JP2004247468A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 基材上に、半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを順次形成する工程と、
   前記ゲート電極の少なくとも一面を陽極酸化させる工程と、
   前記ゲート電極の陽極酸化した面をマスクとして前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングし前記半導体膜の少なくとも一部を露出させる工程と、
   不純物原子を含有する液状材料を前記半導体膜の前記少なくとも一部に接触配置する工程と、を有することを特徴とするトランジスタの製造方法。
2. 基材上に、半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを順次形成する工程と、
   前記ゲート電極の少なくとも一面を陽極酸化させる工程と、
   前記ゲート電極の陽極酸化した面をマスクとして前記ゲート絶縁膜の一部と前記半導体膜の一部とをエッチングし前記半導体膜の少なくとも一部を露出させる工程と、
   不純物原子を含有する液状材料を前記半導体膜の前記少なくとも一部に接触配置する工程と、を有することを特徴とするトランジスタの製造方法。
3. 請求項１または２に記載のトランジスタの製造方法において、
   前記液状材料を接触配置する際に、該液状材料を液滴状に吐出する液滴吐出方式を用いることを特徴とするトランジスタの製造方法。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載のトランジスタの製造方法において、
   前記液状材料は、リン原子又はボロン原子を含むＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を含有していることを特徴とするトランジスタの製造方法。
5. 請求項１乃至３のいずれかに記載のトランジスタの製造方法において、
   前記液状材料は、リン原子又はボロン原子とＳｉ原子を含むシクロシランを含有していることを特徴とするトランジスタの製造方法。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載のトランジスタの製造方法において、
   さらに、前記液状材料を接触配置したあと該液状材料を熱処理して不純物含有薄膜を形成する工程と、
   前記不純物含有薄膜と前記半導体膜とを接触配置させた状態で熱処理を施し、前記不純物原子を前記半導体膜内に拡散させる工程と、を有することを特徴とするトランジスタの製造方法。
7. 請求項６に記載のトランジスタの製造方法において、
   前記熱処理は強光を照射することにより行われることを特徴とするトランジスタの製造方法。
8. 請求項１乃至７に記載のトランジスタの製造方法において、
   前記不純物原子は、リン原子またはボロン原子のいずれかであることを特徴とするトランジスタの製造方法。
9. 請求項１乃至８に記載のトランジスタの製造方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の電気光学装置の製造方法を用いることを特徴とする電子機器の製造方法。
11. 基材上に、
    ソース及びドレイン領域と、チャネル領域と、を含む半導体膜と、
    前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有し、
    前記ソース及びドレイン領域の膜厚は前記チャネル領域の膜厚よりも大きく、
    前記ゲート絶縁膜は前記チャネル領域と接触する第１の面と、前記ソース及びドレイン領域と接触する前記第１の面とは異なる第２の面と、を有し、
    前記ゲート電極の少なくとも一面には該ゲート電極の酸化膜が形成されていることを特徴とするトランジスタ。
12. 請求項１１に記載のトランジスタを有することを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項１２に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。