JP2004281369A - セラミックヒータおよびそれを用いた流体加熱装置 - Google Patents

Abstract

【課題】流体加熱用ヒータとしてヒータ始動直後より流体を速やかに上昇させることができ、なおかつ長期間にわたって正常に作動させることの出来る安価な流体加熱用のヒータ。
【解決手段】セラミック体の内部に発熱抵抗体を埋設し、該発熱抵抗体に接続するリード端子を上記セラミック体の表面に備えてなるセラミックヒータにおいて、前記セラミック体の表面を金属層にて被覆し、かつ該金属層の表面に酸化膜を備えているセラミックヒータ。
【選択図】図１

Description

本発明は、セラミックヒータ特に流体中に浸漬されて用いられるセラミックヒータの改良に関するものである。

図３（ａ）、（ｂ）に示すように、従来のセラミックヒータ１０は、アルミナセラミック等のセラミック体１１の内部にタングステン、モリブデン等の高融点金属からなる発熱抵抗体１２を芯体１１ａと被覆層１１ｂで挟むことで埋設し、セラミック体１１の表面１５に備えられた電極パッド１２ａと、これに接続するリード端子１３を備えて構成され、上記発熱抵抗体１２に通電して発熱させるようになっている。

また、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、特に流体加熱用のセラミックヒータ１９として、セラミック体１１の表面にメタライズ層２０を１μｍ程度の厚みで被覆し、耐食性の金属層２１を１μｍ未満の厚みにて被覆することが提案されている。このようなセラミックヒータ１９は様々な分野に用いられ、流体加熱用として、例えばボイラー等の高圧水中で使用される温水ヒータや、腐食性溶液の加熱用ヒータなど、液体にセラミックヒータ１９を浸漬して加熱する用途に使用されてきた（特許文献１、２参照）。
特開平６−２２３９５６号公報 特開平１１−７４０６３号公報

しかしながら、図３に示されるような従来のセラミックヒータ１０は、そのセラミック体１１を構成するアルミナセラミックスの耐熱衝撃性が低いため、流体加熱用のヒータとして流体中に浸漬した場合、セラミック体１１にクラックが発生し、最悪の場合にはセラミックヒータ１０が断線、破損する。また、腐食性溶液中に浸漬した状態にて使用した場合には、アルミナセラミックスの耐食性が悪いためセラミックヒータ１０が破損するという問題点があった。

上記課題については、特許文献１，２に記載され、図４に示されるセラミックヒータ１９のように、セラミック体１１の表面に金属層２１を被覆することにより、耐食性については改善が見られた。また、セラミック体１１の表面に熱伝導率の高い金属層２１を用いているため、セラミックヒータ１９の表面温度を均一にできるばかりでなく、流体への熱伝達についても効果が見られ、セラミック体１１のクラックについてもある程度の改善が見られた。しかし、金属層２１の熱伝導率が低い場合また金属層２１の厚みが薄い場合などセラミック体１１にクラックが発生、また金属層２１を新たに被覆したことにより金属層２１自体耐酸化性に優れた材質で無い場合、セラミックヒータ１９の加熱により金属層２１が酸化する。

また金属層２１自体の算術平均表面粗さが粗い場合など金属層２１の表面にスケールが付着するという新たな問題点が発生した。

また、セラミック体１１に耐熱衝撃性の優れた窒化珪素等を用いる場合には、セラミックヒータ１０，１９の形状に制約がありコストが高い等の問題点があった。

本発明は、このような欠点に鑑みて案出されたものであり、流体加熱用ヒータとしてヒータ始動直後より流体を速やかに昇温させることができ、なおかつ長期間にわたって正常に作動させることの出来る安価な流体加熱装置用のセラミックヒータを提供するものである。

上記に鑑みて本発明のセラミックヒータはセラミック体の内部に発熱抵抗体を埋設し、該発熱抵抗体に接続するリード端子を上記セラミック体の表面に備えてなるセラミックヒータにおいて、前記セラミック体の表面を金属層にて被覆し、かつ該金属層の表面に酸化膜を備えたことを特徴とするものである。

また、上記金属層の厚みを１〜５００μｍとし、該金属層の表面の酸化膜の厚さを０．０５μｍ以上かつ上記金属層の厚さの９０％以下としたことを特徴とするものである。

また、上記金属層の熱伝導率を８８Ｗ／ｍ・ｋ以上としたことを特徴とするものである。

また、上記金属層は、平均粒径０．１〜１０μｍの銀、金、銅、ニッケルの少なくとも１種類以上を主成分とした金属にて構成されていることを特徴とするものである。

また、上記酸化膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が１．０μｍ以下であることを特徴とするものである。

また、上記金属層は発熱抵抗体が埋設されている部位の表面積の７０％以上を被覆していることを特徴とするものである。

また、上記金属層の厚みは、発熱抵抗体の埋設されている部位が、他の部位より厚くなっていることを特徴とするものである。

また、上記リ−ド端子を接続するための電極パッド部をセラミック体の表面に備え、上記金属層と電極パッド部との距離が０．３〜２．０ｍｍの範囲内であることを特徴とするものである。

また、上記セラミック体が中空筒状であり、かつ上記金属層がセラミック体の内周側にも被覆してあることを特徴とするものである。

また、上記セラミック体が、アルミナもしくは窒化珪素もしくは窒化アルミニウムを主成分とするものであることを特徴とするものである。

さらに、上記セラミックヒータを用いたことを流体加熱装置に用いたことを特徴とするものである。

本発明のセラミックヒータによれば、セラミック体の内部に発熱抵抗体を埋設し、該発熱抵抗体に接続するリード端子を上記セラミック体の表面に備えてなるセラミックヒータにおいて、前記セラミック体の表面を金属層にて被覆し、かつ該金属層の表面に酸化膜を備えることにより、昇温特性が優れ、長期間にわたっても正常に作動させることができる。

また、本発明のセラミックヒータによれば、金属層の厚みを１〜５００μｍとし、上記金属層の表面に厚さ０．０５μｍ以上、上記金属層の厚さの９０％以下の酸化膜を備えたことにより、昇温特性が優れなお金属層の酸化を抑えることが可能となり長期間にわたっても正常に作動させることができる。

さらに、本発明のセラミックヒータによれば、上記金属層を金属層の熱伝導率を８８Ｗ／ｍ・ｋ以上にすることによりさらに昇温特性の優れたセラミックヒータにすることができる。

さらに、本発明のセラミックヒータによれば、上記金属層を、平均粒径０．１〜１０μｍの範囲内の銀、金、銅、ニッケルの少なくとも１種類以上を主成分とした金属にて構成することにより、さらに流体の昇温性および耐熱衝撃性の優れたセラミックヒータにすることができる。

さらに、本発明のセラミックヒータによれば、酸化膜の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が１．０μｍ以下であることから、セラミックヒータを直接流体中に浸漬した場合にも、セラミックヒータ表面にスケールの付着を防止することができ、セラミックヒータの耐久性を向上させることができる。

さらに、本発明のセラミックヒータによれば、上記金属層は発熱抵抗体が埋設されている部位の表面積の７０％以上を金属層で被覆していることで、セラミックヒータの表面温度をさらに均一にすることが可能となり、セラミックヒータの熱衝撃に起因するクラック等の耐久性をさらに優れたものとすることができる。

またさらに、本発明のセラミックヒータによれば、金属層の厚みは、発熱抵抗体が埋設されている部位を他の部位より厚くすることで、セラミックヒータの熱を流体に伝えることがさらに可能となり、流体の昇温および消費電力の低減の優れたものにすることができる。

またさらに、上記リード端子を接続するための電極パット部をセラミック対の表面に備え、本発明のセラミックヒータによれば、上記金属層と電極パッド部との絶縁距離を０．３〜２．０ｍｍの範囲内にすることにより、金属層と電極パッド部との絶縁耐電圧特性を十分に満足し、なおかつ昇温性と温度分布特性の優れたものとすることができる。

さらにまた、本発明のセラミックヒータによれば、セラミック体が中空筒状であり、かつ金属層がセラミック体の内周側にも被覆することにより、流体と接する表面積を大きくすることができ、流体の昇温スピードや加熱特性をさらに向上させることができる。

さらにまた、本発明のセラミックヒータによれば、上記セラミック体が、アルミナもしくは窒化珪素もしくは窒化アルミにすることにより、流体との絶縁特性に優れ、なおかつ耐久性も向上させることができる。

さらにまた、本発明の流体加熱装置によれば、上記セラミックヒータを用いることにより、セラミック体のクラックの発生およびスケールの付着といった問題点が改善され、流体加熱装置としてヒータ始動直後より流体を速やかに上昇させることができる。

以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。

図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明のセラミックヒータ１の実施形態を示す図であり、(ａ)〜（ｃ）はセラミック体２が円柱状、（ｄ），（ｅ）はセラミック体２が中空筒状のセラミックヒータ１８の図であり、（ａ）、（ｄ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｅ）は（ｄ）のＣ−Ｃ線における断面図である。本発明のセラミックヒータ１は基本的にセラミック体２の内部に発熱抵抗体３を埋設させて構成されている。

前記セラミック体２は発熱抵抗体３を電気的に絶縁しつつ保持する作用を為し、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料より形成されている。

また前記アルミナセラミックス等の電気絶縁材料よりなるセラミック体２は、円柱状の芯体２ａと、該芯体２ａを被覆する被覆層２ｂとから構成されており、芯体２ａと被服層２ｂとの間に発熱抵抗体３が配設されることとなる。

図２（ａ）〜（ｅ）に示すように、前記セラミック体２は、まず芯体２ａとなる円柱状の生セラミック成形体８および被覆層２ｂとなる発熱抵抗体３が印刷されたセラミックグリーンシート９を準備するとともに、生セラミック成形体８の外周表面にセラミックグリーンシート９をセラミックペーストからなる接着剤を介して巻回接着し、最後にこれを約１６００℃の温度で焼成し、生セラミック成形体８およびセラミックグリーンシート９を焼結一体化させることによって、作製される。

なお、前記生セラミック成形体８は、例えばアルミナセラミックスからなる場合、主原料としてのアルミナおよび焼結助材としてのシリカ、カルシア、マグネシア等の原料粉末に適当なバインダー、溶剤等を添加混合して調整するとともにこれを従来周知の押し出し成形法を採用して円柱状となすことによって成形される。

また、前記セラミックグリーンシート９は、前記芯体２ａと実質的に同一組成の原料粉末に適当なバインダー、溶剤等を添加混合してスラリー状となすとともに、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート成形技術を採用して所定厚みのシート状となすことによって成形される。

更に生セラミック成形体８とセラミックグリーンシート９とを接着する前記接着剤は、芯体２ａおよび被覆層２ｂと実質的に同一組成の原料粉末に適当なバインダー、溶剤等を添加混合してペースト状となすことによって制作される。

前記セラミック体２はまたその内部にタングステン、モリブデン、レニウム、白金等の金属粉末からなる屈曲状の発熱抵抗体３が埋設されており、該発熱抵抗体３は所定の電力が印加されるとそれ自体が有する電気抵抗値によって所定の温度にジュール発熱する。

なお、前記発熱抵抗体３は例えば、タングステン粉末に前記セラミック体２と実質的に同一組成の原料粉末、適当なバインダー、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストをセラミックグリーンシート９の内面側にスクリーン印刷法等の厚膜印刷手法による所定のパターンを印刷塗布しておくことによって、セラミック体２の芯体２ａと被覆層２ｂとの間に屈曲状に形成される。

金属層５は、セラミック体２側からタングステン、モリブデン等のメタライズ層４および金属層５から構成することができる。この場合は、まずセラミック体２のセラミックグリーンシート９上にメタライズ層４をなす金属ペーストを所定のパターンにて印刷しておいて焼成し、その上に金属層５を被覆すれば良くこのような構造としておくことによって、セラミック体２と金属層５の接合強度を高くすることができる。

なお金属層５についてはメッキもしくはロウ材を流すことによって形成することができる。

また、金属層５を被覆した後、セラミックヒータ１を空気中にて、所定の温度にて熱処理を行うことにて金属層５の表面を不導体処理するための酸化膜７を形成することができる。

また前記発熱抵抗体３は、その両端部の被覆層２ｂに形成したスルーホール３ｂを介して、セラミック体２の外表面の電極パッド部３ａに、外部電源と接続するリード端子６が銀ロウ等でロウ付けされている。

前記リード端子６は、発熱抵抗体３にジュール発熱を起こさせるための所定電力を印加する作用をなし、リード端子６を外部電源に接続し、外部電源から供給される電力を発熱抵抗体３に印加することによって発熱抵抗体３はセラミックヒータとしての所定の温度にジュール発熱する。

尚、前記リード端子６はニッケル等の金属からなる断面円形の棒状体であり、ニッケル等のインゴット（塊）を従来周知の金属加工法を採用して所定の棒状に加工することによって制作される。

また前記リード端子６が銀ロウ等でロウ付けされる発熱抵抗体３の電極パッド部３ａは、その露出表面にニッケル等の耐食性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属を０．５〜５．０μｍの厚みに層着させておくと、前記発熱抵抗体３の両端部が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、前記電極パッド部３ａとリード端子６との接合を容易かつ強固なものとなすことが可能となる。

本発明は、前記セラミック体２の表面１５にメタライズ層４を１〜１０μｍ形成した後、セラミック体の表面を金属層にて被覆し、かつ該金属層の表面に酸化膜を備えたことを特徴とする。金属層５に酸化膜を設けることにより金属層５の酸化の進行を抑えることが可能となり、長期間にわたっても正常に作動させることができる。

またさらに、金属層５の厚みを１〜５００μｍ、酸化膜７の厚みは０．０５以上、かつ上記金属層の厚みの９０％以下とすることが好ましい。金属層５及び酸化膜７を上記条件にすることにより、昇温特性が優れまた金属層５の酸化の進行を抑えることが可能となり、長期間のわたっても正常に作動させることができる。

なお上記酸化膜７の測定に際しては、断面方向にクロスにて埋め込み研磨後、ＷＤＳ（ＥＰＭＡ波長分散）法（装置：ＪＸＡ−８６００Ｍ，蒸着：Ｃ）にて測定を行い、ＷＤＳにて観察された面の酸化膜７の厚み平均値を金属層５の酸化膜７の厚みとみなし、評価を行った。また酸化膜７の成膜については、セラミックヒータ１を空気中にて所定の温度にて熱処理を行うことによって成膜することができる。

ここで金属層５の厚みが１μｍより薄い場合には、金属層５の効果があまり得られず、流体中にて直接浸漬した状態にてセラミックヒータ１を使用した場合、昇温特性が劣り、最悪の場合にはセラミックヒータ１に熱衝撃に起因するクラックが発生してしまう。また一方、金属層５の厚みが５００μｍを超えた場合には、金属層５の一部が脱落、剥離してしまうという問題点が発生する。

また上記金属層５の表面の酸化膜７の厚みが０．０５μｍ未満の場合には、セラミックヒータ１を高温にて使用した場合、金属層５が酸化してしまうという可能性がある。また一方金属層５の表面の酸化膜７の厚みが上記金属層の厚みの９０％以上よりも厚い場合には、酸化膜７の熱伝導が悪いために、流体を加熱した際の昇温スピードが遅くなるという可能性がある。

また金属層５については熱伝導率８８Ｗ／ｍ・ｋ以上、厚みが１〜５００μｍの範囲内にて被覆したことを特徴とする。セラミック体２の表面１５に熱伝導率の高い金属層５を被覆することにより、セラミックヒータ１の表面温度を均一にできるばかりでなく、流体への熱伝達についても効果が見られ、流体の昇温スピードを早くできるばかりでなく、流体中にて直接浸漬した状態にてセラミックヒータ１を使用した場合にも、セラミックヒータ１の熱衝撃に起因するクラックを改善することができる。

ここで、金属層５の熱伝導率が８８Ｗ／ｍ・ｋより低い場合、あるいは、金属層５の厚みが１μｍより薄い場合には、金属層５の効果があまり得られず、流体中にて直接浸漬した状態にてセラミックヒータ１を使用した場合、セラミックヒータ１に熱衝撃に起因するクラックが発生してしまう。また一方、金属層５の厚みが５００μｍを超えた場合には、金属層５の一部が脱落、剥離してしまうという問題点が発生する。

また、メタライズ層４と酸化膜７の厚さは金属層５の厚さには含まない。

またさらに、上記金属層５を、平均粒径０．１〜１０μｍの範囲内の銀、金、銅、ニッケルの少なくとも１種類以上を主成分とした金属にて構成することが好ましく、さらに流体の昇温性および耐熱衝撃性の優れたセラミックヒータ１にすることができる。上記粒径の測定については、断面方向にクロスにて埋め込み研磨後、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）法（装置：日立製 Ｓ５７０，蒸着：Ｐｔ−Ｐｄ）にて測定を行い、ＳＥＭにて観察された面の０．１μｍ以上の粒子を対象とし、その平均粒径を金属層５の粒径とみなし、評価を行った。

ここで金属層５の粒径が１０μｍを超える場合には、金属層内の金属の充填が十分でなく、金属層５の強度が十分でなく、急速に昇温した場合またセラミックヒータ１の使用中に金属層５の一部が脱落、剥離してしまうという可能性がある。

また一方金属層５の種類について、銀、金、銅、ニッケル以外の成分を用いた場合には、耐酸化性および流体中に浸漬した場合の耐食性に問題が見られる。

金属層を成膜する場合、工程が複雑になるため銀を用いることがより好ましい。

またさらに、酸化膜７の表面平均表面粗さ（Ｒａ）を１．０μｍ以下にすることが好ましく、セラミックヒータ１を直接流体中に浸漬した場合にも、セラミックヒータ１の表面１５にスケールの付着を防止することができ、セラミックヒータ１の耐久性を向上させることができる。上記算術平均表面粗さの測定については（装置：ＴＯＫＹＯ ＳＥＩＭＩＴＳＵ製 Ｓｕｒｆｃｏｍ）にて測定を行った。

ここで酸化膜７の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が１．０μｍを越えた場合、セラミックヒータ１の表面にスケールが付着してしまい、流体の昇温性が劣化するとともに、最悪の場合にはセラミックヒータ１が断線してしまう可能性がある。

またさらに、上記金属層５は発熱抵抗体３が埋設されている部位の表面積の７０％以上を被覆することが好ましく、セラミックヒータ１の表面温度をさらに均一にすることが可能となり、セラミックヒータ１の熱衝撃に起因するクラック等の耐久性をさらに優れたものとすることができる。ここで、上記金属層５の面積が発熱抵抗体３が埋設されている部位の表面積の７０％より小さい場合には、セラミックヒータ１の均熱性および流体中への熱伝達の改善といった金属層５の効果が十分に得ることができず、セラミックヒータ１にクラックが発生する可能性がある。

上記発熱抵抗体３が埋設されている部位の全体の表面積は、発熱抵抗体３の各部位における幅と長さをそれぞれ測定して計算されており、上記金属層５と上記発熱抵抗体３がオーバーラップしている部分の表面積も同様に測定、計算され、その比を求めている。

またさらに、金属層５の厚みは、発熱抵抗体３の埋設されている部位を、他の部位に比較して厚くすることが好ましく、セラミックヒータ１の熱を流体に伝えることがさらに可能となり、流体の昇温および消費電力の低減の優れたものにすることができる。

上記金属層５の厚みの調整については、発熱抵抗体３が埋設されている部位のメッキの厚みを部分的に厚くするもしくはロウ材を部分的に多くする等によって調整することが可能である。

これはセラミックグリーンシート９の発熱抵抗体３の反対面に上記発熱抵抗体３と一致させて同一のパターンのメタライズ層４を被着しておけば、後工程でそのメタライズ層４上に選択的にメッキまたはロウ材を被覆することができる。

またさらに、上記金属層５と電極パッド部３ａとの距離を０．３〜２．０ｍｍの範囲内にすることが好ましく、金属層５と電極パッド３ａとの絶縁耐電圧特性を十分に満足し、なおかつ昇温性と温度分布特性の優れたものとすることができる。

ここで上記金属層５と電極パッド部３ａとの距離が０．３ｍｍより小さい場合には絶縁性が劣る可能性があり、また一方絶縁距離が２．０ｍｍを越える場合には、セラミックヒータ１の均熱性および流体中への熱伝達の改善といった金属層の効果が十分に得ることができず、流体の昇温性が劣化してしまう可能性がある。

さらにまた、図１（ｅ）のように、セラミックヒータ１８が中空筒状１７であり、かつ金属層５がセラミックヒータ１８の内径側１６にも被覆することが好ましく、流体と接する表面積を大きくすることができ、流体の昇温性や加熱特性をさらに向上させることができる。

次に本発明のセラミックヒータ１の製造方法に関して、アルミナセラミックスからなるセラミックヒータ１を例にして図２（ａ）〜（ｅ）に基づいて説明する。

先ず、図２（ａ）に示すように生セラミック成形体８を用意する。主原料としてのアルミナおよび焼結助材としてのシリカ、カルシア、マグネシア等の原料粉末に適当なバインダー、溶剤等を添加混合して調整するとともにこれを押し出し成形法にて所望の形状の芯体２ａとなる生セラミック成形体８を成形する。

次に図２（ｂ）、（ｃ）に示す被覆層２ｂとなるセラミックグリーンシート９は、前記芯体２ａと実質的に同一組成の原料粉末に、適当なバインダー、溶剤等を添加混合してスラリー状にし、これをドクターブレード法を採用して所定厚みのシート状としたことにより得られる。これにタングステン、モリブデン、レニウム、白金等の金属粉末と前記芯体２ａと実質的に同一組成の原料粉末、バインダー、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを用いて屈曲状の発熱抵抗体３をスクリーン印刷法等の手法により印刷する。

更に、芯体２ａおよび被覆層２ｂと実質的に同一組成の原料粉末に適当なバインダー、溶剤等を添加混合してペースト状とした接着剤を用いて、前記芯体２ａとなる円柱状の生セラミック成形体８と発熱抵抗体３が内面側に印刷された被覆層２ｂとなるセラミックグリーンシート９を接着する。

生セラミック成形体８とセラミックグリーンシート９を巻き付け一体化したセラミック体２を約１６００℃の温度で焼成し、生セラミック成形体８およびセラミックグリーンシート９を焼結一体化させることによってセラミック体２が得られる。

金属層５は、図１（ｂ）に示すように、セラミック体２側からタングステン、モリブデン等のメタライズ層４および金属層５から構成することができる。この場合は、まず図２（ｃ）のように、セラミック体２のセラミックグリーンシート９上にメタライズ層４をなす金属ペーストを所定のパターンにて印刷しておいて焼成し、その上に金属層５を被覆すれば良くこのような構造としておくことによって、セラミック体２と金属層５の接合強度を高くすることができる。

なお金属層５についてはメッキもしくはロウ材を流すことによって形成することができる。

また酸化膜７については、金属層５を被覆した後、セラミックヒータ１を空気中にて所定の温度にて熱処理を行うことにて成膜することができる。

また前記発熱抵抗体３は、図２（ｄ）、（ｅ）に示すように、その両端部の被覆層２ｂとなるセラミックグリーンシート９に形成したスルーホール３ｂを介してセラミック体２の表面１５となる電極パッド部３ａで、外部電源と接続するリード端子６が銀ロウ等でロウ付けされている。

尚、前記リード端子６はニッケル等の金属からなる断面円形の棒状体であり、ニッケル等のインゴット（塊）を従来周知の金属加工法を採用して所定の棒状に加工することによって制作される。

また前記リード端子６が銀ロウ等でロウ付けされる発熱抵抗体３の電極パッド部３ａは、その露出表面にニッケル等の耐食性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属を０．５〜５．０μｍの厚みに層着させることにより、前記発熱抵抗体３の電極パッド部３ａが酸化腐食するのを効果的に防止することができるとともに、該電極パッド部３ａと前記リード端子６との接合を容易かつ強固なものとなすことが可能となる。

さらに、以上の実施形態の説明において、セラミック体２は円柱状のものを示したが、これに限らず、中空筒状や角柱状等様々な形態とすることができる。さらに、本発明のセラミックヒータ１、１８は、ヒータ自身を流体に直接浸漬して加熱するような用途に広く使用することができ、例えばボイラー用ヒータや腐食性溶液の加熱ヒータとして広く使用することができる。

以下、本発明の実施例を説明する。

実施例１として、図１に示すようなセラミック体２の表面１５を金属層５で覆い、その後セラミックヒータ１を空気中にて所定の温度にて熱処理を行うことで、金属層５の表面に酸化膜７を作製した本発明のセラミックヒータと、金属層５の表面に酸化膜７の無いセラミックヒータ及び図３に示す従来のセラミックヒータ１０を用意して、流体中に直接セラミックヒータを浸漬した状態にて、昇温テストを行った。

セラミック体２の材質としては、アルミナを用いた。昇温条件としては、セラミックヒータ７の最高温度部が空気中にて３秒で７００℃まで昇温する条件の電力を見いだし、セラミックヒータ１，１０を流体中に浸漬した状態にて前記電力を印加し、評価を行った。それぞれ５本づつ５サイクル評価し、双眼検査にてクラックの有無を確認した。また本発明の実施例においては、メタライズ法、メッキ法、ロウ付け法により所定の熱伝導率を持つ金属層５として銀を製膜した。

その結果を表１にて示す。

表１より明らかなように、セラミック体２の表面を金属層５にて被覆し、かつその金属層５の表面に酸化膜７を設けたセラミックヒータにおいては試料（Ｎｏ．１）においては、セラミック体２のクラック等の問題点無く、昇温特性も良好な結果を示した。

セラミック体２の表面を金属層５にて被覆し、金属層５に酸化膜７を設けていないセラミックヒータにおいては試料（Ｎｏ．２）金属層５に劣化が見られた。

またセラミック体２に金属層が無いセラミックヒータにおいては試料（Ｎｏ．３）においては、セラミック体にクラックが発生した。

実施例２として、実施例１と同様に、図１に示すようなセラミック体２の表面１５を金属層５で覆う本発明のセラミックヒータ１を作製した。その際金属層５の厚み及びその後セラミックヒータ１を空気中にて熱処理を行うことで、金属層５の表面に酸化膜７を作製し、実施例１と同様の評価を行った。評価に際しては双眼検査にてクラックの確認とともに、金属層５の酸化の程度の評価も同時に行った。

その結果を表２にて示す。

表２より明らかなように、金属層５の厚みが１〜５００μｍの範囲内でかつ金属層の表面の酸化膜を厚さ０．０５μｍ以上、かつ上記金属層の厚さの９０％以下の酸化膜７がある試料（Ｎｏ．３〜８、１０〜１６、２０〜２６）においては、クラックおよび金属層５の酸化といった問題点は発生しないことが確認できた。また昇温特性についても良好な結果が得られた。一方、金属層５の厚みが１μｍより薄い試料（Ｎｏ.１、２）においては、昇温速度が遅くなるあるいはセラミック体２にクラックが発生した。また金属層５の厚みが５００μｍを越えた試料（Ｎｏ．８）においては、金属層５が一部脱落、剥離するといった問題点が発生した。

また酸化膜７の厚みが０．０５μｍより薄い試料（Ｎｏ．９、１９）においては、クラックの発生は見られないが、金属層５に一部酸化の進展が見られ、金属層５が一部脱落、剥離するものが一部あった。

また酸化膜７の厚みが金属層の厚さの９０％以上を越えた試料（Ｎｏ．１７、１８、２７、２８）においては流体を加熱する際の昇温スピードが遅くなるものが一部あった。

実施例３として、図１に示すようなセラミック体２の表面１５を金属層５で覆う本発明のセラミックヒータ１と、図３に示す従来のセラミックヒータ１０を用意して、流体中に直接セラミックヒータ１，１０を浸漬した状態にて、昇温テストを行った。

セラミック体２の材質としては、アルミナを用いた。昇温条件としては、セラミックヒータ７の最高温度部が空気中にて３秒で７００℃まで昇温する条件の電力を見いだし、セラミックヒータ１，１０を流体中に浸漬した状態にて前記電力を印加し、評価を行った。それぞれ５本づつ５サイクル評価し、双眼検査にてクラックの有無を確認した。また本発明の実施例においては、ロウ付け法により所定の熱伝導率になるようにＳｎとＡｇの比率を調整し、金属層５を製膜した。

その結果を表３にて示す。

表３より明らかなように、セラミック体２の表面を熱伝導率８８Ｗ／ｍ・ｋ以上の金属層５にて被覆した試料（Ｎｏ．４〜６）については、クラック等の問題点は発生しなかった。

セラミック体２の表面を熱伝導率８８Ｗ／ｍ・ｋ以下の金属層５を持つ試料（Ｎｏ.２、３）においては、昇温速度が遅くなるあるいはセラミック体２にクラックが発生した。また金属層５が無い試料（Ｎｏ．１）においては、昇温特性が悪く、またセラミック体２にクラックが発生した。

実施例４として、実施例１と同様に、図１に示すようなセラミック体２の表面１５を金属層５で覆う本発明のセラミックヒータ１を作製した。なお金属層５はメッキ法およびロウ付け法にて製膜を行い、製膜した後還元雰囲気にて熱処理を行い、熱処理の温度および昇温・冷却の速度を変更することにより、金属層５の結晶の大きさを制御した。また評価については実施例１と同様の昇温試験を行い、評価に際しては双眼検査にてクラックの確認とともに、金属層５の脱落、剥離の評価を行った。

その結果を表４にて示す。

表４より明らかなように、平均粒径０．１〜１０μｍの範囲内の銀、金、銅、ニッケルを主成分とした金属にて構成されている試料（Ｎｏ．２〜６、９〜１３、１５〜１８）においてはクラックおよび金属層５の脱落および昇温特性について良好な結果を示すことが確認できた。

一方、平均粒径が上記範囲外の銀を主成分とした金属にて構成されている試料（Ｎｏ．１、７、８、１４）については、金属層５が一部脱落、剥離するものが一部あった。

また、金属層５が銀以外の成分（今回はタングステンにて試験）を用いた試料（Ｎｏ．１９、２０）おいては銀、金、銅、ニッケルを金属層として用いたものより金属層の耐酸化性が劣り、金属層の劣化が一部あった。

実施例５として、実施例１と同様に、図１に示すようなセラミック体２の表面１５を金属層５として銀で覆う本発明のセラミックヒータ１を作製した。なお金属層５はメッキ法およびロウ付け法にて銀の成膜を行い、成膜した後還元雰囲気にて熱処理を行い、熱処理の温度および昇温・冷却の速度を変更および成膜後の金属層５に機械加工後セラミックヒータ１を空気中にて所定の温度にて熱処理を行うことで算術平均表面粗さ（ａ）の調整をした。評価については実施例１と同様の昇温試験を行い、主として双眼検査にて酸化膜７の表面のスケールの付着についての評価を行った。

その結果を表５にて示す。

表５より明らかなように、酸化膜７の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が１．０μｍ以下の酸化膜７にて構成されている試料（Ｎｏ．１〜４）においては、スケールの付着は見られず、ヒータとして良好な特性を示すことが確認できた。

一方、酸化膜７の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が１．０μｍを越えた試料（Ｎｏ．５）についてはスケールが付着するといった問題点が残った。

実施例６として、実施例１と同様に、図１に示すようなセラミック体２の表面１５を金属層５として銀で覆う本発明のセラミックヒータ１を作製した。なお金属層５の表面積は、セラミックグリーンシート９上にメタライズ層４をなす金属ペーストを所定の面積になるように印刷を行い、その後ロウ付け法にて銀を成膜することにより調整を行った。評価については実施例１と同様の昇温試験を行い、双眼検査にてクラックの有無を確認した。

その結果を表６にて示す。

表６より明らかなように、金属層５が発熱抵抗体３の埋設されている部位の表面積の７０％以上を被覆している試料（Ｎｏ．３〜５）においては、クラックの発生も見られず、昇温特性についても良好な特性を示すことが確認できた。一方、金属層５が発熱抵抗体３の埋設されている部位の表面積の７０％よりも少ない試料（Ｎｏ．１，２）については、クラックの発生については見られなかったが、昇温性が劣るものが一部あった。

実施例７として、実施例１と同様に、図１に示すようなセラミック体２の表面１５を金属層５として銀で覆う本発明のセラミックヒータ１を作製した。なお図２（ｄ）に示すように、上記金属層５と電極パッド部３ａとの絶縁距離の調整については、セラミックグリーンシート９上への印刷時において、メタライズ層４と電極パッド部３ａとのパターン間距離を変更したパターンを印刷することにより調整を行った。評価については実施例１と同様の昇温試験を行い、主として金属層５と電極パッド部３ａとの絶縁耐電圧特性についての評価を行った。

その結果を表７にて示す。

表７より明らかなように、上記金属層５と電極パッド部３ａとの絶縁距離が０．３〜２．０ｍｍの範囲内の試料（Ｎｏ．２〜６）においては、金属層５と電極パッド３ａとの絶縁耐電圧特性を十分に満足し、なおかつ昇温特性と温度分布特性の優れたものとすることができる。一方、上記金属層５と電極パッド部３ａとの絶縁距離が０．３ｍｍより小さい試料（Ｎｏ．１）においては、絶縁性に問題のあるものが一部あり、また一方絶縁距離が２．０ｍｍを越える試料（Ｎｏ．７，８）においては、昇温性が劣るものが一部あった。

尚、本発明の実施例では示さなかったが、発熱抵抗体３の埋設されている部位の金属層５が、他の部位より厚くなっているものや、上記セラミック体２が中空筒状であり、かつ上記金属層５がセラミック体２の内周側にも被覆してあるような場合は、特に昇温特性やクラックの有無に対して効果的であった。

（ａ）は本発明のセラミックヒータの円柱状の一実施形態を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。（ｄ）は本発明のセラミックヒータの他の実施形態を示す斜視図であり、（ｅ）は（ｄ）のＣ−Ｃ線における断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は本発明のセラミックヒータの製造方法を説明する各工程の概略図である。 （ａ），（ｂ）は従来の金属層を被覆していないセラミックヒータの図であり、（ａ）はセラミックヒータの従来例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線における断面図である。 （ａ），（ｂ）は従来の金属層を被覆したセラミックヒータの図であり、（ａ）はセラミックヒータの従来例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ線における断面図である。

符号の説明

１：セラミックヒータ
２：セラミック体
２ａ：芯体
２ｂ：被覆層
３：発熱抵抗体
３ａ：電極パッド部
３ｂ：スルーホール部
４：メタライズ層
５：金属層
６：リード端子
７：酸化膜
８：生セラミック成形体
９：セラミックグリーンシート
１０：セラミックヒータ
１１：セラミック体
１１ａ：芯体
１１ｂ：被覆層
１２：発熱抵抗体
１２ａ：電極パッド部
１３：リード端子
１５：表面
１８：セラミックヒータ
１９：セラミックヒータ
２０：メタライズ層
２１：金属層

Claims (11)

1. セラミック体の内部に発熱抵抗体を埋設し、該発熱抵抗体に接続するリード端子を上記セラミック体の表面に備えてなるセラミックヒータにおいて、前記セラミック体の表面を金属層にて被覆し、かつ該金属層の表面に酸化膜を備えたことを特徴とするセラミックヒータ。
2. 上記金属層の厚みを１〜５００μｍとし、該金属層の表面の酸化膜の厚さを０．０５μｍ以上かつ上記金属層の厚さの９０％以下としたことを特徴とする請求項１に記載のセラミックヒータ。
3. 前記金属層の熱伝導率を８８Ｗ／ｍ・ｋ以上としたことを特徴とする請求項１または２に記載のセラミックヒータ。
4. 上記金属層は、平均粒径０．１〜１０μｍの銀、金、銅、ニッケルの少なくとも１種類以上を主成分とした金属にて構成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のセラミックヒータ。
5. 上記酸化膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のセラミックヒータ。
6. 上記金属層は発熱抵抗体が埋設されている部位の表面積の７０％以上を被覆していることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のセラミックヒータ。
7. 上記金属層の厚みは、発熱抵抗体の埋設されている部位が、他の部位より厚くなっていることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載のセラミックヒータ。
8. 上記リ−ド端子を接続するための電極パッド部をセラミック体の表面に備え、上記金属層と電極パッド部との距離が０．３〜２．０ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載のセラミックヒータ。
9. 上記セラミック体が中空筒状であり、かつ上記金属層がセラミック体の内周側にも被覆してあることを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載のセラミックヒータ。
10. 上記セラミック体が、アルミナもしくは窒化珪素もしくは窒化アルミニウムを主成分とするものであることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載のセラミックヒータ。
11. 請求項１乃至１０の何れかに記載のセラミックヒータを用いたことを特徴とする流体加熱装置。

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