JP2004245748A - センサ装置の保護回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】PNPトランジスタ17を備えた荷重センサ13の出力段と信号出力端子CN3とを接続する直列接続のインダクタンス24,25、一端がインダクタンス24,25の接続部C4に接続され他端が接地されたコンデンサ26を備えている。また、荷重センサ13の出力段と信号出力端子CN2とを接続する直列接続のインダクタンス27,28、一端がインダクタンス27,28の接続部C5に接続され他端が接地されたコンデンサ29を備えている。インダクタンス24,25の接続部C4と、インダクタンス27,28の接続部C5とを接続する双極のツェナーダイオード31,32を備えている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、センサ装置の保護回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、センサ装置に適用可能な保護回路としては、例えば特許文献1に記載されたものが知られている。この保護回路では、コモンモードチョークコイル(インダクタンス)とコンデンサとを使用してノイズを除去している。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−244770号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この保護回路では、静電気のような高電圧の電気ノイズは除去することができない。このため、センサの出力段に能動素子を備えるセンサ装置に当該保護回路を設ける場合、この静電気によって当該能動素子が誤作動することがある。
【0005】
また、こうした静電気による能動素子の誤作動防止のため、センサの出力段にツェナーダイオードを設けることも行われている。しかしながら、大出力のノイズが生じる場合には、このツェナーダイオードに不具合が生じることがある。
【0006】
本発明の目的は、高周波ノイズ及び静電気により出力段が備える能動素子が誤作動することを防止することができるセンサ装置の保護回路を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、請求項1に記載の発明は、能動素子を備えたセンサの出力段と、外部との接続用の第1出力端子とを接続する直列接続の第1インダクタンス及び第2インダクタンスと、一端が前記第1インダクタンス及び前記第2インダクタンスの接続部に接続され、他端が接地された第1コンデンサと、前記センサの出力段と、外部との接続用の第2出力端子とを接続する直列接続の第3インダクタンス及び第4インダクタンスと、一端が前記第3インダクタンス及び前記第4インダクタンスの接続部に接続され、他端が接地された第2コンデンサと、前記第1インダクタンス及び前記第2インダクタンスの接続部と、前記第3インダクタンス及び前記第4インダクタンスの接続部とを接続し、双方向からの過大電圧を吸収する電圧制限素子とを備えたことを要旨とする。
【0008】
(作用)
請求項1に記載の発明によれば、センサの出力段と第1出力端子との間は、直列接続の第1インダクタンス及び第2インダクタンスを介して接続されており、これら第1インダクタンス及び第2インダクタンスの接続部は第1コンデンサを介して接地されている。従って、センサ(出力段)側からの高周波ノイズは、第1インダクタンス及び第1コンデンサを介して除去される。また、第1出力端子側からの高周波ノイズは、第2インダクタンス及び第1コンデンサを介して除去される。
【0009】
一方、センサの出力段と第2出力端子との間は、直列接続の第3インダクタンス及び第4インダクタンスを介して接続されており、これら第3インダクタンス及び第4インダクタンスの接続部は第2コンデンサを介して接地されている。従って、センサ(出力段)側からの高周波ノイズは、第3インダクタンス及び第2コンデンサを介して除去される。また、第2出力端子側からの高周波ノイズは、第4インダクタンス及び第2コンデンサを介して除去される。
【0010】
そして、前記第1インダクタンス及び前記第2インダクタンスの接続部と、前記第3インダクタンス及び前記第4インダクタンスの接続部とを接続し、双方向からの過大電圧(例えば、24V以上)を吸収する電圧制限素子は、大出力の高周波ノイズによって不具合が生じることもない。
【0011】
さらに、第1出力端子及び第2出力端子のいずれかからの静電気は、その極性に応じて双方向からの過大電圧を吸収する電圧制限素子によって阻止される。例えば、電圧制限素子にツェナーダイオードを2つ用いて、アノード側を互いに接続した双方向ツェナーダイオードを用いた場合には、ツェナーダイオードの一方により阻止される。また、この電圧制限素子には、バリスターを用いることも可能である。
【0012】
以上により、高周波ノイズ及び静電気により出力段が備える能動素子が誤作動することが防止される。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図1及び図2に従って説明する。
図1に示すように、センサ装置10は、センサユニット11と、電子制御ユニット12とを備えている。
【0014】
センサユニット11は、センサとしての荷重センサ13と、増幅回路14と、電源側保護回路15と、出力側保護回路16とを備えている。
荷重センサ13はストレーン・ゲージ歪ゲージであって、検出しようとする荷重によって撓み変形する図示しない起歪体上に形成されている。荷重センサ13は、4個のストレーン・ゲージG1,G2,G3,G4を備えている。なお、各ストレーン・ゲージG1〜G4の抵抗値は起歪体に加わる荷重が「0」であるときには全て同じであって例えば数百Ωである。各ストレーン・ゲージG1〜G4の抵抗値は、加わった荷重の大きさに応じた起歪体の撓み変形量に対応して変化するようになっている。
【0015】
ストレーン・ゲージG1及びストレーン・ゲージG2、ストレーン・ゲージG3及びストレーン・ゲージG4はそれぞれ直列接続されている。これら直列接続されたストレーン・ゲージG1,G2と、ストレーン・ゲージG3,G4とは並列接続されている。そして、ストレーン・ゲージG1,G3が接続される一端は、上記電源側保護回路15を介してセンサユニット11が備える外部電源との接続用の一方の電源端子CN1に接続されている。この電源端子CN1は、外部電源と接続されることでハイレベル(例えば5V)の基準電位Vccに設定される。一方、ストレーン・ゲージG2,G4が接続される他端は、上記出力側保護回路16を介してセンサユニット11が備える一方の信号出力端子CN2に接続されている。この信号出力端子CN2は、ローレベルの電位に設定される。
【0016】
ここで、ストレーン・ゲージG1,G2の接続部C1の電位は、起歪体に加わった荷重の大きさに応じて変化する両ストレーン・ゲージG1,G2の抵抗値でその間の電圧(以下、「電圧VG」という)を分圧した電位となる。同様に、ストレーン・ゲージG3,G4の接続部C2の電位は、起歪体に加わった荷重の大きさに応じて変化する両ストレーン・ゲージG3,G4の抵抗値で電圧VGを分圧した電位となる。従って、これら接続部C1,C2の電位は、起歪体に加わる荷重が「0」であるときには電圧VGの半分の電位VG/2となる。また、起歪体に加わる荷重が「0」から増大する(起歪体に圧縮荷重が作用する状態)ほど接続部C1の電位は電位VG/2からより大きくなるとともに接続部C2の電位は電位VG/2からより小さくなる。反対に、起歪体に加わる荷重が「0」から減少する(起歪体に引っ張り荷重が作用する状態)ほど接続部C1の電位は電位VG/2からより小さくなるとともに接続部C2の電位は電位VG/2からより大きくなる。接続部C1,C2の各電位は、予め設定されている荷重検出範囲の荷重に対して、VG/2から例えば数mVの所定範囲で変化する。ここで、荷重検出範囲は、荷重センサ13によってある程度以上の検出精度で検出することができる荷重範囲であって、起歪体に加わる負の荷重(引っ張り荷重)から正の荷重(圧縮荷重)までの荷重範囲である。
【0017】
上記接続部C1,C2は、それぞれ増幅回路14に接続されている。増幅回路14は、起歪体に作用する荷重に応じた接続部C1,C2間の電圧を所定増幅率にて増幅する。この増幅回路14は、能動素子としてのPNPトランジスタ17を備えている。このPNPトランジスタ17のエミッタは電源側保護回路15を介して電源端子CN1に接続されており、コレクタは上記出力側保護回路16を介してセンサユニット11が備える信号出力端子CN3に接続されている。増幅回路14は、PNPトランジスタ17のオン状態において、接続部C1,C2間の電圧の極性(正負)に応じてエミッタ−コレクタ間を流れる電流を増減させる。
【0018】
上記電源側保護回路15は、一端が荷重センサ13(ストレーン・ゲージG1,G3)に接続されたインダクタンス21と、これに直列接続され一端が上記電源端子CN1に接続されたインダクタンス22とを備えている。また、これらインダクタンス21,22の接続部C3に一端が接続され他端が接地されたコンデンサ23を備えている。これらインダクタンス21,22及びコンデンサ23は、いわゆるT型フィルタを構成している。従って、荷重センサ13側からの高周波ノイズは、インダクタンス21及びコンデンサ23を介して除去される。また、電源端子CN1側からの高周波ノイズは、インダクタンス22及びコンデンサ23を介して除去される。
【0019】
上記出力側保護回路16は、一端がPNPトランジスタ17のコレクタに接続された第1インダクタンスとしてのインダクタンス24と、これに直列接続され一端が上記信号出力端子CN3に接続された第2インダクタンスとしてのインダクタンス25とを備えている。また、これらインダクタンス24,25の接続部C4に一端が接続され他端が接地された第1コンデンサとしてのコンデンサ26を備えている。これらインダクタンス24,25及びコンデンサ26は、いわゆるT型フィルタを構成している。従って、荷重センサ13(出力段)側からの高周波ノイズは、インダクタンス24及びコンデンサ26を介して除去される。また、信号出力端子CN3側からの高周波ノイズは、インダクタンス25及びコンデンサ26を介して除去される。
【0020】
また、上記出力側保護回路16は、一端が荷重センサ13(ストレーン・ゲージG2,G4)に接続された第3インダクタンスとしてのインダクタンス27と、これに直列接続され一端が上記信号出力端子CN2に接続された第4インダクタンスとしてのインダクタンス28と備えている。また、これらインダクタンス27,28の接続部C5に一端が接続され他端が接地された第2コンデンサとしてのコンデンサ29を備えている。これらインダクタンス27,28及びコンデンサ29も、いわゆるT型フィルタを構成している。従って、荷重センサ13(出力段)側からの高周波ノイズは、インダクタンス27及びコンデンサ29を介して除去される。また、信号出力端子CN2側からの高周波ノイズは、インダクタンス28及びコンデンサ29を介して除去される。
【0021】
さらに、上記出力側保護回路16は、上記両接続部C4,C5を接続し、双方向からの過大電圧(例えば、24V以上)を吸収する電圧制限素子(2つのツェナーダイオード31,32から構成され、アノード同士が接続された双方向ツェナーダイオード)を備えている。この場合、電圧制限素子は、双方向ツェナーダイオードを用いる代わりに、バリスターを用いてもよい。従って、信号出力端子CN2,CN3のいずれかからの静電気は、その極性に応じて双極をなすツェナーダイオード31,32のいずれか一方により阻止される。
【0022】
前記電子制御ユニット12は、一端が接続線W1を介して一方の信号出力端子CN2に接続され、他端が接続線W2を介して他方の信号出力端子CN3に接続され、電子制御ユニット12は内部にインダクタンスとコンデンサによって構成されるローパスフィルタ及び検出用抵抗20を備えている。これら接続線W1,W2は、ハーネスを構成するものである。
【0023】
次に、このセンサ装置10の動作について説明する。PNPトランジスタ17のオン状態において、接続部C1,C2間の電圧に応じてエミッタ−コレクタ間を流れる電流(コレクタ電流)が増加すると、信号出力端子CN3の端子電圧も増加する。反対に、エミッタ−コレクタ間を流れる電流(コレクタ電流)が減少すると、信号出力端子CN3の端子電圧も減少する。これにより、検出用抵抗20の端子電圧の電圧変動を出力信号として検出することにより、電子制御ユニット12において荷重センサ13による監視対象の状態が検出されるようになっている。
【0024】
図2は、荷重センサ13による荷重検出範囲での出力信号(検出用抵抗20の電圧降下)の変化を示すグラフである。同図に示すように、この荷重検出範囲では、出力信号は荷重の変化に比例するリニア特性を示す。この荷重検出範囲に対応する出力信号の範囲(荷重信号範囲)は、例えば0.5〜4.5Vの範囲となっている。
【0025】
さらに、例えば接続線W1が断線したとする。このとき、電源端子CN1から荷重センサ13(ストレーン・ゲージG1〜G4)及びツェナーダイオード31を介して流れようとする電流は、ツェナーダイオード32によって遮断される。従って、接続線W1の断線時では、検出用抵抗20を流れる電流が零になってその電圧降下は0V程度に著しく低下し、その異常が検出されるようになっている。いうまでもなく、接続線W2の断線時も、検出用抵抗20を流れる電流が零になってその電圧降下は0V程度に著しく低下し、その異常が検出されるようになっている。
【0026】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られるようになる。
(1)本実施形態では、高周波ノイズ及び静電気を除去することで増幅回路14(PNPトランジスタ17)が誤作動することを防止できる。
【0027】
(2)本実施形態では、インダクタンス24,25の接続部C4と、インダクタンス27,28の接続部C5とを接続する双極のツェナーダイオード31,32は、外部(信号出力端子CN2,CN3)からの大出力の高周波ノイズによって不具合が生じることが防止される。
【0028】
(3)本実施形態では、接続線W1,W2の断線を検出することができる。
なお、本発明の実施の形態は上記実施形態に限定されるものではなく、次のように変更してもよい。
【0029】
・前記実施形態においては、一対のツェナーダイオード31,32にて双極を構成したが、例えば複数対をなすツェナーダイオードにて双極を構成してもよい。
【0030】
・前記実施形態では、荷重検出範囲において出力信号がリニア特性を示すようにしたが、その他の特性を示すようにしてもよい。
・前記実施形態においては、荷重センサとして、荷重に応じて抵抗値が変化するものを採用したが、例えば荷重に応じて静電容量が変化するものを採用してもよい。
【0031】
・前記実施形態において、センサは、荷重センサ13に限らず、トルク・メータ、圧力センサ、加速度センサ等のストレーン・ゲージ式センサであってもよい。
【0032】
・前記実施形態において、ストレーン・ゲージは、線歪ゲージ、圧膜抵抗体歪ゲージ、箔歪ゲージ、半導体歪ゲージ等のいずれの形態であってもよい。
・前記実施形態において、センサは、直列接続された一対のストレーン・ゲージのみを備えたものであってもよい。
【0033】
・前記実施形態においては、増幅回路14をPNPトランジスタにて構成したが、例えばNPNトランジスタにて構成してもよい。また、トランジスタ(バイポーラトランジスタ)に代えて電界効果トランジスタ(FET)を採用してもよい。
【0034】
・前記実施形態における回路構成は一例であって、本発明を逸脱しない範囲で適宜の構成を採用してもよい。
【0035】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項1に記載の発明によれば、高周波ノイズ及び静電気により出力段が備える能動素子が誤作動することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す回路図。
【図2】同実施形態の荷重と出力信号との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
13 センサとしての荷重センサ
17 能動素子としてのPNPトランジスタ
24 第1インダクタンスとしてのインダクタンス
25 第2インダクタンスとしてのインダクタンス
26 第1コンデンサとしてのコンデンサ
27 第3インダクタンスとしてのインダクタンス
28 第4インダクタンスとしてのインダクタンス
29 第2コンデンサとしてのコンデンサ
31,32 ツェナーダイオード
CN2 第2出力端子としての信号出力端子
CN3 第1出力端子としての信号出力端子
Claims (1)
- 能動素子を備えたセンサの出力段と、外部との接続用の第1出力端子とを接続する直列接続の第1インダクタンス及び第2インダクタンスと、
一端が前記第1インダクタンス及び前記第2インダクタンスの接続部に接続され、他端が接地された第1コンデンサと、
前記センサの出力段と、外部との接続用の第2出力端子とを接続する直列接続の第3インダクタンス及び第4インダクタンスと、
一端が前記第3インダクタンス及び前記第4インダクタンスの接続部に接続され、他端が接地された第2コンデンサと、
前記第1インダクタンス及び前記第2インダクタンスの接続部と、前記第3インダクタンス及び前記第4インダクタンスの接続部とを接続し、双方向からの過大電圧を吸収する電圧制限素子とを備えたことを特徴とするセンサ装置の保護回路。
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