JP2004301548A - 電気特性評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被測定物Aの電気特性を測定する電気特性評価装置1であって、被測定物Aの測定領域に磁場を発生させる磁場発生機構10と、測定領域近傍で磁場を測定する磁気センサ11と、導電性の探針21aを有して該探針21aが測定領域に接触可能に支持された接触子21と、探針21aに電圧を印加する電圧源26と、互いに接触状態とされた探針21aと被測定物Aとの間における電流又は電気抵抗を測定する電気特性計測部40とを備えた電気特性評価装置1を採用した。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子等の試料を微小領域にて測定し、その電気的特性を評価する電気特性評価装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
周知のように、電子材料等の試料の電気抵抗、電気伝導度及び電流電圧特性等の電気特性を評価するために、試料に流れる電流を計測して電気特性を評価する方法が一般的に知られている。例えば、バルク状の電子材料の電気特性を測定する装置としては、電極プローブを有した電気伝導度測定装置や拡がり抵抗測定装置等の電気特性評価装置が知られている。
また、分子レベルの微小領域において、電子材料等の試料の電気抵抗等の電気特性を測定する装置としては、走査型トンネル顕微鏡が知られている。この走査型トンネル顕微鏡は、先端径が数十nmの曲率半径で且つ導電性を有する金属探針を、試料に対して数nmの距離まで近づけて、試料との間でトンネル電流を流す。そして、このトンネル電流を一定に保つように、金属探針と試料との距離を制御した状態で、試料上を走査することによって試料表面の形状を画像化することが可能である。
【0003】
更に、超伝導磁石を用いた強磁場中に真空容器を設置して、物質表面構造の分析を行う磁場中走査型マルチプローブ顕微鏡が知られている(特許文献1参照)。この磁場中走査型マルチプローブ顕微鏡では、強磁場中における磁性材料の磁気ドメインの変化や磁場誘起相転移過程の観察等、強磁場を印加した状態での磁性体材料や半導体材料の表面構造の観察が可能とされている。
【0004】
また、近年様々な種類の記憶素子や電子デバイス等が開発され、これらに使用される材料の物性や機能及び特性、更には素子単体の性能等の電気的特性評価が重要視されている。特に、次世代の記憶素子として期待されているトンネル磁気抵抗効果素子を用いたMRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)や、巨大磁気抵抗効果素子を用いたRRAM(Resistance RAM)等、磁気を利用してデータを記憶するメモリの特性評価が求められている。この種の素子は、セル面積が0.1μm2以下と微小であり、今後さらに微細化が進展するため局所的な電気特性を評価する技術に対する要求が高まっている。
このような磁気抵抗効果素子等の電気特性を評価する場合は、磁性体層の磁界の向きを制御する必要があり、外部の永久磁石や電磁石等を使用して磁界の向きや大きさを変化させた後に、材料評価装置等に載せ替えて試料の電気的特性を測定する方法が一般的とされている。
【0005】
【特許文献1】
特開2001−50885号公報(段落番号0002−0011、第1図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の電極プローブを有した電気伝導度測定装置や拡がり抵抗測定装置等の電気特性評価装置では、電極プローブの先端曲率半径が、数百μm以上と大きいため、試料のマクロ的な評価は可能であったが、数μm以下の微小領域における電気特性の評価をすることは困難であった。
また、上記従来の走査型トンネル顕微鏡では、トンネル電流を測定して試料の詳細な表面情報は得ることができるものの、金属探針と試料との間にギャップが存在するため、試料に直接接触することができず、試料のみのトンネル電流を定量的に計測することは困難であった。
更に、上記従来の磁気抵抗効果素子等の電気特性評価を行う材料評価装置等では、外部の永久磁石や電磁石等により試料の磁界の向きや大きさを変化させた後、電気特性を測定するので、試料の微小領域の磁界を変化させながら電気特性を測定することは困難であった。
【0007】
また、特許文献1記載の磁場中走査型マルチプローブ顕微鏡では、超伝導磁石を用いた強磁場中に試料を置くため、例えば、数百ガウス程度の弱磁場中において、磁性体層の磁界の向きが変化するようなトンネル磁気抵抗効果素子等の磁気抵抗素子や電子材料の電気的特性を評価するには不都合があった。
また、真空容器内部へ試料を設置する必要があるため、一度試料を設置した後、試料の移動、操作を行うのは困難であった。更に、真空容器を使用する場合には試料の大きさに制限があるため、ウェハレベルでの電子材料の測定や評価には適さないという不都合があった。
【0008】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、試料を磁場空間中に置き、磁界の大きさやその変化量を制御しながら試料の微小領域における電流等を測定することが可能な電気特性評価装置を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、この発明は以下の手段を提供している。
本発明の電気特性評価装置は、被測定物の電気特性を測定する電気特性評価装置であって、前記被測定物の測定領域に磁場を発生させる磁場発生機構と、前記測定領域近傍で磁場を測定する磁気センサと、導電性の探針を有して該探針が前記測定領域に接触可能に支持された接触子と、前記探針に電圧を印加する電圧源と、互いに接触状態とされた前記探針と前記被測定物との間における電流又は電気抵抗を測定する電気特性計測部とを備えていることを特徴とするものである。
【0010】
この発明に係る電気特性評価装置においては、磁場発生機構を備えているので、被測定物に対して磁場を作用させることが可能になり、被測定物の測定領域において探針を接触させ、探針に電圧を印加することで、電気特性計測部により被測定物に流れる電流又は電気抵抗が任意の磁場中で測定可能になる。これにより、任意の磁場中で探針と接触している微小な測定領域の、例えば、電流分布、導電性分布、電気抵抗分布等の電気特性を得ることができる。従って、上述した被測定物の電気特性が、外部磁場によりどのように変化するか等の外部磁場の影響具合を観察することができる。特に、従来電気特性評価が困難であった、磁気抵抗効果素子等の試料について、容易に且つ確実に電気特性評価を行うことができる。
更に、磁気センサにより発生した磁場の大きさ等を正確に測定できるので、例えば、この測定値に基づいて磁場発生機構をフィードバック制御することにより、所望する磁場を高精度に被測定物に与えることも可能である。
【0011】
本発明の電気特性評価装置は、上記本発明の電気特性評価装置において、前記磁場発生機構が、互いに対向配置された一対の磁極部材を有する磁場コイルを備え、前記磁気センサ及び前記接触子が、前記一対の磁極部材間の中央位置に配されていることを特徴とするものである。
【0012】
この発明に係る電気特性評価装置においては、一対の磁場コイルが、互いに対向配置され、この一対の磁場コイルに挟まれた中央位置において、磁気センサ及び接触子が配されているので、一対の磁場コイルによって発生された磁場の大きさの勾配分布が測定領域で最小となり所望の磁場を高精度に得やすい。なお、一対の磁場コイルが被測定物に対して発生する磁場は、磁場コイルに流す電流のみで制御することができるので、容易に磁場発生機構を構成することができる。
【0013】
本発明の電気特性評価装置は、上記本発明の電気特性評価装置において、前記一対の磁極部材が、棒状又は板状に形成されていると共に互いに先端を前記測定領域に向け前記測定領域表面に対して斜めに配されていることを特徴とするものである。
この発明に係る電気特性評価装置においては、一対の磁極部材が、先端を前記測定領域に向け前記測定領域表面に対して斜めに配されているので、被測定物の大きさに制限されることなく、磁場を被測定物に対して発生させることが可能になる。即ち、各磁極部材の先端を試料の測定領域に対して可能な限り近づけて、局所的に磁場を発生させることができる。また、測定領域に磁場発生部材を近接可能であるので、低い電流量で効果的に磁場を発生させることができる。
【0014】
本発明の電気特性評価装置は、上記本発明のいずれかに記載の電気特性評価装置において、前記探針を前記被測定物に接触させた状態で前記接触子と被測定物とを相対的に移動させて走査可能な移動機構を備えていることを特徴とするものである。
この発明に係る電気特性評価装置においては、移動機構を備えているので、被測定物に探針を接触させて、被測定物の電流又は電気抵抗等を計測しながら被測定物の走査が可能である。これにより、被測定物の電流像等を測定することができ、被測定物の電気特性分布を得ることができる。
【0015】
本発明の電気評価特性装置は、上記本発明の電気特性評価装置において、前記接触子がカンチレバーとされ、前記探針が前記被測定物に接触した際のカンチレバーの撓み量を測定する撓み測定機構と、該撓み測定機構で得られた撓み量を一定にするよう前記移動機構を制御する制御部とを備えていることを特徴とするものである。
この発明に係る電気特性評価装置においては、カンチレバーで被測定物上を走査する際、測定機構によりカンチレバーの撓み量を測定可能であるので、被測定物の表面形状に対するカンチレバーの上下変位量が測定可能である。この上下変位量を測定することにより、変位量を一定にするようカンチレバーを上下させ、又は直接変位量に基づいて被測定物の表面形状を容易に観察することができる。これにより、被測定物上を円滑に走査できると共に、同一場所をバイアス電圧を印加させながら走査でき、走査領域において被測定物の電気特性分布を評価することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る一実施形態について、図1から図4を参照して説明する。図1に示す電気特性評価装置1は、磁場を印加した際の試料(被測定物)Aの電気特性を測定するものであってプローブ顕微鏡測定部2を備え、プローブ顕微鏡測定部2には、試料Aの測定領域に磁場を発生させる磁場コイル(磁場発生機構)10と、該測定領域近傍で磁場を測定する磁気センサ11と、導電性の探針21aを有して探針21aが測定領域に接触可能に支持されたカンチレバー(接触子)21とを備えている。この探針21aは、シリコン、窒化シリコン等の材質から形成され、金や白金やダイヤモンドライクカーボン等の導電性材料がコーティングされている。また、探針21aは、カーボンナノチューブやダイヤモンド単結晶などの硬質導電材を使用してもよい。
また、電気特性評価装置1は、探針21aに電圧を印加するバイアス電圧源(電圧源)26と、互いに接触状態とされた探針21aと試料Aとの間における電流又は電気抵抗を測定する電気特性計測部40とを備えている。
【0017】
上記プローブ顕微鏡測定部2は、試料Aを固定する試料台20、カンチレバー21を試料Aに対して相対的に移動させる3次元スキャナ(移動機構)22、カンチレバー21に向けてレーザ光を照射するレーザ光源23及びカンチレバー21で反射したレーザ光を検出する光位置検出器24を有している。
試料台20は、試料Aを上面に固定可能とされており、XY方向に移動可能なステージであって、試料Aの測定領域を一対の磁極部材10aの中央位置に移動するように設定されている。この試料Aは、電流増幅器25にバイアス電圧を印加するためのバイアス電圧源26を介して電気的に接続されている。また、カンチレバー21は、梃子状に形成されており、例えばシリコン、窒化シリコン等の材質から形成され、その上に金、白金やダイヤモンドライクカーボン等のカーボン系の導電性材料がコーティングされている。また、カンチレバー21は、3次元スキャナ22と連結されており、3次元スキャナ22により試料Aに対して上下方向及び前後左右方向に向けて相対的に微細移動可能とされている。即ち、試料台20により、試料Aの測定領域にカンチレバー21が移動された後、3次元スキャナ22により高精度にカンチレバー21の位置が制御される。更に、カンチレバー21の一端は、電流増幅器25に電気的に接続されている。
【0018】
電流増幅器25は、上述したようにカンチレバー21及び試料Aに電気的に接続されているので、カンチレバー21の探針21aが、試料Aに接触した際に、これらの間に回路Bが形成される。即ち、探針21aがスイッチ的な機能を有している。また、電流増幅器25は、バイアス電圧源26により試料Aと探針21aとの間にバイアス電圧を印加した際、試料Aに発生した電流を増幅してシステムコントローラ30に送る機能を有している。また、システムコントローラ30には、この電流値を表示する表示部30aが接続されている。即ち、これらカンチレバー21、電流増幅器25、バイアス電圧源26、システムコントローラ30、表示部30a及び回路Bは、探針21aと試料Aとの間における電流又は電気抵抗を測定する電気特性計測部40を構成している。
【0019】
レーザ光源23及び光位置検出器24は、3次元スキャナ22と共に移動するよう配設され、且つレーザ光源23は、カンチレバー21の探針21aの背面にレーザ光を照射できるようカンチレバー21の上方に配設されている。また、光位置検出器24は、カンチレバー21の背面で反射されたレーザ光を反射光として検出する機能を有している。この光位置検出器24によって検出された検出値は、Zサーボ制御部(制御部)31に入力される。Zサーボ制御部31は、入力された検出値に基づいて3次元スキャナ22を駆動し、カンチレバー21をZ方向、即ち、試料Aからの高さを制御する機能を有している。これにより、カンチレバー21の撓み量が常に一定となるように制御される。即ち、レーザ光源23及び光位置検出器24は、カンチレバー21の探針21aが、試料Aに接触した際のカンチレバー21の撓み量を測定する撓み測定機構41を構成している。
また、3次元スキャナ22には、XY走査制御部32が接続されており、3次元スキャナ22を駆動し、カンチレバー21をXY方向、即ち、試料Aに対して前後及び左右方向に向けて移動制御している。また、これらZサーボ制御部31及びXY走査制御部32は、システムコントローラ30に電気的に接続されており、システムコントローラ30によって、総合的に制御されている。
【0020】
ここで、図2に示すように試料Aの近傍には、板状に形成された磁極部材10aにコイル10bが巻回された一対の磁場コイル10が、互いに対向配置されると共に、磁極部材10aの先端を試料Aの測定領域に向け、試料Aの表面に対して斜めに配設されている。また、この一対の磁極部材10aの中央位置には、カンチレバー21及びホール素子等の磁束密度を測定する磁気センサ11が配設されている。
【0021】
また、図1に示すように、一対の磁場コイル10は、磁場用コイル電源15及び磁場コントローラ16に電気的に接続されており、磁気センサ11は、磁場コントローラ16に電気的接続されている。この磁気センサ11は、磁場コイル10が発生した磁場を測定して磁場コントローラ16に入力する機能を有している。磁場コントローラ16は、この入力信号に基づいて磁場用コイル電源15に制御信号を送る機能を有し、磁場用コイル電源15は、送られてきた制御信号に基づいて両磁場コイル10に電流を流す機能を有している。即ち、これら磁気センサ11、磁場用コイル電源15及び磁場コントローラ16は、磁場コイル10が発生する磁場を所定の大きさの磁場となるように制御している。
更に、磁場コントローラ16は、システムコントローラ30に接続されており、システムコントローラ30で予め設定されたプログラミングに基づき、試料Aに対して所定の磁場の大きさ、極性、可変量等を与えるよう制御される。
【0022】
ここで、図3、図4に示すように試料Aは、磁気抵抗効果素子であり、強磁性体の自由層50、固定層51及び自由層50と固定層51との間に絶縁体である非磁性層52を配した3層構造で形成されている。自由層50は、例えば数百ガウス程度の外部磁界の向きに応じて、内部磁界の向きが変化する強磁性体材料で形成されている。これに対して固定層51は、数百ガウス程度の弱磁界では、内部磁界の向きが影響されない強磁性体材料で形成されている。なお、測定前の状態では、自由層50の内部磁界の向きは、固定層51の内部磁界の向きと同一方向とされている。
【0023】
このように構成された電気特性評価装置1は、試料台20上に試料Aを搭置して固定した後、システムコントローラ30によりZサーボ制御部31及びXY走査制御部32を制御して、試料A上の測定領域にカンチレバー21を移動させて、カンチレバー21先端の探針21aを試料Aに接触させる。次いで、システムコントローラ30により磁場コントローラ16を制御して、磁場用コイル電源15から磁場コイル10のコイル10bに所定の電流を流し、試料Aの測定領域に所定の大きさの磁場を発生させる。この際、試料Aに加える外部磁界の向きは、図3に示すように試料Aの自由層50の内部磁界と同一方向とされている。
【0024】
次いで、バイアス電圧源26により探針21aと試料Aとの間にバイアス電圧を印加させる。バイアス電圧が印加されると、試料Aの測定領域に加えられた磁場に応じて電流が流れる。電流増幅器25は、この電流を検出すると共に増幅してシステムコントローラ30に検出値として送る。システムコントローラ30は、この電流値を表示部30aに表示させる。
【0025】
次いで、カンチレバー21を同位置に保持したまま、図4に示すように両磁場コイル10から試料Aに、固定層51の内部磁界の向きと反対方向に外部磁界を加える。これにより、自由層50の内部磁界は、外部磁界と同一方向に変化する。即ち、自由層50と固定層51との内部磁界の向きが、逆向きになるように磁場を発生させる。この状態になった際、システムコントローラ30により試料Aの測定領域に流れる電流値を計測する。
ここで、自由層50と固定層51との内部磁界の向きが同一方向である場合、バイアス電圧により発生した電流は、試料Aの抵抗値が小さい状態となるので、流れやすくなり大きい電流値が計測される。一方、自由層50と固定層51との内部磁界の向きが逆方向である場合、バイアス電圧により発生した電流は、試料Aの抵抗値が大きい状態となるので、流れにくくなり小さい電流値が計測される。
【0026】
このように、両磁場コイル10が発生する磁界の向きに応じて試料Aに流れる電流値に違いが生じる。この各々の電流値をシステムコントローラ30で計測すると共に電流値の差を解析することにより、試料Aの測定領域、即ち探針21aが接触している微小領域における電流像、導電性分布、電流特性及び磁気抵抗像等の各種データを得ることができ、試料Aの電気的特性を評価することができる。
【0027】
また、両磁場コイル10が発生する磁場の大きさや方向は、システムコントローラ30に予め設定されているプログラムによって制御されているので、容易に磁場の大きさや方向を変化させながら、試料Aに流れる電流値を計測することが可能である。これにより、外部磁場の大きさに対する試料Aの電流値の関係等の各種電気特性値及び電気特性分布等の関係も容易に得ることができる。
【0028】
また、カンチレバー21を走査させると同時に、両磁場コイル10にて試料Aに磁界を与えることによって、走査範囲において容易に電流像、導電性分布、電流特性及び磁気抵抗像等の各種データを得ることができる。更に、試料Aを走査する際、レーザ光源23及び光位置検出器24により、試料Aの表面形状に応じた変位量を測定できるので、これにより試料Aの表面形状も容易に得ることができる。
即ち、上述したように試料Aの電流値を計測している状態で、システムコントローラ30によりXY走査制御部32を制御して3次元スキャナ22を駆動させる。これにより、カンチレバー21の先端の探針21aが試料Aに接触しながら移動する。即ち、カンチレバー21は、試料Aを走査しながら移動する。この際、カンチレバー21は、試料Aの表面形状に応じて上下に変位する。このカンチレバー21の上下変位は、カンチレバー21の背面にレーザ光源23によって照射されたレーザ光の反射角度の変位となる。この反射光の変位量は、光位置検出器24で検出されてZサーボ制御部31に送られる。Zサーボ制御部31は、この検出値に基づいて3次元スキャナ22の高さ方向を制御するよう3次元スキャナ22に制御信号を送るので、カンチレバー21は、試料Aからの高さが一定となるように走査されることとなる。
【0029】
なお、試料Aの非磁性層52を測定したい場合、自由層50を取り除き非磁性層52を表面に露出させ、カンチレバー21を非磁性層52に接触させた状態で、上述したように試料Aの電流値を計測しながらカンチレバー21を移動させる。この走査によって、例えば、試料Aの非磁性層52に絶縁不良個所が生じていた場合、その部分より電流がリークするので、試料Aの漏れ電流像や絶縁特性分布等を容易に得ることができる。
【0030】
この電気特性評価装置1においては、試料Aの近傍に一対の磁場コイル10が配設され、且つ試料Aに与える磁場の大きさ、磁場の向き等を磁気センサ11、磁場用コイル電源15、磁場コントローラ16及びシステムコントローラ30により所望の磁場を変化させながら、試料Aの微小領域における電流値を測定することができる。従って、任意の磁場中で試料Aの微小領域における、例えば、電流分布、導電性分布、電気抵抗分布、磁気抵抗分布等を計測でき、容易に試料Aの電気的特性を評価することができる。これにより、従来測定することが困難であった磁気抵抗効果素子等の試料ついても、容易且つ確実にその電気特性を評価することができる。また、カンチレバー21を試料A上で走査させることにより、容易に試料Aの電流分布や絶縁特性分布、表面形状等を計測することができる。
【0031】
また、一対の磁場コイル10が、互いに対向配置され、この一対の磁場コイル10に挟まれた中央位置において、磁気センサ11及びカンチレバー21が配されているので、一対の磁場コイル10によって発生された磁場の大きさの勾配分布が試料Aの測定領域で最小となり、所望の磁場を高精度に得やすい。
更に、一対の磁場コイル10の磁極部材10aが、先端を試料Aの測定領域に向け測定領域表面に対して斜めに配されているので、試料Aの測定領域に対して可能な限り近づけて、局所的に磁場を発生させることができる。また、低い電流量で効果的に磁場を発生させることができる。
【0032】
なお、本発明の技術範囲は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変更を加えることが可能である。
本実施形態では、試料Aを走査する際に、カンチレバー21を微小移動させたが、これに限られず、カンチレバー21と試料Aとが相対的に移動可能に構成されていれば良い。例えば、3次元スキャナ22により試料台20を微小移動させても良い。
また、カンチレバー21の撓み量の測定機構として、レーザ光源23、光位置検出器24からなる光てこ方式の撓み測定機構41を採用したが、これに限られずカンチレバー21の撓み量を測定できる構成であれば良い。例えば、カンチレバーを自己検知型カンチレバーとして、撓み量をカンチレバー自身が検出する構成にしても良い。
更に、電流増幅器25を一つ接続した構成としたが、複数接続した構成にしても構わない。この場合、例えば、電流測定幅の異なるものを接続することにより、試料の微小領域における電流値を広領域で測定することが可能となり、同時に電流増幅器が自動的に切り替わることにより、確実に電気特性を得ることができる。
【0033】
【発明の効果】
この発明に係る電気特性評価装置においては、磁場発生機構を備えているので、被測定物に対して磁場を作用させることが可能になり、電気特性計測部により被測定物に流れる電流又は電気抵抗が任意の磁場中で測定可能になる。これにより、任意の磁場中で探針と接触している微小な測定領域の、例えば、電流分布、導電性分布、電気抵抗分布等の電気特性を得ることができる。従って、上述した被測定物の電気特性が、外部磁場によりどのように変化するか等の外部磁場の影響具合を観察することができる。特に、従来電気特性評価が困難であった、磁気抵抗効果素子等の試料について、容易に且つ確実に電気特性評価を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る電気特性評価装置を示す構成図である。
【図2】図1に示す電気特性評価装置の磁場発生コイル、カンチレバー、磁気センサの配置状態を示す要部の拡大図であって、(a)は側面図、(b)は上面図である。
【図3】磁場発生コイルの発生する外部磁界の向きと、試料の内部磁界の向きとの関係を示す図であって、試料の自由層及び固定層の内部磁界の向きが同一方向の場合を示す図である。
【図4】磁場発生コイルの発生する外部磁界の向きと、試料の内部磁界の向きとの関係を示す図であって、試料の自由層及び固定層の内部磁界の向きが逆方向の場合を示す図である。
【符号の説明】
A 試料(被測定物)
1 電気特性評価装置
10 磁場コイル(磁場発生機構)
10a 磁極部材
11 磁気センサ
21 カンチレバー(接触子)
21a 探針
22 3次元スキャナ(移動機構)
26 バイアス電圧源(電圧源)
31 Zサーボ制御部(制御部)
40 電気特性計測部
41 撓み測定機構
Claims (5)
- 被測定物の電気特性を測定する電気特性評価装置であって、
前記被測定物の測定領域に磁場を発生させる磁場発生機構と、
前記測定領域近傍で磁場を測定する磁気センサと、
導電性の探針を有して該探針が前記測定領域に接触可能に支持された接触子と、
前記探針に電圧を印加する電圧源と、
互いに接触状態とされた前記探針と前記被測定物との間における電流又は電気抵抗を測定する電気特性計測部とを備えていることを特徴とする電気特性評価装置。 - 請求項1に記載の電気特性評価装置において、
前記磁場発生機構が、互いに対向配置された一対の磁極部材を有する磁場コイルを備え、
前記磁気センサ及び前記接触子が、前記一対の磁極部材間の中央位置に配されていることを特徴とする電気特性評価装置。 - 請求項2に記載の電気特性評価装置において、
前記一対の磁極部材が、棒状又は板状に形成されていると共に互いに先端を前記測定領域に向け前記測定領域表面に対して斜めに配されていることを特徴とする電気特性評価装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の電気特性評価装置において、
前記探針を前記被測定物に接触させた状態で前記接触子と被測定物とを相対的に移動させて走査可能な移動機構を備えていることを特徴とする電気特性評価装置。 - 請求項4に記載の電気特性評価装置において、
前記接触子がカンチレバーとされ、
前記探針が前記被測定物に接触した際のカンチレバーの撓み量を測定する撓み測定機構と、
該撓み測定機構で得られた撓み量を一定にするよう前記移動機構を制御する制御部とを備えていることを特徴とする電気特性評価装置。
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