JP2004288364A - 半導体装置及びこれを含む光ピックアップ光学系ユニット及びこれを含む光ピックアップ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高周波電流発生回路210の出力トランジスタ52のベースバイアス電圧を半導体レーザ82の動作電圧によって生成し、APC60からの駆動電流により高周波電流を生成する。電圧制御発振回路120の発振レベルを調整するレベル調整回路140に設定電流を供給する電流変換回路150の設定電流を外付抵抗180で決定する。電流変換回路150は、上記レベル調整回路に供給する電流と逆位相の電流を生成し、バイアス制御回路を介してバイアス調整トランジスタ91のベースへ供給する。パワーセーブ回路200は、半導体レーザ82の動作電圧を検知して基準電源190の電圧と比較し、高周波電流発生回路210のON、OFFの操作を行う。
【選択図】図1
Description
半導体レーザの光量を制御する光量制御回路と、
高周波電流を発生する高周波電流発生回路とを備え、
前記光量制御回路から出力された制御電流と前記高周波電流発生回路から出力された前記高周波電流とを重畳して前記半導体レーザに供給することにより半導体レーザの戻り光に起因するノイズを低減する半導体装置において、
前記高周波電流発生回路は、前記光量制御回路から供給される電流で高周波電流を生成する手段と、
前記半導体レーザの動作電圧により前記高周波電流のバイアス電流を自動設定する手段とを備えたことを特徴とする半導体装置を提供する。
該発振出力の低域ノイズを除去する高域通過フィルタ(HPF)と、
前記半導体レーザの駆動電圧に基づいて、前記発振信号の周波数と同一周波数のバイアス電圧を出力するセルフバイアス回路と、前記セルフバイアス電圧の電圧レベルに応じた前記高周波電流を生成する電流増幅素子とを備えていることが好ましい。
前記第1のトランジスタのコレクタには前記半導体レーザの駆動電圧が印加され、そのベースには前記セルフバイアス電圧が印加されるとよい。
前記電流増幅素子のエミッタと前記第2のトランジスタのベースとの間に接続された負荷と、
前記電流増幅素子のコレクタと前記第2のトランジスタのベースとの間に接続された負荷とを備えていることが望ましい。
外部に備えられた第1の抵抗の抵抗値に基づき出力電流値が決定される第1の電流変換回路を備え、前記発振回路は、第1の電流変換回路から供給される電流により発振周波数が制御されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置を提供する。
外部に備えられた第2の抵抗の抵抗値に基づき出力電流値が決定される第2の電流変換回路と、前記第2の電流変換回路から供給される電流に基づいて前記発振回路の発振出力の振幅を制御するレベル調整回路とを備えたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置を提供する。
前記半導体レーザの動作電圧を監視して、半導体レーザの停止モードを判定して発振を停止することにより消費電力を抑止するパワーセーブ回路を備えたことを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の半導体装置を提供する。
光学式情報記録媒体にレーザ光を出射する半導体レーザと、
前記半導体レーザの出射光量を検知して前記光量制御回路に制御信号を供給する受光素子と、
請求項1ないし9のいずれかに記載の半導体装置を備えた光ピックアップ光学系ユニットを提供する。
請求項10に記載の光ピックアップ光学系ユニットと、
前記半導体レーザの出射光を平行光にするコリメータレンズと、
前記平行光を前記光学式情報記録媒体の基盤に収束させる対物レンズと、
前記対物レンズを駆動してフォーカスあわせとトラックあわせを行うアクチュエータとを備えたことを特徴とする光ピックアップ装置を提供する。
半導体レーザの光量を制御する光量制御回路と、半導体レーザの戻り光に起因する雑音を低減させる高周波電流発生回路とを備えた半導体装置において、高周波電流を出力する電流増幅素子は、そのバイアス電圧の電圧レベルが半導体レーザの動作電圧に基づいて制御され、光量制御回路からの駆動電流により高周波電流を生成するため、装置の消費電力が少なく発熱量が小さいので、半導体レーザに近接配置できる半導体装置が提供される。
半導体レーザの動作電圧に基づいて、高周波電流発生回路の発振信号の周波数と同一周波数のバイアス電圧を電流増幅素子に与えるセルフバイアス回路を備えているので、半導体レーザの光量制御回路の動作中は安定して作動するとともに、発振回路のON・OFFによっても半導体レーザの駆動系に影響を及ぼさない高周波電流発生回路を備えた信頼性の高い半導体装置が提供される。
上記発振回路の発振周波数は、外部に備えられた第2の抵抗の抵抗値に基づき出力電流値が決定される第1の電流変換回路から供給される電流により制御されるようになっているので、発振周波数の設定・変更が容易な高周波電流発生回路を備えた半導体装置が提供される。
外部に備えられた第3の抵抗の抵抗値に基づき出力電流値が決定される第2の電流変換回路から供給される電流に基づいて前記発振回路の発振信号の振幅を制御するレベル調整回路が備えられているので、発振信号の振幅を容易に設定・変更できる高周波電流発生回路を備えた半導体装置が提供される。
上記第2の電流変換回路は、前記レベル調整回路に供給する電流と逆位相の電流を生成してバイアス制御回路を介して前記セルフバイアス回路にバイアス電流を供給するので、発振信号のレベルに最適の直流バイアス電流が出力トランジスタのベースに供給され、発振信号に応じた高周波電流を半導体レーザに供給する半導体装置が提供される。
上記高周波電流発生回路は、半導体レーザの動作電圧を監視して、半導体レーザの停止モードを判定して発振を停止することにより消費電流を抑止するパワーセーブ回路を備えているので、上述の効果に加え、さらに小電力で発熱量の小さい半導体装置が提供される。
上記効果を有する半導体装置を備えているので、電力消費の小さい小型でかつ軽量の光ピックアップ光学系ユニットが提供される。
上記効果を有する光ピックアップ光学系ユニットを備えているので、電力消費の小さい小型でかつ軽量の光ピックアップ装置が提供される。
52 出力トランジスタ
53 エミッタ抵抗
54、93〜95 抵抗
55 カップリングキャパシタ
56 発振回路
58 出力端子
60 光量制御回路
70 フィルタ回路
76、92、206、314 キャパシタ
77、205、313 インダクタ
80 光学部
81 受光素子
82、300 半導体レーザ
90、100、170 セルフバイアス回路
91 バイアス調整トランジスタ
120 電圧制御発振回路
130、150 電流変換回路
140 レベル調整回路
160 バイアス制御回路
175、180 外付抵抗
190 基準電源
200 パワーセーブ回路
220 半導体レーザ駆動系
301 光検出器
302 4チャネルフォトダイオード
330 セラミック基板
334 偏光ホログラム素子
340 光ピックアップ光学系ユニット
350 偏光プリズム
360 対物レンズ
380 アクチュエータ
400 光ピックアップ装置
Claims (3)
- 高周波電流を発生する高周波電流発生回路とパワーセーブ回路とを備え、
半導体レーザの光量を制御する光量制御回路から出力された制御電流に前記高周波電流発生回路から出力された前記高周波電流を重畳して前記半導体レーザに直接供給することにより、半導体レーザの戻り光に起因するノイズを低減する半導体装置において、
前記パワーセーブ回路は、前記半導体レーザの動作電圧を監視して、半導体レーザの停止モードを判定して前記高周波電流発生回路を停止することを特徴とする半導体装置。 - 光学式記録媒体にレーザ光を出射する半導体レーザと、
前記半導体レーザの光量を制御する光量制御回路と、
前記半導体レーザの出射光量を検知して前記光量制御回路に制御信号を供給する受光素子と、
請求項1に記載の半導体装置を備えた光ピックアップ光学系ユニット。 - 請求項2に記載の光ピックアップ光学系ユニットと、
前記半導体レーザの出射光を平行光にするコリメータレンズと、
前記平行光を前記光学式記録媒体の基盤に収束させる対物レンズと、
前記対物レンズを駆動してフォーカスあわせとトラックあわせを行うアクチュエータとを備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004146906A JP3866736B2 (ja) | 2004-05-17 | 2004-05-17 | 半導体装置及びこれを含む光ピックアップ光学系ユニット及びこれを含む光ピックアップ装置 |
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