JP2004299118A - 記録ヘッド用基板、それを備える液体吐出記録ヘッドおよび記録装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】保護層の欠陥の原因となる発熱抵抗層に対向する保護層の凹部（段差）をなくすことができること。
【解決手段】個別導体層Ｈ１１２４Ｂおよび共通導体層Ｈ１１２４Ａに電極部Ｈ１１３２ＡおよびＨ１１３２Ｂを介して電気的に接続される発熱抵抗層Ｈ１１３４が、個別導体層Ｈ１１２４Ｂおよび共通導体層Ｈ１１２４Ａの真上に位置し、かつ、電極部Ｈ１１３２ＡおよびＨ１１３２Ｂと絶縁層Ｈ１１２６との共通の平坦面ＦＳ上に形成され、また、保護層１１３０が発熱抵抗層Ｈ１１３４および保護層Ｈ１１２８を覆うもの。
【選択図】 図１
【解決手段】個別導体層Ｈ１１２４Ｂおよび共通導体層Ｈ１１２４Ａに電極部Ｈ１１３２ＡおよびＨ１１３２Ｂを介して電気的に接続される発熱抵抗層Ｈ１１３４が、個別導体層Ｈ１１２４Ｂおよび共通導体層Ｈ１１２４Ａの真上に位置し、かつ、電極部Ｈ１１３２ＡおよびＨ１１３２Ｂと絶縁層Ｈ１１２６との共通の平坦面ＦＳ上に形成され、また、保護層１１３０が発熱抵抗層Ｈ１１３４および保護層Ｈ１１２８を覆うもの。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発熱抵抗層を保護する保護層の厚さを薄くすることができる記録ヘッド用基板、それを備える液体吐出記録ヘッドおよび記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、特許文献１にも示されるように、加熱による膜沸騰現象によって記録媒体の記録面に対しインク滴を吐出し記録動作を行うインクジェット記録ヘッドは、広く実用に供されている。インクジェット記録ヘッドは、例えば、インクを加熱する発熱抵抗体層が基体上に形成される記録ヘッド用基板（以下、基板という）と、基板上に設けられ複数のインク吐出口、各インク吐出口に連通するインク流路、および、インク流路の一端が合流する共通インク室を形成するインク流路形成部材とを含んで構成されている。
【０００３】
その基板は、例えば、図２１に示されるように、基体２上に形成される絶縁層４上に積層される発熱抵抗層６と、発熱抵抗層６上に発熱部６ａを挟んで離隔して形成され供給される電力を発熱抵抗層６に導く電極層８Ａおよび８Ｂと、電極層８Ａおよび８Ｂ、発熱抵抗層６を被覆する保護層１０と、その保護層１０をさらに覆う保護層１２および１４とを含んで構成されている。
【０００４】
従って、保護層１０と、保護層１２および１４とは、インク流路形成部材により形成される各インク流路１６における底部を形成することとなる。各インク流路１６は、例えば、一方の端部側にインク吐出口が形成されている。
【０００５】
保護層１０、保護層１２および１４は、ピンホールなどの欠陥によりインクが直接的に発熱抵抗層６に接触することを回避するためにその膜厚が全体に亘って均一となるように形成されることが望まれる。
【０００６】
しかし、保護層１０、保護層１２および１４は、図２１に示されるように、電極層８Ａおよび８Ｂの下面であって相互間に形成される発熱抵抗層６の発熱部６ａを覆うように形成されるので保護層１２の表層が発熱部６ａに対応して凹部または段差（ステップ）を有することとなる。
【０００７】
そこで、熱ストレスに起因した保護層１２の亀裂を回避すべく保護層１２の凹部の周縁部についてもその膜厚が他の部分と同様に均一となるように保護層１２を形成するためには、保護層１２を十分厚く形成することが必要となる。
【０００８】
このように保護層１２を十分厚く形成する場合、省電力化、熱応答性、発熱抵抗層の耐久性の観点からは、得策とは言えないので保護層の膜厚をより薄くし、しかも、保護層１２の凹部の周縁部についても欠陥が生じない方法が提案されている。
【０００９】
例えば、特許文献２においては、保護膜のバイアススパッタ方法、特許文献３においては、保護膜における段差の形状を変更する方法、特許文献４においては、保護膜のリフロー方法、および、ＨＰジャーナルにおいて、電極の断面形状をテーパ状の電極の断面形状に変更する方法等が提案されている。
【００１０】
【特許文献１】
特開昭５２−１１８７９８号公報
【００１１】
【特許文献２】
特開昭６０−２３４８５０号公報
【００１２】
【特許文献３】
特開昭６２−４５２８３号公報
【００１３】
【特許文献４】
特開昭６２−４５２８６号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上述の保護膜のバイアススパッタ方法においては、安定した均一な膜圧形成が困難となる虞があり、保護膜における段差の形状を変更する方法、および、保護膜のリフロー方法においては、製造工程数が増大するという不都合が生じる。
【００１５】
また、電極の断面形状をテーパ状の電極の断面形状に変更する方法においては、テーパ形状の勾配が比較的大なる電極の部位によっては、保護層の膜厚が十分とはならず、一方、 テーパ形状の勾配が比較的小なる電極の部位によっては、電極に接続される配線の幅、および、断面積が小となり配線抵抗が比較的大となる虞がある。
【００１６】
以上の問題点を考慮し、本発明は、発熱抵抗層を保護する保護層の厚さを薄くすることができる記録ヘッド用基板、それを備える記録ヘッドおよび記録装置であって、保護層の欠陥の原因となる発熱抵抗層に対向する保護層の凹部（段差）をなくすことができる記録ヘッド用基板、それを備える液体吐出記録ヘッドおよび記録装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明に係る記録ヘッド用基板は、基体上に形成され駆動信号を供給する導体層と、導体層に一端が電気的に接続され絶縁層を介して基体上に設けられる電極部と、絶縁層と電極部との共通の平坦面上に導体層に対向して形成され電極部に電気的に接続される発熱抵抗体層と、発熱抵抗体層および絶縁層上に積層され発熱抵抗体層および絶縁層を覆う保護層とを備えて構成される。
【００１８】
また、本発明に係る液体吐出記録ヘッドは、上述の記録ヘッド用基板と、記録ヘッド用基板上に設けられ発熱抵抗体層に対応して記録用の液体を液体吐出口に導く液体流路を形成する液体流路形成部材とを備えて構成される。
【００１９】
さらに、本発明に係る記録装置は、上述の液体吐出記録ヘッドと、液体吐出記録ヘッドを記録媒体の記録面に対向して移動させる移動手段と、移動手段に移動させる動作を行わせるとともに、液体吐出記録ヘッドに記録動作を行わせる制御部と備えて構成される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係る液体吐出記録ヘッドを備える記録装置に係る実施形態を説明する。
【００２１】
なお、以下に説明する実施形態では、インクジェット記録方式を用いた記録装置としてプリンタを例に挙げ説明する。
【００２２】
そして、本明細書において、「プリント」（「記録」という場合もある）とは、文字、図形等有意の情報を形成する場合のみならず、有意無意を問わず、また人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものであるか否かを問わず、広くプリント媒体上に画像、模様、パターン等を形成する、または媒体の加工を行う場合も言うものとする。
【００２３】
ここで、「プリント媒体」とは、一般的なプリント装置で用いられる紙のみならず、広く、布、プラスチック・フィルム、金属板等、ガラス、セラミックス、木材、皮革等、インクを受容可能な物も言うものとする。
【００２４】
さらに、「インク」（「液体」という場合もある）とは、上記「プリント」の定義と同様広く解釈されるべきもので、プリント媒体上に付与されることによって、画像、模様、パターン等の形成またはプリント媒体の加工、或いはインクの処理（例えばプリント媒体に付与されるインク中の色材の凝固または不溶化）に供され得る液体を言うものとする。
【００２５】
［装置本体］
図３及び図４にインクジェット記録方式を用いたプリンタの概略構成を示す。図３において、この実施形態におけるプリンタの装置本体Ｍ１０００の外郭は、下ケースＭ１００１、上ケースＭ１００２、アクセスカバーＭ１００３及び排出トレイＭ１００４を含む外装部材と、その外装部材内に収納されたシャーシＭ３０１９（図４参照）とから構成される。
【００２６】
シャーシＭ３０１９は、所定の剛性を有する複数の板状金属部材によって構成され、記録装置の骨格をなし、後述の各記録動作機構を保持するものとなっている。
【００２７】
また、前記下ケースＭ１００１は装置本体Ｍ１０００の外装の略下半部を、上ケースＭ１００２は装置本体Ｍ１０００の外装の略上半部をそれぞれ形成しており、両ケースの組合せによって内部に後述の各機構を収納する収納空間を有する中空体構造をなしている。装置本体Ｍ１０００の上面部及び前面部には、それぞれ、開口部が形成されている。
【００２８】
さらに、排出トレイＭ１００４は、その一端部が下ケースＭ１００１に回転自在に保持され、その回転によって下ケースＭ１００１の前面部に形成される前記開口部を開閉させ得るようになっている。このため、記録動作を実行させる際には、排出トレイＭ１００４を前面側へと回転させて開口部を開成させることにより、ここから記録シートが排出可能となると共に排出された記録シートＰを順次積載し得るようになっている。また、排紙トレイＭ１００４には、２枚の補助トレイＭ１００４ａ，Ｍ１００４ｂが収納されており、必要に応じて各トレイを手前に引き出すことにより、用紙の支持面積を３段階に拡大、縮小させ得るようになっている。
【００２９】
アクセスカバーＭ１００３は、その一端部が上ケースＭ１００２に回転自在に保持され、上面に形成される開口部を開閉し得るようになっており、このアクセスカバーＭ１００３を開くことによって本体内部に収納されている記録ヘッドカートリッジＨ１０００あるいはインクタンクＨ１９００等の交換が可能となる。なお、ここでは特に図示しないが、アクセスカバーＭ１００３を開閉させると、その裏面に形成された突起がカバー開閉レバーを回転させるようになっており、そのレバーの回転位置をマイクロスイッチなどで検出することにより、アクセスカバーの開閉状態を検出し得るようになっている。
【００３０】
また、上ケースＭ１００２の後部上面には、電源キーＥ００１８及びレジュームキーＥ００１９が押下可能に設けられると共に、ＬＥＤ Ｅ００２０が設けられており、電源キーＥ００１８を押下すると、ＬＥＤ Ｅ００２０が点灯し記録可能であることをオペレータに知らせるものとなっている。また、ＬＥＤ Ｅ００２０は点滅の仕方や色の変化をさせたり、プリンタのトラブル等をオペレータに知らせる等種々の表示機能を有する。さらに、ブザーＥ００２１（図７）をならすこともできる。なお、トラブル等が解決した場合には、レジュームキーＥ００１９を押下することによって記録が再開されるようになっている。
【００３１】
［記録動作機構］
次に、プリンタの装置本体Ｍ１０００に収納、保持される本実施形態における記録動作機構について説明する。
【００３２】
本実施形態における記録動作機構としては、記録シートＰを装置本体内へと自動的に給送する自動給送部Ｍ３０２２と、自動給送部から１枚ずつ送出される記録シートＰを所定の記録位置へと導くと共に、記録位置から排出部Ｍ３０３０へと記録シートＰを導く搬送部Ｍ３０２９と、記録位置に搬送された記録シートＰに所望の記録を行なう記録部と、前記記録部等に対する回復処理を行う回復部（Ｍ５０００）とから構成されている。
【００３３】
（記録部）
ここで、記録部について説明するに、その記録部は、キャリッジ軸Ｍ４０２１によって移動可能に支持されたキャリッジＭ４００１と、このキャリッジＭ４００１に着脱可能に搭載される記録ヘッドカートリッジＨ１０００とからなる。
【００３４】
記録ヘッドカートリッジ
まず、記録部に用いられる記録ヘッドカートリッジについて図５〜７に基づき説明する。
【００３５】
この実施形態における記録ヘッドカートリッジＨ１０００は、図５に示すようにインクを貯留するインクタンクＨ１９００と、このインクタンクＨ１９００から供給されるインクを記録情報に応じてノズルから吐出させる記録ヘッドＨ１００１とを有する。記録ヘッドＨ１００１は、後述するキャリッジＭ４００１に対して着脱可能に搭載される、いわゆるカートリッジ方式を採るものとなっている。
【００３６】
ここに示す記録ヘッドカートリッジＨ１０００では、写真調の高画質なカラー記録を可能とするため、インクタンクとして、例えば、ブラック、ライトシアン、ライトマゼンタ、シアン、マゼンタ及びイエローの各色独立のインクタンクＨ１９００が用意されており、図６に示すように、それぞれが記録ヘッドＨ１００１に対して着脱自在となっている。
【００３７】
そして，記録ヘッドＨ１００１は、図７の分解斜視図に示すように、記録素子基板Ｈ１１００、第１のプレートＨ１２００、電気配線基板Ｈ１３００、第２のプレートＨ１４００、タンクホルダーＨ１５００、流路形成部材Ｈ１６００、フィルターＨ１７００、シールゴムＨ１８００から構成されている。
【００３８】
記録素子基板Ｈ１１００には、図１３に示されるように、Ｓｉ基板の片面にインクを吐出するための複数の記録素子（電気熱変換素子）Ｈ１１０３と、各記録素子Ｈ１１０３に電力を供給するＡｌ等の電気配線とが成膜技術により形成され、この記録素子に対応した複数のインク流路と複数の吐出口Ｈ１１００Ｔとがフォトリソグラフィ技術により形成されると共に、複数のインク流路にインクを供給するためのインク供給口Ｈ１１０２が裏面に開口するように形成されている。
【００３９】
記録素子基板Ｈ１１００は、例えば、その表面に薄膜が形成されているＳｉ基板Ｈ１１０１と、基板Ｈ１１０１上に形成されるオリフィスプレートＨ１１１２とから構成されている。
【００４０】
基板Ｈ１１０１は、例えば、厚さ０．５〜１（ｍｍ）とされ、６色のインク流路として長溝状の貫通口からなるインク供給口Ｈ１１０２が６列互いに平行に一体に形成されている。隣接するインク供給口Ｈ１１０２の相互間距離は、例えば、約２．５ｍｍに設定されている。このように相互間距離が比較的小とされるので記録ヘッドの小型化が図られることとなる。各々のインク供給口Ｈ１１０２の両側には、記録素子としての電気熱変換素子Ｈ１１０３がそれぞれ１列ずつ千鳥状に複数個、例えば、各インク色ごとに約１２００ｄｐｉ程度に配列形成されている。各電気熱変換素子Ｈ１１０３は、後述する保護層により被覆されている。
【００４１】
基板１１０１上に形成される複数の電気熱変換素子Ｈ１１０３および各電気熱変換素子Ｈ１１０３に電力を供給するＡｌ等の電気配線（図１３において図示が省略される）は、成膜技術により形成されている。また、その電気配線に電力を供給するための電極部は、電気熱変換素子Ｈ１１０３の配列方向に対して直交する方向の端部に沿って形成されている。電極部は、金等のバンプが複数個、上述の電気配線基板Ｈ１３００の電極端子Ｈ１３０２にそれぞれ対応して設けられている。
【００４２】
インク供給口Ｈ１１０２は、例えば，Ｓｉ基板１１０１の結晶方位を利用して、異方性エッチングを行うことにより形成される。
【００４３】
また、基板Ｈ１１０１上に形成されるオリフィスプレートＨ１１１２には、図１３に示されるように、各電気熱変換素子Ｈ１１０３に対応したインク流路を形成するためのインク流路壁Ｈ１１０６と吐出口１１００Ｔとがフォトリソグラフィ技術により形成される。従って、隣接する吐出口１１００Ｔは、互いにインク流路壁Ｈ１１０６により仕切られることとなる。
【００４４】
各インク供給口Ｈ１１０２から供給される６色のインクにそれぞれ対応した６列の吐出口Ｈ１１００Ｔ列が一体に１枚のオリフィスプレートＨ１１１２に形成されている。吐出口Ｈ１１００Ｔ列は、電気熱変換素子Ｈ１１０３の配列と同様に、千鳥状に複数個、例えば、各インク色ごとに約１２００ｄｐｉ程度に配列形成されている。即ち、吐出口Ｈ１１００Ｔは、電気熱変換素子Ｈ１１０３に対向して設けられている。
【００４５】
なお、上述の記録素子基板Ｈ１１００は、所謂、サイドシュータタイプとされうが、かかる例に限られることなく、例えば、図１４に示されるように、エッジシュータタイプの記録素子基板であってもよい。
【００４６】
図１４において、記録素子基板は、シリコンの基板Ｈ１１０１’と、基板Ｈ１１０１’上に形成されるオリフィスプレートＨ１１１２’とから構成されている。
【００４７】
基板Ｈ１１０１’上には、記録媒体の搬送方向に対し略直交する方向に沿って所定の間隔で後述する保護層を介して電気熱変換素子Ｈ１１０３が形成されている。
【００４８】
オリフィスプレートＨ１１１２’は、基板Ｈ１１０１’に対向する部分にインク流路壁Ｈ１１０６’が隣接する電気熱変換素子Ｈ１１０３’相互間、および、両端の電気熱変換素子Ｈ１１０３’にそれぞれ隣接して形成されている。
【００４９】
オリフィスプレートＨ１１１２’のインク流路壁Ｈ１１０６’が基板Ｈ１１０１’上に接合されることにより、それぞれ、電気熱変換素子Ｈ１１０３’に対応したインク流路が形成されることとなる。各インク流路の一方の端部には、インクを吐出するインク吐出口Ｈ１１００Ｔ’が形成されている。また、各インク流路の他方の端部は、それぞれ、所定量のインクが貯留される共通インク室Ｈ１１０４’に連通している。オリフィスプレートＨ１１１２’の上部には、共通インク室Ｈ１１０４’内にインクを導き入れるインク供給口Ｈ１１０５’が形成されている。
【００５０】
また、記録素子基板Ｈ１１００は、第１のプレートＨ１２００に接着固定されており、ここには、前記記録素子基板Ｈ１１００にインクを供給するためのインク供給口Ｈ１２０１が形成されている。さらに、第１のプレートＨ１２００には、開口部を有する第２のプレートＨ１４００が接着固定されており、この第２のプレートＨ１４００を介して、電気配線基板Ｈ１３００が記録素子基板Ｈ１１００に対して電気的に接続されるよう保持されている。この電気配線基板Ｈ１３００は、記録素子基板Ｈ１１００にインクを吐出するための電気信号を印加するものであり、記録素子基板Ｈ１１００に対応する電気配線と、この電気配線端部に位置し本体からの電気信号を受け取るための外部信号入力端子Ｈ１３０１とを有しており、外部信号入力端子Ｈ１３０１は、後述のタンクホルダーＨ１５００の背面側に位置決め固定されている。
【００５１】
一方、インクタンクＨ１９００を着脱可能に保持するタンクホルダーＨ１５００には、流路形成部材Ｈ１６００が例えば、超音波溶着により固定され、インクタンクＨ１９００から第１のプレートＨ１２００に亘るインク流路Ｈ１５０１を形成している。また、インクタンクＨ１９００と係合するインク流路Ｈ１５０１のインクタンク側端部には、フィルターＨ１７００が設けられており、外部からの塵埃の侵入を防止し得るようになっている。また、インクタンクＨ１９００との係合部にはシールゴムＨ１８００が装着され、係合部からのインクの蒸発を防止し得るようになっている。
【００５２】
さらに、前述のようにタンクホルダーＨ１５００、流路形成部材Ｈ１６００、フィルターＨ１７００及びシールゴムＨ１８００から構成されるタンクホルダー部と、前記記録素子基板Ｈ１１００、第１のプレートＨ１２００、電気配線基板Ｈ１３００及び第２のプレートＨ１４００から構成される記録素子部とを、接着等で結合することにより、記録ヘッドＨ１００１を構成している。
【００５３】
（キャリッジ）
次に、図４を参照して記録ヘッドカートリッジＨ１０００を搭載するキャリッジＭ４００１を説明する。
【００５４】
図４に示すように、キャリッジＭ４００１には、キャリッジＭ４００１と係合し記録ヘッドＨ１００１をキャリッジＭ４００１上の所定の装着位置に案内するためのキャリッジカバーＭ４００２と、記録ヘッドＨ１００１のタンクホルダーＨ１５００と係合し記録ヘッドＨ１００１を所定の装着位置にセットさせるよう押圧するヘッドセットレバーＭ４００７とが設けられている。
すなわち、ヘッドセットレバーＭ４００７はキャリッジＭ４００１の上部にヘッドセットレバー軸に対して回動可能に設けられると共に、記録ヘッドＨ１００１との係合部には、ばね付勢されるヘッドセットプレート（不図示）が備えられ、このばね力によって記録ヘッドＨ１００１を押圧しながらキャリッジＭ４００１に装着する構成となっている。
【００５５】
また、キャリッジＭ４００１の記録ヘッドＨ１００１との別の係合部にはコンタクトフレキシブルプリントケーブル（図９参照、以下、コンタクトＦＰＣと称す）Ｅ００１１が設けられ、コンタクトＦＰＣ Ｅ００１１上のコンタクト部と記録ヘッドＨ１００１に設けられたコンタクト部（外部信号入力端子）Ｈ１３０１とが電気的に接触し、記録のための各種情報の授受や記録ヘッドＨ１００１への電力の供給などを行い得るようになっている。
【００５６】
ここでコンタクトＦＰＣ Ｅ００１１のコンタクト部とキャリッジＭ４００１との間には不図示のゴムなどの弾性部材が設けられ、この弾性部材の弾性力とヘッドセットレバーばねによる押圧力とによってコンタクト部とキャリッジＭ４００１との確実な接触を可能とするようになっている。さらに前記コンタクトＦＰＣ Ｅ００１１はキャリッジＭ４００１の背面に搭載されたキャリッジ基板Ｅ００１３に接続されている（図９参照）。
【００５７】
［スキャナ］
この実施形態におけるプリンタは、上述した記録ヘッドカートリッジＨ１０００の代わりにキャリッジＭ４００１にスキャナを装着することで読取装置としても使用することができる。
【００５８】
このスキャナは、プリンタ側のキャリッジＭ４００１と共に主走査方向に移動し、記録媒体に代えて給送された原稿画像をその主走査方向への移動の過程で読み取るようになっており、その主走査方向の読み取り動作と原稿の副走査方向の給送動作とを交互に行うことにより、１枚の原稿画像情報を読み取ることができる。
【００５９】
図８の（ａ）および（ｂ）は、このスキャナＭ６０００の概略構成を説明するために、スキャナＭ６０００を上下逆にして示す図である。
【００６０】
図示のように、スキャナホルダＭ６００１は、略箱型の形状であり、その内部には読み取りに必要な光学系・処理回路などが収納されている。また、このスキャナＭ６０００をキャリッジＭ４００１へと装着した時に、原稿面と対面する部分には読取部レンズＭ６００６が設けられており、このレンズＭ６００６により原稿面からの反射光を内部の読取部に収束することで原稿画像を読み取るようになっている。一方、照明部レンズＭ６００５は内部に不図示の光源を有し、その光源から発せられた光がレンズＭ６００５を介して原稿へと照射される。
【００６１】
スキャナホルダＭ６００１の底部に固定されたスキャナカバーＭ６００３は、スキャナホルダＭ６００１内部を遮光するように嵌合し、側面に設けられたルーバー状の把持部によってキャリッジＭ４００１への着脱操作性の向上を図っている。スキャナホルダＭ６００１の外形形状は記録ヘッドＨ１００１と略同形状であり、キャリッジＭ４００１へは記録ヘッドカートリッジＨ１０００と同様の操作で着脱することができる。
【００６２】
また、スキャナホルダＭ６００１には、読取り処理回路を有する基板が収納される一方、この基板に接続されたスキャナコンタクトＰＣＢが外部に露出するよう設けられており、キャリッジＭ４００１へとスキャナＭ６０００を装着した際、スキャナコンタクトＰＣＢ Ｍ６００４がキャリッジＭ４００１側のコンタクトＦＰＣ Ｅ００１１に接触し、基板を、キャリッジＭ４００１を介して本体側の制御系に電気的に接続させるようになっている。
【００６３】
［プリンタの電気回路の構成］
次に、本発明の実施形態における電気的回路構成を説明する。
図９は、この実施形態における電気的回路の全体構成例を概略的に示す図である。
【００６４】
この実施形態における電気的回路は、主にキャリッジ基板（ＣＲＰＣＢ）Ｅ００１３、メインＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）Ｅ００１４、電源ユニットＥ００１５等によって構成されている。
ここで、電源ユニットＥ００１５は、メインＰＣＢ Ｅ００１４と接続され、各種駆動電源を供給するものとなっている。
【００６５】
また、キャリッジ基板Ｅ００１３は、キャリッジＭ４００１（図２）に搭載されたプリント基板ユニットであり、コンタクトＦＰＣ Ｅ００１１を通じて記録ヘッドとの信号の授受を行うインターフェースとして機能する他、キャリッジＭ４００１の移動に伴ってエンコーダセンサＥ０００４から出力されるパルス信号に基づき、エンコーダスケールＥ０００５とエンコーダセンサＥ０００４との位置関係の変化を検出し、その出力信号をフレキシブルフラットケーブル（ＣＲＦＦＣ）Ｅ００１２を通じてメインＰＣＢ Ｅ００１４へと出力する。
【００６６】
さらに、メインＰＣＢＥ００１４はこの実施形態におけるインクジェット記録装置の各部の駆動制御を司るプリント基板ユニットであり、紙端検出センサ（ＰＥセンサ）Ｅ０００７、ＡＳＦ（自動給紙装置）センサＥ０００９、カバーセンサＥ００２２、パラレルインターフェース（パラレルＩ／Ｆ）Ｅ００１６、シリアルインターフェース（シリアルＩ／Ｆ）Ｅ００１７、リジュームキーＥ００１９、ＬＥＤ Ｅ００２０、電源キーＥ００１８、ブザーＥ００２１等に対するＩ／Ｏポートを基板上に有する。またさらに、キャリッジＭ１４００を主走査させるための駆動源をなすモータ（ＣＲモータ）Ｅ０００１、記録媒体を搬送するための駆動源をなすモータ（ＬＦモータ）Ｅ０００２、記録ヘッドの回動動作と記録媒体の給紙動作に兼用されるモータ（ＰＧモータ）Ｅ０００３と接続されてこれらの駆動を制御する他、インクエンプティセンサＥ０００６、ＧＡＰセンサＥ０００８、ＰＧセンサＥ００１０、ＣＲＦＦＣ Ｅ００１２、電源ユニットＥ００１５との接続インターフェイスを有する。
【００６７】
図１０は、メインＰＣＢ Ｅ００１４の内部構成を示すブロック図である。図において、Ｅ１００１はＣＰＵであり、このＣＰＵ Ｅ１００１は内部に発振回路Ｅ１００５に接続されたクロックジェネレータ（ＰＣＧ） Ｅ１００２を有し、その出力信号Ｅ１０１９によりシステムクロックを発生する。また、制御バスＥ１０１４を通じてＲＯＭ Ｅ１００４およびＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ） Ｅ１００６に接続され、ＲＯＭに格納されたプログラムに従って、ＡＳＩＣ Ｅ１００６の制御、電源キーからの入力信号Ｅ１０１７、及びリジュームキーからの入力信号Ｅ１０１６、カバー検出信号Ｅ１０４２、ヘッド検出信号（ＨＳＥＮＳ）Ｅ１０１３の状態の検知を行ない、さらにブザー信号（ＢＵＺ）Ｅ１０１８によりブザーＥ００２１を駆動し、内蔵されるＡ／ＤコンバータＥ１００３に接続されるインクエンプティ検出信号（ＩＮＫＳ）Ｅ１０１１及びサーミスタによる温度検出信号（ＴＨ）Ｅ１０１２の状態の検知を行う一方、その他各種論理演算・条件判断等を行ない、インクジェット記録装置の駆動制御を司る。
【００６８】
ここで、ヘッド検出信号Ｅ１０１３は、記録ヘッドカートリッジＨ１０００からフレキシブルフラットケーブルＥ００１２、キャリッジ基板Ｅ００１３及びコンタクトフレキシブルプリントケーブルＥ００１１を介して入力されるヘッド搭載検出信号であり、インクエンプティ検出信号Ｅ１０１１はインクエンプティセンサＥ０００６から出力されるアナログ信号、温度検出信号Ｅ１０１２はキャリッジ基板Ｅ００１３上に設けられたサーミスタ（図示せず）からのアナログ信号である。
【００６９】
Ｅ１００８はＣＲモータドライバであって、モータ電源（ＶＭ）Ｅ１０４０を駆動源とし、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６に従って、ＣＲモータ駆動信号Ｅ１０３７を生成し、ＣＲモータＥ０００１を駆動する。Ｅ１００９はＬＦ／ＰＧモータドライバであって、モータ電源Ｅ１０４０を駆動源とし、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのパルスモータ制御信号（ＰＭ制御信号）Ｅ１０３３に従ってＬＦモータ駆動信号Ｅ１０３５を生成し、これによってＬＦモータを駆動すると共に、ＰＧモータ駆動信号Ｅ１０３４を生成してＰＧモータを駆動する。
【００７０】
Ｅ１０１０は電源制御回路であり、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からの電源制御信号Ｅ１０２４に従って発光素子を有する各センサ等への電源供給を制御する。パラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６は、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのパラレルＩ／Ｆ信号Ｅ１０３０を、外部に接続されるパラレルＩ／ＦケーブルＥ１０３１に伝達し、またパラレルＩ／ＦケーブルＥ１０３１の信号をＡＳＩＣ Ｅ１００６に伝達する。シリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７は、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのシリアルＩ／Ｆ信号Ｅ１０２８を、外部に接続されるシリアルＩ／ＦケーブルＥ１０２９に伝達し、また同ケーブルＥ１０２９からの信号をＡＳＩＣ Ｅ１００６に伝達する。
【００７１】
一方、電源ユニットＥ００１５からは、ヘッド電源（ＶＨ）Ｅ１０３９及びモータ電源（ＶＭ）Ｅ１０４０、ロジック電源（ＶＤＤ）Ｅ１０４１が供給される。また、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのヘッド電源ＯＮ信号（ＶＨＯＮ）Ｅ１０２２及びモータ電源ＯＮ信号（ＶＭＯＭ）Ｅ１０２３が電源ユニットＥ００１５に入力され、それぞれヘッド電源Ｅ１０３９及びモータ電源Ｅ１０４０のＯＮ／ＯＦＦを制御する。電源ユニットＥ００１５から供給されたロジック電源（ＶＤＤ）Ｅ１０４１は、必要に応じて電圧変換された上で、メインＰＣＢ Ｅ００１４内外の各部へ供給される。
【００７２】
またヘッド電源信号Ｅ１０３９は、メインＰＣＢ Ｅ００１４上で平滑化された後にフレキシブルフラットケーブルＥ００１１へと送出され、記録ヘッドカートリッジＨ１０００の駆動に用いられる。
【００７３】
Ｅ１００７はリセット回路で、ロジック電源電圧Ｅ１０４１の低下を検出して、ＣＰＵ Ｅ１００１及びＡＳＩＣ Ｅ１００６にリセット信号（ＲＥＳＥＴ）Ｅ１０１５を供給し、初期化を行なう。
【００７４】
このＡＳＩＣ Ｅ１００６は１チップの半導体集積回路であり、制御バスＥ１０１４を通じてＣＰＵ Ｅ１００１によって制御され、前述したＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６、ＰＭ制御信号Ｅ１０３３、電源制御信号Ｅ１０２４、ヘッド電源ＯＮ信号Ｅ１０２２、及びモータ電源ＯＮ信号Ｅ１０２３等を出力し、パラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６およびシリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７との信号の授受を行なう他、ＰＥセンサＥ０００７からのＰＥ検出信号（ＰＥＳ）Ｅ１０２５、ＡＳＦセンサＥ０００９からのＡＳＦ検出信号（ＡＳＦＳ）Ｅ１０２６、記録ヘッドと記録媒体とのギャップを検出するためのセンサ（ＧＡＰ）センサＥ０００８からのＧＡＰ検出信号（ＧＡＰＳ）Ｅ１０２７、ＰＧセンサＥ００１０からのＰＧ検出信号（ＰＧＳ）Ｅ１０３２の状態を検知して、その状態を表すデータを制御バスＥ１０１４を通じてＣＰＵ Ｅ１００１に伝達し、入力されたデータに基づきＣＰＵ Ｅ１００１はＬＥＤ駆動信号Ｅ１０３８の駆動を制御してＬＥＤＥ００２０の点滅を行なう。
【００７５】
さらに、エンコーダ信号（ＥＮＣ）Ｅ１０２０の状態を検知してタイミング信号を生成し、ヘッド制御信号Ｅ１０２１で記録ヘッドカートリッジＨ１０００とのインターフェイスをとり記録動作を制御する。ここにおいて、エンコーダ信号（ＥＮＣ）Ｅ１０２０はフレキシブルフラットケーブルＥ００１２を通じて入力されるＣＲエンコーダセンサＥ０００４の出力信号である。また、ヘッド制御信号Ｅ１０２１は、フレキシブルフラットケーブルＥ００１２、キャリッジ基板Ｅ００１３、及びコンタクトＦＰＣ Ｅ００１１を経て記録ヘッドＨ１０００に供給される。
【００７６】
図１１は、ＡＳＩＣ Ｅ１００６の内部構成例を示すブロック図である。
【００７７】
なお、同図において、各ブロック間の接続については、記録データやモータ制御データ等、ヘッドや各部機構部品の制御にかかわるデータの流れのみを示しており、各ブロックに内蔵されるレジスタの読み書きに係わる制御信号やクロック、ＤＭＡ制御にかかわる制御信号などは図面上の記載の煩雑化を避けるため省略している。
【００７８】
図中、Ｅ２００２はＰＬＬコントローラであり、図９に示すようにＣＰＵ Ｅ１００１から出力されるクロック信号（ＣＬＫ）Ｅ２０３１及びＰＬＬ制御信号（ＰＬＬＯＮ）Ｅ２０３３により、ＡＳＩＣ Ｅ１００６内の大部分へと供給するクロック（図示しない）を発生する。
【００７９】
また、Ｅ２００１はＣＰＵインターフェース（ＣＰＵＩ／Ｆ）であり、リセット信号Ｅ１０１５、ＣＰＵ Ｅ１００１から出力されるソフトリセット信号（ＰＤＷＮ）Ｅ２０３２、クロック信号（ＣＬＫ）Ｅ２０３１及び制御バスＥ１０１４からの制御信号により、以下に説明するような各ブロックに対するレジスタ読み書き等の制御や、一部ブロックへのクロックの供給、割り込み信号の受け付け等（いずれも図示しない）を行ない、ＣＰＵ Ｅ１００１に対して割り込み信号（ＩＮＴ）Ｅ２０３４を出力し、ＡＳＩＣ Ｅ１００６内部での割り込みの発生を知らせる。
【００８０】
また、Ｅ２００５はＤＲＡＭであり、記録用のデータバッファとして、受信バッファＥ２０１０、ワークバッファＥ２０１１、プリントバッファＥ２０１４、展開用データバッファＥ２０１６などの各領域を有すると共に、モータ制御用としてモータ制御バッファＥ２０２３を有し、さらにスキャナ動作モード時に使用するバッファとして、上記の各記録用データバッファに代えて使用されるスキャナ取込みバッファＥ２０２４、スキャナデータバッファＥ２０２６、送出バッファＥ２０２８などの領域を有する。
【００８１】
また、このＤＲＡＭ Ｅ２００５は、ＣＰＵ Ｅ１００１の動作に必要なワーク領域としても使用されている。すなわち、Ｅ２００４はＤＲＡＭ制御部であり、制御バスによるＣＰＵ Ｅ１００１からＤＲＡＭ Ｅ２００５へのアクセスと、後述するＤＭＡ制御部Ｅ２００３からＤＲＡＭ Ｅ２００５へのアクセスとを切り替えて、ＤＲＡＭ Ｅ２００５への読み書き動作を行なう。
【００８２】
ＤＭＡ制御部Ｅ２００３では、各ブロックからのリクエスト（図示せず）を受け付けて、アドレス信号や制御信号（図示せず）、書込み動作の場合には書込みデータＥ２０３８、Ｅ２０４１、Ｅ２０４４、Ｅ２０５３、Ｅ２０５５、Ｅ２０５７などをＤＲＡＭ制御部Ｅ２００４に出力してＤＲＡＭアクセスを行なう。また読み出しの場合には、ＤＲＡＭ制御部Ｅ２００４からの読み出しデータＥ２０４０、Ｅ２０４３、Ｅ２０４５、Ｅ２０５１、Ｅ２０５４、Ｅ２０５６、Ｅ２０５８、Ｅ２０５９を、リクエスト元のブロックに受け渡す。
【００８３】
また、Ｅ２００６は、ＩＥＥＥ １２８４Ｉ／Ｆであり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、パラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６を通じて、図示しない外部ホスト機器との双方向通信インターフェイスを行なう他、記録時にはパラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６からの受信データ（ＰＩＦ受信データＥ２０３６）をＤＭＡ処理によって受信制御部Ｅ２００８へと受け渡し、スキャナ読み取り時にはＤＲＡＭ Ｅ２００５内の送出バッファＥ２０２８に格納されたデータ（１２８４送信データ（ＲＤＰＩＦ）Ｅ２０５９）をＤＭＡ処理によりパラレルＩ／Ｆに送信する。
【００８４】
Ｅ２００７は、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）Ｉ／Ｆであり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、シリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７を通じて、図示しない外部ホスト機器との双方向通信インターフェイスを行なう他、印刷時にはシリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７からの受信データ（ＵＳＢ受信データＥ２０３７）をＤＭＡ処理により受信制御部Ｅ２００８に受け渡し、スキャナ読み取り時にはＤＲＡＭ Ｅ２００５内の送出バッファＥ２０２８に格納されたデータ（ＵＳＢ送信データ（ＲＤＵＳＢ）Ｅ２０５８）をＤＭＡ処理によりシリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７に送信する。受信制御部Ｅ２００８は、１２８４Ｉ／Ｆ Ｅ２００６もしくはＵＳＢＩ／Ｆ Ｅ２００７のうちの選択されたＩ／Ｆからの受信データ（ＷＤＩＦ）Ｅ２０３８）を、受信バッファ制御部Ｅ２０３９の管理する受信バッファ書込みアドレスに、書込む。
【００８５】
Ｅ２００９は圧縮・伸長ＤＭＡコントローラであり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵＥ１００１の制御により、受信バッファＥ２０１０上に格納された受信データ（ラスタデータ）を、受信バッファ制御部Ｅ２０３９の管理する受信バッファ読み出しアドレスから読み出し、そのデータ（ＲＤＷＫ）Ｅ２０４０を指定されたモードに従って圧縮・伸長し、記録コード列（ＷＤＷＫ）Ｅ２０４１としてワークバッファ領域に書込む。
【００８６】
Ｅ２０１３は記録バッファ転送ＤＭＡコントローラで、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００７の制御によってワークバッファＥ２０１１上の記録コード（ＲＤＷＰ）Ｅ２０４３を読み出し、各記録コードを、記録ヘッドカートリッジＨ１０００へのデータ転送順序に適するようなプリントバッファＥ２０１４上のアドレスに並べ替えて転送（ＷＤＷＰ Ｅ２０４４）する。また、Ｅ２０１２はワーククリアＤＭＡコントローラであり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御によって記録バッファ転送ＤＭＡコントローラ Ｅ２０１３による転送が完了したワークバッファ上の領域に対し、指定したワークフィルデータ（ＷＤＷＦ）Ｅ２０４２を繰返し書込む。
【００８７】
Ｅ２０１５は記録データ展開ＤＭＡコントローラであり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、ヘッド制御部Ｅ２０１８からのデータ展開タイミング信号Ｅ２０５０をトリガとして、プリントバッファ上に並べ替えて書込まれた記録コードと展開用データバッファＥ２０１６上に書込まれた展開用データとを読み出し、展開記録データ（ＲＤＨＤＧ）Ｅ２０４５をカラムバッファ書込みデータ（ＷＤＨＤＧ）Ｅ２０４７としてカラムバッファＥ２０１７に書込む。ここで、カラムバッファＥ２０１７は、記録ヘッドカートリッジＨ１０００への転送データ（展開記録データ）を一時的に格納するＳＲＡＭであり、記録データ展開ＤＭＡコントローラＥ２０１５とヘッド制御部Ｅ２０１８とのハンドシェーク信号（図示せず）によって両ブロックにより共有管理されている。
【００８８】
Ｅ２０１８はヘッド制御部で、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、ヘッド制御信号を介して記録ヘッドカートリッジＨ１０００またはスキャナとのインターフェイスを行なう他、エンコーダ信号処理部Ｅ２０１９からのヘッド駆動タイミング信号Ｅ２０４９に基づき、記録データ展開ＤＭＡコントローラに対してデータ展開タイミング信号Ｅ２０５０の出力を行なう。
【００８９】
また、印刷時には、前記ヘッド駆動タイミング信号Ｅ２０４９に従って、カラムバッファから展開記録データ（ＲＤＨＤ）Ｅ２０４８を読み出し、そのデータをヘッド制御信号Ｅ１０２１として記録ヘッドカートリッジＨ１０００に出力する。
【００９０】
また、スキャナ読み取りモードにおいては、ヘッド制御信号Ｅ１０２１として入力された取込みデータ（ＷＤＨＤ）Ｅ２０５３をＤＲＡＭ Ｅ２００５上のスキャナ取込みバッファＥ２０２４へとＤＭＡ転送する。Ｅ２０２５はスキャナデータ処理ＤＭＡコントローラであり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、スキャナ取込みバッファＥ２０２４に蓄えられた取込みバッファ読み出しデータ（ＲＤＡＶ）Ｅ２０５４を読み出し、平均化等の処理を行なった処理済データ（ＷＤＡＶ）Ｅ２０５５をＤＲＡＭ Ｅ２００５上のスキャナデータバッファＥ２０２６に書込む。
【００９１】
Ｅ２０２７はスキャナデータ圧縮ＤＭＡコントローラで、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、スキャナデータバッファＥ２０２６上の処理済データ（ＲＤＹＣ）Ｅ２０５６を読み出してデータ圧縮を行ない、圧縮データ（ＷＤＹＣ）Ｅ２０５７を送出バッファＥ２０２８に書込み転送する。
【００９２】
Ｅ２０１９はエンコーダ信号処理部であり、エンコーダ信号（ＥＮＣ）を受けて、ＣＰＵ Ｅ１００１の制御で定められたモードに従ってヘッド駆動タイミング信号Ｅ２０４９を出力する他、エンコーダ信号Ｅ１０２０から得られるキャリッジＭ４００１の位置や速度にかかわる情報をレジスタに格納して、ＣＰＵ Ｅ１００１に提供する。ＣＰＵ Ｅ１００１はこの情報に基づき、ＣＲモータＥ０００１の制御における各種パラメータを決定する。また、Ｅ２０２０はＣＲモータ制御部であり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、ＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６を出力する。
【００９３】
Ｅ２０２２はセンサ信号処理部で、ＰＧセンサＥ００１０、ＰＥセンサＥ０００７、ＡＳＦセンサＥ０００９、及びＧＡＰセンサＥ０００８等から出力される各検出信号Ｅ１０３３，Ｅ１０２５，Ｅ１０２６，Ｅ１０２７を受けて、ＣＰＵ Ｅ１００１の制御で定められたモードに従ってこれらのセンサ情報をＣＰＵ Ｅ１００１に伝達する他、ＬＦ／ＰＧモータ制御用ＤＭＡコントローラ Ｅ２０２１に対してセンサ検出信号Ｅ２０５２を出力する。
【００９４】
ＬＦ／ＰＧモータ制御用ＤＭＡコントローラＥ２０２１は、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、ＤＲＡＭ Ｅ２００５上のモータ制御バッファＥ２０２３からパルスモータ駆動テーブル（ＲＤＰＭ）Ｅ２０５１を読み出してパルスモータ制御信号Ｅ１０３３を出力する他、動作モードによっては前記センサ検出信号を制御のトリガとしてパルスモータ制御信号Ｅ１０３３を出力する。
【００９５】
また、Ｅ２０３０はＬＥＤ制御部であり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、ＬＥＤ駆動信号Ｅ１０３８を出力する。さらに、Ｅ２０２９はポート制御部であり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、ヘッド電源ＯＮ信号Ｅ１０２２、モータ電源ＯＮ信号Ｅ１０２３、及び電源制御信号Ｅ１０２４を出力する。
【００９６】
［プリンタの動作］
次に、上記のように構成された本発明の実施形態におけるインクジェット記録装置の動作を図１２のフローチャートに基づき説明する。
【００９７】
ＡＣ電源に装置本体１０００が接続されると、まず、ステップＳ１では装置の第１の初期化処理を行なう。この初期化処理では、本装置のＲＯＭおよびＲＡＭのチェックなどの電気回路系のチェックを行ない、電気的に本装置が正常に動作可能であるかを確認する。
【００９８】
次にステップＳ２では、装置本体Ｍ１０００の上ケースＭ１００２に設けられた電源キーＥ００１８がＯＮされたかどうかの判断を行い、電源キーＥ００１８が押された場合には、次のステップＳ３へと移行し、ここで第２の初期化処理を行う。
【００９９】
この第２の初期化処理では、本装置の各種駆動機構及び記録ヘッドのチェックを行なう。すなわち、各種モータの初期化やヘッド情報の読み込みを行うに際し、装置が正常に動作可能であるかを確認する。
【０１００】
次にステップＳ４ではイベント待ちを行なう。すなわち、本装置に対して、外部Ｉ／Ｆからの指令イベント、ユーザ操作によるパネルキーイベントおよび内部的な制御イベントなどを監視し、これらのイベントが発生すると当該イベントに対応した処理を実行する。
【０１０１】
例えば、ステップＳ４で外部Ｉ／Ｆからの印刷指令イベントを受信した場合には、ステップＳ５へと移行し、同ステップでユーザ操作による電源キーイベントが発生した場合にはステップＳ１０へと移行し、同ステップでその他のイベントが発生した場合にはステップＳ１１へと移行する。
【０１０２】
ここで、ステップＳ５では、外部Ｉ／Ｆからの印刷指令を解析し、指定された紙種別、用紙サイズ、印刷品位、給紙方法などを判断し、その判断結果を表すデータを本装置内のＲＡＭ Ｅ２００５に記憶し、ステップＳ６へと進む。
【０１０３】
次いでステップＳ６ではステップＳ５で指定された給紙方法により給紙を開始し、用紙を記録開始位置まで送り、ステップＳ７に進む。
【０１０４】
ステップＳ７では記録動作を行なう。この記録動作では、外部Ｉ／Ｆから送出されてきた記録データを、一旦記録バッファに格納し、次いでＣＲモータＥ０００１を駆動してキャリッジＭ４００１の主走査方向への移動を開始すると共に、プリントバッファＥ２０１４に格納されている記録データを記録ヘッドＨ１００１へと供給して１行の記録を行ない、１行分の記録データの記録動作が終了するとＬＦモータＥ０００２を駆動し、ＬＦローラＭ３００１を回転させて用紙を副走査方向へと送る。この後、上記動作を繰り返し実行し、外部Ｉ／Ｆからの１ページ分の記録データの記録が終了すると、ステップ８へと進む。
【０１０５】
ステップＳ８では、ＬＦモータＥ０００２を駆動し、排紙ローラＭ２００３を駆動し、用紙が完全に本装置から送り出されたと判断されるまで紙送りを繰返し、終了した時点で用紙は排紙トレイＭ１００４ａ上に完全に排紙された状態となる。
【０１０６】
次にステップＳ９では、記録すべき全ページの記録動作が終了したか否かを判定し、記録すべきページが残存する場合には、ステップＳ５へと復帰し、以下、前述のステップＳ５〜Ｓ９までの動作を繰り返し、記録すべき全てのページの記録動作が終了した時点で記録動作は終了し、その後ステップＳ４へと移行し、次のイベントを待つ。
【０１０７】
一方、ステップＳ１０ではプリンタ終了処理を行ない、本装置の動作を停止させる。つまり、各種モータやヘッドなどの電源を切断するために、電源を切断可能な状態に移行した後、電源を切断しステップＳ４に進み、次のイベントを待つ。
【０１０８】
また、ステップＳ１１では、上記以外の他のイベント処理を行なう。例えば、本装置の各種パネルキーや外部Ｉ／Ｆからの回復指令や内部的に発生する回復イベントなどに対応した処理を行なう。なお、処理終了後にはステップＳ４に進み、次のイベントを待つ。
【０１０９】
なお、本発明が有効に用いられる一形態は、電気熱変換体が発生する熱エネルギーを利用して液体に膜沸騰を生じさせ気泡を形成する形態である。
【０１１０】
さらに、本発明に係る記録ヘッド用基板の第１の実施例においては、上述の基板Ｈ１１０１は、図１の（ａ）および（ｂ）に示されるように、構成される。
【０１１１】
なお、図１の（ａ）および（ｂ）に示めされる例および後述する他の実施例は、基板Ｈ１１０１上に形成される複数のインク流路のうち一つのインク流路に対応した一部分の構成を拡大して示す。
【０１１２】
図１の（ａ）および（ｂ）において、基板Ｈ１１０１は、例えば、シリコンで薄板状に作られる基体Ｈ１１２０と、基体Ｈ１１２０の一方の平坦面上に例えば二酸化珪素で形成される酸化膜（蓄熱層）Ｈ１１２２と、酸化膜Ｈ１１２２の同一面上に形成される共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂと、共通導体層Ｈ１１２４Ａ、個別導体層Ｈ１１２４Ｂ、および酸化膜Ｈ１１２２上に積層される絶縁層Ｈ１１２６と、共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂに対し上方に形成され、一対の電極部Ｈ１１３２Ａおよび１１３２Ｂを介して電気的に共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂに接続される発熱抵抗層Ｈ１１３４と、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１２６を覆う保護層Ｈ１１２８、および、保護層Ｈ１１３０とを含んで構成されている。
【０１１３】
共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂは、例えば、アルミニウム、アルミニウムと銅との合金材料、アルミニウムとシリコンとの合金材料で所定の厚さに形成されている。共通導体層Ｈ１１２４Ａは、他のインク流路に対応する共通導体層とともに結合されている。また、共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂの一方の端部は、それぞれ図示が省略される駆動信号入力部に接続されている。
【０１１４】
絶縁層Ｈ１１２６は、例えば、燐酸化ケイ素により１×１０−６（ｍ）の膜圧で均一に形成されている。絶縁層Ｈ１１２６内における共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂの他方の端部に対応してスルーホールＨ１１２６ａ、および、Ｈ１１２６ｂがそれぞれ形成されている。スルーホールＨ１１２６ａ、および、Ｈ１１２６ｂ内には、それぞれ、例えば、銅合金材料で作られた埋込み電極Ｈ１１３２Ａ、およびＨ１１３２Ｂがシード層ＳＳを介して設けられている。埋込み電極Ｈ１１３２Ａは、共通導体層Ｈ１１２４Ａと後述する発熱抵抗層Ｈ１１３４とを接続し、埋込み電極Ｈ１１３２Ｂは、共通導体層Ｈ１１２４Ｂと後述する発熱抵抗層Ｈ１１３４とを接続するものとされる。なお、埋込み電極Ｈ１１３２Ａ、およびＨ１１３２Ｂは、アルミニウム、アルミニウムとシリコンとの合金材料で作られても良い。シード層ＳＳは、例えば、タンタル、窒化タンタル、窒化珪素タンタルのいずれかの材料で形成されてもよい。そのシード層ＳＳにより、埋込み電極Ｈ１１３２Ａ、およびＨ１１３２Ｂの密着性の向上、および耐酸化性の向上が図られることとなる。
【０１１５】
絶縁層Ｈ１１２６は、埋込み電極Ｈ１１３２Ａ、およびＨ１１３２Ｂの一方の端面と同一の平面となる平滑な平坦面ＦＳを上面に有している。その平坦面ＦＳには、発熱抵抗層Ｈ１１３４が埋込み電極Ｈ１１３２Ａ、およびＨ１１３２Ｂに跨って絶縁層Ｈ１１２６上に形成されている。発熱抵抗層Ｈ１１３４は、例えば、窒化タンタル、窒化珪素タンタル、ハフニュウムボライドのいずれかの材料で形成されてもよい。発熱抵抗層Ｈ１１３４は、例えば、１〜３×１０−８（ｍ）程度の比較的薄い膜厚を有している。
【０１１６】
発熱抵抗層Ｈ１１３４および全体にわたり絶縁層Ｈ１１２６を直接的に覆う保護層Ｈ１１２８は、酸化シリコンまたは窒化シリコンにより所定の膜厚を有するように形成されている。また、保護層Ｈ１１２８における発熱抵抗層Ｈ１１３４に対向する部分を覆う保護層Ｈ１１３０は、所謂、耐キャビテーション層であり、タンタルで所定の膜厚で保護層Ｈ１１２８に沿って平坦に形成されている。
【０１１７】
従って、保護層Ｈ１１３０の外面部には、その保護層の欠陥の原因となる凹部または段差が形成されることがないのでその耐久性が向上することとなる。
【０１１８】
このような基板Ｈ１１０１を製造するにあたっては、先ず、図２の（ａ）に示めされるように、基体Ｈ１１２０の平坦面に熱酸化により酸化膜Ｈ１１２２が形成された後、所定のパターニングおよびエッチング処理により、共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂが形成される。
【０１１９】
次に、図２の（ｂ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１２６’が例えば、ＣＶＤ法により、酸化膜Ｈ１１２２、共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂをその全体にわたり覆うように形成される。
【０１２０】
続いて、絶縁層Ｈ１１２６’に対して所定のパターニング、エッチング処理が行われることにより、共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂに到達するスルーホールＨ１１２６ｔａ’およびＨ１１２６ｔｂ’が形成される。
【０１２１】
その際、スルーホールＨ１１２６ｔａ’およびＨ１１２６ｔｂ’は、後述するスパッタリングに備えて，良好に被覆層が形成されるように勾配をもってその内面が形成されている。また、上述のシード層ＳＳがスパッタリングによりスルーホールＨ１１２６ｔａ’およびＨ１１２６ｔｂ’を形成する内面に形成される。
【０１２２】
続いて、埋込み電極を形成すべく、導電体層Ｈ１１３２が、例えば、電解メッキ法により、絶縁層Ｈ１１２６’の外表面、および、スルーホールＨ１１２６ｔａ’およびＨ１１２６ｔｂ’の内部を埋めるように形成される。その際、導電体層Ｈ１１３２の膜厚は、スルーホールＨ１１２６ｔａ’およびＨ１１２６ｔｂ’の深さ以上に設定される。
【０１２３】
続いて、図２の（ｃ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１２６’上の導電体層Ｈ１１３２が除去され、かつ、絶縁層Ｈ１１２６’が平坦面となるように所定量、研磨される。研磨は、例えば、エッチング液が含まれる研磨剤で、研磨装置Ｇが利用されて機械的な研磨がなされる。これにより、その平坦面ＦＳに露出する埋込み電極Ｈ１１３２ＡおよびＨ１１３２Ｂが形成される。
【０１２４】
続いて、発熱抵抗層が平坦面ＦＳ全体にわたり形成された後、その発熱抵抗層に対し所定のパターニングおよびドライエッチング法によるエッチング処理が行われる。そのエッチング処理時間は、従来に比べて比較的短い期間とされ、かつ、必要最小限とされる所定時間に設定されている。これにより、発熱抵抗層Ｈ１１３４が埋込み電極Ｈ１１３２ＡおよびＨ１１３２Ｂに跨るように絶縁層Ｈ１１２６上に形成される。
【０１２５】
続いて、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１２６全体を覆うように保護層Ｈ１１２８が形成された後、耐キャビテーション層としての保護層が保護層Ｈ１１２８を覆うように形成される。
【０１２６】
そして、その保護層Ｈ１１２８を覆う保護層に対し所定のパターニングおよびエッチング処理が行われることにより、保護層Ｈ１１３０が形成されることとなる。なお、上述した駆動信号入力部の一部をなす電極パッドとなる部分における保護層Ｈ１１２８は除去される。
【０１２７】
図１５の（ａ）および（ｂ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第２の実施例を示す。なお、本実施例および後述する他の実施例において、図１に示される例において同一とされる構成要素については同一の符号を付して示しその重複説明を省略する。
【０１２８】
図１５の（ａ）および（ｂ）において、基板Ｈ１１０１は、薄板状に作られる基体Ｈ１１２０と、基体Ｈ１１２０の一方の平坦面上に形成される酸化膜Ｈ１１２２と、酸化膜Ｈ１１２２の同一面上に形成される共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂと、共通導体層Ｈ１１２４Ａ、個別導体層Ｈ１１２４Ｂ、および酸化膜Ｈ１１２２上に積層される絶縁層Ｈ１１３６と、共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂに対し上方に形成され、一対の電極部Ｈ１１３８Ａおよび１１３８Ｂを介して電気的に共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂに接続される発熱抵抗層Ｈ１１３４と、絶縁層Ｈ１１３６を覆う絶縁層Ｈ１１４０と、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１４０を覆う保護層Ｈ１１２８、および、保護層Ｈ１１３０とを含んで構成されている。
【０１２９】
絶縁層Ｈ１１３６は、上述した絶縁層Ｈ１１２６と同様に、例えば、燐酸化ケイ素により所定の比較的薄い膜厚さで均一に形成されている。絶縁層Ｈ１１３６内における共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂの他方の端部に対応してスルーホールＨ１１３６ａ、および、Ｈ１１３６ｂがそれぞれ形成されている。スルーホールＨ１１３６ａ、および、Ｈ１１３６ｂ内には、それぞれ、例えば、銅合金材料で作られた埋込み電極Ｈ１１３８Ａ、およびＨ１１３８Ｂがシード層ＳＳを介して設けられている。埋込み電極Ｈ１１３８Ａは、共通導体層Ｈ１１２４Ａと後述する発熱抵抗層Ｈ１１３４とを接続し、埋込み電極Ｈ１１３８Ｂは、共通導体層Ｈ１１２４Ｂと後述する発熱抵抗層Ｈ１１３４とを接続するものとされる。なお、埋込み電極Ｈ１１３８Ａ、およびＨ１１３８Ｂは、アルミニウム、アルミニウムとシリコンとの合金材料で作られても良い。
【０１３０】
絶縁層Ｈ１１４０は、埋込み電極Ｈ１１３８Ａ、およびＨ１１３８Ｂの一方の端面と同一の平面となる平滑な平坦面ＦＳを上面に有している。その平坦面ＦＳには、発熱抵抗層Ｈ１１３４が埋込み電極Ｈ１１３８Ａ、およびＨ１１３８Ｂに跨って形成されている。
【０１３１】
従って、本例においても、保護層Ｈ１１３０の外面部には、その保護層の欠陥の原因となる凹部または段差が形成されることがないのでその耐久性が向上することとなる。
【０１３２】
このような基板Ｈ１１０１を製造するにあたっては、先ず、図１６の（ａ）に示めされるように、基体Ｈ１１２０の平坦面に熱酸化により酸化膜Ｈ１１２２が形成された後、所定のパターニングおよびエッチング処理により、共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂが形成される。
【０１３３】
次に、図１６の（ｂ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１３６が例えば、ＣＶＤ法により、酸化膜Ｈ１１２２、共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂをその全体にわたり覆うように形成される。
【０１３４】
続いて、絶縁層Ｈ１１３６に対して所定のパターニング、エッチング処理が行われることにより、共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂに到達するスルーホールＨ１１３６ａおよびＨ１１３６ｂがそれぞれ形成される。
【０１３５】
続いて、図１６の（ｂ）に二点鎖線で示されるように、絶縁層Ｈ１１４０’が例えば、ＣＶＤ法により、絶縁層Ｈ１１３６をその全体にわたり覆うように形成される。
【０１３６】
続いて、絶縁層Ｈ１１３６に対して所定のパターニング、エッチング処理が行われることにより、スルーホールＨ１１３６ａおよびＨ１１３６ｂを介して共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂに到達するスルーホールＨ１１４０ａ’およびＨ１１４０ｂ’がそれぞれ形成される。
【０１３７】
その際、上述のシード層ＳＳがスパッタリングによりスルーホールＨ１１３６ａおよびＨ１１３６ｂ、スルーホールＨ１１４０ａ’およびＨ１１４０ｂ’を形成する内面に形成される。
【０１３８】
続いて、図１６の（ｃ）に二点鎖線で示されるように、埋込み電極を形成すべく、導電体層Ｈ１１３８が、例えば、電解メッキ法により、絶縁層Ｈ１１４０’の外表面、および、スルーホールＨ１１４０ａ’およびＨ１１４０ｂ’、スルーホールＨ１１３６ａおよびＨ１１３６ｂの内部を埋めるように形成される。その際、導電体層Ｈ１１３８の膜厚は、スルーホールＨ１１４０ａ’およびＨ１１４０ｂ’の深さとスルーホールＨ１１３６ａおよびＨ１１３６ｂの深さとを加算した値以上に設定される。
【０１３９】
続いて、図１６の（ｃ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１４０’上の導電体層Ｈ１１３２が除去され、かつ、絶縁層Ｈ１１４０’の上面が平坦面となるように所定量、研磨される。研磨は、例えば、エッチング液が含まれる研磨剤で、研磨装置Ｇが利用されて機械的な研磨がなされる。これにより、その平坦面ＦＳに露出する埋込み電極Ｈ１１３８ＡおよびＨ１１３８Ｂが形成される。
【０１４０】
続いて、発熱抵抗層が平坦面ＦＳ全体にわたり形成された後、その発熱抵抗層に対し所定のパターニングおよびドライエッチング法によるエッチング処理が行われる。そのエッチング処理時間は、従来に比べて比較的短い期間とされ、かつ、必要最小限とされる所定時間に設定されている。これにより、発熱抵抗層Ｈ１１３４が埋込み電極Ｈ１１３８ＡおよびＨ１１３８Ｂに跨るように絶縁層Ｈ１１４０上に形成される。
【０１４１】
続いて、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１４０全体を覆うように保護層Ｈ１１２８が形成された後、耐キャビテーション層としての保護層が保護層Ｈ１１２８を覆うように形成される。
【０１４２】
そして、その保護層Ｈ１１２８を覆う保護層に対し所定のパターニングおよびエッチング処理が行われることにより、保護層Ｈ１１３０が形成されることとなる。なお、上述した駆動信号入力部の一部をなす電極パッドとなる部分における保護層Ｈ１１２８は除去される。
【０１４３】
図１７の（ａ）および（ｂ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第３の実施例を示す。
【０１４４】
図１７の（ａ）および（ｂ）において、基板Ｈ１１０１は、薄板状に作られる基体Ｈ１１２０と、基体Ｈ１１２０の一方の平坦面上に形成される酸化膜Ｈ１１２２と、酸化膜Ｈ１１２２の上面に形成される個別導体層Ｈ１１５０と、個別導体層Ｈ１１５０、および酸化膜Ｈ１１２２上に積層される絶縁層Ｈ１１５２と、個別導体層Ｈ１１５０に対し真上に形成され、電極部Ｈ１１５８を介して電気的に個別導体層Ｈ１１５０に接続される発熱抵抗層Ｈ１１３４と、絶縁層Ｈ１１５２を覆う絶縁層Ｈ１１５４と、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１５４を覆う保護層Ｈ１１２８、および、保護層Ｈ１１３０とを含んで構成されている。
【０１４５】
絶縁層Ｈ１１５２は、上述した絶縁層Ｈ１１２６と同様に、例えば、燐酸化ケイ素により所定の比較的薄い膜厚さで均一に形成されている。絶縁層Ｈ１１５２内における個別導体層Ｈ１１５０の他方の端部に対応してスルーホールＨ１１５２ａがそれぞれ形成されている。スルーホールＨ１１５２ａ内には、例えば、銅合金材料で作られた埋込み電極Ｈ１１５８がシード層ＳＳを介して設けられている。埋込み電極Ｈ１１５８は、個別導体層Ｈ１１５０と発熱抵抗層Ｈ１１３４の下面の一端とを接続するものとされる。発熱抵抗層Ｈ１１３４の下面の他端は、また、共通電極層としての埋込み電極Ｈ１１５６に電気的に接続されている。埋込み電極Ｈ１１５６は、絶縁層Ｈ１１５４内における埋込み電極Ｈ１１５８に対向して設けられる凹部Ｈ１１５４ａ内にシード層ＳＳを介して設けられている。なお、埋込み電極Ｈ１１５８、および埋込み電極Ｈ１１５６は、アルミニウム、アルミニウムとシリコンとの合金材料で作られても良い。
【０１４６】
絶縁層Ｈ１１５４は、埋込み電極Ｈ１１５６、およびＨ１１５８の一方の端面と同一の平面となる平滑な平坦面ＦＳを上面に有している。その平坦面ＦＳには、発熱抵抗層Ｈ１１３４が埋込み電極Ｈ１１５６、およびＨ１１５８に跨って形成されている。
【０１４７】
従って、本例においても、保護層Ｈ１１３０の外面部には、その保護層の欠陥の原因となる凹部または段差が形成されることがないのでその耐久性が向上することとなる。
【０１４８】
このような基板Ｈ１１０１を製造するにあたっては、先ず、図１８の（ａ）に示めされるように、基体Ｈ１１２０の平坦面に熱酸化により酸化膜Ｈ１１２２が形成された後、所定のパターニングおよびエッチング処理により、個別導体層Ｈ１１５０が形成される。
【０１４９】
次に、図１８の（ｂ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１５２が例えば、ＣＶＤ法により、酸化膜Ｈ１１２２、個別導体層Ｈ１１５０をその全体にわたり覆うように形成される。
【０１５０】
続いて、絶縁層Ｈ１１５２に対して所定のパターニング、エッチング処理が行われることにより、個別導体層Ｈ１１５０に到達するスルーホールＨ１１５２ａがそれぞれ形成される。
【０１５１】
続いて、図１８の（ｂ）に二点鎖線で示されるように、絶縁層Ｈ１１５４’が例えば、ＣＶＤ法により、絶縁層Ｈ１１５２をその全体にわたり覆うように形成される。
【０１５２】
続いて、絶縁層Ｈ１１５４’に対して所定のパターニング、エッチング処理が行われることにより、スルーホールＨ１１５２ｂを介して共通導体層Ｈ１１５０に到達するスルーホールＨ１１５４ｂ’、および凹部Ｈ１１５４ａ’がそれぞれ形成される。凹部Ｈ１１５４ａ’の最大深さは、スルーホールＨ１１５４ｂ’の深さよりも大に設定されている。
【０１５３】
その際、上述のシード層ＳＳがスパッタリングによりスルーホールＨ１１５２ａ、凹部Ｈ１１５４ａ’およびスルーホールＨ１１５４ｂ’を形成する内面に形成される。
【０１５４】
続いて、図１８の（ｃ）に二点鎖線で示されるように、埋込み電極を形成すべく、導電体層Ｈ１１５７が、例えば、電解メッキ法により、絶縁層Ｈ１１５４’の外表面を覆い、スルーホールＨ１１５２ａおよびＨ１１５４ｂ’、凹部Ｈ１１５４ａ’の内部を埋めるように形成される。その際、導電体層Ｈ１１５７の膜厚は、スルーホールＨ１１５４ｂ’の深さとスルーホールＨ１１５２ａの深さとを加算した値以上に設定される。
【０１５５】
続いて、図１８の（ｃ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１５４’上の導電体層Ｈ１１５７が除去され、かつ、絶縁層Ｈ１１５４’の上面が平坦面となるように所定量、研磨される。研磨は、例えば、エッチング液が含まれる研磨剤で、研磨装置Ｇが利用されて機械的な研磨がなされる。これにより、その平坦面ＦＳに露出する埋込み電極Ｈ１１５６およびＨ１１５８が形成される。
【０１５６】
続いて、発熱抵抗層が平坦面ＦＳ全体にわたり形成された後、その発熱抵抗層に対し所定のパターニングおよびドライエッチング法によるエッチング処理が行われる。そのエッチング処理時間は、従来に比べて比較的短い期間とされ、かつ、必要最小限とされる所定時間に設定されている。これにより、発熱抵抗層Ｈ１１３４が埋込み電極Ｈ１１５６およびＨ１１５８に跨るように絶縁層Ｈ１１５４上に形成される。
【０１５７】
続いて、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１５４全体を覆うように保護層Ｈ１１２８が形成された後、耐キャビテーション層としての保護層が保護層Ｈ１１２８を覆うように形成される。
【０１５８】
そして、その保護層Ｈ１１２８を覆う保護層に対し所定のパターニングおよびエッチング処理が行われることにより、保護層Ｈ１１３０が形成されることとなる。なお、上述した駆動信号入力部の一部をなす電極パッドとなる部分における保護層Ｈ１１２８は除去される。
【０１５９】
図１９の（ａ）および（ｂ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第４の実施例を示す。
【０１６０】
図１９の（ａ）および（ｂ）において、基板Ｈ１１０１は、薄板状に作られる基体Ｈ１１２０と、基体Ｈ１１２０の一方の平坦面上に形成される酸化膜Ｈ１１２２と、酸化膜Ｈ１１２２の上面に形成される個別導体層Ｈ１１７４と、個別導体層Ｈ１１７４、および酸化膜Ｈ１１２２上に積層される絶縁層Ｈ１１７０と、個別導体層Ｈ１１７４に対し真上に形成され、電極部Ｈ１１７６を介して電気的に個別導体層Ｈ１１７４に接続される発熱抵抗層Ｈ１１７２と、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１７０を覆う保護層Ｈ１１２８、および、保護層Ｈ１１３０とを含んで構成されている。
【０１６１】
絶縁層Ｈ１１７０は、上述した絶縁層Ｈ１１２６と同様に、例えば、燐酸化ケイ素により所定の数μｍ程度の膜厚さで均一に形成されている。絶縁層Ｈ１１７０内における個別導体層Ｈ１１７４の一方の端部に対応してスルーホールＨ１１７０Ａが形成されている。スルーホールＨ１１７０Ａは、個別導体層Ｈ１１７４に対し開口する小開口部Ｈ１１７０ｂと、小開口部Ｈ１１７０ｂに連通するとともに、発熱抵抗層Ｈ１１７２に対し開口する大開口部１１７０ａとからなる。
また、絶縁層Ｈ１１７０内におけるスルーホールＨ１１７０Ａに対向した部分には、凹部Ｈ１１７０Ｂが形成されている。スルーホールＨ１１７０Ａ内には、例えば、銅合金材料で作られた埋込み電極Ｈ１１７６がシード層ＳＳを介して設けられている。埋込み電極Ｈ１１７６は、個別導体層Ｈ１１７４と発熱抵抗層Ｈ１１７２の下面の一端とを接続するものとされる。発熱抵抗層Ｈ１１７２の下面の他端は、また、凹部Ｈ１１７０Ｂにシード層ＳＳを介して設けられる共通電極層としての埋込み電極Ｈ１１７８に電気的に接続されている。
【０１６２】
なお、埋込み電極Ｈ１１７６、および埋込み電極Ｈ１１７８は、アルミニウム、アルミニウムとシリコンとの合金材料で作られても良い。
【０１６３】
絶縁層Ｈ１１７０は、埋込み電極Ｈ１１７６、およびＨ１１７８の一方の端面と同一の平面となる平滑な平坦面ＦＳを上面に有している。その平坦面ＦＳには、発熱抵抗層Ｈ１１７２が埋込み電極Ｈ１１７６、およびＨ１１７８に跨って形成されている。
【０１６４】
従って、本例においても、保護層Ｈ１１３０の外面部には、その保護層の欠陥の原因となる凹部または段差が形成されることがないのでその耐久性が向上することとなる。
【０１６５】
このような基板Ｈ１１０１を製造するにあたっては、先ず、図２０の（ａ）に示めされるように、基体Ｈ１１２０の平坦面に熱酸化により酸化膜Ｈ１１２２が形成された後、所定のパターニングおよびエッチング処理により、上述の例と同様な材料で個別導体層Ｈ１１７４が形成される。
【０１６６】
次に、図２０の（ｂ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１７０’が例えば、ＣＶＤ法により、酸化膜Ｈ１１２２、個別導体層Ｈ１１７４をその全体にわたり覆うように形成される。
【０１６７】
続いて、絶縁層Ｈ１１７０’に対して所定のパターニング、第一回目のエッチング処理が行われることにより、スルーホールＨ１１７０Ａにおける大開口部Ｈ１１７０ａに対応する凹部Ｈ１１７０Ａ’、および、凹部Ｈ１１７０Ｂに対応する凹部Ｈ１１７０Ｂ’が形成される。凹部Ｈ１１７０Ｂ’の最大深さは、凹部Ｈ１１７０ｂ’の深さよりも大に設定されている。
【０１６８】
続いて、凹部Ｈ１１７０Ｂ’に対しマスキング処理がなされるもとで、さらに小開口部Ｈ１１７０ｂに対応する部分Ｈ１１７０ｂ’を形成すべく所定のパターニング、第ニ回目のエッチング処理が行われる。これにより、個別導体層Ｈ１１７４に到達するスルーホールに対応する部分が形成されることとなる。
【０１６９】
その際、上述のシード層ＳＳがスパッタリングによりスルーホールＨ１１７０Ａ’、凹部Ｈ１１７０Ｂ’を形成する内面に形成される。
【０１７０】
続いて、図２０の（ｃ）に二点鎖線で示されるように、埋込み電極を形成すべく、導電体層Ｈ１１７７が、例えば、電解メッキ法により、絶縁層Ｈ１１７０’の外表面を覆い、スルーホールＨ１１７０Ａ’、凹部Ｈ１１７０Ｂ’の内部を埋めるように形成される。その際、導電体層Ｈ１１５７の膜厚は、スルーホールＨ１１７０Ａ’の深さ以上に設定される。
【０１７１】
続いて、図２０の（ｃ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１７０’上の導電体層Ｈ１１７７が除去され、かつ、絶縁層Ｈ１１７０’の上面が平坦面となるように所定量、研磨される。研磨は、例えば、エッチング液が含まれる研磨剤で、研磨装置Ｇが利用されて機械的な研磨がなされる。これにより、その平坦面ＦＳに露出する埋込み電極Ｈ１１７６およびＨ１１７８が形成される。
【０１７２】
続いて、発熱抵抗層が平坦面ＦＳ全体にわたりスパッタリング法で形成された後、その発熱抵抗層に対し所定のパターニングおよびドライエッチング法によるエッチング処理が行われる。これにより、発熱抵抗層Ｈ１１７２が埋込み電極Ｈ１１７６およびＨ１１７８に跨るように絶縁層Ｈ１１７０上に形成される。
【０１７３】
続いて、発熱抵抗層Ｈ１１７２および絶縁層Ｈ１１７０全体を覆うように保護層Ｈ１１２８が形成された後、耐キャビテーション層としての保護層が保護層Ｈ１１２８を覆うように形成される。
【０１７４】
そして、その保護層Ｈ１１２８を覆う保護層に対し所定のパターニングおよびエッチング処理が行われることにより、保護層Ｈ１１３０が形成されることとなる。なお、上述した駆動信号入力部の一部をなす電極パッドとなる部分における保護層Ｈ１１２８は除去される。
【０１７５】
従って、本例は、図２０の（ｂ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１７０’に対し連続したエッチング処理を２回行うことにより、上述の第３の実施例において必要とされる絶縁層Ｈ１１５２を形成する工程が不要となり、その結果、生産性の向上および製造コストの低減が図られることとなる。
【０１７６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る記録ヘッド用基板、それを備える液体吐出記録ヘッドおよび記録装置によれば、発熱抵抗体層が絶縁層と電極部との共通の平坦面上に導体層に対向して形成され電極部に電気的に接続され、また、保護層が、発熱抵抗体層および絶縁層上に積層され発熱抵抗体層および絶縁層を覆うので保護層の欠陥の原因となる発熱抵抗層に対向する保護層の凹部（段差）をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第１の実施例の要部を部分的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される例における部分断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ），および、（ｃ）は、それぞれ、図１に示される例における製造工程の説明に供される部分断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるインクジェットプリンタの外観構成を示す斜視図である。
【図４】図３に示すプリンタの外装部材を取り外した状態を示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施例によるプリンタに用いる記録ヘッドカートリッジを組立てた状態を示す斜視図である。
【図６】図５に示す記録ヘッドカートリッジを示す分解斜視図である。
【図７】図６に示した記録ヘッドを斜め下方から観た分解斜視図である。
【図８】（ａ），（ｂ）は、それぞれ、図５の記録ヘッドカートリッジに代えて本発明の一実施例によるプリンタに搭載可能なスキャナカートリッジの構成を示すために、そのスキャナカートリッジを天地逆にして示す斜視図である。
【図９】本発明の一実施例のプリンタにおける電気的回路の全体構成を概略的に示すブロック図である。
【図１０】図９に示した電気回路のうちメインＰＣＢの内部構成例を示すブロック図である。
【図１１】図１０に示したメインＰＣＢのうちＡＳＩＣの内部構成例を示すブロック図である。
【図１２】本発明の一実施例のプリンタの動作例を示すフローチャートである。
【図１３】本発明に係る液体吐出記録ヘッドの一例の要部の部分断面を示す斜視図である。
【図１４】本発明に係る液体吐出記録ヘッドの他の一例の要部の部分断面を示す斜視図である。
【図１５】（ａ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第２の実施例の要部を部分的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される例における部分断面図である。
【図１６】（ａ），（ｂ），および、（ｃ）は、それぞれ、図１５に示される例における製造工程の説明に供される部分断面図である。
【図１７】（ａ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第３の実施例の要部を部分的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される例における部分断面図である。
【図１８】（ａ），（ｂ），および、（ｃ）は、それぞれ、図１７に示される例における製造工程の説明に供される部分断面図である。
【図１９】（ａ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第４の実施例の要部を部分的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される例における部分断面図である。
【図２０】（ａ），（ｂ），（ｃ）、および、（ｄ）は、それぞれ、図１９に示される例における製造工程の説明に供される部分断面図である。
【図２１】従来の記録ヘッド用基板の構成を示す部分断面図である。
【符号の説明】
Ｍ１０００ 装置本体
Ｍ１００１ 下ケース
Ｍ１００２ 上ケース
Ｍ１００３ アクセスカバー
Ｍ１００４ 排出トレイ
Ｍ２０１５ 紙間調整レバー
Ｍ２００３ 排紙ローラ
Ｍ３００１ ＬＦローラ
Ｍ３０１９ シャーシ
Ｍ３０２２ 自動給送部
Ｍ３０２９ 搬送部
Ｍ３０３０ 排出部
Ｍ４０００ 記録部
Ｍ４００１ キャリッジ
Ｍ４００２ キャリッジカバー
Ｍ４００７ ヘッドセットレバー
Ｍ４０２１ キャリッジ軸
Ｍ５０００ 回復系ユニット
Ｍ６０００ スキャナ
Ｍ６００１ スキャナホルダ
Ｍ６００３ スキャナカバー
Ｍ６００４ スキャナコンタクトＰＣＢ
Ｍ６００５ スキャナ照明レンズ
Ｍ６００６ スキャナ読取レンズ１
Ｍ６１００ 保管箱
Ｍ６１０１ 保管箱ベース
Ｍ６１０２ 保管箱カバー
Ｍ６１０３ 保管箱キャップ
Ｍ６１０４ 保管箱バネ
Ｅ０００１ キャリッジモータ
Ｅ０００２ ＬＦモータ
Ｅ０００３ ＰＧモータ
Ｅ０００４ エンコーダセンサ
Ｅ０００５ エンコーダスケール
Ｅ０００６ インクエンドセンサ
Ｅ０００７ ＰＥセンサ
Ｅ０００８ ＧＡＰセンサ（紙間センサ）
Ｅ０００９ ＡＳＦセンサ
Ｅ００１０ ＰＧセンサ
Ｅ００１１ コンタクトＦＰＣ（フレキシブルプリントケーブル）
Ｅ００１２ ＣＲＦＦＣ（フレキシブルフラットケーブル）
Ｅ００１３ キャリッジ基板
Ｅ００１４ メイン基板
Ｅ００１５ 電源ユニット
Ｅ００１６ パラレルＩ／Ｆ
Ｅ００１７ シリアルＩ／Ｆ
Ｅ００１８ 電源キー
Ｅ００１９ リジュームキー
Ｅ００２０ ＬＥＤ
Ｅ００２１ ブザー
Ｅ００２２ カバーセンサ
Ｅ１００１ ＣＰＵ
Ｅ１００２ ＯＳＣ（ＣＰＵ内蔵オシレータ）
Ｅ１００３ Ａ／Ｄ（ＣＰＵ内蔵Ａ／Ｄコンバータ）
Ｅ１００４ ＲＯＭ
Ｅ１００５ 発振回路
Ｅ１００６ ＡＳＩＣ
Ｅ１００７ リセット回路
Ｅ１００８ ＣＲモータドライバ
Ｅ１００９ ＬＦ／ＰＧモータドライバ
Ｅ１０１０ 電源制御回路
Ｅ１０１１ ＩＮＫＳ（インクエンド検出信号）
Ｅ１０１２ ＴＨ（サーミスタ温度検出信号）
Ｅ１０１３ ＨＳＥＮＳ（ヘッド検出信号）
Ｅ１０１４ 制御バス
Ｅ１０１５ ＲＥＳＥＴ（リセット信号）
Ｅ１０１６ ＲＥＳＵＭＥ（リジュームキー入力）
Ｅ１０１７ ＰＯＷＥＲ（電源キー入力）
Ｅ１０１８ ＢＵＺ（ブザー信号）
Ｅ１０１９ 発振回路出力信号
Ｅ１０２０ ＥＮＣ（エンコーダ信号）
Ｅ１０２１ ヘッド制御信号
Ｅ１０２２ ＶＨＯＮ（ヘッド電源ＯＮ信号）
Ｅ１０２３ ＶＭＯＮ（モータ電源ＯＮ信号）
Ｅ１０２４ 電源制御信号
Ｅ１０２５ ＰＥＳ（ＰＥ検出信号）
Ｅ１０２６ ＡＳＦＳ（ＡＳＦ検出信号）
Ｅ１０２７ ＧＡＰＳ（ＧＡＰ検出信号）
Ｅ００２８ シリアルＩ／Ｆ信号
Ｅ１０２９ シリアルＩ／Ｆケーブル
Ｅ１０３０ パラレルＩ／Ｆ信号
Ｅ１０３１ パラレルＩ／Ｆケーブル
Ｅ１０３２ ＰＧＳ（ＰＧ検出信号）
Ｅ１０３３ ＰＭ制御信号（パルスモータ制御信号）
Ｅ１０３４ ＰＧモータ駆動信号
Ｅ１０３５ ＬＦモータ駆動信号
Ｅ１０３６ ＣＲモータ制御信号
Ｅ１０３７ ＣＲモータ駆動信号
Ｅ００３８ ＬＥＤ駆動信号
Ｅ１０３９ ＶＨ（ヘッド電源）
Ｅ１０４０ ＶＭ（モータ電源）
Ｅ１０４１ ＶＤＤ（ロジック電源）
Ｅ１０４２ ＣＯＶＳ（カバー検出信号）
Ｅ２００１ ＣＰＵ Ｉ／Ｆ
Ｅ２００２ ＰＬＬ
Ｅ２００３ ＤＭＡ制御部
Ｅ２００４ ＤＲＡＭ制御部
Ｅ２００５ ＤＲＡＭ
Ｅ２００６ １２８４ Ｉ／Ｆ
Ｅ２００７ ＵＳＢ Ｉ／Ｆ
Ｅ２００８ 受信制御部
Ｅ２００９ 圧縮・伸長ＤＭＡ
Ｅ２０１０ 受信バッファ
Ｅ２０１１ ワークバッファ
Ｅ２０１２ ワークエリアＤＭＡ
Ｅ２０１３ 記録バッファ転送ＤＭＡ
Ｅ２０１４ プリントバッファ
Ｅ２０１５ 記録データ展開ＤＭＡ
Ｅ２０１６ 展開用データバッファ
Ｅ２０１７ カラムバッファ
Ｅ２０１８ ヘッド制御部
Ｅ２０１９ エンコーダ信号処理部
Ｅ２０２０ ＣＲモータ制御部
Ｅ２０２１ ＬＦ／ＰＧモータ制御部
Ｅ２０２２ センサ信号処理部
Ｅ２０２３ モータ制御バッファ
Ｅ２０２４ スキャナ取込みバッファ
Ｅ２０２５ スキャナデータ処理ＤＭＡ
Ｅ２０２６ スキャナデータバッファ
Ｅ２０２７ スキャナデータ圧縮ＤＭＡ
Ｅ２０２８ 送出バッファ
Ｅ２０２９ ポート制御部
Ｅ２０３０ ＬＥＤ制御部
Ｅ２０３１ ＣＬＫ（クロック信号）
Ｅ２０３２ ＰＤＷＭ（ソフト制御信号）
Ｅ２０３３ ＰＬＬＯＮ（ＰＬＬ制御信号）
Ｅ２０３４ ＩＮＴ（割り込み信号）
Ｅ２０３６ ＰＩＦ受信データ
Ｅ２０３７ ＵＳＢ受信データ
Ｅ２０３８ ＷＤＩＦ（受信データ／ラスタデータ）
Ｅ２０３９ 受信バッファ制御部
Ｅ２０４０ ＲＤＷＫ（受信バッファ読み出しデータ／ラスタデータ）
Ｅ２０４１ ＷＤＷＫ（ワークバッファ書込みデータ／記録コード）
Ｅ２０４２ ＷＤＷＦ（ワークフィルデータ）
Ｅ２０４３ ＲＤＷＰ（ワークバッファ読み出しデータ／記録コード）
Ｅ２０４４ ＷＤＷＰ（並べ替え記録コード）
Ｅ２０４５ ＲＤＨＤＧ（記録展開用データ）
Ｅ２０４７ ＷＤＨＤＧ（カラムバッファ書込みデータ／展開記録データ）Ｅ２０４８ ＲＤＨＤ（カラムバッファ読み出しデータ／展開記録データ）
Ｅ２０４９ ヘッド駆動タイミング信号
Ｅ２０５０ データ展開タイミング信号
Ｅ２０５１ ＲＤＰＭ（パルスモータ駆動テーブル読み出しデータ）
Ｅ２０５２ センサ検出信号
Ｅ２０５３ ＷＤＨＤ（取込みデータ）
Ｅ２０５４ ＲＤＡＶ（取込みバッファ読み出しデータ）
Ｅ２０５５ ＷＤＡＶ（データバッファ書込みデータ／処理済データ）
Ｅ２０５６ ＲＤＹＣ（データバッファ読み出しデータ／処理済データ）
Ｅ２０５７ ＷＤＹＣ（送出バッファ書込みデータ／圧縮データ）
Ｅ２０５８ ＲＤＵＳＢ（ＵＳＢ送信データ／圧縮データ）
Ｅ２０５９ ＲＤＰＩＦ（１２８４送信データ）
Ｈ１０００ 記録ヘッドカートリッジ
Ｈ１００１ 記録ヘッド
Ｈ１１００ 記録素子基板
Ｈ１１００Ｔ 吐出口
Ｈ１１２６，Ｈ１１４０，Ｈ１１５４、Ｈ１１７０ 絶縁層
Ｈ１１２４ＡＢ 個別導体層
Ｈ１１２４Ａ 共通導体層
Ｈ１１３０ 保護層
Ｈ１１３２Ａ，１１３２Ｂ 電極部
Ｈ１１３４ 発熱抵抗層
Ｈ１２００ 第１のプレート
Ｈ１２０１ インク供給口
Ｈ１３００ 電気配線基板
Ｈ１３０１ 外部信号入力端子
Ｈ１４００ 第２のプレート
Ｈ１５００ タンクホルダー
Ｈ１５０１ インク流路
Ｈ１６００ 流路形成部材
Ｈ１７００ フィルター
Ｈ１８００ シールゴム
Ｈ１９００ インクタンク
Ｈ１６００ｄ 連通路
ＦＳ 平坦面
ＳＳ シード層
【発明の属する技術分野】
本発明は、発熱抵抗層を保護する保護層の厚さを薄くすることができる記録ヘッド用基板、それを備える液体吐出記録ヘッドおよび記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、特許文献１にも示されるように、加熱による膜沸騰現象によって記録媒体の記録面に対しインク滴を吐出し記録動作を行うインクジェット記録ヘッドは、広く実用に供されている。インクジェット記録ヘッドは、例えば、インクを加熱する発熱抵抗体層が基体上に形成される記録ヘッド用基板（以下、基板という）と、基板上に設けられ複数のインク吐出口、各インク吐出口に連通するインク流路、および、インク流路の一端が合流する共通インク室を形成するインク流路形成部材とを含んで構成されている。
【０００３】
その基板は、例えば、図２１に示されるように、基体２上に形成される絶縁層４上に積層される発熱抵抗層６と、発熱抵抗層６上に発熱部６ａを挟んで離隔して形成され供給される電力を発熱抵抗層６に導く電極層８Ａおよび８Ｂと、電極層８Ａおよび８Ｂ、発熱抵抗層６を被覆する保護層１０と、その保護層１０をさらに覆う保護層１２および１４とを含んで構成されている。
【０００４】
従って、保護層１０と、保護層１２および１４とは、インク流路形成部材により形成される各インク流路１６における底部を形成することとなる。各インク流路１６は、例えば、一方の端部側にインク吐出口が形成されている。
【０００５】
保護層１０、保護層１２および１４は、ピンホールなどの欠陥によりインクが直接的に発熱抵抗層６に接触することを回避するためにその膜厚が全体に亘って均一となるように形成されることが望まれる。
【０００６】
しかし、保護層１０、保護層１２および１４は、図２１に示されるように、電極層８Ａおよび８Ｂの下面であって相互間に形成される発熱抵抗層６の発熱部６ａを覆うように形成されるので保護層１２の表層が発熱部６ａに対応して凹部または段差（ステップ）を有することとなる。
【０００７】
そこで、熱ストレスに起因した保護層１２の亀裂を回避すべく保護層１２の凹部の周縁部についてもその膜厚が他の部分と同様に均一となるように保護層１２を形成するためには、保護層１２を十分厚く形成することが必要となる。
【０００８】
このように保護層１２を十分厚く形成する場合、省電力化、熱応答性、発熱抵抗層の耐久性の観点からは、得策とは言えないので保護層の膜厚をより薄くし、しかも、保護層１２の凹部の周縁部についても欠陥が生じない方法が提案されている。
【０００９】
例えば、特許文献２においては、保護膜のバイアススパッタ方法、特許文献３においては、保護膜における段差の形状を変更する方法、特許文献４においては、保護膜のリフロー方法、および、ＨＰジャーナルにおいて、電極の断面形状をテーパ状の電極の断面形状に変更する方法等が提案されている。
【００１０】
【特許文献１】
特開昭５２−１１８７９８号公報
【００１１】
【特許文献２】
特開昭６０−２３４８５０号公報
【００１２】
【特許文献３】
特開昭６２−４５２８３号公報
【００１３】
【特許文献４】
特開昭６２−４５２８６号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上述の保護膜のバイアススパッタ方法においては、安定した均一な膜圧形成が困難となる虞があり、保護膜における段差の形状を変更する方法、および、保護膜のリフロー方法においては、製造工程数が増大するという不都合が生じる。
【００１５】
また、電極の断面形状をテーパ状の電極の断面形状に変更する方法においては、テーパ形状の勾配が比較的大なる電極の部位によっては、保護層の膜厚が十分とはならず、一方、 テーパ形状の勾配が比較的小なる電極の部位によっては、電極に接続される配線の幅、および、断面積が小となり配線抵抗が比較的大となる虞がある。
【００１６】
以上の問題点を考慮し、本発明は、発熱抵抗層を保護する保護層の厚さを薄くすることができる記録ヘッド用基板、それを備える記録ヘッドおよび記録装置であって、保護層の欠陥の原因となる発熱抵抗層に対向する保護層の凹部（段差）をなくすことができる記録ヘッド用基板、それを備える液体吐出記録ヘッドおよび記録装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明に係る記録ヘッド用基板は、基体上に形成され駆動信号を供給する導体層と、導体層に一端が電気的に接続され絶縁層を介して基体上に設けられる電極部と、絶縁層と電極部との共通の平坦面上に導体層に対向して形成され電極部に電気的に接続される発熱抵抗体層と、発熱抵抗体層および絶縁層上に積層され発熱抵抗体層および絶縁層を覆う保護層とを備えて構成される。
【００１８】
また、本発明に係る液体吐出記録ヘッドは、上述の記録ヘッド用基板と、記録ヘッド用基板上に設けられ発熱抵抗体層に対応して記録用の液体を液体吐出口に導く液体流路を形成する液体流路形成部材とを備えて構成される。
【００１９】
さらに、本発明に係る記録装置は、上述の液体吐出記録ヘッドと、液体吐出記録ヘッドを記録媒体の記録面に対向して移動させる移動手段と、移動手段に移動させる動作を行わせるとともに、液体吐出記録ヘッドに記録動作を行わせる制御部と備えて構成される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係る液体吐出記録ヘッドを備える記録装置に係る実施形態を説明する。
【００２１】
なお、以下に説明する実施形態では、インクジェット記録方式を用いた記録装置としてプリンタを例に挙げ説明する。
【００２２】
そして、本明細書において、「プリント」（「記録」という場合もある）とは、文字、図形等有意の情報を形成する場合のみならず、有意無意を問わず、また人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものであるか否かを問わず、広くプリント媒体上に画像、模様、パターン等を形成する、または媒体の加工を行う場合も言うものとする。
【００２３】
ここで、「プリント媒体」とは、一般的なプリント装置で用いられる紙のみならず、広く、布、プラスチック・フィルム、金属板等、ガラス、セラミックス、木材、皮革等、インクを受容可能な物も言うものとする。
【００２４】
さらに、「インク」（「液体」という場合もある）とは、上記「プリント」の定義と同様広く解釈されるべきもので、プリント媒体上に付与されることによって、画像、模様、パターン等の形成またはプリント媒体の加工、或いはインクの処理（例えばプリント媒体に付与されるインク中の色材の凝固または不溶化）に供され得る液体を言うものとする。
【００２５】
［装置本体］
図３及び図４にインクジェット記録方式を用いたプリンタの概略構成を示す。図３において、この実施形態におけるプリンタの装置本体Ｍ１０００の外郭は、下ケースＭ１００１、上ケースＭ１００２、アクセスカバーＭ１００３及び排出トレイＭ１００４を含む外装部材と、その外装部材内に収納されたシャーシＭ３０１９（図４参照）とから構成される。
【００２６】
シャーシＭ３０１９は、所定の剛性を有する複数の板状金属部材によって構成され、記録装置の骨格をなし、後述の各記録動作機構を保持するものとなっている。
【００２７】
また、前記下ケースＭ１００１は装置本体Ｍ１０００の外装の略下半部を、上ケースＭ１００２は装置本体Ｍ１０００の外装の略上半部をそれぞれ形成しており、両ケースの組合せによって内部に後述の各機構を収納する収納空間を有する中空体構造をなしている。装置本体Ｍ１０００の上面部及び前面部には、それぞれ、開口部が形成されている。
【００２８】
さらに、排出トレイＭ１００４は、その一端部が下ケースＭ１００１に回転自在に保持され、その回転によって下ケースＭ１００１の前面部に形成される前記開口部を開閉させ得るようになっている。このため、記録動作を実行させる際には、排出トレイＭ１００４を前面側へと回転させて開口部を開成させることにより、ここから記録シートが排出可能となると共に排出された記録シートＰを順次積載し得るようになっている。また、排紙トレイＭ１００４には、２枚の補助トレイＭ１００４ａ，Ｍ１００４ｂが収納されており、必要に応じて各トレイを手前に引き出すことにより、用紙の支持面積を３段階に拡大、縮小させ得るようになっている。
【００２９】
アクセスカバーＭ１００３は、その一端部が上ケースＭ１００２に回転自在に保持され、上面に形成される開口部を開閉し得るようになっており、このアクセスカバーＭ１００３を開くことによって本体内部に収納されている記録ヘッドカートリッジＨ１０００あるいはインクタンクＨ１９００等の交換が可能となる。なお、ここでは特に図示しないが、アクセスカバーＭ１００３を開閉させると、その裏面に形成された突起がカバー開閉レバーを回転させるようになっており、そのレバーの回転位置をマイクロスイッチなどで検出することにより、アクセスカバーの開閉状態を検出し得るようになっている。
【００３０】
また、上ケースＭ１００２の後部上面には、電源キーＥ００１８及びレジュームキーＥ００１９が押下可能に設けられると共に、ＬＥＤ Ｅ００２０が設けられており、電源キーＥ００１８を押下すると、ＬＥＤ Ｅ００２０が点灯し記録可能であることをオペレータに知らせるものとなっている。また、ＬＥＤ Ｅ００２０は点滅の仕方や色の変化をさせたり、プリンタのトラブル等をオペレータに知らせる等種々の表示機能を有する。さらに、ブザーＥ００２１（図７）をならすこともできる。なお、トラブル等が解決した場合には、レジュームキーＥ００１９を押下することによって記録が再開されるようになっている。
【００３１】
［記録動作機構］
次に、プリンタの装置本体Ｍ１０００に収納、保持される本実施形態における記録動作機構について説明する。
【００３２】
本実施形態における記録動作機構としては、記録シートＰを装置本体内へと自動的に給送する自動給送部Ｍ３０２２と、自動給送部から１枚ずつ送出される記録シートＰを所定の記録位置へと導くと共に、記録位置から排出部Ｍ３０３０へと記録シートＰを導く搬送部Ｍ３０２９と、記録位置に搬送された記録シートＰに所望の記録を行なう記録部と、前記記録部等に対する回復処理を行う回復部（Ｍ５０００）とから構成されている。
【００３３】
（記録部）
ここで、記録部について説明するに、その記録部は、キャリッジ軸Ｍ４０２１によって移動可能に支持されたキャリッジＭ４００１と、このキャリッジＭ４００１に着脱可能に搭載される記録ヘッドカートリッジＨ１０００とからなる。
【００３４】
記録ヘッドカートリッジ
まず、記録部に用いられる記録ヘッドカートリッジについて図５〜７に基づき説明する。
【００３５】
この実施形態における記録ヘッドカートリッジＨ１０００は、図５に示すようにインクを貯留するインクタンクＨ１９００と、このインクタンクＨ１９００から供給されるインクを記録情報に応じてノズルから吐出させる記録ヘッドＨ１００１とを有する。記録ヘッドＨ１００１は、後述するキャリッジＭ４００１に対して着脱可能に搭載される、いわゆるカートリッジ方式を採るものとなっている。
【００３６】
ここに示す記録ヘッドカートリッジＨ１０００では、写真調の高画質なカラー記録を可能とするため、インクタンクとして、例えば、ブラック、ライトシアン、ライトマゼンタ、シアン、マゼンタ及びイエローの各色独立のインクタンクＨ１９００が用意されており、図６に示すように、それぞれが記録ヘッドＨ１００１に対して着脱自在となっている。
【００３７】
そして，記録ヘッドＨ１００１は、図７の分解斜視図に示すように、記録素子基板Ｈ１１００、第１のプレートＨ１２００、電気配線基板Ｈ１３００、第２のプレートＨ１４００、タンクホルダーＨ１５００、流路形成部材Ｈ１６００、フィルターＨ１７００、シールゴムＨ１８００から構成されている。
【００３８】
記録素子基板Ｈ１１００には、図１３に示されるように、Ｓｉ基板の片面にインクを吐出するための複数の記録素子（電気熱変換素子）Ｈ１１０３と、各記録素子Ｈ１１０３に電力を供給するＡｌ等の電気配線とが成膜技術により形成され、この記録素子に対応した複数のインク流路と複数の吐出口Ｈ１１００Ｔとがフォトリソグラフィ技術により形成されると共に、複数のインク流路にインクを供給するためのインク供給口Ｈ１１０２が裏面に開口するように形成されている。
【００３９】
記録素子基板Ｈ１１００は、例えば、その表面に薄膜が形成されているＳｉ基板Ｈ１１０１と、基板Ｈ１１０１上に形成されるオリフィスプレートＨ１１１２とから構成されている。
【００４０】
基板Ｈ１１０１は、例えば、厚さ０．５〜１（ｍｍ）とされ、６色のインク流路として長溝状の貫通口からなるインク供給口Ｈ１１０２が６列互いに平行に一体に形成されている。隣接するインク供給口Ｈ１１０２の相互間距離は、例えば、約２．５ｍｍに設定されている。このように相互間距離が比較的小とされるので記録ヘッドの小型化が図られることとなる。各々のインク供給口Ｈ１１０２の両側には、記録素子としての電気熱変換素子Ｈ１１０３がそれぞれ１列ずつ千鳥状に複数個、例えば、各インク色ごとに約１２００ｄｐｉ程度に配列形成されている。各電気熱変換素子Ｈ１１０３は、後述する保護層により被覆されている。
【００４１】
基板１１０１上に形成される複数の電気熱変換素子Ｈ１１０３および各電気熱変換素子Ｈ１１０３に電力を供給するＡｌ等の電気配線（図１３において図示が省略される）は、成膜技術により形成されている。また、その電気配線に電力を供給するための電極部は、電気熱変換素子Ｈ１１０３の配列方向に対して直交する方向の端部に沿って形成されている。電極部は、金等のバンプが複数個、上述の電気配線基板Ｈ１３００の電極端子Ｈ１３０２にそれぞれ対応して設けられている。
【００４２】
インク供給口Ｈ１１０２は、例えば，Ｓｉ基板１１０１の結晶方位を利用して、異方性エッチングを行うことにより形成される。
【００４３】
また、基板Ｈ１１０１上に形成されるオリフィスプレートＨ１１１２には、図１３に示されるように、各電気熱変換素子Ｈ１１０３に対応したインク流路を形成するためのインク流路壁Ｈ１１０６と吐出口１１００Ｔとがフォトリソグラフィ技術により形成される。従って、隣接する吐出口１１００Ｔは、互いにインク流路壁Ｈ１１０６により仕切られることとなる。
【００４４】
各インク供給口Ｈ１１０２から供給される６色のインクにそれぞれ対応した６列の吐出口Ｈ１１００Ｔ列が一体に１枚のオリフィスプレートＨ１１１２に形成されている。吐出口Ｈ１１００Ｔ列は、電気熱変換素子Ｈ１１０３の配列と同様に、千鳥状に複数個、例えば、各インク色ごとに約１２００ｄｐｉ程度に配列形成されている。即ち、吐出口Ｈ１１００Ｔは、電気熱変換素子Ｈ１１０３に対向して設けられている。
【００４５】
なお、上述の記録素子基板Ｈ１１００は、所謂、サイドシュータタイプとされうが、かかる例に限られることなく、例えば、図１４に示されるように、エッジシュータタイプの記録素子基板であってもよい。
【００４６】
図１４において、記録素子基板は、シリコンの基板Ｈ１１０１’と、基板Ｈ１１０１’上に形成されるオリフィスプレートＨ１１１２’とから構成されている。
【００４７】
基板Ｈ１１０１’上には、記録媒体の搬送方向に対し略直交する方向に沿って所定の間隔で後述する保護層を介して電気熱変換素子Ｈ１１０３が形成されている。
【００４８】
オリフィスプレートＨ１１１２’は、基板Ｈ１１０１’に対向する部分にインク流路壁Ｈ１１０６’が隣接する電気熱変換素子Ｈ１１０３’相互間、および、両端の電気熱変換素子Ｈ１１０３’にそれぞれ隣接して形成されている。
【００４９】
オリフィスプレートＨ１１１２’のインク流路壁Ｈ１１０６’が基板Ｈ１１０１’上に接合されることにより、それぞれ、電気熱変換素子Ｈ１１０３’に対応したインク流路が形成されることとなる。各インク流路の一方の端部には、インクを吐出するインク吐出口Ｈ１１００Ｔ’が形成されている。また、各インク流路の他方の端部は、それぞれ、所定量のインクが貯留される共通インク室Ｈ１１０４’に連通している。オリフィスプレートＨ１１１２’の上部には、共通インク室Ｈ１１０４’内にインクを導き入れるインク供給口Ｈ１１０５’が形成されている。
【００５０】
また、記録素子基板Ｈ１１００は、第１のプレートＨ１２００に接着固定されており、ここには、前記記録素子基板Ｈ１１００にインクを供給するためのインク供給口Ｈ１２０１が形成されている。さらに、第１のプレートＨ１２００には、開口部を有する第２のプレートＨ１４００が接着固定されており、この第２のプレートＨ１４００を介して、電気配線基板Ｈ１３００が記録素子基板Ｈ１１００に対して電気的に接続されるよう保持されている。この電気配線基板Ｈ１３００は、記録素子基板Ｈ１１００にインクを吐出するための電気信号を印加するものであり、記録素子基板Ｈ１１００に対応する電気配線と、この電気配線端部に位置し本体からの電気信号を受け取るための外部信号入力端子Ｈ１３０１とを有しており、外部信号入力端子Ｈ１３０１は、後述のタンクホルダーＨ１５００の背面側に位置決め固定されている。
【００５１】
一方、インクタンクＨ１９００を着脱可能に保持するタンクホルダーＨ１５００には、流路形成部材Ｈ１６００が例えば、超音波溶着により固定され、インクタンクＨ１９００から第１のプレートＨ１２００に亘るインク流路Ｈ１５０１を形成している。また、インクタンクＨ１９００と係合するインク流路Ｈ１５０１のインクタンク側端部には、フィルターＨ１７００が設けられており、外部からの塵埃の侵入を防止し得るようになっている。また、インクタンクＨ１９００との係合部にはシールゴムＨ１８００が装着され、係合部からのインクの蒸発を防止し得るようになっている。
【００５２】
さらに、前述のようにタンクホルダーＨ１５００、流路形成部材Ｈ１６００、フィルターＨ１７００及びシールゴムＨ１８００から構成されるタンクホルダー部と、前記記録素子基板Ｈ１１００、第１のプレートＨ１２００、電気配線基板Ｈ１３００及び第２のプレートＨ１４００から構成される記録素子部とを、接着等で結合することにより、記録ヘッドＨ１００１を構成している。
【００５３】
（キャリッジ）
次に、図４を参照して記録ヘッドカートリッジＨ１０００を搭載するキャリッジＭ４００１を説明する。
【００５４】
図４に示すように、キャリッジＭ４００１には、キャリッジＭ４００１と係合し記録ヘッドＨ１００１をキャリッジＭ４００１上の所定の装着位置に案内するためのキャリッジカバーＭ４００２と、記録ヘッドＨ１００１のタンクホルダーＨ１５００と係合し記録ヘッドＨ１００１を所定の装着位置にセットさせるよう押圧するヘッドセットレバーＭ４００７とが設けられている。
すなわち、ヘッドセットレバーＭ４００７はキャリッジＭ４００１の上部にヘッドセットレバー軸に対して回動可能に設けられると共に、記録ヘッドＨ１００１との係合部には、ばね付勢されるヘッドセットプレート（不図示）が備えられ、このばね力によって記録ヘッドＨ１００１を押圧しながらキャリッジＭ４００１に装着する構成となっている。
【００５５】
また、キャリッジＭ４００１の記録ヘッドＨ１００１との別の係合部にはコンタクトフレキシブルプリントケーブル（図９参照、以下、コンタクトＦＰＣと称す）Ｅ００１１が設けられ、コンタクトＦＰＣ Ｅ００１１上のコンタクト部と記録ヘッドＨ１００１に設けられたコンタクト部（外部信号入力端子）Ｈ１３０１とが電気的に接触し、記録のための各種情報の授受や記録ヘッドＨ１００１への電力の供給などを行い得るようになっている。
【００５６】
ここでコンタクトＦＰＣ Ｅ００１１のコンタクト部とキャリッジＭ４００１との間には不図示のゴムなどの弾性部材が設けられ、この弾性部材の弾性力とヘッドセットレバーばねによる押圧力とによってコンタクト部とキャリッジＭ４００１との確実な接触を可能とするようになっている。さらに前記コンタクトＦＰＣ Ｅ００１１はキャリッジＭ４００１の背面に搭載されたキャリッジ基板Ｅ００１３に接続されている（図９参照）。
【００５７】
［スキャナ］
この実施形態におけるプリンタは、上述した記録ヘッドカートリッジＨ１０００の代わりにキャリッジＭ４００１にスキャナを装着することで読取装置としても使用することができる。
【００５８】
このスキャナは、プリンタ側のキャリッジＭ４００１と共に主走査方向に移動し、記録媒体に代えて給送された原稿画像をその主走査方向への移動の過程で読み取るようになっており、その主走査方向の読み取り動作と原稿の副走査方向の給送動作とを交互に行うことにより、１枚の原稿画像情報を読み取ることができる。
【００５９】
図８の（ａ）および（ｂ）は、このスキャナＭ６０００の概略構成を説明するために、スキャナＭ６０００を上下逆にして示す図である。
【００６０】
図示のように、スキャナホルダＭ６００１は、略箱型の形状であり、その内部には読み取りに必要な光学系・処理回路などが収納されている。また、このスキャナＭ６０００をキャリッジＭ４００１へと装着した時に、原稿面と対面する部分には読取部レンズＭ６００６が設けられており、このレンズＭ６００６により原稿面からの反射光を内部の読取部に収束することで原稿画像を読み取るようになっている。一方、照明部レンズＭ６００５は内部に不図示の光源を有し、その光源から発せられた光がレンズＭ６００５を介して原稿へと照射される。
【００６１】
スキャナホルダＭ６００１の底部に固定されたスキャナカバーＭ６００３は、スキャナホルダＭ６００１内部を遮光するように嵌合し、側面に設けられたルーバー状の把持部によってキャリッジＭ４００１への着脱操作性の向上を図っている。スキャナホルダＭ６００１の外形形状は記録ヘッドＨ１００１と略同形状であり、キャリッジＭ４００１へは記録ヘッドカートリッジＨ１０００と同様の操作で着脱することができる。
【００６２】
また、スキャナホルダＭ６００１には、読取り処理回路を有する基板が収納される一方、この基板に接続されたスキャナコンタクトＰＣＢが外部に露出するよう設けられており、キャリッジＭ４００１へとスキャナＭ６０００を装着した際、スキャナコンタクトＰＣＢ Ｍ６００４がキャリッジＭ４００１側のコンタクトＦＰＣ Ｅ００１１に接触し、基板を、キャリッジＭ４００１を介して本体側の制御系に電気的に接続させるようになっている。
【００６３】
［プリンタの電気回路の構成］
次に、本発明の実施形態における電気的回路構成を説明する。
図９は、この実施形態における電気的回路の全体構成例を概略的に示す図である。
【００６４】
この実施形態における電気的回路は、主にキャリッジ基板（ＣＲＰＣＢ）Ｅ００１３、メインＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）Ｅ００１４、電源ユニットＥ００１５等によって構成されている。
ここで、電源ユニットＥ００１５は、メインＰＣＢ Ｅ００１４と接続され、各種駆動電源を供給するものとなっている。
【００６５】
また、キャリッジ基板Ｅ００１３は、キャリッジＭ４００１（図２）に搭載されたプリント基板ユニットであり、コンタクトＦＰＣ Ｅ００１１を通じて記録ヘッドとの信号の授受を行うインターフェースとして機能する他、キャリッジＭ４００１の移動に伴ってエンコーダセンサＥ０００４から出力されるパルス信号に基づき、エンコーダスケールＥ０００５とエンコーダセンサＥ０００４との位置関係の変化を検出し、その出力信号をフレキシブルフラットケーブル（ＣＲＦＦＣ）Ｅ００１２を通じてメインＰＣＢ Ｅ００１４へと出力する。
【００６６】
さらに、メインＰＣＢＥ００１４はこの実施形態におけるインクジェット記録装置の各部の駆動制御を司るプリント基板ユニットであり、紙端検出センサ（ＰＥセンサ）Ｅ０００７、ＡＳＦ（自動給紙装置）センサＥ０００９、カバーセンサＥ００２２、パラレルインターフェース（パラレルＩ／Ｆ）Ｅ００１６、シリアルインターフェース（シリアルＩ／Ｆ）Ｅ００１７、リジュームキーＥ００１９、ＬＥＤ Ｅ００２０、電源キーＥ００１８、ブザーＥ００２１等に対するＩ／Ｏポートを基板上に有する。またさらに、キャリッジＭ１４００を主走査させるための駆動源をなすモータ（ＣＲモータ）Ｅ０００１、記録媒体を搬送するための駆動源をなすモータ（ＬＦモータ）Ｅ０００２、記録ヘッドの回動動作と記録媒体の給紙動作に兼用されるモータ（ＰＧモータ）Ｅ０００３と接続されてこれらの駆動を制御する他、インクエンプティセンサＥ０００６、ＧＡＰセンサＥ０００８、ＰＧセンサＥ００１０、ＣＲＦＦＣ Ｅ００１２、電源ユニットＥ００１５との接続インターフェイスを有する。
【００６７】
図１０は、メインＰＣＢ Ｅ００１４の内部構成を示すブロック図である。図において、Ｅ１００１はＣＰＵであり、このＣＰＵ Ｅ１００１は内部に発振回路Ｅ１００５に接続されたクロックジェネレータ（ＰＣＧ） Ｅ１００２を有し、その出力信号Ｅ１０１９によりシステムクロックを発生する。また、制御バスＥ１０１４を通じてＲＯＭ Ｅ１００４およびＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ） Ｅ１００６に接続され、ＲＯＭに格納されたプログラムに従って、ＡＳＩＣ Ｅ１００６の制御、電源キーからの入力信号Ｅ１０１７、及びリジュームキーからの入力信号Ｅ１０１６、カバー検出信号Ｅ１０４２、ヘッド検出信号（ＨＳＥＮＳ）Ｅ１０１３の状態の検知を行ない、さらにブザー信号（ＢＵＺ）Ｅ１０１８によりブザーＥ００２１を駆動し、内蔵されるＡ／ＤコンバータＥ１００３に接続されるインクエンプティ検出信号（ＩＮＫＳ）Ｅ１０１１及びサーミスタによる温度検出信号（ＴＨ）Ｅ１０１２の状態の検知を行う一方、その他各種論理演算・条件判断等を行ない、インクジェット記録装置の駆動制御を司る。
【００６８】
ここで、ヘッド検出信号Ｅ１０１３は、記録ヘッドカートリッジＨ１０００からフレキシブルフラットケーブルＥ００１２、キャリッジ基板Ｅ００１３及びコンタクトフレキシブルプリントケーブルＥ００１１を介して入力されるヘッド搭載検出信号であり、インクエンプティ検出信号Ｅ１０１１はインクエンプティセンサＥ０００６から出力されるアナログ信号、温度検出信号Ｅ１０１２はキャリッジ基板Ｅ００１３上に設けられたサーミスタ（図示せず）からのアナログ信号である。
【００６９】
Ｅ１００８はＣＲモータドライバであって、モータ電源（ＶＭ）Ｅ１０４０を駆動源とし、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６に従って、ＣＲモータ駆動信号Ｅ１０３７を生成し、ＣＲモータＥ０００１を駆動する。Ｅ１００９はＬＦ／ＰＧモータドライバであって、モータ電源Ｅ１０４０を駆動源とし、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのパルスモータ制御信号（ＰＭ制御信号）Ｅ１０３３に従ってＬＦモータ駆動信号Ｅ１０３５を生成し、これによってＬＦモータを駆動すると共に、ＰＧモータ駆動信号Ｅ１０３４を生成してＰＧモータを駆動する。
【００７０】
Ｅ１０１０は電源制御回路であり、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からの電源制御信号Ｅ１０２４に従って発光素子を有する各センサ等への電源供給を制御する。パラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６は、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのパラレルＩ／Ｆ信号Ｅ１０３０を、外部に接続されるパラレルＩ／ＦケーブルＥ１０３１に伝達し、またパラレルＩ／ＦケーブルＥ１０３１の信号をＡＳＩＣ Ｅ１００６に伝達する。シリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７は、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのシリアルＩ／Ｆ信号Ｅ１０２８を、外部に接続されるシリアルＩ／ＦケーブルＥ１０２９に伝達し、また同ケーブルＥ１０２９からの信号をＡＳＩＣ Ｅ１００６に伝達する。
【００７１】
一方、電源ユニットＥ００１５からは、ヘッド電源（ＶＨ）Ｅ１０３９及びモータ電源（ＶＭ）Ｅ１０４０、ロジック電源（ＶＤＤ）Ｅ１０４１が供給される。また、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのヘッド電源ＯＮ信号（ＶＨＯＮ）Ｅ１０２２及びモータ電源ＯＮ信号（ＶＭＯＭ）Ｅ１０２３が電源ユニットＥ００１５に入力され、それぞれヘッド電源Ｅ１０３９及びモータ電源Ｅ１０４０のＯＮ／ＯＦＦを制御する。電源ユニットＥ００１５から供給されたロジック電源（ＶＤＤ）Ｅ１０４１は、必要に応じて電圧変換された上で、メインＰＣＢ Ｅ００１４内外の各部へ供給される。
【００７２】
またヘッド電源信号Ｅ１０３９は、メインＰＣＢ Ｅ００１４上で平滑化された後にフレキシブルフラットケーブルＥ００１１へと送出され、記録ヘッドカートリッジＨ１０００の駆動に用いられる。
【００７３】
Ｅ１００７はリセット回路で、ロジック電源電圧Ｅ１０４１の低下を検出して、ＣＰＵ Ｅ１００１及びＡＳＩＣ Ｅ１００６にリセット信号（ＲＥＳＥＴ）Ｅ１０１５を供給し、初期化を行なう。
【００７４】
このＡＳＩＣ Ｅ１００６は１チップの半導体集積回路であり、制御バスＥ１０１４を通じてＣＰＵ Ｅ１００１によって制御され、前述したＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６、ＰＭ制御信号Ｅ１０３３、電源制御信号Ｅ１０２４、ヘッド電源ＯＮ信号Ｅ１０２２、及びモータ電源ＯＮ信号Ｅ１０２３等を出力し、パラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６およびシリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７との信号の授受を行なう他、ＰＥセンサＥ０００７からのＰＥ検出信号（ＰＥＳ）Ｅ１０２５、ＡＳＦセンサＥ０００９からのＡＳＦ検出信号（ＡＳＦＳ）Ｅ１０２６、記録ヘッドと記録媒体とのギャップを検出するためのセンサ（ＧＡＰ）センサＥ０００８からのＧＡＰ検出信号（ＧＡＰＳ）Ｅ１０２７、ＰＧセンサＥ００１０からのＰＧ検出信号（ＰＧＳ）Ｅ１０３２の状態を検知して、その状態を表すデータを制御バスＥ１０１４を通じてＣＰＵ Ｅ１００１に伝達し、入力されたデータに基づきＣＰＵ Ｅ１００１はＬＥＤ駆動信号Ｅ１０３８の駆動を制御してＬＥＤＥ００２０の点滅を行なう。
【００７５】
さらに、エンコーダ信号（ＥＮＣ）Ｅ１０２０の状態を検知してタイミング信号を生成し、ヘッド制御信号Ｅ１０２１で記録ヘッドカートリッジＨ１０００とのインターフェイスをとり記録動作を制御する。ここにおいて、エンコーダ信号（ＥＮＣ）Ｅ１０２０はフレキシブルフラットケーブルＥ００１２を通じて入力されるＣＲエンコーダセンサＥ０００４の出力信号である。また、ヘッド制御信号Ｅ１０２１は、フレキシブルフラットケーブルＥ００１２、キャリッジ基板Ｅ００１３、及びコンタクトＦＰＣ Ｅ００１１を経て記録ヘッドＨ１０００に供給される。
【００７６】
図１１は、ＡＳＩＣ Ｅ１００６の内部構成例を示すブロック図である。
【００７７】
なお、同図において、各ブロック間の接続については、記録データやモータ制御データ等、ヘッドや各部機構部品の制御にかかわるデータの流れのみを示しており、各ブロックに内蔵されるレジスタの読み書きに係わる制御信号やクロック、ＤＭＡ制御にかかわる制御信号などは図面上の記載の煩雑化を避けるため省略している。
【００７８】
図中、Ｅ２００２はＰＬＬコントローラであり、図９に示すようにＣＰＵ Ｅ１００１から出力されるクロック信号（ＣＬＫ）Ｅ２０３１及びＰＬＬ制御信号（ＰＬＬＯＮ）Ｅ２０３３により、ＡＳＩＣ Ｅ１００６内の大部分へと供給するクロック（図示しない）を発生する。
【００７９】
また、Ｅ２００１はＣＰＵインターフェース（ＣＰＵＩ／Ｆ）であり、リセット信号Ｅ１０１５、ＣＰＵ Ｅ１００１から出力されるソフトリセット信号（ＰＤＷＮ）Ｅ２０３２、クロック信号（ＣＬＫ）Ｅ２０３１及び制御バスＥ１０１４からの制御信号により、以下に説明するような各ブロックに対するレジスタ読み書き等の制御や、一部ブロックへのクロックの供給、割り込み信号の受け付け等（いずれも図示しない）を行ない、ＣＰＵ Ｅ１００１に対して割り込み信号（ＩＮＴ）Ｅ２０３４を出力し、ＡＳＩＣ Ｅ１００６内部での割り込みの発生を知らせる。
【００８０】
また、Ｅ２００５はＤＲＡＭであり、記録用のデータバッファとして、受信バッファＥ２０１０、ワークバッファＥ２０１１、プリントバッファＥ２０１４、展開用データバッファＥ２０１６などの各領域を有すると共に、モータ制御用としてモータ制御バッファＥ２０２３を有し、さらにスキャナ動作モード時に使用するバッファとして、上記の各記録用データバッファに代えて使用されるスキャナ取込みバッファＥ２０２４、スキャナデータバッファＥ２０２６、送出バッファＥ２０２８などの領域を有する。
【００８１】
また、このＤＲＡＭ Ｅ２００５は、ＣＰＵ Ｅ１００１の動作に必要なワーク領域としても使用されている。すなわち、Ｅ２００４はＤＲＡＭ制御部であり、制御バスによるＣＰＵ Ｅ１００１からＤＲＡＭ Ｅ２００５へのアクセスと、後述するＤＭＡ制御部Ｅ２００３からＤＲＡＭ Ｅ２００５へのアクセスとを切り替えて、ＤＲＡＭ Ｅ２００５への読み書き動作を行なう。
【００８２】
ＤＭＡ制御部Ｅ２００３では、各ブロックからのリクエスト（図示せず）を受け付けて、アドレス信号や制御信号（図示せず）、書込み動作の場合には書込みデータＥ２０３８、Ｅ２０４１、Ｅ２０４４、Ｅ２０５３、Ｅ２０５５、Ｅ２０５７などをＤＲＡＭ制御部Ｅ２００４に出力してＤＲＡＭアクセスを行なう。また読み出しの場合には、ＤＲＡＭ制御部Ｅ２００４からの読み出しデータＥ２０４０、Ｅ２０４３、Ｅ２０４５、Ｅ２０５１、Ｅ２０５４、Ｅ２０５６、Ｅ２０５８、Ｅ２０５９を、リクエスト元のブロックに受け渡す。
【００８３】
また、Ｅ２００６は、ＩＥＥＥ １２８４Ｉ／Ｆであり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、パラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６を通じて、図示しない外部ホスト機器との双方向通信インターフェイスを行なう他、記録時にはパラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６からの受信データ（ＰＩＦ受信データＥ２０３６）をＤＭＡ処理によって受信制御部Ｅ２００８へと受け渡し、スキャナ読み取り時にはＤＲＡＭ Ｅ２００５内の送出バッファＥ２０２８に格納されたデータ（１２８４送信データ（ＲＤＰＩＦ）Ｅ２０５９）をＤＭＡ処理によりパラレルＩ／Ｆに送信する。
【００８４】
Ｅ２００７は、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）Ｉ／Ｆであり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、シリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７を通じて、図示しない外部ホスト機器との双方向通信インターフェイスを行なう他、印刷時にはシリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７からの受信データ（ＵＳＢ受信データＥ２０３７）をＤＭＡ処理により受信制御部Ｅ２００８に受け渡し、スキャナ読み取り時にはＤＲＡＭ Ｅ２００５内の送出バッファＥ２０２８に格納されたデータ（ＵＳＢ送信データ（ＲＤＵＳＢ）Ｅ２０５８）をＤＭＡ処理によりシリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７に送信する。受信制御部Ｅ２００８は、１２８４Ｉ／Ｆ Ｅ２００６もしくはＵＳＢＩ／Ｆ Ｅ２００７のうちの選択されたＩ／Ｆからの受信データ（ＷＤＩＦ）Ｅ２０３８）を、受信バッファ制御部Ｅ２０３９の管理する受信バッファ書込みアドレスに、書込む。
【００８５】
Ｅ２００９は圧縮・伸長ＤＭＡコントローラであり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵＥ１００１の制御により、受信バッファＥ２０１０上に格納された受信データ（ラスタデータ）を、受信バッファ制御部Ｅ２０３９の管理する受信バッファ読み出しアドレスから読み出し、そのデータ（ＲＤＷＫ）Ｅ２０４０を指定されたモードに従って圧縮・伸長し、記録コード列（ＷＤＷＫ）Ｅ２０４１としてワークバッファ領域に書込む。
【００８６】
Ｅ２０１３は記録バッファ転送ＤＭＡコントローラで、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００７の制御によってワークバッファＥ２０１１上の記録コード（ＲＤＷＰ）Ｅ２０４３を読み出し、各記録コードを、記録ヘッドカートリッジＨ１０００へのデータ転送順序に適するようなプリントバッファＥ２０１４上のアドレスに並べ替えて転送（ＷＤＷＰ Ｅ２０４４）する。また、Ｅ２０１２はワーククリアＤＭＡコントローラであり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御によって記録バッファ転送ＤＭＡコントローラ Ｅ２０１３による転送が完了したワークバッファ上の領域に対し、指定したワークフィルデータ（ＷＤＷＦ）Ｅ２０４２を繰返し書込む。
【００８７】
Ｅ２０１５は記録データ展開ＤＭＡコントローラであり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、ヘッド制御部Ｅ２０１８からのデータ展開タイミング信号Ｅ２０５０をトリガとして、プリントバッファ上に並べ替えて書込まれた記録コードと展開用データバッファＥ２０１６上に書込まれた展開用データとを読み出し、展開記録データ（ＲＤＨＤＧ）Ｅ２０４５をカラムバッファ書込みデータ（ＷＤＨＤＧ）Ｅ２０４７としてカラムバッファＥ２０１７に書込む。ここで、カラムバッファＥ２０１７は、記録ヘッドカートリッジＨ１０００への転送データ（展開記録データ）を一時的に格納するＳＲＡＭであり、記録データ展開ＤＭＡコントローラＥ２０１５とヘッド制御部Ｅ２０１８とのハンドシェーク信号（図示せず）によって両ブロックにより共有管理されている。
【００８８】
Ｅ２０１８はヘッド制御部で、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、ヘッド制御信号を介して記録ヘッドカートリッジＨ１０００またはスキャナとのインターフェイスを行なう他、エンコーダ信号処理部Ｅ２０１９からのヘッド駆動タイミング信号Ｅ２０４９に基づき、記録データ展開ＤＭＡコントローラに対してデータ展開タイミング信号Ｅ２０５０の出力を行なう。
【００８９】
また、印刷時には、前記ヘッド駆動タイミング信号Ｅ２０４９に従って、カラムバッファから展開記録データ（ＲＤＨＤ）Ｅ２０４８を読み出し、そのデータをヘッド制御信号Ｅ１０２１として記録ヘッドカートリッジＨ１０００に出力する。
【００９０】
また、スキャナ読み取りモードにおいては、ヘッド制御信号Ｅ１０２１として入力された取込みデータ（ＷＤＨＤ）Ｅ２０５３をＤＲＡＭ Ｅ２００５上のスキャナ取込みバッファＥ２０２４へとＤＭＡ転送する。Ｅ２０２５はスキャナデータ処理ＤＭＡコントローラであり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、スキャナ取込みバッファＥ２０２４に蓄えられた取込みバッファ読み出しデータ（ＲＤＡＶ）Ｅ２０５４を読み出し、平均化等の処理を行なった処理済データ（ＷＤＡＶ）Ｅ２０５５をＤＲＡＭ Ｅ２００５上のスキャナデータバッファＥ２０２６に書込む。
【００９１】
Ｅ２０２７はスキャナデータ圧縮ＤＭＡコントローラで、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、スキャナデータバッファＥ２０２６上の処理済データ（ＲＤＹＣ）Ｅ２０５６を読み出してデータ圧縮を行ない、圧縮データ（ＷＤＹＣ）Ｅ２０５７を送出バッファＥ２０２８に書込み転送する。
【００９２】
Ｅ２０１９はエンコーダ信号処理部であり、エンコーダ信号（ＥＮＣ）を受けて、ＣＰＵ Ｅ１００１の制御で定められたモードに従ってヘッド駆動タイミング信号Ｅ２０４９を出力する他、エンコーダ信号Ｅ１０２０から得られるキャリッジＭ４００１の位置や速度にかかわる情報をレジスタに格納して、ＣＰＵ Ｅ１００１に提供する。ＣＰＵ Ｅ１００１はこの情報に基づき、ＣＲモータＥ０００１の制御における各種パラメータを決定する。また、Ｅ２０２０はＣＲモータ制御部であり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、ＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６を出力する。
【００９３】
Ｅ２０２２はセンサ信号処理部で、ＰＧセンサＥ００１０、ＰＥセンサＥ０００７、ＡＳＦセンサＥ０００９、及びＧＡＰセンサＥ０００８等から出力される各検出信号Ｅ１０３３，Ｅ１０２５，Ｅ１０２６，Ｅ１０２７を受けて、ＣＰＵ Ｅ１００１の制御で定められたモードに従ってこれらのセンサ情報をＣＰＵ Ｅ１００１に伝達する他、ＬＦ／ＰＧモータ制御用ＤＭＡコントローラ Ｅ２０２１に対してセンサ検出信号Ｅ２０５２を出力する。
【００９４】
ＬＦ／ＰＧモータ制御用ＤＭＡコントローラＥ２０２１は、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、ＤＲＡＭ Ｅ２００５上のモータ制御バッファＥ２０２３からパルスモータ駆動テーブル（ＲＤＰＭ）Ｅ２０５１を読み出してパルスモータ制御信号Ｅ１０３３を出力する他、動作モードによっては前記センサ検出信号を制御のトリガとしてパルスモータ制御信号Ｅ１０３３を出力する。
【００９５】
また、Ｅ２０３０はＬＥＤ制御部であり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、ＬＥＤ駆動信号Ｅ１０３８を出力する。さらに、Ｅ２０２９はポート制御部であり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御により、ヘッド電源ＯＮ信号Ｅ１０２２、モータ電源ＯＮ信号Ｅ１０２３、及び電源制御信号Ｅ１０２４を出力する。
【００９６】
［プリンタの動作］
次に、上記のように構成された本発明の実施形態におけるインクジェット記録装置の動作を図１２のフローチャートに基づき説明する。
【００９７】
ＡＣ電源に装置本体１０００が接続されると、まず、ステップＳ１では装置の第１の初期化処理を行なう。この初期化処理では、本装置のＲＯＭおよびＲＡＭのチェックなどの電気回路系のチェックを行ない、電気的に本装置が正常に動作可能であるかを確認する。
【００９８】
次にステップＳ２では、装置本体Ｍ１０００の上ケースＭ１００２に設けられた電源キーＥ００１８がＯＮされたかどうかの判断を行い、電源キーＥ００１８が押された場合には、次のステップＳ３へと移行し、ここで第２の初期化処理を行う。
【００９９】
この第２の初期化処理では、本装置の各種駆動機構及び記録ヘッドのチェックを行なう。すなわち、各種モータの初期化やヘッド情報の読み込みを行うに際し、装置が正常に動作可能であるかを確認する。
【０１００】
次にステップＳ４ではイベント待ちを行なう。すなわち、本装置に対して、外部Ｉ／Ｆからの指令イベント、ユーザ操作によるパネルキーイベントおよび内部的な制御イベントなどを監視し、これらのイベントが発生すると当該イベントに対応した処理を実行する。
【０１０１】
例えば、ステップＳ４で外部Ｉ／Ｆからの印刷指令イベントを受信した場合には、ステップＳ５へと移行し、同ステップでユーザ操作による電源キーイベントが発生した場合にはステップＳ１０へと移行し、同ステップでその他のイベントが発生した場合にはステップＳ１１へと移行する。
【０１０２】
ここで、ステップＳ５では、外部Ｉ／Ｆからの印刷指令を解析し、指定された紙種別、用紙サイズ、印刷品位、給紙方法などを判断し、その判断結果を表すデータを本装置内のＲＡＭ Ｅ２００５に記憶し、ステップＳ６へと進む。
【０１０３】
次いでステップＳ６ではステップＳ５で指定された給紙方法により給紙を開始し、用紙を記録開始位置まで送り、ステップＳ７に進む。
【０１０４】
ステップＳ７では記録動作を行なう。この記録動作では、外部Ｉ／Ｆから送出されてきた記録データを、一旦記録バッファに格納し、次いでＣＲモータＥ０００１を駆動してキャリッジＭ４００１の主走査方向への移動を開始すると共に、プリントバッファＥ２０１４に格納されている記録データを記録ヘッドＨ１００１へと供給して１行の記録を行ない、１行分の記録データの記録動作が終了するとＬＦモータＥ０００２を駆動し、ＬＦローラＭ３００１を回転させて用紙を副走査方向へと送る。この後、上記動作を繰り返し実行し、外部Ｉ／Ｆからの１ページ分の記録データの記録が終了すると、ステップ８へと進む。
【０１０５】
ステップＳ８では、ＬＦモータＥ０００２を駆動し、排紙ローラＭ２００３を駆動し、用紙が完全に本装置から送り出されたと判断されるまで紙送りを繰返し、終了した時点で用紙は排紙トレイＭ１００４ａ上に完全に排紙された状態となる。
【０１０６】
次にステップＳ９では、記録すべき全ページの記録動作が終了したか否かを判定し、記録すべきページが残存する場合には、ステップＳ５へと復帰し、以下、前述のステップＳ５〜Ｓ９までの動作を繰り返し、記録すべき全てのページの記録動作が終了した時点で記録動作は終了し、その後ステップＳ４へと移行し、次のイベントを待つ。
【０１０７】
一方、ステップＳ１０ではプリンタ終了処理を行ない、本装置の動作を停止させる。つまり、各種モータやヘッドなどの電源を切断するために、電源を切断可能な状態に移行した後、電源を切断しステップＳ４に進み、次のイベントを待つ。
【０１０８】
また、ステップＳ１１では、上記以外の他のイベント処理を行なう。例えば、本装置の各種パネルキーや外部Ｉ／Ｆからの回復指令や内部的に発生する回復イベントなどに対応した処理を行なう。なお、処理終了後にはステップＳ４に進み、次のイベントを待つ。
【０１０９】
なお、本発明が有効に用いられる一形態は、電気熱変換体が発生する熱エネルギーを利用して液体に膜沸騰を生じさせ気泡を形成する形態である。
【０１１０】
さらに、本発明に係る記録ヘッド用基板の第１の実施例においては、上述の基板Ｈ１１０１は、図１の（ａ）および（ｂ）に示されるように、構成される。
【０１１１】
なお、図１の（ａ）および（ｂ）に示めされる例および後述する他の実施例は、基板Ｈ１１０１上に形成される複数のインク流路のうち一つのインク流路に対応した一部分の構成を拡大して示す。
【０１１２】
図１の（ａ）および（ｂ）において、基板Ｈ１１０１は、例えば、シリコンで薄板状に作られる基体Ｈ１１２０と、基体Ｈ１１２０の一方の平坦面上に例えば二酸化珪素で形成される酸化膜（蓄熱層）Ｈ１１２２と、酸化膜Ｈ１１２２の同一面上に形成される共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂと、共通導体層Ｈ１１２４Ａ、個別導体層Ｈ１１２４Ｂ、および酸化膜Ｈ１１２２上に積層される絶縁層Ｈ１１２６と、共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂに対し上方に形成され、一対の電極部Ｈ１１３２Ａおよび１１３２Ｂを介して電気的に共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂに接続される発熱抵抗層Ｈ１１３４と、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１２６を覆う保護層Ｈ１１２８、および、保護層Ｈ１１３０とを含んで構成されている。
【０１１３】
共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂは、例えば、アルミニウム、アルミニウムと銅との合金材料、アルミニウムとシリコンとの合金材料で所定の厚さに形成されている。共通導体層Ｈ１１２４Ａは、他のインク流路に対応する共通導体層とともに結合されている。また、共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂの一方の端部は、それぞれ図示が省略される駆動信号入力部に接続されている。
【０１１４】
絶縁層Ｈ１１２６は、例えば、燐酸化ケイ素により１×１０−６（ｍ）の膜圧で均一に形成されている。絶縁層Ｈ１１２６内における共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂの他方の端部に対応してスルーホールＨ１１２６ａ、および、Ｈ１１２６ｂがそれぞれ形成されている。スルーホールＨ１１２６ａ、および、Ｈ１１２６ｂ内には、それぞれ、例えば、銅合金材料で作られた埋込み電極Ｈ１１３２Ａ、およびＨ１１３２Ｂがシード層ＳＳを介して設けられている。埋込み電極Ｈ１１３２Ａは、共通導体層Ｈ１１２４Ａと後述する発熱抵抗層Ｈ１１３４とを接続し、埋込み電極Ｈ１１３２Ｂは、共通導体層Ｈ１１２４Ｂと後述する発熱抵抗層Ｈ１１３４とを接続するものとされる。なお、埋込み電極Ｈ１１３２Ａ、およびＨ１１３２Ｂは、アルミニウム、アルミニウムとシリコンとの合金材料で作られても良い。シード層ＳＳは、例えば、タンタル、窒化タンタル、窒化珪素タンタルのいずれかの材料で形成されてもよい。そのシード層ＳＳにより、埋込み電極Ｈ１１３２Ａ、およびＨ１１３２Ｂの密着性の向上、および耐酸化性の向上が図られることとなる。
【０１１５】
絶縁層Ｈ１１２６は、埋込み電極Ｈ１１３２Ａ、およびＨ１１３２Ｂの一方の端面と同一の平面となる平滑な平坦面ＦＳを上面に有している。その平坦面ＦＳには、発熱抵抗層Ｈ１１３４が埋込み電極Ｈ１１３２Ａ、およびＨ１１３２Ｂに跨って絶縁層Ｈ１１２６上に形成されている。発熱抵抗層Ｈ１１３４は、例えば、窒化タンタル、窒化珪素タンタル、ハフニュウムボライドのいずれかの材料で形成されてもよい。発熱抵抗層Ｈ１１３４は、例えば、１〜３×１０−８（ｍ）程度の比較的薄い膜厚を有している。
【０１１６】
発熱抵抗層Ｈ１１３４および全体にわたり絶縁層Ｈ１１２６を直接的に覆う保護層Ｈ１１２８は、酸化シリコンまたは窒化シリコンにより所定の膜厚を有するように形成されている。また、保護層Ｈ１１２８における発熱抵抗層Ｈ１１３４に対向する部分を覆う保護層Ｈ１１３０は、所謂、耐キャビテーション層であり、タンタルで所定の膜厚で保護層Ｈ１１２８に沿って平坦に形成されている。
【０１１７】
従って、保護層Ｈ１１３０の外面部には、その保護層の欠陥の原因となる凹部または段差が形成されることがないのでその耐久性が向上することとなる。
【０１１８】
このような基板Ｈ１１０１を製造するにあたっては、先ず、図２の（ａ）に示めされるように、基体Ｈ１１２０の平坦面に熱酸化により酸化膜Ｈ１１２２が形成された後、所定のパターニングおよびエッチング処理により、共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂが形成される。
【０１１９】
次に、図２の（ｂ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１２６’が例えば、ＣＶＤ法により、酸化膜Ｈ１１２２、共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂをその全体にわたり覆うように形成される。
【０１２０】
続いて、絶縁層Ｈ１１２６’に対して所定のパターニング、エッチング処理が行われることにより、共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂに到達するスルーホールＨ１１２６ｔａ’およびＨ１１２６ｔｂ’が形成される。
【０１２１】
その際、スルーホールＨ１１２６ｔａ’およびＨ１１２６ｔｂ’は、後述するスパッタリングに備えて，良好に被覆層が形成されるように勾配をもってその内面が形成されている。また、上述のシード層ＳＳがスパッタリングによりスルーホールＨ１１２６ｔａ’およびＨ１１２６ｔｂ’を形成する内面に形成される。
【０１２２】
続いて、埋込み電極を形成すべく、導電体層Ｈ１１３２が、例えば、電解メッキ法により、絶縁層Ｈ１１２６’の外表面、および、スルーホールＨ１１２６ｔａ’およびＨ１１２６ｔｂ’の内部を埋めるように形成される。その際、導電体層Ｈ１１３２の膜厚は、スルーホールＨ１１２６ｔａ’およびＨ１１２６ｔｂ’の深さ以上に設定される。
【０１２３】
続いて、図２の（ｃ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１２６’上の導電体層Ｈ１１３２が除去され、かつ、絶縁層Ｈ１１２６’が平坦面となるように所定量、研磨される。研磨は、例えば、エッチング液が含まれる研磨剤で、研磨装置Ｇが利用されて機械的な研磨がなされる。これにより、その平坦面ＦＳに露出する埋込み電極Ｈ１１３２ＡおよびＨ１１３２Ｂが形成される。
【０１２４】
続いて、発熱抵抗層が平坦面ＦＳ全体にわたり形成された後、その発熱抵抗層に対し所定のパターニングおよびドライエッチング法によるエッチング処理が行われる。そのエッチング処理時間は、従来に比べて比較的短い期間とされ、かつ、必要最小限とされる所定時間に設定されている。これにより、発熱抵抗層Ｈ１１３４が埋込み電極Ｈ１１３２ＡおよびＨ１１３２Ｂに跨るように絶縁層Ｈ１１２６上に形成される。
【０１２５】
続いて、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１２６全体を覆うように保護層Ｈ１１２８が形成された後、耐キャビテーション層としての保護層が保護層Ｈ１１２８を覆うように形成される。
【０１２６】
そして、その保護層Ｈ１１２８を覆う保護層に対し所定のパターニングおよびエッチング処理が行われることにより、保護層Ｈ１１３０が形成されることとなる。なお、上述した駆動信号入力部の一部をなす電極パッドとなる部分における保護層Ｈ１１２８は除去される。
【０１２７】
図１５の（ａ）および（ｂ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第２の実施例を示す。なお、本実施例および後述する他の実施例において、図１に示される例において同一とされる構成要素については同一の符号を付して示しその重複説明を省略する。
【０１２８】
図１５の（ａ）および（ｂ）において、基板Ｈ１１０１は、薄板状に作られる基体Ｈ１１２０と、基体Ｈ１１２０の一方の平坦面上に形成される酸化膜Ｈ１１２２と、酸化膜Ｈ１１２２の同一面上に形成される共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂと、共通導体層Ｈ１１２４Ａ、個別導体層Ｈ１１２４Ｂ、および酸化膜Ｈ１１２２上に積層される絶縁層Ｈ１１３６と、共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂに対し上方に形成され、一対の電極部Ｈ１１３８Ａおよび１１３８Ｂを介して電気的に共通導体層Ｈ１１２４Ａ、および個別導体層Ｈ１１２４Ｂに接続される発熱抵抗層Ｈ１１３４と、絶縁層Ｈ１１３６を覆う絶縁層Ｈ１１４０と、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１４０を覆う保護層Ｈ１１２８、および、保護層Ｈ１１３０とを含んで構成されている。
【０１２９】
絶縁層Ｈ１１３６は、上述した絶縁層Ｈ１１２６と同様に、例えば、燐酸化ケイ素により所定の比較的薄い膜厚さで均一に形成されている。絶縁層Ｈ１１３６内における共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂの他方の端部に対応してスルーホールＨ１１３６ａ、および、Ｈ１１３６ｂがそれぞれ形成されている。スルーホールＨ１１３６ａ、および、Ｈ１１３６ｂ内には、それぞれ、例えば、銅合金材料で作られた埋込み電極Ｈ１１３８Ａ、およびＨ１１３８Ｂがシード層ＳＳを介して設けられている。埋込み電極Ｈ１１３８Ａは、共通導体層Ｈ１１２４Ａと後述する発熱抵抗層Ｈ１１３４とを接続し、埋込み電極Ｈ１１３８Ｂは、共通導体層Ｈ１１２４Ｂと後述する発熱抵抗層Ｈ１１３４とを接続するものとされる。なお、埋込み電極Ｈ１１３８Ａ、およびＨ１１３８Ｂは、アルミニウム、アルミニウムとシリコンとの合金材料で作られても良い。
【０１３０】
絶縁層Ｈ１１４０は、埋込み電極Ｈ１１３８Ａ、およびＨ１１３８Ｂの一方の端面と同一の平面となる平滑な平坦面ＦＳを上面に有している。その平坦面ＦＳには、発熱抵抗層Ｈ１１３４が埋込み電極Ｈ１１３８Ａ、およびＨ１１３８Ｂに跨って形成されている。
【０１３１】
従って、本例においても、保護層Ｈ１１３０の外面部には、その保護層の欠陥の原因となる凹部または段差が形成されることがないのでその耐久性が向上することとなる。
【０１３２】
このような基板Ｈ１１０１を製造するにあたっては、先ず、図１６の（ａ）に示めされるように、基体Ｈ１１２０の平坦面に熱酸化により酸化膜Ｈ１１２２が形成された後、所定のパターニングおよびエッチング処理により、共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂが形成される。
【０１３３】
次に、図１６の（ｂ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１３６が例えば、ＣＶＤ法により、酸化膜Ｈ１１２２、共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂをその全体にわたり覆うように形成される。
【０１３４】
続いて、絶縁層Ｈ１１３６に対して所定のパターニング、エッチング処理が行われることにより、共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂに到達するスルーホールＨ１１３６ａおよびＨ１１３６ｂがそれぞれ形成される。
【０１３５】
続いて、図１６の（ｂ）に二点鎖線で示されるように、絶縁層Ｈ１１４０’が例えば、ＣＶＤ法により、絶縁層Ｈ１１３６をその全体にわたり覆うように形成される。
【０１３６】
続いて、絶縁層Ｈ１１３６に対して所定のパターニング、エッチング処理が行われることにより、スルーホールＨ１１３６ａおよびＨ１１３６ｂを介して共通導体層Ｈ１１２４Ａおよび個別導体層Ｈ１１２４Ｂに到達するスルーホールＨ１１４０ａ’およびＨ１１４０ｂ’がそれぞれ形成される。
【０１３７】
その際、上述のシード層ＳＳがスパッタリングによりスルーホールＨ１１３６ａおよびＨ１１３６ｂ、スルーホールＨ１１４０ａ’およびＨ１１４０ｂ’を形成する内面に形成される。
【０１３８】
続いて、図１６の（ｃ）に二点鎖線で示されるように、埋込み電極を形成すべく、導電体層Ｈ１１３８が、例えば、電解メッキ法により、絶縁層Ｈ１１４０’の外表面、および、スルーホールＨ１１４０ａ’およびＨ１１４０ｂ’、スルーホールＨ１１３６ａおよびＨ１１３６ｂの内部を埋めるように形成される。その際、導電体層Ｈ１１３８の膜厚は、スルーホールＨ１１４０ａ’およびＨ１１４０ｂ’の深さとスルーホールＨ１１３６ａおよびＨ１１３６ｂの深さとを加算した値以上に設定される。
【０１３９】
続いて、図１６の（ｃ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１４０’上の導電体層Ｈ１１３２が除去され、かつ、絶縁層Ｈ１１４０’の上面が平坦面となるように所定量、研磨される。研磨は、例えば、エッチング液が含まれる研磨剤で、研磨装置Ｇが利用されて機械的な研磨がなされる。これにより、その平坦面ＦＳに露出する埋込み電極Ｈ１１３８ＡおよびＨ１１３８Ｂが形成される。
【０１４０】
続いて、発熱抵抗層が平坦面ＦＳ全体にわたり形成された後、その発熱抵抗層に対し所定のパターニングおよびドライエッチング法によるエッチング処理が行われる。そのエッチング処理時間は、従来に比べて比較的短い期間とされ、かつ、必要最小限とされる所定時間に設定されている。これにより、発熱抵抗層Ｈ１１３４が埋込み電極Ｈ１１３８ＡおよびＨ１１３８Ｂに跨るように絶縁層Ｈ１１４０上に形成される。
【０１４１】
続いて、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１４０全体を覆うように保護層Ｈ１１２８が形成された後、耐キャビテーション層としての保護層が保護層Ｈ１１２８を覆うように形成される。
【０１４２】
そして、その保護層Ｈ１１２８を覆う保護層に対し所定のパターニングおよびエッチング処理が行われることにより、保護層Ｈ１１３０が形成されることとなる。なお、上述した駆動信号入力部の一部をなす電極パッドとなる部分における保護層Ｈ１１２８は除去される。
【０１４３】
図１７の（ａ）および（ｂ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第３の実施例を示す。
【０１４４】
図１７の（ａ）および（ｂ）において、基板Ｈ１１０１は、薄板状に作られる基体Ｈ１１２０と、基体Ｈ１１２０の一方の平坦面上に形成される酸化膜Ｈ１１２２と、酸化膜Ｈ１１２２の上面に形成される個別導体層Ｈ１１５０と、個別導体層Ｈ１１５０、および酸化膜Ｈ１１２２上に積層される絶縁層Ｈ１１５２と、個別導体層Ｈ１１５０に対し真上に形成され、電極部Ｈ１１５８を介して電気的に個別導体層Ｈ１１５０に接続される発熱抵抗層Ｈ１１３４と、絶縁層Ｈ１１５２を覆う絶縁層Ｈ１１５４と、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１５４を覆う保護層Ｈ１１２８、および、保護層Ｈ１１３０とを含んで構成されている。
【０１４５】
絶縁層Ｈ１１５２は、上述した絶縁層Ｈ１１２６と同様に、例えば、燐酸化ケイ素により所定の比較的薄い膜厚さで均一に形成されている。絶縁層Ｈ１１５２内における個別導体層Ｈ１１５０の他方の端部に対応してスルーホールＨ１１５２ａがそれぞれ形成されている。スルーホールＨ１１５２ａ内には、例えば、銅合金材料で作られた埋込み電極Ｈ１１５８がシード層ＳＳを介して設けられている。埋込み電極Ｈ１１５８は、個別導体層Ｈ１１５０と発熱抵抗層Ｈ１１３４の下面の一端とを接続するものとされる。発熱抵抗層Ｈ１１３４の下面の他端は、また、共通電極層としての埋込み電極Ｈ１１５６に電気的に接続されている。埋込み電極Ｈ１１５６は、絶縁層Ｈ１１５４内における埋込み電極Ｈ１１５８に対向して設けられる凹部Ｈ１１５４ａ内にシード層ＳＳを介して設けられている。なお、埋込み電極Ｈ１１５８、および埋込み電極Ｈ１１５６は、アルミニウム、アルミニウムとシリコンとの合金材料で作られても良い。
【０１４６】
絶縁層Ｈ１１５４は、埋込み電極Ｈ１１５６、およびＨ１１５８の一方の端面と同一の平面となる平滑な平坦面ＦＳを上面に有している。その平坦面ＦＳには、発熱抵抗層Ｈ１１３４が埋込み電極Ｈ１１５６、およびＨ１１５８に跨って形成されている。
【０１４７】
従って、本例においても、保護層Ｈ１１３０の外面部には、その保護層の欠陥の原因となる凹部または段差が形成されることがないのでその耐久性が向上することとなる。
【０１４８】
このような基板Ｈ１１０１を製造するにあたっては、先ず、図１８の（ａ）に示めされるように、基体Ｈ１１２０の平坦面に熱酸化により酸化膜Ｈ１１２２が形成された後、所定のパターニングおよびエッチング処理により、個別導体層Ｈ１１５０が形成される。
【０１４９】
次に、図１８の（ｂ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１５２が例えば、ＣＶＤ法により、酸化膜Ｈ１１２２、個別導体層Ｈ１１５０をその全体にわたり覆うように形成される。
【０１５０】
続いて、絶縁層Ｈ１１５２に対して所定のパターニング、エッチング処理が行われることにより、個別導体層Ｈ１１５０に到達するスルーホールＨ１１５２ａがそれぞれ形成される。
【０１５１】
続いて、図１８の（ｂ）に二点鎖線で示されるように、絶縁層Ｈ１１５４’が例えば、ＣＶＤ法により、絶縁層Ｈ１１５２をその全体にわたり覆うように形成される。
【０１５２】
続いて、絶縁層Ｈ１１５４’に対して所定のパターニング、エッチング処理が行われることにより、スルーホールＨ１１５２ｂを介して共通導体層Ｈ１１５０に到達するスルーホールＨ１１５４ｂ’、および凹部Ｈ１１５４ａ’がそれぞれ形成される。凹部Ｈ１１５４ａ’の最大深さは、スルーホールＨ１１５４ｂ’の深さよりも大に設定されている。
【０１５３】
その際、上述のシード層ＳＳがスパッタリングによりスルーホールＨ１１５２ａ、凹部Ｈ１１５４ａ’およびスルーホールＨ１１５４ｂ’を形成する内面に形成される。
【０１５４】
続いて、図１８の（ｃ）に二点鎖線で示されるように、埋込み電極を形成すべく、導電体層Ｈ１１５７が、例えば、電解メッキ法により、絶縁層Ｈ１１５４’の外表面を覆い、スルーホールＨ１１５２ａおよびＨ１１５４ｂ’、凹部Ｈ１１５４ａ’の内部を埋めるように形成される。その際、導電体層Ｈ１１５７の膜厚は、スルーホールＨ１１５４ｂ’の深さとスルーホールＨ１１５２ａの深さとを加算した値以上に設定される。
【０１５５】
続いて、図１８の（ｃ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１５４’上の導電体層Ｈ１１５７が除去され、かつ、絶縁層Ｈ１１５４’の上面が平坦面となるように所定量、研磨される。研磨は、例えば、エッチング液が含まれる研磨剤で、研磨装置Ｇが利用されて機械的な研磨がなされる。これにより、その平坦面ＦＳに露出する埋込み電極Ｈ１１５６およびＨ１１５８が形成される。
【０１５６】
続いて、発熱抵抗層が平坦面ＦＳ全体にわたり形成された後、その発熱抵抗層に対し所定のパターニングおよびドライエッチング法によるエッチング処理が行われる。そのエッチング処理時間は、従来に比べて比較的短い期間とされ、かつ、必要最小限とされる所定時間に設定されている。これにより、発熱抵抗層Ｈ１１３４が埋込み電極Ｈ１１５６およびＨ１１５８に跨るように絶縁層Ｈ１１５４上に形成される。
【０１５７】
続いて、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１５４全体を覆うように保護層Ｈ１１２８が形成された後、耐キャビテーション層としての保護層が保護層Ｈ１１２８を覆うように形成される。
【０１５８】
そして、その保護層Ｈ１１２８を覆う保護層に対し所定のパターニングおよびエッチング処理が行われることにより、保護層Ｈ１１３０が形成されることとなる。なお、上述した駆動信号入力部の一部をなす電極パッドとなる部分における保護層Ｈ１１２８は除去される。
【０１５９】
図１９の（ａ）および（ｂ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第４の実施例を示す。
【０１６０】
図１９の（ａ）および（ｂ）において、基板Ｈ１１０１は、薄板状に作られる基体Ｈ１１２０と、基体Ｈ１１２０の一方の平坦面上に形成される酸化膜Ｈ１１２２と、酸化膜Ｈ１１２２の上面に形成される個別導体層Ｈ１１７４と、個別導体層Ｈ１１７４、および酸化膜Ｈ１１２２上に積層される絶縁層Ｈ１１７０と、個別導体層Ｈ１１７４に対し真上に形成され、電極部Ｈ１１７６を介して電気的に個別導体層Ｈ１１７４に接続される発熱抵抗層Ｈ１１７２と、発熱抵抗層Ｈ１１３４および絶縁層Ｈ１１７０を覆う保護層Ｈ１１２８、および、保護層Ｈ１１３０とを含んで構成されている。
【０１６１】
絶縁層Ｈ１１７０は、上述した絶縁層Ｈ１１２６と同様に、例えば、燐酸化ケイ素により所定の数μｍ程度の膜厚さで均一に形成されている。絶縁層Ｈ１１７０内における個別導体層Ｈ１１７４の一方の端部に対応してスルーホールＨ１１７０Ａが形成されている。スルーホールＨ１１７０Ａは、個別導体層Ｈ１１７４に対し開口する小開口部Ｈ１１７０ｂと、小開口部Ｈ１１７０ｂに連通するとともに、発熱抵抗層Ｈ１１７２に対し開口する大開口部１１７０ａとからなる。
また、絶縁層Ｈ１１７０内におけるスルーホールＨ１１７０Ａに対向した部分には、凹部Ｈ１１７０Ｂが形成されている。スルーホールＨ１１７０Ａ内には、例えば、銅合金材料で作られた埋込み電極Ｈ１１７６がシード層ＳＳを介して設けられている。埋込み電極Ｈ１１７６は、個別導体層Ｈ１１７４と発熱抵抗層Ｈ１１７２の下面の一端とを接続するものとされる。発熱抵抗層Ｈ１１７２の下面の他端は、また、凹部Ｈ１１７０Ｂにシード層ＳＳを介して設けられる共通電極層としての埋込み電極Ｈ１１７８に電気的に接続されている。
【０１６２】
なお、埋込み電極Ｈ１１７６、および埋込み電極Ｈ１１７８は、アルミニウム、アルミニウムとシリコンとの合金材料で作られても良い。
【０１６３】
絶縁層Ｈ１１７０は、埋込み電極Ｈ１１７６、およびＨ１１７８の一方の端面と同一の平面となる平滑な平坦面ＦＳを上面に有している。その平坦面ＦＳには、発熱抵抗層Ｈ１１７２が埋込み電極Ｈ１１７６、およびＨ１１７８に跨って形成されている。
【０１６４】
従って、本例においても、保護層Ｈ１１３０の外面部には、その保護層の欠陥の原因となる凹部または段差が形成されることがないのでその耐久性が向上することとなる。
【０１６５】
このような基板Ｈ１１０１を製造するにあたっては、先ず、図２０の（ａ）に示めされるように、基体Ｈ１１２０の平坦面に熱酸化により酸化膜Ｈ１１２２が形成された後、所定のパターニングおよびエッチング処理により、上述の例と同様な材料で個別導体層Ｈ１１７４が形成される。
【０１６６】
次に、図２０の（ｂ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１７０’が例えば、ＣＶＤ法により、酸化膜Ｈ１１２２、個別導体層Ｈ１１７４をその全体にわたり覆うように形成される。
【０１６７】
続いて、絶縁層Ｈ１１７０’に対して所定のパターニング、第一回目のエッチング処理が行われることにより、スルーホールＨ１１７０Ａにおける大開口部Ｈ１１７０ａに対応する凹部Ｈ１１７０Ａ’、および、凹部Ｈ１１７０Ｂに対応する凹部Ｈ１１７０Ｂ’が形成される。凹部Ｈ１１７０Ｂ’の最大深さは、凹部Ｈ１１７０ｂ’の深さよりも大に設定されている。
【０１６８】
続いて、凹部Ｈ１１７０Ｂ’に対しマスキング処理がなされるもとで、さらに小開口部Ｈ１１７０ｂに対応する部分Ｈ１１７０ｂ’を形成すべく所定のパターニング、第ニ回目のエッチング処理が行われる。これにより、個別導体層Ｈ１１７４に到達するスルーホールに対応する部分が形成されることとなる。
【０１６９】
その際、上述のシード層ＳＳがスパッタリングによりスルーホールＨ１１７０Ａ’、凹部Ｈ１１７０Ｂ’を形成する内面に形成される。
【０１７０】
続いて、図２０の（ｃ）に二点鎖線で示されるように、埋込み電極を形成すべく、導電体層Ｈ１１７７が、例えば、電解メッキ法により、絶縁層Ｈ１１７０’の外表面を覆い、スルーホールＨ１１７０Ａ’、凹部Ｈ１１７０Ｂ’の内部を埋めるように形成される。その際、導電体層Ｈ１１５７の膜厚は、スルーホールＨ１１７０Ａ’の深さ以上に設定される。
【０１７１】
続いて、図２０の（ｃ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１７０’上の導電体層Ｈ１１７７が除去され、かつ、絶縁層Ｈ１１７０’の上面が平坦面となるように所定量、研磨される。研磨は、例えば、エッチング液が含まれる研磨剤で、研磨装置Ｇが利用されて機械的な研磨がなされる。これにより、その平坦面ＦＳに露出する埋込み電極Ｈ１１７６およびＨ１１７８が形成される。
【０１７２】
続いて、発熱抵抗層が平坦面ＦＳ全体にわたりスパッタリング法で形成された後、その発熱抵抗層に対し所定のパターニングおよびドライエッチング法によるエッチング処理が行われる。これにより、発熱抵抗層Ｈ１１７２が埋込み電極Ｈ１１７６およびＨ１１７８に跨るように絶縁層Ｈ１１７０上に形成される。
【０１７３】
続いて、発熱抵抗層Ｈ１１７２および絶縁層Ｈ１１７０全体を覆うように保護層Ｈ１１２８が形成された後、耐キャビテーション層としての保護層が保護層Ｈ１１２８を覆うように形成される。
【０１７４】
そして、その保護層Ｈ１１２８を覆う保護層に対し所定のパターニングおよびエッチング処理が行われることにより、保護層Ｈ１１３０が形成されることとなる。なお、上述した駆動信号入力部の一部をなす電極パッドとなる部分における保護層Ｈ１１２８は除去される。
【０１７５】
従って、本例は、図２０の（ｂ）に示されるように、絶縁層Ｈ１１７０’に対し連続したエッチング処理を２回行うことにより、上述の第３の実施例において必要とされる絶縁層Ｈ１１５２を形成する工程が不要となり、その結果、生産性の向上および製造コストの低減が図られることとなる。
【０１７６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る記録ヘッド用基板、それを備える液体吐出記録ヘッドおよび記録装置によれば、発熱抵抗体層が絶縁層と電極部との共通の平坦面上に導体層に対向して形成され電極部に電気的に接続され、また、保護層が、発熱抵抗体層および絶縁層上に積層され発熱抵抗体層および絶縁層を覆うので保護層の欠陥の原因となる発熱抵抗層に対向する保護層の凹部（段差）をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第１の実施例の要部を部分的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される例における部分断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ），および、（ｃ）は、それぞれ、図１に示される例における製造工程の説明に供される部分断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるインクジェットプリンタの外観構成を示す斜視図である。
【図４】図３に示すプリンタの外装部材を取り外した状態を示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施例によるプリンタに用いる記録ヘッドカートリッジを組立てた状態を示す斜視図である。
【図６】図５に示す記録ヘッドカートリッジを示す分解斜視図である。
【図７】図６に示した記録ヘッドを斜め下方から観た分解斜視図である。
【図８】（ａ），（ｂ）は、それぞれ、図５の記録ヘッドカートリッジに代えて本発明の一実施例によるプリンタに搭載可能なスキャナカートリッジの構成を示すために、そのスキャナカートリッジを天地逆にして示す斜視図である。
【図９】本発明の一実施例のプリンタにおける電気的回路の全体構成を概略的に示すブロック図である。
【図１０】図９に示した電気回路のうちメインＰＣＢの内部構成例を示すブロック図である。
【図１１】図１０に示したメインＰＣＢのうちＡＳＩＣの内部構成例を示すブロック図である。
【図１２】本発明の一実施例のプリンタの動作例を示すフローチャートである。
【図１３】本発明に係る液体吐出記録ヘッドの一例の要部の部分断面を示す斜視図である。
【図１４】本発明に係る液体吐出記録ヘッドの他の一例の要部の部分断面を示す斜視図である。
【図１５】（ａ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第２の実施例の要部を部分的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される例における部分断面図である。
【図１６】（ａ），（ｂ），および、（ｃ）は、それぞれ、図１５に示される例における製造工程の説明に供される部分断面図である。
【図１７】（ａ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第３の実施例の要部を部分的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される例における部分断面図である。
【図１８】（ａ），（ｂ），および、（ｃ）は、それぞれ、図１７に示される例における製造工程の説明に供される部分断面図である。
【図１９】（ａ）は、本発明に係る記録ヘッド用基板の第４の実施例の要部を部分的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される例における部分断面図である。
【図２０】（ａ），（ｂ），（ｃ）、および、（ｄ）は、それぞれ、図１９に示される例における製造工程の説明に供される部分断面図である。
【図２１】従来の記録ヘッド用基板の構成を示す部分断面図である。
【符号の説明】
Ｍ１０００ 装置本体
Ｍ１００１ 下ケース
Ｍ１００２ 上ケース
Ｍ１００３ アクセスカバー
Ｍ１００４ 排出トレイ
Ｍ２０１５ 紙間調整レバー
Ｍ２００３ 排紙ローラ
Ｍ３００１ ＬＦローラ
Ｍ３０１９ シャーシ
Ｍ３０２２ 自動給送部
Ｍ３０２９ 搬送部
Ｍ３０３０ 排出部
Ｍ４０００ 記録部
Ｍ４００１ キャリッジ
Ｍ４００２ キャリッジカバー
Ｍ４００７ ヘッドセットレバー
Ｍ４０２１ キャリッジ軸
Ｍ５０００ 回復系ユニット
Ｍ６０００ スキャナ
Ｍ６００１ スキャナホルダ
Ｍ６００３ スキャナカバー
Ｍ６００４ スキャナコンタクトＰＣＢ
Ｍ６００５ スキャナ照明レンズ
Ｍ６００６ スキャナ読取レンズ１
Ｍ６１００ 保管箱
Ｍ６１０１ 保管箱ベース
Ｍ６１０２ 保管箱カバー
Ｍ６１０３ 保管箱キャップ
Ｍ６１０４ 保管箱バネ
Ｅ０００１ キャリッジモータ
Ｅ０００２ ＬＦモータ
Ｅ０００３ ＰＧモータ
Ｅ０００４ エンコーダセンサ
Ｅ０００５ エンコーダスケール
Ｅ０００６ インクエンドセンサ
Ｅ０００７ ＰＥセンサ
Ｅ０００８ ＧＡＰセンサ（紙間センサ）
Ｅ０００９ ＡＳＦセンサ
Ｅ００１０ ＰＧセンサ
Ｅ００１１ コンタクトＦＰＣ（フレキシブルプリントケーブル）
Ｅ００１２ ＣＲＦＦＣ（フレキシブルフラットケーブル）
Ｅ００１３ キャリッジ基板
Ｅ００１４ メイン基板
Ｅ００１５ 電源ユニット
Ｅ００１６ パラレルＩ／Ｆ
Ｅ００１７ シリアルＩ／Ｆ
Ｅ００１８ 電源キー
Ｅ００１９ リジュームキー
Ｅ００２０ ＬＥＤ
Ｅ００２１ ブザー
Ｅ００２２ カバーセンサ
Ｅ１００１ ＣＰＵ
Ｅ１００２ ＯＳＣ（ＣＰＵ内蔵オシレータ）
Ｅ１００３ Ａ／Ｄ（ＣＰＵ内蔵Ａ／Ｄコンバータ）
Ｅ１００４ ＲＯＭ
Ｅ１００５ 発振回路
Ｅ１００６ ＡＳＩＣ
Ｅ１００７ リセット回路
Ｅ１００８ ＣＲモータドライバ
Ｅ１００９ ＬＦ／ＰＧモータドライバ
Ｅ１０１０ 電源制御回路
Ｅ１０１１ ＩＮＫＳ（インクエンド検出信号）
Ｅ１０１２ ＴＨ（サーミスタ温度検出信号）
Ｅ１０１３ ＨＳＥＮＳ（ヘッド検出信号）
Ｅ１０１４ 制御バス
Ｅ１０１５ ＲＥＳＥＴ（リセット信号）
Ｅ１０１６ ＲＥＳＵＭＥ（リジュームキー入力）
Ｅ１０１７ ＰＯＷＥＲ（電源キー入力）
Ｅ１０１８ ＢＵＺ（ブザー信号）
Ｅ１０１９ 発振回路出力信号
Ｅ１０２０ ＥＮＣ（エンコーダ信号）
Ｅ１０２１ ヘッド制御信号
Ｅ１０２２ ＶＨＯＮ（ヘッド電源ＯＮ信号）
Ｅ１０２３ ＶＭＯＮ（モータ電源ＯＮ信号）
Ｅ１０２４ 電源制御信号
Ｅ１０２５ ＰＥＳ（ＰＥ検出信号）
Ｅ１０２６ ＡＳＦＳ（ＡＳＦ検出信号）
Ｅ１０２７ ＧＡＰＳ（ＧＡＰ検出信号）
Ｅ００２８ シリアルＩ／Ｆ信号
Ｅ１０２９ シリアルＩ／Ｆケーブル
Ｅ１０３０ パラレルＩ／Ｆ信号
Ｅ１０３１ パラレルＩ／Ｆケーブル
Ｅ１０３２ ＰＧＳ（ＰＧ検出信号）
Ｅ１０３３ ＰＭ制御信号（パルスモータ制御信号）
Ｅ１０３４ ＰＧモータ駆動信号
Ｅ１０３５ ＬＦモータ駆動信号
Ｅ１０３６ ＣＲモータ制御信号
Ｅ１０３７ ＣＲモータ駆動信号
Ｅ００３８ ＬＥＤ駆動信号
Ｅ１０３９ ＶＨ（ヘッド電源）
Ｅ１０４０ ＶＭ（モータ電源）
Ｅ１０４１ ＶＤＤ（ロジック電源）
Ｅ１０４２ ＣＯＶＳ（カバー検出信号）
Ｅ２００１ ＣＰＵ Ｉ／Ｆ
Ｅ２００２ ＰＬＬ
Ｅ２００３ ＤＭＡ制御部
Ｅ２００４ ＤＲＡＭ制御部
Ｅ２００５ ＤＲＡＭ
Ｅ２００６ １２８４ Ｉ／Ｆ
Ｅ２００７ ＵＳＢ Ｉ／Ｆ
Ｅ２００８ 受信制御部
Ｅ２００９ 圧縮・伸長ＤＭＡ
Ｅ２０１０ 受信バッファ
Ｅ２０１１ ワークバッファ
Ｅ２０１２ ワークエリアＤＭＡ
Ｅ２０１３ 記録バッファ転送ＤＭＡ
Ｅ２０１４ プリントバッファ
Ｅ２０１５ 記録データ展開ＤＭＡ
Ｅ２０１６ 展開用データバッファ
Ｅ２０１７ カラムバッファ
Ｅ２０１８ ヘッド制御部
Ｅ２０１９ エンコーダ信号処理部
Ｅ２０２０ ＣＲモータ制御部
Ｅ２０２１ ＬＦ／ＰＧモータ制御部
Ｅ２０２２ センサ信号処理部
Ｅ２０２３ モータ制御バッファ
Ｅ２０２４ スキャナ取込みバッファ
Ｅ２０２５ スキャナデータ処理ＤＭＡ
Ｅ２０２６ スキャナデータバッファ
Ｅ２０２７ スキャナデータ圧縮ＤＭＡ
Ｅ２０２８ 送出バッファ
Ｅ２０２９ ポート制御部
Ｅ２０３０ ＬＥＤ制御部
Ｅ２０３１ ＣＬＫ（クロック信号）
Ｅ２０３２ ＰＤＷＭ（ソフト制御信号）
Ｅ２０３３ ＰＬＬＯＮ（ＰＬＬ制御信号）
Ｅ２０３４ ＩＮＴ（割り込み信号）
Ｅ２０３６ ＰＩＦ受信データ
Ｅ２０３７ ＵＳＢ受信データ
Ｅ２０３８ ＷＤＩＦ（受信データ／ラスタデータ）
Ｅ２０３９ 受信バッファ制御部
Ｅ２０４０ ＲＤＷＫ（受信バッファ読み出しデータ／ラスタデータ）
Ｅ２０４１ ＷＤＷＫ（ワークバッファ書込みデータ／記録コード）
Ｅ２０４２ ＷＤＷＦ（ワークフィルデータ）
Ｅ２０４３ ＲＤＷＰ（ワークバッファ読み出しデータ／記録コード）
Ｅ２０４４ ＷＤＷＰ（並べ替え記録コード）
Ｅ２０４５ ＲＤＨＤＧ（記録展開用データ）
Ｅ２０４７ ＷＤＨＤＧ（カラムバッファ書込みデータ／展開記録データ）Ｅ２０４８ ＲＤＨＤ（カラムバッファ読み出しデータ／展開記録データ）
Ｅ２０４９ ヘッド駆動タイミング信号
Ｅ２０５０ データ展開タイミング信号
Ｅ２０５１ ＲＤＰＭ（パルスモータ駆動テーブル読み出しデータ）
Ｅ２０５２ センサ検出信号
Ｅ２０５３ ＷＤＨＤ（取込みデータ）
Ｅ２０５４ ＲＤＡＶ（取込みバッファ読み出しデータ）
Ｅ２０５５ ＷＤＡＶ（データバッファ書込みデータ／処理済データ）
Ｅ２０５６ ＲＤＹＣ（データバッファ読み出しデータ／処理済データ）
Ｅ２０５７ ＷＤＹＣ（送出バッファ書込みデータ／圧縮データ）
Ｅ２０５８ ＲＤＵＳＢ（ＵＳＢ送信データ／圧縮データ）
Ｅ２０５９ ＲＤＰＩＦ（１２８４送信データ）
Ｈ１０００ 記録ヘッドカートリッジ
Ｈ１００１ 記録ヘッド
Ｈ１１００ 記録素子基板
Ｈ１１００Ｔ 吐出口
Ｈ１１２６，Ｈ１１４０，Ｈ１１５４、Ｈ１１７０ 絶縁層
Ｈ１１２４ＡＢ 個別導体層
Ｈ１１２４Ａ 共通導体層
Ｈ１１３０ 保護層
Ｈ１１３２Ａ，１１３２Ｂ 電極部
Ｈ１１３４ 発熱抵抗層
Ｈ１２００ 第１のプレート
Ｈ１２０１ インク供給口
Ｈ１３００ 電気配線基板
Ｈ１３０１ 外部信号入力端子
Ｈ１４００ 第２のプレート
Ｈ１５００ タンクホルダー
Ｈ１５０１ インク流路
Ｈ１６００ 流路形成部材
Ｈ１７００ フィルター
Ｈ１８００ シールゴム
Ｈ１９００ インクタンク
Ｈ１６００ｄ 連通路
ＦＳ 平坦面
ＳＳ シード層
Claims (12)
- 基体上に形成され駆動信号を供給する導体層と、
前記導体層に一端が電気的に接続され絶縁層を介して前記基体上に設けられる電極部と、
前記絶縁層と前記電極部との共通の平坦面上に前記導体層に対向して形成され前記電極部に電気的に接続される発熱抵抗体層と、
前記発熱抵抗体層および前記絶縁層上に積層され該発熱抵抗体層および前記絶縁層を覆う保護層と、
を具備して構成される記録ヘッド用基板。 - 前記電極部は、前記発熱抵抗体層と前記導体層との間に被覆されることを特徴する請求項１記載の記録ヘッド用基板。
- 前記電極部は、前記発熱抵抗体層の真下となる位置に形成されることを特徴する請求項１記載の記録ヘッド用基板。
- 前記絶縁層と前記電極部との共通の平坦面は、エッチング液を利用した研磨加工により形成されることを特徴する請求項１記載の記録ヘッド用基板。
- 前記電極部は、前記発熱抵抗体層と前記導体層との間における前記絶縁層内に形成されるスルーホール内に形成されることを特徴する請求項１記載の記録ヘッド用基板。
- 前記スルーホールの断面形状は、前記絶縁層の厚さ方向に沿って階段状に変化するように形成されることを特徴する請求項５記載の記録ヘッド用基板。
- 前記スルーホールは、前記絶縁層の厚さ方向に沿って連続してなされる２回のエッチング処理により形成されることを特徴する請求項５記載の記録ヘッド用基板。
- 前記スルーホールを形成する内壁面と前記電極部との間には、前記発熱抵抗体層の材料と同一材料でシード層が形成されることを特徴する請求項５記載の記録ヘッド用基板。
- 前記電極部は、アルミニウム、アルミニウム合金または銅のいずれかで形成されることを特徴する請求項５記載の記録ヘッド用基板。
- 互いに離隔して一対設けられる前記電極部のうちの一方が駆動信号が供給される共通電極層に電気的に接続されることを特徴する請求項１記載の記録ヘッド用基板。
- 請求項１記載の記録ヘッド用基板と、
前記記録ヘッド用基板上に設けられ前記発熱抵抗体層に対応して記録用の液体を液体吐出口に導く液体流路を形成する液体流路形成部材と、
を具備して構成される液体吐出記録ヘッド。 - 請求項１１記載の液体吐出記録ヘッドと、
前記液体吐出記録ヘッドを記録媒体の記録面に対向して移動させる移動手段と、
前記移動手段に移動させる動作を行わせるとともに、前記液体吐出記録ヘッドに記録動作を行わせる制御部と、
を具備して構成される記録装置。
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| JP2003092544A JP4298350B2 (ja) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | 記録ヘッド用基板、それを備える液体吐出記録ヘッド、記録装置、および、記録ヘッド用基板の製造方法 |
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2003
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