JP2004264628A - 光送信モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】従来の光送信機はレーザ、光変調器、ドライバ回路等にモジュール化された各要素を高周波ケーブルおよびコネクタを経由して接続し構成する方法が採られていた。一方、通信系で使用する周波数も急速に高周波化されてきている。上記構成では１００Ｇｂｉｔ／ｓ程度以上の周波数では使用可能な高周波ケーブル、コネクタ類が無く構成上の隘路となっていた。このため、１００Ｇｂｉｔ／ｓ程度以上の周波数でも低損失で動作する光送信機の実現が課題となっていた。
【解決手段】半絶縁性基板上に半導体レーザ、光変調器、この光変調器のドライバ回路を構成する構造とした。これによりドライバ回路から終端抵抗に至るまで同一インピーダンスで揃えることが出来、余分な電力損失を無くした。また半導体レーザ系と、光変調器系とのグラウンド配線を互いに絶縁的に形成することにより、光変調器の動作点を容易に調整可能となった。
【選択図】図１
【解決手段】半絶縁性基板上に半導体レーザ、光変調器、この光変調器のドライバ回路を構成する構造とした。これによりドライバ回路から終端抵抗に至るまで同一インピーダンスで揃えることが出来、余分な電力損失を無くした。また半導体レーザ系と、光変調器系とのグラウンド配線を互いに絶縁的に形成することにより、光変調器の動作点を容易に調整可能となった。
【選択図】図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信などで用いられる電気の変調信号を光の変調信号に変換して受信器に送り出すための光送信モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
【非特許文献１】ＮＴＴ Ｒ＆Ｄ Ｖｏｌ．４８、Ｎｏ．１、１９９９年 ｐｐ．３３−４２
【非特許文献２】ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．１３、 Ｎｏ．１２、１９９５年 ｐｐ．２３２０−２３２６
近年のコンピュータネットワークの広がりにより、通信トラフィックは増大の一途を辿っており、通信網の大容量化は必須である。現在までに国内では一チャンネル当り１０Ｇｂｉｔ／ｓの光通信システムが既に商用に供されており、４０Ｇｂｉｔ／ｓ光通信システムも各部品の開発、システム動作確認、商用ファイバを用いた伝送実験等は終了し、商用化への目処はほぼついた段階である。従って各部品に関しては、次世代システムを想定した１００Ｇｂｉｔ／ｓ以上の動作速度に研究の中心が移りつつある。ここで、１００Ｇｂｉｔ／ｓのチャンネルとは、複数の入力チャンネルを多重化した後の出力チャンネルを意味している。
【０００３】
４０Ｇｂｉｔ／ｓ通信システムにおける光送信機の構成としては、例えば上記「非特許文献１」に記載されたものが挙げられる。これは、図５で示されるように、基本的には高速多重化ＩＣ（４：１多重化回路モジュール）１１０１、リタイミング回路モジュール１１０２、ドライバＩＣ（ドライバ回路モジュール）１１０３、光変調器（光変調モジュール）１１０４、光源（半導体レーザモジュール）が個別にモジュール化されており、それらを光ファイバや高周波ケーブルで接続することで、全体として光送信機として機能するように構成されている。さて、この構成で１００Ｇｂｉｔ／ｓ光送信機を構成する場合について考えてみる。この場合、送信機を構成する高速多重化ＩＣ１１０１、ドライバＩＣ１１０３、光変調器１１０４のそれぞれが１００Ｇｂｉｔ／ｓで動作しても、チップからモジュール外へ電気信号を取り出すためのコネクタ、各モジュール間を電気的に接続するための高周波ケーブルで１００Ｇｂｉｔ／ｓの電気信号を通すものが無く、モジュール間で信号を伝送することが出来ない。特にケーブルについては表皮効果により高周波領域になるほどロスが大きくなるので、将来的にも個別モジュールのケーブル接続で、１００Ｇｂｉｔ級／の光送信機を構成することは非常に困難である。
また、超高速の光変調器として有望な電界吸収型光変調器の場合、素子自体のＣＲ時定数による帯域制限を避けるために、電極構造を進行波型にすることが有効であることが分かっているが、この場合素子の特性インピーダンスが５０Ωより低くなる。このため、素子インピーダンスを、各モジュール間を接続する高周波ケーブルやコネクタの特性インピーダンスである５０Ωに整合させるためには、そのための抵抗をモジュール内部に付加する必要が生じる。しかしこの場合、異なる特性インピーダンスの差分をこの整合用のために付加する抵抗で消費させて整合を取るため、結局、光変調器駆動用電力としてこの消費分を見込む必要がある。このため、ドライバ回路としてはより大出力のものが必要となり、技術的難度が高くなる。
【０００４】
これに対して、コネクタ、高周波ケーブルを使用せずに光送信機を構成する技術として、上記「非特許文献２」に記載されたものが挙げられる。図６はこの構成例の概略を示したもので、Ｓｉ基板１２０１を実装用の基板として用い、この上にレーザダイオードアレー１２０６、レーザ駆動回路１２０８、光変調器１２０４、フォトディテクタアレー１２０５、光検出回路１２０９をハイブリッド実装し、レーザダイオードアレー１２０６と光変調器１２０４の間の光伝送はＳｉ基板上に堆積したＳｉ０２層１２０２をコア及びクラッド材に用いて作製した石英系光導波路１２０３を用いて行い、レーザ駆動回路１２０６とレーザダイオードアレー１２０６の間、フォトディテクタアレー１２０５と光検出回路１２０９の間の電気信号のやり取りは、Ｓｉ基板１２０１上に作製した電気の伝送線路１２０７で行う。
さて、この構成で１００Ｇｂｉｔ／ｓの光送信機を構成する場合について考えてみる。Ｓｉは本発明が目的とする周波数に対しては電子移動度が低く、高速電子回路を作製することが困難であるため、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ系やＳｉ／ＳｉＧｅ系の化合物半導体などの材料を用いた超高速集積回路チップをＳｉ基板１２０１または、Ｓｉ基板１２０１上に作製した光導波路のアンダークラッド材であるＳｉ０２層１２０２上に実装する必要が生じる。導電性を有するＳｉ基板１２０１に集積回路チップを実装した場合、Ｓｉ基板１２０１と集積回路チップとの間に付加的な浮遊容量が生じてしまい、回路の高速動作が阻害されてしまう。また、絶縁体であるＳｉ０２層１２０２上に集積回路チップを実装した場合、浮遊容量の問題は解消されるが、Ｓｉ０２は熱伝導率が悪く、集積回路チップからの放熱上の問題がある。
【０００５】
以上の問題をまとめると、従来の個別モジュールをコネクタと高周波ケーブルで接続する構成法においても、Ｓｉ基板を実装用の基板として用いる方法においても、１００Ｇｂｉｔ級／の光送信機を構成することは非常に困難であり、新たな送信モジュール構成が必要となって来る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
以上述べたことから本発明においては、前述の従来技術の問題点を解消し、１チャネル当り１００Ｇｂｉｔ／ｓ以上の伝送レートを持つ光通信システムに使用可能な光送信機を実現するための光送信モジュール構成法の実現を主たる目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の請求項１においては、半導体レーザと、該半導体レーザの出力を伝える光伝送路と、該光伝送路から光を受けて該光を変調する光変調器と、該光変調器から出力される光を次段に伝えるための光ファイバと、上記光変調器を駆動するためのドライバ回路と、上記光変調器駆動用電気信号を終端させるための終端抵抗からなる光送信モジュールにおいて、多重化機能を含むドライバ回路が形成された実装用の半絶縁性基板上に、該ドライバ回路出力と上記光変調器を接続するための第１の高周波伝送線路と、上記ドライバ回路の出力を終端するための上記終端抵抗と、上記光変調器と上記終端抵抗を接続するための第２の高周波伝送線路と、上記半導体レーザに電流を供給するための電気配線と、実装後の上記光変調器の出力光の出射点を含み該出力光の進行方向に平行な直線を含む垂直な平面が上記半絶縁性基板と交わる直線に沿って形成された光ファイバ固定用のＶ溝を有し、上記半導体レーザと上記電気配線との電気的接続を果たす役割を担った複数個のメタルバンプを含むメタルバンプ群により、上記半導体レーザが上記光変調器と光結合されるように上記半導体基板に固定され、上記光変調器と上記第１および第２の高周波伝送線路との電気的接続を果たす役割を担った上記複数のメタルバンプを含むメタルバンプ群により、上記光変調器が上記光伝送路と光結合されるように上記半絶縁性基板に固定され、上記Ｖ溝の延伸方向の前記光変調器と光結合される位置に前記Ｖ溝で光ファイバが固定された光送信モジュールについて規定している。なお、上記半絶縁性基板とは極微量の不純物を含有させて高い絶縁性を持たせたもので、超高周波回路用基板として用いられている材料である。
【０００８】
請求項２においては、上記光変調器が進行波型の電極構造を有している請求項１に記載の光送信モジュールについて規定している。
【０００９】
請求項３においては、上記ドライバ回路と上記光変調器を接続するための上記第１の高周波伝送線路の特性インピーダンスと、上記光変調器と前記終端抵抗を接続するための上記第２の高周波伝送線路の特性インピーダンスと、上記終端抵抗の抵抗値を、上記光変調器の電気配線の特性インピーダンスに一致させている請求項１または請求項２記載の光送信モジュールについて規定している。
【００１０】
請求項４においては、上記光変調器の第１のグラウンド側配線と、外部電源によって上記ドライバ回路を含むモジュール全体の第２のグラウンド側配線とを絶縁的に配置し、上記光変調器の第１のグラウンド側電位を調整することにより上記光変調器のバイアスを任意の値に設定可能とした回路構成の上記光変調器を上記ドライバ回路で駆動する請求項１乃至請求項３の何れかに記載の光送信モジュールについて規定している。
【００１１】
請求項５においては、上記光変調器と上記半導体レーザとを光結合させるために、上記実装用の半絶縁性基板上に作製した前記光導波路を形成している請求項１乃至請求項４の何れかに記載の光送信モジュールについて規定している。
【００１２】
請求項６においては、上記光導波路に、例えばレーザビーム整形器あるいはコリメータ系等の光スポットサイズ変換手段を設けた請求項１乃至請求項５の何れかに記載の光送信モジュールについて規定している。
【００１３】
【作用】
本手段によれば、１００Ｇｂｉｔ／ｓの電気信号が流れる多重化回路−ドライバ回路間、ドライバ回路−光変調器間に、高周波ケーブルやコネクタが一切存在せず，しかも、実装用の基板上の非常に短い距離で各素子は接続されるので、良好な周波数特性が得られる。また、伝送線路の特性インピーダンスや終端抵抗の抵抗値は使用する素子の特性インピーダンスにより任意に設定することが可能なので伝送線路、光変調器の配線、終端抵抗の全てのインピーダンス値を一致させることが可能となる。これにより異なる特性インピーダンスの整合を取ることにより光変調器駆動電力の一部がこの整合用抵抗で消費されることもなく、効率的に光変調器を駆動することが可能となる。更にハイブリッド実装用の基板として用いる基板材料が、超高速集積回路作製に用いられる良好な高周波特性を持つ半絶縁性半導体であるため、付加的な容量をドライバ回路や光変調器に生じさせることも無い。このため、ハイブリッド実装後も良好な周波数特性を実現することが可能である。しかも、フリップチップ実装後にバンプメタルのリフローによる自己位置合わせ機能を利用すれば、半導体レーザ、光変調器、光ファイバの実装時に正確な位置合わせが不要となる。これにより、光実装コストを下げることが出来、モジュール生産コストを下げることが可能となる。また、構成要素の中でも最も大きな発熱体であるドライバ回路の熱は、直接チップ裏面から放熱できるので、集積回路チップからの放熱を有効に行なうことが出来る。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態を示す外観の斜視図である。１００１は多重化機能を含むドライバ回路が作製されたハイブリッド実装用の半絶縁性ＩｎＰ基板（以下、ＩｎＰ基板と略記する）、１００２はＩｎＰ基板１００１上でドライバ回路が作製されている部分、１００３と１００４は多重化前のデータ信号入力用線路で本実施の形態ではデータレートとして５０Ｇｂｉｔ／ｓである。１００５は多重用のクロック信号入力用線路で本実施の形では周波数としては５０ＧＨｚを想定している。上記半絶縁性基板とは、極微量の不純物を含有させて高い絶縁性を持たせたもので、超高周波回路用基板として用いられている材料である。１００６は進行波型の１．５５ミクロン帯用電界吸収型光変調器（以下、光変調器と略記する）、１００７は発振波長１．５５ミクロンの半導体レーザ、１００８は終端抵抗、１００９は光導波路で本実施の形態ではポリマー材料により作製する。１０１０は光変調器１００６出力を伝送するための光ファイバ、１０１１は光ファイバ１０１１を固定するためにＩｎＰ基板１００１上に作製したＶ溝で、このＶ溝は実装後の上記光変調器１０１２の出力光の出射点を含み、この出力光の進行方向に平行な直線を含む半絶縁性基板面に対して垂直な平面がこの基板面と交わる直線に沿って形成されており、１０１２はドライバ回路出力を光変調器１００６に伝えるための高周波伝送線路、１０１３は光変調器１００６を実装基板上にボンディングするための複数の半田バンプ、１０１４は半導体レーザ１００７を実装用のＩｎＰ基板１００１上にボンディングするための半田バンプ、１０１５は光変調器１００６と終端抵抗１００８を電気的に接続するための高周波伝送線路、１０１６はペルチェ素子または、ヒートシンク等の放熱機構裏面に備えたチップキャリアである。なお、本図１で、ドライバ回路１００２、半導体レーザ１００７に直流電源を接続するための電気配線は省略してある。
【００１５】
図２および図３は本発明の実施の形態において、ドライバ回路１００２と光変調器１００６の電気的接続を分かりやすく説明するためにその電極配線パターンのみを記した実装用のＩｎＰ基板１００１の上面図である。ドライバ回路１００２と図示していないが光変調器１００６とを結合する高周波伝送線路１０１２は、絶縁体を挟んだ上下２層構造となっており、そのグラウンド側は下層メタル膜１０１７に接続されている。また１０１８は光変調器１００６の信号線路を示す。また、四隅が丸い四角パターン１０２２は光変調器１００６が半田バンプ１０１３によって固定される部分である。
【００１６】
なお本図２では、半導体レーザ１００７、光ファイバ１０１０、光導波路１００９を固定する半田バンプ１０１４は記載を省略してある。またドライバ回路１００２、半導体レーザ１００７に直流電源を接続するための電気配線も省略してある。本図２から知れるように光変調器１００６のグラウンドは、ドライバ回路と導通しておらず、フローティングの状態となっている。
【００１７】
図３の１０１９は、ドライバ回路１００２と光変調器１００６の間の高周波伝送線路１０１２の上層メタル膜を表す。１０２０は上層メタル膜１０１９の切り欠き部で、下層メタル膜１０１７が露出した部分である。上層メタル膜１０１９の内、ドットパターンの粗な部分１０２１は、絶縁体を挟んでその下側に図１で述べた下層メタル膜１０１７が存在するため、メタル−絶縁体−メタル構造のコンデンサが形成されていることになる。また上層メタル１０１９は光変調器１００６と直接は導通せず、終端抵抗１００８を介して光変調器１００６の信号線と接続されることになる。なお、図３において四隅が丸い四角パターン１０２２は上層メタル膜１０１９および上層絶縁体が穿孔されている部分で、この部分を介して光変調器１００６を基板１００１上の配線パターンに接続するための半田バンプ１０１３が貫通している。図４にこの結線状態を回路図で示す。高周波的にはドライバ回路１００２と光変調器１００６は共通のグランドに見えるが、直流的には絶縁されていることになる。この構造とすることにより、図３における上層メタル膜１０１９の切り欠き部１０２０を利用して、下層メタル１０１７の電位を外部電源を用いて上層メタル膜１０１９に対して調整すると、実効的に光変調器１００６のバイアス点を変化させることができる。
【００１８】
このような構成で、光変調器１００６の配線の特性インピーダンス、終端抵抗１００８の抵抗値、ドライバ回路１００２の出力を光変調器１００６に伝えるための高周波伝送線路１０１２、光変調器１００６と終端抵抗１００８を電気的に接続するための高周波伝送線路１０１５の特性インピーダンスを一致させることが出来る。
【００１９】
本実施の形態の作製手順を図１乃至図３により説明する。
まず、実装用のＩｎＰ基板１００１上に有機金属気相成長法などで、多重化機能付きドライバ回路１００２の基本素子となるトランジスタの層構造を成長させる。続いて縮小露光投影法とエッチング工程、絶縁膜堆積工程などからなる通常の半導体プロセスを用いて多重化機能付きドライバ回路１００２をＩｎＰ基板１００１上に作製する。続いて実装用のＩｎＰ基板１００１上で回路部分以外の層をドライエッチングなどの方法で取り去り、高周波線路１００３、１００４、１００５、１０１２、１０１５と終端抵抗１００８とを、金属蒸着法などで形成する。光ファイバ１０１０固定用のＶ溝１０１１は、ＩｎＰ基板１００１の面方位に対してエッチングレートの異なるウエットエッチング法を用いてＩｎＰ基板１００１上に作製する。更に、ポリマー材料からなる光導波路１００９をスピンコート及びドライエッチングにより作製する。そして、金属蒸着法などで半田バンプ１０１３、１０１４を実装用のＩｎＰ基板１００１上に作製する。ここまでの工程は、実装用のＩｎＰ基板１００１に刻まれたマークを元に、縮小露光投影装置を用いて位置合わせを行い作製するので、各パーツの位置精度はサブミクロンオーダで設定できる。半導体レーザ１００７及び光変調器１００６を実装用のＩｎＰ基板１００１上にフリップチップ実装し、バンプメタルのリフローによる自己位置合わせ機能を利用し半導体レーザ１００７、光変調器１００６と光導波路１００９の光結合を行なう。最後にＶ溝１０１１上に光ファイバ１０１０を固定する。なお、バンプメタルのリフローによる光変調器１００６と半導体レーザ１００７の位置合わせ精度は、ボンディング前のメタルバンプ位置とメタル厚さで決まるため、平面方向と垂直方向の位置精度をサブミクロンオーダにすることが可能で、半導体レーザ１００７、光変調器１００６、光ファイバ１０１０の実装に高精度の位置合わせを行わなくても、良好な光結合を実現できる。
【００２０】
なお、光変調器１００６と半導体レーザ１００７とを結合している光導波路１００９には例えば、レーザ光スポット形状整形器あるいはコリメータ光学系等のような、スポットサイズ変換機能を有しているものを用いることで、上記自己位置合わせ機能による位置合わせ誤差をさらに低減し得るが、本スポットサイズ変換機能の利用によりさらに位置合わせ誤差による結合効率の低下を抑えることが可能となるため、必要に応じてこれを使用すればよい。
【００２１】
また、本実施の形態では、光変調器１００６として進行波型電界吸収光変調器を用いたがこれ以外にも、半導体光位相変調器、マッハツエンダー型光変調器を用いることも可能である。また、波長も、１．５５ミクロンに限ることはなく、半導体レーザ１００７の発振波長にあわせて、光変調器１００６、光導波路１００９の波長を変えることで、別の波長帯の光送信モジュールを実現することも可能である。更に、本実施の形態では多重化後の光変調レートを１００Ｇｂｉｔ／ｓとしていたが、必ずしもこれに限った話ではなく、多重前のデータレートを上げることで光変調レートを上げることは可能である。
なお、ここでは実装用半導体基板の例としてＩｎＰ基板を示しているが、ＧａＡｓ基板など半絶縁性の化合物半導体基板であれば、本光送信モジュールが作製可能であることは言うまでもない。
【００２２】
本実施の形態により、多重化機能付きのドライバ回路と光変調器がモノリシックに集積化されており１００Ｇｂｉｔ／ｓの電気信号を高周波ケーブルやコネクタを一切介さずに良好な周波数特性で光変調器へ伝えることができる。また、ドライバ回路から終端抵抗までがインピーダンス整合されているので、光変調器へ駆動電力を効率良く伝えることが出来、ドライバ回路に損失補充用の余分な出力を要求する必要が無くなる。また、ハイブリッド実装用の基板として用いる基板材料が、良好な高周波特性を持つ半絶縁性ＩｎＰ基板であるため、付加的な容量をドライバ回路は光変調器に生じさせることが無い。また、構成要素の中でも最も大きな発熱体であるドライバ回路の熱は、直接チップ裏面から放熱機能を有するチップステージに伝えることができるので、集積回路チップからの発熱を上手く逃がすことが出来る。
【００２３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の光送信モジュール構成によれば、超広帯域電気信号を高周波ケーブルやコネクタを一切介さずに光変調器へ伝えることができ、また、ドライバ回路から終端抵抗までのインピーダンス整合を行なうことが可能であるため、電力損失の少ない良好な周波数特性の光送信モジュールが実現できる。また、ハイブリッド実装基板として用いる基板材料が、良好な高周波特性を持つ半絶縁性のＩｎＰ基板であるため、付加的な容量をドライバ回路は光変調器に生じさせることが無い。更に、直接ドライバ回路チップ裏面から放熱でき、発熱による特性劣化を避けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す光送信モジュール外観の斜視図。
【図２】ドライバ回路と進行波型電界吸収光変調器間の高周波伝送線路のうち、グラウンドを形成する下層メタル膜を含む回路接続関係を示す配線配置図。
【図３】ドライバ回路と進行波型電界吸収光変調器間の高周波伝送線路のうち、グラウンドを形成する上層メタル膜を含む回路接続関係を示す配線配置図。
【図４】ドライバ回路と光変調器、終端抵抗の電気的接続状態を示す回路図。
【図５】第１の従来例を示す光送信機の構成図。
【図６】第２の従来例を示すハイブリッド光送信機外観の斜視図。
【符号の説明】
１００１…半絶縁性ＩｎＰ基板
１００２…ＩｎＰ基板上でドライバ回路が作製された部分
１００３…多重化前のデータ信号入力用線路
１００４…多重化前のデータ信号入力用線路
１００５…多重用のクロック信号入力用線路
１００６…光変調器
１００７…半導体レーザ
１００８…終端抵抗
１００９…光導波路
１０１０…光ファイバ
１０１１…光ファイバを固定するためにＩｎＰ基板上に作製したＶ溝
１０１２…ドライバ回路出力を光変調器に伝えるための高周波伝送線路
１０１３…光変調器をＩｎＰ基板上にボンディングするための半田バンプ
１０１４…半導体レーザをＩｎＰ基板上にボンディングするための半田バンプ
１０１５…光変調器と終端抵抗を電気的に接続するための高周波伝送線路
１０１６…ペルチェ素子または、ヒートシンク等の放熱機構を裏面に備えたチップキャリア
１０１７…ＩｎＰ基板上での下層メタル膜
１０１８…光変調器信号系配線
１０１９…ＩｎＰ基板上での上層メタル膜
１１０１…４：１多重化回路モジュール
１１０２…リタイミング回路モジュール
１１０３…ドライバ回路モジュール １１０４…光変調モジュール
１１０５…半導体レーザモジュール １２０１…Ｓｉ基板
１２０２…ＳｉＯ２層 １２０３…石英系光導波路
１２０４…光変調器 １２０５…フォトディテクタアレー
１２０６…レーザダイオードアレー １２０７…電気伝送線路
１２０８…レーザ駆動回路 １２０９…光検出回路
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信などで用いられる電気の変調信号を光の変調信号に変換して受信器に送り出すための光送信モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
【非特許文献１】ＮＴＴ Ｒ＆Ｄ Ｖｏｌ．４８、Ｎｏ．１、１９９９年 ｐｐ．３３−４２
【非特許文献２】ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．１３、 Ｎｏ．１２、１９９５年 ｐｐ．２３２０−２３２６
近年のコンピュータネットワークの広がりにより、通信トラフィックは増大の一途を辿っており、通信網の大容量化は必須である。現在までに国内では一チャンネル当り１０Ｇｂｉｔ／ｓの光通信システムが既に商用に供されており、４０Ｇｂｉｔ／ｓ光通信システムも各部品の開発、システム動作確認、商用ファイバを用いた伝送実験等は終了し、商用化への目処はほぼついた段階である。従って各部品に関しては、次世代システムを想定した１００Ｇｂｉｔ／ｓ以上の動作速度に研究の中心が移りつつある。ここで、１００Ｇｂｉｔ／ｓのチャンネルとは、複数の入力チャンネルを多重化した後の出力チャンネルを意味している。
【０００３】
４０Ｇｂｉｔ／ｓ通信システムにおける光送信機の構成としては、例えば上記「非特許文献１」に記載されたものが挙げられる。これは、図５で示されるように、基本的には高速多重化ＩＣ（４：１多重化回路モジュール）１１０１、リタイミング回路モジュール１１０２、ドライバＩＣ（ドライバ回路モジュール）１１０３、光変調器（光変調モジュール）１１０４、光源（半導体レーザモジュール）が個別にモジュール化されており、それらを光ファイバや高周波ケーブルで接続することで、全体として光送信機として機能するように構成されている。さて、この構成で１００Ｇｂｉｔ／ｓ光送信機を構成する場合について考えてみる。この場合、送信機を構成する高速多重化ＩＣ１１０１、ドライバＩＣ１１０３、光変調器１１０４のそれぞれが１００Ｇｂｉｔ／ｓで動作しても、チップからモジュール外へ電気信号を取り出すためのコネクタ、各モジュール間を電気的に接続するための高周波ケーブルで１００Ｇｂｉｔ／ｓの電気信号を通すものが無く、モジュール間で信号を伝送することが出来ない。特にケーブルについては表皮効果により高周波領域になるほどロスが大きくなるので、将来的にも個別モジュールのケーブル接続で、１００Ｇｂｉｔ級／の光送信機を構成することは非常に困難である。
また、超高速の光変調器として有望な電界吸収型光変調器の場合、素子自体のＣＲ時定数による帯域制限を避けるために、電極構造を進行波型にすることが有効であることが分かっているが、この場合素子の特性インピーダンスが５０Ωより低くなる。このため、素子インピーダンスを、各モジュール間を接続する高周波ケーブルやコネクタの特性インピーダンスである５０Ωに整合させるためには、そのための抵抗をモジュール内部に付加する必要が生じる。しかしこの場合、異なる特性インピーダンスの差分をこの整合用のために付加する抵抗で消費させて整合を取るため、結局、光変調器駆動用電力としてこの消費分を見込む必要がある。このため、ドライバ回路としてはより大出力のものが必要となり、技術的難度が高くなる。
【０００４】
これに対して、コネクタ、高周波ケーブルを使用せずに光送信機を構成する技術として、上記「非特許文献２」に記載されたものが挙げられる。図６はこの構成例の概略を示したもので、Ｓｉ基板１２０１を実装用の基板として用い、この上にレーザダイオードアレー１２０６、レーザ駆動回路１２０８、光変調器１２０４、フォトディテクタアレー１２０５、光検出回路１２０９をハイブリッド実装し、レーザダイオードアレー１２０６と光変調器１２０４の間の光伝送はＳｉ基板上に堆積したＳｉ０２層１２０２をコア及びクラッド材に用いて作製した石英系光導波路１２０３を用いて行い、レーザ駆動回路１２０６とレーザダイオードアレー１２０６の間、フォトディテクタアレー１２０５と光検出回路１２０９の間の電気信号のやり取りは、Ｓｉ基板１２０１上に作製した電気の伝送線路１２０７で行う。
さて、この構成で１００Ｇｂｉｔ／ｓの光送信機を構成する場合について考えてみる。Ｓｉは本発明が目的とする周波数に対しては電子移動度が低く、高速電子回路を作製することが困難であるため、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ系やＳｉ／ＳｉＧｅ系の化合物半導体などの材料を用いた超高速集積回路チップをＳｉ基板１２０１または、Ｓｉ基板１２０１上に作製した光導波路のアンダークラッド材であるＳｉ０２層１２０２上に実装する必要が生じる。導電性を有するＳｉ基板１２０１に集積回路チップを実装した場合、Ｓｉ基板１２０１と集積回路チップとの間に付加的な浮遊容量が生じてしまい、回路の高速動作が阻害されてしまう。また、絶縁体であるＳｉ０２層１２０２上に集積回路チップを実装した場合、浮遊容量の問題は解消されるが、Ｓｉ０２は熱伝導率が悪く、集積回路チップからの放熱上の問題がある。
【０００５】
以上の問題をまとめると、従来の個別モジュールをコネクタと高周波ケーブルで接続する構成法においても、Ｓｉ基板を実装用の基板として用いる方法においても、１００Ｇｂｉｔ級／の光送信機を構成することは非常に困難であり、新たな送信モジュール構成が必要となって来る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
以上述べたことから本発明においては、前述の従来技術の問題点を解消し、１チャネル当り１００Ｇｂｉｔ／ｓ以上の伝送レートを持つ光通信システムに使用可能な光送信機を実現するための光送信モジュール構成法の実現を主たる目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の請求項１においては、半導体レーザと、該半導体レーザの出力を伝える光伝送路と、該光伝送路から光を受けて該光を変調する光変調器と、該光変調器から出力される光を次段に伝えるための光ファイバと、上記光変調器を駆動するためのドライバ回路と、上記光変調器駆動用電気信号を終端させるための終端抵抗からなる光送信モジュールにおいて、多重化機能を含むドライバ回路が形成された実装用の半絶縁性基板上に、該ドライバ回路出力と上記光変調器を接続するための第１の高周波伝送線路と、上記ドライバ回路の出力を終端するための上記終端抵抗と、上記光変調器と上記終端抵抗を接続するための第２の高周波伝送線路と、上記半導体レーザに電流を供給するための電気配線と、実装後の上記光変調器の出力光の出射点を含み該出力光の進行方向に平行な直線を含む垂直な平面が上記半絶縁性基板と交わる直線に沿って形成された光ファイバ固定用のＶ溝を有し、上記半導体レーザと上記電気配線との電気的接続を果たす役割を担った複数個のメタルバンプを含むメタルバンプ群により、上記半導体レーザが上記光変調器と光結合されるように上記半導体基板に固定され、上記光変調器と上記第１および第２の高周波伝送線路との電気的接続を果たす役割を担った上記複数のメタルバンプを含むメタルバンプ群により、上記光変調器が上記光伝送路と光結合されるように上記半絶縁性基板に固定され、上記Ｖ溝の延伸方向の前記光変調器と光結合される位置に前記Ｖ溝で光ファイバが固定された光送信モジュールについて規定している。なお、上記半絶縁性基板とは極微量の不純物を含有させて高い絶縁性を持たせたもので、超高周波回路用基板として用いられている材料である。
【０００８】
請求項２においては、上記光変調器が進行波型の電極構造を有している請求項１に記載の光送信モジュールについて規定している。
【０００９】
請求項３においては、上記ドライバ回路と上記光変調器を接続するための上記第１の高周波伝送線路の特性インピーダンスと、上記光変調器と前記終端抵抗を接続するための上記第２の高周波伝送線路の特性インピーダンスと、上記終端抵抗の抵抗値を、上記光変調器の電気配線の特性インピーダンスに一致させている請求項１または請求項２記載の光送信モジュールについて規定している。
【００１０】
請求項４においては、上記光変調器の第１のグラウンド側配線と、外部電源によって上記ドライバ回路を含むモジュール全体の第２のグラウンド側配線とを絶縁的に配置し、上記光変調器の第１のグラウンド側電位を調整することにより上記光変調器のバイアスを任意の値に設定可能とした回路構成の上記光変調器を上記ドライバ回路で駆動する請求項１乃至請求項３の何れかに記載の光送信モジュールについて規定している。
【００１１】
請求項５においては、上記光変調器と上記半導体レーザとを光結合させるために、上記実装用の半絶縁性基板上に作製した前記光導波路を形成している請求項１乃至請求項４の何れかに記載の光送信モジュールについて規定している。
【００１２】
請求項６においては、上記光導波路に、例えばレーザビーム整形器あるいはコリメータ系等の光スポットサイズ変換手段を設けた請求項１乃至請求項５の何れかに記載の光送信モジュールについて規定している。
【００１３】
【作用】
本手段によれば、１００Ｇｂｉｔ／ｓの電気信号が流れる多重化回路−ドライバ回路間、ドライバ回路−光変調器間に、高周波ケーブルやコネクタが一切存在せず，しかも、実装用の基板上の非常に短い距離で各素子は接続されるので、良好な周波数特性が得られる。また、伝送線路の特性インピーダンスや終端抵抗の抵抗値は使用する素子の特性インピーダンスにより任意に設定することが可能なので伝送線路、光変調器の配線、終端抵抗の全てのインピーダンス値を一致させることが可能となる。これにより異なる特性インピーダンスの整合を取ることにより光変調器駆動電力の一部がこの整合用抵抗で消費されることもなく、効率的に光変調器を駆動することが可能となる。更にハイブリッド実装用の基板として用いる基板材料が、超高速集積回路作製に用いられる良好な高周波特性を持つ半絶縁性半導体であるため、付加的な容量をドライバ回路や光変調器に生じさせることも無い。このため、ハイブリッド実装後も良好な周波数特性を実現することが可能である。しかも、フリップチップ実装後にバンプメタルのリフローによる自己位置合わせ機能を利用すれば、半導体レーザ、光変調器、光ファイバの実装時に正確な位置合わせが不要となる。これにより、光実装コストを下げることが出来、モジュール生産コストを下げることが可能となる。また、構成要素の中でも最も大きな発熱体であるドライバ回路の熱は、直接チップ裏面から放熱できるので、集積回路チップからの放熱を有効に行なうことが出来る。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態を示す外観の斜視図である。１００１は多重化機能を含むドライバ回路が作製されたハイブリッド実装用の半絶縁性ＩｎＰ基板（以下、ＩｎＰ基板と略記する）、１００２はＩｎＰ基板１００１上でドライバ回路が作製されている部分、１００３と１００４は多重化前のデータ信号入力用線路で本実施の形態ではデータレートとして５０Ｇｂｉｔ／ｓである。１００５は多重用のクロック信号入力用線路で本実施の形では周波数としては５０ＧＨｚを想定している。上記半絶縁性基板とは、極微量の不純物を含有させて高い絶縁性を持たせたもので、超高周波回路用基板として用いられている材料である。１００６は進行波型の１．５５ミクロン帯用電界吸収型光変調器（以下、光変調器と略記する）、１００７は発振波長１．５５ミクロンの半導体レーザ、１００８は終端抵抗、１００９は光導波路で本実施の形態ではポリマー材料により作製する。１０１０は光変調器１００６出力を伝送するための光ファイバ、１０１１は光ファイバ１０１１を固定するためにＩｎＰ基板１００１上に作製したＶ溝で、このＶ溝は実装後の上記光変調器１０１２の出力光の出射点を含み、この出力光の進行方向に平行な直線を含む半絶縁性基板面に対して垂直な平面がこの基板面と交わる直線に沿って形成されており、１０１２はドライバ回路出力を光変調器１００６に伝えるための高周波伝送線路、１０１３は光変調器１００６を実装基板上にボンディングするための複数の半田バンプ、１０１４は半導体レーザ１００７を実装用のＩｎＰ基板１００１上にボンディングするための半田バンプ、１０１５は光変調器１００６と終端抵抗１００８を電気的に接続するための高周波伝送線路、１０１６はペルチェ素子または、ヒートシンク等の放熱機構裏面に備えたチップキャリアである。なお、本図１で、ドライバ回路１００２、半導体レーザ１００７に直流電源を接続するための電気配線は省略してある。
【００１５】
図２および図３は本発明の実施の形態において、ドライバ回路１００２と光変調器１００６の電気的接続を分かりやすく説明するためにその電極配線パターンのみを記した実装用のＩｎＰ基板１００１の上面図である。ドライバ回路１００２と図示していないが光変調器１００６とを結合する高周波伝送線路１０１２は、絶縁体を挟んだ上下２層構造となっており、そのグラウンド側は下層メタル膜１０１７に接続されている。また１０１８は光変調器１００６の信号線路を示す。また、四隅が丸い四角パターン１０２２は光変調器１００６が半田バンプ１０１３によって固定される部分である。
【００１６】
なお本図２では、半導体レーザ１００７、光ファイバ１０１０、光導波路１００９を固定する半田バンプ１０１４は記載を省略してある。またドライバ回路１００２、半導体レーザ１００７に直流電源を接続するための電気配線も省略してある。本図２から知れるように光変調器１００６のグラウンドは、ドライバ回路と導通しておらず、フローティングの状態となっている。
【００１７】
図３の１０１９は、ドライバ回路１００２と光変調器１００６の間の高周波伝送線路１０１２の上層メタル膜を表す。１０２０は上層メタル膜１０１９の切り欠き部で、下層メタル膜１０１７が露出した部分である。上層メタル膜１０１９の内、ドットパターンの粗な部分１０２１は、絶縁体を挟んでその下側に図１で述べた下層メタル膜１０１７が存在するため、メタル−絶縁体−メタル構造のコンデンサが形成されていることになる。また上層メタル１０１９は光変調器１００６と直接は導通せず、終端抵抗１００８を介して光変調器１００６の信号線と接続されることになる。なお、図３において四隅が丸い四角パターン１０２２は上層メタル膜１０１９および上層絶縁体が穿孔されている部分で、この部分を介して光変調器１００６を基板１００１上の配線パターンに接続するための半田バンプ１０１３が貫通している。図４にこの結線状態を回路図で示す。高周波的にはドライバ回路１００２と光変調器１００６は共通のグランドに見えるが、直流的には絶縁されていることになる。この構造とすることにより、図３における上層メタル膜１０１９の切り欠き部１０２０を利用して、下層メタル１０１７の電位を外部電源を用いて上層メタル膜１０１９に対して調整すると、実効的に光変調器１００６のバイアス点を変化させることができる。
【００１８】
このような構成で、光変調器１００６の配線の特性インピーダンス、終端抵抗１００８の抵抗値、ドライバ回路１００２の出力を光変調器１００６に伝えるための高周波伝送線路１０１２、光変調器１００６と終端抵抗１００８を電気的に接続するための高周波伝送線路１０１５の特性インピーダンスを一致させることが出来る。
【００１９】
本実施の形態の作製手順を図１乃至図３により説明する。
まず、実装用のＩｎＰ基板１００１上に有機金属気相成長法などで、多重化機能付きドライバ回路１００２の基本素子となるトランジスタの層構造を成長させる。続いて縮小露光投影法とエッチング工程、絶縁膜堆積工程などからなる通常の半導体プロセスを用いて多重化機能付きドライバ回路１００２をＩｎＰ基板１００１上に作製する。続いて実装用のＩｎＰ基板１００１上で回路部分以外の層をドライエッチングなどの方法で取り去り、高周波線路１００３、１００４、１００５、１０１２、１０１５と終端抵抗１００８とを、金属蒸着法などで形成する。光ファイバ１０１０固定用のＶ溝１０１１は、ＩｎＰ基板１００１の面方位に対してエッチングレートの異なるウエットエッチング法を用いてＩｎＰ基板１００１上に作製する。更に、ポリマー材料からなる光導波路１００９をスピンコート及びドライエッチングにより作製する。そして、金属蒸着法などで半田バンプ１０１３、１０１４を実装用のＩｎＰ基板１００１上に作製する。ここまでの工程は、実装用のＩｎＰ基板１００１に刻まれたマークを元に、縮小露光投影装置を用いて位置合わせを行い作製するので、各パーツの位置精度はサブミクロンオーダで設定できる。半導体レーザ１００７及び光変調器１００６を実装用のＩｎＰ基板１００１上にフリップチップ実装し、バンプメタルのリフローによる自己位置合わせ機能を利用し半導体レーザ１００７、光変調器１００６と光導波路１００９の光結合を行なう。最後にＶ溝１０１１上に光ファイバ１０１０を固定する。なお、バンプメタルのリフローによる光変調器１００６と半導体レーザ１００７の位置合わせ精度は、ボンディング前のメタルバンプ位置とメタル厚さで決まるため、平面方向と垂直方向の位置精度をサブミクロンオーダにすることが可能で、半導体レーザ１００７、光変調器１００６、光ファイバ１０１０の実装に高精度の位置合わせを行わなくても、良好な光結合を実現できる。
【００２０】
なお、光変調器１００６と半導体レーザ１００７とを結合している光導波路１００９には例えば、レーザ光スポット形状整形器あるいはコリメータ光学系等のような、スポットサイズ変換機能を有しているものを用いることで、上記自己位置合わせ機能による位置合わせ誤差をさらに低減し得るが、本スポットサイズ変換機能の利用によりさらに位置合わせ誤差による結合効率の低下を抑えることが可能となるため、必要に応じてこれを使用すればよい。
【００２１】
また、本実施の形態では、光変調器１００６として進行波型電界吸収光変調器を用いたがこれ以外にも、半導体光位相変調器、マッハツエンダー型光変調器を用いることも可能である。また、波長も、１．５５ミクロンに限ることはなく、半導体レーザ１００７の発振波長にあわせて、光変調器１００６、光導波路１００９の波長を変えることで、別の波長帯の光送信モジュールを実現することも可能である。更に、本実施の形態では多重化後の光変調レートを１００Ｇｂｉｔ／ｓとしていたが、必ずしもこれに限った話ではなく、多重前のデータレートを上げることで光変調レートを上げることは可能である。
なお、ここでは実装用半導体基板の例としてＩｎＰ基板を示しているが、ＧａＡｓ基板など半絶縁性の化合物半導体基板であれば、本光送信モジュールが作製可能であることは言うまでもない。
【００２２】
本実施の形態により、多重化機能付きのドライバ回路と光変調器がモノリシックに集積化されており１００Ｇｂｉｔ／ｓの電気信号を高周波ケーブルやコネクタを一切介さずに良好な周波数特性で光変調器へ伝えることができる。また、ドライバ回路から終端抵抗までがインピーダンス整合されているので、光変調器へ駆動電力を効率良く伝えることが出来、ドライバ回路に損失補充用の余分な出力を要求する必要が無くなる。また、ハイブリッド実装用の基板として用いる基板材料が、良好な高周波特性を持つ半絶縁性ＩｎＰ基板であるため、付加的な容量をドライバ回路は光変調器に生じさせることが無い。また、構成要素の中でも最も大きな発熱体であるドライバ回路の熱は、直接チップ裏面から放熱機能を有するチップステージに伝えることができるので、集積回路チップからの発熱を上手く逃がすことが出来る。
【００２３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の光送信モジュール構成によれば、超広帯域電気信号を高周波ケーブルやコネクタを一切介さずに光変調器へ伝えることができ、また、ドライバ回路から終端抵抗までのインピーダンス整合を行なうことが可能であるため、電力損失の少ない良好な周波数特性の光送信モジュールが実現できる。また、ハイブリッド実装基板として用いる基板材料が、良好な高周波特性を持つ半絶縁性のＩｎＰ基板であるため、付加的な容量をドライバ回路は光変調器に生じさせることが無い。更に、直接ドライバ回路チップ裏面から放熱でき、発熱による特性劣化を避けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す光送信モジュール外観の斜視図。
【図２】ドライバ回路と進行波型電界吸収光変調器間の高周波伝送線路のうち、グラウンドを形成する下層メタル膜を含む回路接続関係を示す配線配置図。
【図３】ドライバ回路と進行波型電界吸収光変調器間の高周波伝送線路のうち、グラウンドを形成する上層メタル膜を含む回路接続関係を示す配線配置図。
【図４】ドライバ回路と光変調器、終端抵抗の電気的接続状態を示す回路図。
【図５】第１の従来例を示す光送信機の構成図。
【図６】第２の従来例を示すハイブリッド光送信機外観の斜視図。
【符号の説明】
１００１…半絶縁性ＩｎＰ基板
１００２…ＩｎＰ基板上でドライバ回路が作製された部分
１００３…多重化前のデータ信号入力用線路
１００４…多重化前のデータ信号入力用線路
１００５…多重用のクロック信号入力用線路
１００６…光変調器
１００７…半導体レーザ
１００８…終端抵抗
１００９…光導波路
１０１０…光ファイバ
１０１１…光ファイバを固定するためにＩｎＰ基板上に作製したＶ溝
１０１２…ドライバ回路出力を光変調器に伝えるための高周波伝送線路
１０１３…光変調器をＩｎＰ基板上にボンディングするための半田バンプ
１０１４…半導体レーザをＩｎＰ基板上にボンディングするための半田バンプ
１０１５…光変調器と終端抵抗を電気的に接続するための高周波伝送線路
１０１６…ペルチェ素子または、ヒートシンク等の放熱機構を裏面に備えたチップキャリア
１０１７…ＩｎＰ基板上での下層メタル膜
１０１８…光変調器信号系配線
１０１９…ＩｎＰ基板上での上層メタル膜
１１０１…４：１多重化回路モジュール
１１０２…リタイミング回路モジュール
１１０３…ドライバ回路モジュール １１０４…光変調モジュール
１１０５…半導体レーザモジュール １２０１…Ｓｉ基板
１２０２…ＳｉＯ２層 １２０３…石英系光導波路
１２０４…光変調器 １２０５…フォトディテクタアレー
１２０６…レーザダイオードアレー １２０７…電気伝送線路
１２０８…レーザ駆動回路 １２０９…光検出回路
Claims (6)
- 半導体レーザと、該半導体レーザの出力を伝える光伝送路と、該光伝送路から光を受けて該光を変調する光変調器と、該光変調器から出力される光を次段に伝えるための光ファイバと、上記光変調器を駆動するためのドライバ回路と、上記光変調器駆動用電気信号を終端させるための終端抵抗からなる光送信モジュールにおいて、
多重化機能を含むドライバ回路が形成された実装用の半絶縁性基板上に、該ドライバ回路出力と上記光変調器を接続するための第１の高周波伝送線路と、
上記ドライバ回路の出力を終端するための上記終端抵抗と、
上記光変調器と上記終端抵抗を接続するための第２の高周波伝送線路と、
上記半導体レーザに電流を供給するための電気配線と、
実装後の上記光変調器の出力光の出射点を含み該出力光の進行方向に平行な直線を含む垂直な平面が上記半絶縁性基板と交わる直線に沿って形成された光ファイバ固定用のＶ溝を有し、
上記半導体レーザと上記電気配線との電気的接続を果たす役割を担った複数個のメタルバンプを含むメタルバンプ群により、上記半導体レーザが上記光変調器と光結合されるように上記半導体基板に固定され、
上記光変調器と上記第１および第２の高周波伝送線路との電気的接続を果たす役割を担った上記複数のメタルバンプを含むメタルバンプ群により、上記光変調器が上記光伝送路と光結合されるように上記半絶縁性基板に固定され、
上記Ｖ溝の延伸方向の前記光変調器と光結合される位置に前記Ｖ溝で光ファイバが固定されたことを特徴とする光送信モジュール。 - 上記光変調器が進行波型の電極構造を有していることを特徴とした請求項１記載の光送信モジュール。
- 上記ドライバ回路と上記光変調器を接続するための上記第１の高周波伝送線路の特性インピーダンスと、
上記光変調器と前記終端抵抗を接続するための上記第２の高周波伝送線路の特性インピーダンスと、
上記終端抵抗の抵抗値を、上記光変調器の電気配線の特性インピーダンスに一致させていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の光送信モジュール。 - 上記光変調器の第１のグラウンド側配線と、外部電源によって上記ドライバ回路を含むモジュール全体の第２のグラウンド側配線とを絶縁的に配置し、上記光変調器の第１のグラウンド側電位を調整することにより上記光変調器のバイアスを任意の値に設定可能とした回路構成の上記光変調器を、上記ドライバ回路で駆動することを特徴とした請求項１乃至請求項３の何れかに記載の光送信モジュール。
- 上記光変調器と上記半導体レーザとを光結合させるために、上記実装用の半絶縁性基板上に作製した前記光導波路を形成していることを特徴とした請求項１乃至請求項４の何れかに記載の光送信モジュール。
- 上記光導波路に光スポットサイズ変換手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載の光送信モジュール。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021292A (ja) * | 2006-06-12 | 2008-01-31 | Takashi Kurokawa | センサ装置 |
| WO2023053406A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
-
2003
- 2003-03-03 JP JP2003055212A patent/JP2004264628A/ja active Pending
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| JP2008021292A (ja) * | 2006-06-12 | 2008-01-31 | Takashi Kurokawa | センサ装置 |
| WO2023053406A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
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