JP2004317438A - 照度センサスイッチ - Google Patents
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Abstract
【課題】出力スイッチング素子のオン・オフと周囲照度との関係にヒステリシス特性を持たせた照度センサスイッチを提供する。
【解決手段】MOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換わる直前、スイッチング素子2はオン状態であり、光電流が大きいフォトダイオード1nが有効であるので周囲照度に対する感度は大きく、MOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換わるときの周囲照度は低い。MOSFET3がオン状態からオフ状態に切り換わる直前、スイッチング素子2はオフ状態であり、光電流が小さいフォトダイオード41が有効であるので周囲照度に対する感度は小さく、MOSFET3がオン状態からオフ状態に切り換わるときの周囲照度は高い。
【選択図】 図1
【解決手段】MOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換わる直前、スイッチング素子2はオン状態であり、光電流が大きいフォトダイオード1nが有効であるので周囲照度に対する感度は大きく、MOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換わるときの周囲照度は低い。MOSFET3がオン状態からオフ状態に切り換わる直前、スイッチング素子2はオフ状態であり、光電流が小さいフォトダイオード41が有効であるので周囲照度に対する感度は小さく、MOSFET3がオン状態からオフ状態に切り換わるときの周囲照度は高い。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、周囲の光に応答してオン・オフされると共にヒステリシス特性を有した照度センサスイッチに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の照度センサスイッチBは図8に示すように、周囲照度に応じた起電力を生じるフォトダイオード11〜1nを直列に接続したフォトダイオードアレイ1と、2つのN型のデプレッション型のMOSFET31,32を逆直列に接続し、ソース同士及びゲート同士を各々共通に接続して、各ゲート−ソース間にフォトダイオードアレイ1を接続した出力スイッチング素子30と、フォトダイオードアレイ1の両端間に接続された誤動作防止用のコンデンサ5とから構成され、MOSFET31,32の各ドレイン間には負荷91と交流電源92との直列回路が接続されている。
【0003】
そして、周囲照度が高い場合はフォトダイオードアレイ1の光起電力が高いので、その光起電力によってMOSFET31,32はオフ状態となり、負荷91へは交流電源92からの電流が供給されない。周囲照度が低い場合はフォトダイオードアレイ1の光起電力が低いので、MOSFET31,32はオン状態となり、負荷91へは交流電源92から電流が供給される。また誤動作防止用のコンデンサ5によって、MOSFET31,32がオン状態であるときに瞬間的に周囲照度が高くなった場合でもMOSFET31,32がオフしないようになっている。(例えば、特許文献1参照。)
【0004】
【特許文献1】
特開平5−152924号公報(2頁左欄第48行〜右欄第23行、図1)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来の照度センサスイッチBは、MOSFET31,32がオフ状態からオン状態になる時の周囲照度と、オン状態からオフ状態になる時の周囲照度とが同じになるため、オン・オフが切り換わる閾値付近では周囲照度の僅かな変動でも照度センサスイッチBがオン・オフを繰り返す動作(誤動作)を発生するという問題がある。
【0006】
本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、出力スイッチング素子のオン・オフと周囲照度との関係にヒステリシス特性を持たせた照度センサスイッチを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、周囲照度に応じた起電力を生じて光電流を出力する第1の光起電力素子、周囲照度に応じた起電力を生じ、第1の光起電力素子より小さい光電流を出力する第2の光起電力素子、第1の光起電力素子と第2の光起電力素子とのうち少なくともいずれか一方に直列接続して、第1の光起電力素子及び第2の光起電力素子の接続状態を切り換える1つ以上の制御用スイッチング素子を具備して、制御用スイッチング素子がオン・オフすることで出力する光電流の値を切り換える光電流出力部と、光電流出力部の出力端をゲート−ソース間に接続した出力スイッチング素子たるMOSFETと、MOSFETのゲート−ソース間に接続した抵抗素子と容量素子との並列回路と、MOSFETのオン・オフ状態を検出する状態検出回路とを備え、制御用スイッチング素子が状態検出回路の検出結果に基づいてオン・オフして、光電流出力部が出力する光電流を切り換えることでMOSFETのオン・オフにヒステリシス特性を持たせることを特徴とする。
【0008】
請求項2の発明は、請求項1において、前記MOSFETはデプレッション型であり、前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は第1の光起電力素子より少ない数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子を、1つ以上の第1のフォトダイオードと制御用スイッチング素子との直列回路に対して並列接続して、第1の光起電力素子と制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になることを特徴とする。
【0009】
請求項3の発明は、請求項2において、前記状態検出回路は、前記MOSFETのドレイン電圧を検出し、前記制御用スイッチング素子は検出したドレイン電圧で駆動されることを特徴とする。
【0010】
請求項4の発明は、請求項1において、前記MOSFETはデプレッション型であり、前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は第1の光起電力素子より少ない数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に第1の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子に第2の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子と第2の制御用スイッチング素子との直列回路を、1つ以上の第1のフォトダイオードと第1の制御用スイッチング素子との直列回路に対して並列接続して、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、第1の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になり、第2の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオン状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオフ状態になることを特徴とする。
【0011】
請求項5の発明は、請求項4において、前記状態検出回路は、前記MOSFETのソースに直列接続した状態検出抵抗を具備して、MOSFETのドレイン電圧及び状態検出抵抗の両端電圧を各々検出し、前記第1の制御用スイッチング素子はドレイン電圧で駆動され、前記第2の制御用スイッチング素子は状態検出抵抗の両端電圧で駆動されることを特徴とする。
【0012】
請求項6の発明は、請求項1において、前記MOSFETはデプレッション型であり、前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は複数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に第1の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子に第2の制御用スイッチング素子を直列接続し、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路と、第2の光起電力素子と第2の制御用スイッチング素子との直列回路とを並列接続して、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、第1の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になり、第2の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオン状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオフ状態になることを特徴とする。
【0013】
請求項7の発明は、請求項6において、前記状態検出回路は、前記MOSFETのソースに直列接続した状態検出抵抗を具備して、MOSFETのドレイン電圧及び状態検出抵抗の両端電圧を各々検出し、前記第1の制御用スイッチング素子はドレイン電圧で駆動され、前記第2の制御用スイッチング素子は状態検出抵抗の両端電圧で駆動されることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0015】
(実施形態1)
本実施形態の照度センサスイッチA1は図1に示すように、フォトダイオード11〜1nを直列に接続したフォトダイオードアレイ1と制御用スイッチング素子2との直列回路と、フォトダイオードアレイ1と制御用スイッチング素子2との直列回路をゲート−ソース間に接続したN型のデプレッション型のMOSFET3(出力スイッチング素子)と、フォトダイオード1nと制御用スイッチング素子2との直列回路に並列接続したフォトダイオード41と、フォトダイオードアレイ1と制御用スイッチング素子2との直列回路の両端間に接続された誤動作防止用のコンデンサ5、及びゲート電荷放電用の抵抗6と、MOSFET3のオン・オフ状態を検出する状態検出回路7とから構成され、MOSFET3のドレイン−ソース間には直流電源90と負荷91との直列回路が接続されている。
【0016】
フォトダイオード11〜1n、フォトダイオード41は周囲照度が所定の値以上のときに起電力を発生し、負の電圧をデプレッション型MOSFET3のゲート−ソース間に印加して、MOSFET3をオン状態からオフ状態とするもので、フォトダイオード11〜1nはフォトダイオード41より大きい光電流を出力する。
【0017】
また、制御用スイッチング素子2は状態検出回路7の出力によってそのオン・オフが切り換えられるものである。
【0018】
以下、図1に示す照度センサスイッチA1の動作について図2(a)〜(c)を用いて説明する。周囲照度が十分高いとき(時間t0)、制御用スイッチング素子2はオン状態であり、この場合、MOSFET3のゲート−ソース間に充電される光電流は光電流の大きいフォトダイオードアレイ1(フォトダイオード11〜1n)で決定される。すなわち、フォトダイオード1nが有効となって、MOSFET3はフォトダイオードアレイ1が出力する大きい光電流によって所定以上のゲート電圧が印加されてオフ状態となっている。
【0019】
そして周囲照度が低くなっていくと、フォトダイオードアレイ1が出力する光電流が減少し、MOSFET3はゲート電圧が所定以下にまで低下してオン状態に切り換わる(時間t1)。このMOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換わる直前、光電流が大きいフォトダイオード1nが有効であるので周囲照度に対する感度は大きく、MOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換わるときの周囲照度LX1は低い。
【0020】
さらに、MOSFET3がオン状態になったことを検出した状態検出回路7の出力によって制御用スイッチング素子2はオフ状態に切り換わる。この場合、フォトダイオードアレイ1(フォトダイオード1nは除く)に直列接続された光電流が小さいフォトダイオード41が有効となって、フォトダイオード41によってMOSFET3のゲート−ソース間に充電される光電流は決定される。
【0021】
その後周囲照度が高くなっていくと、MOSFET3はフォトダイオード41が出力する光電流によって所定以上のゲート電圧が印加されてオフ状態に切り換わる(時間t2)。このMOSFET3がオン状態からオフ状態に切り換わる直前、光電流が小さいフォトダイオード41が有効であるので周囲照度に対する感度は小さく、MOSFET3がオン状態からオフ状態に切り換わるときの周囲照度LX2は高い。
【0022】
そして、MOSFET3が再びオフ状態になったことを検出した状態検出回路7の出力によって制御用スイッチング素子2は再びオン状態に切り換わり、光電流が大きいフォトダイオード1nが有効となる。
【0023】
このように、MOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換るときの周囲照度LX1と、オン状態からオフ状態に切り換るときの周囲照度LX2との差によって、照度センサスイッチA1のオン・オフにヒステリシス特性を持たせている。
【0024】
図3は、図1の制御用スイッチング素子2にN型のエンハンスメント型のMOSFET2aを用い、状態検出回路7はMOSFET3のドレイン電圧をMOSFET2aのゲート−ソース間に印加しているもので、状態検出回路7はMOSFET3がオンしているときはLレベルの信号(=MOSFET3のオン電圧)を出力し、MOSFET3がオフしているときはHレベルの信号(=直流電源90の出力電圧)を出力している。ここでLレベルの信号はMOSFET2aをオンさせる閾値以下の電圧であり、Hレベルの信号は閾値以上の電圧である。したがってMOSFET2aは、MOSFET3がオンしているときはオフし、MOSFET3がオフしているときはオンする。なお、図3の照度センサスイッチA1の動作は上記図1の動作と同様であるので、説明は省略する。
【0025】
(実施形態2)
本実施形態の照度センサスイッチA2は図4に示すように、図1のフォトダイオード41に制御用スイッチング素子8を直列接続したもので、制御用スイッチング素子8は状態検出回路7の出力によって、MOSFET3のオン状態時にはオンし、MOSFET3のオフ状態時にはオフする。
【0026】
以下、図4に示す照度センサスイッチA2の動作について説明する。周囲照度が十分高いとき、制御用スイッチング素子2はオン状態、且つ制御用スイッチング素子8はオフ状態であり、この場合、MOSFET3のゲート−ソース間に充電される光電流は光電流の大きいフォトダイオードアレイ1(フォトダイオード11〜1n)で決定される。すなわちフォトダイオード1nが有効となって、MOSFET3はフォトダイオードアレイ1が出力する大きい光電流によって所定以上のゲート電圧が印加されてオフ状態となっている。
【0027】
そして周囲照度が低くなっていくと、フォトダイオードアレイ1が出力する光電流が減少し、MOSFET3はゲート電圧が所定以下にまで低下してオン状態に切り換わる。このMOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換わる直前、光電流が大きいフォトダイオード1nが有効であるので周囲照度に対する感度は大きく、MOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換わるときの周囲照度LX1は低い。
【0028】
さらに、MOSFET3がオン状態になったことを検出した状態検出回路7の出力によって制御用スイッチング素子2はオフ状態に、制御用スイッチング素子8はオン状態に切り換わる。この場合、フォトダイオードアレイ1(フォトダイオード1nは除く)に直列接続された光電流が小さいフォトダイオード41が有効となって、フォトダイオード41によってMOSFET3のゲート−ソース間に充電される光電流は決定される。
【0029】
その後周囲照度が高くなっていくと、MOSFET3はフォトダイオード41が出力する光電流によって所定以上のゲート電圧が印加されてオフ状態に切り換わる。このMOSFET3がオン状態からオフ状態に切り換わる直前、光電流が小さいフォトダイオード41が有効であるので周囲照度に対する感度は小さく、MOSFET3がオン状態からオフ状態に切り換わるときの周囲照度LX2は高い。
【0030】
そして、MOSFET3が再びオフ状態になったことを検出した状態検出回路7の出力によって制御用スイッチング素子2は再びオン状態、制御用スイッチング素子8は再びオフ状態に切り換わり、光電流が大きいフォトダイオード1nが有効となる。
【0031】
このように、MOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換るときの周囲照度LX1と、オン状態からオフ状態に切り換るときの周囲照度LX2との差によって、照度センサスイッチA2のオン・オフにヒステリシス特性を持たせている。
【0032】
図5は、図4の制御用スイッチング素子2,8にN型のエンハンスメント型のMOSFET2a,8aを各々用い、状態検出回路7はMOSFET3のドレイン電圧をMOSFET2aのゲート−ソース間に印加すると共に、MOSFET3のソースに状態検出抵抗71を直列接続して、状態検出抵抗71の両端電圧をMOSFET8aのゲート−ソース間に印加している。
【0033】
そして状態検出回路7はMOSFET2aに、MOSFET3がオンしているときはLレベルの信号(=MOSFET3のオン電圧)を出力し、MOSFET3がオフしているときはHレベルの信号(=直流電源90の出力電圧)を出力し、MOSFET8aには、MOSFET3がオンしているときはHレベルの信号を出力し、MOSFET3がオフしているときはLレベルの信号を出力している。ここでLレベルの信号はMOSFET2a,8aを各々オンさせる閾値以下の電圧であり、Hレベルの信号は閾値以上の信号である。したがってMOSFET2aは、MOSFET3がオンしているときはオフし、MOSFET3がオフしているときはオンする。MOSFET8aは、MOSFET3がオンしているときはオンし、MOSFET3がオフしているときはオフする。なお、図5の照度センサスイッチA2の動作は上記図4の動作と同様であるので、説明は省略する。
【0034】
(実施形態3)
本実施形態の照度センサスイッチA3は図6及び図7に示すように、実施形態2のフォトダイオード41にフォトダイオード42〜4nを直列接続したフォトダイオードアレイ4を備えて、フォトダイオードアレイ4とスイッチング素子8との直列回路をフォトダイオードアレイ1とスイッチング素子2との直列回路に並列接続したもので、フォトダイオードアレイ1はフォトダイオードアレイ4より大きい光電流を出力する。照度センサスイッチA3の動作は実施形態2と同様であり、説明は省略する。
【0035】
【発明の効果】
請求項1の発明は、周囲照度に応じた起電力を生じて光電流を出力する第1の光起電力素子、周囲照度に応じた起電力を生じ、第1の光起電力素子より小さい光電流を出力する第2の光起電力素子、第1の光起電力素子と第2の光起電力素子とのうち少なくともいずれか一方に直列接続して、第1の光起電力素子及び第2の光起電力素子の接続状態を切り換える1つ以上の制御用スイッチング素子を具備して、制御用スイッチング素子がオン・オフすることで出力する光電流の値を切り換える光電流出力部と、光電流出力部の出力端をゲート−ソース間に接続した出力スイッチング素子たるMOSFETと、MOSFETのゲート−ソース間に接続した抵抗素子と容量素子との並列回路と、MOSFETのオン・オフ状態を検出する状態検出回路とを備え、制御用スイッチング素子が状態検出回路の検出結果に基づいてオン・オフして、光電流出力部が出力する光電流を切り換えることでMOSFETのオン・オフにヒステリシス特性を持たせるので、出力スイッチング素子のオン・オフと周囲照度との関係にヒステリシス特性を持たせることができ、周囲照度の僅かな変動で照度センサスイッチがオン・オフを繰り返す誤動作を防止することができるという効果がある。
【0036】
請求項2の発明は、請求項1において、前記MOSFETはデプレッション型であり、前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は第1の光起電力素子より少ない数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子を、1つ以上の第1のフォトダイオードと制御用スイッチング素子との直列回路に対して並列接続して、第1の光起電力素子と制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になるので、第2の光起電力素子の構成の簡単化を図ると共に、制御用スイッチング素子の数を低減することができるという効果がある。
【0037】
請求項3の発明は、請求項2において、前記状態検出回路は、前記MOSFETのドレイン電圧を検出し、前記制御用スイッチング素子は検出したドレイン電圧で駆動されるので、簡単な構成でMOSFETのオン・オフを検出することができるという効果がある。
【0038】
請求項4の発明は、請求項1において、前記MOSFETはデプレッション型であり、前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は第1の光起電力素子より少ない数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に第1の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子に第2の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子と第2の制御用スイッチング素子との直列回路を、1つ以上の第1のフォトダイオードと第1の制御用スイッチング素子との直列回路に対して並列接続して、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、第1の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になり、第2の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオン状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオフ状態になるので、第2の光起電力素子の構成の簡単化を図ることができるという効果がある。
【0039】
請求項5の発明は、請求項4において、前記状態検出回路は、前記MOSFETのソースに直列接続した状態検出抵抗を具備して、MOSFETのドレイン電圧及び状態検出抵抗の両端電圧を各々検出し、前記第1の制御用スイッチング素子はドレイン電圧で駆動され、前記第2の制御用スイッチング素子は状態検出抵抗の両端電圧で駆動されるので、MOSFETのオン・オフを検出することができるという効果がある。
【0040】
請求項6の発明は、請求項1において、前記MOSFETはデプレッション型であり、前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は複数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に第1の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子に第2の制御用スイッチング素子を直列接続し、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路と、第2の光起電力素子と第2の制御用スイッチング素子との直列回路とを並列接続して、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、第1の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になり、第2の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオン状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオフ状態になるので、出力スイッチング素子のオン・オフと周囲照度との関係にヒステリシス特性を持たせることができるという効果がある。
【0041】
請求項7の発明は、請求項6において、前記状態検出回路は、前記MOSFETのソースに直列接続した状態検出抵抗を具備して、MOSFETのドレイン電圧及び状態検出抵抗の両端電圧を各々検出し、前記第1の制御用スイッチング素子はドレイン電圧で駆動され、前記第2の制御用スイッチング素子は状態検出抵抗の両端電圧で駆動されるので、MOSFETのオン・オフを検出することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1の回路構成を示す図である。
【図2】(a)同上の周囲照度の時間変化を示す図である。
(b)同上の光電流の時間変化を示す図である。
(c)同上のMOSFET3の動作変化を示す図である。
【図3】同上の具体回路構成を示す図である。
【図4】本発明の実施形態2の回路構成を示す図である。
【図5】同上の具体回路構成を示す図である。
【図6】本発明の実施形態3の回路構成を示す図である。
【図7】同上の具体回路構成を示す図である。
【図8】従来の回路構成を示す図である。
【符号の説明】
A1 照度センサスイッチ
1 フォトダイオードアレイ
11〜1n フォトダイオード
2 制御用スイッチング素子
3 N型のデプレッション型のMOSFET
41 フォトダイオード
5 コンデンサ
6 抵抗
7 状態検出回路
【発明の属する技術分野】
本発明は、周囲の光に応答してオン・オフされると共にヒステリシス特性を有した照度センサスイッチに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の照度センサスイッチBは図8に示すように、周囲照度に応じた起電力を生じるフォトダイオード11〜1nを直列に接続したフォトダイオードアレイ1と、2つのN型のデプレッション型のMOSFET31,32を逆直列に接続し、ソース同士及びゲート同士を各々共通に接続して、各ゲート−ソース間にフォトダイオードアレイ1を接続した出力スイッチング素子30と、フォトダイオードアレイ1の両端間に接続された誤動作防止用のコンデンサ5とから構成され、MOSFET31,32の各ドレイン間には負荷91と交流電源92との直列回路が接続されている。
【0003】
そして、周囲照度が高い場合はフォトダイオードアレイ1の光起電力が高いので、その光起電力によってMOSFET31,32はオフ状態となり、負荷91へは交流電源92からの電流が供給されない。周囲照度が低い場合はフォトダイオードアレイ1の光起電力が低いので、MOSFET31,32はオン状態となり、負荷91へは交流電源92から電流が供給される。また誤動作防止用のコンデンサ5によって、MOSFET31,32がオン状態であるときに瞬間的に周囲照度が高くなった場合でもMOSFET31,32がオフしないようになっている。(例えば、特許文献1参照。)
【0004】
【特許文献1】
特開平5−152924号公報(2頁左欄第48行〜右欄第23行、図1)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来の照度センサスイッチBは、MOSFET31,32がオフ状態からオン状態になる時の周囲照度と、オン状態からオフ状態になる時の周囲照度とが同じになるため、オン・オフが切り換わる閾値付近では周囲照度の僅かな変動でも照度センサスイッチBがオン・オフを繰り返す動作(誤動作)を発生するという問題がある。
【0006】
本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、出力スイッチング素子のオン・オフと周囲照度との関係にヒステリシス特性を持たせた照度センサスイッチを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、周囲照度に応じた起電力を生じて光電流を出力する第1の光起電力素子、周囲照度に応じた起電力を生じ、第1の光起電力素子より小さい光電流を出力する第2の光起電力素子、第1の光起電力素子と第2の光起電力素子とのうち少なくともいずれか一方に直列接続して、第1の光起電力素子及び第2の光起電力素子の接続状態を切り換える1つ以上の制御用スイッチング素子を具備して、制御用スイッチング素子がオン・オフすることで出力する光電流の値を切り換える光電流出力部と、光電流出力部の出力端をゲート−ソース間に接続した出力スイッチング素子たるMOSFETと、MOSFETのゲート−ソース間に接続した抵抗素子と容量素子との並列回路と、MOSFETのオン・オフ状態を検出する状態検出回路とを備え、制御用スイッチング素子が状態検出回路の検出結果に基づいてオン・オフして、光電流出力部が出力する光電流を切り換えることでMOSFETのオン・オフにヒステリシス特性を持たせることを特徴とする。
【0008】
請求項2の発明は、請求項1において、前記MOSFETはデプレッション型であり、前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は第1の光起電力素子より少ない数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子を、1つ以上の第1のフォトダイオードと制御用スイッチング素子との直列回路に対して並列接続して、第1の光起電力素子と制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になることを特徴とする。
【0009】
請求項3の発明は、請求項2において、前記状態検出回路は、前記MOSFETのドレイン電圧を検出し、前記制御用スイッチング素子は検出したドレイン電圧で駆動されることを特徴とする。
【0010】
請求項4の発明は、請求項1において、前記MOSFETはデプレッション型であり、前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は第1の光起電力素子より少ない数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に第1の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子に第2の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子と第2の制御用スイッチング素子との直列回路を、1つ以上の第1のフォトダイオードと第1の制御用スイッチング素子との直列回路に対して並列接続して、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、第1の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になり、第2の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオン状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオフ状態になることを特徴とする。
【0011】
請求項5の発明は、請求項4において、前記状態検出回路は、前記MOSFETのソースに直列接続した状態検出抵抗を具備して、MOSFETのドレイン電圧及び状態検出抵抗の両端電圧を各々検出し、前記第1の制御用スイッチング素子はドレイン電圧で駆動され、前記第2の制御用スイッチング素子は状態検出抵抗の両端電圧で駆動されることを特徴とする。
【0012】
請求項6の発明は、請求項1において、前記MOSFETはデプレッション型であり、前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は複数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に第1の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子に第2の制御用スイッチング素子を直列接続し、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路と、第2の光起電力素子と第2の制御用スイッチング素子との直列回路とを並列接続して、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、第1の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になり、第2の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオン状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオフ状態になることを特徴とする。
【0013】
請求項7の発明は、請求項6において、前記状態検出回路は、前記MOSFETのソースに直列接続した状態検出抵抗を具備して、MOSFETのドレイン電圧及び状態検出抵抗の両端電圧を各々検出し、前記第1の制御用スイッチング素子はドレイン電圧で駆動され、前記第2の制御用スイッチング素子は状態検出抵抗の両端電圧で駆動されることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0015】
(実施形態1)
本実施形態の照度センサスイッチA1は図1に示すように、フォトダイオード11〜1nを直列に接続したフォトダイオードアレイ1と制御用スイッチング素子2との直列回路と、フォトダイオードアレイ1と制御用スイッチング素子2との直列回路をゲート−ソース間に接続したN型のデプレッション型のMOSFET3(出力スイッチング素子)と、フォトダイオード1nと制御用スイッチング素子2との直列回路に並列接続したフォトダイオード41と、フォトダイオードアレイ1と制御用スイッチング素子2との直列回路の両端間に接続された誤動作防止用のコンデンサ5、及びゲート電荷放電用の抵抗6と、MOSFET3のオン・オフ状態を検出する状態検出回路7とから構成され、MOSFET3のドレイン−ソース間には直流電源90と負荷91との直列回路が接続されている。
【0016】
フォトダイオード11〜1n、フォトダイオード41は周囲照度が所定の値以上のときに起電力を発生し、負の電圧をデプレッション型MOSFET3のゲート−ソース間に印加して、MOSFET3をオン状態からオフ状態とするもので、フォトダイオード11〜1nはフォトダイオード41より大きい光電流を出力する。
【0017】
また、制御用スイッチング素子2は状態検出回路7の出力によってそのオン・オフが切り換えられるものである。
【0018】
以下、図1に示す照度センサスイッチA1の動作について図2(a)〜(c)を用いて説明する。周囲照度が十分高いとき(時間t0)、制御用スイッチング素子2はオン状態であり、この場合、MOSFET3のゲート−ソース間に充電される光電流は光電流の大きいフォトダイオードアレイ1(フォトダイオード11〜1n)で決定される。すなわち、フォトダイオード1nが有効となって、MOSFET3はフォトダイオードアレイ1が出力する大きい光電流によって所定以上のゲート電圧が印加されてオフ状態となっている。
【0019】
そして周囲照度が低くなっていくと、フォトダイオードアレイ1が出力する光電流が減少し、MOSFET3はゲート電圧が所定以下にまで低下してオン状態に切り換わる(時間t1)。このMOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換わる直前、光電流が大きいフォトダイオード1nが有効であるので周囲照度に対する感度は大きく、MOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換わるときの周囲照度LX1は低い。
【0020】
さらに、MOSFET3がオン状態になったことを検出した状態検出回路7の出力によって制御用スイッチング素子2はオフ状態に切り換わる。この場合、フォトダイオードアレイ1(フォトダイオード1nは除く)に直列接続された光電流が小さいフォトダイオード41が有効となって、フォトダイオード41によってMOSFET3のゲート−ソース間に充電される光電流は決定される。
【0021】
その後周囲照度が高くなっていくと、MOSFET3はフォトダイオード41が出力する光電流によって所定以上のゲート電圧が印加されてオフ状態に切り換わる(時間t2)。このMOSFET3がオン状態からオフ状態に切り換わる直前、光電流が小さいフォトダイオード41が有効であるので周囲照度に対する感度は小さく、MOSFET3がオン状態からオフ状態に切り換わるときの周囲照度LX2は高い。
【0022】
そして、MOSFET3が再びオフ状態になったことを検出した状態検出回路7の出力によって制御用スイッチング素子2は再びオン状態に切り換わり、光電流が大きいフォトダイオード1nが有効となる。
【0023】
このように、MOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換るときの周囲照度LX1と、オン状態からオフ状態に切り換るときの周囲照度LX2との差によって、照度センサスイッチA1のオン・オフにヒステリシス特性を持たせている。
【0024】
図3は、図1の制御用スイッチング素子2にN型のエンハンスメント型のMOSFET2aを用い、状態検出回路7はMOSFET3のドレイン電圧をMOSFET2aのゲート−ソース間に印加しているもので、状態検出回路7はMOSFET3がオンしているときはLレベルの信号(=MOSFET3のオン電圧)を出力し、MOSFET3がオフしているときはHレベルの信号(=直流電源90の出力電圧)を出力している。ここでLレベルの信号はMOSFET2aをオンさせる閾値以下の電圧であり、Hレベルの信号は閾値以上の電圧である。したがってMOSFET2aは、MOSFET3がオンしているときはオフし、MOSFET3がオフしているときはオンする。なお、図3の照度センサスイッチA1の動作は上記図1の動作と同様であるので、説明は省略する。
【0025】
(実施形態2)
本実施形態の照度センサスイッチA2は図4に示すように、図1のフォトダイオード41に制御用スイッチング素子8を直列接続したもので、制御用スイッチング素子8は状態検出回路7の出力によって、MOSFET3のオン状態時にはオンし、MOSFET3のオフ状態時にはオフする。
【0026】
以下、図4に示す照度センサスイッチA2の動作について説明する。周囲照度が十分高いとき、制御用スイッチング素子2はオン状態、且つ制御用スイッチング素子8はオフ状態であり、この場合、MOSFET3のゲート−ソース間に充電される光電流は光電流の大きいフォトダイオードアレイ1(フォトダイオード11〜1n)で決定される。すなわちフォトダイオード1nが有効となって、MOSFET3はフォトダイオードアレイ1が出力する大きい光電流によって所定以上のゲート電圧が印加されてオフ状態となっている。
【0027】
そして周囲照度が低くなっていくと、フォトダイオードアレイ1が出力する光電流が減少し、MOSFET3はゲート電圧が所定以下にまで低下してオン状態に切り換わる。このMOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換わる直前、光電流が大きいフォトダイオード1nが有効であるので周囲照度に対する感度は大きく、MOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換わるときの周囲照度LX1は低い。
【0028】
さらに、MOSFET3がオン状態になったことを検出した状態検出回路7の出力によって制御用スイッチング素子2はオフ状態に、制御用スイッチング素子8はオン状態に切り換わる。この場合、フォトダイオードアレイ1(フォトダイオード1nは除く)に直列接続された光電流が小さいフォトダイオード41が有効となって、フォトダイオード41によってMOSFET3のゲート−ソース間に充電される光電流は決定される。
【0029】
その後周囲照度が高くなっていくと、MOSFET3はフォトダイオード41が出力する光電流によって所定以上のゲート電圧が印加されてオフ状態に切り換わる。このMOSFET3がオン状態からオフ状態に切り換わる直前、光電流が小さいフォトダイオード41が有効であるので周囲照度に対する感度は小さく、MOSFET3がオン状態からオフ状態に切り換わるときの周囲照度LX2は高い。
【0030】
そして、MOSFET3が再びオフ状態になったことを検出した状態検出回路7の出力によって制御用スイッチング素子2は再びオン状態、制御用スイッチング素子8は再びオフ状態に切り換わり、光電流が大きいフォトダイオード1nが有効となる。
【0031】
このように、MOSFET3がオフ状態からオン状態に切り換るときの周囲照度LX1と、オン状態からオフ状態に切り換るときの周囲照度LX2との差によって、照度センサスイッチA2のオン・オフにヒステリシス特性を持たせている。
【0032】
図5は、図4の制御用スイッチング素子2,8にN型のエンハンスメント型のMOSFET2a,8aを各々用い、状態検出回路7はMOSFET3のドレイン電圧をMOSFET2aのゲート−ソース間に印加すると共に、MOSFET3のソースに状態検出抵抗71を直列接続して、状態検出抵抗71の両端電圧をMOSFET8aのゲート−ソース間に印加している。
【0033】
そして状態検出回路7はMOSFET2aに、MOSFET3がオンしているときはLレベルの信号(=MOSFET3のオン電圧)を出力し、MOSFET3がオフしているときはHレベルの信号(=直流電源90の出力電圧)を出力し、MOSFET8aには、MOSFET3がオンしているときはHレベルの信号を出力し、MOSFET3がオフしているときはLレベルの信号を出力している。ここでLレベルの信号はMOSFET2a,8aを各々オンさせる閾値以下の電圧であり、Hレベルの信号は閾値以上の信号である。したがってMOSFET2aは、MOSFET3がオンしているときはオフし、MOSFET3がオフしているときはオンする。MOSFET8aは、MOSFET3がオンしているときはオンし、MOSFET3がオフしているときはオフする。なお、図5の照度センサスイッチA2の動作は上記図4の動作と同様であるので、説明は省略する。
【0034】
(実施形態3)
本実施形態の照度センサスイッチA3は図6及び図7に示すように、実施形態2のフォトダイオード41にフォトダイオード42〜4nを直列接続したフォトダイオードアレイ4を備えて、フォトダイオードアレイ4とスイッチング素子8との直列回路をフォトダイオードアレイ1とスイッチング素子2との直列回路に並列接続したもので、フォトダイオードアレイ1はフォトダイオードアレイ4より大きい光電流を出力する。照度センサスイッチA3の動作は実施形態2と同様であり、説明は省略する。
【0035】
【発明の効果】
請求項1の発明は、周囲照度に応じた起電力を生じて光電流を出力する第1の光起電力素子、周囲照度に応じた起電力を生じ、第1の光起電力素子より小さい光電流を出力する第2の光起電力素子、第1の光起電力素子と第2の光起電力素子とのうち少なくともいずれか一方に直列接続して、第1の光起電力素子及び第2の光起電力素子の接続状態を切り換える1つ以上の制御用スイッチング素子を具備して、制御用スイッチング素子がオン・オフすることで出力する光電流の値を切り換える光電流出力部と、光電流出力部の出力端をゲート−ソース間に接続した出力スイッチング素子たるMOSFETと、MOSFETのゲート−ソース間に接続した抵抗素子と容量素子との並列回路と、MOSFETのオン・オフ状態を検出する状態検出回路とを備え、制御用スイッチング素子が状態検出回路の検出結果に基づいてオン・オフして、光電流出力部が出力する光電流を切り換えることでMOSFETのオン・オフにヒステリシス特性を持たせるので、出力スイッチング素子のオン・オフと周囲照度との関係にヒステリシス特性を持たせることができ、周囲照度の僅かな変動で照度センサスイッチがオン・オフを繰り返す誤動作を防止することができるという効果がある。
【0036】
請求項2の発明は、請求項1において、前記MOSFETはデプレッション型であり、前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は第1の光起電力素子より少ない数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子を、1つ以上の第1のフォトダイオードと制御用スイッチング素子との直列回路に対して並列接続して、第1の光起電力素子と制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になるので、第2の光起電力素子の構成の簡単化を図ると共に、制御用スイッチング素子の数を低減することができるという効果がある。
【0037】
請求項3の発明は、請求項2において、前記状態検出回路は、前記MOSFETのドレイン電圧を検出し、前記制御用スイッチング素子は検出したドレイン電圧で駆動されるので、簡単な構成でMOSFETのオン・オフを検出することができるという効果がある。
【0038】
請求項4の発明は、請求項1において、前記MOSFETはデプレッション型であり、前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は第1の光起電力素子より少ない数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に第1の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子に第2の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子と第2の制御用スイッチング素子との直列回路を、1つ以上の第1のフォトダイオードと第1の制御用スイッチング素子との直列回路に対して並列接続して、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、第1の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になり、第2の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオン状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオフ状態になるので、第2の光起電力素子の構成の簡単化を図ることができるという効果がある。
【0039】
請求項5の発明は、請求項4において、前記状態検出回路は、前記MOSFETのソースに直列接続した状態検出抵抗を具備して、MOSFETのドレイン電圧及び状態検出抵抗の両端電圧を各々検出し、前記第1の制御用スイッチング素子はドレイン電圧で駆動され、前記第2の制御用スイッチング素子は状態検出抵抗の両端電圧で駆動されるので、MOSFETのオン・オフを検出することができるという効果がある。
【0040】
請求項6の発明は、請求項1において、前記MOSFETはデプレッション型であり、前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は複数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に第1の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子に第2の制御用スイッチング素子を直列接続し、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路と、第2の光起電力素子と第2の制御用スイッチング素子との直列回路とを並列接続して、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、第1の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になり、第2の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオン状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオフ状態になるので、出力スイッチング素子のオン・オフと周囲照度との関係にヒステリシス特性を持たせることができるという効果がある。
【0041】
請求項7の発明は、請求項6において、前記状態検出回路は、前記MOSFETのソースに直列接続した状態検出抵抗を具備して、MOSFETのドレイン電圧及び状態検出抵抗の両端電圧を各々検出し、前記第1の制御用スイッチング素子はドレイン電圧で駆動され、前記第2の制御用スイッチング素子は状態検出抵抗の両端電圧で駆動されるので、MOSFETのオン・オフを検出することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1の回路構成を示す図である。
【図2】(a)同上の周囲照度の時間変化を示す図である。
(b)同上の光電流の時間変化を示す図である。
(c)同上のMOSFET3の動作変化を示す図である。
【図3】同上の具体回路構成を示す図である。
【図4】本発明の実施形態2の回路構成を示す図である。
【図5】同上の具体回路構成を示す図である。
【図6】本発明の実施形態3の回路構成を示す図である。
【図7】同上の具体回路構成を示す図である。
【図8】従来の回路構成を示す図である。
【符号の説明】
A1 照度センサスイッチ
1 フォトダイオードアレイ
11〜1n フォトダイオード
2 制御用スイッチング素子
3 N型のデプレッション型のMOSFET
41 フォトダイオード
5 コンデンサ
6 抵抗
7 状態検出回路
Claims (7)
- 周囲照度に応じた起電力を生じて光電流を出力する第1の光起電力素子、周囲照度に応じた起電力を生じ、第1の光起電力素子より小さい光電流を出力する第2の光起電力素子、第1の光起電力素子と第2の光起電力素子とのうち少なくともいずれか一方に直列接続して、第1の光起電力素子及び第2の光起電力素子の接続状態を切り換える1つ以上の制御用スイッチング素子を具備して、制御用スイッチング素子がオン・オフすることで出力する光電流の値を切り換える光電流出力部と、
光電流出力部の出力端をゲート−ソース間に接続した出力スイッチング素子たるMOSFETと、
MOSFETのゲート−ソース間に接続した抵抗素子と容量素子との並列回路と、
MOSFETのオン・オフ状態を検出する状態検出回路とを備え、
制御用スイッチング素子が状態検出回路の検出結果に基づいてオン・オフして、光電流出力部が出力する光電流を切り換えることでMOSFETのオン・オフにヒステリシス特性を持たせることを特徴とする照度センサスイッチ。 - 前記MOSFETはデプレッション型であり、
前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、前記第2の光起電力素子は第1の光起電力素子より少ない数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、
前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子を、1つ以上の第1のフォトダイオードと制御用スイッチング素子との直列回路に対して並列接続して、第1の光起電力素子と制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になることを特徴とする請求項1記載の照度センサスイッチ。 - 前記状態検出回路は、前記MOSFETのドレイン電圧を検出し、前記制御用スイッチング素子は検出したドレイン電圧で駆動されることを特徴とする請求項2記載の照度センサスイッチ。
- 前記MOSFETはデプレッション型であり、
前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、
前記第2の光起電力素子は第1の光起電力素子より少ない数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、
前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に第1の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子に第2の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子と第2の制御用スイッチング素子との直列回路を、1つ以上の第1のフォトダイオードと第1の制御用スイッチング素子との直列回路に対して並列接続して、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、第1の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になり、第2の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオン状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオフ状態になることを特徴とする請求項1記載の照度センサスイッチ。 - 前記状態検出回路は、前記MOSFETのソースに直列接続した状態検出抵抗を具備して、MOSFETのドレイン電圧及び状態検出抵抗の両端電圧を各々検出し、前記第1の制御用スイッチング素子はドレイン電圧で駆動され、前記第2の制御用スイッチング素子は状態検出抵抗の両端電圧で駆動されることを特徴とする請求項4記載の照度センサスイッチ。
- 前記MOSFETはデプレッション型であり、
前記第1の光起電力素子は複数の第1のフォトダイオードの直列回路からなり、
前記第2の光起電力素子は複数の第2のフォトダイオードの直列回路からなり、
前記光電流出力部は、第1の光起電力素子に第1の制御用スイッチング素子を直列接続し、第2の光起電力素子に第2の制御用スイッチング素子を直列接続し、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路と、第2の光起電力素子と第2の制御用スイッチング素子との直列回路とを並列接続して、第1の光起電力素子と第1の制御用スイッチング素子との直列回路の両端を光電流の出力端とし、第1の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオフ状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオン状態になり、第2の制御用スイッチング素子は状態検出回路の検出結果より、MOSFETがオン状態のときはオン状態になり、MOSFETがオフ状態のときはオフ状態になることを特徴とする請求項1記載の照度センサスイッチ。 - 前記状態検出回路は、前記MOSFETのソースに直列接続した状態検出抵抗を具備して、MOSFETのドレイン電圧及び状態検出抵抗の両端電圧を各々検出し、前記第1の制御用スイッチング素子はドレイン電圧で駆動され、前記第2の制御用スイッチング素子は状態検出抵抗の両端電圧で駆動されることを特徴とする請求項6記載の照度センサスイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003114810A JP2004317438A (ja) | 2003-04-18 | 2003-04-18 | 照度センサスイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003114810A JP2004317438A (ja) | 2003-04-18 | 2003-04-18 | 照度センサスイッチ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004317438A true JP2004317438A (ja) | 2004-11-11 |
Family
ID=33474271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003114810A Withdrawn JP2004317438A (ja) | 2003-04-18 | 2003-04-18 | 照度センサスイッチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004317438A (ja) |
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