JP2004240412A5 - - Google Patents

Claims (24)

1. 第１のプラスチック基板と、前記第１のプラスチック基板上に配置された発光素子と、前記発光素子を覆っている樹脂と、前記樹脂上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に接した半導体素子と、前記半導体素子上に設けられた液晶と、第２のプラスチック基板とを有し、
   前記半導体素子及び前記液晶は、前記第１のプラスチック基板と前記第２のプラスチック基板との間に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 凹部を有する第１のプラスチック基板と、前記第１のプラスチック基板の凹部に配置された発光素子と、前記発光素子を覆って前記凹部に設けられた樹脂と、前記樹脂上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に接した半導体素子と、前記半導体素子上に設けられた液晶と、第２のプラスチック基板とを有し、
   前記半導体素子及び前記液晶は、前記第１のプラスチック基板と前記第２のプラスチック基板との間に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
3. 第１のプラスチック基板と、前記第１のプラスチック基板に接した金属膜と、前記第１のプラスチック基板上に配置された発光素子と、前記発光素子を覆っている樹脂と、前記樹脂上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に接した半導体素子と、前記半導体素子上に設けられた液晶と、第２のプラスチック基板とを有し、
   前記半導体素子及び前記液晶は、前記第１のプラスチック基板と前記第２のプラスチック基板との間に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
4. 凹部を有する第１のプラスチック基板と、前記第１のプラスチック基板の凹部に接した金属膜と、前記第１のプラスチック基板の凹部に配置された発光素子と、前記発光素子を覆って前記凹部に設けられた樹脂と、前記樹脂上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に接した半導体素子と、前記半導体素子上に設けられた液晶と、第２のプラスチック基板とを有し、
   前記半導体素子及び前記液晶は、前記第１のプラスチック基板と前記第２のプラスチック基板との間に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
5. 請求項３または請求項４において、前記金属膜は表面をサンドブラスト加工されていることを特徴とする液晶表示装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記液晶で構成される液晶セルは透過型であることを特徴とする液晶表示装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記発光素子は発光ダイオードであることを特徴とする液晶表示装置。
8. 請求項７において、前記発光ダイオードはＦＰＣに接続されており、前記ＦＰＣを介して電流が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、前記半導体素子は、接着剤によって前記樹脂上に貼り合わされていることを特徴とする液晶表示装置。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、前記液晶は、ネマチック液晶、スメクチック液晶、強誘電性液晶、または前記液晶が高分子樹脂中に含有されたポリマー分散型液晶であることを特徴とする液晶表示装置。
11. 第１の基板の一方の面に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
    前記半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
    前記半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
    加熱処理を施すことで前記金属酸化膜を結晶化し、
    前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離することで、前記第１の基板を取り除き、
    プラスチック基板上に発光素子を配置し、前記発光素子を覆うように前記プラスチック基板上に樹脂を塗布し、
    第２の接着剤を用いて、前記樹脂に、前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜を接着することで、前記半導体素子を前記プラスチック基板に貼り合わせ、
    前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除いた後、液晶を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
12. 第１の基板の一方の面に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
    前記半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
    前記半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
    前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離することで、前記第１の基板を取り除き、
    プラスチック基板上に発光素子を配置し、前記発光素子を覆うように前記プラスチック基板上に樹脂を塗布し、
    第２の接着剤を用いて、前記樹脂に、前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜を接着することで、前記半導体素子を前記プラスチック基板に貼り合わせ、
    前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除いた後、液晶を形成し、
    前記半導体素子を形成する際に行われる加熱処理によって、前記金属酸化膜が結晶化されることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
13. 第１の基板の一方の面に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
    前記半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
    前記半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
    加熱処理を施すことで前記金属酸化膜を結晶化し、
    前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離することで、前記第１の基板を取り除き、
    凹部を有するプラスチック基板の前記凹部上に発光素子を配置し、前記発光素子を覆うように前記凹部に樹脂を塗布し、
    第２の接着剤を用いて、前記樹脂に、前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜を接着することで、前記半導体素子を前記プラスチック基板に貼り合わせ、
    前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除いた後、液晶を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
14. 第１の基板の一方の面に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
    前記半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
    前記半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
    前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離することで、前記第１の基板を取り除き、
    凹部を有するプラスチック基板の前記凹部上に発光素子を配置し、前記発光素子を覆うように前記凹部に樹脂を塗布し、
    第２の接着剤を用いて、前記樹脂に、前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜を接着することで、前記半導体素子を前記プラスチック基板に貼り合わせ、
    前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除いた後、液晶を形成し、
    前記半導体素子を形成する際に行われる加熱処理によって、前記金属酸化膜が結晶化されることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
15. 請求項１１乃至請求項１４のいずれか１項において、前記液晶は、液晶材料を注入して封止することによって形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
16. 第１の基板の一方の面に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
    前記半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
    液晶を形成し、
    前記半導体素子及び前記液晶を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
    加熱処理を施すことで前記金属酸化膜を結晶化し、
    前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離することで、前記第１の基板を取り除き、
    プラスチック基板上に発光素子を配置し、前記発光素子を覆うように前記プラスチック基板上に樹脂を塗布し、
    第２の接着剤を用いて、前記樹脂に、前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜を接着することで、前記半導体素子及び前記液晶を前記プラスチック基板に貼り合わせ、
    前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除くことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
17. 第１の基板の一方の面に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
    前記半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
    液晶を形成し、
    前記半導体素子及び前記液晶を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
    前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離することで、前記第１の基板を取り除き、
    プラスチック基板上に発光素子を配置し、前記発光素子を覆うように前記プラスチック基板上に樹脂を塗布し、
    第２の接着剤を用いて、前記樹脂に、前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜を接着することで、前記半導体素子及び前記液晶を前記プラスチック基板に貼り合わせ、
    前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除き、
    前記半導体素子を形成する際に行われる加熱処理によって、前記金属酸化膜が結晶化されることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
18. 第１の基板の一方の面に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
    前記半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
    液晶を形成し、
    前記半導体素子及び前記液晶を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
    加熱処理を施すことで前記金属酸化膜を結晶化し、
    前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離することで、前記第１の基板を取り除き、
    凹部を有するプラスチック基板の前記凹部上に発光素子を配置し、前記発光素子を覆うように前記凹部に樹脂を塗布し、
    第２の接着剤を用いて、前記樹脂に、前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜を接着することで、前記半導体素子及び前記液晶を前記プラスチック基板に貼り合わせ、
    前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除くことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
19. 第１の基板の一方の面に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
    前記半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
    液晶を形成し、
    前記半導体素子及び前記液晶を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
    前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離することで、前記第１の基板を取り除き、
    凹部を有するプラスチック基板の前記凹部上に発光素子を配置し、前記発光素子を覆うように前記凹部に樹脂を塗布し、
    第２の接着剤を用いて、前記樹脂に、前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜を接着することで、前記半導体素子及び前記液晶を前記プラスチック基板に貼り合わせ、
    前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除き、
    前記半導体素子を形成する際に行われる加熱処理によって、前記金属酸化膜が結晶化されることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
20. 請求項１６乃至請求項１９のいずれか１項において、前記液晶は、液晶材料を滴下して封入することによって形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
21. 請求項１１乃至請求項２０のいずれか１項において、前記液晶で構成される液晶セルは透過型であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
22. 請求項１１乃至請求項２１のいずれか１項において、前記発光素子は発光ダイオードであることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
23. 請求項２２において、前記発光ダイオードはＦＰＣに接続されており、前記ＦＰＣを介して電流が供給されることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
24. 請求項１１乃至請求項２３のいずれか１項において、前記液晶として、ネマチック液晶、スメクチック液晶、強誘電性液晶、または前記液晶が高分子樹脂中に含有されたポリマー分散型液晶を用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。