JP2004327431A - 電子機器 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 24
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylanthracene Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
【解決手段】 発光装置を用いた電子機器であって、発光装置は、発光素子と、発光素子が有する陽極または陰極側のいずれか一方に設けられたカラーフィルタと、発光素子及びカラーフィルタを間に挟んで存在する2つの偏光板とを有しており、陽極及び陰極は透光性を有しており、2つの偏光板は互いに偏向の角度が異なっており、発光素子から得られる光は白色であることを特徴とする電子機器。
【選択図】 図1
Description
図1を用い、本発明の具体的な構成について説明する。図1(A)に、本発明の発光装置の断面構造の一形態を示す。図1(A)に示す本発明の発光装置は、発光素子を各画素に備えた発光パネル101と、該発光パネル101を間に挟んで存在する2つのカラーフィルタ102、103と、発光パネル101及びカラーフィルタ102、103を間に挟んで存在する2つの偏光板104、105を有する。
図4(A)に、本発明の発光装置が有する画素の一形態を示す。図4(A)に示す画素は、発光素子401と、画素へのビデオ信号の入力を制御するためのスイッチング素子として用いるトランジスタ(スイッチング用トランジスタ)402と、発光素子401に流れる電流値を制御する駆動用トランジスタ403と、発光素子401への電流の供給の有無を選択する電流制御用トランジスタ404とを有している。さらに本実施の形態のように、ビデオ信号の電位を保持するための容量素子405を画素に設けても良い。
本実施の形態では、本発明の発光装置が有する画素の、図4(A)とは異なる形態について説明する。
102 カラーフィルタ
103 カラーフィルタ
104 偏光板
105 偏光板
111 発光パネル
112 カラーフィルタ
113 カラーフィルタ
114 液晶パネル
115 液晶パネル
Claims (11)
- 発光素子と、前記発光素子が有する陽極または陰極側のいずれか一方に設けられたカラーフィルタと、前記発光素子及び前記カラーフィルタを間に挟んで存在する2つの偏光板とを有しており、
前記陽極及び前記陰極は透光性を有しており、
前記2つの偏光板は互いに偏向の角度が異なっており、
前記発光素子から得られる光は白色であることを特徴とする電子機器。 - 発光素子と、前記発光素子を間に挟んで存在する2つのカラーフィルタと、前記発光素子及び前記2つのカラーフィルタを間に挟んで存在する2つの偏光板とを有しており、
前記陽極及び前記陰極は透光性を有しており、
前記2つの偏光板は互いに偏向の角度が異なっており、
前記発光素子から得られる光は白色であることを特徴とする電子機器。 - 発光素子と、前記発光素子に流れる電流値を決定する第1のトランジスタと、前記発光素子の発光の有無を選択する第2のトランジスタと、前記発光素子が有する陽極または陰極側のいずれか一方に設けられたカラーフィルタと、前記発光素子及び前記カラーフィルタを間に挟んで存在する2つの偏光板とを有しており、
前記陽極及び前記陰極は透光性を有しており、
前記2つの偏光板は互いに偏向の角度が異なっており、
前記発光素子から得られる光は白色であり、
前記発光素子、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、第1の電源と第2の電源の間に直列に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは第3の電源に接続されていることを特徴とする電子機器。 - 発光素子と、前記発光素子に流れる電流値を決定する第1のトランジスタと、前記発光素子の発光の有無を選択する第2のトランジスタと、前記発光素子を間に挟んで存在する2つのカラーフィルタと、前記発光素子及び前記2つのカラーフィルタを間に挟んで存在する2つの偏光板とを有しており、
前記陽極及び前記陰極は透光性を有しており、
前記2つの偏光板は互いに偏向の角度が異なっており、
前記発光素子から得られる光は白色であり、
前記発光素子、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、第1の電源と第2の電源の間に直列に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは第3の電源に接続されていることを特徴とする電子機器。 - 発光素子と、前記発光素子が有する陽極または陰極側のいずれか一方に設けられたカラーフィルタと、前記発光素子及び前記カラーフィルタを間に挟んで存在する2つの液晶パネルとを有しており、
前記陽極及び前記陰極は透光性を有しており、
前記発光素子から得られる光は白色であることを特徴とする電子機器。 - 発光素子と、前記発光素子を間に挟んで存在する2つのカラーフィルタと、前記発光素子及び前記2つのカラーフィルタを間に挟んで存在する2つの液晶パネルとを有しており、
前記陽極及び前記陰極は透光性を有しており、
前記発光素子から得られる光は白色であることを特徴とする電子機器。 - 発光素子と、前記発光素子に流れる電流値を決定する第1のトランジスタと、前記発光素子の発光の有無を選択する第2のトランジスタと、前記発光素子が有する陽極または陰極側のいずれか一方に設けられたカラーフィルタと、前記発光素子及び前記カラーフィルタを間に挟んで存在する2つの液晶パネルとを有しており、
前記陽極及び前記陰極は透光性を有しており、
前記発光素子から得られる光は白色であり、
前記発光素子、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、第1の電源と第2の電源の間に直列に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは第3の電源に接続されていることを特徴とする電子機器。 - 発光素子と、前記発光素子に流れる電流値を決定する第1のトランジスタと、前記発光素子の発光の有無を選択する第2のトランジスタと、前記発光素子を間に挟んで存在する2つのカラーフィルタと、前記発光素子及び前記2つのカラーフィルタを間に挟んで存在する2つの液晶パネルとを有しており、
前記陽極及び前記陰極は透光性を有しており、
前記発光素子から得られる光は白色であり、
前記発光素子、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、第1の電源と第2の電源の間に直列に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは第3の電源に接続されていることを特徴とする電子機器。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか1項において、
前記発光素子は、青色発光を呈する第一発光層と、ホスト材料に燐光材料が10wt%以上の濃度で分散され、かつ前記燐光材料からの燐光発光と前記燐光材料のエキシマー状態からの発光とを共に発する第二発光層と、を有することを特徴とする電子機器。 - 請求項9において、
前記第一発光層からの発光スペクトルの最大ピークは、400nm以上500nm以下の領域に位置することを特徴とする電子機器。 - 請求項9または請求項10において、
前記燐光材料は500nm以上700nm以下の領域に2つ以上のピークを有する発光を示し、かつ、前記2つ以上のピークのいずれかがエキシマー発光であることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004110616A JP4477400B2 (ja) | 2003-04-07 | 2004-04-05 | 発光装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003103114 | 2003-04-07 | ||
JP2004110616A JP4477400B2 (ja) | 2003-04-07 | 2004-04-05 | 発光装置及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010028291A Division JP5106553B2 (ja) | 2003-04-07 | 2010-02-11 | 電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004327431A true JP2004327431A (ja) | 2004-11-18 |
JP2004327431A5 JP2004327431A5 (ja) | 2007-05-24 |
JP4477400B2 JP4477400B2 (ja) | 2010-06-09 |
Family
ID=33512949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004110616A Expired - Fee Related JP4477400B2 (ja) | 2003-04-07 | 2004-04-05 | 発光装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4477400B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005037415A (ja) * | 2003-05-16 | 2005-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 素子基板及び発光装置 |
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WO2005115059A1 (en) * | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the element |
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