JP2004311709A - Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関し、より特定的には、半導体素子を基板上にフリップチップ実装する半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体素子の下面に形成した電極と、基板の上面に形成した接続パッドとを半田バンプなどを介して接合するフリップチップ実装が行なわれている。このフリップチップ実装を行なう際に、半導体素子とこの半導体素子を実装する基板との隙間に樹脂を充填して両者を接着する場合がある。これは、半導体素子と基板とを接着して一体化することにより、半導体素子と基板の熱膨張率の差により電極と接続パッドとの間に発生する熱応力を低減するものである。これにより電極と接続パッドとの接触不良などを抑制することができる。したがって、この半導体素子と基板との接着は強固かつ確実に行なわれなければならない。
【0003】
この半導体素子と基板との間に樹脂を充填する方法としては、半導体素子を基板上にフリップチップ実装した後に、半導体素子の下面と基板の上面との隙間に液状の樹脂を注入する方法がある。この方法によると次のような問題点がある。
【0004】
半田バンプの表面に塗布したフラックスが、半田バンプを溶融したときに上記隙間に入り込むことがある。そのフラックスが上記隙間に残留していた場合には、このフラックスにより樹脂の注入が妨げられ、ボイドが発生することがある。この場合には、接着が不完全となり、歩留まりが低下する。
【0005】
そこで、基板の表面に予めアンダーフィル樹脂を供給しておき、そのアンダーフィル樹脂に基板を密着させた後、半田バンプによる電極と接続パッドとの接続を行なうフリップチップ実装方法も開発されている。この方法によると、半田バンプに塗布されたフラックスの影響を受けることがない。
【0006】
しかし、このアンダーフィル樹脂を用いたフリップチップ実装方法においても、次のような問題がある。アンダーフィル樹脂の表面には多少の凹凸が存在する。そのようなアンダーフィル樹脂に下面が平滑な基板を当接すると、凹部に空気が残り、半導体素子の下面とアンダーフィル樹脂の表面との界面に気泡が残ることがあり、これがボイドとなることがある。この場合には、このボイドにより半導体素子と基板とが確実に接着されないという問題がある。
【0007】
この問題を解決するフリップチップ実装方法としては、特許文献1記載のフリップチップ実装方法がある。特許文献1記載のフリップチップ実装方法においては、減圧雰囲気中において半導体素子をアンダーフィル樹脂の表面に密着させる。さらに、この減圧雰囲気中において、半導体素子の電極と基板の接続パッドとに設けた半田バンプ加熱する等して、両者を接続する。
【0008】
続いて、このアンダーフィル樹脂を硬化させる前に、雰囲気の圧力を解放して大気圧とする。このときアンダーフィル樹脂と基板との界面に発生したボイドは、雰囲気の圧力の上昇に伴って収縮する。雰囲気が大気圧の状態を維持しながら、アンダーフィル樹脂を硬化させることで、ボイドが収縮した状態のままで硬化するので、ボイドの影響を少なくすることができる。
【0009】
【特許文献1】
特開平11−163048号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上記の特許文献1に記載されたフリップチップ実装方法によると、上記のようにアンダーフィル樹脂と基板との界面に発生したボイドを収縮させることができる。しかし、このフリップチップ実装方法においても、次のような問題がある。
【0011】
半田バンプを溶融させるための加熱や、アンダーフィル樹脂を硬化させるための加熱により、アンダーフィル樹脂が加熱され、アンダーフィル樹脂が発泡することがある。その状態でアンダーフィル樹脂が硬化すると、アンダーフィル樹脂に発泡による気泡が残ったままとなり、これがボイドとなって、半導体素子と基板との接着力が低下する。上記特許文献1記載のフリップチップ実装方法では、このアンダーフィル樹脂の発泡に起因するボイドを抑制する効果はない。
【0012】
特許文献1記載のフリップチップ実装方法においては、減圧雰囲気中において、半導体素子の電極と基板の接続パッドとを接続する。この接続として一般的な半田パンプを用いる場合には、半田バンプを溶融させるための加熱が必要となる。このとき、その熱によりアンダーフィル樹脂も加熱されるが、特許文献1に記載のフリップチップ実装方法において減圧雰囲気であるために、かえってアンダーフィル樹脂の発泡が発生しやすくなり、これによりボイドの発生が助長されることが懸念される。
【0013】
したがって、この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、アンダーフィル樹脂と半導体素子との間に気泡が混入することにより発生するボイドの影響を低減することができると共に、アンダーフィル樹脂の発泡に起因するボイドの発生も抑制することができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
この発明に基づいた半導体装置の製造方法に従えば、電極を備えた半導体素子を、上記電極に対応する接続パッドを備えた基板にフリップチップ実装する半導体装置の製造方法において、基板の半導体装置に対向する部分にアンダーフィル樹脂を供給する工程と、アンダーフィル樹脂の表面に半導体素子を密着させる工程と、半導体素子の電極と基板の接続パッドとを電気的に接続する工程と、アンダーフィル樹脂の表面に半導体素子を密着させる工程における雰囲気より高圧、かつ、大気圧より高圧の高圧雰囲気中において、アンダーフィル樹脂を硬化させる工程とを備えている。
【0015】
この発明に基づいた半導体製造装置に従えば、基板上に半導体素子をフリップチップ実装する、半導体製造装置であって、基板を保持するステージと、ステージに対して半導体素子の主表面を平行に保持しながら、ステージに保持した基板に向かって移動可能なボンディングヘッドと、半導体素子および基板を包囲する耐圧ボックスと、耐圧ボックス内の雰囲気を大気圧より高圧にする加圧装置とを備えている。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本実施の形態における半導体装置の製造方法および半導体製造装置について、図を参照しながら説明する。なお、図1から図5は、本実施の形態における半導体装置の製造方法の各工程を示す概略断面図である。
【0017】
(半導体装置)
本実施の形態の半導体装置31は、半導体素子11を基板21にフリップチップ実装して構成されている。まず、半導体装置31を構成する半導体素子11および基板21の構造について説明する。
【0018】
図1に示すように半導体素子11の下面には、複数の電極12が設けられており、電極12の表面には半田バンプ35が設けられている。基板21の上面にも、半導体素子11の電極12に対応する位置に、複数の接続パッド22が設けられている。この接続パッド22は、基板21の図示しない配線に接続されている。接続パッド22の表面にも半田バンプ35が設けられている。本実施の形態では半田バンプを用いているが、金など他の金属材料で構成したバンプを用いても良い。また、バンプは、本実施の形態のように電極12と接続パッド22の両方に設けても良いし、電極12または接続パッド22の一方にのみ設けるようにしても良い。
【0019】
基板21の半導体素子11に対向する位置には、アンダーフィル樹脂36が予め供給されている。アンダーフィル樹脂36は本実施の形態では、流れにくい液状の熱硬化性エポキシ樹脂を用いている。このアンダーフィル樹脂36としては、本実施の形態のような液状の樹脂以外に、フィルム状の樹脂などを用いることができる。
【0020】
本実施の形態では、アンダーフィル樹脂36は、基板21にのみ予め供給しているが、半導体素子11にのみ予め供給するようにしても良いし、両方に予め供給するようにしてもよい。
【0021】
図5に示す半導体装置31は、上述のように、半導体素子11を基板21にフリップチップ実装して構成されている。半導体素子11の電極12と、基板21の接続パッド22とは、半田バンプ35を介して電気的に接続されている。また、半導体素子11と基板21とは、アンダーフィル樹脂36により接着されて一体化されている。
【0022】
(半導体製造装置)
図1を参照して、半導体製造装置50の構造について説明する。図1に示すように、この半導体製造装置50は、ステージ51と、ボンディングヘッド56と、耐圧ボックス58と、加圧装置としてのポンプ52とを備えている。
【0023】
ステージ51は、基板21を水平に保持するものであり、ステージ51には、基板21を真空吸着するための吸引管54が設けられている。このステージ51はヒータを内蔵しており、基板21の予備加熱が可能である。
【0024】
ボンディングヘッド56は、半導体素子11を、基板21の表面と平行に保持した状態で昇降可能に構成されており、その内部には半導体素子11を真空吸引するための吸引管57が配設されている。ボンディングヘッド56は、半導体素子11を保持した状態で昇降することで、半導体素子11を、基板21の表面に予め配設したアンダーフィル樹脂36に密着させることができる。また、このボンディングヘッド56はヒータを内蔵しており、半導体素子11を室温から400℃程度まで加熱することができる。
【0025】
耐圧ボックス58は、半導体素子11および基板21を包囲するものである。耐圧ボックス58は、ステージ51との間で気密を保持することができる。また、耐圧ボックス58はその内部の雰囲気を高圧にしてもその圧力に耐えられるように構成されている。
【0026】
ステージ51には、ステージ51の上面側に連通する通気管53を介して、加圧装置としてのポンプ52が接続されている。ポンプ52は、耐圧ボックス58の内部に空気または不活性ガスを送り込み、耐圧ボックス58の内部の雰囲気を高圧にすることができる。
【0027】
(半導体装置の製造方法)
図1から図5を参照して、半導体装置の製造方法について説明する。
【0028】
図1を参照して、耐圧ボックス58の内部の雰囲気が大気圧の状態で、基板21をステージ51の所定位置に配置し、吸引管54により吸引することで真空吸着して固定する。
【0029】
同時に、耐圧ボックス58の内部の雰囲気が大気圧の状態で、半導体素子11をボンディングヘッド56に装着する。このとき半導体素子11は、基板21上方の所定の位置に位置決めすると共に吸引管57により吸引することで真空吸着して固定する。
【0030】
このとき特許文献1記載のフリップチップ実装方法のように、耐圧ボックス58の内部の雰囲気が減圧されている場合には、真空吸着を用いることが困難となる。本実施の形態においては、耐圧ボックス58の内部は大気圧または大気圧より高圧であるので、真空吸着による吸着が可能である。したがって、特許文献1のフリップチップ実装方法のように半導体素子11や基板21の固定手段の選択において制限を受けることはない。
【0031】
図2を参照して、耐圧ボックス58の内部の雰囲気を大気圧に保ったまま、ボンディングヘッド56を基板21に向かって下降させ、半導体素子11の下面を、基板21の上面に予め配設したアンダーフィル樹脂36の表面に密着させる。このとき半導体素子11は、基板21の所定位置に位置し、対応する半導体素子11の電極12と基板21の接続パッド22とが半田バンプ35を介して接触する。ボンディングヘッド56は、半導体素子11をアンダーフィル樹脂36に密着させるとき、半導体素子11を下方向に加圧する。これにより半導体素子11は、基板21に圧接され、半田バンプ35は変形して電極12と接続パッド22とを広い面積で接触する。
【0032】
ここで、半導体素子11を密着させる前のアンダーフィル樹脂36の表面には多少の凹凸がある。そのため半導体素子11をアンダーフィル樹脂36に密着させたとき、半導体素子11の下面とアンダーフィル樹脂36の表面との界面に気泡が残り、図2に模式的に示すようなボイド37が形成されることがある。
【0033】
図3を参照して、ポンプ52を作動させ、耐圧ボックス58の内部に空気または不活性ガスを送り込み、耐圧ボックス58の内部の雰囲気を高圧にする。このように耐圧ボックス58の内部を高圧にすることで、大気圧と高圧の差圧の影響により上記のような気泡からなるボイド37は収縮する。
【0034】
図4を参照して、耐圧ボックス58の内部の高圧雰囲気を維持しながら、半田バンプ35およびアンダーフィル樹脂36を加熱する。この加熱により半田バンプ35を溶融させ、半導体素子11の電極12と基板21の接続パッド22とを電気的に接続する。また、このアンダーフィル樹脂36の加熱により、アンダーフィル樹脂36は硬化する。半田バンプ35を溶融させる必要があるため、このときの加熱温度は、本実施の形態では200℃程度であり、この加熱はステージ51およびボンディングヘッド56に内蔵したヒータにより行なう。
【0035】
この加熱によりアンダーフィル樹脂36が高温になっても、耐圧ボックス58の内部が高圧雰囲気に保たれているので、アンダーフィル樹脂36の発泡を抑制することができる。これにより新たなボイドの発生を抑制することができる。この実施の形態ではこのように、電極12と接続パッド22を電気的に接続する工程と、アンダーフィル樹脂36を硬化させる工程とを同時に行なっている。
【0036】
電極12と接続パッド22とを電気的に接続する工程およびアンダーフィル樹脂36を硬化させる工程における、耐圧ボックス58の内部の高圧雰囲気としては、たとえば0.2MPa以上とするのが好ましい。圧力が0.2MPa未満であると、半導体素子11をアンダーフィル樹脂36の表面に密着させる工程で発生したボイド37が十分に収縮せず、このボイド37の影響を完全に排除できない可能性がある。また、この圧力では、電極12と接続パッド22を電気的に接続する工程およびアンダーフィル樹脂36を硬化させる工程におけるアンダーフィル樹脂36の発泡を十分に抑制できない可能性がある。
【0037】
この耐圧ボックスの内部の高圧雰囲気としては、1MPa以上であることがさらに好ましい。1MPa以上であると、さらにボイド37を小さく収縮させることができ、ボイド37を、その悪影響をほぼ完全に排除することができるレベルまで小さくすることができる。また、アンダーフィル樹脂36の発泡を抑制する効果がさらに顕著となる。
【0038】
一方、ボイド37を収縮させるためには、この高圧雰囲気の圧力は高いほど好ましいが、耐圧ボックス58の製造コスト等を考慮すると、現実的には、2MPa程度が上限となる。
【0039】
また、本実施の形態では、半導体素子11を基板21のアンダーフィル樹脂36表面に密着させる工程を、大気圧雰囲気中で行なっている。ボイド37を収縮させるために、この工程と、後のアンダーフィル樹脂36を硬化させる工程とで十分な差圧が確保される必要がある。その差圧が確保されるならば、半導体素子11を基板21のアンダーフィル樹脂36表面に密着させる工程は、必ずしも大気圧の雰囲気中で行なわなくてもよい。
【0040】
図5を参照して、アンダーフィル樹脂36が完全に硬化した後、ボンディングヘッド56の吸着を解除し、ボンディングヘッド56を上昇させる。また、耐圧ボックス58の内部の高圧雰囲気を大気に解放し、大気圧に戻す。このとき、アンダーフィル樹脂36は完全に硬化しているので、高圧雰囲気を解放してもボイド37が再度膨張することはない。したがって、ボイド37が微小化された状態を維持するので、ボイド37による接着不良などの悪影響を回避することができる。
【0041】
本実施の形態では上記のように、電極12と接続パッド22とを電気的に接続する工程とアンダーフィル樹脂36を硬化させる工程とを同時に行なったが、これらを別々の工程で行なってもよい。その場合の電極12と接続パッド22とを電気的に接続する工程とアンダーフィル樹脂36を硬化させる工程とを以下に説明する。
【0042】
(電極12と接続パッド22とを電気的に接続する工程)
図4を参照して、耐圧ボックス58の内部を高圧雰囲気とし、半田バンプ35を加熱して溶融させ、半導体素子11の電極12と基板21の接続パッド22とを電気的に接続する。この半田バンプ35の加熱は、半導体素子11や基板21の熱膨張を抑制するために、熱膨張率の小さい半導体素子11の側から加熱を行うためボンディングヘッド56に内蔵したヒータにより行うことが好ましい。このときの加熱温度は、本実施の形態では200℃程度である。
【0043】
このとき、加熱方法、加熱温度によっては、半田バンプ35を加熱する熱が伝わりアンダーフィル樹脂36も加熱され、部分的に高温になることがある。その場合でも、耐圧ボックス58の内部が高圧に保たれているので、アンダーフィル樹脂36の発泡を抑制することができる。これにより新たなボイドの発生を抑制することができる。
【0044】
(アンダーフィル樹脂を硬化させる工程)
耐圧ボックス58の内部の高圧雰囲気を維持しながら、アンダーフィル樹脂36を加熱しアンダーフィル樹脂36を硬化させる。この加熱もボンディングヘッド56に内蔵したヒータにより行ない、加熱温度は200℃程度である。この加熱によりアンダーフィル樹脂36が高温になっても、耐圧ボックス58の内部が高圧雰囲気に保たれているので、アンダーフィル樹脂36の発泡を抑制することができ、新たなボイドの発生を抑制することができる。
【0045】
なお、電極12と接続パッド22とを電気的に接続する工程と、アンダーフィル樹脂36を硬化させる工程とは、同一圧力の高圧雰囲気中で行なってもよいし、それぞれの工程の特性に応じて圧力を変更するようにしてもよい。
【0046】
上記実施の形態においては、電極12と接続パッド22とを電気的に接続する工程とアンダーフィル樹脂36を硬化させる工程において、いずれも加熱する工程を含んでいる。ここで、電極12と接続パッド22とを機械的に圧着したり、加熱しなくても硬化するアンダーフィル樹脂36を用いたりすることで、これらの工程において加熱する工程を含まないようにしてもよい。その場合にも、これらの工程において、アンダーフィル樹脂36に新たなボイドが発生することを防止することができる。
【0047】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【0048】
【発明の効果】
本発明によると、アンダーフィル樹脂と半導体素子との間に気泡が混入することにより発生するボイドの影響を低減することができると共に、アンダーフィル樹脂の発泡に起因するボイドの発生も抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に基づいた本実施の形態における、半導体素子および基板を半導体製造装置に装着する工程を示す概略断面図である。
【図2】この発明に基づいた本実施の形態における、半導体素子をアンダーフィル樹脂に密着させる工程を示す概略断面図である。
【図3】この発明に基づいた本実施の形態における、耐圧ボックスの内部を高圧雰囲気にする工程を示す概略断面図である。
【図4】この発明に基づいた本実施の形態における、電極と接続パッドとを電気的に接続し、アンダーフィル樹脂を硬化させる工程を示す概略断面図である。
【図5】この発明に基づいた本実施の形態における、半導体装置の製造を完了した状態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
11 半導体素子、12 電極、21 基板、22 接続パッド、31 半導体装置、35 半田バンプ、36 アンダーフィル樹脂、37 ボイド、50 半導体製造装置、51 ステージ、52 ポンプ(加圧装置)、56 ボンディングヘッド、58 耐圧ボックス。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor manufacturing apparatus in which a semiconductor element is flip-chip mounted on a substrate.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, flip-chip mounting has been performed in which electrodes formed on a lower surface of a semiconductor element and connection pads formed on an upper surface of a substrate are joined via solder bumps or the like. When this flip-chip mounting is performed, a resin may be filled in a gap between a semiconductor element and a substrate on which the semiconductor element is mounted, and the two may be bonded to each other. This is to reduce the thermal stress generated between the electrode and the connection pad due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the semiconductor element and the substrate by bonding and integrating the semiconductor element and the substrate. As a result, poor contact between the electrode and the connection pad can be suppressed. Therefore, the bonding between the semiconductor element and the substrate must be performed firmly and reliably.
[0003]
As a method of filling the resin between the semiconductor element and the substrate, there is a method of flip-chip mounting the semiconductor element on the substrate and then injecting a liquid resin into a gap between the lower surface of the semiconductor element and the upper surface of the substrate. . This method has the following problems.
[0004]
The flux applied to the surface of the solder bump may enter the gap when the solder bump is melted. If the flux remains in the gap, the flux may hinder the injection of the resin, and may cause voids. In this case, the adhesion is incomplete, and the yield is reduced.
[0005]
Therefore, a flip-chip mounting method has been developed in which an underfill resin is supplied to the surface of the substrate in advance, and the substrate is brought into close contact with the underfill resin, and then the electrodes are connected to the connection pads by solder bumps. According to this method, there is no influence of the flux applied to the solder bump.
[0006]
However, the flip chip mounting method using the underfill resin also has the following problems. There are some irregularities on the surface of the underfill resin. When a substrate having a smooth lower surface is brought into contact with such an underfill resin, air remains in the concave portion, and air bubbles may remain at the interface between the lower surface of the semiconductor element and the surface of the underfill resin, which may be a void. is there. In this case, there is a problem that the semiconductor element and the substrate are not securely bonded by the void.
[0007]
As a flip-chip mounting method for solving this problem, there is a flip-chip mounting method described in Patent Document 1. In the flip-chip mounting method described in Patent Document 1, a semiconductor element is brought into close contact with the surface of an underfill resin in a reduced-pressure atmosphere. Further, in this reduced-pressure atmosphere, the two are connected by heating solder bumps provided on the electrodes of the semiconductor element and the connection pads of the substrate.
[0008]
Subsequently, before the underfill resin is cured, the pressure of the atmosphere is released to atmospheric pressure. At this time, voids generated at the interface between the underfill resin and the substrate shrink as the pressure of the atmosphere increases. By curing the underfill resin while maintaining the atmosphere at atmospheric pressure, the voids are cured in a contracted state, so that the effects of the voids can be reduced.
[0009]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-163048
[Problems to be solved by the invention]
According to the flip-chip mounting method described in Patent Literature 1, the void generated at the interface between the underfill resin and the substrate can be reduced as described above. However, this flip chip mounting method also has the following problems.
[0011]
The heating for melting the solder bumps and the heating for curing the underfill resin may heat the underfill resin and foam the underfill resin. When the underfill resin cures in this state, bubbles due to foaming remain in the underfill resin, which form voids, which lower the adhesive strength between the semiconductor element and the substrate. In the flip chip mounting method described in Patent Document 1, there is no effect of suppressing voids caused by foaming of the underfill resin.
[0012]
In the flip-chip mounting method described in Patent Document 1, an electrode of a semiconductor element is connected to a connection pad of a substrate in a reduced-pressure atmosphere. When a general solder pump is used for this connection, heating for melting the solder bumps is required. At this time, the underfill resin is also heated by the heat. However, in the flip-chip mounting method described in Patent Document 1, the underfill resin is more likely to be foamed due to the reduced pressure atmosphere, thereby generating voids. Is likely to be promoted.
[0013]
Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problem, and can reduce the influence of voids generated by the incorporation of bubbles between the underfill resin and the semiconductor element, and can reduce the effect of underfill. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus capable of suppressing generation of voids due to resin foaming.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
According to a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, in a method of manufacturing a semiconductor device by flip-chip mounting a semiconductor element having electrodes on a substrate having connection pads corresponding to the electrodes, A step of supplying an underfill resin to an opposing portion; a step of bringing a semiconductor element into close contact with the surface of the underfill resin; a step of electrically connecting an electrode of the semiconductor element to a connection pad of a substrate; Curing the underfill resin in a high-pressure atmosphere higher than the atmosphere and higher than the atmospheric pressure in the step of bringing the semiconductor element into close contact with the surface.
[0015]
According to a semiconductor manufacturing apparatus based on the present invention, a semiconductor manufacturing apparatus for flip-chip mounting a semiconductor element on a substrate, wherein the stage holding the substrate and the main surface of the semiconductor element are held parallel to the stage Meanwhile, the semiconductor device includes a bonding head movable toward the substrate held on the stage, a pressure-resistant box surrounding the semiconductor element and the substrate, and a pressure device for increasing the atmosphere in the pressure-resistant box to a pressure higher than the atmospheric pressure.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. 1 to 5 are schematic cross-sectional views showing each step of the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.
[0017]
(Semiconductor device)
The
[0018]
As shown in FIG. 1, a plurality of
[0019]
An
[0020]
In this embodiment, the
[0021]
The
[0022]
(Semiconductor manufacturing equipment)
The structure of the
[0023]
The
[0024]
The
[0025]
The withstand
[0026]
A
[0027]
(Method of Manufacturing Semiconductor Device)
A method for manufacturing a semiconductor device will be described with reference to FIGS.
[0028]
Referring to FIG. 1, in a state where the atmosphere inside pressure-
[0029]
At the same time, the
[0030]
At this time, when the atmosphere inside the pressure-
[0031]
Referring to FIG. 2, while maintaining the atmosphere inside pressure-
[0032]
Here, the surface of the
[0033]
Referring to FIG. 3, pump 52 is operated to send air or an inert gas into pressure-
[0034]
Referring to FIG. 4,
[0035]
Even if the temperature of the
[0036]
In the step of electrically connecting the
[0037]
The high-pressure atmosphere inside the pressure-resistant box is more preferably 1 MPa or more. When the pressure is 1 MPa or more, the void 37 can be further contracted, and the void 37 can be reduced to a level at which the adverse effect can be almost completely eliminated. Further, the effect of suppressing the foaming of the
[0038]
On the other hand, in order to shrink the void 37, the pressure of the high-pressure atmosphere is preferably as high as possible. However, considering the manufacturing cost of the pressure-
[0039]
In the present embodiment, the step of bringing the
[0040]
Referring to FIG. 5, after the
[0041]
In the present embodiment, as described above, the step of electrically connecting the
[0042]
(Step of electrically connecting
Referring to FIG. 4, the inside of pressure-
[0043]
At this time, depending on the heating method and the heating temperature, the heat for heating the solder bumps 35 is transmitted, and the
[0044]
(Step of curing underfill resin)
While maintaining the high-pressure atmosphere inside the pressure-
[0045]
The step of electrically connecting the
[0046]
In the above embodiment, both the step of electrically connecting the
[0047]
It should be noted that the above-described embodiment disclosed herein is merely an example in all respects, and is not a basis for restrictive interpretation. Therefore, the technical scope of the present invention is not defined only by the above-described embodiments, but is defined based on the description of the claims. In addition, all changes within the meaning and scope equivalent to the claims are included.
[0048]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while being able to reduce the influence of the void generate | occur | produced by a bubble mixing between an underfill resin and a semiconductor element, it also suppresses generation | occurrence | production of the void resulting from foaming of an underfill resin. it can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a step of mounting a semiconductor element and a substrate in a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a step of bringing a semiconductor element into close contact with an underfill resin in the present embodiment based on the present invention.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a step of setting the inside of a pressure-resistant box to a high-pressure atmosphere in the present embodiment based on the present invention.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a step of electrically connecting an electrode and a connection pad and curing an underfill resin in the present embodiment based on the present invention.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state where the manufacture of the semiconductor device is completed in the present embodiment based on the present invention;
[Explanation of symbols]
Claims (6)
前記基板の、前記半導体素子に対向する部分にアンダーフィル樹脂を供給する工程と、
前記アンダーフィル樹脂の表面に前記半導体素子を密着させる工程と、
前記半導体素子の電極と、前記基板の接続パッドとを電気的に接続する工程と、
前記アンダーフィル樹脂の表面に半導体素子を密着させる工程における雰囲気より高圧、かつ、大気圧より高圧の高圧雰囲気中において、前記アンダーフィル樹脂を硬化させる工程と、を備えた、半導体装置の製造方法。A method for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor element having electrodes is flip-chip mounted on a substrate having connection pads corresponding to the electrodes,
A step of supplying an underfill resin to a portion of the substrate facing the semiconductor element,
Contacting the semiconductor element on the surface of the underfill resin,
The step of electrically connecting the electrode of the semiconductor element and the connection pad of the substrate,
Curing the underfill resin in a high-pressure atmosphere higher than the atmosphere and higher than the atmospheric pressure in the step of bringing the semiconductor element into close contact with the surface of the underfill resin.
前記加熱する工程は、大気圧より高圧の高圧雰囲気中において行なう、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。The step of electrically connecting the electrode of the semiconductor element and the connection pad of the substrate includes a step of heating a bump provided on one or both of the electrode and the connection pad,
2. The method according to claim 1, wherein the heating is performed in a high-pressure atmosphere higher than the atmospheric pressure.
前記基板を保持するステージと、
前記ステージに対して前記半導体素子の主表面を平行に保持しながら、前記ステージに保持した基板に向かって移動可能なボンディングヘッドと、
前記半導体素子および前記基板を包囲する耐圧ボックスと、
前記耐圧ボックス内の雰囲気を大気圧より高圧にする加圧装置と、を備えた、半導体製造装置。A semiconductor manufacturing apparatus for flip-chip mounting a semiconductor element on a substrate,
A stage for holding the substrate,
A bonding head movable toward the substrate held on the stage while holding the main surface of the semiconductor element parallel to the stage;
A pressure-resistant box surrounding the semiconductor element and the substrate;
A pressurizing device for setting an atmosphere in the pressure-resistant box to a pressure higher than the atmospheric pressure.
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