JP2004275918A - Substrate washing device, substrate washing method, and method for manufacturing substrate - Google Patents

Substrate washing device, substrate washing method, and method for manufacturing substrate Download PDF

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JP2004275918A
JP2004275918A JP2003072172A JP2003072172A JP2004275918A JP 2004275918 A JP2004275918 A JP 2004275918A JP 2003072172 A JP2003072172 A JP 2003072172A JP 2003072172 A JP2003072172 A JP 2003072172A JP 2004275918 A JP2004275918 A JP 2004275918A
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cleaning liquid
nozzle
cleaning
nozzles
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Makoto Izaki
良 井崎
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Hitachi High Tech Corp
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Hitachi High Tech Electronics Engineering Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the occurrence of unevenness in processing such as etching and developing, on the surface of a substrate. <P>SOLUTION: The substrate 1 to the surface of which etching liquid, a developer, or the like, is applied is washed while the substrate is moved in a substrate moving direction by means of rollers 2a in a washing tank. A plurality of nozzles 4a are downwardly attached to a nozzle header 3a diagonally in the substrate moving direction. On the other hand, a plurality of nozzles 4b are downwardly attached to a nozzle header 3b diagonally in the direction opposite to the substrate moving direction. The respective nozzles 4b of the nozzle header 3b are arranged in the middle positions of the respective nozzles 4a. Washing liquid 5a discharged from the nozzles 4a and washing liquid 5b discharged from the nozzles 4b are supplied to a same range in the substrate moving direction on the surface of the substrate 1. Nozzle headers 3c and 3d play the same role. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング液や現像液等の処理液が塗布された基板の表面を洗浄する基板洗浄装置、基板洗浄方法、及びそれらを用いた基板の製造方法に係り、特に基板を移動しながら複数のノズルを用いて基板の表面へ洗浄液を供給する基板洗浄装置、基板洗浄方法、及びそれらを用いた基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板等の製造工程においては、エッチング液や現像液等の処理液を基板の表面に塗布してエッチングや現像等の処理を行った後、処理液を除去するために基板の洗浄が行われる。
【0003】
図6は、従来の基板洗浄装置の概略構成を示す側面図である。基板1は、図示しないエッチング槽や現像槽等で表面にエッチング液や現像液等が塗布された後、基板洗浄装置が設備された洗浄槽へ搬送され、洗浄槽内をローラ2によって矢印で示した基板移動方向へ移動される間に洗浄されて、次工程の設備へ搬送される。ローラ2に搭載された基板1の上方には、基板移動方向に複数のノズルヘッダー6a,6b,6c,6d,6eが配置されている。
【0004】
ノズルヘッダー6aには、図面の奥行き方向に、複数のノズル7aが下向きに取り付けられている。各ノズル7aは、循環水や純水等の洗浄液8aをローラ2に搭載された基板1の表面へ向かって吐出する。同様に、ノズルヘッダー6bには、図面奥行き方向に、複数のノズル7bが下向きに取り付けられている。各ノズル7bは、循環水や純水等の洗浄液8bをローラ2に搭載された基板1の表面へ向かって吐出する。ノズルヘッダー6c,6d,6eについても、同様である。
【0005】
図7は、従来の基板洗浄装置のノズルヘッダーの一例を示す正面図である。図7(a)はノズルヘッダー6a,6c,6eを示し、図7(b)はノズルヘッダー6b,6dを示す。図7に示した例では、ノズルヘッダー6aには、14個のノズル7aが所定の間隔で取り付けられている。ノズルヘッダー6c,6eについても、同様である。一方、ノズルヘッダー6bには、13個のノズル7bが所定の間隔で取り付けられている。ノズルヘッダー6bの各ノズル7bは、図面の横方向において、ノズルヘッダー6aの各ノズル7aの中間の位置に配置されている。ノズルヘッダー6dについても、同様である。
【0006】
図8は、従来の基板洗浄装置から基板の表面へ供給された洗浄液の一例を示す上面図である。ノズル7a,7b,7c,7d,7eから吐出された洗浄液8a,8b,8c,8d,8eは、基板移動方向と直角の方向に長い楕円形に広がる。そして、基板1の表面上において、図8に示すように千鳥状に配置される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来の基板洗浄装置では、1つのノズルヘッダーから供給された洗浄液が、基板1の表面全体へ供給されるわけではない。基板1の表面では、例えばノズルヘッダー6aのノズル7aから吐出された洗浄液8aが供給されない部分が発生する。そして、この部分には、基板1が移動することによって、次のノズルヘッダー6bのノズル7bから吐出された洗浄液8bが供給される。このように、ノズルの位置が異なるノズルヘッダーを基板移動方向に複数設けることにより、基板1の表面全体に渡って洗浄液が供給される。
【0008】
しかしながら、例えばノズルヘッダー6aのノズル7aから吐出された洗浄液8aが供給される部分と、供給されずにノズルヘッダー6bのノズル7bから吐出された洗浄液8bが供給される部分とでは、洗浄液が供給されるタイミングが異なる。このため、前の工程で塗布されたエッチング液や現像液等の処理液が洗浄液により除去されるまでの処理液反応時間が異なり、基板の表面にエッチングや現像等の処理のむらが発生するという問題があった。
【0009】
これに対し、ノズルの間隔等を調整して、1つのノズルヘッダーから供給された洗浄液が基板の表面全体へ供給されるようにすると、エッチングや現像等の処理のむらをある程度減少させることができる。しかしながら、各ノズルが常に同じ圧力及び流量で洗浄液を吐出するとは限らず、また各ノズルから吐出された洗浄液が必ずしも均一に広がって基板の表面へ供給されるわけではないので、1つのノズルヘッダーから供給される洗浄液の圧力分布及び流量分布は一定にはならない。このため、基板には依然として供給される洗浄液の圧力分布の違いや流量分布の違いによるエッチングや現像等の処理のむらが発生する。
【0010】
本発明は、基板の表面にエッチングや現像等の処理のむらが発生するのを抑制することを目的とする。
【0011】
本発明はまた、エッチングや現像等の処理のむらが少なく品質の高い基板を製造することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板洗浄装置は、表面に処理液が塗布された基板を移動する基板移動手段と、複数のノズルを有し、基板の表面へ洗浄液を供給する第1の洗浄液供給手段と、第1の洗浄液供給手段のノズルの位置と異なる位置に複数のノズルを有し、基板移動方向に第1の洗浄液供給手段と離して設けられ、基板の表面へ洗浄液を供給する第2の洗浄液供給手段とを備え、第1の洗浄液供給手段及び第2の洗浄液供給手段が、基板の表面上で基板移動方向に同じ範囲へ洗浄液を供給するものである。
【0013】
また、本発明の基板洗浄方法は、表面に処理液が塗布された基板を移動しながら、第1のノズル群と、基板移動方向に第1のノズル群と離して設けられ、各ノズルの位置が第1のノズル群の各ノズルの位置と異なる第2のノズル群とを用いて、基板の表面へ洗浄液を供給する基板洗浄方法において、第1のノズル群から洗浄液が供給される範囲と、第2のノズル群から洗浄液が供給される範囲とを、基板の表面上で基板移動方向に同じ範囲としたものである。
【0014】
基板移動方向に離れて設けられた2つのノズル群からの洗浄液が、従来は基板の移動によって基板の表面へ異なるタイミングで供給されていたのに対し、本発明では基板の表面上で基板移動方向に同じ範囲へ同時に供給される。従って、基板の表面に塗布されたエッチング液や現像液等の処理液が洗浄液により除去されるまでの処理液反応時間が同じとなり、基板の表面にエッチングや現像等の処理のむらが発生するのを抑制することができる。
【0015】
さらに、本発明の基板洗浄装置は、第1の洗浄液供給手段及び第2の洗浄液供給手段が、基板の表面上で両手段の中間の範囲へ洗浄液を供給するものである。各洗浄液供給手段から供給された洗浄液の圧力分布や流量分布が異なっていても、両手段から供給された洗浄液が両手段の中間の範囲で重なる際に、圧力分布の違いや流量分布の違いが打ち消されて小さくなる。従って、基板の表面へ洗浄液を均一に供給することができ、エッチングや現像等の処理のむらが発生するのをさらに抑制することができる。
【0016】
また、本発明の基板洗浄装置は、第1の洗浄液供給手段内及び第2の洗浄液供給手段内の隣り合う2つのノズルから吐出された洗浄液が、基板の表面上で一部重なるものである。隣り合う2つのノズルから供給された洗浄液が基板の表面上で重なる際に、各ノズルから吐出された洗浄液の圧力差や流量差が打ち消されて小さくなる。従って、基板の表面へ洗浄液を均一に供給することができ、エッチングや現像等の処理のむらが発生するのをさらに抑制することができる。
【0017】
本発明の基板の製造方法は、上記のいずれかの基板洗浄装置を用いて、または上記基板洗浄方法を用いて基板を製造するものである。上記基板洗浄装置又は上記基板洗浄方法を用いることにより、基板にはエッチングや現像等の処理のむらが少なくなり、品質の高い基板を製造することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に従って説明する。図1は、本発明の一実施の形態による基板洗浄装置の概略構成を示す側面図である。本実施の形態の基板洗浄装置は、ローラ2、ノズルヘッダー3a,3b,3c,3d、及びノズル4a,4b,4c,4dを含んで構成されている。
【0019】
基板1は、図示しないエッチング槽や現像槽等で表面にエッチング液や現像液等が塗布された後、基板洗浄装置が設備された洗浄槽へ搬送され、洗浄槽内をローラ2によって矢印で示した基板移動方向へ移動される間に洗浄されて、次工程の設備へ搬送される。ローラ2に搭載された基板1の上方には、基板移動方向に複数のノズルヘッダー3a,3b,3c,3dが配置されている。
【0020】
ノズルヘッダー3aには、図面の奥行き方向に、複数のノズル4aが基板移動方向側へ斜め下向きに取り付けられている。各ノズル4aは、循環水や純水等の洗浄液5aをローラ2に搭載された基板1の表面へ向かって吐出する。一方、ノズルヘッダー3bには、図面奥行き方向に、複数のノズル4bが基板移動方向と反対側へ斜め下向きに取り付けられている。各ノズル4bは、循環水や純水等の洗浄液5bをローラ2に搭載された基板1の表面へ向かって吐出する。ノズル4aから吐出された洗浄液5a及びノズル4bから吐出された洗浄液5bは、基板1の表面上で基板移動方向に同じ範囲へ供給される。本実施の形態では、ノズルヘッダー3a,3bのちょうど中間の範囲である。ノズルヘッダー3c,3dについても、ノズルヘッダー3a,3bと同様である。
【0021】
図2は、本発明の一実施の形態による基板洗浄装置の上面図である。ノズルヘッダー3aには、例えば14個のノズル4aが所定の間隔で取り付けられている。一方、ノズルヘッダー3bには、例えば13個のノズル4bが所定の間隔で取り付けられている。ノズルヘッダー3bの各ノズル4bは、図面の縦方向(基板移動方向と直角の方向)において、ノズルヘッダー3aの各ノズル4aの中間の位置に配置されている。ノズルヘッダー3cはノズルヘッダー3aと同様であり、ノズルヘッダー3dはノズルヘッダー3bと同様である。
【0022】
図3は、本発明の一実施の形態による基板洗浄装置から基板の表面へ供給された洗浄液の一例を示す上面図である。ノズル4a,4b,4c,4dから吐出された洗浄液5a,5b,5c,5dは、基板移動方向と直角の方向に長い楕円形に広がる。そして、ノズル4aから吐出された洗浄液5aとノズル4bから吐出された洗浄液5bは、基板1の表面上で基板移動方向に同じ範囲Aへ供給される。ノズル4cから吐出された洗浄液5cとノズル4dから吐出された洗浄液5dについても、同様である。
【0023】
以上説明した実施の形態では、ノズル4aから吐出された洗浄液5aとノズル4bから吐出された洗浄液5bとが、基板1の表面上で基板移動方向に同じ範囲へ同時に供給される。ノズル4cから吐出された洗浄液5cとノズル4dから吐出された洗浄液5dについても、同様である。従って、以上説明した実施の形態によれば、基板1の表面に塗布されたエッチング液や現像液等の処理液が洗浄液により除去されるまでの処理液反応時間が同じとなり、基板1の表面にエッチングや現像等の処理のむらが発生するのを抑制することができる。
【0024】
さらに、以上説明した実施の形態では、ノズル4aから吐出された洗浄液5aとノズル4bから吐出された洗浄液5bとが、基板1の表面上でノズルヘッダー3a,3bの中間の範囲へ供給される。このため、各ノズルヘッダーから供給された洗浄液の圧力分布や流量分布が異なっていても、各ノズルヘッダーから供給された洗浄液が両ノズルヘッダーの中間の範囲で重なる際に、圧力分布の違いや流量分布の違いが打ち消されて小さくなる。ノズル4cから吐出された洗浄液5cとノズル4dから吐出された洗浄液5dについても、同様である。従って、以上説明した実施の形態によれば、基板1の表面へ洗浄液を均一に供給することができ、エッチングや現像等の処理のむらが発生するのをさらに抑制することができる。
【0025】
図4は、本発明の他の実施の形態による基板洗浄装置のノズルヘッダーの一部を示す正面図である。本実施の形態は、図1に示した実施の形態において、各ノズルが洗浄液を吐出する角度を広げたものである。図4に示すように、ノズルヘッダー3aのノズル4aから吐出された洗浄液5aは、図面の横方向に広がり、その一部が基板1の表面上でノズルヘッダー3a内の隣り合うノズルから吐出された洗浄液と重なる。ノズル4cについても同様であり、また図示しないがノズル4b、4dについても同様である。
【0026】
図5は、本発明の他の実施の形態による基板洗浄装置から基板の表面へ供給された洗浄液の一例を示す上面図である。図4のように各ノズルが洗浄液を吐出する角度を広げると、ノズル4a,4b,4c,4dから吐出された洗浄液5a,5b,5c,5dは、基板移動方向と直角の方向にさらに長い楕円形に広がり、同じノズルヘッダー内の隣り合うノズルから吐出された洗浄液が一部重なる。そして、ノズル4aから吐出された洗浄液5aとノズル4bから吐出された洗浄液5bは、基板1の表面上で基板移動方向に同じ範囲Aへ供給される。ノズル4cから吐出された洗浄液5cとノズル4dから吐出された洗浄液5dについても、同様である。
【0027】
図4に示した実施の形態によれば、隣り合う2つのノズルから供給された洗浄液が基板1の表面上で重なる際に、各ノズルから吐出された洗浄液の圧力差や流量差が打ち消されて小さくなる。従って、基板1の表面へ洗浄液をさらに均一に供給することができ、エッチングや現像等の処理のむらが発生するのをさらに抑制することができる。
【0028】
なお、図4に示した実施の形態では、各ノズルが洗浄液を吐出する角度を調節していたが、各ノズルの間隔や基板との距離等を調整することにより、隣り合う2つのノズルから供給された洗浄液が基板の表面上で重なるようにしてもよい。
【0029】
以上説明した実施の形態では、基板の表面上で基板移動方向に同じ範囲へ洗浄液を供給する2つのノズルヘッダーを2組設けているが、本発明はこれに限るものではない。また、各ノズルヘッダーに取り付けられるノズルの数も上記の例に限るものではない。
【0030】
以上説明した基板洗浄装置、またはそれらを使った基板洗浄方法を用いて基板を製造することにより、基板にはエッチングや現像等の処理のむらが少なくなり、品質の高い基板を製造することができる。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、エッチング液や現像液等の処理液が塗布された基板の表面へ、洗浄液を時間差なく供給することができる。また、本発明によれば、エッチング液や現像液等の処理液が塗布された基板の表面へ、洗浄液を均一に供給することができる。従って、基板の表面にエッチングや現像等の処理のむらが発生するのを抑制することができる。
【0032】
本発明の基板の製造方法によれば、エッチングや現像等の処理のむらが少なく品質の高い基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態による基板洗浄装置の概略構成を示す側面図である。
【図2】本発明の一実施の形態による基板洗浄装置の上面図である。
【図3】本発明の一実施の形態による基板洗浄装置から基板の表面へ供給された洗浄液の一例を示す上面図である。
【図4】本発明の他の実施の形態による基板洗浄装置のノズルヘッダーの一部を示す正面図である。
【図5】本発明の他の実施の形態による基板洗浄装置から基板の表面へ供給された洗浄液の一例を示す上面図である。
【図6】従来の基板洗浄装置の概略構成を示す側面図である。
【図7】従来の基板洗浄装置のノズルヘッダーの一例を示す正面図である。
【図8】従来の基板洗浄装置から基板の表面へ供給された洗浄液の一例を示す上面図である。
【符号の説明】
1…基板
2…ローラ
3a,3b,3c,3d…ノズルヘッダー
4a,4b,4c,4d…ノズル
5a,5b,5c,5d…洗浄液
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method for cleaning a surface of a substrate coated with a processing liquid such as an etching liquid or a developing liquid, and a method for manufacturing a substrate using the same. The present invention relates to a substrate cleaning apparatus for supplying a cleaning liquid to the surface of a substrate using the nozzle, a substrate cleaning method, and a substrate manufacturing method using the same.
[0002]
[Prior art]
For example, in a manufacturing process of a TFT (Thin Film Transistor) substrate, a color filter substrate, and a plasma display panel substrate of a liquid crystal display device used as a display panel, a processing liquid such as an etching solution or a developing solution is applied to the surface of the substrate. After coating and performing processes such as etching and development, the substrate is washed to remove the processing solution.
[0003]
FIG. 6 is a side view showing a schematic configuration of a conventional substrate cleaning apparatus. After the substrate 1 is coated with an etching solution or a developing solution on a surface thereof in an etching tank or a developing tank (not shown), the substrate 1 is conveyed to a cleaning tank provided with a substrate cleaning device, and the inside of the cleaning tank is indicated by an arrow by a roller 2. The substrate is washed while being moved in the substrate moving direction, and is conveyed to the facility of the next process. Above the substrate 1 mounted on the roller 2, a plurality of nozzle headers 6a, 6b, 6c, 6d, 6e are arranged in the substrate moving direction.
[0004]
A plurality of nozzles 7a are attached to the nozzle header 6a downward in the depth direction of the drawing. Each nozzle 7a discharges a cleaning liquid 8a such as circulating water or pure water toward the surface of the substrate 1 mounted on the roller 2. Similarly, a plurality of nozzles 7b are attached to the nozzle header 6b in the depth direction in the drawing. Each nozzle 7b discharges a cleaning liquid 8b such as circulating water or pure water toward the surface of the substrate 1 mounted on the roller 2. The same applies to the nozzle headers 6c, 6d, 6e.
[0005]
FIG. 7 is a front view showing an example of a nozzle header of a conventional substrate cleaning apparatus. FIG. 7A shows the nozzle headers 6a, 6c and 6e, and FIG. 7B shows the nozzle headers 6b and 6d. In the example shown in FIG. 7, 14 nozzles 7a are attached to the nozzle header 6a at predetermined intervals. The same applies to the nozzle headers 6c and 6e. On the other hand, 13 nozzles 7b are attached to the nozzle header 6b at predetermined intervals. Each of the nozzles 7b of the nozzle header 6b is arranged at an intermediate position between the nozzles 7a of the nozzle header 6a in the horizontal direction of the drawing. The same applies to the nozzle header 6d.
[0006]
FIG. 8 is a top view showing an example of a cleaning liquid supplied to the surface of a substrate from a conventional substrate cleaning apparatus. The cleaning liquids 8a, 8b, 8c, 8d, 8e discharged from the nozzles 7a, 7b, 7c, 7d, 7e spread in an elliptical shape long in a direction perpendicular to the substrate moving direction. Then, they are arranged in a staggered manner on the surface of the substrate 1 as shown in FIG.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
In the above-described conventional substrate cleaning apparatus, the cleaning liquid supplied from one nozzle header is not supplied to the entire surface of the substrate 1. On the surface of the substrate 1, for example, there is a portion where the cleaning liquid 8a discharged from the nozzle 7a of the nozzle header 6a is not supplied. The cleaning liquid 8b discharged from the nozzle 7b of the next nozzle header 6b is supplied to this portion by the movement of the substrate 1. As described above, by providing a plurality of nozzle headers having different nozzle positions in the substrate movement direction, the cleaning liquid is supplied over the entire surface of the substrate 1.
[0008]
However, for example, the cleaning liquid is supplied in a portion where the cleaning liquid 8a discharged from the nozzle 7a of the nozzle header 6a is supplied and in a portion where the cleaning liquid 8b discharged from the nozzle 7b of the nozzle header 6b is supplied without being supplied. Timing is different. Therefore, the reaction time of the processing liquid until the processing liquid such as the etching liquid or the developing liquid applied in the previous step is removed by the cleaning liquid is different, and unevenness of the processing such as etching and development occurs on the surface of the substrate. was there.
[0009]
On the other hand, if the cleaning liquid supplied from one nozzle header is supplied to the entire surface of the substrate by adjusting the interval between the nozzles and the like, the unevenness of the processing such as etching and development can be reduced to some extent. However, each nozzle does not always discharge the cleaning liquid at the same pressure and flow rate, and the cleaning liquid discharged from each nozzle does not always spread uniformly and is supplied to the surface of the substrate. The pressure distribution and flow rate distribution of the supplied cleaning liquid are not constant. For this reason, unevenness in processing such as etching and development occurs due to a difference in pressure distribution and a difference in flow rate distribution of the cleaning liquid supplied to the substrate.
[0010]
An object of the present invention is to suppress the occurrence of unevenness in processing such as etching and development on the surface of a substrate.
[0011]
Another object of the present invention is to produce a high-quality substrate with less unevenness in processes such as etching and development.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The substrate cleaning apparatus of the present invention includes: a substrate moving unit configured to move a substrate having a surface coated with a processing liquid; a first cleaning liquid supply unit having a plurality of nozzles for supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate; A plurality of nozzles at a position different from the position of the nozzle of the cleaning liquid supply means, the second cleaning liquid supply means being provided apart from the first cleaning liquid supply means in the substrate moving direction and supplying the cleaning liquid to the surface of the substrate; Wherein the first cleaning liquid supply means and the second cleaning liquid supply means supply the cleaning liquid to the same area on the surface of the substrate in the substrate moving direction.
[0013]
Further, the substrate cleaning method of the present invention is provided such that the first nozzle group is provided apart from the first nozzle group in the substrate movement direction while moving the substrate having the processing liquid applied to the surface thereof. Using a second nozzle group different from the position of each nozzle of the first nozzle group to supply a cleaning liquid to the surface of the substrate, a range in which the cleaning liquid is supplied from the first nozzle group; The range in which the cleaning liquid is supplied from the second nozzle group is the same range in the substrate moving direction on the surface of the substrate.
[0014]
In the present invention, the cleaning liquid from two nozzle groups provided separately in the substrate movement direction is supplied to the surface of the substrate at different timings by the movement of the substrate. To the same area at the same time. Therefore, the reaction time of the processing solution until the processing solution such as the etching solution or the developing solution applied to the surface of the substrate is removed by the cleaning solution becomes the same, and the unevenness of the processing such as etching or development occurs on the surface of the substrate. Can be suppressed.
[0015]
Further, in the substrate cleaning apparatus of the present invention, the first cleaning liquid supply means and the second cleaning liquid supply means supply the cleaning liquid to a region between the two means on the surface of the substrate. Even if the pressure distribution and flow rate distribution of the cleaning liquid supplied from each cleaning liquid supply means are different, when the cleaning liquid supplied from both means overlaps in the middle range between both means, the difference in pressure distribution and flow rate distribution will be different. Negated and shrunk. Therefore, the cleaning liquid can be uniformly supplied to the surface of the substrate, and the occurrence of uneven processing such as etching and development can be further suppressed.
[0016]
Further, in the substrate cleaning apparatus of the present invention, the cleaning liquid discharged from two adjacent nozzles in the first cleaning liquid supply unit and the second cleaning liquid supply unit partially overlaps on the surface of the substrate. When the cleaning liquid supplied from the two adjacent nozzles overlaps on the surface of the substrate, the pressure difference and the flow rate difference of the cleaning liquid discharged from each nozzle are canceled out and become small. Therefore, the cleaning liquid can be uniformly supplied to the surface of the substrate, and the occurrence of uneven processing such as etching and development can be further suppressed.
[0017]
According to a method of manufacturing a substrate of the present invention, a substrate is manufactured using any one of the above-described substrate cleaning apparatuses or using the above-described substrate cleaning method. By using the substrate cleaning apparatus or the substrate cleaning method, unevenness of processing such as etching and development is reduced on the substrate, and a high-quality substrate can be manufactured.
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a substrate cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention. The substrate cleaning apparatus according to the present embodiment includes a roller 2, nozzle headers 3a, 3b, 3c, 3d, and nozzles 4a, 4b, 4c, 4d.
[0019]
After the substrate 1 is coated with an etching solution or a developing solution on a surface thereof in an etching tank or a developing tank (not shown), the substrate 1 is conveyed to a cleaning tank provided with a substrate cleaning device, and the inside of the cleaning tank is indicated by an arrow by a roller 2. The substrate is washed while being moved in the substrate moving direction, and is conveyed to the facility of the next process. Above the substrate 1 mounted on the roller 2, a plurality of nozzle headers 3a, 3b, 3c, 3d are arranged in the substrate moving direction.
[0020]
A plurality of nozzles 4a are attached to the nozzle header 3a obliquely downward toward the substrate movement direction in the depth direction of the drawing. Each nozzle 4 a discharges a cleaning liquid 5 a such as circulating water or pure water toward the surface of the substrate 1 mounted on the roller 2. On the other hand, a plurality of nozzles 4b are attached to the nozzle header 3b obliquely downward in the depth direction of the drawing toward the side opposite to the substrate moving direction. Each nozzle 4b discharges a cleaning liquid 5b such as circulating water or pure water toward the surface of the substrate 1 mounted on the roller 2. The cleaning liquid 5a discharged from the nozzle 4a and the cleaning liquid 5b discharged from the nozzle 4b are supplied to the same area on the surface of the substrate 1 in the substrate moving direction. In the present embodiment, it is a range just intermediate between the nozzle headers 3a and 3b. The nozzle headers 3c and 3d are the same as the nozzle headers 3a and 3b.
[0021]
FIG. 2 is a top view of the substrate cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention. For example, 14 nozzles 4a are attached to the nozzle header 3a at predetermined intervals. On the other hand, for example, thirteen nozzles 4b are attached to the nozzle header 3b at predetermined intervals. Each of the nozzles 4b of the nozzle header 3b is disposed at an intermediate position between the respective nozzles 4a of the nozzle header 3a in the vertical direction of the drawing (a direction perpendicular to the substrate moving direction). The nozzle header 3c is similar to the nozzle header 3a, and the nozzle header 3d is similar to the nozzle header 3b.
[0022]
FIG. 3 is a top view showing an example of the cleaning liquid supplied to the surface of the substrate from the substrate cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention. The cleaning liquids 5a, 5b, 5c, 5d discharged from the nozzles 4a, 4b, 4c, 4d spread in a long ellipse in a direction perpendicular to the substrate moving direction. Then, the cleaning liquid 5a discharged from the nozzle 4a and the cleaning liquid 5b discharged from the nozzle 4b are supplied to the same area A in the substrate moving direction on the surface of the substrate 1. The same applies to the cleaning liquid 5c discharged from the nozzle 4c and the cleaning liquid 5d discharged from the nozzle 4d.
[0023]
In the embodiment described above, the cleaning liquid 5a discharged from the nozzle 4a and the cleaning liquid 5b discharged from the nozzle 4b are simultaneously supplied to the same area on the surface of the substrate 1 in the substrate moving direction. The same applies to the cleaning liquid 5c discharged from the nozzle 4c and the cleaning liquid 5d discharged from the nozzle 4d. Therefore, according to the embodiment described above, the processing liquid reaction time until the processing liquid such as the etching liquid or the developing liquid applied to the surface of the substrate 1 is removed by the cleaning liquid becomes the same, and the surface of the substrate 1 The occurrence of unevenness in processing such as etching and development can be suppressed.
[0024]
Further, in the above-described embodiment, the cleaning liquid 5a discharged from the nozzle 4a and the cleaning liquid 5b discharged from the nozzle 4b are supplied to a region between the nozzle headers 3a and 3b on the surface of the substrate 1. For this reason, even if the pressure distribution and flow rate distribution of the cleaning liquid supplied from each nozzle header are different, when the cleaning liquid supplied from each nozzle header overlaps in the middle range between both nozzle headers, the difference in pressure distribution and flow rate The difference in distribution is canceled out and becomes smaller. The same applies to the cleaning liquid 5c discharged from the nozzle 4c and the cleaning liquid 5d discharged from the nozzle 4d. Therefore, according to the above-described embodiment, the cleaning liquid can be uniformly supplied to the surface of the substrate 1, and the occurrence of uneven processing such as etching and development can be further suppressed.
[0025]
FIG. 4 is a front view showing a part of a nozzle header of a substrate cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention. In the present embodiment, the angle at which each nozzle discharges the cleaning liquid in the embodiment shown in FIG. 1 is expanded. As shown in FIG. 4, the cleaning liquid 5a discharged from the nozzle 4a of the nozzle header 3a spreads in the horizontal direction of the drawing, and a part of the cleaning liquid 5a is discharged from an adjacent nozzle in the nozzle header 3a on the surface of the substrate 1. Overlap with cleaning solution. The same applies to the nozzle 4c, and the same applies to the nozzles 4b and 4d, though not shown.
[0026]
FIG. 5 is a top view showing an example of the cleaning liquid supplied to the surface of the substrate from the substrate cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention. When the angle at which each nozzle discharges the cleaning liquid as shown in FIG. 4 is increased, the cleaning liquids 5a, 5b, 5c, 5d discharged from the nozzles 4a, 4b, 4c, 4d become longer ellipses in a direction perpendicular to the substrate moving direction. The cleaning liquid discharged from adjacent nozzles in the same nozzle header partially overlaps. Then, the cleaning liquid 5a discharged from the nozzle 4a and the cleaning liquid 5b discharged from the nozzle 4b are supplied to the same area A in the substrate moving direction on the surface of the substrate 1. The same applies to the cleaning liquid 5c discharged from the nozzle 4c and the cleaning liquid 5d discharged from the nozzle 4d.
[0027]
According to the embodiment shown in FIG. 4, when the cleaning liquids supplied from two adjacent nozzles overlap on the surface of the substrate 1, the pressure difference and the flow rate difference of the cleaning liquid discharged from each nozzle are canceled. Become smaller. Therefore, the cleaning liquid can be more uniformly supplied to the surface of the substrate 1, and the occurrence of unevenness in processing such as etching and development can be further suppressed.
[0028]
In the embodiment shown in FIG. 4, the angle at which each nozzle discharges the cleaning liquid is adjusted. However, by adjusting the distance between each nozzle and the distance to the substrate, the supply of the cleaning liquid from two adjacent nozzles is performed. The applied cleaning liquid may overlap on the surface of the substrate.
[0029]
In the embodiment described above, two sets of two nozzle headers for supplying the cleaning liquid to the same area in the substrate moving direction on the surface of the substrate are provided, but the present invention is not limited to this. Further, the number of nozzles attached to each nozzle header is not limited to the above example.
[0030]
By manufacturing a substrate using the above-described substrate cleaning apparatus or a substrate cleaning method using the same, unevenness of processing such as etching and development is reduced, and a high-quality substrate can be manufactured.
[0031]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a washing | cleaning liquid can be supplied to the surface of the board | substrate with which the processing liquids, such as an etching liquid and a developing liquid, were applied without a time difference. Further, according to the present invention, the cleaning liquid can be uniformly supplied to the surface of the substrate on which the processing liquid such as the etching liquid or the developing liquid is applied. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of uneven processing such as etching and development on the surface of the substrate.
[0032]
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the manufacturing method of the board | substrate of this invention, the unevenness | corrugation of processes, such as etching and development, is few and a high quality board | substrate can be manufactured.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a top view of the substrate cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a top view showing an example of a cleaning liquid supplied to the surface of the substrate from the substrate cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a front view showing a part of a nozzle header of a substrate cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a top view illustrating an example of a cleaning liquid supplied to a surface of a substrate from a substrate cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a side view showing a schematic configuration of a conventional substrate cleaning apparatus.
FIG. 7 is a front view showing an example of a nozzle header of a conventional substrate cleaning apparatus.
FIG. 8 is a top view showing an example of a cleaning liquid supplied to the surface of a substrate from a conventional substrate cleaning apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Rollers 3a, 3b, 3c, 3d ... Nozzle headers 4a, 4b, 4c, 4d ... Nozzles 5a, 5b, 5c, 5d ... Cleaning liquid

Claims (5)

表面に処理液が塗布された基板を移動する基板移動手段と、複数のノズルを有し、基板の表面へ洗浄液を供給する第1の洗浄液供給手段と、
前記第1の洗浄液供給手段のノズルの位置と異なる位置に複数のノズルを有し、基板移動方向に前記第1の洗浄液供給手段と離して設けられ、基板の表面へ洗浄液を供給する第2の洗浄液供給手段とを備え、
前記第1の洗浄液供給手段及び前記第2の洗浄液供給手段は、基板の表面上で基板移動方向に同じ範囲へ洗浄液を供給することを特徴とする基板洗浄装置。
Substrate cleaning means for moving a substrate having a surface coated with a processing liquid, first cleaning liquid supply means having a plurality of nozzles and supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate,
A second nozzle having a plurality of nozzles at a position different from the position of the nozzle of the first cleaning liquid supply means and being provided apart from the first cleaning liquid supply means in a substrate moving direction to supply a cleaning liquid to the surface of the substrate; Cleaning liquid supply means,
The substrate cleaning apparatus, wherein the first cleaning liquid supply unit and the second cleaning liquid supply unit supply the cleaning liquid to the same area on the surface of the substrate in the substrate moving direction.
前記第1の洗浄液供給手段及び前記第2の洗浄液供給手段は、基板の表面上で両手段の中間の範囲へ洗浄液を供給することを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。2. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the first cleaning liquid supply unit and the second cleaning liquid supply unit supply a cleaning liquid on a surface of the substrate to a range between the two units. 前記第1の洗浄液供給手段内及び前記第2の洗浄液供給手段内の隣り合う2つのノズルから吐出された洗浄液が、基板の表面上で一部重なることを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。2. The substrate according to claim 1, wherein the cleaning liquid discharged from two adjacent nozzles in the first cleaning liquid supply unit and the second cleaning liquid supply unit partially overlaps on the surface of the substrate. Cleaning equipment. 表面に処理液が塗布された基板を移動しながら、第1のノズル群と、基板移動方向に第1のノズル群と離して設けられ、各ノズルの位置が第1のノズル群の各ノズルの位置と異なる第2のノズル群とを用いて、基板の表面へ洗浄液を供給する基板洗浄方法において、
第1のノズル群から洗浄液が供給される範囲と、第2のノズル群から洗浄液が供給される範囲とを、基板の表面上で基板移動方向に同じ範囲としたことを特徴とする基板洗浄方法。
The first nozzle group and the first nozzle group are provided apart from each other in the substrate moving direction while moving the substrate on which the processing liquid is applied, and the position of each nozzle is determined by the position of each nozzle of the first nozzle group. In a substrate cleaning method for supplying a cleaning liquid to a surface of a substrate by using a second nozzle group different from the position,
A substrate cleaning method, wherein a range in which the cleaning liquid is supplied from the first nozzle group and a range in which the cleaning liquid is supplied from the second nozzle group are the same in the substrate moving direction on the surface of the substrate. .
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の基板洗浄装置を用いて、または請求項4に記載の基板洗浄方法を用いて基板を製造することを特徴とする基板の製造方法。A method for manufacturing a substrate, comprising: manufacturing a substrate using the apparatus for cleaning a substrate according to any one of claims 1 to 3 or using the method for cleaning a substrate according to claim 4.
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