JP2004322292A - 電解加工装置 - Google Patents
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- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract description 15
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 219
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 103
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 54
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 33
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 17
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 17
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 16
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 123
- 239000000463 material Substances 0.000 description 38
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 25
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 25
- -1 as shown in FIG. 1B Chemical compound 0.000 description 17
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 12
- 238000005349 anion exchange Methods 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 10
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 10
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000010559 graft polymerization reaction Methods 0.000 description 9
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007562 laser obscuration time method Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000010399 physical interaction Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWTYTFSSTWXZFU-UHFFFAOYSA-N 3-chloroprop-1-enylbenzene Chemical compound ClCC=CC1=CC=CC=C1 IWTYTFSSTWXZFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 125000002467 phosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- MNCGMVDMOKPCSQ-UHFFFAOYSA-M sodium;2-phenylethenesulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 MNCGMVDMOKPCSQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
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- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
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Abstract
【課題】電気化学的加工に際し、必然的に発生するガスの気泡への成長を抑制して、被加工物表面にピットが発生することを極力防止できるようにする。
【解決手段】共に電極径が１ｍｍ以下の複数の加工電極７６と給電電極７８とを電気的に分離して配置した電極部４４と、基板Ｗを保持して電極部４４に近接させる基板保持部４２と、加工電極７６と給電電極７８との間に電圧を印加する電源４６と、基板保持部４２で保持して電極部４４に近接させた基板Ｗと該電極部４４との間に流体を供給する流体供給部７２と、基板保持部４２で保持した基板Ｗの被加工面上の一の点に対して、複数の加工電極７８が通過するように電極部４４と基板Ｗとを相対運動させる駆動部５６，６２とを備えた。
【選択図】 図５
【解決手段】共に電極径が１ｍｍ以下の複数の加工電極７６と給電電極７８とを電気的に分離して配置した電極部４４と、基板Ｗを保持して電極部４４に近接させる基板保持部４２と、加工電極７６と給電電極７８との間に電圧を印加する電源４６と、基板保持部４２で保持して電極部４４に近接させた基板Ｗと該電極部４４との間に流体を供給する流体供給部７２と、基板保持部４２で保持した基板Ｗの被加工面上の一の点に対して、複数の加工電極７８が通過するように電極部４４と基板Ｗとを相対運動させる駆動部５６，６２とを備えた。
【選択図】 図５
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電解加工装置に係り、特に半導体ウエハ等の基板の表面に形成された導電性材料を加工したり、基板表面に付着した不純物を除去したりするのに使用される電解加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体ウエハ等の基板上に回路を形成するための配線材料として、アルミニウム又はアルミニウム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐性が高い銅（Ｃｕ）を用いる動きが顕著になっている。この種の銅配線は、基板の表面に設けた微細凹みの内部に銅を埋め込むことによって一般に形成される。この銅配線を形成する方法としては、化学気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング及びめっきといった手法があるが、いずれにしても、基板のほぼ全表面に銅を成膜して、化学機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により不要の銅を除去するようにしている。
【０００３】
図１（ａ）乃至図１（ｃ）は、この種の銅配線基板Ｗの一製造例を工程順に示すものである。図１（ａ）に示すように、半導体素子が形成された半導体基材１上の導電層１ａの上にＳｉＯ２からなる酸化膜やＬｏｗ−ｋ材膜などの絶縁膜２が堆積され、リソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホール３と配線溝４が形成されている。これらの上にＴａＮ等からなるバリア膜５、更にその上に電解めっきの給電層としてのシード層７がスパッタリングやＣＶＤ等により形成されている。
【０００４】
そして、基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、図１（ｂ）に示すように、基板Ｗのコンタクトホール３及び配線溝４内に銅を充填するとともに、絶縁膜２上に銅膜６を堆積する。その後、化学機械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅膜６及びシード層７を除去して、コンタクトホール３及び配線溝４に充填させた銅膜６の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように銅膜６からなる配線が形成される。
【０００５】
また、最近ではあらゆる機器の構成要素において微細化かつ高精度化が進み、サブミクロン領域での物作りが一般的となるにつれて、加工法自体が材料の特性に与える影響は益々大きくなっている。このような状況下においては、従来の機械加工のように、工具が被加工物を物理的に破壊しながら除去していく加工方法では、加工によって被加工物に多くの欠陥を生み出してしまうため、被加工物の特性が劣化してしまう。したがって、いかに材料の特性を損なうことなく加工を行うことができるかが問題となってくる。
【０００６】
この問題を解決する手段として開発された特殊加工法に、化学研磨や電解加工、電解研磨がある。これらの加工方法は、従来の物理的な加工とは対照的に、化学的溶解反応を起こすことによって、除去加工等を行うものである。したがって、塑性変形による加工変質層や転位等の欠陥は発生せず、上述の材料の特性を損なわずに加工を行うといった課題が達成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
電気化学的加工において、反応種であるイオンは、加工電極及び給電電極と被加工物との間に生じる電界により被加工物表面に移動する。したがって、イオンの移動に対する阻害物が発生した場合に、加工の一様性や均一性に影響を受ける。 ここで、阻害物としては、被加工物表面において加工過程で被加工物とイオンとの電気化学的反応により生じる加工生成物や、イオン交換体と被加工物との相対運動により発生するイオン交換体からの遊離物、被加工物と電極表面において副反応により生成する気泡（ガス）等が挙げられる。これらの阻害物は、電極と被加工物の間に存在することでイオンの移動の妨げになり、加工量の一様化及び均一化を図る上での妨げとなる。特に気泡は、被加工物表面にピットを生成する要因となり、このため、気泡の発生を抑制することが強く求められている。
【０００８】
ここで、気泡は、電極表面及び被加工物表面において発生するガスが凝集することで生成される。このため、気泡の発生を抑制する方法の１つとして、ガス凝集を抑制することが考えられる。ガス凝集の程度は、▲１▼ガス分子の水との親和性、▲２▼電極や被加工物表面におけるガスの発生速度及びガス分布の不均一性により決まる。ここで、▲２▼については、電極や被加工物へのイオン（ここではＨ＋イオンやＯＨ−イオン）の供給量分布の偏りが気泡発生に影響を及ぼすためであり、イオンの供給量分布は、電極及び被加工物近傍の電界分布、並びに電極間の電界分布の影響を受ける。従って、電極及び被加工物近傍、更に電極間の電界の強度分布を考慮した電極の作成が必要となる。
【０００９】
本発明は、上述の事情に鑑みなされたもので、電気化学的加工に際し、必然的に発生するガスの気泡への成長を抑制して、被加工物表面にピットが発生することを極力防止できるようにした電解加工装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、共に電極径が１ｍｍ以下の複数の加工電極と給電電極とを電気的に分離して配置した電極部と、被加工物を保持して前記電極部に近接させる基板保持部と、前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する電源と、前記基板保持部で保持して前記電極部に近接させた被加工物と該電極部との間に流体を供給する流体供給部と、前記基板保持部で保持した被加工物の被加工面上の一の点に対して、複数の前記加工電極が通過するように前記電極部と前記被加工物とを相対運動させる駆動部とを備えたことを特徴とする電解加工装置である。
【００１１】
図２及び図３は、本発明の加工原理を示すものである。図２は、被加工物１０の表面に、加工電極１４に取付けたイオン交換体１２ａと、給電電極１６に取付けたイオン交換体１２ｂとを接触又は近接させ、加工電極１４と給電電極１６との間に電源１７を介して電圧を印加しつつ、加工電極１４及び給電電極１６と被加工物１０との間に流体供給部１９から超純水等の液体１８を供給した状態を示している。図３は、被加工物１０の表面に、加工電極１４に取付けたイオン交換体１２ａを接触又は近接させ、給電電極１６を被加工物１０に直接接触させて、加工電極１４と給電電極１６との間に電源１７を介して電圧を印加しつつ、加工電極１４と被加工物１０との間に流体供給部１９から超純水等の液体１８を供給した状態を示している。
【００１２】
超純水のような液自身の抵抗値が大きい液体を使用する場合には、イオン交換体１２ａを被加工物１０の表面に「接触させる」ことが好ましく、このようにイオン交換体１２ａを被加工物１０の表面に接触させることにより、電気抵抗を低減させることができ、印加電圧も小さくて済み、消費電力も低減できる。従って、本発明に係る加工における「接触」は、例えばＣＭＰのように物理的なエネルギー（応力）を被加工物に与えるために、「押し付ける」ものではない。
【００１３】
図２及び図３において、超純水等の液体１８中の水分子２０をイオン交換体１２ａ，１２ｂで水酸化物イオン２２と水素イオン２４に解離し、例えば生成された水酸化物イオン２２を、被加工物１０と加工電極１４との間の電界と超純水等の液体１８の流れによって、被加工物１０の加工電極１４と対面する表面に供給して、ここでの被加工物１０近傍の水酸化物イオン２２の密度を高め、被加工物１０の原子１０ａと水酸化物イオン２２を反応させる。反応によって生成された反応物質２６は、超純水等の液体１８中に溶解し、被加工物１０の表面に沿った超純水等の液体１８の流れによって被加工物１０から除去される。これにより、被加工物１０の表面層の除去加工が行われる。
【００１４】
このように、本加工法は、純粋に被加工物との電気化学的相互作用のみにより被加工物の除去加工を行うものであり、ＣＭＰのような研磨部材と被加工物との物理的な相互作用及び研磨液中の化学種との化学的相互作用の混合による加工とは加工原理が異なるものである。この方法では、被加工物１０の加工電極１４と対面する部位が加工されるので、加工電極１４を移動させることで、被加工物１０の表面を所望の表面形状に加工することができる。
【００１５】
なお、本発明に係る電解加工方法は、電気化学的相互作用による溶解反応のみにより被加工物の除去加工を行うため、ＣＭＰのような研磨部材と被加工物との物理的な相互作用及び研磨液中の化学種との化学的相互作用の混合による加工とは加工原理が異なるものである。したがって、材料の特性を損なわずに除去加工を行うことが可能であり、例えば前述のＬｏｗ−ｋ材に挙げられる機械的強度の小さい材料に対しても、物理的な相互作用を及ぼすことなく除去加工が可能である。また、通常の電解液を用いる電解加工方法と比較しても、加工液に５００μＳ／ｃｍ以下の液体、好ましくは純水、更に好ましくは超純水を用いるため、被加工物表面への汚染も大幅に低減させることが可能であり、また加工後の廃液の処理も容易となる。
【００１６】
また、本発明による電解加工装置によれば、共に電極径が１ｍｍ以下の複数の加工電極と給電電極とを電気的に分離し配置して電極部を構成し、この電極部と被加工物とを相対的に移動させて加工を行うことで、電極（加工電極及び給電電極）及び被加工物近接の電界分布、並びに加工電極と給電電極との間の電界分布をより一様にして、電極表面及び被加工物表面に発生したガスの気泡への成長を抑制することができる。
【００１７】
請求項２に記載の発明は、互いに隣接する前記加工電極と前記給電電極との距離は、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との距離に対して１倍以上に設定されていることを特徴とする請求項１記載の電解加工装置である。これにより、被加工物と加工電極または給電電極との間の通電を、互いに隣接する加工電極と給電電極との間の通電より優先させて、電流が、被加工物を通過することなく、互いに隣接する加工電極と給電電極との間を流れてしまうことを防止することができる。互いに隣接する加工電極と給電電極との距離は、被加工物と加工電極または給電電極との距離に対して、４．５倍以上であることが好ましく、９倍以上であることが更に好ましい。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極の少なくとも一方との間に、イオン交換体を配置したことを特徴とする請求項１または２記載の電解加工装置である。
請求項４に記載の発明は、前記被加工物と前記加工電極及び前記給電電極との間に、前記加工電極及び前記給電電極を一体に覆うイオン交換体を配置したことを特徴とする請求項１または２記載の電解加工装置である。これにより、電極部やイオン交換体の製作の便を図ることができる。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記イオン交換体は、巻付け軸と巻取り軸との間に掛け渡されて順次巻取られるようになっていることを特徴とする請求項３または４記載の電解加工装置である。これにより、イオン交換体を順次巻取ることによって、イオン交換体の交換を自動で行うことができので、イオン交換体を高速で交換することができる。したがって、イオン交換体の交換による装置のダウンタイムを短くして、スループットを向上させることができる。
請求項６に記載の発明は、前記イオン交換体を再生するイオン交換体再生部を更に有することを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の電解加工装置である。これにより、電解加工に使用されたイオン交換体を自動的に再生することができるので、ランニングコストを低減するとともに、装置のダウンタイムを短くすることが可能となる。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、前記流体供給部は、前記電極部を貫通する流体供給路を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電解加工装置である。これにより、基板保持部で保持して電極部に近接させた被加工物と該電極部との間に、電極板を通過させた液体を供給することができる。
請求項８に記載の発明は、前記電極部は、液体の流通が可能なポーラス状の絶縁体からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電解加工装置である。これにより、例えば電極板に貫通孔を設けるといった面倒な加工を行うことなく、電極板の内部を液体が通過するようにすることができる。
【００２１】
請求項９に記載の発明は、前記流体は、純水、超純水、電気電導率が５００μＳ／ｃｍ以下の流体または電解液であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電解加工装置である。ここで、純水は、例えば電気伝導度（１ａｔｍ，２５℃換算、以下同じ）が１０μＳ／ｃｍ以下の水である。超純水は、電気伝導度が０．１μＳ／ｃｍ（比抵抗で１０ＭΩ・ｃｍ）以下の水である。このように、純水、より好ましくは超純水を使用して電解加工を行うことで、加工面に不純物を残さない清浄な加工を行うことができ、これによって、電解加工後の洗浄工程を簡素化することができる。具体的には、電解加工後の洗浄工程は１段若しくは２段でよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明では、被加工物として基板を使用し、電解加工装置で基板を加工するようにした例を示しているが、本発明を基板以外にも適用できることは言うまでもない。
【００２３】
図４は、本発明の実施の形態における電解加工装置を備えた基板処理装置の構成を示す平面図である。図４に示すように、この基板処理装置は、例えば、図１（ｂ）に示すように、表面に導電体膜（被加工物）としての銅膜６を有する基板Ｗを収納したカセットを搬出入する搬出入部としての一対のロード・アンロード部３０と、基板の１次洗浄を行う第１洗浄機３１ａと、基板の２次洗浄（仕上げ洗浄）を行う第２洗浄機３１ｂと、基板Ｗを反転させる反転機３２と、電解加工装置３４とを備えている。これらの機器は、直列に配置されており、これらの機器の間で基板Ｗを搬送して授受する搬送装置としての搬送ロボット３６がこれらの機器と平行に走行自在に配置されている。また、電解加工装置３４による電解加工の際に、後述する加工電極７６と給電電極７８との間に印加する電圧又はこれらの間を流れる電流をモニタするモニタ部３８がロード・アンロード部３０に隣接して配置されている。
【００２４】
図５は、基板処理装置内の電解加工装置３４を模式的に示す縦断面図、図６は、図５の平面図である。図５に示すように、電解加工装置３４は、上下動可能かつ水平方向に揺動自在なアーム４０と、アーム４０の自由端に垂設され、表面（被処理面）を下向き（フェイスダウン）にして基板Ｗを吸着保持する基板保持部４２と、基板保持部４２の下方に配置される円板状の電極部４４と、電極部４４に接続される電源４６とを備えている。
【００２５】
アーム４０は、揺動用モータ４８に連結された揺動軸５０の上端に取付けられており、揺動用モータ４８の駆動に伴って水平方向に揺動するようになっている。また、この揺動軸５０は、上下方向に延びるボールねじ５２に連結されており、ボールねじ５２に連結された上下動用モータ５４の駆動に伴ってアーム４０とともに上下動するようになっている。
【００２６】
基板保持部４２は、自転用モータ５６に連結されており、この自転用モータ５６の駆動に伴って回転（自転）するようになっている。また、上述したように、アーム４０は、上下動及び水平方向に揺動可能となっており、基板保持部４２はアーム４０と一体となって上下動及び水平方向に揺動可能となっている。
【００２７】
電極部４４は、平板状の架台６０の上面に取付けられており、この架台６０は、中空モータ６２に連結されている。これによって、電極部４４は、中空モータ６２の駆動に伴って、架台６０と一体に回転するようになっている。ここで、電極部４４の回転中心Ｏ１と基板保持部４２の回転中心Ｏ２との間には、距離ｄが設けられて、電極部４４は回転中心Ｏ１を中心に回転（自転）し、基板保持部４２は回転中心Ｏ２を中心に回転（自転）するように構成されている。
【００２８】
架台６０の電極部４４を挟んだ両端部には、イオン交換体６８を巻付けた巻付け軸６４とイオン交換体６８を巻取る巻取り軸６６が回転自在に配置され、巻付け軸６４と巻取り軸６６との間に長尺状に延びるイオン交換体６８が掛け渡されている。更に、巻取り軸６６は、巻取りモータ７０に連結されている。これにより、この巻取りモータ７０の駆動に伴って巻取り軸６６を回転させることで、巻付け軸６６に巻付けたイオン交換体６８を順次巻取り、これによって、イオン交換体６８の交換を自動で行うことができるようになっている。このように、イオン交換体６８の交換を自動で行うことで、イオン交換体６８を高速で交換し、イオン交換体６８の交換による装置のダウンタイムを短くして、スループットを向上させることができる。
【００２９】
イオン交換体６８は、例えば、アニオン交換能又はカチオン交換能を付与した不織布で構成されている。カチオン交換体は、好ましくは強酸性カチオン交換基（スルホン酸基）を担持したものであるが、弱酸性カチオン交換基（カルボキシル基）を担持したものでもよい。また、アニオン交換体は、好ましくは強塩基性アニオン交換基（４級アンモニウム基）を担持したものであるが、弱塩基性アニオン交換基（３級以下のアミノ基）を担持したものでもよい。
【００３０】
ここで、例えば強塩基性アニオン交換能を付与した不織布は、繊維径２０〜５０μｍで空隙率が約９０％のポリオレフィン製の不織布に、γ線を照射した後グラフト重合を行ういわゆる放射線グラフト重合法により、グラフト鎖を導入し、次に導入したグラフト鎖をアミノ化して４級アンモニウム基を導入して作製される。導入されるイオン交換基の容量は、導入するグラフト鎖の量により決定される。グラフト重合を行うためには、例えばアクリル酸、スチレン、メタクリル酸グリシジル、更にはスチレンスルホン酸ナトリウム、クロロメチルスチレン等のモノマーを用い、これらのモノマー濃度、反応温度及び反応時間を制御することで、重合するグラフト量を制御することができる。したがって、グラフト重合前の素材の重量に対し、グラフト重合後の重量の比をグラフト率と呼ぶが、このグラフト率は、最大で５００％が可能であり、グラフト重合後に導入されるイオン交換基は、最大で５ｍｅｑ／ｇが可能である。
【００３１】
強酸性カチオン交換能を付与した不織布は、上記強塩基性アニオン交換能を付与する方法と同様に、繊維径２０〜５０μｍで空隙率が約９０％のポリオレフィン製の不織布に、γ線を照射した後グラフト重合を行ういわゆる放射線グラフト重合法により、グラフト鎖を導入し、次に導入したグラフト鎖を、例えば加熱した硫酸で処理してスルホン酸基を導入して作製される。また、加熱したリン酸で処理すればリン酸基が導入できる。ここでグラフト率は、最大で５００％が可能であり、グラフト重合後に導入されるイオン交換基は、最大で５ｍｅｑ／ｇが可能である。
【００３２】
イオン交換体６８の素材の材質としては、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系高分子、又はその他有機高分子が挙げられる。また素材形態としては、不織布の他に、織布、シート、多孔質材、短繊維等が挙げられる。
【００３３】
ここで、ポリエチレンやポリプロピレンは、放射線（γ線と電子線）を先に素材に照射する（前照射）ことで、素材にラジカルを発生させ、次にモノマーと反応させてグラフト重合することができる。これにより、均一性が高く、不純物が少ないグラフト鎖ができる。一方、その他の有機高分子は、モノマーを含浸させ、そこに放射線（γ線、電子線、紫外線）を照射（同時照射）することで、ラジカル重合することができる。この場合、均一性に欠けるが、ほとんどの素材に適用できる。
【００３４】
このように、イオン交換体６８をアニオン交換能又はカチオン交換能を付与した不織布で構成することで、純水又は超純水や電解液等の液体が不織布の内部を自由に移動して、不織布内部の水分解触媒作用を有する活性点に容易に到達することが可能となって、多くの水分子が水素イオンと水酸化物イオンに解離される。更に、解離によって生成した水酸化物イオンが純水又は超純水や電解液等の液体の移動に伴って効率良く加工電極７６（図８参照）の表面に運ばれるため、低い印加電圧でも高電流が得られる。
【００３５】
ここで、イオン交換体６８をアニオン交換基又はカチオン交換基の一方を付与したもののみで構成すると、電解加工できる被加工材料が制限されるばかりでなく、極性により不純物が生成しやすくなる。そこで、アニオン交換基を有するアニオン交換体とカチオン交換基を有するカチオン交換体とを重ね合わせたり、イオン交換体６８自体にアニオン交換基とカチオン交換基の双方の交換基を付与するようにしたりしてもよく、これにより、被加工材料の範囲を拡げるとともに、不純物を生成しにくくすることができる。
【００３６】
更に、長尺状に延びるイオン交換体６８の電極部４４の上流側に位置して、イオン交換体６８の幅方向の全長に跨って延びる、流体供給部としての純水ノズル７２が配置されている。この純水ノズル（流体供給部）７２は、純水、より好ましくは超純水を電極部４４の上面側に供給する複数の噴射口を有している。ここで、純水は、例えば電気伝導度が１０μＳ／ｃｍ以下の水であり、超純水は、例えば電気伝導度が０．１μＳ／ｃｍ以下の水である。このように電解質を含まない純水又は超純水を使用して電解加工を行うことで、基板Ｗの表面に電解質等の余分な不純物が付着したり、残留したりすることをなくすことができる。更に、電解によって溶解した銅イオン等が、イオン交換体６８にイオン交換反応で即座に捕捉されるため、溶解した銅イオン等が基板Ｗの他の部分に再度析出したり、酸化されて微粒子となり基板Ｗの表面を汚染したりすることがない。
【００３７】
また、純水又は超純水の代わりに電気伝導度５００μＳ／ｃｍ以下の液体や、任意の電解液、例えば純水又は超純水に電解質を添加した電解液を使用してもよい。電解液を使用することで、電気抵抗を低減して消費電力を削減することができる。この電解液としては、例えば、ＮａＣｌやＮａ２ＳＯ４等の中性塩、ＨＣｌやＨ２ＳＯ４等の酸、更には、アンモニア等のアルカリなどの溶液を使用することができ、被加工物の特性によって適宜選択して使用することができる。
【００３８】
更に、純水又は超純水の代わりに、純水又は超純水に界面活性剤等を添加して、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下、好ましくは、５０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは、０．１μＳ／ｃｍ以下（比抵抗で１０ＭΩ・ｃｍ以上）にした液体を使用してもよい。このように、純水又は超純水に界面活性剤を添加することで、基板Ｗとイオン交換体６８の界面にイオンの移動を防ぐ一様な抑制作用を有する層を形成し、これによって、イオン交換（金属の溶解）の集中を緩和して被加工面の平坦性を向上させることができる。ここで、界面活性剤濃度は、１００ｐｐｍ以下が好ましい。なお、電気伝導度の値が、５００μＳ／ｃｍ以下、好ましくは、５０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは、０．１μＳ／ｃｍ以下の液体を使用することで、所望の加工速度を得ることができる。
【００３９】
図７は電極部４４を示す平面図、図８は図７の部分拡大図である。図７及び図８に示すように、電極部４４は、円板状の絶縁体からなる電極板７４を備えており、この電極板７４の内部に、電極径ｄ１が１ｍｍ以下の多数の加工電極７６と、同じく電極径ｄ２が１ｍｍ以下の多数の給電電極７８が、交互かつ全面に亘って均等に分散した状態で埋設されて配置されている。加工電極７６と給電電極７８は、絶縁体からなる電極板７４で電気的に分離されている。これらの加工電極７６及び給電電極７８の上面は、上述したイオン交換体６８により一体に覆われる。各加工電極７６及び給電電極７８は同一形状であり、基板Ｗと電極部４４とを相対移動させたときに、基板Ｗの被加工面上の各点における存在頻度が略均一となるように、電極板７４の内部の略全面に配置されている。
【００４０】
この例では、加工電極７６はスリップリング８０（図５参照）を介して電源４６の陰極に接続され、給電電極７８はスリップリング８０を介して電源４６の陽極に接続されている。例えば、銅を加工する場合においては、陰極側に電解加工作用が生じるので、陰極に接続した電極が加工電極となり、陽極に接続した電極が給電電極となる。一方、加工材料によっては、給電電極を電源の陰極に接続し、加工電極を電源の陽極に接続してもよい。例えば、被加工材料が例えばアルミニウムやシリコンである場合には、陽極側で電解加工作用が生じるため、電源の陽極に接続した電極が加工電極となり、陰極に接続した電極が給電電極となる。
【００４１】
ここで、加工電極７６及び給電電極７８は、電解反応により、酸化又は溶出が一般に問題となる。このため、電極の素材として、電極に広く使用されている金属や金属化合物よりも、炭素、比較的不活性な貴金属、導電性酸化物又は導電性セラミックスを使用することが好ましい。この貴金属を素材とした電極としては、例えば、下地の電極素材にチタンを用い、その表面にめっきやコーティングで白金又はイリジウムを付着させ、高温で焼結して安定化と強度を保つ処理を行ったものが挙げられる。セラミックス製品は、一般に無機物質を原料として熱処理によって得られ、各種の非金属・金属の酸化物・炭化物・窒化物などを原料として、様々な特性を持つ製品が作られている。この中に導電性を持つセラミックスもある。電極が酸化すると電極の電気抵抗値が増加し、印加電圧の上昇を招くが、このように、白金などの酸化しにくい材料やイリジウムなどの導電性酸化物で電極表面を保護することで、電極素材の酸化による導電性の低下を防止することができる。
【００４２】
次に、この実施の形態における電解加工装置３４を用いた基板処理（電解加工）について説明する。まず、例えば、図１（ｂ）に示すように、表面に導電体膜（被加工部）として銅膜６を形成した基板Ｗを収納したカセットをロード・アンロード部３０にセットし、このカセットから１枚の基板Ｗを搬送ロボット３６で取り出す。搬送ロボット３６は、取り出した基板Ｗを必要に応じて反転機３２に搬送し、基板Ｗの導電体膜（銅膜６）を形成した表面が下を向くように反転させる。
【００４３】
搬送ロボット３６は、反転させた基板Ｗを受取り、これを電解加工装置３４に搬送し、基板保持部４２により吸着保持させる。そして、アーム４０を移動させて基板Ｗを保持した基板保持部４２を電極部４４の直上方の加工位置まで移動させる。次に、上下動用モータ５４を駆動して基板保持部４２を下降させ、この基板保持部４２で保持した基板Ｗを電極部４４の上面を覆うイオン交換体６８の表面に接触又は近接させる。この状態で、中空モータ６２を駆動して電極部４４を回転させるとともに、自転用モータ５６を駆動して基板保持部４２及び基板Ｗを回転させて基板Ｗと電極部４４とを相対運動させる。このとき、純水ノズル７２の噴射口から基板Ｗと電極部４４との間に純水、より好ましくは超純水を噴射する。そして、電源４６により加工電極７６と給電電極７８との間に所定の電圧を印加し、イオン交換体６８により生成された水素イオン又は水酸化物イオンによって、加工電極（陰極）７６において基板Ｗの表面の導電体膜（銅膜６）の電解加工を行う。
【００４４】
この実施の形態のように、電極径が１ｍｍ以下の複数の加工電極７６と、電極径が１ｍｍ以下の複数の給電電極７８とを電気的に分離し、均一に分散させて配置して電極部４４を構成し、この電極部４４と基板Ｗとを相対的に移動させて加工を行うことで、加工電極７６、給電電極７８及び基板Ｗ近接の電界分布、並びに加工電極７６と給電電極７８との間の電界分布をより一様にして、加工電極７６、給電電極７８及び基板Ｗの表面に発生したガスの気泡への成長を抑制することができる。
【００４５】
また、加工電極７６を多数設け、電解加工に際して、基板保持部４２で保持した基板Ｗの被加工面上の一の点に対して、複数の加工電極７６が通過するようにすることで、各加工電極７６間で加工速度のバラツキがあっても、この加工速度のバラツキを平均化させて、基板Ｗの全面においてｎｍ／ｍｉｎオーダでの加工速度の均一化を図ることが可能となる。
【００４６】
なお、各加工電極７６及び各給電電極７８は、その表面（上面）が電極板７４の表面と同一乃至一定の間隔を有するように電極板７４の内部に均一高さで埋設されていることが望ましい。これにより、各電極の表面と基板との距離に差が出て、各電極の表面と基板との間の抵抗が変化し、電流にバラツキが生じてしまうことを防止することができる。
【００４７】
ここで、互いに隣接する加工電極７６と給電電極７８との距離を、基板Ｗと加工電極７６または給電電極７８との距離に対して１倍以上、好ましくは４．５倍以上、更に好ましくは９倍以上に設定することで、基板Ｗと加工電極７６または給電電極７８との間の通電を、互いに隣接する加工電極７６と給電電極７８との間の通電より優先させて、電流が、基板Ｗを通過することなく、互いに隣接する加工電極７６と給電電極７８との間を流れてしまうことを防止することができる。
また、個々の加工電極７６と給電電極７８、若しくは複数の加工電極７６と給電電極７８をグループ化して、一定の領域毎に印加する電圧または流れる電流を独立に制御するようにしてもよい。
【００４８】
電解加工中には、加工電極７６と給電電極７８との間に印加する電圧、又はこの間を流れる電流をモニタ部３８でモニタして、エンドポイント（加工終点）を検知する。すなわち、同じ電圧（電流）を印加した状態で電解加工を行うと、材料によって流れる電流（印加される電圧）に違いが生じる。例えば、図９（ａ）に示すように、表面に材料Ｂと材料Ａとを順次成膜した基板Ｗの該表面に電解加工を施したときに流れる電流をモニタすると、材料Ａを電解加工している間は一定の電流が流れるが、異なる材料Ｂの加工に移行する時点で流れる電流が変化する。同様に、加工電極と給電電極との間に印加される電圧にあっても、図９（ｂ）に示すように、材料Ａを電解加工している間は一定の電圧が印加されるが、異なる材料Ｂの加工に移行する時点で印加される電圧が変化する。なお、図９（ａ）は、材料Ｂを電解加工するときの方が、材料Ａを電解加工するときよりも電流が流れにくくなる場合を、図９（ｂ）は、材料Ｂを電解加工するときの方が、材料Ａを電解加工するときよりも電圧が高くなる場合の例を示している。これにより、この電流又は電圧の変化をモニタすることでエンドポイントを確実に検知することができる。
【００４９】
なお、モニタ部３８で加工電極と給電電極との間に印加する電圧、又はこの間を流れる電流をモニタして加工終点を検知するようにした例を説明したが、このモニタ部３８で、加工中の基板の状態の変化をモニタして、任意に設定した加工終点を検知するようにしてもよい。この場合、加工終点は、被加工面の指定した部位について、所望の加工量に達した時点、もしくは加工量と相関関係を有するパラメータが所望の加工量に相当する量に達した時点を指す。このように、加工の途中においても、加工終点を任意に設定して検知できるようにすることで、多段プロセスでの電解加工が可能となる。
【００５０】
例えば、基板が異材料に達したときに生じる摩擦係数の違いによる摩擦力の変化や、基板の表面の凹凸を平坦化する際、凹凸を除去したことにより生じる摩擦力の変化等を検出することで加工量を判断し、加工終点を検出することとしてもよい。また、被加工面の電気抵抗による発熱や、加工面と被加工面との間に液体（純水）の中を移動するイオンと水分子の衝突による発熱が生じ、例えば基板の表面に堆積した銅膜を定電圧制御で電解研磨する際には、電解加工が進み、バリア層や絶縁膜が露出するのに伴って、電気抵抗が大きくなり電流値が小さくなって発熱量が順に減少する。したがって、この発熱量の変化を検出することで加工量を判断し、加工終点を検出することとしてもよい。あるいは、異材料に達した時に生じる反射率の違いによる反射光の強度の変化を検出して、基板上の被加工膜の膜厚を検知し、これにより加工終点を検出してもよい。また、銅膜等の導電性膜の内部に渦電流を発生させ、基板の内部を流れる渦電流をモニタし、例えば渦電流をモニタするセンサのインピダンスや周波数の変化を検出して、基板上の被加工膜の膜厚を検知し、これにより加工終点を検出してもよい。更に、電解加工にあっては、加工電極と給電電極との間を流れる電流値で加工レートが決まり、加工量は、この電流値と加工時間の積で求められる電気量に比例する。したがって、電流値と加工時間の積で求められる電気量を積算し、この積算値が所定の値に達したことを検出することで加工量を判断し、加工終点を検出してもよい。
【００５１】
電解加工完了後、電源４６の接続を切り、電極部４４及び基板保持部４２の回転を停止させ、しかる後、基板保持部４２を上昇させ、アーム４０を移動させて基板Ｗを搬送ロボット３６に受け渡す。基板Ｗを受け取った搬送ロボット３６は、必要に応じて反転機３２に搬送して基板Ｗを反転させた後、１次洗浄用の第１洗浄機３１ａに搬送する。そして、この第１洗浄機３１ａで、例えばスポンジロールによる１次洗浄や、純水または薬液によるリンス（１次洗浄）を行った後、この１次洗浄後の基板Ｗを搬送ロボット３６で２次洗浄用の第２洗浄機３１ｂに搬送する。次に、この第２洗浄機３１ｂで、例えば純水による基板の２次洗浄（仕上げ洗浄）を行い、基板を高速回転させてスピン乾燥させた後、ロード・アンロード部３０のカセットに戻す。
【００５２】
ここで、上述のように電解加工を継続し、イオン交換体のイオン交換容量が使用限界まで達すると、イオン交換体を交換する必要が生じる。この実施の形態における電解加工装置によれば、巻取りモータ７０を駆動することで、イオン交換体６８の交換を自動で行うことができるので、高速でイオン交換体６８を交換することができる。したがって、イオン交換体６８の交換による装置のダウンタイムを短くしてスループットを向上することができる。このイオン交換体６８の交換は、電解加工後、もしくは１回の加工と次の加工との間のインターバルに行うことが好ましい。
【００５３】
ここで、超純水のような液自身の抵抗値が大きい液体を使用する場合には、イオン交換体６８を基板Ｗに接触させることにより、電気抵抗を低減させることができ、印加電圧も小さくて済み、消費電力も低減できる。この「接触」は、例えばＣＭＰのように物理的なエネルギー（応力）を被加工物に与えるために、「押し付ける」ことを意味するものではない。したがって、この実施の形態における電解加工装置では、基板Ｗの電極部４４への接触又は近接には上下動用モータ５４を用いており、例えばＣＭＰ装置において基板と研磨部材を積極的に押し付ける押圧機構は具備していない。すなわち、ＣＭＰにおいては、一般に２０〜５０ｋＰａ程度の押圧力で基板を研磨面に押し付けているが、この実施の形態の電解加工装置では、例えば、２０ｋＰａ以下の圧力でイオン交換体６８を基板Ｗに接触させればよく、１０ｋＰａ以下の圧力でも十分除去加工効果が得られる。
【００５４】
この実施の形態では、電極部４４と基板Ｗをともに回転させ、基板Ｗと電極部４４とを偏心回転運動させた例を説明したが、これに限られるものではない。すなわち、被加工物の被加工面上の一の点に対して複数の加工電極が通過するように加工電極と被加工物とを相対運動させればよく、そのような相対運動は、回転運動、往復運動、偏心回転運動、及びスクロール運動の少なくとも１つ、あるいは、回転運動、往復運動、偏心回転運動、及びスクロール運動の任意の組み合わせとすることができる。
【００５５】
また、上述の実施の形態においては、縦方向に並ぶ各列の一つ置きの列に位置する電極（加工電極）７６をスリップリング８０（図５参照）を介して電源４６の陰極に、他の列に位置する電極（給電電極）７８をスリップリング８０を介して電源４６の陽極にそれぞれ接続して加工電極７６と給電電極７８とを交互に配置し、電極部４４と基板Ｗとを相対移動させたとき、基板Ｗの被加工面上の各点におけるこれらの加工電極７６と給電電極７８の存在頻度が略均一となるようにしている。すなわち、この例では、各加工電極７６と各給電電極７８が、これらを結んだ時に正三角形の各頂点に位置して、加工電極７６と給電電極７８、並びに加工電極７６及び給電電極７８同士の間隔が全て等しくなるようになっている。
【００５６】
なお、この例では、加工電極７６と給電電極７８の数がほぼ同じになるようにしているが、加工速度を上げるため、加工電極の数を増やす等、加工条件等に応じて、加工電極７６と給電電極７８の数を任意に変更するようにしても良い。また、電極板７４の全面をイオン交換体６８で覆うことで、超純水を用いた電解加工を行うことができるようにしているが、電解液を用いる場合には、各種スクラブ部材（多孔質材料など通液性を持たせたもの）で電極板の全体を覆うようにしてもよい。
【００５７】
また、図１０に示すように、格子状に縦横方向に並ぶ各列の一つ置きの列を加工電極７６、他の列を給電電極７８として、互いに隣接する加工電極７６と給電電極７８、並びに加工電極７６及び給電電極７８同士の間隔が全て等間隔となるようにしてもよい。
【００５８】
図１１は、本発明の他の実施の形態の電解加工装置におけるイオン交換体、及びその循環システムを示す。つまり、この例では、イオン交換体６８として、無端状のものを使用している。そして、このイオン交換体６８は、所定間隔離間した一対のリール９１，９２と、リール９１，９２の下方に互いに対峙して配置された各一対のローラ９７ａ，９７ｂ、９７ｃ，９７ｄの間に架け渡されて、これらの間を循環するようになっている。更に、ローラ９７ａ，９７ｂとローラ９７ｃ，９７ｄとの間に位置して、イオン交換体６８を再生する再生装置１００が配置されている。例えば、イオン交換体６８としてカチオン交換基を付与したものを使用して銅の電解加工を行うと、加工終了後に銅がイオン交換体（カチオン交換体）６８のイオン交換基の多くを占有しており、次の加工を行う時の加工効率が悪くなる。また、イオン交換体６８としてアニオン交換基を付与したものを使用して銅の電解加工を行うと、イオン交換体（アニオン交換体）６８の表面に銅の酸化物の微粒子が生成されて付着し、次の処理基板の表面を汚染するおそれがある。再生装置１００は、このような場合に、イオン交換体６８を再生して、これらの弊害を除去するものである。
【００５９】
この再生装置１００は、下方に開口する凹部１０２ａを有する再生電極保持部１０２と、この凹部１０２ａに配置された再生電極１０４と、凹部１０２ａの下方開口端を閉塞する隔壁１０６と、隔壁１０６の下方に配置される再生電極板１１２が備えられ、この再生電極板１１２の上面に対電極１０８が埋設されている。隔壁１０６と対電極１０８との間には、再生に付するイオン交換体６８が配置されている。再生電極保持部１０２の内部には、隔壁１０６により区画される排出部１１０が形成されている。また、再生電極保持部１０２には、この排出部１１０に連通する液体入口１０２ｂと液体出口１０２ｃとがそれぞれ形成されている。これにより、液体入口１０２ｂから排出部１１０内に液体が供給され、この排出部１１０内に供給された液体は、排出部１１０の内部を満たして該液体内に再生電極１０４を浸漬させながら、排出部１１０を一方向に流れて液体出口１０２ｃから順次外部に排出されるようになっている。
【００６０】
更に、再生電極板１１２のほぼ中央に位置して、上下に貫通する貫通孔１１２ａが設けられ、この貫通孔１１２ａの下端に、純水または超純水を供給する純水供給管１１４が接続されている。これにより、純水供給管１１４から供給された純水または超純水は、貫通孔１１２ａを通過して再生電極板１１２の上面側に達する。このように、イオン交換体６８の再生中に、再生電極板１１２とイオン交換体６８との間に純水または超純水を供給することで、イオン交換体６８の再生によって発生するガスや発熱を除去することができる。
【００６１】
隔壁１０６は、再生に付するイオン交換体６８から除去される不純物イオンの移動の妨げとなることなく、しかも排出部１１０の内部の隔壁１０６と再生電極１０４との間を流れる液体（液体中のイオンも含む）のイオン交換体６８側への透過を防止できることが好ましい。具体例としては、イオン交換体は、カチオン又はアニオンの一方を選択的に透過することができ、しかも、膜状のイオン交換体を用いることで、隔壁１０６と再生電極１０４との間を流れる液体がイオン交換体６８側に浸入することを防止することができ、上述した要求を満たすことができる。
【００６２】
この実施の形態では、隔壁１０６として、再生に付するイオン交換体６８と同じイオン交換基を有しているイオン交換体を使用している。すなわち、イオン交換体６８としてカチオン交換基を有するカチオン交換体を使用していれば、隔壁（イオン交換体）１０６としてカチオン交換体を使用し、イオン交換体６８としてアニオン交換基を有するアニオン交換体を使用していれば、隔壁（イオン交換体）１０６としてアニオン交換体を使用する。
【００６３】
また、排出部１１０内に供給する液体は、例えば、電解液で、導電率が高くかつ被処理イオン交換体から除去されるイオンとの反応により難溶性又は不溶性の化合物を生成しない液体であることが好ましい。つまり、この液体は、再生に付するイオン交換体６８から移動し隔壁１０６を通過したイオンを該液体の流れで系外に排出するためのもので、このように、誘電率が高くかつイオン交換体から除去されるイオンとの反応により不溶性の化合物を生じない液体を供給することで、この液体の電気抵抗を下げて再生装置１００の消費電力を少なく抑え、しかも、不純物イオンとの反応で不溶性の化合物（２次生成物）が生成されて隔壁１０６に付着することを防止することができる。この液体は、排出する不純物イオンの種類によって選択されるが、例えば、銅の電解研磨に使用したイオン交換体を再生する時に使用するものとして、濃度が１ｗｔ％以上の硫酸を挙げることができる。
【００６４】
再生電極１０４は電源の一方の電極（例えば陰極）に接続され、対電極１０８は電源の他方の電極（例えば陽極）に接続される。例えば、イオン交換体６８としてカチオン交換体を使用した場合には、再生電極１０４が陰極となり、イオン交換体６８としてアニオン交換体を使用した場合には、再生電極１０４が陽極となるように制御する。
【００６５】
このように、再生電極１０４に電源の一方の電極（例えば陰極）を接続し、対電極１０８に他方の電極（例えば陽極）を接続して、再生電極１０４と対電極１０８との間に電圧を印加する。このとき、再生電極保持部１０２の内部に設けた排出部１１０内に液体を供給し、排出部１１０内に液体を満たして該液体中に再生電極１０４を浸漬させ、この液体が排出部１１０内を一方向に流れて液体出口１０２ｃから外部に流出するようにする。同時に、再生電極板１１２の上面側のイオン交換体６８との間に純水または超純水を供給する。
【００６６】
このとき、再生電極１０４がイオン交換体６８（及び隔壁１０６）の極性と逆になるように制御する。すなわち、イオン交換体６８（及び隔壁１０６）としてカチオン交換体を使用した場合には、再生電極１０４が陰極で対電極１０８が陽極となり、イオン交換体６８（及び隔壁１０６）としてアニオン交換体を使用した場合には、再生電極１０４が陽極で対電極１０８が陰極となるようにする。このようにして、イオン交換体６８のイオンを再生電極１０４に向けて移動させ、隔壁１０６を通過させて排出部１１０に導き、この排出部１１０に移動したイオンをこの排出部１１０内に供給される液体の流れで系外に排出して、イオン交換体６８の再生を行い、同時に再生電極板１１２とイオン交換体６８との間に純水または超純水を供給することで、イオン交換体６８の再生によって発生するガスや発熱を除去する。このとき、イオン交換体６８として、カチオン交換体を使用した場合には、イオン交換体６８に取り込まれたカチオンが隔壁１０６を通過して排出部１１０の内部に移動し、アニオン交換体を使用した場合には、イオン交換体６８に取り込まれたアニオンが隔壁１０６を通過して排出部１１０の内部に移動して、イオン交換体６８が再生される。
【００６７】
上述したように、隔壁１０６として、再生に付するイオン交換体６８と同じイオン交換基を有しているイオン交換体を使用することで、イオン交換体６８中の不純物イオンの隔壁（イオン交換体）１０６の内部の移動が隔壁（イオン交換体）１０６によって妨げられることを防止して、消費電力が増加することを防止し、しかも隔壁１０６と再生電極１０４との間を流れる液体（液体中のイオンも含む）のイオン交換体６８側への透過を阻止して、再生後のイオン交換体６８の再汚染を防止することができる。更に、隔壁１０６と再生電極１０４との間に、導電率が５０μＳ／ｃｍ以上でかつイオン交換体６８から除去されるイオンとの反応により難溶性又は不溶性の化合物を生成しない液体を供給することで、この液体の電気抵抗を下げて再生部の消費電力を少なく抑え、しかも不純物イオンとの反応で生成された不溶性の化合物（２次生成物）が隔壁１０６に付着して再生電極１０４と対電極１０８との間の電気抵抗が変化し、制御が困難となることを防止することができる。なお、この純水又は超純水の代わりに、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体や電解液を使用してもよい。
【００６８】
このように、この実施の形態の電解加工装置によれば、電解加工に使用されたイオン交換体を自動的に再生することができるので、ランニングコストを低減することができると同時に、ダウンタイムを短くすることが可能となる。
【００６９】
なお、上記の例では、純水ノズル７２をイオン交換体６８の上方に配置し、この純水ノズル７２から純水、より好ましくは超純水を電極部４４の上面側に供給するようにした例を示している。図示しないが、電極板に上下に貫通する貫通孔（流体供給路）を設けるとともに、中空モータの内部に、純水供給源から延びて前記貫通孔に連通する純水配管を挿通することで、電極板の下方からこの上面に純水、より好ましくは超純水を供給するようにしてもよい。この場合、電極板を、液体の流通が可能なポーラス状の絶縁体で構成することで、この内部に貫通孔等を設ける必要をなくすることができる。
【００７０】
これまで本発明の一実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【００７１】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、電極（加工電極及び給電電極）及び被加工物近接の電界分布、並びに加工電極と給電電極との間の電界分布をより一様にして、電極表面及び被加工物表面に発生したガスの気泡への成長を抑制することができ、これによって被加工物表面にピットが発生することを極力防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】銅配線基板の一製造例を工程順に示す図である。
【図２】加工電極及び給電電極を基板（被加工物）に近接させ、加工電極及び給電電極と基板（被加工物）との間に純水又は電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の流体を供給するようにしたときの本発明による電解加工の原理の説明に付する図である。
【図３】加工電極のみにイオン交換体を取付けて、加工電極と基板（被加工物）との間に流体を供給するようにしたときの本発明による電解加工の原理の説明に付する図である。
【図４】本発明の実施の形態における電解加工装置を備えた基板処理装置を示す平面図である。
【図５】図４に示す基板処理装置の電解加工装置を模式的に示す縦断面図である。
【図６】図５の平面図である。
【図７】図５の電解加工装置における電極部を示す平面図である。
【図８】図７の部分拡大図である。
【図９】図９（ａ）は、異なる材料を成膜した基板の表面に電解加工を施したときに流れる電流と時間の関係を、図９（ｂ）は、同じく印加される電圧と時間の関係をそれぞれ示すグラフである。
【図１０】電極部の変形例を示す図８相当図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態の電解加工装置におけるイオン交換体、及びその循環システムを示す図である。
【符号の説明】
３４ 電解加工装置
３８ モニタ部
４０ アーム
４２ 基板保持部
４４ 電極部
４６ 電源
５０ 揺動軸
５２ ボールねじ
５６ 自転用モータ
６０ 架台
６２ 中空モータ
６４ 巻付け軸
６６ 巻取り軸
６８ イオン交換体
７０ 巻取りモータ
７２ 純水ノズル（流体供給部）
７４ 電極板
７６ 加工電極
７８ 給電電極
１００ 再生装置
１０２ 再生電極保持部
１０４ 再生電極
１０６ 隔壁
１０８ 対電極
１１０ 排出部
【発明の属する技術分野】
本発明は、電解加工装置に係り、特に半導体ウエハ等の基板の表面に形成された導電性材料を加工したり、基板表面に付着した不純物を除去したりするのに使用される電解加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体ウエハ等の基板上に回路を形成するための配線材料として、アルミニウム又はアルミニウム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐性が高い銅（Ｃｕ）を用いる動きが顕著になっている。この種の銅配線は、基板の表面に設けた微細凹みの内部に銅を埋め込むことによって一般に形成される。この銅配線を形成する方法としては、化学気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング及びめっきといった手法があるが、いずれにしても、基板のほぼ全表面に銅を成膜して、化学機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により不要の銅を除去するようにしている。
【０００３】
図１（ａ）乃至図１（ｃ）は、この種の銅配線基板Ｗの一製造例を工程順に示すものである。図１（ａ）に示すように、半導体素子が形成された半導体基材１上の導電層１ａの上にＳｉＯ２からなる酸化膜やＬｏｗ−ｋ材膜などの絶縁膜２が堆積され、リソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホール３と配線溝４が形成されている。これらの上にＴａＮ等からなるバリア膜５、更にその上に電解めっきの給電層としてのシード層７がスパッタリングやＣＶＤ等により形成されている。
【０００４】
そして、基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、図１（ｂ）に示すように、基板Ｗのコンタクトホール３及び配線溝４内に銅を充填するとともに、絶縁膜２上に銅膜６を堆積する。その後、化学機械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅膜６及びシード層７を除去して、コンタクトホール３及び配線溝４に充填させた銅膜６の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように銅膜６からなる配線が形成される。
【０００５】
また、最近ではあらゆる機器の構成要素において微細化かつ高精度化が進み、サブミクロン領域での物作りが一般的となるにつれて、加工法自体が材料の特性に与える影響は益々大きくなっている。このような状況下においては、従来の機械加工のように、工具が被加工物を物理的に破壊しながら除去していく加工方法では、加工によって被加工物に多くの欠陥を生み出してしまうため、被加工物の特性が劣化してしまう。したがって、いかに材料の特性を損なうことなく加工を行うことができるかが問題となってくる。
【０００６】
この問題を解決する手段として開発された特殊加工法に、化学研磨や電解加工、電解研磨がある。これらの加工方法は、従来の物理的な加工とは対照的に、化学的溶解反応を起こすことによって、除去加工等を行うものである。したがって、塑性変形による加工変質層や転位等の欠陥は発生せず、上述の材料の特性を損なわずに加工を行うといった課題が達成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
電気化学的加工において、反応種であるイオンは、加工電極及び給電電極と被加工物との間に生じる電界により被加工物表面に移動する。したがって、イオンの移動に対する阻害物が発生した場合に、加工の一様性や均一性に影響を受ける。 ここで、阻害物としては、被加工物表面において加工過程で被加工物とイオンとの電気化学的反応により生じる加工生成物や、イオン交換体と被加工物との相対運動により発生するイオン交換体からの遊離物、被加工物と電極表面において副反応により生成する気泡（ガス）等が挙げられる。これらの阻害物は、電極と被加工物の間に存在することでイオンの移動の妨げになり、加工量の一様化及び均一化を図る上での妨げとなる。特に気泡は、被加工物表面にピットを生成する要因となり、このため、気泡の発生を抑制することが強く求められている。
【０００８】
ここで、気泡は、電極表面及び被加工物表面において発生するガスが凝集することで生成される。このため、気泡の発生を抑制する方法の１つとして、ガス凝集を抑制することが考えられる。ガス凝集の程度は、▲１▼ガス分子の水との親和性、▲２▼電極や被加工物表面におけるガスの発生速度及びガス分布の不均一性により決まる。ここで、▲２▼については、電極や被加工物へのイオン（ここではＨ＋イオンやＯＨ−イオン）の供給量分布の偏りが気泡発生に影響を及ぼすためであり、イオンの供給量分布は、電極及び被加工物近傍の電界分布、並びに電極間の電界分布の影響を受ける。従って、電極及び被加工物近傍、更に電極間の電界の強度分布を考慮した電極の作成が必要となる。
【０００９】
本発明は、上述の事情に鑑みなされたもので、電気化学的加工に際し、必然的に発生するガスの気泡への成長を抑制して、被加工物表面にピットが発生することを極力防止できるようにした電解加工装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、共に電極径が１ｍｍ以下の複数の加工電極と給電電極とを電気的に分離して配置した電極部と、被加工物を保持して前記電極部に近接させる基板保持部と、前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する電源と、前記基板保持部で保持して前記電極部に近接させた被加工物と該電極部との間に流体を供給する流体供給部と、前記基板保持部で保持した被加工物の被加工面上の一の点に対して、複数の前記加工電極が通過するように前記電極部と前記被加工物とを相対運動させる駆動部とを備えたことを特徴とする電解加工装置である。
【００１１】
図２及び図３は、本発明の加工原理を示すものである。図２は、被加工物１０の表面に、加工電極１４に取付けたイオン交換体１２ａと、給電電極１６に取付けたイオン交換体１２ｂとを接触又は近接させ、加工電極１４と給電電極１６との間に電源１７を介して電圧を印加しつつ、加工電極１４及び給電電極１６と被加工物１０との間に流体供給部１９から超純水等の液体１８を供給した状態を示している。図３は、被加工物１０の表面に、加工電極１４に取付けたイオン交換体１２ａを接触又は近接させ、給電電極１６を被加工物１０に直接接触させて、加工電極１４と給電電極１６との間に電源１７を介して電圧を印加しつつ、加工電極１４と被加工物１０との間に流体供給部１９から超純水等の液体１８を供給した状態を示している。
【００１２】
超純水のような液自身の抵抗値が大きい液体を使用する場合には、イオン交換体１２ａを被加工物１０の表面に「接触させる」ことが好ましく、このようにイオン交換体１２ａを被加工物１０の表面に接触させることにより、電気抵抗を低減させることができ、印加電圧も小さくて済み、消費電力も低減できる。従って、本発明に係る加工における「接触」は、例えばＣＭＰのように物理的なエネルギー（応力）を被加工物に与えるために、「押し付ける」ものではない。
【００１３】
図２及び図３において、超純水等の液体１８中の水分子２０をイオン交換体１２ａ，１２ｂで水酸化物イオン２２と水素イオン２４に解離し、例えば生成された水酸化物イオン２２を、被加工物１０と加工電極１４との間の電界と超純水等の液体１８の流れによって、被加工物１０の加工電極１４と対面する表面に供給して、ここでの被加工物１０近傍の水酸化物イオン２２の密度を高め、被加工物１０の原子１０ａと水酸化物イオン２２を反応させる。反応によって生成された反応物質２６は、超純水等の液体１８中に溶解し、被加工物１０の表面に沿った超純水等の液体１８の流れによって被加工物１０から除去される。これにより、被加工物１０の表面層の除去加工が行われる。
【００１４】
このように、本加工法は、純粋に被加工物との電気化学的相互作用のみにより被加工物の除去加工を行うものであり、ＣＭＰのような研磨部材と被加工物との物理的な相互作用及び研磨液中の化学種との化学的相互作用の混合による加工とは加工原理が異なるものである。この方法では、被加工物１０の加工電極１４と対面する部位が加工されるので、加工電極１４を移動させることで、被加工物１０の表面を所望の表面形状に加工することができる。
【００１５】
なお、本発明に係る電解加工方法は、電気化学的相互作用による溶解反応のみにより被加工物の除去加工を行うため、ＣＭＰのような研磨部材と被加工物との物理的な相互作用及び研磨液中の化学種との化学的相互作用の混合による加工とは加工原理が異なるものである。したがって、材料の特性を損なわずに除去加工を行うことが可能であり、例えば前述のＬｏｗ−ｋ材に挙げられる機械的強度の小さい材料に対しても、物理的な相互作用を及ぼすことなく除去加工が可能である。また、通常の電解液を用いる電解加工方法と比較しても、加工液に５００μＳ／ｃｍ以下の液体、好ましくは純水、更に好ましくは超純水を用いるため、被加工物表面への汚染も大幅に低減させることが可能であり、また加工後の廃液の処理も容易となる。
【００１６】
また、本発明による電解加工装置によれば、共に電極径が１ｍｍ以下の複数の加工電極と給電電極とを電気的に分離し配置して電極部を構成し、この電極部と被加工物とを相対的に移動させて加工を行うことで、電極（加工電極及び給電電極）及び被加工物近接の電界分布、並びに加工電極と給電電極との間の電界分布をより一様にして、電極表面及び被加工物表面に発生したガスの気泡への成長を抑制することができる。
【００１７】
請求項２に記載の発明は、互いに隣接する前記加工電極と前記給電電極との距離は、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との距離に対して１倍以上に設定されていることを特徴とする請求項１記載の電解加工装置である。これにより、被加工物と加工電極または給電電極との間の通電を、互いに隣接する加工電極と給電電極との間の通電より優先させて、電流が、被加工物を通過することなく、互いに隣接する加工電極と給電電極との間を流れてしまうことを防止することができる。互いに隣接する加工電極と給電電極との距離は、被加工物と加工電極または給電電極との距離に対して、４．５倍以上であることが好ましく、９倍以上であることが更に好ましい。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極の少なくとも一方との間に、イオン交換体を配置したことを特徴とする請求項１または２記載の電解加工装置である。
請求項４に記載の発明は、前記被加工物と前記加工電極及び前記給電電極との間に、前記加工電極及び前記給電電極を一体に覆うイオン交換体を配置したことを特徴とする請求項１または２記載の電解加工装置である。これにより、電極部やイオン交換体の製作の便を図ることができる。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記イオン交換体は、巻付け軸と巻取り軸との間に掛け渡されて順次巻取られるようになっていることを特徴とする請求項３または４記載の電解加工装置である。これにより、イオン交換体を順次巻取ることによって、イオン交換体の交換を自動で行うことができので、イオン交換体を高速で交換することができる。したがって、イオン交換体の交換による装置のダウンタイムを短くして、スループットを向上させることができる。
請求項６に記載の発明は、前記イオン交換体を再生するイオン交換体再生部を更に有することを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の電解加工装置である。これにより、電解加工に使用されたイオン交換体を自動的に再生することができるので、ランニングコストを低減するとともに、装置のダウンタイムを短くすることが可能となる。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、前記流体供給部は、前記電極部を貫通する流体供給路を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電解加工装置である。これにより、基板保持部で保持して電極部に近接させた被加工物と該電極部との間に、電極板を通過させた液体を供給することができる。
請求項８に記載の発明は、前記電極部は、液体の流通が可能なポーラス状の絶縁体からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電解加工装置である。これにより、例えば電極板に貫通孔を設けるといった面倒な加工を行うことなく、電極板の内部を液体が通過するようにすることができる。
【００２１】
請求項９に記載の発明は、前記流体は、純水、超純水、電気電導率が５００μＳ／ｃｍ以下の流体または電解液であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電解加工装置である。ここで、純水は、例えば電気伝導度（１ａｔｍ，２５℃換算、以下同じ）が１０μＳ／ｃｍ以下の水である。超純水は、電気伝導度が０．１μＳ／ｃｍ（比抵抗で１０ＭΩ・ｃｍ）以下の水である。このように、純水、より好ましくは超純水を使用して電解加工を行うことで、加工面に不純物を残さない清浄な加工を行うことができ、これによって、電解加工後の洗浄工程を簡素化することができる。具体的には、電解加工後の洗浄工程は１段若しくは２段でよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明では、被加工物として基板を使用し、電解加工装置で基板を加工するようにした例を示しているが、本発明を基板以外にも適用できることは言うまでもない。
【００２３】
図４は、本発明の実施の形態における電解加工装置を備えた基板処理装置の構成を示す平面図である。図４に示すように、この基板処理装置は、例えば、図１（ｂ）に示すように、表面に導電体膜（被加工物）としての銅膜６を有する基板Ｗを収納したカセットを搬出入する搬出入部としての一対のロード・アンロード部３０と、基板の１次洗浄を行う第１洗浄機３１ａと、基板の２次洗浄（仕上げ洗浄）を行う第２洗浄機３１ｂと、基板Ｗを反転させる反転機３２と、電解加工装置３４とを備えている。これらの機器は、直列に配置されており、これらの機器の間で基板Ｗを搬送して授受する搬送装置としての搬送ロボット３６がこれらの機器と平行に走行自在に配置されている。また、電解加工装置３４による電解加工の際に、後述する加工電極７６と給電電極７８との間に印加する電圧又はこれらの間を流れる電流をモニタするモニタ部３８がロード・アンロード部３０に隣接して配置されている。
【００２４】
図５は、基板処理装置内の電解加工装置３４を模式的に示す縦断面図、図６は、図５の平面図である。図５に示すように、電解加工装置３４は、上下動可能かつ水平方向に揺動自在なアーム４０と、アーム４０の自由端に垂設され、表面（被処理面）を下向き（フェイスダウン）にして基板Ｗを吸着保持する基板保持部４２と、基板保持部４２の下方に配置される円板状の電極部４４と、電極部４４に接続される電源４６とを備えている。
【００２５】
アーム４０は、揺動用モータ４８に連結された揺動軸５０の上端に取付けられており、揺動用モータ４８の駆動に伴って水平方向に揺動するようになっている。また、この揺動軸５０は、上下方向に延びるボールねじ５２に連結されており、ボールねじ５２に連結された上下動用モータ５４の駆動に伴ってアーム４０とともに上下動するようになっている。
【００２６】
基板保持部４２は、自転用モータ５６に連結されており、この自転用モータ５６の駆動に伴って回転（自転）するようになっている。また、上述したように、アーム４０は、上下動及び水平方向に揺動可能となっており、基板保持部４２はアーム４０と一体となって上下動及び水平方向に揺動可能となっている。
【００２７】
電極部４４は、平板状の架台６０の上面に取付けられており、この架台６０は、中空モータ６２に連結されている。これによって、電極部４４は、中空モータ６２の駆動に伴って、架台６０と一体に回転するようになっている。ここで、電極部４４の回転中心Ｏ１と基板保持部４２の回転中心Ｏ２との間には、距離ｄが設けられて、電極部４４は回転中心Ｏ１を中心に回転（自転）し、基板保持部４２は回転中心Ｏ２を中心に回転（自転）するように構成されている。
【００２８】
架台６０の電極部４４を挟んだ両端部には、イオン交換体６８を巻付けた巻付け軸６４とイオン交換体６８を巻取る巻取り軸６６が回転自在に配置され、巻付け軸６４と巻取り軸６６との間に長尺状に延びるイオン交換体６８が掛け渡されている。更に、巻取り軸６６は、巻取りモータ７０に連結されている。これにより、この巻取りモータ７０の駆動に伴って巻取り軸６６を回転させることで、巻付け軸６６に巻付けたイオン交換体６８を順次巻取り、これによって、イオン交換体６８の交換を自動で行うことができるようになっている。このように、イオン交換体６８の交換を自動で行うことで、イオン交換体６８を高速で交換し、イオン交換体６８の交換による装置のダウンタイムを短くして、スループットを向上させることができる。
【００２９】
イオン交換体６８は、例えば、アニオン交換能又はカチオン交換能を付与した不織布で構成されている。カチオン交換体は、好ましくは強酸性カチオン交換基（スルホン酸基）を担持したものであるが、弱酸性カチオン交換基（カルボキシル基）を担持したものでもよい。また、アニオン交換体は、好ましくは強塩基性アニオン交換基（４級アンモニウム基）を担持したものであるが、弱塩基性アニオン交換基（３級以下のアミノ基）を担持したものでもよい。
【００３０】
ここで、例えば強塩基性アニオン交換能を付与した不織布は、繊維径２０〜５０μｍで空隙率が約９０％のポリオレフィン製の不織布に、γ線を照射した後グラフト重合を行ういわゆる放射線グラフト重合法により、グラフト鎖を導入し、次に導入したグラフト鎖をアミノ化して４級アンモニウム基を導入して作製される。導入されるイオン交換基の容量は、導入するグラフト鎖の量により決定される。グラフト重合を行うためには、例えばアクリル酸、スチレン、メタクリル酸グリシジル、更にはスチレンスルホン酸ナトリウム、クロロメチルスチレン等のモノマーを用い、これらのモノマー濃度、反応温度及び反応時間を制御することで、重合するグラフト量を制御することができる。したがって、グラフト重合前の素材の重量に対し、グラフト重合後の重量の比をグラフト率と呼ぶが、このグラフト率は、最大で５００％が可能であり、グラフト重合後に導入されるイオン交換基は、最大で５ｍｅｑ／ｇが可能である。
【００３１】
強酸性カチオン交換能を付与した不織布は、上記強塩基性アニオン交換能を付与する方法と同様に、繊維径２０〜５０μｍで空隙率が約９０％のポリオレフィン製の不織布に、γ線を照射した後グラフト重合を行ういわゆる放射線グラフト重合法により、グラフト鎖を導入し、次に導入したグラフト鎖を、例えば加熱した硫酸で処理してスルホン酸基を導入して作製される。また、加熱したリン酸で処理すればリン酸基が導入できる。ここでグラフト率は、最大で５００％が可能であり、グラフト重合後に導入されるイオン交換基は、最大で５ｍｅｑ／ｇが可能である。
【００３２】
イオン交換体６８の素材の材質としては、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系高分子、又はその他有機高分子が挙げられる。また素材形態としては、不織布の他に、織布、シート、多孔質材、短繊維等が挙げられる。
【００３３】
ここで、ポリエチレンやポリプロピレンは、放射線（γ線と電子線）を先に素材に照射する（前照射）ことで、素材にラジカルを発生させ、次にモノマーと反応させてグラフト重合することができる。これにより、均一性が高く、不純物が少ないグラフト鎖ができる。一方、その他の有機高分子は、モノマーを含浸させ、そこに放射線（γ線、電子線、紫外線）を照射（同時照射）することで、ラジカル重合することができる。この場合、均一性に欠けるが、ほとんどの素材に適用できる。
【００３４】
このように、イオン交換体６８をアニオン交換能又はカチオン交換能を付与した不織布で構成することで、純水又は超純水や電解液等の液体が不織布の内部を自由に移動して、不織布内部の水分解触媒作用を有する活性点に容易に到達することが可能となって、多くの水分子が水素イオンと水酸化物イオンに解離される。更に、解離によって生成した水酸化物イオンが純水又は超純水や電解液等の液体の移動に伴って効率良く加工電極７６（図８参照）の表面に運ばれるため、低い印加電圧でも高電流が得られる。
【００３５】
ここで、イオン交換体６８をアニオン交換基又はカチオン交換基の一方を付与したもののみで構成すると、電解加工できる被加工材料が制限されるばかりでなく、極性により不純物が生成しやすくなる。そこで、アニオン交換基を有するアニオン交換体とカチオン交換基を有するカチオン交換体とを重ね合わせたり、イオン交換体６８自体にアニオン交換基とカチオン交換基の双方の交換基を付与するようにしたりしてもよく、これにより、被加工材料の範囲を拡げるとともに、不純物を生成しにくくすることができる。
【００３６】
更に、長尺状に延びるイオン交換体６８の電極部４４の上流側に位置して、イオン交換体６８の幅方向の全長に跨って延びる、流体供給部としての純水ノズル７２が配置されている。この純水ノズル（流体供給部）７２は、純水、より好ましくは超純水を電極部４４の上面側に供給する複数の噴射口を有している。ここで、純水は、例えば電気伝導度が１０μＳ／ｃｍ以下の水であり、超純水は、例えば電気伝導度が０．１μＳ／ｃｍ以下の水である。このように電解質を含まない純水又は超純水を使用して電解加工を行うことで、基板Ｗの表面に電解質等の余分な不純物が付着したり、残留したりすることをなくすことができる。更に、電解によって溶解した銅イオン等が、イオン交換体６８にイオン交換反応で即座に捕捉されるため、溶解した銅イオン等が基板Ｗの他の部分に再度析出したり、酸化されて微粒子となり基板Ｗの表面を汚染したりすることがない。
【００３７】
また、純水又は超純水の代わりに電気伝導度５００μＳ／ｃｍ以下の液体や、任意の電解液、例えば純水又は超純水に電解質を添加した電解液を使用してもよい。電解液を使用することで、電気抵抗を低減して消費電力を削減することができる。この電解液としては、例えば、ＮａＣｌやＮａ２ＳＯ４等の中性塩、ＨＣｌやＨ２ＳＯ４等の酸、更には、アンモニア等のアルカリなどの溶液を使用することができ、被加工物の特性によって適宜選択して使用することができる。
【００３８】
更に、純水又は超純水の代わりに、純水又は超純水に界面活性剤等を添加して、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下、好ましくは、５０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは、０．１μＳ／ｃｍ以下（比抵抗で１０ＭΩ・ｃｍ以上）にした液体を使用してもよい。このように、純水又は超純水に界面活性剤を添加することで、基板Ｗとイオン交換体６８の界面にイオンの移動を防ぐ一様な抑制作用を有する層を形成し、これによって、イオン交換（金属の溶解）の集中を緩和して被加工面の平坦性を向上させることができる。ここで、界面活性剤濃度は、１００ｐｐｍ以下が好ましい。なお、電気伝導度の値が、５００μＳ／ｃｍ以下、好ましくは、５０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは、０．１μＳ／ｃｍ以下の液体を使用することで、所望の加工速度を得ることができる。
【００３９】
図７は電極部４４を示す平面図、図８は図７の部分拡大図である。図７及び図８に示すように、電極部４４は、円板状の絶縁体からなる電極板７４を備えており、この電極板７４の内部に、電極径ｄ１が１ｍｍ以下の多数の加工電極７６と、同じく電極径ｄ２が１ｍｍ以下の多数の給電電極７８が、交互かつ全面に亘って均等に分散した状態で埋設されて配置されている。加工電極７６と給電電極７８は、絶縁体からなる電極板７４で電気的に分離されている。これらの加工電極７６及び給電電極７８の上面は、上述したイオン交換体６８により一体に覆われる。各加工電極７６及び給電電極７８は同一形状であり、基板Ｗと電極部４４とを相対移動させたときに、基板Ｗの被加工面上の各点における存在頻度が略均一となるように、電極板７４の内部の略全面に配置されている。
【００４０】
この例では、加工電極７６はスリップリング８０（図５参照）を介して電源４６の陰極に接続され、給電電極７８はスリップリング８０を介して電源４６の陽極に接続されている。例えば、銅を加工する場合においては、陰極側に電解加工作用が生じるので、陰極に接続した電極が加工電極となり、陽極に接続した電極が給電電極となる。一方、加工材料によっては、給電電極を電源の陰極に接続し、加工電極を電源の陽極に接続してもよい。例えば、被加工材料が例えばアルミニウムやシリコンである場合には、陽極側で電解加工作用が生じるため、電源の陽極に接続した電極が加工電極となり、陰極に接続した電極が給電電極となる。
【００４１】
ここで、加工電極７６及び給電電極７８は、電解反応により、酸化又は溶出が一般に問題となる。このため、電極の素材として、電極に広く使用されている金属や金属化合物よりも、炭素、比較的不活性な貴金属、導電性酸化物又は導電性セラミックスを使用することが好ましい。この貴金属を素材とした電極としては、例えば、下地の電極素材にチタンを用い、その表面にめっきやコーティングで白金又はイリジウムを付着させ、高温で焼結して安定化と強度を保つ処理を行ったものが挙げられる。セラミックス製品は、一般に無機物質を原料として熱処理によって得られ、各種の非金属・金属の酸化物・炭化物・窒化物などを原料として、様々な特性を持つ製品が作られている。この中に導電性を持つセラミックスもある。電極が酸化すると電極の電気抵抗値が増加し、印加電圧の上昇を招くが、このように、白金などの酸化しにくい材料やイリジウムなどの導電性酸化物で電極表面を保護することで、電極素材の酸化による導電性の低下を防止することができる。
【００４２】
次に、この実施の形態における電解加工装置３４を用いた基板処理（電解加工）について説明する。まず、例えば、図１（ｂ）に示すように、表面に導電体膜（被加工部）として銅膜６を形成した基板Ｗを収納したカセットをロード・アンロード部３０にセットし、このカセットから１枚の基板Ｗを搬送ロボット３６で取り出す。搬送ロボット３６は、取り出した基板Ｗを必要に応じて反転機３２に搬送し、基板Ｗの導電体膜（銅膜６）を形成した表面が下を向くように反転させる。
【００４３】
搬送ロボット３６は、反転させた基板Ｗを受取り、これを電解加工装置３４に搬送し、基板保持部４２により吸着保持させる。そして、アーム４０を移動させて基板Ｗを保持した基板保持部４２を電極部４４の直上方の加工位置まで移動させる。次に、上下動用モータ５４を駆動して基板保持部４２を下降させ、この基板保持部４２で保持した基板Ｗを電極部４４の上面を覆うイオン交換体６８の表面に接触又は近接させる。この状態で、中空モータ６２を駆動して電極部４４を回転させるとともに、自転用モータ５６を駆動して基板保持部４２及び基板Ｗを回転させて基板Ｗと電極部４４とを相対運動させる。このとき、純水ノズル７２の噴射口から基板Ｗと電極部４４との間に純水、より好ましくは超純水を噴射する。そして、電源４６により加工電極７６と給電電極７８との間に所定の電圧を印加し、イオン交換体６８により生成された水素イオン又は水酸化物イオンによって、加工電極（陰極）７６において基板Ｗの表面の導電体膜（銅膜６）の電解加工を行う。
【００４４】
この実施の形態のように、電極径が１ｍｍ以下の複数の加工電極７６と、電極径が１ｍｍ以下の複数の給電電極７８とを電気的に分離し、均一に分散させて配置して電極部４４を構成し、この電極部４４と基板Ｗとを相対的に移動させて加工を行うことで、加工電極７６、給電電極７８及び基板Ｗ近接の電界分布、並びに加工電極７６と給電電極７８との間の電界分布をより一様にして、加工電極７６、給電電極７８及び基板Ｗの表面に発生したガスの気泡への成長を抑制することができる。
【００４５】
また、加工電極７６を多数設け、電解加工に際して、基板保持部４２で保持した基板Ｗの被加工面上の一の点に対して、複数の加工電極７６が通過するようにすることで、各加工電極７６間で加工速度のバラツキがあっても、この加工速度のバラツキを平均化させて、基板Ｗの全面においてｎｍ／ｍｉｎオーダでの加工速度の均一化を図ることが可能となる。
【００４６】
なお、各加工電極７６及び各給電電極７８は、その表面（上面）が電極板７４の表面と同一乃至一定の間隔を有するように電極板７４の内部に均一高さで埋設されていることが望ましい。これにより、各電極の表面と基板との距離に差が出て、各電極の表面と基板との間の抵抗が変化し、電流にバラツキが生じてしまうことを防止することができる。
【００４７】
ここで、互いに隣接する加工電極７６と給電電極７８との距離を、基板Ｗと加工電極７６または給電電極７８との距離に対して１倍以上、好ましくは４．５倍以上、更に好ましくは９倍以上に設定することで、基板Ｗと加工電極７６または給電電極７８との間の通電を、互いに隣接する加工電極７６と給電電極７８との間の通電より優先させて、電流が、基板Ｗを通過することなく、互いに隣接する加工電極７６と給電電極７８との間を流れてしまうことを防止することができる。
また、個々の加工電極７６と給電電極７８、若しくは複数の加工電極７６と給電電極７８をグループ化して、一定の領域毎に印加する電圧または流れる電流を独立に制御するようにしてもよい。
【００４８】
電解加工中には、加工電極７６と給電電極７８との間に印加する電圧、又はこの間を流れる電流をモニタ部３８でモニタして、エンドポイント（加工終点）を検知する。すなわち、同じ電圧（電流）を印加した状態で電解加工を行うと、材料によって流れる電流（印加される電圧）に違いが生じる。例えば、図９（ａ）に示すように、表面に材料Ｂと材料Ａとを順次成膜した基板Ｗの該表面に電解加工を施したときに流れる電流をモニタすると、材料Ａを電解加工している間は一定の電流が流れるが、異なる材料Ｂの加工に移行する時点で流れる電流が変化する。同様に、加工電極と給電電極との間に印加される電圧にあっても、図９（ｂ）に示すように、材料Ａを電解加工している間は一定の電圧が印加されるが、異なる材料Ｂの加工に移行する時点で印加される電圧が変化する。なお、図９（ａ）は、材料Ｂを電解加工するときの方が、材料Ａを電解加工するときよりも電流が流れにくくなる場合を、図９（ｂ）は、材料Ｂを電解加工するときの方が、材料Ａを電解加工するときよりも電圧が高くなる場合の例を示している。これにより、この電流又は電圧の変化をモニタすることでエンドポイントを確実に検知することができる。
【００４９】
なお、モニタ部３８で加工電極と給電電極との間に印加する電圧、又はこの間を流れる電流をモニタして加工終点を検知するようにした例を説明したが、このモニタ部３８で、加工中の基板の状態の変化をモニタして、任意に設定した加工終点を検知するようにしてもよい。この場合、加工終点は、被加工面の指定した部位について、所望の加工量に達した時点、もしくは加工量と相関関係を有するパラメータが所望の加工量に相当する量に達した時点を指す。このように、加工の途中においても、加工終点を任意に設定して検知できるようにすることで、多段プロセスでの電解加工が可能となる。
【００５０】
例えば、基板が異材料に達したときに生じる摩擦係数の違いによる摩擦力の変化や、基板の表面の凹凸を平坦化する際、凹凸を除去したことにより生じる摩擦力の変化等を検出することで加工量を判断し、加工終点を検出することとしてもよい。また、被加工面の電気抵抗による発熱や、加工面と被加工面との間に液体（純水）の中を移動するイオンと水分子の衝突による発熱が生じ、例えば基板の表面に堆積した銅膜を定電圧制御で電解研磨する際には、電解加工が進み、バリア層や絶縁膜が露出するのに伴って、電気抵抗が大きくなり電流値が小さくなって発熱量が順に減少する。したがって、この発熱量の変化を検出することで加工量を判断し、加工終点を検出することとしてもよい。あるいは、異材料に達した時に生じる反射率の違いによる反射光の強度の変化を検出して、基板上の被加工膜の膜厚を検知し、これにより加工終点を検出してもよい。また、銅膜等の導電性膜の内部に渦電流を発生させ、基板の内部を流れる渦電流をモニタし、例えば渦電流をモニタするセンサのインピダンスや周波数の変化を検出して、基板上の被加工膜の膜厚を検知し、これにより加工終点を検出してもよい。更に、電解加工にあっては、加工電極と給電電極との間を流れる電流値で加工レートが決まり、加工量は、この電流値と加工時間の積で求められる電気量に比例する。したがって、電流値と加工時間の積で求められる電気量を積算し、この積算値が所定の値に達したことを検出することで加工量を判断し、加工終点を検出してもよい。
【００５１】
電解加工完了後、電源４６の接続を切り、電極部４４及び基板保持部４２の回転を停止させ、しかる後、基板保持部４２を上昇させ、アーム４０を移動させて基板Ｗを搬送ロボット３６に受け渡す。基板Ｗを受け取った搬送ロボット３６は、必要に応じて反転機３２に搬送して基板Ｗを反転させた後、１次洗浄用の第１洗浄機３１ａに搬送する。そして、この第１洗浄機３１ａで、例えばスポンジロールによる１次洗浄や、純水または薬液によるリンス（１次洗浄）を行った後、この１次洗浄後の基板Ｗを搬送ロボット３６で２次洗浄用の第２洗浄機３１ｂに搬送する。次に、この第２洗浄機３１ｂで、例えば純水による基板の２次洗浄（仕上げ洗浄）を行い、基板を高速回転させてスピン乾燥させた後、ロード・アンロード部３０のカセットに戻す。
【００５２】
ここで、上述のように電解加工を継続し、イオン交換体のイオン交換容量が使用限界まで達すると、イオン交換体を交換する必要が生じる。この実施の形態における電解加工装置によれば、巻取りモータ７０を駆動することで、イオン交換体６８の交換を自動で行うことができるので、高速でイオン交換体６８を交換することができる。したがって、イオン交換体６８の交換による装置のダウンタイムを短くしてスループットを向上することができる。このイオン交換体６８の交換は、電解加工後、もしくは１回の加工と次の加工との間のインターバルに行うことが好ましい。
【００５３】
ここで、超純水のような液自身の抵抗値が大きい液体を使用する場合には、イオン交換体６８を基板Ｗに接触させることにより、電気抵抗を低減させることができ、印加電圧も小さくて済み、消費電力も低減できる。この「接触」は、例えばＣＭＰのように物理的なエネルギー（応力）を被加工物に与えるために、「押し付ける」ことを意味するものではない。したがって、この実施の形態における電解加工装置では、基板Ｗの電極部４４への接触又は近接には上下動用モータ５４を用いており、例えばＣＭＰ装置において基板と研磨部材を積極的に押し付ける押圧機構は具備していない。すなわち、ＣＭＰにおいては、一般に２０〜５０ｋＰａ程度の押圧力で基板を研磨面に押し付けているが、この実施の形態の電解加工装置では、例えば、２０ｋＰａ以下の圧力でイオン交換体６８を基板Ｗに接触させればよく、１０ｋＰａ以下の圧力でも十分除去加工効果が得られる。
【００５４】
この実施の形態では、電極部４４と基板Ｗをともに回転させ、基板Ｗと電極部４４とを偏心回転運動させた例を説明したが、これに限られるものではない。すなわち、被加工物の被加工面上の一の点に対して複数の加工電極が通過するように加工電極と被加工物とを相対運動させればよく、そのような相対運動は、回転運動、往復運動、偏心回転運動、及びスクロール運動の少なくとも１つ、あるいは、回転運動、往復運動、偏心回転運動、及びスクロール運動の任意の組み合わせとすることができる。
【００５５】
また、上述の実施の形態においては、縦方向に並ぶ各列の一つ置きの列に位置する電極（加工電極）７６をスリップリング８０（図５参照）を介して電源４６の陰極に、他の列に位置する電極（給電電極）７８をスリップリング８０を介して電源４６の陽極にそれぞれ接続して加工電極７６と給電電極７８とを交互に配置し、電極部４４と基板Ｗとを相対移動させたとき、基板Ｗの被加工面上の各点におけるこれらの加工電極７６と給電電極７８の存在頻度が略均一となるようにしている。すなわち、この例では、各加工電極７６と各給電電極７８が、これらを結んだ時に正三角形の各頂点に位置して、加工電極７６と給電電極７８、並びに加工電極７６及び給電電極７８同士の間隔が全て等しくなるようになっている。
【００５６】
なお、この例では、加工電極７６と給電電極７８の数がほぼ同じになるようにしているが、加工速度を上げるため、加工電極の数を増やす等、加工条件等に応じて、加工電極７６と給電電極７８の数を任意に変更するようにしても良い。また、電極板７４の全面をイオン交換体６８で覆うことで、超純水を用いた電解加工を行うことができるようにしているが、電解液を用いる場合には、各種スクラブ部材（多孔質材料など通液性を持たせたもの）で電極板の全体を覆うようにしてもよい。
【００５７】
また、図１０に示すように、格子状に縦横方向に並ぶ各列の一つ置きの列を加工電極７６、他の列を給電電極７８として、互いに隣接する加工電極７６と給電電極７８、並びに加工電極７６及び給電電極７８同士の間隔が全て等間隔となるようにしてもよい。
【００５８】
図１１は、本発明の他の実施の形態の電解加工装置におけるイオン交換体、及びその循環システムを示す。つまり、この例では、イオン交換体６８として、無端状のものを使用している。そして、このイオン交換体６８は、所定間隔離間した一対のリール９１，９２と、リール９１，９２の下方に互いに対峙して配置された各一対のローラ９７ａ，９７ｂ、９７ｃ，９７ｄの間に架け渡されて、これらの間を循環するようになっている。更に、ローラ９７ａ，９７ｂとローラ９７ｃ，９７ｄとの間に位置して、イオン交換体６８を再生する再生装置１００が配置されている。例えば、イオン交換体６８としてカチオン交換基を付与したものを使用して銅の電解加工を行うと、加工終了後に銅がイオン交換体（カチオン交換体）６８のイオン交換基の多くを占有しており、次の加工を行う時の加工効率が悪くなる。また、イオン交換体６８としてアニオン交換基を付与したものを使用して銅の電解加工を行うと、イオン交換体（アニオン交換体）６８の表面に銅の酸化物の微粒子が生成されて付着し、次の処理基板の表面を汚染するおそれがある。再生装置１００は、このような場合に、イオン交換体６８を再生して、これらの弊害を除去するものである。
【００５９】
この再生装置１００は、下方に開口する凹部１０２ａを有する再生電極保持部１０２と、この凹部１０２ａに配置された再生電極１０４と、凹部１０２ａの下方開口端を閉塞する隔壁１０６と、隔壁１０６の下方に配置される再生電極板１１２が備えられ、この再生電極板１１２の上面に対電極１０８が埋設されている。隔壁１０６と対電極１０８との間には、再生に付するイオン交換体６８が配置されている。再生電極保持部１０２の内部には、隔壁１０６により区画される排出部１１０が形成されている。また、再生電極保持部１０２には、この排出部１１０に連通する液体入口１０２ｂと液体出口１０２ｃとがそれぞれ形成されている。これにより、液体入口１０２ｂから排出部１１０内に液体が供給され、この排出部１１０内に供給された液体は、排出部１１０の内部を満たして該液体内に再生電極１０４を浸漬させながら、排出部１１０を一方向に流れて液体出口１０２ｃから順次外部に排出されるようになっている。
【００６０】
更に、再生電極板１１２のほぼ中央に位置して、上下に貫通する貫通孔１１２ａが設けられ、この貫通孔１１２ａの下端に、純水または超純水を供給する純水供給管１１４が接続されている。これにより、純水供給管１１４から供給された純水または超純水は、貫通孔１１２ａを通過して再生電極板１１２の上面側に達する。このように、イオン交換体６８の再生中に、再生電極板１１２とイオン交換体６８との間に純水または超純水を供給することで、イオン交換体６８の再生によって発生するガスや発熱を除去することができる。
【００６１】
隔壁１０６は、再生に付するイオン交換体６８から除去される不純物イオンの移動の妨げとなることなく、しかも排出部１１０の内部の隔壁１０６と再生電極１０４との間を流れる液体（液体中のイオンも含む）のイオン交換体６８側への透過を防止できることが好ましい。具体例としては、イオン交換体は、カチオン又はアニオンの一方を選択的に透過することができ、しかも、膜状のイオン交換体を用いることで、隔壁１０６と再生電極１０４との間を流れる液体がイオン交換体６８側に浸入することを防止することができ、上述した要求を満たすことができる。
【００６２】
この実施の形態では、隔壁１０６として、再生に付するイオン交換体６８と同じイオン交換基を有しているイオン交換体を使用している。すなわち、イオン交換体６８としてカチオン交換基を有するカチオン交換体を使用していれば、隔壁（イオン交換体）１０６としてカチオン交換体を使用し、イオン交換体６８としてアニオン交換基を有するアニオン交換体を使用していれば、隔壁（イオン交換体）１０６としてアニオン交換体を使用する。
【００６３】
また、排出部１１０内に供給する液体は、例えば、電解液で、導電率が高くかつ被処理イオン交換体から除去されるイオンとの反応により難溶性又は不溶性の化合物を生成しない液体であることが好ましい。つまり、この液体は、再生に付するイオン交換体６８から移動し隔壁１０６を通過したイオンを該液体の流れで系外に排出するためのもので、このように、誘電率が高くかつイオン交換体から除去されるイオンとの反応により不溶性の化合物を生じない液体を供給することで、この液体の電気抵抗を下げて再生装置１００の消費電力を少なく抑え、しかも、不純物イオンとの反応で不溶性の化合物（２次生成物）が生成されて隔壁１０６に付着することを防止することができる。この液体は、排出する不純物イオンの種類によって選択されるが、例えば、銅の電解研磨に使用したイオン交換体を再生する時に使用するものとして、濃度が１ｗｔ％以上の硫酸を挙げることができる。
【００６４】
再生電極１０４は電源の一方の電極（例えば陰極）に接続され、対電極１０８は電源の他方の電極（例えば陽極）に接続される。例えば、イオン交換体６８としてカチオン交換体を使用した場合には、再生電極１０４が陰極となり、イオン交換体６８としてアニオン交換体を使用した場合には、再生電極１０４が陽極となるように制御する。
【００６５】
このように、再生電極１０４に電源の一方の電極（例えば陰極）を接続し、対電極１０８に他方の電極（例えば陽極）を接続して、再生電極１０４と対電極１０８との間に電圧を印加する。このとき、再生電極保持部１０２の内部に設けた排出部１１０内に液体を供給し、排出部１１０内に液体を満たして該液体中に再生電極１０４を浸漬させ、この液体が排出部１１０内を一方向に流れて液体出口１０２ｃから外部に流出するようにする。同時に、再生電極板１１２の上面側のイオン交換体６８との間に純水または超純水を供給する。
【００６６】
このとき、再生電極１０４がイオン交換体６８（及び隔壁１０６）の極性と逆になるように制御する。すなわち、イオン交換体６８（及び隔壁１０６）としてカチオン交換体を使用した場合には、再生電極１０４が陰極で対電極１０８が陽極となり、イオン交換体６８（及び隔壁１０６）としてアニオン交換体を使用した場合には、再生電極１０４が陽極で対電極１０８が陰極となるようにする。このようにして、イオン交換体６８のイオンを再生電極１０４に向けて移動させ、隔壁１０６を通過させて排出部１１０に導き、この排出部１１０に移動したイオンをこの排出部１１０内に供給される液体の流れで系外に排出して、イオン交換体６８の再生を行い、同時に再生電極板１１２とイオン交換体６８との間に純水または超純水を供給することで、イオン交換体６８の再生によって発生するガスや発熱を除去する。このとき、イオン交換体６８として、カチオン交換体を使用した場合には、イオン交換体６８に取り込まれたカチオンが隔壁１０６を通過して排出部１１０の内部に移動し、アニオン交換体を使用した場合には、イオン交換体６８に取り込まれたアニオンが隔壁１０６を通過して排出部１１０の内部に移動して、イオン交換体６８が再生される。
【００６７】
上述したように、隔壁１０６として、再生に付するイオン交換体６８と同じイオン交換基を有しているイオン交換体を使用することで、イオン交換体６８中の不純物イオンの隔壁（イオン交換体）１０６の内部の移動が隔壁（イオン交換体）１０６によって妨げられることを防止して、消費電力が増加することを防止し、しかも隔壁１０６と再生電極１０４との間を流れる液体（液体中のイオンも含む）のイオン交換体６８側への透過を阻止して、再生後のイオン交換体６８の再汚染を防止することができる。更に、隔壁１０６と再生電極１０４との間に、導電率が５０μＳ／ｃｍ以上でかつイオン交換体６８から除去されるイオンとの反応により難溶性又は不溶性の化合物を生成しない液体を供給することで、この液体の電気抵抗を下げて再生部の消費電力を少なく抑え、しかも不純物イオンとの反応で生成された不溶性の化合物（２次生成物）が隔壁１０６に付着して再生電極１０４と対電極１０８との間の電気抵抗が変化し、制御が困難となることを防止することができる。なお、この純水又は超純水の代わりに、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体や電解液を使用してもよい。
【００６８】
このように、この実施の形態の電解加工装置によれば、電解加工に使用されたイオン交換体を自動的に再生することができるので、ランニングコストを低減することができると同時に、ダウンタイムを短くすることが可能となる。
【００６９】
なお、上記の例では、純水ノズル７２をイオン交換体６８の上方に配置し、この純水ノズル７２から純水、より好ましくは超純水を電極部４４の上面側に供給するようにした例を示している。図示しないが、電極板に上下に貫通する貫通孔（流体供給路）を設けるとともに、中空モータの内部に、純水供給源から延びて前記貫通孔に連通する純水配管を挿通することで、電極板の下方からこの上面に純水、より好ましくは超純水を供給するようにしてもよい。この場合、電極板を、液体の流通が可能なポーラス状の絶縁体で構成することで、この内部に貫通孔等を設ける必要をなくすることができる。
【００７０】
これまで本発明の一実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【００７１】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、電極（加工電極及び給電電極）及び被加工物近接の電界分布、並びに加工電極と給電電極との間の電界分布をより一様にして、電極表面及び被加工物表面に発生したガスの気泡への成長を抑制することができ、これによって被加工物表面にピットが発生することを極力防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】銅配線基板の一製造例を工程順に示す図である。
【図２】加工電極及び給電電極を基板（被加工物）に近接させ、加工電極及び給電電極と基板（被加工物）との間に純水又は電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の流体を供給するようにしたときの本発明による電解加工の原理の説明に付する図である。
【図３】加工電極のみにイオン交換体を取付けて、加工電極と基板（被加工物）との間に流体を供給するようにしたときの本発明による電解加工の原理の説明に付する図である。
【図４】本発明の実施の形態における電解加工装置を備えた基板処理装置を示す平面図である。
【図５】図４に示す基板処理装置の電解加工装置を模式的に示す縦断面図である。
【図６】図５の平面図である。
【図７】図５の電解加工装置における電極部を示す平面図である。
【図８】図７の部分拡大図である。
【図９】図９（ａ）は、異なる材料を成膜した基板の表面に電解加工を施したときに流れる電流と時間の関係を、図９（ｂ）は、同じく印加される電圧と時間の関係をそれぞれ示すグラフである。
【図１０】電極部の変形例を示す図８相当図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態の電解加工装置におけるイオン交換体、及びその循環システムを示す図である。
【符号の説明】
３４ 電解加工装置
３８ モニタ部
４０ アーム
４２ 基板保持部
４４ 電極部
４６ 電源
５０ 揺動軸
５２ ボールねじ
５６ 自転用モータ
６０ 架台
６２ 中空モータ
６４ 巻付け軸
６６ 巻取り軸
６８ イオン交換体
７０ 巻取りモータ
７２ 純水ノズル（流体供給部）
７４ 電極板
７６ 加工電極
７８ 給電電極
１００ 再生装置
１０２ 再生電極保持部
１０４ 再生電極
１０６ 隔壁
１０８ 対電極
１１０ 排出部
Claims (9)
- 共に電極径が１ｍｍ以下の複数の加工電極と給電電極とを電気的に分離して配置した電極部と、
被加工物を保持して前記電極部に近接させる基板保持部と、
前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する電源と、
前記基板保持部で保持して前記電極部に近接させた被加工物と該電極部との間に流体を供給する流体供給部と、
前記基板保持部で保持した被加工物の被加工面上の一の点に対して、複数の前記加工電極が通過するように前記電極部と前記被加工物とを相対運動させる駆動部とを備えたことを特徴とする電解加工装置。 - 互いに隣接する前記加工電極と前記給電電極との距離は、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との距離に対して１倍以上に設定されていることを特徴とする請求項１記載の電解加工装置。
- 前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極の少なくとも一方との間に、イオン交換体を配置したことを特徴とする請求項１または２記載の電解加工装置。
- 前記被加工物と前記加工電極及び前記給電電極との間に、前記加工電極及び前記給電電極を一体に覆うイオン交換体を配置したことを特徴とする請求項１または２記載の電解加工装置。
- 前記イオン交換体は、巻付け軸と巻取り軸との間に掛け渡されて順次巻取られるようになっていることを特徴とする請求項３または４記載の電解加工装置。
- 前記イオン交換体を再生するイオン交換体再生部を更に有することを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の電解加工装置。
- 前記流体供給部は、前記電極部を貫通する流体供給路を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電解加工装置。
- 前記電極部は、液体の流通が可能なポーラス状の絶縁体からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電解加工装置。
- 前記流体は、純水、超純水、電気電導率が５００μＳ／ｃｍ以下の流体または電解液であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電解加工装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003124236A JP2004322292A (ja) | 2003-04-28 | 2003-04-28 | 電解加工装置 |
| US10/554,594 US20060289298A1 (en) | 2003-04-28 | 2004-04-22 | Electrolytic processing apparatus and method |
| PCT/JP2004/005766 WO2004097078A1 (en) | 2003-04-28 | 2004-04-22 | Electrolytic processing apparatus and method |
| TW093111696A TW200510580A (en) | 2003-04-28 | 2004-04-27 | Electrolytic processing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003124236A JP2004322292A (ja) | 2003-04-28 | 2003-04-28 | 電解加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004322292A true JP2004322292A (ja) | 2004-11-18 |
Family
ID=33410155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003124236A Pending JP2004322292A (ja) | 2003-04-28 | 2003-04-28 | 電解加工装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060289298A1 (ja) |
| JP (1) | JP2004322292A (ja) |
| TW (1) | TW200510580A (ja) |
| WO (1) | WO2004097078A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006062031B3 (de) * | 2006-12-29 | 2008-06-19 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | System zum Antreiben und Steuern einer bewegbaren Elektrodenanordnung in einer elektro-chemischen Prozessanlage |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6497800B1 (en) * | 2000-03-17 | 2002-12-24 | Nutool Inc. | Device providing electrical contact to the surface of a semiconductor workpiece during metal plating |
| US6482307B2 (en) * | 2000-05-12 | 2002-11-19 | Nutool, Inc. | Method of and apparatus for making electrical contact to wafer surface for full-face electroplating or electropolishing |
| JP4141114B2 (ja) * | 2000-07-05 | 2008-08-27 | 株式会社荏原製作所 | 電解加工方法及び装置 |
| TWI277473B (en) * | 2002-01-31 | 2007-04-01 | Ebara Corp | Electrolytic processing apparatus and method, fixing method, fixing structure for ion exchanging member |
| JP2004084054A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-03-18 | Ebara Corp | 電解加工方法及び装置 |
-
2003
- 2003-04-28 JP JP2003124236A patent/JP2004322292A/ja active Pending
-
2004
- 2004-04-22 US US10/554,594 patent/US20060289298A1/en not_active Abandoned
- 2004-04-22 WO PCT/JP2004/005766 patent/WO2004097078A1/en active Application Filing
- 2004-04-27 TW TW093111696A patent/TW200510580A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200510580A (en) | 2005-03-16 |
| WO2004097078A1 (en) | 2004-11-11 |
| US20060289298A1 (en) | 2006-12-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060323 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090728 |