, (4) an electron injection / transport layer forming step, and (5) a cathode. A forming step and (6) a sealing step. In addition, the manufacturing method demonstrated here is an example, Comprising: Another process is added as needed, A part of said process is removed. In this embodiment, (2) hole injection / transport layer forming step and (3) light emitting layer forming step are functional layer forming steps according to the present invention, and a liquid discharge method (inkjet) using a droplet discharge device. Method).
It is assumed that the circuit element portion 14 including the switching and driving

thin film transistors

123 and 124 and the pixel electrode 111, respectively, shown in FIG.
[0046]
(1) Partition formation process
As shown in FIG. 9, the main partition 112c (inorganic bank layer 112a and organic bank layer 112b) and the partition wall 112d are formed on the substrate 2 on which the pixel electrode 111 is formed. The inorganic bank layer 112a is made of, for example, SiO. ₂ TiO ₂ An inorganic film such as the above can be used as a material. These materials are formed by, for example, a CVD method, a coating method, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like. Furthermore, the film thickness of the inorganic bank layer 112a is preferably in the range of 50 to 200 nm, particularly 150 nm.
[0047]
The inorganic bank layer 112a may be formed as the inorganic bank layer 112a having an opening by forming an inorganic film on the entire surface of the interlayer insulating layer 144 and the pixel electrode 111 and then patterning the inorganic film by a photolithography method or the like. it can. This opening corresponds to the position where the electrode surface 111a of the pixel electrode 111 is formed. At this time, the inorganic bank layer 112 a is formed so as to overlap with the peripheral edge of the pixel electrode 111. As shown in FIG. 4, the light emitting region of the light emitting layer 110 can be controlled by forming the inorganic bank layer 112a so that the peripheral edge of the pixel electrode 111 and the inorganic bank layer 112a overlap.
[0048]
Next, as shown in FIG. 9, an organic bank layer 112b is formed on the inorganic bank layer 112a. In the manufacturing method of this embodiment, at the same time in this step, the dividing wall 112d is formed at a predetermined position of the pixel electrode 111 (in the previous embodiment, a position crossing the pixel electrode 111 in the vertical direction in the figure).
A material having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin is used for the organic bank layer 112b and the partition wall 112d. Using these materials, the organic bank layer 112b and the partition wall 112d are formed by patterning using a photolithography technique or the like. That is, a position corresponding to the opening of the inorganic bank layer 112a is opened to form the organic bank layer 112b, and a partition wall 112d that divides a region surrounded by the organic bank layer 112b into two regions is formed. The
[0049]
As shown in FIGS. 4 and 9, the opening of the organic bank layer 112a is preferably formed wider than the opening formed in the inorganic bank layer 112a. Further, the organic bank layer 112b preferably has a tapered shape as shown in the drawing, the width of the bottom surface of the organic bank layer 112b is narrower than the width of the pixel electrode 111, and the width of the top surface of the organic bank layer 112b is substantially equal to the width of the pixel electrode 111. It is preferable to form in the width. That is, it is preferable that the side wall of the organic bank layer 112b having a taper has a shape extending to the center side of the pixel electrode 111 on the bottom side.
Also, the side wall portion of the dividing wall 112d is preferably formed to have the same tapered shape as the organic bank layer 112b.
[0050]
The thickness of the organic bank layer 112b is preferably in the range of 0.1 to 3.5 μm, and particularly preferably about 2 μm. The reason for this range is as follows.
That is, when the thickness is less than 0.1 μm, the organic bank layer 112b is thinner than the total thickness of the hole injection / transport layer and the light emitting layer described later, and the light emitting layer 110b may overflow from the opening of the organic bank layer 112b. This is not preferable. On the other hand, if the thickness exceeds 3.5 μm, a step due to the opening of the organic bank layer 112b becomes large, and step coverage of the cathode 12 formed covering these bank layers cannot be secured, which is not preferable. In addition, it is preferable that the thickness of the organic bank layer 112b is 2 μm or more because the insulation between the cathode 12 and the driving thin film transistor 123 can be enhanced.
[0051]
In the above process, the dividing wall 112d can be formed lower than the organic bank layer 112b. By forming the partition wall 112d relatively low in this way, when the liquid composition is dropped into the opening in the functional layer forming process described later, the liquid composition gets over the organic bank layer 112b and is adjacent to the pixel. It becomes easy to prevent mixing in the area. Further, there is an advantage that step coverage of the cathode 12 can be easily secured in the pixel region.
[0052]
In the above process, the organic bank layer 112b and the dividing wall 112d are formed in the same process to improve the efficiency of the process. However, the organic bank layer 112b and the dividing wall 112d are separated from each other. In the process, they can be formed using different materials.
[0053]
The step of forming the organic bank layer 112b and the partition wall 112d is a liquid in which a liquid composition containing an acrylic resin, a polyimide resin, or the like is dropped by a droplet discharge device and placed at a fixed position on the substrate 2. It can also be formed by a discharge method.
[0054]
(2) Hole injection / transport layer formation process
Next, as shown in FIG. 9, a hole injection / transport layer 110a is formed on the substrate 2 on which the pixel electrode 111 is formed. In the hole injection / transport layer forming step, a composition containing a hole injection / transport layer forming material is discharged onto the pixel electrode 111 by using a liquid discharge method. Thereafter, a drying process and a heat treatment are performed to form the hole injection / transport layer 110 a on the pixel electrode 111. The subsequent steps including the hole injection / transport layer forming step are preferably performed in an inert gas atmosphere such as a nitrogen atmosphere or an argon atmosphere.
[0055]
As a procedure for forming the hole injection / transport layer by the liquid discharge method, the discharge head H for discharging the liquid is filled with the composition ink containing the material of the hole injection / transport layer, and the discharge nozzle of the discharge head Is opposed to the pixel electrode 111 located in the opening of the bank part 112, and the ink droplet d in which the amount of liquid per droplet is controlled is ejected from the ejection nozzle while the ejection head and the substrate 2 are relatively moved. Thereafter, the ejected ink droplets are dried to evaporate the polar solvent (liquid material) contained in the composition ink, thereby forming the hole injection / transport layer.
[0056]
As the composition used here, for example, a composition obtained by dissolving a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT) and polystyrenesulfonic acid (PSS) in a polar solvent can be used. Examples of the polar solvent include isopropyl alcohol (IPA), normal butanol, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) and its derivatives, carbito- Examples include glycol ethers such as rubacetate and butyl carbitol acetate, and diethylene glycol. More specifically, the composition of the PEDOT: PSS mixture (PEDOT / PSS = 1: 20): 11 wt%, PSS: 2 wt%, diethylene glycol: 50 wt%, pure water: 37 wt% It can be illustrated. The viscosity of the composition is preferably about 2 to 20 cPs, particularly about 4 to 15 cPs.
[0057]
(3) Light emitting layer forming step
Next, as shown in FIGS. 9 and 10, a light emitting layer 110b is formed on the pixel electrode 111 on which the hole injection / transport layer 110a is stacked. In FIG. 9, the composition ink is filled in the opening surrounded by the main partition 112c and the dividing wall 112d, and then the red light emitting layers 110b1 and 110b1 are formed as shown in FIG. Here, a composition ink containing a light emitting layer material is ejected onto the hole injection / transport layer 110a by a liquid ejection method, and then dried and heat-treated, so that an opening surrounded by the main partition 112c and the partition wall 112d is formed. Each color light emitting layer 110b, 110b1 is formed in the part.
[0058]
In the light emitting layer forming step, non-polarity that is insoluble in the hole injecting / transporting layer 110a is used as a solvent for the composition ink used in forming the light emitting layer in order to prevent re-dissolution of the hole injecting / transporting layer 110a. Use solvent. In this case, in order to improve the wettability of the surface of the hole injection / transport layer 110a with respect to the nonpolar solvent, it is preferable to perform a surface modification step before forming the light emitting layer. The surface modification step is performed, for example, by applying the same solvent as the nonpolar solvent or a similar solvent on the hole injection / transport layer 110a by a liquid discharge method, a spin coating method, a dip method, or the like and then drying. Examples of the surface modifying solvent used here are cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, isopropylbiphenyl and the like as the nonpolar solvent of the composition ink. Examples of such a nonpolar solvent include toluene and xylene.
[0059]
As the procedure for forming the light emitting layer by the liquid discharge method, first, when forming the red light emitting layer, as shown in FIG. 9, the discharge head H is filled with a composition ink containing a material for forming the red light emitting layer 110b1, While the discharge nozzle of the discharge head H is opposed to the hole injection / transport layer 110a for red located in the opening surrounded by the main partition 112c and the partition wall 112d, the discharge head H and the substrate 2 are relatively moved, Ink droplets having a controlled amount of liquid per droplet are ejected from the ejection nozzle. The ejected ink droplet spreads on the hole injection / transport layer 110a and fills the opening. Subsequently, by drying the discharged ink droplets, the nonpolar solvent contained in the composition ink is evaporated, and the red light emitting layer 110b1 is formed.
As a light emitting material for forming the red light emitting layer 110b1, for example, a material made of an organic EL material such as rhodamine and a derivative thereof can be used. On the other hand, as the nonpolar solvent, those insoluble in the hole injection / transport layer are preferable, and for example, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, isopropylbiphenyl, and the like can be used.
[0060]
Subsequently, the respective light emitting layers 110b are also formed on the non-red pixel electrodes 111 on which the hole injection / transport layers 110a are stacked. This light emitting layer forming step is performed in the same procedure as the red light emitting layer forming step described above. In addition, as a luminescent material which forms a green light emitting layer, what consists of organic EL materials, such as a quinacridone and its derivative (s), can be used, for example, As a luminescent material which forms a blue light emitting layer, a distyryl biphenyl and its derivative (s), for example In addition, organic EL materials such as coumarin and derivatives thereof, tetraphenylbutadiene and derivatives thereof can be used.
[0061]
In the (2) hole injecting / transporting layer forming step and (3) light emitting layer forming step, the region (opening) A1 and A2 shown in FIG. It is preferable to scan the discharge head H and drop the composition ink. By scanning the ejection head H along the shapes of the regions A1 and A2 partitioned by the dividing wall 112d in this manner, it is effective that the dropped ink composition is unevenly arranged in the opening. Therefore, it is possible to form a hole injection / transport layer and a light emitting layer having good film thickness uniformity.
[0062]
(4) Electron injection / transport layer formation process
Next, as shown in FIG. 11, an electron injection / transport layer 110 c is formed on the entire surface of the light emitting layer 110 b and the bank layer 112. The electron injecting / transporting layer 110c is preferably formed by a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, or the like. In particular, the electron injection / transport layer 110c is preferably formed by a vapor deposition method from the viewpoint of preventing damage to the light emitting layer 110b due to heat.
[0063]
(5) Cathode formation process
Next, as shown in FIG. 12, the cathode 12 that forms a pair with the pixel electrode (anode) 111 is formed. That is, the cathode 12 is formed by sequentially laminating the calcium layer 12a and the aluminum layer 12b on the entire surface of the substrate 2 including the light emitting layers 110b, the organic bank layers 112b (main partition walls 112c), and the dividing walls 112d. Thereby, the cathode 12 is laminated | stacked on the whole formation area of each color light emitting layer 110b, and the organic EL element corresponding to each color of red, green, and blue is each formed.
[0064]
The cathode 12 is preferably formed by, for example, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like, and particularly preferably formed by an evaporation method in terms of preventing damage to the light emitting layer 110b due to heat. Further, on the cathode 12, SiO 2 is used for preventing oxidation. ₂ A protective layer such as SiN may be provided.
[0065]
(6) Sealing process
Finally, the substrate 2 on which the organic EL element (light emitting element) is formed and the sealing substrate 3b (see FIG. 1) are sealed with a sealing resin. For example, a sealing resin made of a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is applied to the peripheral portion of the substrate 2, and the sealing substrate 3b is disposed on the sealing resin. The sealing step is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. If it is carried out in the air, when a defect such as a pinhole has occurred in the cathode 12, water or oxygen may enter the cathode 12 from the defective portion and the cathode 12 may be oxidized, which is not preferable.
[0066]
Thereafter, the cathode 12 is connected to the wiring of the substrate 2 and the wiring of the circuit element unit 14 (see FIG. 1) is connected to a driving IC (driving circuit) provided on the substrate 2 or outside. The organic EL device 1 is completed.
[0067]
As described above, in the manufacturing method according to the present embodiment, (1) in the partition formation step, the main partition 112c (inorganic bank layer 112a and organic bank layer 112b) partitioning each pixel region is formed, and the inside of the pixel region is formed. Since the partition wall 112d for partitioning is formed, even when the pixel region is enlarged due to the enlargement of the panel, the liquid discharge in the later (2) hole injection / transport layer forming step and (3) light emitting layer forming step In this method, it is possible to effectively prevent the arrangement of the dropped composition ink from being biased, and thus it is possible to form the organic functional layer 110 having excellent film thickness uniformity. An organic EL device capable of high-quality display in which pixels with uniform emission characteristics are arranged can be easily manufactured. Further, if the composition ink is dropped onto the area partitioned by the dividing wall 112d while scanning the ejection head along the extending direction, the composition ink can be effectively prevented from being unevenly arranged. Thus, it is possible to form an organic functional layer that is more excellent in film thickness uniformity.
Of the above-described manufacturing methods, the liquid ejection method is consistently used in the (2) hole injection / transport layer forming step and (3) light emitting layer forming step, so that the process can be simplified. .
[0068]
(Color filter)
In the above, an organic EL device is shown as an embodiment of the electro-optical device according to the present invention. However, the present invention can also be applied to the formation of a film that is a constituent element of a color filter used in the electro-optical device. it can. FIG. 13 is a diagram showing a color filter formed on the substrate P, and FIG. 14 is a diagram showing a manufacturing procedure of the color filter.
[0069]
As shown in FIG. 13, in this example, a plurality of color filter regions 251 are formed in a matrix on a rectangular substrate P from the viewpoint of improving productivity. These color filter regions 251 can be used as color filters suitable for a liquid crystal display device or the like by cutting the substrate P later. The color filter region 251 has a predetermined pattern, in this example, a conventionally known stripe type, of an R (red) liquid composition, a G (green) liquid composition, and a B (blue) liquid composition. Formed with. In addition to the stripe type, the formation pattern may be a mosaic type, a delta type, or a square type. And the surfactant mentioned above is added to each liquid composition of RGB.
[0070]
In order to form such a color filter region 251, first, as shown in FIG. 14 (a), a plan view substantially lattice that divides the color material layer region for each color with respect to one surface of the transparent substrate P. A main partition wall 261 is formed. The main partition 261 is formed by exposing and developing after spin coating. A dividing wall 262 that further divides the region surrounded by the main partition wall 261 is formed. In FIG. 14A, the dividing wall 262 extending perpendicularly to the paper surface between the

main partition walls

261 and 261 is illustrated as having the planar shape shown in FIG. Any of the configuration examples described in the above embodiments of the organic EL device can be applied to the planar shape of the dividing wall 262.
Next, ink is arranged inside the region surrounded by the grid of the main partition wall 261 and the dividing wall 262. At this time, the main partition wall 261 and the dividing wall 262 preferably have liquid repellency. The main partition wall 261 preferably functions as a black matrix, and the dividing wall 262 preferably functions as a black matrix or is formed in the same color as the ink to be filled.
[0071]
Next, as shown in FIG. 14B, the liquid material composition droplets 254 are ejected from the droplet ejection head and land on the filter element 253. The amount of the liquid droplets 254 to be discharged is a sufficient amount considering the volume reduction of the liquid composition in the heating process. When all the filter elements 253 on the substrate P are filled with the droplets 254 in this manner, the substrate P is heated using a heater so that the substrate P reaches a predetermined temperature (for example, about 70 ° C.). By this heat treatment, the solvent of the liquid composition evaporates and the volume of the liquid composition decreases. In the case where the current volume is intense, the droplet discharge process and the heating process are repeated until a sufficient film thickness is obtained for the color filter. By this treatment, the solvent contained in the liquid composition evaporates, and finally only the solid content contained in the liquid composition remains to form a film, and a color filter (color) as shown in FIG. Material layer) 255.
[0072]
Next, in order to planarize the substrate P and protect the color filter 255, a protective film 256 is formed on the substrate P so as to cover the color filter 255 and the bank 252 as shown in FIG. In forming the protective film 256, a spin coating method, a roll coating method, a ripping method, or the like can be employed. However, as with the color filter 255, a liquid discharge method can also be used.
Next, as shown in FIG. 14E, a transparent conductive film 257 is formed on the entire surface of the protective film 256 by sputtering or vacuum deposition. Thereafter, the transparent conductive film 257 is patterned, and the pixel electrode 258 is patterned corresponding to the filter element 253 as shown in FIG. Note that this patterning is not necessary when a TFT (Thin Film Transistor) is used to drive the liquid display panel.
[0073]
In the present embodiment, the manufacturing method of the present invention can be applied when forming the color filter 255. That is, in each region where each color filter 255 is to be formed, each color is partitioned by the main partition wall 261, and the partition wall 262 further partitions the region partitioned by the previous main partition wall 261 into a plurality of regions. A color filter 255 is formed in a region surrounded by the wall 262 and the main partition wall 261. By applying such a manufacturing method, even when the pixel region is enlarged as the panel is enlarged, the partition wall 262 is provided so that the ink is dropped in a relatively narrow region. Therefore, it is possible to accurately arrange the ink and to manufacture a color filter substrate (electro-optical device substrate) excellent in the uniformity of the thickness of the formed color material layer.
[0074]
(Electronics)
FIG. 15 shows an embodiment of the electronic apparatus of the present invention. The electronic apparatus of this embodiment includes the above-described organic EL device 1 as a display unit. FIG. 15 is a perspective view showing an example of a mobile phone. Reference numeral 1000 denotes a mobile phone main body, and reference numeral 1001 denotes a display unit using the organic EL device 1 described above. As described above, an electronic apparatus including the organic EL device according to the electro-optical device of the present invention as a display unit can obtain good light emission lifetime and light emission characteristics.
[0075]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
In this example, an organic EL device having the configuration of the previous embodiment was created by the manufacturing method according to the present invention. After the element portion 14 and the like are formed on the glass substrate 2, the pixel electrode 111 made of ITO is patterned and formed, and the inorganic bank layer 112a (main partition wall) is made of SiO. ₂ The organic bank layer 112b (main partition wall) and the partition wall 112d were patterned using an acrylic resin using a photolithography technique. In this example, the bank diameter (the opening diameter of the inorganic bank layer 112a) was changed as appropriate according to the pixel size to be formed, and the height of the organic bank layer 112b and the partition wall 112d was 2 μm. Further, the main partition 112c and the partition wall 112d were produced by changing the planar shapes in various ways. Each planar shape is shown in FIG. 3, FIG. 5 (Example 1), FIG. 6 (Example 2), FIG. 7 (Example 3), FIG. 8 (a) (Example 4), FIG. The shape was as shown in Example 5). For comparison, two types (Comparative Example 1 and Comparative Example 2) in which only the main partition 112c was formed and the size of the pixel region was changed were produced. Table 1 below shows the pixel size and the number of banks (the number of divisions of the pixel region A) of the organic EL devices of the examples and comparative examples.
[0076]
Further, prior to the dropping of the ink composition of the hole injection / transport material into the region surrounded by the main partition 112c and the partition wall 112d, the organic bank layer 112b and the partition wall 112d made of acrylic resin by atmospheric pressure plasma are performed. The surface was treated with ink repellent. The conditions of this atmospheric pressure plasma treatment are as follows: atmospheric pressure, power 300 W, electrode-substrate distance 1 mm, oxygen plasma treatment with oxygen gas flow rate 80 ccm, helium gas flow rate 10 SLM, table transport speed 10 mm / s, The CF4 plasma treatment was performed at a CF4 gas flow rate of 100 ccm, a helium gas flow rate of 10 SLM, and a table transfer speed of 5 mm / s.
[0077]
After the surface treatment by the plasma treatment, the hole injection / transport layer ink composition shown in Table 2 below was applied to the ejection head of the droplet ejection device (with 180 nozzles in 2 heads arranged in 2 rows). Was used and a pattern was applied. The discharge amount at that time was adjusted so that the film thickness was 800 mm. Next, the solvent contained in the ink composition is removed under vacuum (1 Torr (133 Pa)) and drying conditions at 25 ° C. for 20 minutes, and then heat treatment is performed in the atmosphere at 200 ° C. (on a hot plate) for 10 minutes. A hole injection / transport layer 110a as shown in FIG. 9 was formed.
[0078]
Next, the light emitting layer materials as shown in the following (Chemical Formula 1) to (Chemical Formula 5) were used as the compositions shown in Tables 3 to 5, and were ejected from the ejection head of the droplet ejection apparatus and applied with a pattern. The discharge amount at that time was adjusted so that the film thickness was 800 mm. Next, the solvent contained in the ink composition was removed under vacuum (1 Torr (133 Pa)) and drying conditions at 25 ° C. for 20 minutes to form red, green and blue light emitting layers 110b.
[0079]
Next, for each of the organic EL devices of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 obtained above, the wettability of ink in the pixel region (in the region surrounded by the main partition 112c and the partition wall 112d). Was performed by microscopic observation. The results are also shown in Table 1. As shown in Table 1, in each of the organic EL devices of Examples 1 to 5 manufactured using the manufacturing method according to the present invention, the bank is uniformly filled with ink, and good film thickness uniformity is obtained. It was confirmed that a hole injection / transport layer having a light emitting layer and a light emitting layer can be formed. On the other hand, in the organic EL devices of Comparative Examples 1 and 2 in which only the main partition 112c is formed, the ink dropped in the bank is biased, and the hole injection / transport layer and the light emitting layer are formed with a uniform film thickness. Could not be formed.
[0080]
[Table 1]

[0081]
[Table 2]

[0082]
[Table 3]

[0083]
[Table 4]

[0084]
[Table 5]

[0085]
[Chemical 1]

[0086]
[Chemical formula 2]

[0087]
[Chemical 3]

[0088]
[Formula 4]

[0089]
[Chemical formula 5]

[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective configuration diagram illustrating an organic EL device according to an embodiment.
FIG. 2 is a circuit configuration diagram of the same.
FIG. 3 is a plan configuration diagram showing one pixel region.
FIG. 4 is a sectional configuration view of the same.
FIG. 5 is a plan configuration diagram showing another example of the one-pixel region.
FIG. 6 is a plan configuration diagram illustrating another example of the one-pixel region.
FIG. 7 is a plan configuration diagram showing another example of the one-pixel region.
FIG. 8 is a plan configuration diagram illustrating another example of the one-pixel region.
FIG. 9 is a cross-sectional process diagram illustrating a method of manufacturing an organic EL device.
FIG. 10 is a cross-sectional process diagram illustrating a method of manufacturing an organic EL device.
FIG. 11 is a cross-sectional process diagram illustrating a method of manufacturing an organic EL device.
FIG. 12 is a cross-sectional process diagram illustrating a method of manufacturing an organic EL device.
FIG. 13 is a configuration diagram of a color filter according to the embodiment.
FIG. 14 is a sectional process view of the same.
FIG. 15 is a perspective configuration diagram of an electronic device.
[Explanation of symbols]
1 Organic EL device (electro-optical device), 112a Inorganic bank layer (main partition wall), 112b Organic bank layer (main partition wall), 112c Main partition wall, 112d Partition wall, 110 Organic functional layer (functional layer), 110a Hole injection / Transport layer, 110b (light emitting layer)

Claims

An electro-optical device having a plurality of pixel regions arranged on a support substrate,
A main partition partitioning each pixel region on the support substrate;
A dividing wall that divides the pixel region into a plurality of regions;
An electro-optical device comprising: a functional layer formed in a region partitioned by the dividing wall.

The electro-optical device according to claim 1, wherein the region surrounded by the dividing wall has a planar shape along a length direction of the pixel region.

The electro-optical device according to claim 1, wherein the dividing wall is made of an insulating material.

The electro-optical device according to claim 1, wherein the functional layer is an organic EL layer.

The electro-optical device according to claim 4, wherein the organic EL layer includes a hole injection layer and a light emitting layer.

6. The electro-optical device according to claim 1, wherein surfaces of the main partition walls and / or the partition walls have ink repellency.

The electro-optical device according to claim 1, wherein a height of the dividing wall is lower than a height of the main partition wall.

An electro-optical device substrate comprising a plurality of pixel regions arranged on a support substrate,
A main partition partitioning each pixel region on the support substrate;
An electro-optical device substrate, comprising: a partition wall that further divides the pixel region into a plurality of regions.

9. The electro-optical device substrate according to claim 8, wherein a color material layer is formed in a region surrounded by the main partition wall and / or the dividing wall.

A method for manufacturing an electro-optical device having a plurality of pixel regions arranged on a support substrate,
A partition forming step of forming a main partition partitioning each pixel region on the support substrate and a partition wall dividing the pixel region into a plurality of regions;
A method of manufacturing an electro-optical device, comprising: a functional layer forming step of dropping a liquid composition for forming a functional layer by a droplet discharge device in a region partitioned by the dividing wall.

The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 10, wherein, in the partition formation step, the main partition and / or the dividing wall is formed using a material having ink repellency.

The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 10, further comprising a step of imparting ink repellency to a surface of the main partition wall and / or the dividing wall.

The electro-optic according to any one of claims 10 to 12, wherein, in the functional layer forming step, the liquid composition is sequentially dropped along a length direction of a region surrounded by the dividing wall. Device manufacturing method.

In the partition formation step,
At least one of the step of forming the main partition wall and the step of forming the dividing wall is a step of dropping a liquid composition for forming the partition wall with a droplet discharge device. Item 14. The method for manufacturing an electro-optical device according to any one of Items 10 to 13.

15. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 10, wherein the partition wall forming step forms a height of the dividing wall lower than the main partition wall.