JP2004257921A

JP2004257921A - Inspection device of semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Info

Publication number: JP2004257921A
Application number: JP2003050483A
Authority: JP
Inventors: Ikuhiko Imai; 生彦今井
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2003-02-27
Filing date: 2003-02-27
Publication date: 2004-09-16

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a burn-in device capable of surely performing burn-in. <P>SOLUTION: The burn-in device 1 has installed semiconductor devices in sockets 10 to 13 connected in parallel with each other, and supplies a control signal from a row selection part 5 and a line selection part 6. Only one of the sockets 10 to 13 is selected by the row selection part 5 and the line selection part 6, and the control signal is impressed. In the case that contact between the socket terminals and the semiconductor device terminals is good and the semiconductor device is not bad, a proper operating current flows in a current detector 4. The row selection part 5 and the line selection part 6 select the sockets of a burn-in board 9 by turns. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法に関するものであり、より詳細には、半導体装置を装着するための複数のソケットを備え、ソケットに電源電圧および制御信号を供給して半導体装置を検査する、半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マルチメディア時代を迎えて、携帯機器のデジタル化・高性能化・高機能化が急速に進展するとともに、半導体装置、半導体記憶装置（以下、ＩＣとする。）のプロセス微細化による高集積化も進んでいる。
【０００３】
このような背景のため、ＩＣの高信頼性が望まれている。電子部品として用いるＩＣの高信頼性を確保するための方法として、ＩＣにバーンインを行うという検査方法がある。
【０００４】
ここで、バーンインとは、ＩＣを高温雰囲気中で動作させて行う通電・動作試験であり、出荷後に生じうる初期不良を排除するために行うものである。これによって、固有欠陥および潜在的不良要因を持ったＩＣを除去できる。バーンインは、現在では、高信頼性を保証するために必要不可欠な工程となっている。このため、バーンインを確実、精密に実行する構成が必要とされている。
【０００５】
従来のバーンイン装置２１の一例は、図２に示すように、互いに並列に接続されたソケット２６〜２９を有するバーンインボード２５と、ソケット２６〜２９の各端子に電圧を供給する電源電圧供給部２２、コントロール信号供給部２３、および接地電圧供給部２４とを備えている。
【０００６】
図２に示すソケット２６〜２９は、電源電圧供給部２２からの電源電圧Ｖｃｃが供給される電源端子、コントロール信号供給部２３からのコントロール信号ＣＥが供給されるコントロール信号端子、接地電圧供給部２４からの接地電圧ＧＮＤが供給される接地端子を有している。
【０００７】
このバーンイン装置２１においてバーンインを行う際には、バーンインボード２５のソケット２６〜２９にそれぞれ図示しないＩＣを装着して、電源電圧供給部２２、コントロール信号供給部２３、および接地電圧供給部２４から、各ソケット２６〜２９の各端子に電圧を供給する。これによって、ＩＣの内部状態が定まる。
【０００８】
ここで、バーンインにおいては、初期動作不良を加速させるため、ＩＣを活性化状態（動作状態）にする。動作状態において、ＩＣの電源端子に流れる動作電流は、ある一定以上の電流値となる。
【０００９】
そこで、バーンイン装置２１において、例えばＩＣごとに流れる電流値を測定すれば、ある一定以上の電流が得られたときに、ＩＣが正常に動作すると判別できる。また、正常な動作電流が流れていれば、ＩＣとソケット端子との間の接続が正常であると検出できる。
【００１０】
なお、ＩＣを適切にバーンインするためには、ＩＣの各入出力端子への電圧の供給を適切に設定する必要がある。例えば、図２においては、簡単のためにコントロール信号を１つのみ示している。しかしながら、実際にＩＣを活性化させるためには、例えばメモリＩＣの場合、コントロール信号を動作状態に設定した上で、図示しない端子へのアドレス信号、書き込み信号等の入力が必要となる。また、例えばＣＰＵ等のロジックＩＣであれば、クロック信号等の入力が必要となる。
【００１１】
また、例えば日本国の公開特許公報「特開平２−１１８４７０号公報（公開日：１９９０年５月２日）」に記載されたバーンイン装置においては、半導体装置が装着されるソケットの電源用端子に対して直列に発光ダイオードを接続した構成が開示されている。
【００１２】
【特許文献１】
特開平２−１１８４７０号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の構成においては、ＩＣの各端子とソケットの各端子との接触状態を、電源の電流によって判別することができないという問題を生ずる。
【００１４】
すなわち、上述の従来の構成においては、並列に接続された複数のＩＣに、共通の電源電圧などを印加する。したがって、一つのソケットにおいてＩＣの各端子とソケットの各端子とが非接触であっても、電源においては電流が正常に流れるため、確認ができない。このため、ソケットごとに、ＩＣの各端子とソケットの各端子との接触状態を判別することができない。また、仮に半導体装置に電源電圧が供給されている点を確認できたとしても、半導体装置が活性化状態（動作状態）であるか否かについて判別することができない。
【００１５】
ここで、ＩＣの各端子とソケットの各端子とが正しく接触していないときには、ＩＣに対してバーンインを行うことができない。したがって、上述のように接触状態を判別できないならば、ＩＣに対して正しくバーンインが実行されたのかどうか判別できないという問題を生ずる。
【００１６】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＩＣの端子とソケットの端子との接触状態をソケットごとに確認して、ＩＣに対するバーンインの実行の有無を確実に判別できる、半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の検査装置は、上記課題を解決するために、半導体装置を装着するための、互いに並列に接続されている複数のソケットを備えた半導体装置の検査装置において、上記複数のソケットから一つのソケットを選択して、半導体装置を起動するための制御信号を、上記一つのソケットに装着された半導体装置に供給する選択制御部と、上記起動された半導体装置を流れる電流を計測する電流検出部とを備えていることを特徴としている。
【００１８】
上記検査装置において、ソケットに装着された半導体装置には、例えば電源電圧供給部から電源電圧が供給される。
【００１９】
そして、検査装置の選択制御部が、ソケットのうちの一つのみを選択して、そのソケットに装着された半導体装置に、起動のための制御信号を供給する。これによって、その半導体装置のみが起動した状態となる。
【００２０】
また、電流検出部が、その起動された半導体装置を流れる電流を計測する。このため、選択制御部が選択したソケットの半導体装置について、電流が流れるかどうかを判別して、その半導体装置の端子とソケットの端子との接触状態、接続状態を確認できる。すなわち、所定の動作電流が流れるときには接触状態が良好であると判別し、流れないときには接触状態が不良であると判別する。
【００２１】
また、例えば選択制御部は、一つのソケットについて、半導体装置の端子とソケットの端子との接触状態を確認した後に、順次、他のソケットを選択して、そのソケットにおける接触状態を確認してもよい。これによって、各ソケットにおける接触状態を判別できる。
【００２２】
このように、上記検査装置は、各ソケットについて個別に動作電流を計測することによって、接続の良否を確認できる。また、半導体装置の動作を確認して、活性化状態（動作状態）であるか否かを判別できる。
【００２３】
また、上記検査装置は、例えばその後に、接続が良好な各ソケットに対して同じ電圧を印加して、実際にバーンイン（負荷試験）を行う。
【００２４】
なお、選択制御部が、複数のソケットのうちから一つのソケットを選択する構成はどのようなものであってもよい。例えば、複数のソケットを１次元状に配置してそこから一つを選択してもよいし、または例えば複数のソケットを２次元状に配置して、行接続線および列接続線を用いて、一つのソケットを選択してもよい。このように、各ソケットのうちから一つを選択できるならば、どのような構成であってもよい。
【００２５】
したがって、半導体装置とソケットとの接触状態をソケットごとに確認して、半導体装置に対するバーンインの実行の有無を確実に判別できる、半導体装置の検査装置を提供できる。
【００２６】
また、上述の半導体装置の検査装置を、複数の半導体記憶装置のソケットを有し、該ソケットに、それぞれ半導体記憶装置を装着して、バーンイン装置からの電源を複数の半導体記憶装置に対して供給してバーンインを行うバーンイン装置において、各半導体記憶装置への電源電圧供給部に、電流検出手段と、半導体記憶装置を選択する選択手段とを有し、半導体記憶装置を個別にバーンインする手段を設けてなる半導体記憶装置のバーンイン装置である、と表現することもできる。
【００２７】
本発明に係る半導体装置の検査装置は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記選択制御部が、上記複数のソケット全体にわたるように、上記複数のソケットから選択する一つのソケットを順次変更することを特徴としている。
【００２８】
検査装置は、複数のソケット全体にわたるように、選択する一つのソケットを順次変更する。
【００２９】
ここで、選択するソケットを順次変更する際の方法はどのようなものであってもよい。少なくとも、選択した一つのソケットについて、そのソケットにおける接触状態が確認できるものであればよい。また、複数のソケット全体にわたるものであれば、ソケットを選択する順序はどのようなものであってもよい。
【００３０】
したがって、検査装置の備える複数のソケット全体について、各ソケットに装着された半導体装置の端子とそのソケットの端子との接触状態を確認できる。
【００３１】
なお、上述の半導体装置の検査装置を、複数の半導体記憶装置へ電源が供給されているため、各半導体記憶装置を選択する信号を設けていることを特徴とする半導体記憶装置のバーンイン装置である、と表現することもできる。
【００３２】
本発明に係る半導体装置の検査装置は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記電流検出部が、上記並列に接続されている複数のソケットに対して直列に接続されており、電流を計測することによって上記半導体装置の動作を判別することを特徴としている。
【００３３】
並列に接続されている複数のソケットのうちの一つに、半導体装置を起動するための制御信号が供給され、また、並列に接続されている複数のソケットに対して電流検出部が直列に接続される。このため、電流検出部において、起動するための制御信号が印加された半導体装置を介した電流を検出できる。したがって、この半導体装置における、ソケットの端子と半導体装置の端子との接続の良否を確認できる。
【００３４】
また、電流検出部において、起動するための制御信号が印加された半導体装置を介した電流のみを検出できる。したがって、この半導体装置に対して、選択制御部から、さらに例えばアドレス信号、書き込み信号、クロック信号のような制御信号をも供給して、半導体装置の動作の良否を判別できる。
【００３５】
なお、上述の半導体装置の検査装置を、上記電流検出部が、各半導体装置がバーンインモード時に、電源電圧供給部の端子に流れる動作電流を検出することによって、半導体装置がバーンイン中であることを検出できる構成である、と表現することもできる。
【００３６】
本発明に係る半導体装置の検査装置は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記複数のソケットに接続するための複数の列接続線と複数の行接続線とを有し、上記選択制御部が、複数の列接続線から一つの列接続線を選択して上記制御信号を供給する列選択部と、複数の行接続線から一つの行接続線を選択して上記制御信号を供給する行選択部とを含んでおり、上記ソケットが、上記列接続線のうちのいずれか一つと上記行接続線のうちのいずれか一つとに接続される、制御端子を備えており、この制御端子に接続されている上記列接続線または上記行接続線のいずれか一方から上記制御端子までの間に、ダイオードが直列に接続されていることを特徴としている。
【００３７】
このように、列接続線、行接続線、列選択部、行選択部、および制御端子を用いれば、ソケットを２次元状に配置した場合であっても、簡単かつ容易に、上述した本発明に係る半導体装置の検査装置を実現できる。
【００３８】
また、列接続線または行接続線のいずれか一方から制御端子までの間に、ダイオードを直列に接続しているので、ダイオードの接続されている側の接続線の電位が、ダイオードの接続されていない側の接続線の電位によって変動しないようにできる。したがって、安定した制御が可能となり、より確実なバーンインが可能となる。
【００３９】
また、この構成であれば、従来の半導体装置の検査装置に対して、若干の構成の変更、追加などで、本発明の半導体装置の検査装置を実現できる。
【００４０】
また、上記構成において、制御端子に接続されている列接続線および行接続線から制御端子までの間に、抵抗分割部を備えている構成も好ましい。この構成であれば、列接続線および行接続線を介して制御端子に供給する電圧の電位を、抵抗分割部によって調節できる。
【００４１】
また、上述の半導体装置の検査装置を、列選択部または行選択部のいずれか一方から、各半導体装置のチップ選択端子に至る回路に、ダイオードと抵抗分割部とを含んでいる構成である、と表現することもできる。
【００４２】
本発明に係る半導体装置の検査方法は、上記課題を解決するために、互いに並列に接続された複数のソケットにそれぞれ装着された半導体装置に電源電圧および制御信号を供給して、上記半導体装置の動作を検査する、半導体装置の検査方法において、一つのソケットに装着されている上記半導体装置に供給する制御信号を、他のソケットに装着されている半導体装置に供給する制御信号と異ならせることを特徴としている。
【００４３】
上記検査方法を行う際には、ソケットに装着された半導体装置には、例えば電源電圧供給部から電源電圧が供給される。
【００４４】
そして、一つのソケットに供給する制御信号を、他のソケットに供給する制御信号と異ならせる。例えば、一つのソケットには、このソケットに装着された半導体装置を起動するための制御信号を供給する。このとき、他のソケットには、起動するための制御信号以外のものを供給して、ソケットに装着された半導体装置が起動しないようにする。
【００４５】
このようにすれば、互いに並列に接続されたソケットに対して電源電圧を印加したとき、選択した一つのソケットにおける半導体装置の端子とソケットの端子との接触状態に応じて、電源における電流が異なることになる。すなわち、接触状態が良好であれば所定の動作電流が流れる一方、接触状態が不良であれば電流が流れない。
【００４６】
したがって、例えばこのように電流を計測することによって、選択したソケットにおける、半導体装置の端子とソケットの端子との接触状態を判別できる。よって、ソケットに装着した半導体装置に対してバーンインを実行できるかどうかを、確実に判別できる。
【００４７】
また、上記方法において、供給する制御信号を異ならせる一つのソケットを、複数のソケット全体にわたるように、順次変更してもよい。このようにすれば、複数のソケット全体について、ソケットごとに、接触状態を確認できる。
【００４８】
また、上述の半導体装置の検査方法を、複数のソケットにそれぞれ装着された半導体装置に同一の電圧を印加してバーンインを行う前に、各ソケットのうちから一つのソケットを選択して、そのソケットに装着された半導体装置の動作電流を計測することによって、そのソケットと半導体装置との接触状態を確認する工程を含む構成である、と表現することもできる。また、上記方法が、さらに、選択したソケットを変更する工程を含むものであってもよい。
【００４９】
なお、例えば従来の半導体装置の検査方法においては、並列に接続された複数のソケットにそれぞれ装着された半導体装置を検査する際には、各ソケットには同一の電源電圧と制御信号とが供給されていた。この場合、電源の電流によっては、ソケットごとに、ＩＣの各端子とソケットの各端子との接触状態を判別することはできない。
【００５０】
以上のように、本発明に係る半導体装置の検査装置においては、各半導体装置の電源端子、入力端子、及び接地端子と、各ソケット端子との接続の良否を検出するために、電源電圧供給部に、電流測定機能、および各半導体装置の動作を選択するための信号生成部を設置する。これにより、装着された各半導体装置に対して動作選択信号を順に印加しながら電源電流を測定することによって、装着時に接触不良となっている半導体装置を特定する事が可能となる。
【００５１】
また、本発明に係る半導体装置の検査装置によれば、従来のバーンイン装置に若干の回路を付加するだけで、各半導体装置における接触状態の良否を判別できる。また、バーンインを実施したか否かを、半導体装置ごとに確実に判別できる。したがって、全数のＩＣをバーンインするような製品群に対しても、確実にバーンインを実施することができ、未実施の製品を市場に供給する不手際を完全に防止できる。
【００５２】
また、各半導体装置の端子とソケットの端子との接触を全て確認することが容易に可能となるので、接触の良好な全ての半導体装置を活性化状態にして、半導体装置の信頼性を向上できる。
【００５３】
なお、上述の半導体装置の検査装置を、複数の半導体記憶装置のソケットを有し、該半導体記憶装置ソケットに、それぞれ、半導体記憶装置を装着して、バーンイン装置からの電源を複数の半導体記憶装置に対して供給してバーンインを行うバーンイン装置にて、各半導体記憶装置の電源・接地端子と、バーンインに使用する端子の接続検出手段を設けてある半導体記憶装置のバーンイン装置である、と表現することもできる。
【００５４】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態について、図１に基づいて説明すると以下の通りである。
【００５５】
本実施形態に係るバーンイン装置（半導体装置の検査装置）は、初期不良を排除するための負荷試験であるバーンインを行う装置である。このバーンイン装置は、半導体装置を装着するための複数のソケットを備えており、各ソケットの端子と半導体装置の端子との接触状態をソケットごとに確認した後に、バーンインを行うようになっている。
【００５６】
バーンイン装置１は、図１に示すように、制御部（選択制御部）２、電源部３、電流検出部４、列選択部（選択制御部）５、行選択部（選択制御部）６、接地電圧供給部７、操作部８およびバーンインボード９を備えている。また、バーンイン装置１は、図示しないオーブンを備えている。
【００５７】
制御部２は、バーンイン装置１の制御を行うためのものである。また、制御部２は信号発生回路として機能し、適当な制御信号を生成して、列選択部５および行選択部６へ供給する。
【００５８】
電源部３は、バーンインボード９に所定の電源電圧を供給するための電源である。電流検出部４は、電源部３を介して流れる電流を検出するための計測装置である。
【００５９】
列選択部５は、制御部２から供給される制御信号を、所定のタイミングにて、バーンインボード９に接続された列接続線Ｃ１、Ｃ２へと出力する。行選択部６は、制御部２から供給される制御信号を、所定のタイミングにて、バーンインボード９に接続された行接続線Ｒ１、Ｒ２へと出力する。
【００６０】
接地電圧供給部７は、バーンインボード９に対して接地電圧を供給する。操作部８は、バーンイン装置１のユーザが用いる操作部である。操作部８にて入力された指示は、制御部２にて処理される。
【００６１】
また、バーンインボード９は、互いに並列に接続された、複数のソケット１０〜１３を備えている。なお、図１においては、簡単のためにソケット１０〜１３のみを図示しているが、これに限るものではなく、通常はより多くのソケットを備えている構成である。このソケット１０〜１３は、列接続線Ｃ１、Ｃ２のうちのいずれか一つ、および行接続線Ｒ１、Ｒ２のうちのいずれか一つと、それぞれ接続されている。
【００６２】
ソケット１０〜１３は、半導体装置を装着するためのものである。図１に示すように、ソケット１０は、電源電圧Ｖｃｃが供給される電源電圧端子１０ａ、接地電圧が供給される接地電圧端子１０ｂ、制御信号が供給される制御信号端子（制御端子）１０ｃを含んでいる。
【００６３】
ここで、制御信号とは、例えばソケットに装着された半導体装置の動作状態と非動作状態とを切り換える信号であり、半導体装置を起動するための信号を含んでいる。例えば、半導体装置としてのメモリＩＣ（ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）は、チップ選択端子（チップイネーブル：ＩＣを動作状態にする端子）を備えている。そこで、このチップ選択端子に対応する制御信号端子１０ｃをソケット１０に配置して、適切な制御信号を供給する。また、例えばＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）などのロジックＩＣの場合は、ＲＥＳＥＴ端子（リセット：ＩＣを初期状態にもどす制御信号端子）を備えているので、このソケット１０にＲＥＳＥＴ端子に対応する制御信号端子１０ｃを配置して、適切な制御信号を供給する。なお、制御信号は、上述の信号に限るものではなく、半導体装置の動作状態を他の動作状態に変化させる信号をも含むものとする。
【００６４】
また、列選択部５から制御信号端子１０ｃへの列接続線Ｃ１には、抵抗１４ａが備えられている。また、行選択部６から制御信号端子１０ｃへの行接続線Ｒ１には、抵抗１４ｂおよびダイオード１４ｃが備えられている。
【００６５】
この抵抗１４ａ・１４ｂは、制御信号端子１０ｃを所定の電位とするためのものである。また、ダイオード１４ｃは、列接続線Ｃ１から供給される電位が行接続線Ｒ１へ印加されて変動しないように設けたものである。
【００６６】
上記構成のソケット１０に対して図示しない半導体装置を装着すると、半導体装置の端子には、それぞれ電源電圧端子１０ａ、接地電圧端子１０ｂ、制御信号端子１０ｃが接触して、所定の電圧が供給されるようになっている。
【００６７】
なお、ここでは簡単のためにソケット１０の各端子についてのみ説明したが、残りのソケット１１〜１３も同様の構成である。
【００６８】
バーンインを行う際には、上記構成のバーンイン装置１に対して、バーンインボード９の各ソケット１０〜１３に、図示しない半導体装置をそれぞれ装着する。電源部３、列選択部５、行選択部６、接地電圧供給部７からそれぞれ各ソケット１０〜１３の端子へと、電源電圧および制御信号を供給する一方、バーンインボード９を図示しないオーブンの中に挿入して、バーンインを行う。
【００６９】
より詳細には、以下の通りである。このバーンイン装置１は、実際にバーンインを行う前に、各ソケットの端子と半導体装置の端子との接触状態をソケットごとに確認する。
【００７０】
このような接触状態の確認のために、バーンイン装置１においては、列選択部５および行選択部６が、各々一つの接続線（列接続線、行接続線）を選択して、ソケットに装着された半導体装置を起動するための制御信号（起動制御信号）を供給する。また、列選択部５および行選択部６は、選択した一つの接続線以外の接続線には、起動制御信号は供給しない。
【００７１】
これによって、バーンインボード９に備えられた複数のソケット１０〜１３のうち、一つのみのソケットに装着された半導体装置が選択され、起動される。
【００７２】
例えば、図１の構成において、ソケット１０に装着された半導体装置を選択して起動する場合を考える。起動制御信号をＬｏｗレベルとし、起動しない場合にはＨｉｇｈレベルの信号を供給するものとする。この場合、列接続線Ｃ１にはＬｏｗレベルを供給し、他の列接続線（Ｃ２）にはＨｉｇｈレベルを供給する。また、行接続線Ｒ１にはＬｏｗレベル、他の行接続線（Ｒ２）にはＨｉｇｈレベルを供給する。
【００７３】
これにより、各ソケットの制御信号端子のうち、ソケット１０の制御信号端子１０ｃのみがＬｏｗレベルとなり、ソケット１０に装着された半導体装置のみが起動する。なお、他のソケット１１〜１３に装着されている半導体装置は、そのソケットの制御信号端子に接続される列接続線および行接続線の少なくとも一方からＨｉｇｈレベルの信号が供給されるため、非選択状態となる。また、ダイオード１４ｃを備えているため、列接続線Ｃ１から供給される電位が行接続線Ｒ１へ印加されて変動することがなく、このような選択を安定して行うことができる。また、行接続線Ｒ１、Ｒ２および列接続線Ｃ１、Ｃ２にそれぞれ供給する電位は、バーンイン装置１側の供給に依存している。例えば、行接続線に供給する電位と列接続線に供給する電位とを同じにしてもよく、それぞれＨｉｇｈレベル（例えば５Ｖ）とＬｏｗレベル（例えば０Ｖ）として同じ電位を供給してもよい。
【００７４】
また、バーンイン装置１は、電源部３に直列に接続された電流検出部４を備えている。この電流検出部４は、互いに並列に接続されているソケット１０〜１３に対して直列に接続されている。
【００７５】
このため、ソケット１０〜１３のうちの、上述のように選択され、起動されたソケット１０に装着された半導体装置を介する、電源部３から供給される電源電圧による電流（動作電流）を、電流検出部４にて検出することができる。
【００７６】
このように動作電流を電流検出部４にて計測して、選択されたソケットとそのソケットに装着された半導体装置との接触状態の良否を確認することができる。
【００７７】
すなわち、ソケット１０の各端子１０ａ〜１０ｃと図示しない半導体装置の各端子との接触状態が良好であるときには、動作電流として所定の大きさの電流を検出できる。一方、ソケット１０の各端子１０ａ〜１０ｃと図示しない半導体装置の各端子との接触状態が良好でないときには、半導体装置が動作することはなく、所定の大きさの動作電流は得られない。また、非選択状態の半導体装置から寄与する動作電流は非常に微小なものなので、電流検出部４にて測定する電流は、選択状態の半導体装置からのものとみなすことができる。したがって、動作電流を計測することによって、選択したソケット１０において、ソケットと半導体装置との接触状態を確認できる。また、このように、一つのソケット１０に供給する制御信号を、他のソケットに供給する制御信号と異ならせることによって、例えばその一つのソケットにおけるソケットと半導体装置との接触状態を確認できる。
【００７８】
また、図１には、列選択部５・行選択部６からの列接続線、行接続線については、各ソケット１０〜１３に対してそれぞれ１本ずつのみを示しているが、これに限らず、他の接続線がさらに配置され、その接続線を介して他の制御信号が供給される構成であってもよい。
【００７９】
例えば、選択し、接続が確認された半導体装置について、さらに制御信号として、例えばアドレス信号、書き込み信号、クロック信号のような制御信号をも供給して、半導体装置の動作状態、動作の良否を判別してもよい。
【００８０】
また、バーンイン装置１においては、他のソケットについての接触状態を確認するために、制御部２からの制御信号に応じて、列選択部５・行選択部６が、各ソケットから選択する一つのソケットを順次変更する。例えば、ソケット１０の次にソケット１１を選択し、ソケット１２、ソケット１３というように、選択するソケットを順に変更する。
【００８１】
このように、選択するソケットを変更して、バーンイン装置１が備えているソケット全てに行き渡るようにする。これによって、半導体装置が装着されたソケット全てについて、ソケットと半導体装置との接触の良否を確認できる。
【００８２】
また、このようにして、各ソケットの半導体装置について動作電流を順次確認すれば、装着された半導体装置の接続がそれぞれ良好であり、かつ正常に動作状態であることかどうか判別できる。
【００８３】
なお、各ソケット１０〜１３を順次選択し、変更する際の順序、方法については、特に限定されない。また、このような変更のためのより詳細な具体例、タイミングなどについては、よく知られたものを用いることができるので、説明は省略する。また、半導体装置の各端子に供給する電圧についても、特にタイミングについての限定はなく、電源投入後であれば端子にはどの順番で信号が供給されてもよい。
【００８４】
以上のように、本実施形態のバーンイン装置１は、一旦、各ソケット１０〜１３について、それぞれ装着された半導体装置とソケットとの接触、接続の良否を確認する。より詳細には、半導体装置ごとに個別に動作電流を計測して、接触、接続の良否を確認する。
【００８５】
次に、バーンイン装置１は、バーンインボード９を図示しないオーブンの中に挿入して、バーンインを行う。この際、電源部３、列選択部５、行選択部６、接地電圧供給部７からそれぞれ各ソケット１０〜１３の端子へと、電源電圧及び制御信号を供給し、接続が良好な半導体装置を選択状態（活性状態、動作状態）として、負荷を与える。この場合には、接続が良好な半導体装置全てに対して起動制御信号を供給する。
【００８６】
なお、バーンイン装置１は、種々の半導体装置に適応するように、半導体装置の動作状態をより精密に制御するための接続線、および端子を備えていてもよい。すなわち、例えばアドレス信号、書き込み信号、クロック信号のための接続線と、この接続線からの制御信号を供給する端子とを備えていてもよい。
【００８７】
また、バーンイン装置１にてバーンインを行う半導体装置が、バーンイン装置１の端子および制御信号に応じた、バーンインモード用の回路を備えている構成であってもよい。この構成であれば、制御しやすく、効率のよい検査が可能となる。
【００８８】
また、バーンイン装置１は、ソケット１０〜１３を並列に接続しているので、各ソケットに装着された半導体装置に対して同様の負荷（電圧）を与えることができ、生産効率を低下させない。ここで、もしソケット１０〜１３を直列に接続した場合には、各ソケットのうちのいずれか一つにでも、接触不良または半導体装置の不良があると、電流が流れないため、十分な試験ができないことになる。
【００８９】
なお、バーンイン後に初期不良となった半導体装置を検査するためには、例えば専用のテスト装置を用いて、テスト工程を実施してもよい。
【００９０】
以上のように、本実施形態に係るバーンイン装置１は、選択制御部としての制御部２、列選択部５、行選択部６が、ソケット１０〜１３にそれぞれ装着された半導体装置のうちの一つのみを動作させ、その半導体装置を介する電流を電流検出部４にて検出する構成である。
【００９１】
したがって、選択したソケットにおける半導体装置とソケットとの接触状態を確認でき、その後のバーンインが実施されたか否かを確実に判別できる。
【００９２】
なお、上述の実施の形態においては、２次元に配置したソケット１０〜１３に対して、列選択部５と行選択部６とを用いていずれかのソケットを選択する構成について説明したが、本発明はこれに限るものではない。例えばソケットを１次元に配置して、選択部がそのソケットのうちの一つを選択する構成であってもよい。また、一つのみのソケットを選択する際に、例えば各ソケットにスイッチング素子としてのトランジスタを配置して、所望のソケットの制御信号端子のみに所望の制御信号を供給するようにしてもよい。
【００９３】
また、本発明は、上述のように、半導体装置、半導体記憶装置のバーンイン装置に関するものであり、特に、複数の半導体装置用のソケットを有し、該半導体記憶装置用のソケットに、それぞれ半導体装置を装着して、半導体装置のバーンインを行うバーンイン装置に関するものである。
【００９４】
ここで、従来のバーンイン装置は、バーンインを行う前に、各ソケットと半導体装置との接触状態を確認することがなかった。
【００９５】
また、従来の半導体装置（ＩＣ）のバーンイン装置は、複数のＩＣに対して、１つの電源電圧供給部及び入力電源供給部を用いて、それぞれのＩＣの電源端子（ＶＤＤ）及び入力端子に供給する。すなわち、並列に接続されたソケットに、全て同じ電圧、信号を供給していた。
【００９６】
しかしながら、それぞれのＩＣの電源端子及び入力端子は並列に接続されているため、いずれかのＩＣが動作していなくても、電源電流は正常に流れる。このため、電源電流（動作電流）の値を参照して動作していないＩＣを見つけることはできず、各ＩＣとソケットとの接続の良否を検出することは困難であった。より詳細には、ＩＣが並列に接続された並列部分に、それぞれ動作電流が流れたとしても、この並列部分はバーンインボード上に基板配線されており、並列部分それぞれに対して実際に電流判別を行うことは困難である。
【００９７】
すなわち、従来のバーンイン装置は、並列に接続された半導体装置について、本発明のような選択を行わないため、並列に接続された半導体装置に供給する電源電圧を測定したとしても、各半導体装置についての動作状態を確認することはできない。
【００９８】
ここで、半導体装置とソケットとが、各端子において正常に接触していない場合には、半導体装置への電源供給が正常に行われない。また、半導体装置の内部の状態が定まらないために、正しくバーンインが行えない。
【００９９】
このように、バーンイン装置において、半導体装置とソケットとの接触は非常に重要であるが、従来のバーンイン装置は、半導体装置とソケットとの接触状態を確認しなかった。このため、半導体装置を正しくバーンインしたか判別することができなかった。
【０１００】
なお、半導体装置とソケットとの端子間の接触不良の原因としては、半導体装置とソケットとの間への異物の侵入、または繰り返し使用によるソケット端子のピン接触部の劣化等がある。
【０１０１】
また、上述の特開平２−１１８４７０号公報に記載の構成は、発光ダイオードを例えば人間の目によって確認する必要がある。このため、確認が困難であり、十分な信頼性が得られるか分からないという問題がある。また、半導体装置とソケットとの接触を、電源における一つのみの動作電流によって判別するものではなかった。また、半導体装置に電源が供給されていることが確認できたとしても、半導体装置が活性化状態（動作状態）であるか否かの確認ができない。
【０１０２】
以上のように、従来のバーンイン装置では、装着されている複数の半導体装置について、半導体装置の端子とソケットの端子との接触を全て確認することはできないという問題があった。また、半導体装置の動作状態についても確認ができなかった。
【０１０３】
一方、本発明は、上述のように、各ソケットについて、半導体装置との接触状態を確認するとともに、半導体装置の活性化状態を確認して、半導体装置の信頼性向上を図っている。また、電源電圧の測定、および行接続線と列接続線とに対する電圧の供給を、オーブンに挿入するバーンインボード９には含めずに、その外部にて行うので、確実なバーンインが可能となる。
【０１０４】
なお、一部の高価なバーンイン装置では、半導体装置からの信号をモニターする機能を具備するものもあるが、正常動作している事を確認するための信号判定回路が必要となり、コストアップにつながるため、現実的ではない。
【０１０５】
上述の具体的な実施形態または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、本発明はそのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、特許請求の範囲に示した範囲で種々の変更が可能であり、変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１０６】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置の検査装置は、以上のように、複数のソケットから一つのソケットを選択して、半導体装置を起動するための制御信号を、上記一つのソケットに装着された半導体装置に供給する選択制御部と、上記起動された半導体装置を流れる電流を計測する電流検出部とを備えている構成である。
【０１０７】
それゆえ、選択制御部が選択したソケットの半導体装置について、電流が流れるかどうかを判別して、その半導体装置の端子とソケットの端子との接触状態、接続状態を確認でき、各ソケットについて個別に動作電流を計測することによって、接続の良否を確認できるという効果を奏する。
【０１０８】
本発明に係る半導体装置の検査装置は、以上のように、上記構成において、上記選択制御部が、上記複数のソケット全体にわたるように、上記複数のソケットから選択する一つのソケットを順次変更する構成である。
【０１０９】
それゆえ、検査装置の備える複数のソケット全体について、各ソケットに装着された半導体装置の端子とそのソケットの端子との接触状態を確認できるという効果を奏する。
【０１１０】
本発明に係る半導体装置の検査装置は、以上のように、上記構成において、上記電流検出部が、上記並列に接続されている複数のソケットに対して直列に接続されており、電流を計測することによって上記半導体装置の動作を判別する構成である。
【０１１１】
それゆえ、電流検出部において、起動するための制御信号が印加された半導体装置を介した電流を検出して、ソケットの端子と半導体装置の端子との接続の良否を確認できるという効果を奏する。
【０１１２】
本発明に係る半導体装置の検査装置は、以上のように、上記構成において、上記複数のソケットに接続するための複数の列接続線と複数の行接続線とを有し、上記選択制御部が、複数の列接続線から一つの列接続線を選択して上記制御信号を供給する列選択部と、複数の行接続線から一つの行接続線を選択して上記制御信号を供給する行選択部とを含んでおり、上記ソケットが、上記列接続線のうちのいずれか一つと上記行接続線のうちのいずれか一つとに接続される、制御端子を備えており、この制御端子に接続されている上記列接続線または上記行接続線のいずれか一方から上記制御端子までの間に、ダイオードが直列に接続されている構成である。
【０１１３】
それゆえ、列接続線、行接続線、列選択部、行選択部、および制御端子を用いて、ソケットを２次元状に配置した場合であっても、簡単かつ容易に、上述した本発明に係る半導体装置の検査装置を実現できるという効果を奏する。
【０１１４】
本発明に係る半導体装置の検査方法は、以上のように、一つのソケットに装着されている上記半導体装置に供給する制御信号を、他のソケットに装着されている半導体装置に供給する制御信号と異ならせる構成である。
【０１１５】
それゆえ、選択した一つのソケットにおける半導体装置の端子とソケットの端子との接触状態に応じて、電源における電流が異なるので、選択したソケットにおける、半導体装置の端子とソケットの端子との接触状態を判別できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の検査装置の一例を示すブロック図である。
【図２】従来の半導体装置の検査装置の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
１バーンイン装置（半導体装置の検査装置）
２制御部（選択制御部）
３電源部
４電流検出部
５列選択部（選択制御部）
６行選択部（選択制御部）
７接地電圧供給部
９バーンインボード
１０〜１３ソケット
１０ｃ制御信号端子（制御端子）
１４ａ、１４ｂ抵抗
１４ｃダイオード
Ｃ１、Ｃ２列接続線
Ｒ１、Ｒ２行接続線[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device inspection apparatus and a semiconductor device inspection method, and more particularly, to a semiconductor device having a plurality of sockets for mounting a semiconductor device and supplying a power supply voltage and a control signal to the socket. The present invention relates to a semiconductor device inspection device and a semiconductor device inspection method for inspecting a device.
[0002]
[Prior art]
With the arrival of the multimedia era, the digitization, high performance, and high functionality of portable devices have been rapidly progressing, and the integration of semiconductor devices and semiconductor storage devices (hereinafter, referred to as ICs) has been increasing due to the miniaturization of processes. I'm advancing.
[0003]
Against this background, high reliability of the IC is desired. As a method for ensuring high reliability of an IC used as an electronic component, there is an inspection method of performing burn-in on the IC.
[0004]
Here, the burn-in is an energization / operation test performed by operating the IC in a high-temperature atmosphere, and is performed to eliminate an initial failure that may occur after shipment. Thereby, an IC having an intrinsic defect and a potential defect factor can be removed. Burn-in is now an indispensable process to guarantee high reliability. For this reason, there is a need for a configuration that reliably and precisely performs burn-in.
[0005]
As shown in FIG. 2, an example of a conventional burn-in device 21 is a burn-in board 25 having sockets 26 to 29 connected in parallel to each other, and a power supply voltage supply unit 22 for supplying a voltage to each terminal of the sockets 26 to 29. , A control signal supply unit 23, and a ground voltage supply unit 24.
[0006]
The sockets 26 to 29 shown in FIG. 2 include a power supply terminal to which the power supply voltage Vcc from the power supply voltage supply unit 22 is supplied, a control signal terminal to which the control signal CE from the control signal supply unit 23 is supplied, and a ground voltage supply unit 24. And a ground terminal to which the ground voltage GND is supplied.
[0007]
When performing burn-in in the burn-in device 21, ICs (not shown) are attached to the sockets 26 to 29 of the burn-in board 25, and the power supply voltage supply unit 22, the control signal supply unit 23, and the ground voltage supply unit 24 A voltage is supplied to each terminal of each socket 26-29. This determines the internal state of the IC.
[0008]
Here, in burn-in, the IC is activated (operated) in order to accelerate initial operation failure. In the operating state, the operating current flowing to the power supply terminal of the IC has a current value equal to or more than a certain value.
[0009]
Therefore, if the burn-in device 21 measures, for example, the value of the current flowing for each IC, it can be determined that the IC operates normally when a certain current or more is obtained. If a normal operating current is flowing, it can be detected that the connection between the IC and the socket terminal is normal.
[0010]
In order to properly burn-in the IC, it is necessary to appropriately set the voltage supply to each input / output terminal of the IC. For example, FIG. 2 shows only one control signal for simplicity. However, in order to actually activate the IC, for example, in the case of a memory IC, it is necessary to set a control signal to an operation state and then input an address signal, a write signal, and the like to a terminal (not shown). Also, for example, a logic IC such as a CPU requires input of a clock signal or the like.
[0011]
Further, for example, in a burn-in device described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2-118470 (publication date: May 2, 1990), a power supply terminal of a socket in which a semiconductor device is mounted is provided. On the other hand, a configuration in which light emitting diodes are connected in series is disclosed.
[0012]
[Patent Document 1]
JP-A-2-118470
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
However, the above configuration has a problem that the contact state between each terminal of the IC and each terminal of the socket cannot be determined based on the current of the power supply.
[0014]
That is, in the above-described conventional configuration, a common power supply voltage or the like is applied to a plurality of ICs connected in parallel. Therefore, even if each terminal of the IC is not in contact with each terminal of the socket in one socket, it cannot be confirmed because the current flows normally in the power supply. For this reason, the contact state between each terminal of the IC and each terminal of the socket cannot be determined for each socket. Further, even if it can be confirmed that the power supply voltage is supplied to the semiconductor device, it cannot be determined whether or not the semiconductor device is in an activated state (operating state).
[0015]
Here, when each terminal of the IC and each terminal of the socket are not in correct contact, burn-in cannot be performed on the IC. Therefore, if the contact state cannot be determined as described above, there is a problem that it cannot be determined whether burn-in has been correctly performed on the IC.
[0016]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to confirm the contact state between the terminal of the IC and the terminal of the socket for each socket and reliably determine whether or not burn-in has been performed on the IC. An object of the present invention is to provide a semiconductor device inspection apparatus and a semiconductor device inspection method that can be determined.
[0017]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a semiconductor device inspection apparatus according to the present invention includes a semiconductor device inspection apparatus having a plurality of sockets connected in parallel to each other for mounting a semiconductor device. Selecting one of the sockets and supplying a control signal for activating the semiconductor device to the semiconductor device mounted on the one socket; and measuring a current flowing through the activated semiconductor device. And a current detector that performs the operation.
[0018]
In the above inspection apparatus, a power supply voltage is supplied to the semiconductor device mounted on the socket from, for example, a power supply voltage supply unit.
[0019]
Then, the selection control unit of the inspection apparatus selects only one of the sockets and supplies a control signal for starting to the semiconductor device mounted on the socket. As a result, only the semiconductor device is activated.
[0020]
Further, the current detector measures a current flowing through the activated semiconductor device. For this reason, it is possible to determine whether or not a current flows in the semiconductor device of the socket selected by the selection control unit, and confirm the contact state and connection state between the terminal of the semiconductor device and the terminal of the socket. That is, when a predetermined operating current flows, it is determined that the contact state is good, and when it does not flow, it is determined that the contact state is bad.
[0021]
Also, for example, the selection control unit may check the contact state between the terminal of the semiconductor device and the terminal of the socket for one socket, and then sequentially select another socket and check the contact state in the socket. Good. Thereby, the contact state in each socket can be determined.
[0022]
As described above, the inspection device can check the connection quality by measuring the operating current individually for each socket. In addition, by checking the operation of the semiconductor device, it can be determined whether or not the semiconductor device is in an activated state (operating state).
[0023]
In addition, the above-described inspection apparatus, for example, subsequently applies the same voltage to each of the well-connected sockets and actually performs burn-in (load test).
[0024]
The selection control unit may select any one of the plurality of sockets in any configuration. For example, a plurality of sockets may be arranged one-dimensionally and one selected therefrom, or for example, a plurality of sockets may be arranged two-dimensionally and using row and column connection lines, One socket may be selected. As described above, any configuration may be used as long as one of the sockets can be selected.
[0025]
Therefore, it is possible to provide a semiconductor device inspection apparatus capable of checking the contact state between the semiconductor device and the socket for each socket and reliably determining whether burn-in has been performed on the semiconductor device.
[0026]
Further, the above-described semiconductor device inspection apparatus has a plurality of semiconductor memory device sockets, and the semiconductor memory devices are mounted on the sockets, respectively, and power is supplied from the burn-in device to the plurality of semiconductor memory devices. In a burn-in device for performing burn-in, a power supply voltage supply unit for each semiconductor storage device has a current detection unit and a selection unit for selecting a semiconductor storage device, and a unit for individually burning-in the semiconductor storage device is provided. It can also be expressed as a burn-in device for a semiconductor memory device.
[0027]
In order to solve the above problem, the semiconductor device inspection device according to the present invention, in the above configuration, wherein the selection control unit sequentially selects one socket selected from the plurality of sockets so as to cover the entire plurality of sockets. It is characterized by changing.
[0028]
The inspection apparatus sequentially changes one selected socket so as to cover all the plurality of sockets.
[0029]
Here, any method may be used for sequentially changing the socket to be selected. At least, it is sufficient that the contact state of the selected one socket can be confirmed. In addition, the order of selecting sockets may be any order as long as the order covers all of the plurality of sockets.
[0030]
Therefore, the contact state between the terminal of the semiconductor device mounted on each socket and the terminal of the socket can be confirmed for the entire plurality of sockets included in the inspection apparatus.
[0031]
Note that the above-described semiconductor device inspection device is a burn-in device for a semiconductor memory device, in which a signal for selecting each semiconductor memory device is provided because power is supplied to a plurality of semiconductor memory devices. , Can also be expressed.
[0032]
In order to solve the above problem, the semiconductor device inspection device according to the present invention, in the above configuration, the current detection unit is connected in series to the plurality of sockets connected in parallel, Is measured to determine the operation of the semiconductor device.
[0033]
A control signal for activating the semiconductor device is supplied to one of the plurality of sockets connected in parallel, and the current detection unit is connected in series to the plurality of sockets connected in parallel. Is done. For this reason, the current detection unit can detect the current through the semiconductor device to which the control signal for starting is applied. Therefore, in this semiconductor device, the quality of the connection between the terminal of the socket and the terminal of the semiconductor device can be confirmed.
[0034]
Further, the current detection unit can detect only the current through the semiconductor device to which the control signal for starting is applied. Therefore, a control signal such as, for example, an address signal, a write signal, and a clock signal is further supplied to the semiconductor device from the selection control unit to determine whether the semiconductor device is operating properly.
[0035]
Note that the above-described semiconductor device inspection apparatus uses the current detection unit to detect that the semiconductor device is in burn-in by detecting the operating current flowing to the terminal of the power supply voltage supply unit when each semiconductor device is in the burn-in mode. It can also be expressed as a configuration that can be detected.
[0036]
In order to solve the above problem, the semiconductor device inspection device according to the present invention, in the above configuration, includes a plurality of column connection lines and a plurality of row connection lines for connecting to the plurality of sockets, and A control unit that selects one column connection line from a plurality of column connection lines and supplies the control signal, and a column selection unit that selects one row connection line from a plurality of row connection lines and supplies the control signal And a control terminal, wherein the socket is connected to any one of the column connection lines and any one of the row connection lines. A diode is connected in series between one of the column connection line or the row connection line connected to the terminal and the control terminal.
[0037]
By using the column connection line, the row connection line, the column selection unit, the row selection unit, and the control terminal, even if the socket is two-dimensionally arranged, the above-described present invention can be easily and easily performed. And a semiconductor device inspection apparatus according to the above.
[0038]
Further, since the diode is connected in series between one of the column connection line and the row connection line to the control terminal, the potential of the connection line on the side to which the diode is connected is not connected to the diode. It can be prevented from fluctuating due to the potential of the connection line on the other side. Therefore, stable control becomes possible, and more reliable burn-in becomes possible.
[0039]
Further, with this configuration, the semiconductor device inspection apparatus of the present invention can be realized by slightly changing or adding the configuration to the conventional semiconductor device inspection apparatus.
[0040]
Further, in the above configuration, it is also preferable that a resistance dividing portion is provided between the column connection line and the row connection line connected to the control terminal and the control terminal. With this configuration, the potential of the voltage supplied to the control terminal via the column connection line and the row connection line can be adjusted by the resistance dividing unit.
[0041]
Further, the above-described semiconductor device inspection apparatus is configured to include a diode and a resistance division unit in a circuit from one of the column selection unit and the row selection unit to a chip selection terminal of each semiconductor device. It can also be expressed as
[0042]
In order to solve the above problems, a semiconductor device inspection method according to the present invention supplies a power supply voltage and a control signal to a semiconductor device mounted on each of a plurality of sockets connected in parallel with each other. In the semiconductor device inspection method for inspecting operation, a control signal supplied to the semiconductor device mounted on one socket may be different from a control signal supplied to a semiconductor device mounted on another socket. Features.
[0043]
When performing the above inspection method, a power supply voltage is supplied to the semiconductor device mounted on the socket from, for example, a power supply voltage supply unit.
[0044]
Then, a control signal supplied to one socket is made different from a control signal supplied to another socket. For example, a control signal for starting a semiconductor device mounted in this socket is supplied to one socket. At this time, a control signal other than a control signal for starting is supplied to the other sockets so that the semiconductor device mounted on the socket does not start.
[0045]
With this configuration, when the power supply voltage is applied to the sockets connected in parallel to each other, the current in the power supply varies depending on the contact state between the terminal of the semiconductor device and the terminal of the selected one socket. Will be. That is, a predetermined operating current flows when the contact state is good, whereas no current flows when the contact state is bad.
[0046]
Therefore, for example, by measuring the current in this way, the contact state between the terminal of the semiconductor device and the terminal of the socket in the selected socket can be determined. Therefore, it is possible to reliably determine whether burn-in can be performed on the semiconductor device mounted on the socket.
[0047]
Further, in the above method, one socket for supplying a different control signal may be sequentially changed so as to cover all the plurality of sockets. With this configuration, the contact state can be confirmed for each of the plurality of sockets.
[0048]
In addition, before performing the burn-in by applying the same voltage to the semiconductor device mounted on each of the plurality of sockets, one of the sockets is selected, and the method for inspecting the semiconductor device is performed. It can also be described as a configuration including a step of measuring the operating current of the semiconductor device mounted on the semiconductor device and confirming the contact state between the socket and the semiconductor device. Further, the method may further include a step of changing the selected socket.
[0049]
In a conventional semiconductor device inspection method, for example, when inspecting a semiconductor device mounted on a plurality of sockets connected in parallel, the same power supply voltage and control signal are supplied to each socket. I was In this case, depending on the current of the power supply, the contact state between each terminal of the IC and each terminal of the socket cannot be determined for each socket.
[0050]
As described above, in the semiconductor device inspection apparatus according to the present invention, the power supply terminal, the input terminal, and the ground terminal of each semiconductor device are connected to each of the socket terminals by a power supply voltage supply unit. In addition, a current measurement function and a signal generation unit for selecting the operation of each semiconductor device are provided. Thus, by measuring the power supply current while sequentially applying the operation selection signal to each of the mounted semiconductor devices, it becomes possible to identify the semiconductor device having a poor contact at the time of mounting.
[0051]
Further, according to the semiconductor device inspection apparatus of the present invention, it is possible to determine the quality of the contact state of each semiconductor device by adding only a few circuits to the conventional burn-in device. Further, whether or not burn-in has been performed can be reliably determined for each semiconductor device. Therefore, the burn-in can be surely performed even for a product group in which all the ICs are burned in, and it is possible to completely prevent a failure to supply a product which has not been performed to the market.
[0052]
In addition, since it is possible to easily confirm all contact between the terminal of each semiconductor device and the terminal of the socket, it is possible to activate all the semiconductor devices having good contact and to improve the reliability of the semiconductor device. .
[0053]
The above-described semiconductor device inspection apparatus has a plurality of semiconductor memory device sockets, and the semiconductor memory devices are mounted in the semiconductor memory device sockets, respectively, and the power from the burn-in device is supplied to the plurality of semiconductor memory devices. Is a burn-in device that supplies a power supply and a ground terminal to each of the semiconductor storage devices and a connection detection unit for terminals used for burn-in. You can also.
[0054]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
One embodiment of the present invention is described below with reference to FIG.
[0055]
The burn-in device (semiconductor device inspection device) according to the present embodiment is a device that performs burn-in, which is a load test for eliminating initial defects. This burn-in device includes a plurality of sockets for mounting semiconductor devices, and performs burn-in after checking the contact state between the terminal of each socket and the terminal of the semiconductor device for each socket.
[0056]
As shown in FIG. 1, the burn-in device 1 includes a control unit (selection control unit) 2, a power supply unit 3, a current detection unit 4, a column selection unit (selection control unit) 5, a row selection unit (selection control unit) 6, A ground voltage supply unit 7, an operation unit 8, and a burn-in board 9 are provided. The burn-in device 1 includes an oven (not shown).
[0057]
The control unit 2 controls the burn-in device 1. Further, the control unit 2 functions as a signal generation circuit, generates an appropriate control signal, and supplies it to the column selection unit 5 and the row selection unit 6.
[0058]
The power supply unit 3 is a power supply for supplying a predetermined power supply voltage to the burn-in board 9. The current detection unit 4 is a measuring device for detecting a current flowing through the power supply unit 3.
[0059]
The column selection unit 5 outputs a control signal supplied from the control unit 2 to column connection lines C1 and C2 connected to the burn-in board 9 at a predetermined timing. The row selection unit 6 outputs a control signal supplied from the control unit 2 to the row connection lines R1 and R2 connected to the burn-in board 9 at a predetermined timing.
[0060]
The ground voltage supply unit 7 supplies a ground voltage to the burn-in board 9. The operation unit 8 is an operation unit used by a user of the burn-in device 1. The instruction input by the operation unit 8 is processed by the control unit 2.
[0061]
The burn-in board 9 includes a plurality of sockets 10 to 13 connected in parallel with each other. In FIG. 1, only the sockets 10 to 13 are shown for simplicity, but the present invention is not limited to this, and usually has a configuration in which more sockets are provided. The sockets 10 to 13 are connected to one of the column connection lines C1 and C2 and one of the row connection lines R1 and R2, respectively.
[0062]
The sockets 10 to 13 are for mounting a semiconductor device. As shown in FIG. 1, socket 10 includes a power supply voltage terminal 10a to which power supply voltage Vcc is supplied, a ground voltage terminal 10b to which ground voltage is supplied, and a control signal terminal (control terminal) 10c to which a control signal is supplied. In.
[0063]
Here, the control signal is, for example, a signal for switching between an operating state and a non-operating state of the semiconductor device mounted on the socket, and includes a signal for activating the semiconductor device. For example, a memory IC (Integrated Circuit) as a semiconductor device includes a chip selection terminal (chip enable: a terminal for putting the IC into an operation state). Therefore, a control signal terminal 10c corresponding to the chip selection terminal is arranged in the socket 10, and an appropriate control signal is supplied. For example, a logic IC such as a CPU (Central Processing Unit) has a RESET terminal (reset: a control signal terminal for returning the IC to an initial state). 10c to provide an appropriate control signal. Note that the control signal is not limited to the above signal, and includes a signal for changing the operation state of the semiconductor device to another operation state.
[0064]
The column connection line C1 from the column selection unit 5 to the control signal terminal 10c is provided with a resistor 14a. The row connection line R1 from the row selection unit 6 to the control signal terminal 10c includes a resistor 14b and a diode 14c.
[0065]
The resistors 14a and 14b are for setting the control signal terminal 10c at a predetermined potential. Further, the diode 14c is provided so that the potential supplied from the column connection line C1 is not changed by being applied to the row connection line R1.
[0066]
When a semiconductor device (not shown) is mounted on the socket 10 having the above configuration, the power supply voltage terminal 10a, the ground voltage terminal 10b, and the control signal terminal 10c come into contact with the terminals of the semiconductor device, and a predetermined voltage is supplied. It has become.
[0067]
Although only the terminals of the socket 10 are described here for simplicity, the remaining sockets 11 to 13 have the same configuration.
[0068]
When performing burn-in, a semiconductor device (not shown) is attached to each of the sockets 10 to 13 of the burn-in board 9 in the burn-in apparatus 1 having the above configuration. A power supply voltage and a control signal are supplied from the power supply unit 3, the column selection unit 5, the row selection unit 6, and the ground voltage supply unit 7 to the terminals of the sockets 10 to 13, respectively, while the burn-in board 9 is placed in an oven (not shown). To perform burn-in.
[0069]
More specifically, it is as follows. Before actually performing burn-in, the burn-in device 1 checks the contact state between the terminal of each socket and the terminal of the semiconductor device for each socket.
[0070]
In order to confirm such a contact state, in the burn-in device 1, the column selecting unit 5 and the row selecting unit 6 select one connection line (column connection line, row connection line) and mount it on the socket. A control signal (startup control signal) for starting up the semiconductor device is supplied. The column selection unit 5 and the row selection unit 6 do not supply a start control signal to connection lines other than the selected one connection line.
[0071]
As a result, the semiconductor device mounted on only one of the plurality of sockets 10 to 13 provided on the burn-in board 9 is selected and activated.
[0072]
For example, consider a case in which the semiconductor device mounted on the socket 10 is selected and activated in the configuration of FIG. The activation control signal is set to a low level, and a high-level signal is supplied when the activation is not performed. In this case, a low level is supplied to the column connection line C1, and a high level is supplied to the other column connection lines (C2). Also, a low level is supplied to the row connection line R1, and a high level is supplied to the other row connection line (R2).
[0073]
As a result, among the control signal terminals of each socket, only the control signal terminal 10c of the socket 10 becomes Low level, and only the semiconductor device mounted in the socket 10 starts. The semiconductor devices mounted in the other sockets 11 to 13 are not selected because a High-level signal is supplied from at least one of the column connection line and the row connection line connected to the control signal terminal of the socket. State. Further, since the diode 14c is provided, the potential supplied from the column connection line C1 is not changed by being applied to the row connection line R1, and such selection can be performed stably. The potentials supplied to the row connection lines R1, R2 and the column connection lines C1, C2 depend on the supply from the burn-in device 1. For example, the potential supplied to the row connection line and the potential supplied to the column connection line may be the same, and the same potential may be supplied as a High level (for example, 5 V) and a Low level (for example, 0 V).
[0074]
Further, the burn-in device 1 includes a current detection unit 4 connected in series to the power supply unit 3. The current detector 4 is connected in series to sockets 10 to 13 connected in parallel to each other.
[0075]
Therefore, the current (operating current) based on the power supply voltage supplied from the power supply unit 3 via the semiconductor device mounted on the socket 10 selected and activated as described above among the sockets 10 to 13 It can be detected by the detection unit 4.
[0076]
As described above, the operating current is measured by the current detecting unit 4, and the quality of the contact state between the selected socket and the semiconductor device mounted on the socket can be confirmed.
[0077]
That is, when the contact state between each terminal 10a to 10c of the socket 10 and each terminal of the semiconductor device (not shown) is good, a current having a predetermined magnitude can be detected as the operating current. On the other hand, when the contact state between each terminal 10a to 10c of the socket 10 and each terminal of the semiconductor device (not shown) is not good, the semiconductor device does not operate, and a predetermined operating current cannot be obtained. In addition, since the operating current that contributes from the non-selected semiconductor device is very small, the current measured by the current detection unit 4 can be regarded as being from the selected semiconductor device. Therefore, by measuring the operating current, the contact state between the socket and the semiconductor device in the selected socket 10 can be confirmed. Further, as described above, by making the control signal supplied to one socket 10 different from the control signal supplied to another socket, for example, the contact state between the socket and the semiconductor device in the one socket can be confirmed.
[0078]
FIG. 1 shows only one column connection line and one row connection line from the column selection unit 5 and the row selection unit 6 for each of the sockets 10 to 13, but the present invention is not limited to this. Instead, another connection line may be further provided, and another control signal may be supplied via the connection line.
[0079]
For example, for a selected semiconductor device whose connection has been confirmed, a control signal such as an address signal, a write signal, or a clock signal is also supplied as a control signal to determine the operating state of the semiconductor device and whether the semiconductor device is operating properly. May be.
[0080]
In the burn-in device 1, the column selecting unit 5 and the row selecting unit 6 select one of the sockets according to a control signal from the control unit 2 in order to confirm a contact state of another socket. Change sockets sequentially. For example, the socket 11 is selected next to the socket 10, and the selected sockets are changed in order, such as the socket 12 and the socket 13.
[0081]
In this way, the socket to be selected is changed so as to reach all the sockets of the burn-in device 1. This makes it possible to confirm whether or not the contact between the socket and the semiconductor device is good for all the sockets in which the semiconductor device is mounted.
[0082]
In addition, by sequentially confirming the operating current of the semiconductor device in each socket in this manner, it can be determined whether or not the connection of the mounted semiconductor devices is good and the semiconductor device is normally operating.
[0083]
The order and method for sequentially selecting and changing the sockets 10 to 13 are not particularly limited. In addition, as for more detailed specific examples, timings, and the like for such a change, well-known ones can be used, and thus description thereof is omitted. There is no particular limitation on the timing of the voltage supplied to each terminal of the semiconductor device, and the signal may be supplied to the terminal in any order after the power is turned on.
[0084]
As described above, the burn-in device 1 according to the present embodiment temporarily checks the contact and connection between the mounted semiconductor device and the socket for each of the sockets 10 to 13. More specifically, the operating current is individually measured for each semiconductor device, and the quality of the contact and connection is confirmed.
[0085]
Next, the burn-in device 1 performs the burn-in by inserting the burn-in board 9 into an oven (not shown). At this time, a power supply voltage and a control signal are supplied from the power supply unit 3, the column selection unit 5, the row selection unit 6, and the ground voltage supply unit 7 to the terminals of each of the sockets 10 to 13, thereby providing a semiconductor device with good connection. A load is applied as a selected state (active state, operating state). In this case, a start control signal is supplied to all the semiconductor devices with good connections.
[0086]
Note that the burn-in device 1 may include a connection line and a terminal for controlling the operation state of the semiconductor device more precisely so as to be adapted to various semiconductor devices. That is, for example, a connection line for an address signal, a write signal, and a clock signal, and a terminal for supplying a control signal from the connection line may be provided.
[0087]
Further, the semiconductor device that performs burn-in in the burn-in device 1 may include a burn-in mode circuit corresponding to a terminal of the burn-in device 1 and a control signal. With this configuration, it is easy to control and efficient inspection can be performed.
[0088]
Further, since the burn-in device 1 connects the sockets 10 to 13 in parallel, the same load (voltage) can be applied to the semiconductor device mounted in each socket, and the production efficiency does not decrease. Here, if the sockets 10 to 13 are connected in series, if there is a contact failure or a semiconductor device failure in any one of the sockets, no current flows, so a sufficient test is performed. You can't.
[0089]
In order to inspect a semiconductor device having an initial failure after burn-in, a test process may be performed using, for example, a dedicated test device.
[0090]
As described above, in the burn-in device 1 according to the present embodiment, the control unit 2 as the selection control unit, the column selection unit 5, and the row selection unit 6 are one of the semiconductor devices mounted on the sockets 10 to 13, respectively. Only one of them is operated, and the current flowing through the semiconductor device is detected by the current detection unit 4.
[0091]
Therefore, the contact state between the semiconductor device and the socket in the selected socket can be confirmed, and it can be reliably determined whether or not subsequent burn-in has been performed.
[0092]
In the above-described embodiment, the configuration has been described in which any one of the sockets 10 to 13 arranged two-dimensionally is selected using the column selection unit 5 and the row selection unit 6. The invention is not limited to this. For example, a configuration may be adopted in which sockets are arranged one-dimensionally, and the selection unit selects one of the sockets. Further, when only one socket is selected, for example, a transistor as a switching element may be arranged in each socket, and a desired control signal may be supplied only to a control signal terminal of a desired socket.
[0093]
Further, as described above, the present invention relates to a semiconductor device and a burn-in device for a semiconductor memory device, and more particularly to a semiconductor device having a plurality of sockets for the semiconductor device, And a burn-in device for performing burn-in of a semiconductor device by mounting the same.
[0094]
Here, the conventional burn-in device does not check the contact state between each socket and the semiconductor device before performing the burn-in.
[0095]
A conventional burn-in device for a semiconductor device (IC) supplies a plurality of ICs to a power supply terminal (VDD) and an input terminal of each IC by using one power supply voltage supply unit and one input power supply unit. I do. That is, the same voltage and signal are all supplied to the sockets connected in parallel.
[0096]
However, since the power supply terminal and the input terminal of each IC are connected in parallel, the power supply current flows normally even if any one of the ICs is not operating. For this reason, it was not possible to find out the inactive ICs by referring to the value of the power supply current (operating current), and it was difficult to detect the quality of the connection between each IC and the socket. More specifically, even if an operating current flows in each of the parallel portions where the ICs are connected in parallel, the parallel portions are wired on the burn-in board, and the current determination is actually performed for each of the parallel portions. It is difficult to do.
[0097]
In other words, the conventional burn-in apparatus does not make a selection as in the present invention with respect to the semiconductor devices connected in parallel, so that even if the power supply voltage supplied to the semiconductor devices connected in parallel is measured, Cannot be checked.
[0098]
Here, when the semiconductor device and the socket do not normally contact each other at the terminals, power supply to the semiconductor device is not performed normally. Further, since the internal state of the semiconductor device cannot be determined, burn-in cannot be performed correctly.
[0099]
As described above, in the burn-in device, the contact between the semiconductor device and the socket is very important. However, the conventional burn-in device has not confirmed the contact state between the semiconductor device and the socket. For this reason, it has not been possible to determine whether the semiconductor device has been properly burned in.
[0100]
The cause of the contact failure between the terminal of the semiconductor device and the socket includes the invasion of foreign matter between the semiconductor device and the socket, or the deterioration of the pin contact portion of the socket terminal due to repeated use.
[0101]
Further, in the configuration described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-118470, it is necessary to confirm the light emitting diode by, for example, human eyes. For this reason, there is a problem that it is difficult to confirm and it is not known whether sufficient reliability can be obtained. Further, the contact between the semiconductor device and the socket is not determined by only one operating current in the power supply. Further, even if it can be confirmed that power is supplied to the semiconductor device, it cannot be confirmed whether or not the semiconductor device is in an activated state (operating state).
[0102]
As described above, the conventional burn-in device has a problem in that it is not possible to confirm all contact between the terminals of the semiconductor device and the terminals of the socket for the plurality of semiconductor devices mounted. Further, the operation state of the semiconductor device could not be confirmed.
[0103]
On the other hand, in the present invention, as described above, for each socket, the contact state with the semiconductor device is confirmed, and the activation state of the semiconductor device is confirmed to improve the reliability of the semiconductor device. Further, since the measurement of the power supply voltage and the supply of the voltages to the row connection lines and the column connection lines are not included in the burn-in board 9 inserted into the oven, but are performed outside the burn-in board 9, reliable burn-in is possible.
[0104]
Some expensive burn-in devices have a function of monitoring a signal from a semiconductor device, but a signal determination circuit for confirming that the device is operating properly is required, leading to an increase in cost. It is not realistic.
[0105]
The above-described specific embodiments or examples only clarify the technical contents of the present invention, and the present invention is not limited to such specific examples and should not be interpreted in a narrow sense. Various modifications are possible within the scope shown in the claims, and the modified embodiments are also included in the technical scope of the present invention.
[0106]
【The invention's effect】
As described above, the semiconductor device inspection apparatus according to the present invention selects one socket from a plurality of sockets and sends a control signal for activating the semiconductor device to the semiconductor device mounted on the one socket. The configuration includes a selection control unit to be supplied and a current detection unit that measures a current flowing through the activated semiconductor device.
[0107]
Therefore, for the semiconductor device of the socket selected by the selection control unit, it can be determined whether or not a current flows, and the contact state and the connection state between the terminal of the semiconductor device and the terminal of the socket can be confirmed. By measuring the operating current, it is possible to check the connection quality.
[0108]
As described above, in the semiconductor device inspection device according to the present invention, in the above configuration, the selection control unit sequentially changes one socket selected from the plurality of sockets so as to cover the entire plurality of sockets. It is.
[0109]
Therefore, it is possible to check the contact state between the terminal of the semiconductor device mounted on each socket and the terminal of the socket for the entire plurality of sockets included in the inspection apparatus.
[0110]
As described above, in the semiconductor device inspection device according to the present invention, in the above configuration, the current detection unit is connected in series to the plurality of sockets connected in parallel, and measures the current. Thus, the operation of the semiconductor device is determined.
[0111]
Therefore, the current detector detects the current through the semiconductor device to which the control signal for starting is applied, and has an effect that the connection between the terminal of the socket and the terminal of the semiconductor device can be confirmed.
[0112]
As described above, the semiconductor device inspection device according to the present invention, in the above configuration, includes a plurality of column connection lines and a plurality of row connection lines for connecting to the plurality of sockets, and the selection control unit A column selection unit that selects one column connection line from a plurality of column connection lines and supplies the control signal, and a row selection unit that selects one row connection line from a plurality of row connection lines and supplies the control signal And the socket comprises a control terminal connected to any one of the column connection lines and any one of the row connection lines, the control terminal being connected to the control terminal. A diode is connected in series between the column connection line or the row connection line and the control terminal.
[0113]
Therefore, even when the socket is two-dimensionally arranged using the column connection lines, the row connection lines, the column selection section, the row selection section, and the control terminals, the present invention described above can be easily and easily applied. There is an effect that such a semiconductor device inspection device can be realized.
[0114]
As described above, the method for inspecting a semiconductor device according to the present invention includes: a control signal supplied to the semiconductor device mounted on one socket; a control signal supplied to the semiconductor device mounted on another socket; It is a configuration that makes them different.
[0115]
Therefore, the current in the power supply differs according to the contact state between the terminal of the semiconductor device and the terminal of the socket in one selected socket, and the contact state between the terminal of the semiconductor device and the terminal of the socket in the selected socket is changed. This has the effect of being able to determine.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing an example of a semiconductor device inspection apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of a conventional semiconductor device inspection apparatus.
[Explanation of symbols]
1 Burn-in equipment (semiconductor equipment inspection equipment)
2 control unit (selection control unit)
3 Power supply section
4 Current detector
5 Column selection unit (selection control unit)
6 Row selection unit (selection control unit)
7 Ground voltage supply
9 Burn-in board
10-13 socket
10c Control signal terminal (control terminal)
14a, 14b resistance
14c diode
C1, C2 column connection line
R1, R2 line connection line

Claims

In a semiconductor device inspection device having a plurality of sockets connected in parallel to each other for mounting the semiconductor device,
Selecting a socket from the plurality of sockets, a control signal for activating the semiconductor device, a selection control unit for supplying the semiconductor device mounted on the one socket,
A semiconductor device inspection device, comprising: a current detection unit configured to measure a current flowing through the activated semiconductor device.

2. The semiconductor device inspection apparatus according to claim 1, wherein the selection control unit sequentially changes one socket selected from the plurality of sockets so as to cover the entire plurality of sockets.

3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the current detector is connected in series to the plurality of sockets connected in parallel, and determines an operation of the semiconductor device by measuring a current. 3. The semiconductor device inspection apparatus according to claim 1.

Having a plurality of column connection lines and a plurality of row connection lines for connecting to the plurality of sockets,
The selection control unit selects one column connection line from a plurality of column connection lines and supplies the control signal, and the column selection unit selects one row connection line from a plurality of row connection lines to control the control signal. And a row selection unit that supplies
The socket includes a control terminal connected to any one of the column connection lines and any one of the row connection lines,
4. A diode according to claim 1, wherein a diode is connected in series between one of the column connection line and the row connection line connected to the control terminal and the control terminal. The inspection device for a semiconductor device according to claim 1.

A power supply voltage and a control signal are supplied to a semiconductor device mounted on each of a plurality of sockets connected in parallel with each other to test the operation of the semiconductor device.
A method of inspecting a semiconductor device, wherein a control signal supplied to the semiconductor device mounted on one socket is made different from a control signal supplied to a semiconductor device mounted on another socket.