JP2004239666A - 検出装置、信号遅延器、インバータ - Google Patents
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Abstract
【課題】被測定信号の値を、高い精度で検出する。
【解決手段】複数のストローブを生成することにより、複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を検出する検出装置であって、複数の被測定信号遅延部と、複数のタイミング信号遅延部と、複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を検出する値検出部と、電力を複数のタイミング信号遅延部のそれぞれに伝送するタイミング信号用電力線と、電力を複数の被測定信号遅延部のそれぞれに伝送し、かつ、それぞれの被測定信号遅延部と電力供給部との間におけるインピーダンスが、それぞれの被測定信号遅延部に対応するタイミング信号遅延部と、電力供給部との間における、タイミング信号用電力線のインピーダンスと略等しい被測定信号用電力線とを備える。
【選択図】 図5
【解決手段】複数のストローブを生成することにより、複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を検出する検出装置であって、複数の被測定信号遅延部と、複数のタイミング信号遅延部と、複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を検出する値検出部と、電力を複数のタイミング信号遅延部のそれぞれに伝送するタイミング信号用電力線と、電力を複数の被測定信号遅延部のそれぞれに伝送し、かつ、それぞれの被測定信号遅延部と電力供給部との間におけるインピーダンスが、それぞれの被測定信号遅延部に対応するタイミング信号遅延部と、電力供給部との間における、タイミング信号用電力線のインピーダンスと略等しい被測定信号用電力線とを備える。
【選択図】 図5
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、検出装置、信号遅延器、インバータに関する。特に本発明は、複数のストローブを生成することにより、複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を検出する検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、わずかずつ位相差が与えられた多相パルスで構成されたマルチストローブを用いて、被測定信号を測定することにより、電子デバイスの良否を判定する試験装置が知られている(例えば、特許文献1参照。)。従来の試験装置においては、複数の遅延素子を用いて、マルチストローブを生成していた。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−356153号公報(第6頁、第20図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の試験装置においては、例えば電源電位変動等により、それぞれの遅延素子における遅延時間が変動した場合に、マルチストローブの精度が低下するという問題があった。そのため、従来、マルチストローブを用いて、電子デバイスを適切に試験できない場合があった。
【0005】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる検出装置、信号遅延器、インバータを提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第1の形態によると、複数のストローブを生成することにより、複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を検出する検出装置であって、直列に複数個接続されており、被測定信号を初段に受け取り、かつ、それぞれが受け取る入力信号を、予め定められた被測定信号遅延時間それぞれ遅延させて出力する、複数の被測定信号遅延部と、それぞれが複数の被測定信号遅延部のそれぞれに対応して設けられ、直列に複数個接続されており、予め定められたタイミングで値が変化するタイミング信号を初段に受け取り、かつ、それぞれが受け取る入力信号を被測定信号遅延時間と異なる予め定められたタイミング遅延時間それぞれ遅延させて、複数のストローブのそれぞれとして出力することにより、複数のストローブを含むマルチストローブ信号を出力する、複数のタイミング信号遅延部と、複数の被測定信号遅延部のそれぞれが出力する信号の値を、それぞれの被測定信号遅延部に対応するタイミング信号遅延部が出力するストローブのタイミングに基づき検出することにより、複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を検出する値検出部と、複数のタイミング信号遅延部及び複数の被測定信号遅延部に電力を供給する電力供給部と、電力供給部が供給する電力を、複数のタイミング信号遅延部のそれぞれに伝送するタイミング信号用電力線と、電力供給部が供給する電力を、複数の被測定信号遅延部のそれぞれに伝送し、かつ、それぞれの被測定信号遅延部と電力供給部との間におけるインピーダンスが、それぞれの被測定信号遅延部に対応するタイミング信号遅延部と、電力供給部との間における、タイミング信号用電力線のインピーダンスと略等しい被測定信号用電力線と
を備える。
【0007】
また、被測定信号用電力線は、タイミング信号用電力線と略平行に設けられ、それぞれの被測定信号遅延部と、被測定信号用電力線との距離は、それぞれの被測定信号遅延部に対応するタイミング信号遅延部と、タイミング信号用電力線との距離と略等しくてよい。
【0008】
また、複数のタイミング信号遅延部は、対応する複数の被検出信号遅延部のそれぞれの間における間隔と、それぞれ略等しい距離を隔てて設けられてよい。
【0009】
また、それぞれのタイミング信号遅延部は、当該タイミング信号遅延部が受け取る入力信号に応じた電圧を出力するタイミング信号ドライバと、タイミング信号ドライバの出力と、予め定められた電位との間に設けられた、変更可能な静電容量を有するタイミング信号用可変コンデンサとを有し、それぞれの被測定信号遅延部は、対応するタイミング信号遅延部におけるタイミング信号ドライバと略同一の被測定信号ドライバと、被測定信号ドライバの出力と、予め定められた電位との間に設けられた、タイミング信号用可変コンデンサと略同一の被測定信号用可変コンデンサとを有してよい。
【0010】
また、タイミング信号ドライバは、直列に接続され、かつ、前段に入力信号を受け取る2個のインバータと前段のインバータの出力と、予め定められた電位との間に設けられた、タイミング信号用可変コンデンサと略同一の中間可変コンデンサとを含んでよい。
【0011】
本発明の第2の形態によると、被遅延信号を遅延させて出力する信号遅延器であって、直列に接続され、かつ、初段に被遅延信号を受け取る2個のインバータと、略等しい静電容量に設定され、かつ、2個のインバータのそれぞれの出力と、予め定められた電位との間にそれぞれ設けられた2個の可変コンデンサとを備える。2個のインバータは略同一であり、2個の可変コンデンサは略同一であってよい。
【0012】
また、可変コンデンサは、設定すべき静電容量を示す設定信号を受け取る設定端子と、対応するインバータの出力と電気的に接続されることにより、設定信号に示された静電容量を、当該インバータの出力と予め定められた電位との間に与える容量供給端子とを有し、2個の可変コンデンサのそれぞれの設定端子は、互いに電気的に接続されてよい。
【0013】
また、可変コンデンサは、設定信号、及び当該設定信号の反転信号の一方を、ソース端子及びドレイン端子に受け取り、ゲート端子が容量供給端子と電気的に接続された可変コンデンサ用NMOSトランジスタと、設定信号、及び当該設定信号の反転信号の他方を、ソース端子及びドレイン端子に受け取り、ゲート端子が容量供給端子と電気的に接続された可変コンデンサ用PMOSトランジスタとを有してよい。
【0014】
また、インバータは、ソース端子にHレベルに対応する電位を受け取るインバータ用PMOSトランジスタと、それぞれが、インバータ用PMOSトランジスタと略等しいサイズを有し、かつ、インバータ用PMOSトランジスタのドレイン端子と、Lレベルに対応する電位との間に直列に接続された2個のインバータ用NMOSトランジスタとを有してよい。
【0015】
また、インバータ用PMOSトランジスタと、2個のインバータ用NMOSトランジスタの一方とは、ゲート端子にインバータが受け取る入力信号を受け取り、2個のインバータ用NMOSトランジスタの他方は、ゲート端子に、Hレベルに対応する電位を受け取ってよい。
【0016】
本発明の第3の形態によると、入力信号を反転するインバータであって、ソース端子にHレベルに対応する電位を受け取るPMOSトランジスタと、それぞれが、PMOSトランジスタと略等しいサイズを有し、かつ、PMOSトランジスタのドレイン端子と、Lレベルに対応する電位との間に直列に接続された2個のNMOSトランジスタとを備える。
【0017】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【0019】
図1は、本発明の一実施形態に係る試験装置100の構成の一例を示す。試験装置100は、試験対象である電子デバイス200の出力信号に基づき、電子デバイス200の良否を判定する。また、本例の試験装置100は、電子デバイス200の出力信号の値が変化するタイミングを、高い精度で検出する。
【0020】
試験装置100は、パターン発生部10、波形整形部20、信号入出力部30、判定部40、及びテスタ制御部150を備える。パターン発生部10は、テスタ制御部150から受け取る指示に基づき、電子デバイス200に与えるべき試験パターンを生成する。また、パターン発生部10は、電子デバイス200の出力信号の期待値を判定部40に与える。
【0021】
波形整形部20は、パターン発生部10が生成した試験パターンを整形することにより、電子デバイス200に与えるべき試験信号を生成して信号入出力部30に供給する。また、波形整形部20は、予め定められたタイミングで値が変化するストローブであるタイミング信号STRBH、STRBLを、判定部40に供給する。
【0022】
信号入出力部30は、ドライバ90、レベルコンパレータ70、及びレベルコンパレータ80を有する。ドライバ90は、波形整形部20が生成した試験信号を電子デバイス200に与える。
【0023】
レベルコンパレータ70は、電子デバイス200の出力信号の値を予め設定された比較Hレベル電位ViHと比較した結果に基づき、信号SHを出力する。レベルコンパレータ70は、信号SHとして、当該出力信号が比較Hレベル電位より大きい場合にはHレベルの信号を出力し、当該出力信号が比較Hレベル電位より小さい場合にはLレベルの信号を出力する。
【0024】
また、レベルコンパレータ80は、電子デバイス200の出力信号の値を予め設定された比較Lレベル電位ViLと比較した結果に基づき、信号SLを出力する。レベルコンパレータ80は、信号SLとして、当該出力信号が比較Lレベル電位より大きい場合にはHレベルの信号を出力し、当該出力信号が比較Lレベル電位より小さい場合にはLレベルの信号を出力する。レベルコンパレータ80は、比較Lレベル電位として、比較Hレベル電位以下の電位を受け取ってよい。
【0025】
これにより、信号入出力部30は、電子デバイス200に対して試験信号を与え、電子デバイス200の出力信号に基づく信号SH、SLを、判定部40が判定すべき被測定信号SH、SLとして、判定部40に与える。尚、信号入出力部30は、例えば、電子デバイス200の近傍に設けられたテストヘッド内に設けられる。また、電子デバイス200が半導体ウェハ上に形成されている場合、信号入出力部30はプローブカード上に設けられてもよい。
【0026】
判定部40は、マルチストローブ処理部50及び論理比較部60を有する。マルチストローブ処理部50は、タイミング信号STRBH、STRBLに基づくタイミングで、被測定信号SH、SLの値を検出することにより、電子デバイス200の出力信号の値を検出した結果を、取得データSDH0〜16、SDL0〜16として論理比較部60に与える。尚、本例において、マルチストローブ処理部50は、可変コンデンサ(図示せず)を有し、可変コンデンサに設定すべき静電容量を示す設定信号をテスタ制御部150から受け取る。
【0027】
論理比較部60は、取得データSDH0〜16、SDL0〜16の値を、パターン発生部10から受け取る期待値と比較することにより、電子デバイス200の良否を判定し、判定結果をテスタ制御部150に与える。
【0028】
テスタ制御部150は、例えばワークステーションであり、パターン発生部10、波形整形部20、信号入出力部30、及び判定部40を制御する。テスタ制御部150は、例えば、電子デバイス200に与えるべき試験信号に対応する試験パターンをパターン発生部10に生成させる。また、テスタ制御部150は、判定部40から受け取った判定結果を、試験結果として表示する。本例によれば、電子デバイス200を適切に試験することができる。
【0029】
図2は、マルチストローブ処理部50の構成の一例を示す。本例において、マルチストローブ処理部50は、SH信号処理部52及びSL信号処理部54を含む。SH信号処理部52は、複数の被測定信号遅延部306−0〜17、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17、及び値検出部304を有する。
【0030】
複数の被測定信号遅延部306−0〜17は、直列に複数個接続されており、被測定信号SHを初段に受け取る。また、複数の被測定信号遅延部306−0〜17は、それぞれが受け取る入力信号を、予め定められた被測定信号遅延時間(TpdA)それぞれ遅延させて出力する。
【0031】
本例において、複数の被測定信号遅延部306−0〜17は、それぞれ略同一のタイミング遅延時間(TpdA)、入力信号を遅延させる。これにより、被測定信号遅延部306−k(kは、0≦k≦16を満たす整数、0、1、2、・・・、16のいずれかである)は、被測定信号SHを、時間k×TpdA遅延させた遅延信号SHkを出力する。
【0032】
複数のタイミング信号遅延部302−0〜17は、それぞれが複数の被測定信号遅延部306−0〜17のそれぞれに対応して設けられる。また、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17は、直列に接続されており、タイミング信号STRBHを初段に受け取る。そして、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17は、それぞれが受け取る入力信号を、被測定信号遅延時間(TpdA)と異なる予め定められたタイミング遅延時間、それぞれ遅延させて出力する。
【0033】
ここで、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17は、それぞれ同一のタイミング信号遅延時間、入力信号を遅延させてもよく、それぞれ異なるタイミング信号遅延時間、入力信号を遅延させてもよい。本例において、タイミング信号遅延部302−kは、タイミング信号遅延時間(Tpdk=TpdA+αk)、入力信号を遅延させることにより、ストローブSTRBHkをそれぞれ出力する。
【0034】
これにより、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17は、複数のストローブSTRBH0〜16を含むマルチストローブ信号を出力する。尚、本例において、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17のそれぞれは、テスタ制御部150から受け取る設定信号が示す設定値に基づき、タイミング信号遅延時間をそれぞれ設定する。
【0035】
値検出部304は、複数のタイミング信号遅延部302−0〜16に、それぞれ対応して設けられた複数のタイミングコンパレータ310−0〜16を含む。タイミングコンパレータ310−kは、対応するタイミング信号遅延部302−k、被測定信号遅延部306−kのそれぞれから、ストローブSTRBHk及び遅延信号SHkを受け取り、ストローブSTRBHkの立ち上がりエッジに応じて、遅延信号SHkの値を検出して、取得データSHDkとして出力する。
【0036】
これにより、値検出部304は、複数の被測定信号遅延部306−0〜16のそれぞれが出力する遅延信号SH0〜16の値を、それぞれの被測定信号遅延部306kに対応するタイミング信号遅延部302kが出力するストローブSTRBHkのタイミングに基づき検出する。これにより、値検出部304は、複数のストローブSTRBH0〜16のそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号SHの値を検出して、複数の取得データSHD0〜16として論理比較部60に与える。本例によれば、複数のストローブを生成することにより、複数のストローブSTRBH0〜16のそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号SHの値を検出することができる。
【0037】
ここで、本例において、初段及び最終段のタイミング信号遅延部302−0、17は、複数のストローブSTRBH0〜16の出力条件を同一にするために設けられている。また、初段及び最終段の被測定信号遅延部306−0、17は、複数の遅延信号SH0〜16の出力条件を同一にするために設けられている。これにより、それぞれのタイミングコンパレータ310−kは、他のタイミングコンパレータ310と略等しい波形条件で、ストローブSTRBHk及び遅延信号SHkを受け取ることができる。
【0038】
そのため、本例によれば、複数のストローブSTRBH0〜16及び複数の遅延信号SH0〜16に生じる誤差を低減することができる。また、これにより、複数のストローブSTRBH0〜16のそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号SHの値を、更に高い精度で検出することができる。
【0039】
尚、SL信号処理部54は、タイミング信号STRBH及び被測定信号SHに代えてタイミング信号STRBL及び被測定信号SLを受け取り、取得データSDH0〜SDH16に代えて、SDL0〜SDL16を出力する。これ以外の点において、SL信号処理部54は、SH信号処理部52と同一又は同様の機能を有するため説明を省略する。
【0040】
図3及び図4は、SH信号処理部52の動作の一例を説明する図である。本例において、複数の被測定信号遅延部306−0〜16は、図3に示すように、被測定信号SHを、被測定信号遅延時間(TpdA)ずつ、順次遅延させることにより、複数の遅延信号SH0〜SH16を出力する。また、複数のタイミング信号遅延部302−0〜16は、タイミング信号を、複数のタイミング信号遅延時間(Tpd0〜Tpd16)のそれぞれずつ、順次遅延させることにより、複数のストローブSTRBH0〜16を出力する。尚、図3は、遅延信号SH1〜SH16、及びストローブSTRBH1〜16の変化のタイミングを、遅延信号SH0及びストローブSTRBH0に変化のタイミングを基準として示す。
【0041】
また、値検出部304は、複数のストローブSTRBH0〜16のそれぞれに対応するタイミングにおいて、複数の遅延信号SH0〜SH16のそれぞれの値を検出して、複数の取得データSDH0〜SDH16のそれぞれとして出力する。この場合、値検出部304は、図4に示すように、タイミング信号遅延時間(Tpdk)と、被測定信号遅延時間(TpdA)との差分αkに基づき、被測定信号SHにおける、それぞれ異なる位相に対応する値を、複数の取得データSDH0〜SDH16として出力する。
【0042】
図5は、SH信号処理部52の詳細な構成の一例を示す。尚、図5は、SH信号処理部52のうち、値検出部304及び、値検出部304に接続された配線を省略して、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17、及び複数の被測定信号遅延部306−0〜17の構成を詳細に示す。
【0043】
本例において、SH信号処理部52は、一の半導体チップ上にモノリシックに形成されており、電源電位VDDを伝送する主電源配線502、副電源配線504、及び副電源配線506と、接地電位VSSを伝送する主接地配線508、副接地配線510、及び副接地配線512とを有する。
【0044】
主電源配線502及び主接地配線508のそれぞれは、半導体チップ上に形成された金属配線であって、その半導体チップに設けられたVDD電源端子(図示せず)及びVSS電源端子(図示せず)のそれぞれと電気的に接続される。主電源配線502及び主接地配線508は、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17、及び複数の被測定信号遅延部306−0〜17に電力を供給する電力供給部の一例である。
【0045】
また、副電源配線504及び副接地配線510のそれぞれは、主電源配線502及び主接地配線508のそれぞれと電気的に接続された、半導体チップ上の金属配線であり、主電源配線502及び主接地配線508のそれぞれが供給する電力を、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17のそれぞれに伝送するタイミング信号用電力線の一例である。
【0046】
副電源配線506及び副接地配線512のそれぞれは、主電源配線502及び主接地配線508のそれぞれと電気的に接続された、半導体チップ上の金属配線であり、主電源配線502及び主接地配線508のそれぞれが供給する電力を、被測定信号遅延部306−0〜17のそれぞれに伝送する被測定信号用電力線の一例である。
【0047】
本例において、副電源配線506及び副接地配線512のそれぞれは、副電源配線504及び副接地配線510のそれぞれと略平行に設けられており、それぞれの被測定信号遅延部306と、副電源配線506との距離は、それぞれの被測定信号遅延部306に対応するタイミング信号遅延部302と、副電源配線504との距離と略等しい。また、それぞれの被測定信号遅延部306と、副接地配線512との距離は、それぞれの被測定信号遅延部306に対応するタイミング信号遅延部302と、副接地配線510との距離と略等しい。
【0048】
また、副電源配線504、副電源配線506、副接地配線510、及び副接地配線512は、それぞれ略同一の配線幅を有しており、複数のタイミング信号遅延部306は、対応する複数の被検出信号遅延部302のそれぞれの間における間隔と、それぞれ略等しい距離を隔てて設けられる。
【0049】
そのため、本例において、それぞれの被測定信号遅延部306と主電源配線502との間における、副電源配線506のインピーダンスは、それぞれの被測定信号遅延部306に対応するタイミング信号遅延部302と、主電源配線502との間における、副電源配線504のインピーダンスと略等しい。また、この被測定信号遅延部306と主接地配線508との間における、副接地配線512のインピーダンスは、この信号遅延部302と、主接地配線508との間における、副接地配線510のインピーダンスと略等しい。
【0050】
そのため、本例によれば、それぞれの被測定信号遅延部306が、対応するそれぞれのタイミング信号遅延部302と、略同一の電源電圧条件の下で動作する。これにより、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17、及び複数の被測定信号遅延部306−0〜17は、高い精度で、複数のストローブSTRBH0〜16、及び遅延信号SH0〜16を生成することができる。
【0051】
尚、それぞれのタイミング信号遅延部302と、副接地配線510との距離は、それぞれのタイミング信号遅延部302と、副電源配線504との距離と略等しいのが好ましい。この場合、タイミング信号遅延部302の出力信号における立ち上がり変化と立ち下がり変化との間におけるスルーレートの差を低減することができる。
【0052】
ここで、それぞれのタイミング信号遅延部302及び被測定信号遅延部306について、更に詳しく説明する。本例において、それぞれのタイミング信号遅延部302は、ドライバ418及び可変コンデンサ408を有し、被遅延信号である入力信号を遅延させて出力する。それぞれのタイミング信号遅延部302は、それぞれ略同一なドライバ418と、それぞれ略同一な可変コンデンサ408とを有してよい。
【0053】
ドライバ418は、直列に接続された2個のインバータ402、404、及び可変コンデンサ406を含み、前段のインバータ402に、タイミング信号遅延部302の入力信号を受け取る。インバータ402は、受け取った入力信号を、反転して後段のインバータ404に与える。インバータ404は、インバータ402の出力を更に反転して、タイミング信号遅延部302の出力信号として出力する。
【0054】
これにより、ドライバ418は、タイミング信号遅延部302が受け取る入力信号に応じた電圧を出力する。尚、本例において、インバータ404は、インバータ402と略同一である。また、可変コンデンサ406は、可変コンデンサ408と略同一であり、インバータ402の出力と、接地電位との間に設けられる。
【0055】
可変コンデンサ408は、ドライバ418の出力と、接地電位との間に設けられており、変更可能な静電容量を有する。すなわち、本例において、2個の可変コンデンサ406、408は、2個のインバータ402、404のそれぞれの出力と、接地電位との間にそれぞれ設けられる。
【0056】
ここで、2個の可変コンデンサ406、408のそれぞれは、設定端子及び容量供給端子を含み、テスタ制御部150が出力する設定信号S0〜S4を、設定端子に受け取る。また、2個の可変コンデンサ406、408のそれぞれの容量供給端子は、2個のインバータ402、404のそれぞれにおける出力と電気的に接続されることにより、設定信号S0〜S4に示された静電容量を、当該出力と接地電位との間に与える。
【0057】
また、2個の可変コンデンサ406、408のそれぞれの設定端子は、互いに電気的に接続される。これにより、2個の可変コンデンサ406、408は、略等しい静電容量に設定される。
【0058】
尚、本例において、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17にそれぞれ含まれる複数の可変コンデンサ406−0〜17のそれぞれは、それぞれ独立な設定信号S0〜S4を受け取る。この場合、それぞれの可変コンデンサ406及び可変コンデンサ408の静電容量を、対応する被測定信号遅延部306における遅延時間に応じて、適切に設定することができる。
【0059】
本例において、略同一なインバータ402及びインバータ404のそれぞれは、略同一な静電容量に設定された可変コンデンサ406及び可変コンデンサ408に対して出力を与える。この場合、同一の入出力条件の下で動作する複数のインバータによりマルチストローブを生成するため、タイミング信号STRBHが複数のタイミング信号遅延部302を順次通過することによる波形変化が低減され、高い精度のマルチストローブを生成することができる。この場合、それぞれのタイミングコンパレータ310−k(図3参照)は、他のタイミングコンパレータ310が受け取るのと略等しい波形のストローブSTRBHkを受け取る。
【0060】
また、それぞれの被測定信号遅延部306は、可変コンデンサ416及びドライバ420を有する。可変コンデンサ416は、可変コンデンサ408と略同一であり、ドライバ420の出力と、接地電位との間に設けられる。ドライバ420は、対応するタイミング信号遅延部302におけるドライバ418と略同一であり、インバータ410、インバータ412、及び可変コンデンサ414を含む。インバータ410、インバータ412、及び可変コンデンサ414のそれぞれは、インバータ402、インバータ404、及び可変コンデンサ406のそれぞれと略同一である。この場合、それぞれのタイミングコンパレータ310−kは、例えば、他のタイミングコンパレータ310が受け取るのと略等しい波形の遅延信号SHkを受け取る。複数のタイミングコンパレータ310−0〜16は、例えば、それぞれ略等しいパルス幅、及びデューティー比を有する遅延信号SH0〜16を、それぞれ受け取る。
【0061】
また、本例において、それぞれの被測定信号遅延部306は、対応するタイミング信号遅延部302と略同一である。そのため、本例よれば、複数の遅延信号SH0〜16を高い精度で生成することができる。また、複数のストローブSTRBH0〜16と、複数の遅延信号SH0〜16とに与えられた遅延時間に対し、タイミング信号遅延部302と被測定信号遅延部306との特性の差により生じる誤差を低減することができる。
【0062】
尚、本例において、可変コンデンサ414、416の設定端子はそれぞれ接地されており、これにより、可変コンデンサ414、416の静電容量は、それぞれ最小値に設定されている。そのため、それぞれの被測定信号遅延部306は、対応するタイミング信号遅延部302より小さな遅延時間、入力信号を遅延させて出力する。
【0063】
図6は、タイミング信号遅延部302−k、及び被測定信号遅延部306−kの動作の一例を説明する図である。図6において、実線は、電源電位がVDDである場合の遅延信号SHk及びストローブSTRBHkの波形を、点線は、電源電位がVDDからdV低下した場合の両波形を示す。
【0064】
本例において、電源電位がVDDである場合、タイミング信号遅延部302−kは、遅延信号SHkの立ち上がりから、時間Tx遅れて立ち上がるストローブSTRBHkを出力する。尚、時間Txは、遅延信号SHkの値が、インバータ402の閾値Vthに達してから、ストローブSTRBHkの値が、インバータ410の閾値Vthに達するまでの時間である。
【0065】
一方、電源電位がVDDからdV低下した場合は、遅延信号SHk及びストローブSTRBHkの立ち上がりの速度はそれぞれ低下し、タイミング信号遅延部302−kは、遅延信号SHkの立ち上がりから、時間Tx’遅れて立ち上がるストローブSTRBHkを出力する。
【0066】
ここで、図5を用いて説明したように、本例のタイミング信号遅延部302及び被測定信号遅延部306は、略同一の電源電圧条件の下で動作する。そのため、電源電位が低下した場合における、遅延信号SHk及びストローブSTRBHkの立ち上がり速度の低下は同程度である。この場合、時間Tx’は時間Txと略等しい。
【0067】
そのため、本例によれば、電源電位が変動した場合であっても、タイミング信号遅延部302−kは、遅延信号SHkに対して、高い精度で規定されたタイミングで、ストローブSTRBHkを出力することができる。本例によれば、複数のストローブSTRBH0〜16のそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号SHの値を、高い精度で検出することができる。
【0068】
図7は、インバータ402の構成の一例を示す。インバータ402は、副電源配線504からHレベルに対応する電源電位(VDD)を受け取り、副接地配線510からLレベルに対応する接地電位(VSS)を受け取る。また、インバータ402は、それぞれ略等しいサイズを有する、2個のPMOSトランジスタ602、604、及び2個のNMOSトランジスタ606、608を有する。
【0069】
尚、2個のPMOSトランジスタ602、604、及び2個のNMOSトランジスタ606、608は、例えば、ゲートアレイにおけるNANDセルに含まれるトランジスタであってよく、それぞれ、略等しいチャネル幅及びチャネル長を有する。
【0070】
2個のPMOSトランジスタ602、604は、並列に接続されており、ソース端子にHレベルに対応する電位を、副電源配線504から受け取る。2個のNMOSトランジスタ606、608は、PMOSトランジスタ602のドレイン端子と、副接地配線510から受け取るLレベルに対応する電位との間に、直列に接続される。尚、本例において、NMOSトランジスタ608は、NMOSトランジスタ606の下流に接続されており、インバータ402は、PMOSトランジスタ602のドレイン端子の電位を入力信号の反転信号として、このインバータ402と同じドライバ418に含まれているインバータ404に出力する。
【0071】
尚、本例において、PMOSトランジスタ602及びNMOSトランジスタ606は、ゲート端子に、インバータ402が受け取る入力信号を受け取る。また、PMOSトランジスタ604及びNMOSトランジスタ608は、ゲート端子に、Hレベルに対応する電位を受け取る。この場合、インバータ402の入力信号の値によらず、PMOSトランジスタ604はオフになり、NMOSトランジスタ608はオンになる。
【0072】
そのため、インバータ402の入力信号がHレベルである場合、インバータ402の出力端は、直列に接続された2個のNMOSトランジスタ606、608を介して接地される。一方、インバータ402の入力信号がLレベルである場合、インバータ402の出力端は、インバータ402を介して電源電位(VDD)と電気的に接続される。
【0073】
ここで、NMOSトランジスタ606、608のチャネル電流における電荷のキャリアは電子であり、PMOSトランジスタ602のチャネル電流における電荷のキャリアはホールである。また、電子は、ホールよりも高い移動度を有する。本例において、インバータ402は、シリコンで形成されたCMOS半導体チップ上に形成されており、電子は、ホールの略2倍の移動度を有する。
【0074】
そのため、インバータ402の出力端を、1個のNMOSトランジスタ606を介して接地するとすれば、インバータ402の閾値は、電源電位(VDD)の半値よりも小さくなり、インバータ402は、入力信号を、精度よく反転することはできないこととなる。
【0075】
しかし、本例においては、インバータ402の出力端は、1個のPMOSトランジスタ602と、2個のNMOSトランジスタ606、608とにより、それぞれ電源電位(VDD)と、接地電位(VSS)とに電気的に接続されている。この場合、インバータ402における立ち上がりのスルーレートと立ち下がりのスルーレートとは略等しくなり、インバータ404の閾値は、電源電位(VDD)の半値と略等しくなる。そのため、本例によれば、インバータ404は、入力信号を、精度よく反転することができる。
【0076】
尚、本例において、インバータ404(図5参照)、インバータ410(図5参照)、及びインバータ412(図5参照)は、それぞれインバータ402と同一又は同様の構成を有する。そのため、ドライバ418(図5参照)及びドライバ420(図5参照)は、それぞれ、電源電位(VDD)の半値と略等しい閾値に基づき、入力信号に基づく信号を出力する。この場合、ドライバ418及びドライバ420は、入力信号に対して高い精度で忠実な出力信号を出力するため、タイミング信号遅延部302(図5参照)及び被測定信号遅延部306(図5参照)は、高い精度で入力信号を遅延させることができる。
【0077】
図8は、可変コンデンサ406の構成の一例を示す。本例において、可変コンデンサ406は、複数の設定端子708−0〜4、複数のゲート容量変更部700−0〜4、及び容量供給端子710を有する。
【0078】
複数の設定端子708−0〜4のそれぞれは、設定信号S0〜S4のそれぞれを受け取る端子である。複数のゲート容量変更部700−0〜4は、複数の設定端子708−0〜4に、それぞれ対応して設けられており、対応する設定端子708を介して、対応する設定信号を受け取る。
【0079】
本例において、それぞれのゲート容量変更部700は、インバータ706、NMOSトランジスタ702、及びPMOSトランジスタ704を含む。インバータ706は、対応する設定端子708が受け取る設定信号を反転する。
【0080】
NMOSトランジスタ702は、設定信号の反転信号を、インバータ706から、ソース端子及びドレイン端子に受け取る。また、NMOSトランジスタ702のゲート端子は、容量供給端子710と電気的に接続される。PMOSトランジスタ704は、設定信号を、設定端子708から、ソース端子及びドレイン端子に受け取る。また、PMOSトランジスタ704のゲート端子は、容量供給端子710と電気的に接続される。
【0081】
ここで、本例において、NMOSトランジスタ702のゲート容量は、ソース端子及びドレイン端子が受け取る信号がLレベルの場合に、当該信号がHレベルの場合のゲート容量より大きい。また、PMOSトランジスタ704のゲート容量は、ソース端子及びドレイン端子が受け取る信号がHレベルの場合に、当該信号がHレベルの場合のゲート容量より大きい。
【0082】
そのため、NMOSトランジスタ702及びPMOSトランジスタ704は、設定端子708が受け取る設定信号の値に応じてゲート容量を変化させる。NMOSトランジスタ702及びPMOSトランジスタ704は、設定信号がLレベルの信号である場合、ゲート容量を小さな値に変化させ、設定信号がHレベルの信号である場合、ゲート容量を大きな値に変化させる。
【0083】
これにより、複数のゲート容量変更部700−0〜4は、可変コンデンサ406の静電容量を変化させる。そのため、本例によれば、可変コンデンサ406は、設定信号S0〜4に応じて、適切に静電容量を変化させることができる。
【0084】
尚、他の例において、NMOSトランジスタ702及びPMOSトランジスタ704のそれぞれは、それぞれにおけるソース端子及びドレイン端子の一方に、設定信号の反転信号、及び設定信号のそれぞれを受け取ってもよい。また、NMOSトランジスタ702及びPMOSトランジスタ704のそれぞれは、それぞれにおけるソース端子及びドレイン端子に、設定信号、及び設定信号の反転信号のそれぞれを受け取ってもよい。
【0085】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【0086】
上記説明から明らかなように、本発明によれば、複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を、高い精度で検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る試験装置100の構成の一例を示す図である。
【図2】マルチストローブ処理部50の構成の一例を示す図である。
【図3】SH信号処理部52の動作の一例を説明する図である。
【図4】SH信号処理部52の動作の一例を説明する図である。
【図5】SH信号処理部52の詳細な構成の一例を示す図である。
【図6】タイミング信号遅延部302−k、及び被測定信号遅延部306−kの動作の一例を説明する図である。
【図7】インバータ402の構成の一例を示す図である。
【図8】可変コンデンサ406の構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
10・・・パターン発生部、20・・・波形整形部、30・・・信号入出力部、40・・・判定部、50・・・マルチストローブ処理部、52・・・SH信号処理部、54・・・SL信号処理部、60・・・論理比較部、70・・・レベルコンパレータ、80・・・レベルコンパレータ、90・・・ドライバ、100・・・試験装置、150・・・テスタ制御部、200・・・電子デバイス、302・・・タイミング信号遅延部、304・・・値検出部、306・・・被測定信号遅延部、310・・・タイミングコンパレータ、402・・・インバータ、404・・・インバータ、406・・・可変コンデンサ、408・・・可変コンデンサ、410・・・インバータ、412・・・インバータ、414・・・可変コンデンサ、416・・・可変コンデンサ、418・・・ドライバ、420・・・ドライバ、502・・・主電源配線、504・・・副電源配線、506・・・副電源配線、508・・・主接地配線、510・・・副接地配線、512・・・副接地配線、602・・・PMOSトランジスタ、604・・・PMOSトランジスタ、606・・・NMOSトランジスタ、608・・・NMOSトランジスタ、700・・・ゲート容量変更部、702・・・NMOSトランジスタ、704・・・PMOSトランジスタ、706・・・インバータ、708・・・設定端子、710・・・容量供給端子
【発明の属する技術分野】
本発明は、検出装置、信号遅延器、インバータに関する。特に本発明は、複数のストローブを生成することにより、複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を検出する検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、わずかずつ位相差が与えられた多相パルスで構成されたマルチストローブを用いて、被測定信号を測定することにより、電子デバイスの良否を判定する試験装置が知られている(例えば、特許文献1参照。)。従来の試験装置においては、複数の遅延素子を用いて、マルチストローブを生成していた。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−356153号公報(第6頁、第20図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の試験装置においては、例えば電源電位変動等により、それぞれの遅延素子における遅延時間が変動した場合に、マルチストローブの精度が低下するという問題があった。そのため、従来、マルチストローブを用いて、電子デバイスを適切に試験できない場合があった。
【0005】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる検出装置、信号遅延器、インバータを提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第1の形態によると、複数のストローブを生成することにより、複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を検出する検出装置であって、直列に複数個接続されており、被測定信号を初段に受け取り、かつ、それぞれが受け取る入力信号を、予め定められた被測定信号遅延時間それぞれ遅延させて出力する、複数の被測定信号遅延部と、それぞれが複数の被測定信号遅延部のそれぞれに対応して設けられ、直列に複数個接続されており、予め定められたタイミングで値が変化するタイミング信号を初段に受け取り、かつ、それぞれが受け取る入力信号を被測定信号遅延時間と異なる予め定められたタイミング遅延時間それぞれ遅延させて、複数のストローブのそれぞれとして出力することにより、複数のストローブを含むマルチストローブ信号を出力する、複数のタイミング信号遅延部と、複数の被測定信号遅延部のそれぞれが出力する信号の値を、それぞれの被測定信号遅延部に対応するタイミング信号遅延部が出力するストローブのタイミングに基づき検出することにより、複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を検出する値検出部と、複数のタイミング信号遅延部及び複数の被測定信号遅延部に電力を供給する電力供給部と、電力供給部が供給する電力を、複数のタイミング信号遅延部のそれぞれに伝送するタイミング信号用電力線と、電力供給部が供給する電力を、複数の被測定信号遅延部のそれぞれに伝送し、かつ、それぞれの被測定信号遅延部と電力供給部との間におけるインピーダンスが、それぞれの被測定信号遅延部に対応するタイミング信号遅延部と、電力供給部との間における、タイミング信号用電力線のインピーダンスと略等しい被測定信号用電力線と
を備える。
【0007】
また、被測定信号用電力線は、タイミング信号用電力線と略平行に設けられ、それぞれの被測定信号遅延部と、被測定信号用電力線との距離は、それぞれの被測定信号遅延部に対応するタイミング信号遅延部と、タイミング信号用電力線との距離と略等しくてよい。
【0008】
また、複数のタイミング信号遅延部は、対応する複数の被検出信号遅延部のそれぞれの間における間隔と、それぞれ略等しい距離を隔てて設けられてよい。
【0009】
また、それぞれのタイミング信号遅延部は、当該タイミング信号遅延部が受け取る入力信号に応じた電圧を出力するタイミング信号ドライバと、タイミング信号ドライバの出力と、予め定められた電位との間に設けられた、変更可能な静電容量を有するタイミング信号用可変コンデンサとを有し、それぞれの被測定信号遅延部は、対応するタイミング信号遅延部におけるタイミング信号ドライバと略同一の被測定信号ドライバと、被測定信号ドライバの出力と、予め定められた電位との間に設けられた、タイミング信号用可変コンデンサと略同一の被測定信号用可変コンデンサとを有してよい。
【0010】
また、タイミング信号ドライバは、直列に接続され、かつ、前段に入力信号を受け取る2個のインバータと前段のインバータの出力と、予め定められた電位との間に設けられた、タイミング信号用可変コンデンサと略同一の中間可変コンデンサとを含んでよい。
【0011】
本発明の第2の形態によると、被遅延信号を遅延させて出力する信号遅延器であって、直列に接続され、かつ、初段に被遅延信号を受け取る2個のインバータと、略等しい静電容量に設定され、かつ、2個のインバータのそれぞれの出力と、予め定められた電位との間にそれぞれ設けられた2個の可変コンデンサとを備える。2個のインバータは略同一であり、2個の可変コンデンサは略同一であってよい。
【0012】
また、可変コンデンサは、設定すべき静電容量を示す設定信号を受け取る設定端子と、対応するインバータの出力と電気的に接続されることにより、設定信号に示された静電容量を、当該インバータの出力と予め定められた電位との間に与える容量供給端子とを有し、2個の可変コンデンサのそれぞれの設定端子は、互いに電気的に接続されてよい。
【0013】
また、可変コンデンサは、設定信号、及び当該設定信号の反転信号の一方を、ソース端子及びドレイン端子に受け取り、ゲート端子が容量供給端子と電気的に接続された可変コンデンサ用NMOSトランジスタと、設定信号、及び当該設定信号の反転信号の他方を、ソース端子及びドレイン端子に受け取り、ゲート端子が容量供給端子と電気的に接続された可変コンデンサ用PMOSトランジスタとを有してよい。
【0014】
また、インバータは、ソース端子にHレベルに対応する電位を受け取るインバータ用PMOSトランジスタと、それぞれが、インバータ用PMOSトランジスタと略等しいサイズを有し、かつ、インバータ用PMOSトランジスタのドレイン端子と、Lレベルに対応する電位との間に直列に接続された2個のインバータ用NMOSトランジスタとを有してよい。
【0015】
また、インバータ用PMOSトランジスタと、2個のインバータ用NMOSトランジスタの一方とは、ゲート端子にインバータが受け取る入力信号を受け取り、2個のインバータ用NMOSトランジスタの他方は、ゲート端子に、Hレベルに対応する電位を受け取ってよい。
【0016】
本発明の第3の形態によると、入力信号を反転するインバータであって、ソース端子にHレベルに対応する電位を受け取るPMOSトランジスタと、それぞれが、PMOSトランジスタと略等しいサイズを有し、かつ、PMOSトランジスタのドレイン端子と、Lレベルに対応する電位との間に直列に接続された2個のNMOSトランジスタとを備える。
【0017】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【0019】
図1は、本発明の一実施形態に係る試験装置100の構成の一例を示す。試験装置100は、試験対象である電子デバイス200の出力信号に基づき、電子デバイス200の良否を判定する。また、本例の試験装置100は、電子デバイス200の出力信号の値が変化するタイミングを、高い精度で検出する。
【0020】
試験装置100は、パターン発生部10、波形整形部20、信号入出力部30、判定部40、及びテスタ制御部150を備える。パターン発生部10は、テスタ制御部150から受け取る指示に基づき、電子デバイス200に与えるべき試験パターンを生成する。また、パターン発生部10は、電子デバイス200の出力信号の期待値を判定部40に与える。
【0021】
波形整形部20は、パターン発生部10が生成した試験パターンを整形することにより、電子デバイス200に与えるべき試験信号を生成して信号入出力部30に供給する。また、波形整形部20は、予め定められたタイミングで値が変化するストローブであるタイミング信号STRBH、STRBLを、判定部40に供給する。
【0022】
信号入出力部30は、ドライバ90、レベルコンパレータ70、及びレベルコンパレータ80を有する。ドライバ90は、波形整形部20が生成した試験信号を電子デバイス200に与える。
【0023】
レベルコンパレータ70は、電子デバイス200の出力信号の値を予め設定された比較Hレベル電位ViHと比較した結果に基づき、信号SHを出力する。レベルコンパレータ70は、信号SHとして、当該出力信号が比較Hレベル電位より大きい場合にはHレベルの信号を出力し、当該出力信号が比較Hレベル電位より小さい場合にはLレベルの信号を出力する。
【0024】
また、レベルコンパレータ80は、電子デバイス200の出力信号の値を予め設定された比較Lレベル電位ViLと比較した結果に基づき、信号SLを出力する。レベルコンパレータ80は、信号SLとして、当該出力信号が比較Lレベル電位より大きい場合にはHレベルの信号を出力し、当該出力信号が比較Lレベル電位より小さい場合にはLレベルの信号を出力する。レベルコンパレータ80は、比較Lレベル電位として、比較Hレベル電位以下の電位を受け取ってよい。
【0025】
これにより、信号入出力部30は、電子デバイス200に対して試験信号を与え、電子デバイス200の出力信号に基づく信号SH、SLを、判定部40が判定すべき被測定信号SH、SLとして、判定部40に与える。尚、信号入出力部30は、例えば、電子デバイス200の近傍に設けられたテストヘッド内に設けられる。また、電子デバイス200が半導体ウェハ上に形成されている場合、信号入出力部30はプローブカード上に設けられてもよい。
【0026】
判定部40は、マルチストローブ処理部50及び論理比較部60を有する。マルチストローブ処理部50は、タイミング信号STRBH、STRBLに基づくタイミングで、被測定信号SH、SLの値を検出することにより、電子デバイス200の出力信号の値を検出した結果を、取得データSDH0〜16、SDL0〜16として論理比較部60に与える。尚、本例において、マルチストローブ処理部50は、可変コンデンサ(図示せず)を有し、可変コンデンサに設定すべき静電容量を示す設定信号をテスタ制御部150から受け取る。
【0027】
論理比較部60は、取得データSDH0〜16、SDL0〜16の値を、パターン発生部10から受け取る期待値と比較することにより、電子デバイス200の良否を判定し、判定結果をテスタ制御部150に与える。
【0028】
テスタ制御部150は、例えばワークステーションであり、パターン発生部10、波形整形部20、信号入出力部30、及び判定部40を制御する。テスタ制御部150は、例えば、電子デバイス200に与えるべき試験信号に対応する試験パターンをパターン発生部10に生成させる。また、テスタ制御部150は、判定部40から受け取った判定結果を、試験結果として表示する。本例によれば、電子デバイス200を適切に試験することができる。
【0029】
図2は、マルチストローブ処理部50の構成の一例を示す。本例において、マルチストローブ処理部50は、SH信号処理部52及びSL信号処理部54を含む。SH信号処理部52は、複数の被測定信号遅延部306−0〜17、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17、及び値検出部304を有する。
【0030】
複数の被測定信号遅延部306−0〜17は、直列に複数個接続されており、被測定信号SHを初段に受け取る。また、複数の被測定信号遅延部306−0〜17は、それぞれが受け取る入力信号を、予め定められた被測定信号遅延時間(TpdA)それぞれ遅延させて出力する。
【0031】
本例において、複数の被測定信号遅延部306−0〜17は、それぞれ略同一のタイミング遅延時間(TpdA)、入力信号を遅延させる。これにより、被測定信号遅延部306−k(kは、0≦k≦16を満たす整数、0、1、2、・・・、16のいずれかである)は、被測定信号SHを、時間k×TpdA遅延させた遅延信号SHkを出力する。
【0032】
複数のタイミング信号遅延部302−0〜17は、それぞれが複数の被測定信号遅延部306−0〜17のそれぞれに対応して設けられる。また、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17は、直列に接続されており、タイミング信号STRBHを初段に受け取る。そして、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17は、それぞれが受け取る入力信号を、被測定信号遅延時間(TpdA)と異なる予め定められたタイミング遅延時間、それぞれ遅延させて出力する。
【0033】
ここで、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17は、それぞれ同一のタイミング信号遅延時間、入力信号を遅延させてもよく、それぞれ異なるタイミング信号遅延時間、入力信号を遅延させてもよい。本例において、タイミング信号遅延部302−kは、タイミング信号遅延時間(Tpdk=TpdA+αk)、入力信号を遅延させることにより、ストローブSTRBHkをそれぞれ出力する。
【0034】
これにより、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17は、複数のストローブSTRBH0〜16を含むマルチストローブ信号を出力する。尚、本例において、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17のそれぞれは、テスタ制御部150から受け取る設定信号が示す設定値に基づき、タイミング信号遅延時間をそれぞれ設定する。
【0035】
値検出部304は、複数のタイミング信号遅延部302−0〜16に、それぞれ対応して設けられた複数のタイミングコンパレータ310−0〜16を含む。タイミングコンパレータ310−kは、対応するタイミング信号遅延部302−k、被測定信号遅延部306−kのそれぞれから、ストローブSTRBHk及び遅延信号SHkを受け取り、ストローブSTRBHkの立ち上がりエッジに応じて、遅延信号SHkの値を検出して、取得データSHDkとして出力する。
【0036】
これにより、値検出部304は、複数の被測定信号遅延部306−0〜16のそれぞれが出力する遅延信号SH0〜16の値を、それぞれの被測定信号遅延部306kに対応するタイミング信号遅延部302kが出力するストローブSTRBHkのタイミングに基づき検出する。これにより、値検出部304は、複数のストローブSTRBH0〜16のそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号SHの値を検出して、複数の取得データSHD0〜16として論理比較部60に与える。本例によれば、複数のストローブを生成することにより、複数のストローブSTRBH0〜16のそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号SHの値を検出することができる。
【0037】
ここで、本例において、初段及び最終段のタイミング信号遅延部302−0、17は、複数のストローブSTRBH0〜16の出力条件を同一にするために設けられている。また、初段及び最終段の被測定信号遅延部306−0、17は、複数の遅延信号SH0〜16の出力条件を同一にするために設けられている。これにより、それぞれのタイミングコンパレータ310−kは、他のタイミングコンパレータ310と略等しい波形条件で、ストローブSTRBHk及び遅延信号SHkを受け取ることができる。
【0038】
そのため、本例によれば、複数のストローブSTRBH0〜16及び複数の遅延信号SH0〜16に生じる誤差を低減することができる。また、これにより、複数のストローブSTRBH0〜16のそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号SHの値を、更に高い精度で検出することができる。
【0039】
尚、SL信号処理部54は、タイミング信号STRBH及び被測定信号SHに代えてタイミング信号STRBL及び被測定信号SLを受け取り、取得データSDH0〜SDH16に代えて、SDL0〜SDL16を出力する。これ以外の点において、SL信号処理部54は、SH信号処理部52と同一又は同様の機能を有するため説明を省略する。
【0040】
図3及び図4は、SH信号処理部52の動作の一例を説明する図である。本例において、複数の被測定信号遅延部306−0〜16は、図3に示すように、被測定信号SHを、被測定信号遅延時間(TpdA)ずつ、順次遅延させることにより、複数の遅延信号SH0〜SH16を出力する。また、複数のタイミング信号遅延部302−0〜16は、タイミング信号を、複数のタイミング信号遅延時間(Tpd0〜Tpd16)のそれぞれずつ、順次遅延させることにより、複数のストローブSTRBH0〜16を出力する。尚、図3は、遅延信号SH1〜SH16、及びストローブSTRBH1〜16の変化のタイミングを、遅延信号SH0及びストローブSTRBH0に変化のタイミングを基準として示す。
【0041】
また、値検出部304は、複数のストローブSTRBH0〜16のそれぞれに対応するタイミングにおいて、複数の遅延信号SH0〜SH16のそれぞれの値を検出して、複数の取得データSDH0〜SDH16のそれぞれとして出力する。この場合、値検出部304は、図4に示すように、タイミング信号遅延時間(Tpdk)と、被測定信号遅延時間(TpdA)との差分αkに基づき、被測定信号SHにおける、それぞれ異なる位相に対応する値を、複数の取得データSDH0〜SDH16として出力する。
【0042】
図5は、SH信号処理部52の詳細な構成の一例を示す。尚、図5は、SH信号処理部52のうち、値検出部304及び、値検出部304に接続された配線を省略して、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17、及び複数の被測定信号遅延部306−0〜17の構成を詳細に示す。
【0043】
本例において、SH信号処理部52は、一の半導体チップ上にモノリシックに形成されており、電源電位VDDを伝送する主電源配線502、副電源配線504、及び副電源配線506と、接地電位VSSを伝送する主接地配線508、副接地配線510、及び副接地配線512とを有する。
【0044】
主電源配線502及び主接地配線508のそれぞれは、半導体チップ上に形成された金属配線であって、その半導体チップに設けられたVDD電源端子(図示せず)及びVSS電源端子(図示せず)のそれぞれと電気的に接続される。主電源配線502及び主接地配線508は、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17、及び複数の被測定信号遅延部306−0〜17に電力を供給する電力供給部の一例である。
【0045】
また、副電源配線504及び副接地配線510のそれぞれは、主電源配線502及び主接地配線508のそれぞれと電気的に接続された、半導体チップ上の金属配線であり、主電源配線502及び主接地配線508のそれぞれが供給する電力を、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17のそれぞれに伝送するタイミング信号用電力線の一例である。
【0046】
副電源配線506及び副接地配線512のそれぞれは、主電源配線502及び主接地配線508のそれぞれと電気的に接続された、半導体チップ上の金属配線であり、主電源配線502及び主接地配線508のそれぞれが供給する電力を、被測定信号遅延部306−0〜17のそれぞれに伝送する被測定信号用電力線の一例である。
【0047】
本例において、副電源配線506及び副接地配線512のそれぞれは、副電源配線504及び副接地配線510のそれぞれと略平行に設けられており、それぞれの被測定信号遅延部306と、副電源配線506との距離は、それぞれの被測定信号遅延部306に対応するタイミング信号遅延部302と、副電源配線504との距離と略等しい。また、それぞれの被測定信号遅延部306と、副接地配線512との距離は、それぞれの被測定信号遅延部306に対応するタイミング信号遅延部302と、副接地配線510との距離と略等しい。
【0048】
また、副電源配線504、副電源配線506、副接地配線510、及び副接地配線512は、それぞれ略同一の配線幅を有しており、複数のタイミング信号遅延部306は、対応する複数の被検出信号遅延部302のそれぞれの間における間隔と、それぞれ略等しい距離を隔てて設けられる。
【0049】
そのため、本例において、それぞれの被測定信号遅延部306と主電源配線502との間における、副電源配線506のインピーダンスは、それぞれの被測定信号遅延部306に対応するタイミング信号遅延部302と、主電源配線502との間における、副電源配線504のインピーダンスと略等しい。また、この被測定信号遅延部306と主接地配線508との間における、副接地配線512のインピーダンスは、この信号遅延部302と、主接地配線508との間における、副接地配線510のインピーダンスと略等しい。
【0050】
そのため、本例によれば、それぞれの被測定信号遅延部306が、対応するそれぞれのタイミング信号遅延部302と、略同一の電源電圧条件の下で動作する。これにより、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17、及び複数の被測定信号遅延部306−0〜17は、高い精度で、複数のストローブSTRBH0〜16、及び遅延信号SH0〜16を生成することができる。
【0051】
尚、それぞれのタイミング信号遅延部302と、副接地配線510との距離は、それぞれのタイミング信号遅延部302と、副電源配線504との距離と略等しいのが好ましい。この場合、タイミング信号遅延部302の出力信号における立ち上がり変化と立ち下がり変化との間におけるスルーレートの差を低減することができる。
【0052】
ここで、それぞれのタイミング信号遅延部302及び被測定信号遅延部306について、更に詳しく説明する。本例において、それぞれのタイミング信号遅延部302は、ドライバ418及び可変コンデンサ408を有し、被遅延信号である入力信号を遅延させて出力する。それぞれのタイミング信号遅延部302は、それぞれ略同一なドライバ418と、それぞれ略同一な可変コンデンサ408とを有してよい。
【0053】
ドライバ418は、直列に接続された2個のインバータ402、404、及び可変コンデンサ406を含み、前段のインバータ402に、タイミング信号遅延部302の入力信号を受け取る。インバータ402は、受け取った入力信号を、反転して後段のインバータ404に与える。インバータ404は、インバータ402の出力を更に反転して、タイミング信号遅延部302の出力信号として出力する。
【0054】
これにより、ドライバ418は、タイミング信号遅延部302が受け取る入力信号に応じた電圧を出力する。尚、本例において、インバータ404は、インバータ402と略同一である。また、可変コンデンサ406は、可変コンデンサ408と略同一であり、インバータ402の出力と、接地電位との間に設けられる。
【0055】
可変コンデンサ408は、ドライバ418の出力と、接地電位との間に設けられており、変更可能な静電容量を有する。すなわち、本例において、2個の可変コンデンサ406、408は、2個のインバータ402、404のそれぞれの出力と、接地電位との間にそれぞれ設けられる。
【0056】
ここで、2個の可変コンデンサ406、408のそれぞれは、設定端子及び容量供給端子を含み、テスタ制御部150が出力する設定信号S0〜S4を、設定端子に受け取る。また、2個の可変コンデンサ406、408のそれぞれの容量供給端子は、2個のインバータ402、404のそれぞれにおける出力と電気的に接続されることにより、設定信号S0〜S4に示された静電容量を、当該出力と接地電位との間に与える。
【0057】
また、2個の可変コンデンサ406、408のそれぞれの設定端子は、互いに電気的に接続される。これにより、2個の可変コンデンサ406、408は、略等しい静電容量に設定される。
【0058】
尚、本例において、複数のタイミング信号遅延部302−0〜17にそれぞれ含まれる複数の可変コンデンサ406−0〜17のそれぞれは、それぞれ独立な設定信号S0〜S4を受け取る。この場合、それぞれの可変コンデンサ406及び可変コンデンサ408の静電容量を、対応する被測定信号遅延部306における遅延時間に応じて、適切に設定することができる。
【0059】
本例において、略同一なインバータ402及びインバータ404のそれぞれは、略同一な静電容量に設定された可変コンデンサ406及び可変コンデンサ408に対して出力を与える。この場合、同一の入出力条件の下で動作する複数のインバータによりマルチストローブを生成するため、タイミング信号STRBHが複数のタイミング信号遅延部302を順次通過することによる波形変化が低減され、高い精度のマルチストローブを生成することができる。この場合、それぞれのタイミングコンパレータ310−k(図3参照)は、他のタイミングコンパレータ310が受け取るのと略等しい波形のストローブSTRBHkを受け取る。
【0060】
また、それぞれの被測定信号遅延部306は、可変コンデンサ416及びドライバ420を有する。可変コンデンサ416は、可変コンデンサ408と略同一であり、ドライバ420の出力と、接地電位との間に設けられる。ドライバ420は、対応するタイミング信号遅延部302におけるドライバ418と略同一であり、インバータ410、インバータ412、及び可変コンデンサ414を含む。インバータ410、インバータ412、及び可変コンデンサ414のそれぞれは、インバータ402、インバータ404、及び可変コンデンサ406のそれぞれと略同一である。この場合、それぞれのタイミングコンパレータ310−kは、例えば、他のタイミングコンパレータ310が受け取るのと略等しい波形の遅延信号SHkを受け取る。複数のタイミングコンパレータ310−0〜16は、例えば、それぞれ略等しいパルス幅、及びデューティー比を有する遅延信号SH0〜16を、それぞれ受け取る。
【0061】
また、本例において、それぞれの被測定信号遅延部306は、対応するタイミング信号遅延部302と略同一である。そのため、本例よれば、複数の遅延信号SH0〜16を高い精度で生成することができる。また、複数のストローブSTRBH0〜16と、複数の遅延信号SH0〜16とに与えられた遅延時間に対し、タイミング信号遅延部302と被測定信号遅延部306との特性の差により生じる誤差を低減することができる。
【0062】
尚、本例において、可変コンデンサ414、416の設定端子はそれぞれ接地されており、これにより、可変コンデンサ414、416の静電容量は、それぞれ最小値に設定されている。そのため、それぞれの被測定信号遅延部306は、対応するタイミング信号遅延部302より小さな遅延時間、入力信号を遅延させて出力する。
【0063】
図6は、タイミング信号遅延部302−k、及び被測定信号遅延部306−kの動作の一例を説明する図である。図6において、実線は、電源電位がVDDである場合の遅延信号SHk及びストローブSTRBHkの波形を、点線は、電源電位がVDDからdV低下した場合の両波形を示す。
【0064】
本例において、電源電位がVDDである場合、タイミング信号遅延部302−kは、遅延信号SHkの立ち上がりから、時間Tx遅れて立ち上がるストローブSTRBHkを出力する。尚、時間Txは、遅延信号SHkの値が、インバータ402の閾値Vthに達してから、ストローブSTRBHkの値が、インバータ410の閾値Vthに達するまでの時間である。
【0065】
一方、電源電位がVDDからdV低下した場合は、遅延信号SHk及びストローブSTRBHkの立ち上がりの速度はそれぞれ低下し、タイミング信号遅延部302−kは、遅延信号SHkの立ち上がりから、時間Tx’遅れて立ち上がるストローブSTRBHkを出力する。
【0066】
ここで、図5を用いて説明したように、本例のタイミング信号遅延部302及び被測定信号遅延部306は、略同一の電源電圧条件の下で動作する。そのため、電源電位が低下した場合における、遅延信号SHk及びストローブSTRBHkの立ち上がり速度の低下は同程度である。この場合、時間Tx’は時間Txと略等しい。
【0067】
そのため、本例によれば、電源電位が変動した場合であっても、タイミング信号遅延部302−kは、遅延信号SHkに対して、高い精度で規定されたタイミングで、ストローブSTRBHkを出力することができる。本例によれば、複数のストローブSTRBH0〜16のそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号SHの値を、高い精度で検出することができる。
【0068】
図7は、インバータ402の構成の一例を示す。インバータ402は、副電源配線504からHレベルに対応する電源電位(VDD)を受け取り、副接地配線510からLレベルに対応する接地電位(VSS)を受け取る。また、インバータ402は、それぞれ略等しいサイズを有する、2個のPMOSトランジスタ602、604、及び2個のNMOSトランジスタ606、608を有する。
【0069】
尚、2個のPMOSトランジスタ602、604、及び2個のNMOSトランジスタ606、608は、例えば、ゲートアレイにおけるNANDセルに含まれるトランジスタであってよく、それぞれ、略等しいチャネル幅及びチャネル長を有する。
【0070】
2個のPMOSトランジスタ602、604は、並列に接続されており、ソース端子にHレベルに対応する電位を、副電源配線504から受け取る。2個のNMOSトランジスタ606、608は、PMOSトランジスタ602のドレイン端子と、副接地配線510から受け取るLレベルに対応する電位との間に、直列に接続される。尚、本例において、NMOSトランジスタ608は、NMOSトランジスタ606の下流に接続されており、インバータ402は、PMOSトランジスタ602のドレイン端子の電位を入力信号の反転信号として、このインバータ402と同じドライバ418に含まれているインバータ404に出力する。
【0071】
尚、本例において、PMOSトランジスタ602及びNMOSトランジスタ606は、ゲート端子に、インバータ402が受け取る入力信号を受け取る。また、PMOSトランジスタ604及びNMOSトランジスタ608は、ゲート端子に、Hレベルに対応する電位を受け取る。この場合、インバータ402の入力信号の値によらず、PMOSトランジスタ604はオフになり、NMOSトランジスタ608はオンになる。
【0072】
そのため、インバータ402の入力信号がHレベルである場合、インバータ402の出力端は、直列に接続された2個のNMOSトランジスタ606、608を介して接地される。一方、インバータ402の入力信号がLレベルである場合、インバータ402の出力端は、インバータ402を介して電源電位(VDD)と電気的に接続される。
【0073】
ここで、NMOSトランジスタ606、608のチャネル電流における電荷のキャリアは電子であり、PMOSトランジスタ602のチャネル電流における電荷のキャリアはホールである。また、電子は、ホールよりも高い移動度を有する。本例において、インバータ402は、シリコンで形成されたCMOS半導体チップ上に形成されており、電子は、ホールの略2倍の移動度を有する。
【0074】
そのため、インバータ402の出力端を、1個のNMOSトランジスタ606を介して接地するとすれば、インバータ402の閾値は、電源電位(VDD)の半値よりも小さくなり、インバータ402は、入力信号を、精度よく反転することはできないこととなる。
【0075】
しかし、本例においては、インバータ402の出力端は、1個のPMOSトランジスタ602と、2個のNMOSトランジスタ606、608とにより、それぞれ電源電位(VDD)と、接地電位(VSS)とに電気的に接続されている。この場合、インバータ402における立ち上がりのスルーレートと立ち下がりのスルーレートとは略等しくなり、インバータ404の閾値は、電源電位(VDD)の半値と略等しくなる。そのため、本例によれば、インバータ404は、入力信号を、精度よく反転することができる。
【0076】
尚、本例において、インバータ404(図5参照)、インバータ410(図5参照)、及びインバータ412(図5参照)は、それぞれインバータ402と同一又は同様の構成を有する。そのため、ドライバ418(図5参照)及びドライバ420(図5参照)は、それぞれ、電源電位(VDD)の半値と略等しい閾値に基づき、入力信号に基づく信号を出力する。この場合、ドライバ418及びドライバ420は、入力信号に対して高い精度で忠実な出力信号を出力するため、タイミング信号遅延部302(図5参照)及び被測定信号遅延部306(図5参照)は、高い精度で入力信号を遅延させることができる。
【0077】
図8は、可変コンデンサ406の構成の一例を示す。本例において、可変コンデンサ406は、複数の設定端子708−0〜4、複数のゲート容量変更部700−0〜4、及び容量供給端子710を有する。
【0078】
複数の設定端子708−0〜4のそれぞれは、設定信号S0〜S4のそれぞれを受け取る端子である。複数のゲート容量変更部700−0〜4は、複数の設定端子708−0〜4に、それぞれ対応して設けられており、対応する設定端子708を介して、対応する設定信号を受け取る。
【0079】
本例において、それぞれのゲート容量変更部700は、インバータ706、NMOSトランジスタ702、及びPMOSトランジスタ704を含む。インバータ706は、対応する設定端子708が受け取る設定信号を反転する。
【0080】
NMOSトランジスタ702は、設定信号の反転信号を、インバータ706から、ソース端子及びドレイン端子に受け取る。また、NMOSトランジスタ702のゲート端子は、容量供給端子710と電気的に接続される。PMOSトランジスタ704は、設定信号を、設定端子708から、ソース端子及びドレイン端子に受け取る。また、PMOSトランジスタ704のゲート端子は、容量供給端子710と電気的に接続される。
【0081】
ここで、本例において、NMOSトランジスタ702のゲート容量は、ソース端子及びドレイン端子が受け取る信号がLレベルの場合に、当該信号がHレベルの場合のゲート容量より大きい。また、PMOSトランジスタ704のゲート容量は、ソース端子及びドレイン端子が受け取る信号がHレベルの場合に、当該信号がHレベルの場合のゲート容量より大きい。
【0082】
そのため、NMOSトランジスタ702及びPMOSトランジスタ704は、設定端子708が受け取る設定信号の値に応じてゲート容量を変化させる。NMOSトランジスタ702及びPMOSトランジスタ704は、設定信号がLレベルの信号である場合、ゲート容量を小さな値に変化させ、設定信号がHレベルの信号である場合、ゲート容量を大きな値に変化させる。
【0083】
これにより、複数のゲート容量変更部700−0〜4は、可変コンデンサ406の静電容量を変化させる。そのため、本例によれば、可変コンデンサ406は、設定信号S0〜4に応じて、適切に静電容量を変化させることができる。
【0084】
尚、他の例において、NMOSトランジスタ702及びPMOSトランジスタ704のそれぞれは、それぞれにおけるソース端子及びドレイン端子の一方に、設定信号の反転信号、及び設定信号のそれぞれを受け取ってもよい。また、NMOSトランジスタ702及びPMOSトランジスタ704のそれぞれは、それぞれにおけるソース端子及びドレイン端子に、設定信号、及び設定信号の反転信号のそれぞれを受け取ってもよい。
【0085】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【0086】
上記説明から明らかなように、本発明によれば、複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を、高い精度で検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る試験装置100の構成の一例を示す図である。
【図2】マルチストローブ処理部50の構成の一例を示す図である。
【図3】SH信号処理部52の動作の一例を説明する図である。
【図4】SH信号処理部52の動作の一例を説明する図である。
【図5】SH信号処理部52の詳細な構成の一例を示す図である。
【図6】タイミング信号遅延部302−k、及び被測定信号遅延部306−kの動作の一例を説明する図である。
【図7】インバータ402の構成の一例を示す図である。
【図8】可変コンデンサ406の構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
10・・・パターン発生部、20・・・波形整形部、30・・・信号入出力部、40・・・判定部、50・・・マルチストローブ処理部、52・・・SH信号処理部、54・・・SL信号処理部、60・・・論理比較部、70・・・レベルコンパレータ、80・・・レベルコンパレータ、90・・・ドライバ、100・・・試験装置、150・・・テスタ制御部、200・・・電子デバイス、302・・・タイミング信号遅延部、304・・・値検出部、306・・・被測定信号遅延部、310・・・タイミングコンパレータ、402・・・インバータ、404・・・インバータ、406・・・可変コンデンサ、408・・・可変コンデンサ、410・・・インバータ、412・・・インバータ、414・・・可変コンデンサ、416・・・可変コンデンサ、418・・・ドライバ、420・・・ドライバ、502・・・主電源配線、504・・・副電源配線、506・・・副電源配線、508・・・主接地配線、510・・・副接地配線、512・・・副接地配線、602・・・PMOSトランジスタ、604・・・PMOSトランジスタ、606・・・NMOSトランジスタ、608・・・NMOSトランジスタ、700・・・ゲート容量変更部、702・・・NMOSトランジスタ、704・・・PMOSトランジスタ、706・・・インバータ、708・・・設定端子、710・・・容量供給端子
Claims (12)
- 複数のストローブを生成することにより、前記複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を検出する検出装置であって、
直列に複数個接続されており、前記被測定信号を初段に受け取り、かつ、それぞれが受け取る入力信号を、予め定められた被測定信号遅延時間それぞれ遅延させて出力する、複数の被測定信号遅延部と、
それぞれが前記複数の被測定信号遅延部のそれぞれに対応して設けられ、直列に複数個接続されており、予め定められたタイミングで値が変化するタイミング信号を初段に受け取り、かつ、それぞれが受け取る入力信号を前記被測定信号遅延時間と異なる予め定められたタイミング遅延時間それぞれ遅延させて、前記複数のストローブのそれぞれとして出力することにより、前記複数のストローブを含むマルチストローブ信号を出力する、複数のタイミング信号遅延部と、
前記複数の被測定信号遅延部のそれぞれが出力する信号の値を、それぞれの前記被測定信号遅延部に対応する前記タイミング信号遅延部が出力する前記ストローブのタイミングに基づき検出することにより、前記複数のストローブのそれぞれに対応する測定タイミングにおける被測定信号の値を検出する値検出部と、
前記複数のタイミング信号遅延部及び前記複数の被測定信号遅延部に電力を供給する電力供給部と、
前記電力供給部が供給する前記電力を、前記複数のタイミング信号遅延部のそれぞれに伝送するタイミング信号用電力線と、
前記電力供給部が供給する前記電力を、前記複数の被測定信号遅延部のそれぞれに伝送し、かつ、それぞれの前記被測定信号遅延部と前記電力供給部との間におけるインピーダンスが、それぞれの前記被測定信号遅延部に対応する前記タイミング信号遅延部と、前記電力供給部との間における、タイミング信号用電力線のインピーダンスと略等しい被測定信号用電力線と
を備えることを特徴とする検出装置。 - 前記被測定信号用電力線は、前記タイミング信号用電力線と略平行に設けられ、それぞれの前記被測定信号遅延部と、前記被測定信号用電力線との距離は、それぞれの前記被測定信号遅延部に対応する前記タイミング信号遅延部と、前記タイミング信号用電力線との距離と略等しいことを特徴とする請求項1に記載の検出装置。
- 前記複数のタイミング信号遅延部は、対応する前記複数の被検出信号遅延部のそれぞれの間における間隔と、それぞれ略等しい距離を隔てて設けられたことを特徴とする請求項2に記載の検出装置。
- それぞれの前記タイミング信号遅延部は、
当該タイミング信号遅延部が受け取る入力信号に応じた電圧を出力するタイミング信号ドライバと、
前記タイミング信号ドライバの出力と、予め定められた電位との間に設けられた、変更可能な静電容量を有するタイミング信号用可変コンデンサと
を有し、
それぞれの前記被測定信号遅延部は、
対応する前記タイミング信号遅延部における前記タイミング信号ドライバと略同一の被測定信号ドライバと、
前記被測定信号ドライバの出力と、前記予め定められた電位との間に設けられた、前記タイミング信号用可変コンデンサと略同一の被測定信号用可変コンデンサと
を有することを特徴とする請求項1に記載の検出装置。 - 前記タイミング信号ドライバは、
直列に接続され、かつ、前段に前記入力信号を受け取る2個のインバータと
前記前段の前記インバータの出力と、前記予め定められた電位との間に設けられた、タイミング信号用可変コンデンサと略同一の中間可変コンデンサと
を含むことを特徴とする請求項4に記載の検出装置。 - 被遅延信号を遅延させて出力する信号遅延器であって、
直列に接続され、かつ、初段に前記被遅延信号を受け取る2個のインバータと、
略等しい静電容量に設定され、かつ、前記2個のインバータのそれぞれの出力と、予め定められた電位との間にそれぞれ設けられた2個の可変コンデンサと
を備えることを特徴とする信号遅延器。 - 前記2個のインバータは略同一であり、
前記2個の可変コンデンサは略同一であることを特徴とする請求項6に記載の信号遅延器。 - 前記可変コンデンサは、
設定すべき静電容量を示す設定信号を受け取る設定端子と、
対応する前記インバータの出力と電気的に接続されることにより、前記設定信号に示された静電容量を、当該インバータの出力と前記予め定められた電位との間に与える容量供給端子と
を有し、
前記2個の可変コンデンサのそれぞれの前記設定端子は、互いに電気的に接続されたことを特徴とする請求項6に記載の信号遅延器。 - 前記可変コンデンサは、
前記設定信号、及び当該設定信号の反転信号の一方を、ソース端子及びドレイン端子に受け取り、ゲート端子が前記容量供給端子と電気的に接続された可変コンデンサ用NMOSトランジスタと、
前記設定信号、及び当該設定信号の反転信号の他方を、ソース端子及びドレイン端子に受け取り、ゲート端子が前記容量供給端子と電気的に接続された可変コンデンサ用PMOSトランジスタと
を有することを特徴とする請求項8に記載の信号遅延器。 - 前記インバータは、
ソース端子にHレベルに対応する電位を受け取るインバータ用PMOSトランジスタと、
それぞれが、前記インバータ用PMOSトランジスタと略等しいサイズを有し、かつ、前記インバータ用PMOSトランジスタのドレイン端子と、Lレベルに対応する電位との間に直列に接続された2個のインバータ用NMOSトランジスタと
を有することを特徴とする請求項6に記載の信号遅延器。 - 前記インバータ用PMOSトランジスタと、前記2個のインバータ用NMOSトランジスタの一方とは、ゲート端子に前記インバータが受け取る入力信号を受け取り、
前記2個のインバータ用NMOSトランジスタの他方は、ゲート端子に、Hレベルに対応する電位を受け取ることを特徴とする請求項10に記載の信号遅延器。 - 入力信号を反転するインバータであって、
ソース端子にHレベルに対応する電位を受け取るPMOSトランジスタと、
それぞれが、前記PMOSトランジスタと略等しいサイズを有し、かつ、前記PMOSトランジスタのドレイン端子と、Lレベルに対応する電位との間に直列に接続された2個のNMOSトランジスタと
を備えることを特徴とするインバータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003026867A JP2004239666A (ja) | 2003-02-04 | 2003-02-04 | 検出装置、信号遅延器、インバータ |
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JP2003026867A JP2004239666A (ja) | 2003-02-04 | 2003-02-04 | 検出装置、信号遅延器、インバータ |
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JP2003026867A Withdrawn JP2004239666A (ja) | 2003-02-04 | 2003-02-04 | 検出装置、信号遅延器、インバータ |
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JP (1) | JP2004239666A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009150816A1 (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 株式会社アドバンテスト | マルチストローブ回路およびそのキャリブレーション方法およびそれを用いた試験装置 |
US7999531B2 (en) | 2009-06-22 | 2011-08-16 | Advantest Corporation | Phase detecting apparatus, test apparatus and adjusting method |
-
2003
- 2003-02-04 JP JP2003026867A patent/JP2004239666A/ja not_active Withdrawn
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WO2009150816A1 (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 株式会社アドバンテスト | マルチストローブ回路およびそのキャリブレーション方法およびそれを用いた試験装置 |
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